TW554247B - The manufacture of resist structures - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554247 A7 B7_ 五、發明說明（1 ) 本發明是有關於一種方法以產生負性的光阻（r e s i s t) 結構。 在微電子所謂的化學增強光阻（CAR : Chemical amp 1 i f i ca t i on re s i s t)是大規模地使用於不同的顯影技 術（請參閱’’Solid State Technology1’ vol 39(1996)， No.7，Page 164 tol73)。此化學加強原理不但是在濕性 可產生的單層光阻中使用，而且還整個或部份地使用於 乾性可產生的雙層光阻系統之中。此光阻，因此可以根 據酸性催化分解原理而運作。如果是正性作用的光阻 (在加熱迴火的步驟中），是由一非極性的化學基，例如 是羧酸-第三-丁酯基，在等量中形成極性羧酸基的以光 學方式所產生的酸。此外例如用於此種"保護"基的是第 三-丁氧羰氧基（t-Boc-基）與縮醛基。此極性改變於是 (在稀釋鹼性顯影液的顯影中）被使用以選擇性的溶解此 照射（極性）區域。 如果此由稀薄的鹼性可顯影的化學加強的負性光阻， 在光的照射中同樣地由一光學酸產生劑產生一強酸。當 然，在這種情況下此產生的酸在緊接光照射之後的加熱 步驟中不是用於分解"保護”基（如同在正性的光阻中）， 而是用於將光阻鹼性聚合物作酸性摧化以橫向連接成網 ，通常在等量中適合作連接成網的反應。此在聚合物上 的酸可分解的"保護π基在此光阻中因此不需要。 一種化學加強的負性光阻其不是在橫向連接成網的基 礎上運作，是由US-PS 4 491 628而熟知。在此種情況下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） * -------訂---------線#·」 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554247 A7 __ B7 五、發明說明（2) 使用一種光阻系統，其由相同的成份所形成如同此先前 說明的化學加強正性光阻。因此達成此遮罩之負的影像 ，其不使用稀釋鹼性顯影液其將光阻的極性區域溶解， 而是使用一種有機的顯影液其選擇性地將非極性的（未 曝光）的區域溶解。然而其缺點在於在使用此種有機的 溶劑作爲顯影液（有毒，可燃，去除性），此種顯影液在 半導體的製造中不能接受。 此外此化學方式加強的正性光阻，通常同樣如同以化 學方式加強之負性光阻，長久以來爲所熟知（對此請參考 例如：Advanced Materials for Optics and Electionicsnvol，4(1994) ， p.83〜93)。 此正性光阻的一個特殊的變化例是由DE-OS 42 26 464 而爲熟知。此以乾式可產生的光阻是以化學成鹼劑與熱 成酸劑的化學組合爲基礎，其中此固體的光阻薄膜未曝 光的區域是以如此的方式修正，而在緊接著曝光後之化 學反應步驟中矽分子是可以嵌入光阻薄膜表面附近的 區域中。在此製程中通常沒有濕性化學顯影步驟也可行 ，而是此在曝光中所產生的潛在結構經由直接的矽烷化 與隨後的蝕刻而在氧電漿中產生（頂部表面成像："TOP" ，top surface imaging")。在此情況之下的缺點是， 由於光阻內部之酸鹼擴散製程與經由矽烷化反應之擴散 ，其結構邊緣在矽烷化之後沒有明確地界定。這在隔離 氧蝕刻製程之後導致邊緣之高度粗糙起毛，以及對於溶 解能力的限制。因此，在此後以顯影的方式而產生具有 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼-------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554247 A7 ^_______B7_ 五、發明說明（4 ) 。