TW554475B - Creation of an electrically conducting bonding between two semiconductor elements - Google Patents
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Description
554475 A7 -____B7___ 五、發明説明(1 ) 技術領域 本發明關於在二半導體元件間容許產生導電性結合的方 法。 習知技術概況 將半導體材料的薄膜轉移至載體上係常用於微電子學領 域中。這是一特別使用於在砷化鎵上製造的裝置之例子,其 中較佳地為辟由砷化鎵薄膜製成的基材放置在基材矽載體 上。這解決方法提供幾個優點。它能夠降低成本,因為砷化 鎵是一種比矽昂貴的材料。它能使處理簡單化,因為砷化鎵 易碎,因此必須謹慎地處理。它同樣地能減輕組件的重量, 這是空間應用上的重要參數,因為矽較砷化鎵輕。 此種轉移傳統上是蕨由使用氧化物結合來達成,這類型 的結合容易控制。然而,使用氧化物之結合具有一特定的特 徵為該薄膜與其載體|為電氣絕緣。因此,對特定應用而言, 需要建立一通過基材的垂直電氣傳導基材。特別是用於在矽 載體上形成之碳化矽薄膜上製造的二極體,以及藉由在矽上 沉積砷化鎵而製造的太陽能電池的情況中。 此外’特定類型的電晶體(如具有導電底材或金屬底材 的電晶體)需要在半導體層下埋有一金屬層,其中電晶體係 由該半導體層產生。這類型的層係難以產生,而導電性結合 係為生產這類型結構的最簡單方法。 用於在兩矽板間產生導電結合之幾個解決方法已被提 出。已提出的文獻,如K. LJUNGBERG等人發表於> Elecctrochem· Soc·、第 141 期、第 1〇卷、1994年 1〇月、第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-4- 554475 A7 _B7_ 五、發明説明(2 ) 2829-2833頁的文獻「藉由晶片結合在矽中包埋矽化鈷層 (Buried Cobalt Silicide Layers in Silicon Created by Wafer Bonding )」,以及Zhi Xiong Xiao等人在 J· Electrochem· Soc·、 第145期、第4卷、1998年4月、第1360-1362頁的文獻「低溫 下石夕晶圓對晶圓以石夕化鎳結合(Low Temperature Silicon Wafer to Wafer Bonding with Nickel Silicide)」。所有這些 解決方法係皂含藉由該金屬與半導體材料之反應而在沈積於 待結合之板表面的金屬形成矽化物。這些解決方法有兩個缺 點,一方面矽化物的形成會消耗一部份的半導體膜,此在非 常薄的膜的例子中為缺點。另一方面,其存在有會使其特性 退化之金屬至半導體的擴散作用。特別是在使用鎳的例子 中。此外,所形成之化合物係在高溫下不穩定,其限制了在 該結合產生後之熱處理作用的可能性。這兩件事係非常重要 的,因為如果欲在結結合後實行晶體之取向生長,其可能會 涉及高溫的使用(在碳化矽的例子下之溫度級次為1600°C )。 發明說明 為了改善上述的缺點,依據本發明其建議使用一種結合 作用,其使用一不與待電氣連接之二半導體材料的至少一者 反應之一或多個層。 