JP2003177518A - 化学増幅型ポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、エネルギー線に対する感度が
高く、高温のポスト露光ベーク工程を含むパターン形成
工程においても、露光後加熱処理までの経時でレジスト
パターンの細りが生じたり、レジストパターン表面の形
状がＴ型を呈することのない化学増幅ポジ型レジスト組
成物およびパターン形成方法およびパターンを提供する
ことである。 【解決手段】オニウムカチオンと、下記一般式（１）の
ボレートアニオンとから構成される酸発生剤（Ａ）、酸
不安定基を有する高分子（Ｂ）、および有機溶剤（Ｃ）
を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成
物。 一般式（１） ［ＢＹ_mＺ_n］^- （ただし、Ｙはフッ素または塩素、Ｚはフッ素、シアノ
基、ニトロ基、および、トリフルオロメチル基の中から
選ばれる少なくとも２個の電子吸引性基で置換されたフ
ェニル基、ｍは０〜３の整数、ｎは１〜４の整数を表
し、ｍ＋ｎ＝４である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、酸発生剤としてボ
レート化合物を含む化学増幅ポジ型レジスト組成物に関
するものであり、さらに詳しくは、良好な保存安定性、
ドライエッチング耐性、感度、解像度、パターン形状を
与える化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形
成方法およびパターンに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高度な集積化を実現す
るため、リソグラフィー技術の発展による微細化がすす
められている。このような微細パターンを形成するに
は、基盤上にレジスト溶液を塗布し乾燥させて塗膜を形
成した後、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、シ
ンクロトロン放射線、イオンビームなどのエネルギー線
を照射、ポスト露光ベークして潜像を形成し、現像およ
びエッチングにより所望のパターンを得るという技術で
ある。このようなフォトリソグラフィー技術において化
学増幅型ポジ型レジスト組成物は不可欠な材料であり、
微細化の高度化に応じて様々な改良が重ねられている。

【０００３】なかでも酸発生剤は化学増幅型レジストに
は欠かせない材料である。酸発生剤はエネルギー線に感
応して酸を発生し、レジスト組成物に含まれる高分子の
酸不安定基と反応しアルカリ溶液に対する溶解性を向上
させる。よって、化学増幅型レジストの感度や解像度な
ど基本物性の多くを酸発生剤が左右するため、より微細
なパターン形成を実現させるべく様々な化合物の開発が
進められている。

【０００４】オニウム塩は、化学増幅型レジストにおけ
る酸発生剤として有用な化合物であることが既に知られ
ている。オニウム塩は感度やレジスト溶液の保存安定性
などの面で、スルホン酸エステル、Ｎ−スルホニロキシ
イミド、スルホニルジアゾメタンなどの他の構造を有す
る酸発生剤と比較して良好な特性を有することから、酸
発生剤の開発はオニウム塩を中心にすすめられている。
例えば、特開昭６３−２７８２９号公報、特開平２−２
５８５０号公報、特開平２−１５０８４８号公報、特開
平５−１３４４１４号公報、特開平５−２３２７０５号
公報等には、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンを
有するオニウム塩の使用が記載されている。このような
オニウム塩から発生する酸は、レジスト塗膜中における
拡散性の大きいトリフルオロメタンスルホン酸である。
このような酸は、フッ素で置換されていないアルキルス
ルホン酸と比較して酸強度が優れるため、高い感度が得
られるが、露光から加熱処理までのあいだに過剰な拡散
を起こし、レジストパターンを細らせたり、表面の形状
をＴ型にさせるなどの問題があった。

【０００５】このような問題を解決させるため、拡散性
を抑えた酸を発生できるようなオニウム塩の開発が進め
られている。例えば、特開平２−２５８５０号公報、特
開平２−１５０８４８号公報、特開平５−５９９３号公
報、特開平６−４３６５３号公報、特開平６−１２３９
７２号公報等には、トルエンスルホン酸アニオンを有す
るオニウム塩が、特開平６−１９９７７０号公報、特開
平９−２４４２３４号公報、特開平９−２５８４３５号
公報、特開平１０−２７４８４５号公報、特開２００１
−１７２２５１等には、アルキル基、カルボニル基、ア
ルコキシル基、カルボン酸エステル基もしくはアリール
アルキル基を有するアリールスルホン酸アニオンを有す
るオニウム塩が記載されている。

【０００６】ところで、レジスト塗膜は照射波長に対す
る一定の透明性が要求される。これは表面部から深部ま
での露光量が均一でないと、潜像形成の程度に差異が生
じ、良好なパターン形状が得られないからである。しか
し、近年フォトリソグラフィー技術は微細パターンを形
成するため照射波長の短波長化がすすみ、ＫｒＦエキシ
マーレーザー（２４８ｎｍ）に続いてＡｒＦエキシマー
レーザー（１９３ｎｍ）も検討されつつある。よってＡ
ｒＦエキシマーレーザーでは、１９３ｎｍにおけるレジ
スト塗膜の透明性が要求されるため、ポリヒドロキシス
チレンなどの芳香環を有する高分子の使用は困難となっ
ている。しかしながら、芳香環により付与していたドラ
イエッチング耐性を他の構造で達成する必要が生じたた
め、脂環式骨格を有する高分子がＡｒＦレジストの主要
なバインダー成分として提案された。このようなレジス
トにおいて酸の拡散を開始させるには、これまでより高
温のポスト露光ベークが必要となっている。

【０００７】また、ＫｒＦレジストにおいても保存安定
性を向上させるために、ｔ−ブチルエステルなどの比較
的反応性の低い酸不安定基を有する高分子の使用が検討
され始めている。このようなレジストにおいても、発生
した酸と酸不安定基との反応を進行させるためにこれま
でより高温のポスト露光ベークが必要となる。

【０００８】このような高温のポスト露光ベークを含む
リソグラフィー技術においては、上記のトルエンスルホ
ン酸アニオンを有するオニウム塩や、アルキル基、カル
ボニル基、アルコキシ基、カルボン酸エステル基もしく
はアリールアルキル基を有するアリールスルホン酸アニ
オンを有するオニウム塩を酸発生剤として使用すると、
エネルギー線照射により発生した酸のレジスト膜中での
拡散性の低減が未だ十分でなく、露光後加熱処理までの
経時でレジストパターンの細りが生じる問題があった。
よって、さらに拡散性の低い酸を発生する酸発生剤の開
発が求められてきた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、エネルギー線に対する感度が高く、高温のポスト露
光ベーク工程を含むパターン形成工程においても、露光
後加熱処理までの経時でレジストパターンの細りが生じ
たり、レジストパターン表面の形状がＴ型を呈すること
のない化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形
成方法およびパターンを提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以上の諸
問題点を考慮し解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発
明に至った。すなわち本発明は、オニウムカチオンと、
下記一般式（１）のボレートアニオンとから構成される
酸発生剤（Ａ）、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）、お
よび有機溶剤（Ｃ）を含むことを特徴とする化学増幅ポ
ジ型レジスト組成物に関する。

【００１１】一般式（１） ［ＢＹ_mＺ_n］^- （ただし、Ｙはフッ素または塩素、Ｚはフッ素、シアノ
基、ニトロ基、および、トリフルオロメチル基の中から
選ばれる少なくとも２個の電子吸引性基で置換されたフ
ェニル基、ｍは０〜３の整数、ｎは１〜４の整数を表
し、ｍ＋ｎ＝４である。）

【００１２】また、本発明は、 ボレートアニオンが、
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートもしく
はテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレートのいずれかのボレートアニオンである
上記化学増幅ポジ型レジスト組成物に関する。

【００１３】また、本発明は、オニウムカチオンが、下
記一般式（２）もしくは（１１）で表されるスルホニウ
ムカチオンである上記化学増幅ポジ型レジスト組成物に
関する。 一般式（２）

【００１４】

【化４】

【００１５】（ただし、Ｒ¹ は、ベンジル基、フェナシ
ル基、アリル基、アルコキシル基、アルコキシル基、ア
リールオキシ基、アリールオキシ基、および、β位にオ
キソ基を有するＣ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖状、も
しくは環状アルキル基、から選ばれる基を表し、Ｒ²お
よびＲ³は、それぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ１８の、直鎖
状、分岐鎖状、もしくは環状アルキル基、または、Ｃ６
〜Ｃ１８の単環、もしくは縮合多環アリール基のいずれ
かを表し、Ａｒ¹〜Ａｒ³は、それぞれ独立に、Ｃ６〜Ｃ
１８の単環、もしくは縮合多環アリール基を表し、Ｒ¹
とＲ²、Ｒ¹とＲ³、Ｒ ²とＲ³、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ¹とＡ
ｒ³、Ａｒ²とＡｒ³は互いに共有結合によって環構造を
形成していてもよく、Ｒ¹〜Ｒ³およびＡｒ¹〜Ａｒ³は、
それぞれフッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル
基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置
換されていてもよい。）

【００１６】また、本発明は、酸不安定基を有する高分
子（Ｂ）が下記一般式（１４）〜（１６）で表される繰
り返し単位のうち、少なくともいずれかひとつを含む上
記化学増幅ポジ型レジスト組成物に関する。

【００１７】

【化５】

【００１８】（ただし、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹⁴はそれぞれ独立に、
水素原子、または、置換もしくは無置換の炭素数１〜８
の、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を表す
が、一般式（１５）においてＲ¹³もしくはＲ¹⁴のいずれ
か一方は、Ｒ¹²と相互に結合して炭素数１〜４のオキソ
アルキレン鎖を形成してもよい。Ｒ¹⁷は、相互に独立の
脂環式炭素に結合する複数の官能基を表し、水素原子、
ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは
無置換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基、置換もし
くは無置換の炭素数１〜８の直鎖状、または、分岐状も
しくは環状のアルキルエステルであるカルボキシル基を
表す。Ｒ¹²およびＲ¹⁷は酸不安定基を有していてもよ
い。Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶はそれぞれ独立に炭素数０〜２のア
ルキレン鎖を表すが、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶の炭素数の和は２であ
る。ただし、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶の炭素数がともに１である
場合には互いに結合して環状構造を形成していてもよ
く、Ｒ¹⁵もしくはＲ¹⁶の炭素数が２である場合には不飽
和結合を表していてもよく、ａは０〜６の整数であ
る。）