因此此橫向連接成網可以不會如同在此結構中央的情 形中大規模地進行。此邊緣區域雖然在顯影液中不會溶 解，然而它在顯影期間會膨脹，並且扭曲此結構輪廓。 此歸因於較小規模的聚合物橫向連接成網，因而此結構 在邊緣區域中較在核心區域中具有較少的機械穩定性。 這特別是在變得愈來愈小的結構中是一個大問題，因爲 在此情況中此邊緣部份的表面相較於原來結構的體積是 愈來愈大。一個與非常精細結構之完全符合一致的投影 ，以傳統之負性光阻系統因此是非常困難達成，如果不 是甚至不可能。 用於真正結構化的傳統式光阻系統，只使用一個唯一的主動 光學元件。其餘的添加物不是直接地針對其可結構性，而僅僅 是用於平衡此光學主動元件之困難之橫向擴散。與此相對應的 是EP-OS 0 425 142所熟知的光阻系統，其中此結構化是藉 由酸性與鹼性所產生的組合而實施，以此方式可以在一個負性 作用的光阻轉換成正性作用的光阻。然而此系統具有如同由 DE-OS 42 26 464所熟知之正性光阻同樣的缺點，即，邊緣 高度的粗糙不平與解析能力的限制。 本發明的目的是提供一種方法以產生負性的光阻結構 ，其中此稀薄鹼性可顯影的光阻不經由橫向連接成網而 結構化，並且因此在顯影步驟之後可以進一步的加工， 並且以此將邊緣粗糙不平與解析度限制的問題解決。此 外，此方法應該不但在光學微影術中與在直接寫入的方 法（以雷射射束，電子射束或離子射束）中使用，而且可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I l· * ^-------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554247 A7 B7 五、發明說明（) 以在電子投影微影術（EPL)與離子投影微影術中使用。 這是根據本發明之方法而達成，其以以下的步驟爲特 徵： (a) 在基板上塗佈-化學加強光阻，其中此光阻層包括以 下的成份： -一種聚合物，其中藉由酸的作用而實施極性的改變 ，並且具有也許是在潛在形式中的羧酸酐基， -一種化合物，由它經由一熱處理而釋出一種酸（熱 成酸劑）， -一種光學反應化合物，由它在以光，X光射束，電 子射束或離子射束的照射中產生一種鹼（光學成鹼 劑）， -一種溶劑， -也許一種或多種添加物； (b) 將此光阻乾燥； (c) 以光，X光射束，電子射束或離子射束照射此光阻； (d) 將此光阻加熱； (e) 以稀薄鹼性顯影溶液將此光阻顯影； (f )將此光阻以液相砂院化（s i 1 y 1 a t i ο η )。 在根據本發明的方法中，此結構不是經由直接矽烷化 而產生，而是藉由一個附加於矽烷化的濕性化學顯影製 程。在顯影之後此預先界定的結構以矽烷化溶液處理， 其中產生CARL製程所有的缺點（溝渠變窄，在矽層技術中 高的矽含量，大的製程窗口）。以此種方式（相較於習知 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線#·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554247 A7 B7_；_ &、發明說明（6 ) 技術）獲得在基本上改善的結構品質，其與高的解晰能力 有關。在此種方法之中此負性光阻不是在化學橫向連接 成網的基礎上運作，並且因此防止曝光區域的脫落，而 且它因而沒有限制解析度的"膨脹"（"swe 1 1 :i ng”）現象， 而它是將在未曝光區域溶解度大幅提高。以此方法而因 此建立CARL製程負性作用的變化例。因而產生其他的優 點，其可以製成本低的光阻或鹼性聚合物。 在以下的方式中詳細的實施根據本發明的方法。在此 待結構化的基板上塗佈光阻並且然後乾燥，在此情況下 將溶劑蒸發。在因此而獲得的固體的光阻薄膜中然後藉 由對準的照射而產生所欲結構的潛在影像，其中此曝光 的區域具有此由光學成鹼劑所產生的鹼。此照射是以光 學的方式以光或以X光射束而實施，其借助於光罩或直接 以聚焦的電子或離子進行。