因此,本發明之目的為藉由熱處理的方式,在第一半導 體元件之一表面與第二個半導體元件之一表面之間產生導電 結合的方法,包括: -將至少一層材料沈積在第一半導體元件之該表面 上,以及將至少一層材料沈積在第二半導體元件之該表面 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) M規格(210X297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂— 554475 A7 ----------g7 五、發明説明(3 ) " ----- 上,這些沉積層會在該熱處理期間結合,形成提供二表面之 間的導電結合的層, •將该等表©彼此靠抵,在該表面之㈣人該等沈積材 料層, •進仃該熱處理,其特徵在沉積在該第一半導體元件之 該表面上的材料層以及沉齡該第三半導體元件之該表面面 上的材料層,·係經選擇以在減理期間於固相下反應,並形 成相對於第-及第二半導體元件為―溫度穩定的混合物,此 熱處理不”導任何沉積材料及至少—半導體元件之間的反 應產物。 依據一特殊具體實施例,沉積於第一半導體元件之表面 上的材料層係與沉積於第二半導體元件之表面上的材料層不 同,該熱處理形成的混合物不會誘發任何與第一及第二半導 體之反應產物。 依據另一特殊具體實施例,材料層中之一層係以過厚的 厚度沉積,以致於該層的一部份係與另一材料層接觸,而與 另一 >儿積之材料層結合以形成穩定的混合物,該沈積了為過 厚之厚度的層之另一部分,係與被其所沈積之半導體元件接 觸’而在熱處理期間與此半導體元件反應,以形成具有歐姆 接觸之薄膜。 在沈積之材料層之間可提供氧化層,該氧化物係經選擇 以與至少一该沉積層的材料反應’該氧化層以及與氧化物反 應的材料層的厚度,係使得所形成的氧化物係以本質上不損 害導電性結合的分離沉澱物之形式形成。此氧化層可藉由例 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂· Φ, 554475 五、發明説明(4 如選自真空沉積作用以及溶膠-凝膠式沉積作用的方法,而 沈積在該材料層中之一或二者上。 為了促進結合作用,其第一與第二半導體元件在熱處理 時可彼此靠抵緊壓。 該導電性結合可由相同材料之混合物獲得。例如,第一 半導體元件為碳切且第三半導體元件亦為礙切,其中間 層包含有在第·一半導體之該表面上的一鎢層與一矽層,以及 在第二半導體之該表面上的-制與^層,在熱處理後形 成包含二石夕化鶴的混合物。 若其中一半導體元件係為一薄膜,此方法可包含下述步 驟組成的預備步驟:將此薄膜界定為一基材的表層,其係^ 與該基材的其他部分分離。依據第一個具體實施例,在預備 步驟期間,該基材係由堆集一載體、一犧牲層及一薄膜所形 成’於產生結合後,可藉由溶解犧牲層而使得薄膜與基材之 其㈣分分離。依據第二個具體實施例,在預備步驟期間, 該薄膜係藉由一經由離子植入所得之微孔層而結合於一基材 中’薄膜與基材之其餘部分的分離係在結合熱處理作用,或 特定的熱處理作用,或運用機械力作用或是熱處理與運用機 械力的組合作用之後進行。 圖式的簡要說明 在閱讀下述藉由非限制性實施例及其中附帶之圖式的 式所提供之說明後,將可更瞭解本發明而其它的優點m 將顯而易見: 付點 -第ία到m圖說明依據本發明之方法,在兩半導體元 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公楚')
-訂· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ, 554475 A7 _B7_ 五、發明説明(5 ) 件之間產生導電結合的第一實施例; -第2A到2E圖說明依據本發明方法,在兩半導體元件之 間產生導電結合的第二實施例;及 -第3A到3D圖說明依據本發明方法,在兩半導體元件 之間產生導電結合的第三實施例。 本發明具體實施例的詳述 本發明建.議使用一不會與一或其他待電氣連接之半導體 元件反應之層來產生結合。 依據本發明,該材料係插入於二待結合之元件間,以在 熱處理期間結合反應,而形成相對於此等元件在高溫下以及 明顯高於熱處理溫度之溫度下為穩定的混合物。此種高溫下 的穩定性,在元件係由以碳化矽製造且元件中之一者必須進 行晶體取向生長時,係特別重要。 依據本發明之方法不需要使用擴散障壁層,雖然擴散障 壁層係可被使用的。 