【００１９】また、本発明は、酸不安定基を有する高分
子（Ｂ）が一般式（１６）で表される繰り返し単位を含
む上記化学増幅ポジ型レジスト組成物に関する。

【００２０】また、本発明は、酸不安定基を有する高分
子（Ｂ）が、酸不安定基として下記一般式（１７）〜
（１９）で表される基、トリアルキルシリル基もしくは
酸無水物基のうち少なくとも一つを含む、上記化学増幅
ポジ型レジスト組成物に関する。

【００２１】

【化６】

【００２２】（ただし、Ｒ¹⁸〜Ｒ²⁰はそれぞれ独立に、
置換もしくは無置換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状
もしくは環状のアルキル基を表すが、一般式（１７）お
よび（１８）において、Ｒ¹⁸とＲ¹⁹、Ｒ¹⁸とＲ²⁰、Ｒ¹⁹
とＲ²⁰、Ｒ¹⁸とＲ¹⁹とＲ²⁰は互いに結合して環状構造を
形成していてもよく、Ｒ²¹は水素原子、置換もしくは無
置換の、炭素数１〜４の直鎖状、分岐状もしくは環状の
アルキル基を表し、Ｒ²²は置換もしくは無置換の炭素数
１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン鎖を
表し、ｂおよびｃは０または１である。） また、本発明は、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）が、
酸不安定基として、ｂが０である一般式（１７）、もし
くは一般式（１９）で表される基のうち少なくとも一つ
を含む上記化学増幅ポジ型レジスト組成物に関する。

【００２３】また、本発明は、さらに、酸不安定基を有
する低分子性溶解抑止剤（Ｄ）を含む上記化学増幅ポジ
型レジスト組成物に関する。

【００２４】また、本発明は、上記化学増幅ポジ型レジ
スト組成物を用いるパターン形成方法に関する。

【００２５】また、本発明は、１００〜１６０℃のポス
ト露光ベーク工程を含む上記パターン形成方法に関す
る。

【００２６】また、本発明は、上記パターン形成方法に
より形成されたパターンに関する。

【００２７】

【発明の実施の形態】まず初めに、本発明の酸発生剤
（Ａ）について説明する。本発明の酸発生剤（Ａ）とは
エネルギー線の照射に感応して酸を発生するオニウム塩
であり、オニウムカチオンとボレートアニオンから構成
される。本発明の酸発生剤（Ａ）を構成するオニウムカ
チオンとは、ヨードニウム、スルホニウム、スルホキソ
ニウム、ホスホニウム、金属アレーンカチオンのほか、
ピリジニウム、キノリニウム、イソキノリニウム、ベン
ゾオキサゾリウム、ベンゾチアゾリウム等の複素環カチ
オンをあげることができる。

【００２８】この内、本発明の酸発生剤（Ａ）として好
ましいオニウムカチオンの構造としては、一般式（２）
〜一般式（１３）から選ばれるオニウムカチオンをあげ
ることができる。

【００２９】

【化７】

【００３０】（ただし、Ｒ¹ は、ベンジル基、フェナシ
ル基、アリル基、アルコキシル基、アルコキシル基、ア
リールオキシ基、アリールオキシ基、および、β位にオ
キソ基を有するＣ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖状、も
しくは環状アルキル基、から選ばれる基を表す。Ｒ²〜
Ｒ⁴は、一般式（２）〜一般式（４）に共通して、それ
ぞれ独立にＣ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖状、もしく
は環状アルキル基または、Ｃ６〜Ｃ１８の、単環もしく
は縮合多環アリール基のいずれかを表す。Ｒ⁵は、水
素、メルカプト基、またはＣ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分
岐鎖状もしくは環状アルキル基、またはＣ１〜Ｃ１８
の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状アルキルチオ基か
ら選ばれる基を表す。Ｒ⁶およびＲ⁷は、それぞれ独立
に、Ｃ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状
アルキル基、またはＣ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖
状、もしくは環状アルコキシル基のいずれかを表す。Ｒ
⁸およびＲ⁹は、一般式（５）〜一般式（８）に共通し
て、芳香族炭素に結合する複数の官能基を表し、それぞ
れ独立に、水素原子、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カ
ルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、カ
ルバモイル基、Ｃ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖状、も
しくは環状アルキル基、Ｃ２〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐
鎖状、もしくは環状アルケニル基、Ｃ６〜Ｃ１８の、単
環もしくは縮合多環アリール基、Ｃ７〜Ｃ１８の、単環
もしくは縮合多環アリールアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１８
の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状アルコキシル基、
Ｃ６〜Ｃ１８の、単環もしくは縮合多環アリールオキシ
基、Ｃ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状
脂肪族、Ｃ７ 〜Ｃ１９の、単環もしくは縮合多環芳香
族アシル基、Ｃ２〜Ｃ１９の、直鎖状、分岐鎖状、もし
くは環状アルコキシカルボニル基、Ｃ７〜Ｃ１９の、お
よび、単環もしくは縮合多環アリールオキシカルボニル
基、のいずれかを表す。Ａｒ¹〜Ａｒ³は、一般式（１
０）〜一般式（１３）に共通して、それぞれ独立に、Ｃ
６ 〜Ｃ１８の、単環もしくは縮合多環アリール基を表
す。Ｃｐは、シクロペンタジエニル基もしくはペンタメ
チルシクロペンタジエニル基を表す。Ｘ¹およびＸ²は、
それぞれ独立に酸素もしくは硫黄原子を表す。さらに、
Ｒ¹とＲ²、Ｒ¹とＲ³、Ｒ¹とＲ⁴、Ｒ¹とＲ⁵、Ｒ¹とＲ⁸、
Ｒ¹とＲ⁹、Ｒ²とＲ³、Ｒ ²とＲ⁴、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁸、
Ｒ⁶とＲ⁷、Ｒ⁸とＲ⁹、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ¹とＡｒ³、Ａ
ｒ²とＡｒ³、Ａｒ¹とＣｐは互いに共有結合によって環
構造を形成していてもよい。なお、Ｒ¹〜Ｒ⁹、Ａｒ¹〜
Ａｒ³、Ｃｐは、それぞれフッ素、塩素、臭素、水酸
基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ
基、アジド基で置換されていてもよい。）

【００３１】この内、より好ましいオニウムカチオンの
構造としては、一般式（２）、一般式（３）、一般式
（５）、一般式（７）、および一般式（９）〜一般式
（１３）から選ばれるオニウムカチオンであり、さらに
好ましいオニウムカチオンの構造としては、一般式
（２）、一般式（３）、および一般式（９）〜一般式
（１３）のオニウムカチオンであり、さらに好ましくは
一般式（２）、一般式（３）、一般式（１１）、一般式
（１２）のオニウムカチオンであり、さらに好ましくは
一般式（２）、一般式（１１）のオニウムカチオンであ
る、これらのオニウムカチオンを有する酸発生剤（Ａ）
を用いることにより、より大きな酸発生感度およびレジ
スト感度が得られるため好ましい。

【００３２】上に説明したオニウムカチオンを有する酸
発生剤（Ａ）は、エネルギー線の照射によって分解し易
く、酸発生効率に優れるため好ましい。

【００３３】一方、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する
一般式（１）で表されるボレートアニオンにおける置換
基Ｚとしては、３，５−ジフルオロフェニル基、２，
４，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，６−テ
トラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、
２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、２，４，
６−トリフルオロ−３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル基、３，５−ジニトロフェニル基、２，
４，６−トリフルオロ−３，５−ジニトロフェニル基、
２，４−ジシアノフェニル基、４−シアノ−３，５−ジ
ニトロフェニル基、４−シアノ−２，６−ビス（トリフ
ルオロメチル）フェニル基等があげられるが、本発明は
これらに限定されるものではない。

【００３４】したがって、本発明の酸発生剤（Ａ）のボ
レートアニオンの構造として、具体的には、ペンタフル
オロフェニルトリフルオロボレート、３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニルトリフルオロボレート、ビ
ス（ペンタフルオロフェニル）ジフルオロボレート、ビ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ジ
フルオロボレート、トリス（ペンタフルオロフェニル）
フルオロボレート、トリス［３，５−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニル］フルオロボレート、テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート等があげられる。

【００３５】この内、本発明の酸発生剤（Ａ）のボレー
トアニオンの構造として、好ましいものは、テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートおよびテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートである。

【００３６】したがって、本発明の酸発生剤（Ａ）を構
成する好ましいオニウムボレート錯体の具体例として
は、以下に掲げるものをあげることができるが、本発明
は、なんらこれらに限定されるものではない。

【００３７】テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レートの例：ベンジルスルホニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（ベンジ
ル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル
（ｍ−ニトロベンジル）スルホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ペンタフル
オロフェニルメチル）スルホニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフ
ルオロメチル）ベンジル）スルホニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−メチ
ルスルホニルベンジル）スルホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−アセチ
ルベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジ
ル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）
スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジ
メチル（２−ナフチルメチル）スルホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−
アンスリルメチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ジエチル（ベンジル）スル
ホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、メチルエチル（ベンジル）スルホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルフェニル
（ベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、ジフェニル（ベンジル）スルホニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートな
ど。

【００３８】フェナシルスルホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（フェナ
シル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スル
ホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチ
ル（ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル
（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−
イソプロピルフェナシル）スルホニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソ
プロポキシカルボニルフェナシル）スルホニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル
（２−ナフトイルメチル）スルホニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−アン
スロイルメチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフル
オロフェニル）ボレート、ジエチル（フェナシル）スル
ホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、メチルエチル（フェナシル）スルホニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（２−ヒ
ドロキシエチル）（フェナシル）スルホニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルフェニ
ル（フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフル
オロフェニル）ボレート、ジフェニル（フェナシル）ス
ルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、テトラメチレン（フェナシル）スルホニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００３９】アリルスルホニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（アリル）ス
ルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）
スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２
−プロペニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ベンゾイル−
３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル
（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニ
ル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレートなど。