在一個緊接著照射的加熱步 驟之中（"曝光後烘焙"PEB: "post exposure bake")中， 在整個的光阻薄膜中此熱成酸劑分解，並且因此形成酸 ，即，一種化學化合物，其較基質（m a t r i X )爲酸。此酸 於是催化在聚合物上的化學反應，其導致分子碎塊的分 解，因而產生（光阻）極性的改變，即，它由疏水性轉變 爲親水性，這當然只在有足夠酸數量供使用的區域中才 可能。在曝光，即，照射的區域中，此酸藉由事先所產 生的鹼而中和，因此此聚合物不接受酸的摧化反應，在 曝光的區域中此聚合物儘可能地保持不變，即，它在顯 影液中不可溶解。在接著的顯影中，其借助於稀釋的鹼 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------訂--------- S.·. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554247 A7 B7 1、發明說明（) 性顯影液而實施，因此只有未曝光的區域被溶解去除， 並且以這種方式而產生原來結構之負的影像。這意指， 此基板在未曝光的區域上裸露，而曝光的區域仍然由固 體的光阻膜所保護。 在顯影之後此結構化的基板由液相（1 1 q U i d p h a s e )而 矽烷化，即，以一種含矽的溶解處理，其作爲浸入式矽 烷化或是在攪煉裝置中矽烷化。此矽烷化，其中在顯影 的光阻結構中（藉由與羰酸酐基反應），而裝入矽分子， 而賦與此光阻遮罩，對於氧電漿非常高的蝕刻穩定性； 同時使得能夠將預先界定之結構之橫向加寬予以矽烷化 (CARL原理）。在微影術製程中之製造條件之下，因此能 夠擴大製程窗戶。因此重要的是此顯影之光阻結構不包 括橫向連接成網之聚合物結構，因此此所描述的進一步 處理（在CARL技術的意義中）可以有成效地實施。 此在根據本發明的方法中所使用的光阻包括一聚合物 ，其可以接受酸摧化之化學反應。對此較佳是功能基， 並且更確切地說是酸性不穩定基，是由分子碎塊分裂而 成，它有利地是以下的一個或多個基：第三-烷酯，第三 -丁氧羰氧，縮醛，第四氫化呋喃基與第四吡喃基。因此 ，較佳是第三-丁酯基。 此外，此聚合物具有羧酸酐基，其適合用於矽烷化反 應之化學結合；較佳是具有琥珀酸酐基。然而爲達此目 的，此酐基還可以作爲單聚合物化的伊康酸-，丙烯酸-或甲基丙烯酸酐的酐基， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼-------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7

554247 五、發明說明（8 ) 並且同樣的潛在存在的酐基，其例如是藉由熱處理由 羧酸或羧酸衍生物形成。 由此在光阻中所包含的熱成酸劑藉由熱處理有利地釋 出硫酸。這較佳是具有芳香族或脂肪族特性的有機硫酸 ，尤其是由以下的基所構成的酸：芳香族的硫酸，其在 芳香族的殘留物上（在任何位置中）經由鹵素原子，硝基 或脂肪族殘留物（具有1至5個碳原子）所替代而成；脂肪 族硫酸，其在脂肪族殘留物上（在任何位置中）藉由鹵素 原子或硝基替代而成；或是具有多環脂肪族基，尤其是 金剛烷基與原冰片基的脂肪族硫酸。 作爲熱成酸劑較佳是以下化合物之至少一種： 雙烷基-烷基芳基-、或雙芳基-碘鹽與磺酸鹽之三烷基-，雙烷基芳基-或烷基雙芳基-毓鹽（具有烷二C1至C12， 以及芳基=C6至C18，在此情況下以OH，N02，鹵素，C1 至C12之烷基或鄰-烷基取代）；鄰-硝苄基磺酸鹽；苄基 硫基化合物之鹽，尤其是4-甲基氧苄基硫基化合物；多 氟丁烷磺酸鹽之鹽，尤其是九氟丁烷磺酸鹽，像是4-甲 基氧苄基硫基-九氟丁烷磺酸鹽；N-磺酸酯，例如是N-酞醯亞胺-P-甲苯磺酸酯。 由此存在於光阻中的光學成鹼劑經由曝光或照射有利 地釋出胺類。這較佳是一種有機芳香族胺類或脂肪族胺 類。作爲光學成鹼劑有利的是以下化合物至少之一；鄰_ 酸基苄基氧羰醯胺衍生物，甲醯胺衍生物；雙芳基甲烷-三烷基銨鹽，鄰-硝苄基氧羧基-環己基胺（鄰-硝苄基-N· -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