較佳地,其插入材料為: -鎢(或以鎢為主要成分的化合物)/矽, -鎢(或以鎢為主要成分的化合物)/矽/鎢(或以鎢為主 要成分的化合物)。 插入層的厚度常是具有一定尺寸,以使這些層的所有材 料能交互作用而形成一新的穩定材料。然而,在特定例子中, 可有利地使用至少一具有過厚之於厚度的材料層。此過厚厚 度之材料接者在南溫熱處理時和與其接觸的元件反應以供形 成具有歐姆接觸的膜。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂丨 554475 A7 B7 五、發明説明(6 ) 例如,對於由碳化矽製成之欲結合的元件以及由鎢與矽 製成的插入層而言,為了使所有的插入層反應,矽層的總厚 度或層數對鎢層的總厚度或層數比率必須等於或接近2.5, 以獲得到一均勻的二矽化鎢層。為了使得多餘的厚度能夠反 應,該比率必須稍低於2.5。這樣能夠使一基於矽化鎢及碳 化鎢的薄膜也能在高溫下穩定。 依據動處表示方式,在用於結合兩半導體元件之熱處理 後,使用了在裝置生產期間與使用期間所使用之溫度下,與 半導體材料之其中之一或另一者僅為熱力學上穩定之層。例 如,在碳化矽轉移製碳化矽的例子中,可以使用下列的堆疊: 碳化矽元件/鎢層/矽-矽層/鎢層/碳化矽,該矽為非結 晶態或結晶態。在熱處理過程中,鎢與矽反應形成二矽化鐫, 由於碳化矽/鎢(厚度0.1 # m)/矽(厚度0.25# m)-矽(厚度 0·2 5 // m) /鎮(厚度〇· 1 # m) /碳化石夕的結構而得到碳化石夕/ 二矽化鎢/碳化矽。反應係從650°C發生,其包含石夕與编的 反應,而無碳化石夕層的消耗殆,且該系統在超過16〇〇°C仍然 穩定。 第1A到1D圖係以動態方式說明依據本發明之第一具體 實施例的用於結合作用之方法的橫切面圖。第i A圖表示一 以鎢層11以及矽層15連續地覆蓋之碳化矽板1〇。第1B圖表示 一以嫣層13以及石夕層16連續地覆蓋之碳化石夕板12。第1C圖表 示於第1A與1B圖中之結構的結合,這些結構係經由層15及 層16而產生接觸。在650°C以上熱處理之後,得到表示於第id 圖的組合。由於兩板間形成包含二石夕化鶴的中間層14,使其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、可I 554475 A7 --—______ 五、發明説明(7 ) 石反化矽板10藉由一電氣傳導的連接與碳化矽12結合。 此類導電性結合作用能用於將一薄半導體膜結合至一半 導體載體上。兩結合板之一的厚度可減少以獲得該薄膜。如 此有兩個主要缺點,一方面,欲經由其厚度得到一均勾的薄 膜是困難的m提供此膜的半導體板之其餘部分將 會損失。本發明亦能補救這些缺點。第一個解決方法係使用 一犧牲層,第二個解決方法係在離子嵌入後使用使用開裂 法。 第2 A到2 E圖係以動態方式說明在半傳導性碳化石夕板與 藉由溶解一犧牲層所得到之薄碳化矽層間,所產生之電氣傳 導性結合的橫切面圖。第2A圖表示魏3()覆蓋以作為犧牲 層的氧化矽或氮化矽之層3卜該犧牲層31以提供其薄膜的碳 化石夕層32、嫣層33以及⑨層37而連續地覆蓋。第2Bi表示以 鎢層35以及矽層38覆蓋之碳化矽板34。第冗圖為在圖2八與 圖2B中之結構的結合,這些結構係藉由層37及層则接觸。 在自650°C起的熱處理後,可獲得圖示於第犯圖 的組合。其 碳化石夕層3 2係經由-由二魏鶴所構成的層3 6之中間物之電 氣傳導性結合而與碳切板34連結。該犧牲層然後以為熟習 此技藝者所了解的技術溶解。一方面,第2e圖所示之所獲得 的結構係被稱為經由一電氣傳導性結合而連接至一碳化矽載 體之石厌化石夕 >專膜,另-方面,為其係可多次使用的石夕板。 第3A到3D圖係以動態方式說明在半傳導性碳化矽板與 藉由離子喪入後開裂所得到之薄碳化石夕制,所產生之電氣 傳導性結合的橫切面圖。第3A圖表示-内含經由板50之一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格^^297公釐 ---—