【００４０】アルコキシスルホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（メトキ
シ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジメチル（エトキシ）スルホニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル
（ブトキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、ジメチル（イソプロポキシ）スル
ホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００４１】アリールオキシスルホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル
（フェノキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート、ジメチル（１ーナフチルオキ
シ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スルホニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチ
ル（ｐ−トリルオキシ）スルホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモ
フェノキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレートなど。

【００４２】ベンジルスルホキソニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（ベン
ジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）ス
ルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホキソ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スルホキソニウム
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメ
チル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホキソニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジ
メチル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル）スルホ
キソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジル）スル
ホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホキソ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホキソニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホキソニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジ
メチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホキソニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル
（２−ナフチルメチル）スルホキソニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−
アンスリルメチル）スルホキソニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、ジエチル（ベンジル）
スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、メチルエチル（ベンジル）スルホキソニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
メチルフェニル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニル
（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフル
オロフェニル）ボレートなど。

【００４３】フェナシルスルホキソニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル
（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−シアノフェ
ナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシ
ル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチ
ル）フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−メチルス
ルホニルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−アセ
チルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイ
ルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピ
ルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロポ
キシカルボニルフェナシル）スルホキソニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２
−ナフトイルメチル）スルホキソニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−アン
スロイルメチル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、ジエチル（フェナシル）
スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、メチルエチル（フェナシル）スルホキソ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、メチルフェニル（フェナシル）スルホキソニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェ
ニル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、テトラメチレン（フェ
ナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレートなど。

【００４４】β−オキソアルキルスルホニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：β−オキ
ソシクロヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
シクロヘキシルメチル（β−オキソノルボルニル）スル
ホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、アダマンチルメチル（β−オキソシクロヘキシル）
スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキ
シル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘ
キシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、シクロペンチルメチル（２−オキソシ
クロヘキシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート、シクロヘプチルメチル（２−オ
キソシクロペンチル）スルホニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−オキソ−
２−シクロヘキシルエチル）スルホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−
オキソ−２−アダマンチルエチル）スルホニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００４５】アリルスルホキソニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（アリ
ル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プ
ロペニル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート、ジメチル（２−メチル−３，３
−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル
（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニ
ル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカ
ルボニル）−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００４６】アルコキシスルホキソニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル
（メトキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフル
オロフェニル）ボレート、ジメチル（エトキシ）スルホ
キソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、ジメチル（ブトキシ）スルホキソニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（イ
ソプロポキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ジメチル（４−シアノブト
キシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレートなど。

【００４７】アリールオキシスルホキソニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル
（フェノキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ジメチル（１ーナフチルオ
キシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）ス
ルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スルホキ
ソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホキソニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチ
ル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホキソニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００４８】ベンジルホスホニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレートの例：トリメチルベンジル
ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、トリエチルベンジルホスホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルベ
ンジルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリフェニル（ｐ−シアノベンジル）ホ
スホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、トリフェニル（ｍ−ニトロベンジル）ホスホニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ト
リフェニル（１−ナフチルメチル）ホスホニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニ
ル（９−アンスリルメチル）ホスホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００４９】フェナシルホスホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：トリエチルフェナ
シルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリフェニルフェナシルホスホニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフ
ェニル（ｐ−シアノフェナシル）ホスホニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル
（ｍ−ニトロフェナシル）ホスホニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（１−
ナフタロイルメチル）ホスホニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（９−アン
スロイルメチル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフル
オロフェニル）ボレートなど。

【００５０】アリルホスホニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニルアリルホ
スホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、トリフェニル（３，３−ジシアノ−２−プロペニ
ル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリフェニル（２−フェニル−３，３−
ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００５１】アルコキシホスホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニルメト
キシホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリフェニルイソプロポキシホスホニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ト
リフェニル（２−クロロエトキシ）ホスホニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００５２】アリールオキシホスホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニ
ルフェノキシホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、トリフェニル（９−アンスリルオ
キシ）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリフェニル（ｐ−トリルオキシ）ホス
ホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、トリフェニル（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）ホスホ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート
など。

【００５３】ベンジルピリジニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルピリジ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ピリジニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ−ニ
トロベンジル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）
ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）ピリジニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−シ
アノ−１−ベンジルピリジニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートなど。

【００５４】フェナシルピリジニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェナシルピ
リジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ピリジニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ
−ニトロフェナシル）ピリジニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルフェ
ナシル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）ピリ
ジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、２−シアノ−１−フェナシルピリジニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００５５】アリルピリジニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−アリルピリジニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ
−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペ
ニル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシア
ノ−２−プロペニル）ピリジニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレートなど。

【００５６】Ｎ−アルコキシピリジニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−メトキ
シピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、１−エトキシ−２−メチルピリジニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２
−クロロエトキシ）ピリジニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートなど。

【００５７】Ｎ−アリールオキシピリジニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェ
ノキシピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）ピリジニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）ピリジニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００５８】ベンジルキノリニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルキノリ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）キノリニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ−ニ
トロベンジル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）
キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）キノリニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−シ
アノ−１−ベンジルキノリニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートなど。

【００５９】フェナシルキノリニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェナシルキ
ノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）キノリニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ
−ニトロフェナシル）キノリニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−イソプロピル
フェナシル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフ
ェナシル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）キ
ノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、２−シアノ−１−フェナシルキノリニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００６０】アリルキノリニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−アリルキノリニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ
−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニ
ル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、Ｎ−（２−ヘキシル−３，３−ビス（メ
トキシカルボニル）−２−プロペニル）キノリニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００６１】Ｎ−アルコキシキノリニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−メトキ
シキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、Ｎ−イソプロポキシキノリニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１−エトキシ−
２−メチルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレート、Ｎ−（２−クロロエトキシ）キノリ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート
など。

【００６２】Ｎ−アリールオキシキノリニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェ
ノキシキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、Ｎ−（２−ナフチルオキシ）キノリニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ
−（９−アンスリルオキシ）キノリニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−トリ
ルオキシ）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−ブロモフェノキシ）キノ
リニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
トなど。

【００６３】ベンジルイソキノリニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルイ
ソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）イソキノリニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ
−（ｏ−ニトロベンジル）イソキノリニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アン
スリルメチル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、１，２−ジベンジルイソキ
ノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ートなど。

【００６４】フェナシルイソキノリニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェナ
シルイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）イソキ
ノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）イソキノリニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ
−（ｐ−メトキシカルボニルフェナシル）イソキノリニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ−（９−アンスロイルメチル）イソキノリニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００６５】アリルイソキノリニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−アリルイソキ
ノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、Ｎ−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２
−プロペニル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−
３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノリニウム
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００６６】Ｎ−アルコキシイソキノリニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−メト
キシイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、Ｎ−オクタデシルオキシイソキノリニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ−イソプロポキシイソキノリニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートなど。

【００６７】Ｎ−アリールオキシイソキノリニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−
フェノキシイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）
イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）イソキノリニ
ウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）イソキノリニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００６８】ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルベンゾ
オキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾオキサゾ
リウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、Ｎ−フェナシルベンゾオキサゾリウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シア
ノフェナシル）ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−アリルベンゾオキ
サゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロ
ペニル）ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフル
オロフェニル）ボレート、Ｎ−メトキシベンゾオキサゾ
リウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、Ｎ−（３−ブロモプロポキシ）ベンゾオキサゾリウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ
−フェノキシベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（１−ナフチルオキ
シ）ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、２−メルカプト−３−ベンジルベ
ンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、２−メチルチオ−３−ベンジルベンゾオ
キサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レートなど。

【００６９】ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルベンゾチ
アゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾチアゾリウム
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−
フェナシルベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフル
オロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシ
ル）ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレート、Ｎ−アリルベンゾチアゾリウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２
−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾ
チアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、Ｎ−メトキシベンゾチアゾリウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（３−ブロ
モプロポキシ）ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、Ｎ−フェノキシベンゾチ
アゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、Ｎ−（１−ナフチルオキシ）ベンゾチアゾリウム
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−
メルカプト−３−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−メチルチ
オ−３−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートなど。

【００７０】フリルもしくはチエニルヨードニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジフ
リルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジチエニルヨードニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４，５−ジメ
チル−２−フリル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ビス（５−クロロ−２−チ
エニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、ビヨードニウムテトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、ビス（５−アセチル−２−
フリル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、ビス（５−（ｐ−メトキシフェニル）
−２−チエニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフル
オロフェニル）ボレートなど。

【００７１】ジアリールヨードニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートの例：ジフェニルヨード
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、ビス（ｐ−オクタデシルフェニル）ヨードニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス
（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨードニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニル
（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨードニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレートなど。

【００７２】トリアリールスルホニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニルス
ルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、トリス（ｐ−トリル）スルホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（２，６
−ジメチルフェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレート、トリス（ｐ−シアノフェ
ニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルス
ルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ
ス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００７３】トリアリールスルホキソニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニ
ルスルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリス（ｐ−トリル）スルホキソニウム
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ
ス（２，６−ジメチルフェニル）スルホキソニウムテト
ラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス
（ｐ−シアノフェニル）スルホキソニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。