S --------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554247 A7 _ B7 五、發明說明（1()) 理，即，光阻的加熱通常是在從大約80至250°C的溫度中 進行。此在加熱步驟中的溫度因此是高於乾燥處理中的 溫度。用於光阻的顯影是使用本身所熟知的稀釋鹼性顯 影溶液，尤其是包括四甲基-或四乙基銨氫氧化物的顯影 液。 此矽烷化較佳是以一個含氨基的有機化合物，或是以 一個此種化合物之混合物（並且更確實地說是由液相）而 實施。通常此矽烷化劑是在一有機溶劑中溶解，尤其是 在像是乙醇，2-丙醇與2-己烷的一種醇中溶解，此醇還 可以包括水，尤其是0.5至30Gew%。此矽烷化劑較佳是 一種二氨基-寡硅氧烷的混合，其每個分子具有4至20個 矽原子，尤其是一種二氨基-寡二甲基硅氧烷。在矽烷化 之前及/或後還可以對此實施熱處理。這因此對於光阻 的結構輪廓有正面的影響，這是由於在顯影之後，殘餘 的濕氣由光阻薄膜去除，或是矽烷化之後所殘餘的溶劑 由光阻薄膜去除。對於一個可能緊接著的乾式蝕刻，尤 其是在矽烷化後的熱處理是有優點，因爲以此方式可以 避免隔離線與溝渠之橫向寬度中的差異、 本發明根據實施例還可作更進一步的說明。 第1例 製造光阻並將基板塗層（GT=重量部份） 製造一光阻，其包括以下的成份：7. 52GT的三聚物， 0.08GT的熱成酸劑，0.4GT的光學成鹼劑，以及92GT的溶 劑：此三聚物經由順丁烯二酸酐，甲基丙烯酸-第三-丁 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------tT---------線 ^^-ir (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554247 A7 -^____B7__ 五、發明說明（U) 酸酯，與烯丙基硅烷之基的共同聚合物化而獲得（分子量 :大約20000g/mol)。此熱成酸劑是4-甲基氧苄基硫代 基-2H-九氟丁烷磺酸鹽；此光學成鹼劑是鄰-硝苄基-N-環 己基氨基甲酸酯；作爲溶劑是1-甲基氧-2-醋酸丙酯。 此光阻是在一個旋轉速爲2000轉/分鐘的矽晶圓上， 其具有一個0.5微米（//m)厚的加熱層（ 235°C/90S，加熱 板），被塗佈一層商業上通用的Novolaks，其被旋塗 (spin-on)(期間：20秒），並且然後在一加熱板上在 100°C 60秒中被烘乾。此位於光阻底部上之光阻頂部的 層厚度是大約200奈米（nm)。 第2例 光阻的曝光與顯影 此相對應於第1例的頂部光阻是經由一灰色楔形遮罩 (多種密度解析目標/Di trie光學公司）在遮罩排列器上 以真空接觸曝光（MJB 3/suss KG;具有紫外線-M-干涉濾 波器/ Schott公司），以紫外線在248奈米（nm)中曝光， 並且然後在加熱板上在150°C中作60秒的熱處理（PEB)。 然後此第三-丁基-酯藉由此所形成酸的摧化而分解。經 由在23t的具有商業上顯影液的熱穩定的容器中顯影60 秒，此光阻之未曝光之區域被溶解去除，其中獲得遮罩 之負的影像。因爲此遮罩區域具有不同的透射強度，其 劑量可以被算出，其中此光阻完全被顯影，即，在未曝 光的區域中沒有留下剩餘的層厚度可以再被測量（D P (0) -劑量）。此應用借助於一對此曲線以產生用於所提到製 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------#· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 554247 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 12 五、發明說明（） 程條件的對於DP(O)的50m〗/cm2之値。 