.訂· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •奪 -10- 554475 A7 -----—------ 五、發明説明(8 ) " 面,而依據揭露於文件FR-A-2 681 472中之技術來離子私入 所生成之微孔層51的碳化梦板50。一鶴層52以及♦層57係連 續地沉積於層50的嵌入面上。第3B圖表示以鎢層54與石夕層% 覆蓋之碳化石夕板53。第3C圖表示第3A圖以及第3B圖之纟士構 的結合,這些結構係經由層57及層58而產生接觸。在熱處理 之後,得到第3D圖所示的組合。該熱處理導致板5〇的在微 孔層之間的開·裂。留下一碳化矽薄膜55 ,其藉由包含二矽化 鎢的中間層56,而導電性結合至碳化矽板53。剩餘的板5〇可 被回收利用。 壓力能被應用在該等組合結構之間,而以一種有利方式 增進結合作用。無論相連與否,皆可在該結構之至少一表面 上使用氧化物薄層,以降低結合所需的壓力。此氧化層必須 夠薄(數埃),且能與至少一結合材料互相作用,以在加工過 程的最後形成不影響電氣傳導的沉澱。在熱處理過程中,如 果該金屬是夠正電性的話,該薄氧化層會與該提供給它之金 屬反應,以形成為一種絕緣沉澱物的金屬氧化物。特別是在 例如鈦與氧化物二氧化矽作用,而形成二氧化鈦並釋出矽的 情況中。因此一個碳化矽/二氧化矽(厚度〇〇1以爪)_二氧化矽 (厚度0.01/zm)/鈦(厚度〇.1/zm)/矽的堆疊提供了碳化矽 /(TiSi2 + TiOx)/Si的結構。該反應發生在⑺⑼它,其包含了 矽與鈦的反應以及二氧化矽與鈦的還原反應,而不損耗碳化 矽薄膜。該二氧化矽必須夠薄,因此該二氧化鈦不形成一連 續層。該线至133(TC仍為穩定(其係受到二⑪化鈦及石夕會 在此溫度形成共錄的限制)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂— • 11 · 554475 A7 _B7_ 五、發明説明(9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以上的描述能適用於與其他元件的結合。因此,可藉由 例如插入至少兩層分別是鎢與矽的材料中,來將氮化鎵磊晶 結合於一藍寶石基材或具碳化矽基材的碳化矽層。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) -12- 56...中間層(含二矽化鎢) 57…矽層 58…矽層 554475 A7 _ B7 五、發明説明(l〇 ) 元件標號對照表 10.. .碳化矽板 11…鎢層 12.. .碳化矽 13.. .嫣層 14…二矽化鎢 15.. .矽層. 16…矽層 30.. .矽板 31.. .犧牲層(氧化矽或氮化矽) 32…碳化矽 3 3...鶴層 34…碳化矽板 3 5…鶴層 36···中間物(二矽化鎢) 3 7...石夕層 3 8...碎層 50.. .碳化矽板 51…微孔層 5 2...嫣層 53…破化矽板 5 4...嫣層 55…碳化矽薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -13-
Claims (1)