【００７４】テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレートベンジルスルホニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレートの例：ジメチル（ベンジル）スルホニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スル
ホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−シアノベンジ
ル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｍ−ニト
ロベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル
（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベン
ジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メ
チルスルホニルベンジル）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）
スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロ
ピルベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル
（ｐ−メトキシベンジル）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホニウムテ
トラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、ジメチル（９−アンスリルメチル）スル
ホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、ジエチル（ベンジル）スルホ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、メチルエチル（ベンジル）ス
ルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル］ボレート、メチルフェニル（ベンジ
ル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレート、ジフェニル（ベンジ
ル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレートなど。

【００７５】フェナシルスルホニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：ジメチル（フェナシル）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）ス
ルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフル
オロメチル）フェナシル）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）ス
ルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルフ
ェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ
−ベンゾイルフェナシル）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（ｐ−イソプロピルフェナシル）スルホ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロポキ
シカルボニルフェナシル）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、ジメチル（９−アンスロイルメチル）
スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、ジエチル（フェナシル）
スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、メチルエチル（フェナシ
ル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレート、ビス（２−ヒドロキ
シエチル）（フェナシル）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、メチルフェニル（フェナシル）スルホニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、ジフェニル（フェナシル）スルホニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、テトラメチレン（フェナシル）スルホ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレートなど。

【００７６】アリルスルホニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：
ジメチル（アリル）スルホニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメ
チル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、ジメチル（２−メチル−３，３−ジ
シアノ−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−
２−プロペニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチ
ル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペ
ニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【００７７】アルコキシスルホニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：ジメチル（メトキシ）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（エトキシ）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（ブトキシ）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（イソプロポキシ）スルホニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレートなど。

【００７８】アリールオキシスルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：ジメチル（フェノキシ）スルホニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホニウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）ス
ルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル］ボレート、ジメチル（９−アンスリル
オキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−
トリルオキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル
（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートなど。

【００７９】β−オキソアルキルスルホニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レートの例：β−オキソシクロヘキシルメチル（２−ノ
ルボルニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、シクロヘ
キシルメチル（β−オキソノルボルニル）スルホニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、アダマンチルメチル（β−オキソシク
ロヘキシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、シクロヘ
キシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、ジシクロヘキシル（２−オキソシク
ロヘキシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、シクロペ
ンチルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、シクロヘプチルメチル（２−オキソ
シクロペンチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチ
ル（２−オキソ−２−シクロヘキシルエチル）スルホニ
ウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル］ボレート、ジメチル（２−オキソ−２−アダ
マンチルエチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【００８０】ベンジルスルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：ジメチル（ベンジル）スルホキソニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホ
キソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−シアノベン
ジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｍ
−ニトロベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホキソ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオ
ロメチル）ベンジル）スルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジル）スル
ホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−アセチル
ベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル
（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホキソニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホ
キソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メトキシベ
ンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル
（２−ナフチルメチル）スルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホキソニ
ウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル］ボレート、ジエチル（ベンジル）スルホキソ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、メチルエチル（ベンジル）ス
ルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニル］ボレート、メチルフェニル（ベン
ジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジフェニル
（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【００８１】フェナシルスルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：ジメチル（フェナシル）スルホキソニウムテ
トラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スル
ホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロフ
ェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル
（ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホキソ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホ
ニルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジ
メチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホキソニウムテ
トラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）
スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソ
プロピルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナ
シル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２
−ナフトイルメチル）スルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（９−アンスロイルメチル）スルホキソ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、ジエチル（フェナシル）スル
ホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、メチルエチル（フェナシ
ル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルフェニル
（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジフ
ェニル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、テトラメチレン（フェナシル）スルホキソニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレートなど。

【００８２】アリルスルホキソニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：ジメチル（アリル）スルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）
スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−メチ
ル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニ
ウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル］ボレート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，
３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカル
ボニル）−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レートなど。

【００８３】アルコキシスルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：ジメチル（メトキシ）スルホキソニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、ジメチル（エトキシ）スルホキソニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、ジメチル（ブトキシ）スルホキソニウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、ジメチル（イソプロポキシ）スルホ
キソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル］ボレート、ジメチル（４−シアノブト
キシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【００８４】アリールオキシスルホキソニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レートの例：ジメチル（フェノキシ）スルホキソニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スル
ホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ナフチル
オキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル
（９−アンスリルオキシ）スルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホキソニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）ス
ルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニル］ボレートなど。

【００８５】ベンジルホスホニウムテトラキス［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：トリメチルベンジルホスホニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
トリエチルベンジルホスホニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリ
フェニルベンジルホスホニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフ
ェニル（ｐ−シアノベンジル）ホスホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、トリフェニル（ｍ−ニトロベンジル）ホスホニウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、トリフェニル（１−ナフチルメチ
ル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（９−
アンスリルメチル）ホスホニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【００８６】フェナシルホスホニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：トリエチルフェナシルホスホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、トリフェニルフェナシルホスホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、トリフェニル（ｐ−シアノフェナシル）ホスホニ
ウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル］ボレート、トリフェニル（ｍ−ニトロフェナ
シル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（１
−ナフタロイルメチル）ホスホニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
トリフェニル（９−アンスロイルメチル）ホスホニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレートなど。

【００８７】アリルホスホニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：
トリフェニルアリルホスホニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリ
フェニル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、トリフェニル（２−フェニル
−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウムテ
トラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレートなど。

【００８８】アルコキシホスホニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：トリフェニルメトキシホスホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、トリフェニルイソプロポキシホスホニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、トリフェニル（２−クロロエトキシ）ホスホ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレートなど。

【００８９】アリールオキシホスホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：トリフェニルフェノキシホスホニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、トリフェニル（９−アンスリルオキシ）ホス
ホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、トリフェニル（ｐ−トリルオ
キシ）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフ
ルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（ｐ
−ヒドロキシフェノキシ）ホスホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートなど。

【００９０】ベンジルピリジニウムテトラキス［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：Ｎ−ベンジルピリジニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−
（ｐ−シアノベンジル）ピリジニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）ピリジニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）ピリジニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）ピリジニ
ウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル］ボレート、４−シアノ−１−ベンジルピリジ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレートなど。

【００９１】フェナシルピリジニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：Ｎ−フェナシルピリジニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−
（ｐ−シアノフェナシル）ピリジニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）ピリジニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）ピリジ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチ
ル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレート、２−シアノ−１−フ
ェナシルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【００９２】アリルピリジニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：
Ｎ−アリルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−イ
ソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリ
ジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，
３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリジニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レートなど。

【００９３】Ｎ−アルコキシピリジニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：Ｎ−メトキシピリジニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
１−エトキシ−２−メチルピリジニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（２−クロロエトキシ）ピリジニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレートなど。

【００９４】Ｎ−アリールオキシピリジニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レートの例：Ｎ−フェノキシピリジニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）ピリジニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）ピリジニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレートなど。

【００９５】ベンジルキノリニウムテトラキス［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：Ｎ−ベンジルキノリニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−
（ｐ−シアノベンジル）キノリニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）キノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）キノリニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）キノリニ
ウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル］ボレート、２−シアノ−１−ベンジルキノリ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレートなど。

【００９６】フェナシルキノリニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：Ｎ−フェナシルキノリニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−
（ｐ−シアノフェナシル）キノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）キノリニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（ｐ−イソプロピルフェナシル）キ
ノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメ
チル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボ
ニルフェナシル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−
（９−アンスロイルメチル）キノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、２−シアノ−１−フェナシルキノリニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレートなど。

【００９７】アリルキノリニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：
Ｎ−アリルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ベ
ンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）キノリ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ヘキシル−３，３
−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）キノ
リニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレートなど。

【００９８】Ｎ−アルコキシキノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：Ｎ−メトキシキノリニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
Ｎ−イソプロポキシキノリニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、１−
エトキシ−２−メチルキノリニウムテトラキス［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ
−（２−クロロエトキシ）キノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートなど。

【００９９】Ｎ−アリールオキシキノリニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レートの例：Ｎ−フェノキシキノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（２−ナフチルオキシ）キノリニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）キノリニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）キノリニウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−ブロモフェノキシ）キノ
リニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレートなど。

【０１００】ベンジルイソキノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：Ｎ−ベンジルイソキノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）イソキノリニウムテ
トラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）イソキノリ
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチ
ル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニル］ボレート、１，２−ジベン
ジルイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【０１０１】フェナシルイソキノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：Ｎ−フェナシルイソキノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）イソキノリニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）イソ
キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−メトキシカル
ボニルフェナシル）イソキノリニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
Ｎ−（９−アンスロイルメチル）イソキノリニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレートなど。

【０１０２】アリルイソキノリニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：Ｎ−アリルイソキノリニウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−
（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニ
ル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ベン
ゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノ
リニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレートなど。

【０１０３】Ｎ−アルコキシイソキノリニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レートの例：Ｎ−メトキシイソキノリニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−オクタデシルオキシイソキノリニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、Ｎ−イソプロポキシイソキノリニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレートなど。

【０１０４】Ｎ−アリールオキシイソキノリニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレートの例：Ｎ−フェノキシイソキノリニウムテ
トラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）イソキノ
リニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）イ
ソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオ
ロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシ
フェノキシ）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【０１０５】ベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：Ｎ−ベンジルベンゾオキサゾリウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾオキサゾリウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、Ｎ−フェナシルベンゾオキサゾリウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ベン
ゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフル
オロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−アリルベンゾオ
キサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−メチル−３，
３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾオキサゾリウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、Ｎ−メトキシベンゾオキサゾリウムテ
トラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（３−ブロモプロポキシ）ベンゾオ
キサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、Ｎ−フェノキシベンゾオ
キサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（１−ナフチルオキ
シ）ベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、２−メル
カプト−３−ベンジルベンゾオキサゾリウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、２−メチルチオ−３−ベンジルベンゾオキサゾリ
ウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル］ボレートなど。