此對此，即，在反折點中曲線的上升，是與商業上用 的光阻之對比値是可比較的。 此例因此顯示在微影術的應用中，光阻系統之主要的 可使用性。 第3例 光阻之結構化 一個相對應於第1例之塗層晶圓，經由一具有0.15微 米（線段/區段結構的遮罩，借助於具有0.6數位孔 徑的投影曝光裝置，在248奈米（nm)的波長中曝光。在曝 光之後，此晶圓在加熱板上在1 5(TC的溫度中作60秒的溫 度處理（PEB)。在以一種商業上用的四甲醇銨烴的顯影液 顯影之後（期間60秒），在光阻中獲得遮罩之負的影像， 其中尺寸精確地形成此0.15微米（/zm)的結構。然後此晶 圓在室溫中以溶液在其上塗佈，此溶液是由2Gew%之雙 胺寡雙甲基硅氧烷與98Gew%的己烷所構成覆蓋。在40秒 之後此晶圓以異丙醇沖洗，並且在空氣氣流中乾燥。此 如此矽烷化與加寬的結構具有0.20微米（//πι)的區段與 0.10微米的溝渠。在電漿蝕刻反應器中，此被矽烷化之 頂部光阻結構然後借助於非均向性的氧電漿，而傳達至 位於其下的底部光阻中。由因此而獲得的結構具有垂直 的側面，以及0.20微米（//m)的區段與0· 10微米（//m)的 溝渠。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------1T---------線#會_ 554247 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3) 所需之< 1 5 0奈米（n m)的解析度’以此種方式是不能實 現。 在一個由EP-PS 0 395 91 7所熟知的方法中爲了加寬 光阻結構，而使用一種稀薄鹼性可顯影正性光阻系統之 特殊方法。在此情況之下在光阻中使用一種鹼性聚合物 ，其具有反應基。此種基（group)使得其所顯影的光阻結 構以適當的試劑作進一步的加工。在進一步加工期間此 結構被加寬（以化學的方式擴大光阻線，CARL : Chemical amplification of r es i s t 1 i nes)，或者此光阻溝渠或光 阻洞孔變狹窄。 相對應的一個由US-PS 5 234 793所熟知的方法，此用 於矽化之進一步加工是使用於一種兩層的光阻系統（Si-CARL)中。當然，在當此聚合物基質在所顯影的光阻結構 中橫向連接成網時，可以不實施此進一步加工的方法。 此在橫向連接成網的基礎上作用的負性光阻，因此是不 適用於此系統。然而對於在半導體的製造中之結構形成 所決定的平面是需要具有所提到進一步處理的方法之負 性光阻系統。 尤其是在傳統的稀薄鹼性而可顯影的負性光阻中，存 在所謂的"Swell ing”（膨脹）的問題。雖然此曝光的光阻 區域經由此在當加熱步驟時所發生的聚合物橫向連接成 網，其主要使其對於顯影液不可溶解，此結構的邊緣區 域是有問題的。在此由於較微弱的光線照射強度以及由 於擴散製程，而存在較少的質子供使用於橫向連接成網 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） . -----------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 554247 B7 五、發明說明（ 補兔 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 環己基胺甲酸酯）2,6-二硝苄基氧-羧基-環己基胺， Nifedipin衍生物，如N-甲基-硝苯吡啶(Nifedipin)，以及在所謂鹼 先質（precusor)基礎上的結合聚合物之光學成鹼劑。 作爲溶劑的是本身所熟知的光阻溶劑，尤其是以下化 合物的至少一種：1-甲氧基-2-醋酸丙酯，環己酮，r-丁基丁內酯與乳酸乙酯。因而較佳是1-甲氧基-2-醋酸丙 酯。 此光阻在此情況之下包括一個或多個添加物，其可以 改善光阻的特性，像是曆的穩定性，停機時間的表現， 以及薄膜的形成。