- 申請專利範圍煩4#員明示日修正本 第89118342號專利申請案申請專利範圍修正本92年5月9日 一 K 一種在第一半導體元件之一表面(10, 32, 55)與第二 半導體7C件之一表面(12, 34, 53)之間產生導電性結合的方 法’其係藉由熱處理進行,此方法包括: -將至少一材料層沈積在第一半導體元件之該表面上 及將至少一材料層沈積在第二半導體元件之該表面上,這 些沉積層在該熱處理期間組合以形成提供該二表面之間的 導電結合的層, -將該等表面彼此靠抵,在該表面之間插入該等沈積 材料層, 進行該熱處理,其特徵在於沉積在該第一半導體元件 之該表面上的材料層(11,15, 33, 37, 52, 57),以及沉積在 該第二半導體元件之該表面上的材料層(13,16, 35, 38, 54, 58)係經選擇以供在熱處理期間於固相下反應且形成相對 於第一(10, 32, 55)及第二(12, 34, 53)半導體元件為溫度穩 定的混合物,熱處理未誘發沈積材料及半導體元件中至少 一者之間的任何反應產物。 2·根據申請專利範圍第1項之方法,其特徵在於沉積 於第一半導體元件之表面上的材料層係不同於沉積於第二 半導體元件之表面上的材料層,該熱處理形成之混合物不 與第一及第二半導體元件誘發任何反應產物。 3 ·根據申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於 該材料層中之一者係以過厚之厚度沉積,以致於與其它材 料層接觸之該材料層之一部分係與另一材料之沉積層結 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ:297公釐) -13-六、申請專利範圍 合’以供形成該穩定的混合物,與與其被其所沈積之半導 體疋件接觸之以過厚之厚度沈積的材料層的另一部分,係 在熱處理間與此半導體元件反應以形成具有歐姆接觸的薄 膜0 4·根據申請專利範圍第i項之方法,其特徵在於在 該沉積材料層之間具有氧化物層,該氧化物被選擇以供與 該沉積層的至少一材料反應,該氧化層的厚度以及與該氧 化物反應的材料層係使形成的氧化物為分離的沉殿物形 式,其本質上不損害其導電結合。 5·依據申請範圍第4項之方法,其特徵在於該氧化層 係沈積在沈積之材料層之一或二者上。 6·依據申晴專利範圍第1項之方法,其特徵在於第一 與第二半導體元件係在熱處理時彼此靠抵緊壓。 7 ·依據申凊專利範圍第1項之方法,其特徵在於第一 半導體元件為矽化碳以及第二半導體為矽化碳,其插入層 包含在第一半導體元件之該表面上的一鶴層與一石夕層,以 及在第二半導體元件之該表面上的一鎢層與一矽層,熱處 理後形成包含二矽化鎢的混合物❶ 8·依據申請專利範圍第1、2、4至7項中任一項之方 法,其特徵在於半導體元件中之一者為薄膜(32, 55),此方 法包含一預備步驟,其係由定義此薄膜為基材欲與與基材 之其他部分分離之基材的表層的。 9·依據申請專利範圍第3項之方法,其特徵在於半導 體元件中之一者為薄膜(32, 55),此方法包含一預備步驟, 554475 8 8 8 8 ABCD 申請專利範圍 其係由定義此薄膜為基材欲與與基材之其他部分分離之基 材的表層的。 1〇.依據申請專利範圍第8項之方法,其特徵在於在預 備步驟期間,其基材係由堆集-載體⑽而形成,一犧牲 層(31)及該薄膜(32)形成,於產生結合後,藉由溶解犧牲層 (31)可獲得薄膜與基材之其餘部分的分離。 11·依據申請專利範圍帛9項之方法,其特徵在於在預 備步驟期間,其基材係由堆集一載體(3〇)而形成,一犧牲 層(31)及該薄膜(32)形成,於產生結合後,藉由溶㈣牲層 (31)可獲得薄膜與基材之其餘部分的分離。 12·依據申請專利範圍第8項之方法,其特徵在於在預 備步驟期間,该薄膜係藉由利用離子植入所得之微孔層(5 i) 黏附於一基材(50)上,該薄膜從基材之其餘部分分離可接 在結合熱處理或特定熱處理或運用機械力或以熱處理及運 用機械力的組合後進行。 13·依據申請專利範圍第9項之方法,其特徵在於在預 備步驟期間,該薄膜係藉由利用離子植入所得之微孔層(5 i) 黏附於一基材(50)上,該薄膜從基材之其餘部分分離可接 在結合熱處理或特定熱處理或運用機械力或以熱處理及運 用機械力的組合後進行。 15·
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