【０１０６】ベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：
Ｎ−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−
（ｐ−シアノベンジル）ベンゾチアゾリウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−フェナシルベンゾチアゾリウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ベンゾチアゾリウ
ムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ボレート、Ｎ−アリルベンゾチアゾリウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレート、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−
２−プロペニル）ベンゾチアゾリウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
Ｎ−メトキシベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−
（３−ブロモプロポキシ）ベンゾチアゾリウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レート、Ｎ−フェノキシベンゾチアゾリウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、Ｎ−（１−ナフチルオキシ）ベンゾチアゾリウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、２−メルカプト−３−ベンジルベンゾ
チアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、２−メチルチオ−３−ベ
ンジルベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【０１０７】フリルもしくはチエニルヨードニウムテト
ラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ボレートの例：ジフリルヨードニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ジチエニルヨードニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス
（４，５−ジメチル−２−フリル）ヨードニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、ビス（５−クロロ−２−チエニル）ヨードニ
ウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）
フェニル］ボレート、ビヨードニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
ビス（５−アセチル−２−フリル）ヨードニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、ビス（５−（ｐ−メトキシフェニル）−２−
チエニル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【０１０８】ジアリールヨードニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの
例：ジフェニルヨードニウムテトラキス［３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（ｐ
−オクタデシルフェニル）ヨードニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、ビス（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨード
ニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、フェニル（ｐ−オクタデシル
オキシフェニル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートなど。

【０１０９】トリアリールスルホニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：トリフェニルスルホニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、
トリス（ｐ−トリル）スルホニウムテトラキス［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ト
リス（２，６−ジメチルフェニル）スルホニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート、トリス（ｐ−シアノフェニル）スルホニウム
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェ
ニル］ボレート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニル
スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロ
メチル）フェニル］ボレート、４−ｔ−ブチルフェニル
ジフェニルスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリス（４−
ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス［３，５
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートな
ど。

【０１１０】トリアリールスルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ートの例：トリフェニルスルホキソニウムテトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート、トリス（ｐ−トリル）スルホキソニウムテトラキ
ス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボ
レート、トリス（２，６−ジメチルフェニル）スルホキ
ソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フェニル］ボレート、トリス（ｐ−シアノフェニ
ル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニル］ボレートなど。

【０１１１】また、下記化学式で示される各オニウムボ
レート錯体も、好ましい例としてあげられる。

【０１１２】

【化８】

【０１１３】

【化９】

【０１１４】本発明の酸発生剤（Ａ）は、従来知られて
いたＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、もしくは各
種スルホン酸アニオンをもつオニウム塩よりも、サイズ
が大きく低求核性のアニオンを有するため、エネルギー
線の照射により発生する酸の拡散性は低く酸強度は大き
いという特徴を有している。この特徴により、エネルギ
ー線に対する感度が高く、かつ高温のポスト露光ベーク
工程を含むパターン形成工程においても、露光後加熱処
理までの経時でレジストパターンの細りが生じたり、レ
ジストパターン表面の形状がＴ型を呈することのない化
学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法お
よびパターンを提供することが可能となる。

【０１１５】さらに本発明の酸発生剤（Ａ）の特徴とし
て、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、もしくは各
種スルホン酸アニオンをもつオニウム塩よりも、種々の
有機溶媒や高分子に対する相溶性、溶解性が極めて高い
ことがあげられる。結果としてレジスト組成物に対する
含有量を高く設定することができるため、エネルギー線
に対して感度の高い化学増幅ポジ型レジスト組成物およ
びパターン形成方法およびパターンを提供することが可
能となる。

【０１１６】酸発生剤（Ａ）の添加量は、使用するエネ
ルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透
過率、レジストパターン形状を制御することを目的とし
て、任意の数値とすることができるが、好ましくは化学
増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に対して
０．０５〜２５重量部、さらに好ましくは０．５〜１０
重量部である。これらの範囲より低い添加量ではレジス
トパターン形成に必要な酸発生量が得られず、これらの
範囲を超えて添加しても感度の向上は認められない。ま
た、酸発生剤（Ａ）は単独でも２種以上混合しても用い
ることができる。

【０１１７】また、本発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造
を有する酸発生剤も併用することもできる。例えば、本
発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造を有するオニウム塩の
ほか、スルホン酸エステル、スルホニルジアゾメタン、
Ｎ−スルホニルオキシイミド、ベンゾインスルホネー
ト、ニトロベンジルスルホネート、スルホン型酸発生
剤、グリオキシム誘導体型の酸発生剤等が挙げられ、特
開昭６３−２７８２９号公報、特開平２−２５８５０号
公報、特開平２−１５０８４８号公報、特開平５−１３
４４１４号公報、特開平５−２３２７０５号公報、特開
平５−５９９３号公報、特開平６−４３６５３号公報、
特開平６−１２３９７２号公報、特開平６−１９９７７
０号公報、特開平９−２４４２３４号公報、特開平９−
２５８４３５号公報、特開平１０−２７４８４５号公
報、特開平１１−１９０９０４号公報、特開２０００−
５３６０１号公報、特開２００１−１７２２５１号公
報、特許公報２７１９７４８号公報、特許公報２７７６
２０４号公報、特許公報２７７０７４０号公報、特許公
報２８２７９３８号公報、特許公報２８２７９４０号公
報、特許公報２８７４５７９号公報等に記載のものを用
いることができるが、これらに限定されるものではな
く、エネルギー線の照射により酸を発生するものであれ
ば用いることができる。

【０１１８】中でも好ましく用いられる酸発生剤として
は、オニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、スルホ
ン酸エステル、Ｎ−スルホニルオキシイミドである。

【０１１９】オニウム塩は、オニウムカチオンと、ＢＦ
₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-もしくはスルホン酸ア
ニオンの組合わせで構成され、オニウムカチオンとして
は酸発生剤（Ａ）の例示に挙げたものと同様のものを用
いることができる。例えば、トリフェニルスルホニウ
ム、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウ
ム、ジメチルフェニルスルホニウム、ジメチルフェナシ
ルスルホニウム、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルス
ルホニウム、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホ
ニウム、ジフェニルヨードニウム、ビス（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ヨードニウムなどが好適に用いられるがこ
れらに限定されるものではない。スルホン酸アニオンと
してはベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン
酸アニオン、トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸ア
ニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、
２，２，２−トリフルオロエタンスルホン酸アニオン、
ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ヘプタデカフ
ルオロオクタンスルホン酸アニオン、カンファースルホ
ン酸アニオン等が挙げられるがこれらに限定されるもの
ではない。

【０１２０】ビススルホニルジアゾメタンとしては、ビ
ス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ−アミ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられるがこれらに
限定されるものではない。

【０１２１】本発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造を有す
る酸発生剤の添加量は、使用するエネルギー線に対する
感度、エネルギー線の波長における透過率、レジストパ
ターン形状を制御することを目的として、任意の数値と
することができるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジス
ト中の固形分１００重量部に対して０．０５〜２５重量
部、さらに好ましくは０．５〜１０重量部である。これ
らの範囲より低い添加量ではレジストパターン形成に必
要な酸発生量が得られず、これらの範囲を超えて添加し
ても感度の向上は認められない。また、本発明の酸発生
剤（Ａ）以外の構造を有する酸発生剤は、単独でも２種
以上混合しても用いることができる。

【０１２２】次に、本発明の酸不安定基を有する高分子
（Ｂ）について説明する。本発明の酸不安定基を有する
高分子（Ｂ）としては、酸の反応によりアルカリ性現像
液に対する溶解性が向上する高分子化合物であれば任意
のものを用いることができる。例えば、置換または無置
換の、ポリヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシ
スチレン、ポリイソプロペニルフェノール、ポリ（メ
タ）アクリル酸、ポリノルボルネンなどに酸不安定基が
付加した高分子化合物やこれらの共重合体、マレイミド
もしくは酸無水物基を繰り返し単位とする高分子化合物
やこれらの共重合体、ノボラック樹脂、水素化ノボラッ
ク樹脂などを用いることができる。また、上記高分子化
合物はα−メチルスチレン、スチレン、アクリルニトリ
ルなどとの共重合体であってもよい。

【０１２３】なかでも、好ましくは下記一般式（１４）
〜（１６）で表される繰り返し単位のうち、少なくとも
いずれかひとつを含む高分子化合物である。このような
高分子化合物を用いることにより、良好なレジスト感
度、現像性、パターン形状、保存安定性が得られるため
好ましい。

【０１２４】

【化１０】

【０１２５】（ただし、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹⁴はそれぞれ独立に、
水素原子、または、置換もしくは無置換の炭素数１〜８
の、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を表す
が、一般式（１５）においてＲ¹³もしくはＲ¹⁴のいずれ
か一方は、Ｒ¹²と相互に結合して炭素数１〜４のオキソ
アルキレン鎖を形成してもよい。Ｒ¹⁷は、相互に独立の
脂環式炭素に結合する複数の官能基を表し、水素原子、
ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは
無置換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基、置換もし
くは無置換の炭素数１〜８の直鎖状、または、分岐状も
しくは環状のアルキルエステルであるカルボキシル基を
表す。Ｒ¹²およびＲ¹⁷は酸不安定基を有していてもよ
い。Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶はそれぞれ独立に炭素数０〜２のア
ルキレン鎖を表すが、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶の炭素数の和は２であ
る。ただし、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶の炭素数がともに１である
場合には互いに結合して環状構造を形成していてもよ
く、Ｒ¹⁵もしくはＲ¹⁶の炭素数が２である場合には不飽
和結合を表していてもよく、ａは０〜６の整数であ
る。）