它還可以使用添加物，其作用爲溶劑 調節劑，以調節曝光或吸收波長，其可以影響曝光劑量 或改變製程或產品之改良的特性。尤其較佳是添加劑是 9-蒽甲醇與9-羥基-9-氟羧酸。此化合物作用爲感光劑， 即，它在曝光中吸收能量，並且轉交給光學成鹼劑，因 而它可以較佳沒有附加添加劑的情況分解成更高的量子 產量。 此光阻通常具有以下的成份（GT=重量部份），其中此 各個成份補充至100 :百分之2至15GT的聚合物，0.06至 1.5GT的熱成酸劑，0.06至至1.5GT的光學成鹼劑，85至 98GT的溶劑，以及0至1 .5GT的添加劑。 此光阻是以本身所熟知的方法塗佈在基板上，例如是 藉由旋塗（spm-on)的方法，此光阻的乾燥通常是在大約 60至160°C的溫度中實施。此光阻的照射是較佳借助於具 有波長λ從400至1奈米（nm)的紫外光實施。此隨後的熱處 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 554247 公告禾 六、申請專利範圍 第89 1 25 89 1號「光阻結彳專利案 ,2构修|正） 六申請專利範圍： ^ 」 1. 一種用於產生負性光阻結構之方法，其特徵爲以下 各步驟： (a )在基板上塗佈-化學加強光阻，其中此光阻層包 括以下的成份： -一種聚合物，其具有酸形成基，其中藉由酸之 作用來分裂分子片段，使聚合物之極性改變， 該聚合物另具有羧酸酐基， - 一種熱成酸劑，由其經由熱處理而釋出一種酸 -一種光學成鹼劑，由其在以光，X光射束，電 子射束或離子射束的照射時產生一種鹼， --*溶劑， (b)將此光阻乾燥； (c )將此光阻以光線，X光-，電子-或離子射束照射， 其中在已照射之區域中由光學成鹼劑釋出鹼； (d )將光阻加熱，其中由熱成酸劑釋出酸且在已照射 之區域中該酸由鹼所中和，在未照射之區域中酸 性不穩定之基在聚合物上分裂，使聚合物之極性 改變； (e)以稀薄鹼性顯影液將此光阻顯影，其中該聚合物 554247 六、申請專利範圍 在未照射之區域中由顯影液所分開且光阻在已照 射之區域中保留在基板上； (f)以矽烷劑將此光阻由液相而矽烷化，其中此矽烷 劑結合至該聚合物之羧酸酐基。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中此聚合物具有 以下之酸形成基之至少一種：第三-烷酯，第三-丁 氧羰氧，縮醛，四氫化呋喃基與第四吡喃基。 3. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中由熱成酸 劑釋出硫酸。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中此熱成酸劑是 以下化合物之至少一種：二烷基-烷基芳基-、或二 芳基碘鹽，與磺酸之三烷基-，二烷基芳基-，或烷 基二芳基銃鹽，鄰硝苯基磺酸鹽，苄基硫基化合物 之鹽，多氟磺酸丁酯與N-磺酸脂之鹽。 5·如申請專利範圍第1 項之方法，其中由光學成鹼劑 產生一種胺。 6·如申請專利範圍第1或5項之方法，其中光學成鹼 劑是以下化合物之至少一種：鄰醯胺，苄氧羰基醯 胺衍生物，甲醯胺衍生物；二烷基甲烷三烷基銨鹽 ，磷硝基苄氧羰基環己胺，2,6 -二硝基苄氧羰基環 己胺，硝苯吡啶衍生物，以及所謂鹼先質（precusor) 爲主之結合聚合物之光學成鹼劑。 7.如申請專利範圍第1 項之方法，其中此光阻包括 554247 六、申請專利範圍 9 -萬甲醇及/或9 -經-9 -氟殘酸作爲爲添加劑。 8. 如申請專利範圍第1或7項之方法’其中此光阻 以在400奈米（nm)> λ>1奈米Um)範圍中的紫外光 照射。 9. 如申請專利範圍第1 項之方法，其中矽烷化 (si lyl at ion)以一種含胺基的化合物來進行。 10. 如申請專利範圍第9項之方法’其中矽烷化以一種 含胺基之化合物在有機溶劑中進行。 11. 如申請專利範圍第1或9項之方法，其中在矽烷化 之前及/或後進行熱處理。