【０１２６】本発明の酸不安定基を有する高分子（Ｂ）
としてさらに好ましくは、一般式（１６）で表される繰
り返し単位を含む高分子化合物である。このような高分
子化合物を用いることにより、ドライエッチング耐性に
優れる化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供することが
できるため好ましい。とくにＡｒＦエキシマーレーザー
など、波長が１８０〜２２０ｎｍであるエネルギー線に
より潜像の形成を行うときには、これらの波長領域にお
ける透明性とドライエッチング耐性が両立できるため、
酸不安定基を有する高分子（Ｂ）として一般式（１６）
で表される繰り返し単位を含む高分子化合物を用いるの
が好ましい。

【０１２７】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）における
酸不安定基としては、酸発生剤（Ａ）から発生する酸と
反応して、アルカリ性現像液に対する溶解性を向上させ
ることができる基であればいかなる基も用いることがで
きるが、酸との反応により水酸基もしくはカルボキシル
基などの酸性基が形成されるものが好適に用いられる。
なかでも好ましくは、酸と酸不安定基との反応により酸
が再生するような反応を行うことができる酸不安定基で
ある。このような酸不安定基を有する高分子（Ｂ）を用
いることにより、エネルギー線に対して高感度な化学増
幅ポジ型レジスト組成物を提供でき、生産性の向上に繋
げられるため好ましい。

【０１２８】下記一般式（１７）〜（１９）で表される
基、トリアルキルシリル基もしくは酸無水物基が、酸不
安定基としてさらに好ましい。このような酸不安定基を
有する高分子（Ｂ）を用いることにより、良好なレジス
ト感度、現像性、パターン形状、保存安定性が得られる
ため好ましい。

【０１２９】

【化１１】

【０１３０】（ただし、Ｒ¹⁸〜Ｒ²⁰はそれぞれ独立に、
置換もしくは無置換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状
もしくは環状のアルキル基を表すが、一般式（１７）お
よび（１８）において、Ｒ¹⁸とＲ¹⁹、Ｒ¹⁸とＲ²⁰、Ｒ¹⁹
とＲ²⁰、Ｒ¹⁸とＲ¹⁹とＲ²⁰は互いに結合して環状構造を
形成していてもよく、Ｒ²¹は水素原子、置換もしくは無
置換の、炭素数１〜４の直鎖状、分岐状もしくは環状の
アルキル基を表し、Ｒ²²は置換もしくは無置換の炭素数
１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン鎖を
表し、ｂおよびｃは０または１である。）

【０１３１】本発明の酸不安定基を有する高分子（Ｂ）
としてさらに好ましくは、酸不安定基を有する高分子
（Ｂ）が、酸不安定基として、ｂが０である一般式（１
７）、もしくは一般式（１９）で表される基のうち少な
くとも一つを含む高分子化合物である。これらの高分子
化合物を用いることにより、良好なレジスト溶液の保存
安定性、エネルギー線に対する感度およびレジストパタ
ーンの形状が得られるため好ましい。

【０１３２】酸不安定基として具体例を挙げる。ｔ−ブ
チル基、ｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピル基、
１−メチルシクロペンチル基、１−エチルシクロペンチ
ル基、１−イソプロピルシクロペンチル基、１−ブチル
シクロペンチル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−
エチルシクロヘキシル基、１−イソプロピルシクロヘキ
シル基、１−ブチルシクロヘキシル基、１−アダマンチ
ル基、２−メチル−２−アダマンチル基、ｔ−ブトキシ
カルボニル基などの一般式（１７）で表される基、１−
メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−メトキ
シ−１−メチル−エチル基、１−エトキシ−１−メチル
エチル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、２−メチ
ルテトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドロピラ
ン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロピラン−２−
イル基などの一般式（１８）で表される基、３−オキソ
シクロヘキシル基、１−メチル−３−オキソシクロヘキ
シル基、２−オキソオキサン−４−イル基、４−メチル
−２−オキソオキサン−４−イル基、３−オキソシクロ
ペンチル基、１−メチル−３−オキソシクロペンチル
基、２−オキソオキソラン−４−イル基、４−メチル−
２−オキソオキソラン−４−イル基などの一般式（１
９）で表される基、トリメチルシリル基、エチルジメチ
ルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリエチル
シリル基などのトリアルキルシリル基、マレイン酸無水
物基、イタコン酸無水物基などの酸無水物基などがあげ
られるがこれらに限定されるものではない。また、酸不
安定基は、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）中に１種類
もしくは２種類以上含まれていてもよい。

【０１３３】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）として、
重量平均分子量が３，０００〜２００，０００である高
分子化合物が、本発明の酸不安定基を有する高分子
（Ｂ）として好ましい。さらに好ましい重量平均分子量
の範囲は５，０００〜１００，０００である。これらの
範囲より小さい重量平均分子量では良好な耐熱性および
成膜性が得られない。これらの範囲を超えた重量平均分
子量では良好な現像性が得られない。

【０１３４】以下に、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）
を構成する繰り返し単位の具体的な例を示すが、これら
に限定されるものではない。

【０１３５】一般式（１４）の例：ｔ−ブチルオキシス
チレン、ｔ−アミルオキシスチレン、１，１−ジエチル
プロピルオキシスチレン、１−メチルシクロペンチルオ
キシスチレン、１−エチルシクロペンチルオキシスチレ
ン、１−イソプロピルシクロペンチルオキシスチレン、
１−ブチルシクロペンチルオキシスチレン、１−メチル
シクロヘキシルオキシスチレン、１−エチルシクロヘキ
シルオキシスチレン、１−イソプロピルシクロヘキシル
オキシスチレン、１−ブチルシクロヘキシルオキシスチ
レン、１−アダマンチルオキシスチレン、２−メチル−
２−アダマンチルオキシスチレン、ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシスチレンなどの一般式（１７）で表される酸
不安定基、を有するヒドロキシスチレン、１−メトキシ
エチルオキシスチレン、１−エトキシエチルオキシスチ
レン、１−メトキシ−１−メチル−エチルオキシスチレ
ン、１−エトキシ−１−メチルエチルオキシスチレン、
テトラヒドロフラン−２−イルオキシスチレン、２−メ
チルテトラヒドロフラン−２−イルオキシスチレン、テ
トラヒドロピラン−２−イルオキシスチレン、２−メチ
ルテトラヒドロピラン−２−イルオキシスチレンなどの
一般式（１８）で表される酸不安定基、を有するヒドロ
キシスチレン、３−オキソシクロヘキシルオキシスチレ
ン、１−メチル−３−オキソシクロヘキシルオキシスチ
レン、２−オキソオキサン−４−イルオキシスチレン、
４−メチル−２−オキソオキサン−４−イルオキシスチ
レン、３−オキソシクロペンチルオキシスチレン、１−
メチル−３−オキソシクロペンチルオキシスチレン、２
−オキソオキソラン−４−イルオキシスチレン、４−メ
チル−２−オキソオキソラン−４−イルオキシスチレン
などの一般式（１９）で表される酸不安定基、を有する
ヒドロキシスチレン、トリメチルシリルオキシスチレ
ン、エチルジメチルシリルオキシスチレン、ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシスチレン、トリエチルシリルオキ
シスチレンなどのトリアルキルシリル基を有するヒドロ
キシスチレン。

【０１３６】一般式（１５）の例：ｔ−ブチル（メタ）
アクリレート、ｔ−アミル（メタ）アクリレート、１，
１−ジエチルプロピル（メタ）アクリレート、１−メチ
ルシクロペンチル（メタ）アクリレート、１−エチルシ
クロペンチル（メタ）アクリレート、１−イソプロピル
シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−ブチルシク
ロペンチル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロヘ
キシル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキシ
ル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロヘキ
シル（メタ）アクリレート、１−ブチルシクロヘキシル
（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アク
リレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アク
リレート、ｔ−ブトキシカルボニル（メタ）アクリレー
トなどの一般式（１７）で表される酸不安定基、を有す
る（メタ）アクリレート、１−メトキシエチル（メタ）
アクリレート、１−エトキシエチル（メタ）アクリレー
ト、１−メトキシ−１−メチル−エチル（メタ）アクリ
レート、１−エトキシ−１−メチルエチル（メタ）アク
リレート、テトラヒドロフラン−２−イル（メタ）アク
リレート、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル
（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラン−２−イル
（メタ）アクリレート、２−メチルテトラヒドロピラン
−２−イル（メタ）アクリレートなどの一般式（１８）
で表される酸不安定基、を有する（メタ）アクリレー
ト、３−オキソシクロヘキシル（メタ）アクリレート、
１−メチル−３−オキソシクロヘキシル（メタ）アクリ
レート、２−オキソオキサン−４−イル（メタ）アクリ
レート、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル
（メタ）アクリレート、３−オキソシクロペンチル（メ
タ）アクリレート、１−メチル−３−オキソシクロペン
チル（メタ）アクリレート、２−オキソオキソラン−４
−イル（メタ）アクリレート、４−メチル−２−オキソ
オキソラン−４−イル（メタ）アクリレートなどの一般
式（１９）で表される酸不安定基、を有する（メタ）ア
クリレート、トリメチルシリル（メタ）アクリレート、
エチルジメチルシリル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチ
ルジメチルシリル（メタ）アクリレート、トリエチルシ
リル（メタ）アクリレートなどのトリアルキルシリル基
を有する（メタ）アクリレート。

【０１３７】一般式（１６）の例：５−ノルボルネン−
２−（ｔ−ブチル）カルボキシレート、５−ノルボルネ
ン−２−（ｔ−アミル）カルボキシレート、５−ノルボ
ルネン−２−（１，１−ジエチルプロピル）カルボキシ
レート、５−ノルボルネン−２−（１−メチルシクロペ
ンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−
（１−エチルシクロペンチル）カルボキシレート、５−
ノルボルネン−２−（１−イソプロピルシクロペンチ
ル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−
ブチルシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボ
ルネン−２−（１−メチルシクロヘキシル）カルボキシ
レート、５−ノルボルネン−２−（１−エチルシクロヘ
キシル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−
（１−イソプロピルシクロヘキシル）カルボキシレー
ト、５−ノルボルネン−２−（１−ブチルシクロヘキシ
ル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−
アダマンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−
２−（２−メチル−２−アダマンチル）カルボキシレー
ト、５−ノルボルネン−２−（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）カルボキシレートなどの一般式（１７）で表される
酸不安定基、を有する５−ノルボルネン−２−カルボキ
シレート、５−ノルボルネン−２−（１−メトキシエチ
ル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−
エトキシエチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン
−２−（１−メトキシ−１−メチル−エチル）カルボキ
シレート、５−ノルボルネン−２−（１−エトキシ−１
−メチルエチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン
−２−（テトラヒドロフラン−２−イル）カルボキシレ
ート、５−ノルボルネン−２−（２−メチルテトラヒド
ロフラン−２−イル）カルボキシレート、５−ノルボル
ネン−２−（テトラヒドロピラン−２−イル）カルボキ
シレート、５−ノルボルネン−２−（２−メチルテトラ
ヒドロピラン−２−イル）カルボキシレートなどの一般
式（１８）で表される酸不安定基、を有する５−ノルボ
ルネン−２−カルボキシレート、５−ノルボルネン−２
−（３−オキソシクロヘキシル）カルボキシレート、５
−ノルボルネン−２−（１−メチル−３−オキソシクロ
ヘキシル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−
（２−オキソオキサン−４−イル）カルボキシレート、
５−ノルボルネン−２−（４−メチル−２−オキソオキ
サン−４−イル）カルボキシレート、５−ノルボルネン
−２−（３−オキソシクロペンチル）カルボキシレー
ト、５−ノルボルネン−２−（１−メチル−３−オキソ
シクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン
−２−（２−オキソオキソラン−４−イル）カルボキシ
レート、５−ノルボルネン−２−（４−メチル−２−オ
キソオキソラン−４−イル）カルボキシレートなどの一
般式（１９）で表される酸不安定基、を有する５−ノル
ボルネン−２−カルボキシレート、５−ノルボルネン−
２−（トリメチルシリル）カルボキシレート、５−ノル
ボルネン−２−（エチルジメチルシリル）カルボキシレ
ート、５−ノルボルネン−２−（ｔ−ブチルジメチルシ
リル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（ト
リエチルシリル）カルボキシレートなどのトリアルキル
シリル基を有する５−ノルボルネン−２−カルボキシレ
ート。

【０１３８】一般式（１６）以外の例：マレイン酸無水
物、イタコン酸無水物などの酸無水物。

【０１３９】これらの繰り返し単位を１種類以上含む単
独もしくは共重合体を、酸不安定基を有する高分子
（Ｂ）として用いることができる。さらに、少なくとも
１種類以上の上記繰り返し単位と、ヒドロキシスチレ
ン、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレー
ト、５−ノルボルネン−２−カルボキシレートなどの酸
不安定基を有さない繰り返し単位との共重合体も、酸不
安定基を有する高分子（Ｂ）として用いることができ
る。

【０１４０】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）は、少な
くとも一種類以上の、酸不安定基を有する繰り返し単位
から構成されるが、一種類以上の、酸不安定基を有さな
い繰り返し単位を含んでいてもよい。

【０１４１】なお、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）は
単独で、または２種以上混合して使用することができ
る。２種以上混合して使用する場合には、使用するエネ
ルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透
過率、レジストパターン形状を制御することを目的とし
て任意の割合とすることができる。

【０１４２】本発明の有機溶剤（Ｃ）としては、酸発生
剤（Ａ）と酸不安定基を有する高分子（Ｂ）等からなる
成分が充分に溶解し、スピンコーティング法などの通常
用いるコーティング法により均一に塗布膜が形成できれ
ばいかなる溶媒でもよい。具体的には、トルエン、キシ
レン、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、１
−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキ
サノール、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、
２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、Ｎ
−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、イソホロン、アセトニ
ルアセトン、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピル
エーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノイソプロビルエーテルア
セテート、イソプロペニルアセテート、イソプロベニル
プロピオネート、フェニルセロソルブアセテート、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロ
キシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エ
チル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メ
チル酪酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−
メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−
３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−
メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸イソプロ
ピル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、
３−エトキシプロピオン酸エチル、カプロン酸、カプリ
ル酸、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレンなどが挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

【０１４３】有機溶剤（Ｃ）は単独でも２種類以上混合
して用いることもできる。有機溶剤（Ｃ）の配合量は、
レジスト溶液の粘度、塗工性、乾燥性などを制御するこ
とを目的として、任意の数値とすることができるが、好
ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量
部に対して１００〜１０，０００重量部、さらに好まし
くは４００〜１，０００重量部である。これらの範囲よ
り低いもしくは高い配合量では塗工性が低下する。

【０１４４】さらに現像性、ドライエッチング耐性、パ
ターン形状などを調整するために、酸不安定基を有する
低分子性溶解抑止剤（Ｄ）を用いることができる。例え
ば、酸不安定基を有する、重量平均分子量が２，９９９
以下のフェノールあるいはカルボン酸誘導体や脂環式化
合物などが挙げられる。例えば、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＨ、ビスフェノールＳ、４，４−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸、トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、１，１，１−トリス（４’
−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス
（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、フェノールフタ
レイン、チモールフタレイン、アダマンタン、デオキシ
コール酸、リトコール酸等に酸不安定基が付加した化合
物が挙げられる。酸不安定基としては、酸不安定基を有
する高分子（Ｂ）と同様のものが挙げられる。

【０１４５】低分子性溶解抑止剤（Ｄ）として具体的に
は、ビス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）
フェニル）メタン、ビス（４−（２’−テトラヒドロフ
ラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブト
キシフェニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブトキシ
カルボニルメチルオキシフェニル）メタン、ビス（４−
（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、ビス
（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メ
タン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピ
ラニルオキシ））プロパン、２，２−ビス（４’−
（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（４’−ｔ−ブトキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（４’−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ｔ−
ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エ
トキシプロピルオキシ）フェニル）プロパン、４，４−
ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）
フェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−
（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）吉
草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔ−ブトキシフ
ェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシフェニル）吉草酸ｔ−ブチル、
４，４−ビス（４’−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオ
キシフェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’
−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）吉草酸ｔ−
ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシプロ
ピルオキシ）フェニル）吉草酸ｔ−ブチル、トリス（４
−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メ
タン、トリス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキ
シ）フェニル）メタン、トリス（４−ｔ−ブトキシフェ
ニル）メタン、トリス（４−ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシフェニル）メタン、トリス（４−ｔ−ブトキシカル
ボニルオキシメチルフェニル）メタン、トリス（４−
（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、トリス
（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メ
タン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒ
ドロピラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−
トリス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキ
シ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔ
−ブトキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス
（４’−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）エタ
ン、１，１，２−トリス（４’−ｔ−ブトキシカルボニ
ルメチルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス
（４’−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）エタ
ン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシプロ
ピルオキシ）フェニル）エタン、１−アダマンタンカル
ボン酸ｔ−ブチル、３−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブ
チル、１，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−ブチ
ル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブチル、３−アダマンタ
ン酢酸ｔ−ブチル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ
−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブチル、デオキシコー
ル酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸
２−エトキシエチル、デオキシコール酸２−シクロヘキ
シルオキシエチル、デオキシコール酸３−オキソシクロ
ヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デ
オキシコール酸メバロノラクトンエステル、リトコール
酸ｔ−ブチル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル、リトコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸
２−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オ
キソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニ
ル、リトコール酸メバロノラクトンエステルを挙げるこ
とができる。

【０１４６】低分子性溶解抑止剤（Ｄ）は、単独または
２種以上混合して使用することができる。また、低分子
性溶解抑止剤（Ｄ）の配合量は、使用するエネルギー線
に対する感度、レジストパターン形状を制御することを
目的として、任意の数値とすることができるが、好まし
くは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に
対して３０重量部以下である。さらに好ましくは１５重
量部以下である。３０重量部より多く配合するとレジス
ト材料の耐熱性が低下する。

【０１４７】光酸発生剤（Ａ）より発生する酸のレジス
ト膜中における拡散速度を制御し、解像度の向上、露光
後の感度変化の制御、露光余裕度やパターンプロファイ
ル等の向上を目的として、本発明の化学増幅ポジ型レジ
スト組成物中に塩基性化合物を配合することができる。
基板や環境中に含まれる塩基性もしくは酸性物質の影響
を軽減するためにも塩基性物質を用いることができる。

【０１４８】このような塩基性化合物としては、第一
級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、芳香族アミン
類、複素環アミン類、アミド誘導体、イミド誘導体等が
挙げられる。具体的にはアンモニア、メチルアミン、エ
チルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミ
ン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブ
チルアミン、ｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔ−
アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチル
アミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミ
ン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミ
ン、テトラエチレンペンタミン、、ジメチルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピ
ルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジ
シクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、
ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、
ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
テトラエチレンペンタミン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロ
ピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチル
アミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルア
ミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミ
ン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、
トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルア
ミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペンタミ
ン、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミ
ン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメ
チルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプ
ロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２
−アミノエタノール、３−アミノ−１−プロパノール、
４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエ
チル）モルホリン、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、
Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、プロピオンアミド、ベンズアミド、、フタルイミ
ド、サクシンイミド、マレイミド、アニリン誘導体、ピ
ロール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導
体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、フラザン
誘導体、ピロリン誘導体、ピロリジン誘導体、イミダゾ
リン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体、
ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導
体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジ
ン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、イン
ドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾ
ール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体、イソ
キノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導
体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘
導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナ
ントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導
体、１，１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導
体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘
導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体、アミノ酸誘導
体などが挙げられるがこれらに限定されるものではな
い。

【０１４９】塩基性化合物は、単独あるいは２種以上レ
ジスト組成物中に添加することができる。塩基性化合物
の添加量は、使用するエネルギー線に対する感度、エネ
ルギー線の波長における透過率、レジストパターン形状
を制御することを目的として、任意の数値とすることが
できるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形
分１００重量部に対し、０．００５〜１０重量部、好ま
しくは０．０１〜５重量部である。これらの範囲より少
ない添加量では酸の拡散抑制効果が得られず、これらの
範囲を超えて添加すると感度や解像性の低下を招くおそ
れがある。

【０１５０】また、必要に応じて界面活性剤、色素、安
定剤、塗布性改良剤、染料、架橋剤、可塑剤、光増感
剤、アルカリ可溶性化合物、酸増殖剤などの添加剤を、
本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物中に配合するこ
とができる。

【０１５１】本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物
は、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＷＳ
ｉ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ、有機反射防止膜などの基板表面
に塗布した後、溶剤を乾燥除去して、レジスト膜として
用いることができる。塗布方法としては、スピンコーテ
ィング、ロールコーティング、フローコーティング、デ
ィップコーティング、スプレーコーティング、ドクター
コーティングなどを用いて、乾燥膜厚が０．０５〜２．
５μｍとなるように塗布する。乾燥（プリベーク）は５
０〜１５０℃、１〜１０分間で行う。

【０１５２】レジスト膜に潜像を形成させるリソグラフ
ィー工程として、所望の用途に応じて任意のプロセスを
選択することができる。例えば、紫外線、遠紫外線、Ｘ
線、電子線、γ線、シンクロトロン放射線、イオンビー
ムなどから選ばれる任意のエネルギー線を、所定のマス
クを用いて照射する。

【０１５３】レジスト膜にエネルギー線を照射した後、
ポスト露光ベークを行い潜像を形成させる。ポスト露光
ベーク工程の条件は６０〜１８０℃、１〜２０分間で行
うが、好ましくは１００〜１６０℃、さらに好ましく
は、１２０〜１５０℃である。これらの範囲より低い温
度では、潜像およびレジストパターンの形成に十分な酸
の拡散が行われない。これらの範囲より高い温度では、
マスクによりエネルギー線の照射が行われていない領域
まで酸が拡散し良好なレジスト形状が得られない。

【０１５４】潜像が形成されたレジスト膜は、現像液を
用いて現像する。現像によりエネルギー線の照射が行わ
れた部分のみが溶解するため、用いたマスクに応じて所
望のパターンが形成される。現像液としては、有機溶媒
あるいは適度な濃度のアルカリ水溶液を用いることがで
きる。また、必要に応じて界面活性剤など他の成分を現
像液に添加しても用いることもできる。使用される有機
溶媒としてはアセトン、メチルエチルケトン、メチルア
ルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる
がこれらに限定されるものではない。また、使用される
アルカリ溶液としては、たとえば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの
無機アルカリ類や、エチルアミン、プロピルアミン、ジ
エチルアミン、ジプロピルアミン、トリメチルアミン、
トリエチルアミン、などの有機アミン類、そしてテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアン
モニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの有機アンモニウム塩な
どを含む溶液、水溶液が挙げられるが、これらだけに限
定されるものではない。これらの現像液は、単独でも２
種類以上混合して用いることもできる。

【０１５５】

【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明の内容はこれらに限定されるものではない。

【０１５６】実施例および比較例で用いた材料を以下に
記す。 酸発生剤（Ａ） （Ａ−１）トリフェニルスルホニウムテトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート （Ａ−２）ジメチル（ベンジル）スルホニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート （Ａ−３）ジメチル（フェナシル）スルホニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート （Ａ−４）ジメチル（フェナシル）スルホキソニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート （Ａ−５）ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート （Ａ−６）トリフェニルフェナシルホスホニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート （Ａ−７）Ｎ−フェナシルピリジニウムテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート （Ａ−８）トリフェニルスルホニウムテトラキス［３，
５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート （Ａ−９）ジメチル（フェナシル）スルホニウムテトラ
キス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］
ボレート

【０１５７】酸不安定基を有する高分子（Ｂ） （Ｂ−１）ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ブトキシカル
ボニルオキシスチレン共重合体（モル比２：１、重量平
均分子量２０，０００） （Ｂ−２）ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−（１−エトキ
シエトキシ）スチレン共重合体（モル比２：１、重量平
均分子量１５，０００） （Ｂ−３）ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−（２−テトラ
ヒドロピラニルオキシ）スチレン共重合体（モル比２：
１、重量平均分子量１５，０００） （Ｂ−４）ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルメタク
リレート共重合体（モル比２：１、重量平均分子量１
５，０００） （Ｂ−５）メタクリル酸／メチルメタクリレート／ｔ−
ブチルメタクリレート共重合体（モル比１：１：１、重
量平均分子量１２，０００） （Ｂ−６）２−メチル−２−アダマンチルメタクリレー
ト／２−オキソオキソラン−４−イルメタクリレート共
重合体（モル比１：１、重量平均分子量９，０００） （Ｂ−７）５−ノルボルネン／マレイン酸無水物共重合
体（モル比１：１、重量平均分子量９，０００） （Ｂ−８）５−ノルボルネン−２−（ｔ−ブチル）カル
ボキシレート／マレイン酸無水物共重合体（モル比１：
１、重量平均分子量８，０００）

【０１５８】有機溶剤（Ｃ） （Ｃ−１）シクロヘキサノンプロピレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート （Ｃ−２）プロピレングリコールモノエチルエーテルア
セテート

【０１５９】酸不安定基を有する低分子性溶解抑止剤
（Ｄ） （Ｄ−１）ビス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオ
キシ）フェニル）メタン （Ｄ−２）１，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−
ブチル

【０１６０】酸発生剤（Ａ）以外の構造を有する酸発生
剤 （Ｅ−１）トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボ
レート （Ｅ−２）トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホ
スフェート （Ｅ−３）トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート （Ｅ−４）トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンス
ルホネート （Ｅ−５）ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ム−１０−カンファースルホネート

【０１６１】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）以外の構
造を有する高分子 （Ｆ−１）ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン（重量平均分
子量２０，０００） （Ｆ−２）ポリメチルメタクリレート（重量平均分子量
２５，０００） （Ｆ−３）ポリビニルアルコール（重量平均分子量２
５，０００） （Ｆ−４）ビニルアルコール／ｔ−ブチルビニルエーテ
ル共重合体（モル比１：１、重量平均分子量２２，００
０）

【０１６２】（実施例１〜３５、比較例１〜１８）表１
に記す配合表にもとづいて溶液を調整し、孔径０．１m
ｍのフッ素樹脂フィルターで濾過し化学増幅ポジ型レジ
スト組成物を得た。レジスト溶液をスピンコーティング
によりシリコンウェハー上に塗布し、１００℃のホット
プレートで９０秒間加熱乾燥させることにより膜厚０．
５mｍのレジスト膜を形成させた。得られたレジスト膜
に、ＫｒＦエキシマレーザーステッパー（ＮＡ＝０．４
８）を用いマスクパターンを介して露光を行った。露光
後、ホットプレート上で１４０℃で９０秒間ポスト露光
ベークを行い、２．２５％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液に６０秒間浸漬し、６０秒間水でリン
スした。次に、乾燥させてレジストパターンを得た。

【０１６３】

【表１】

【０１６４】

【表２】

【０１６５】（比較例１９）実施例１で得られたレジス
ト溶液を用いて、ポスト露光ベークの温度を８０℃とし
た以外は実施例１と同様の方法によりレジストパターン
を作成した。

【０１６６】（比較例２０）実施例１で得られたレジス
ト溶液を用いて、ポスト露光ベークの温度を２００℃と
した以外は実施例１と同様の方法によりレジストパター
ンを作成した。

【０１６７】表３に実施例、表４に比較例の評価結果を
示す。評価基準は以下の通りである。 （プロファイル評価）得られたレジストパターンの断面
を走査型電子顕微鏡により観察し、プロファイル形状の
観察を行った。レジストパターンのプロファイルを観察
し、その形状による評価を行った。 ５：良好な矩形、４：やや細っているが概ね良好な矩
形、３：細っている矩形、２：細っていて形状不良、
１：極めて細っていて形状不良 （感度評価）０．４０μｍのラインアンドスペースパタ
ーンを得るのに必要な露光量を感度とした。 （解像度評価）０．４０μｍのラインアンドスペースパ
ターンを得るのに必要な露光量において、分離している
ラインアンドスペースの最小線幅を解像度とした。

【０１６８】

【表３】

【０１６９】

【表４】

【０１７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の発生剤
（Ａ）、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）、有機溶剤
（Ｃ）を含む、またさらには酸不安定基を有する低分子
性溶解抑止剤（Ｄ）を含む化学増幅ポジ型レジスト組成
物を用いることにより、従来の化学増幅ポジ型レジスト
組成物よりも、良好なレジストパターンのプロファイル
形状、感度、解像度が得られることが明らかとなった。
したがって、本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物お
よびパターン形成方法およびパターンは、半導体集積回
路の作成などに好適に用いることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｆ 5/02 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AB16 AC01 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08 AD03 BE00 BE07 BE10 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 4H006 AA03 AB81 4H048 AA03 AB81 VA11 VA75 VB10 VB90

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】オニウムカチオンと、下記一般式（１）の
   ボレートアニオンとから構成される酸発生剤（Ａ）、酸
   不安定基を有する高分子（Ｂ）、および有機溶剤（Ｃ）
   を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成
   物。 一般式（１） ［ＢＹ_mＺ_n］^- （ただし、Ｙはフッ素または塩素、Ｚはフッ素、シアノ
   基、ニトロ基、および、トリフルオロメチル基の中から
   選ばれる少なくとも２個の電子吸引性基で置換されたフ
   ェニル基、ｍは０〜３の整数、ｎは１〜４の整数を表
   し、ｍ＋ｎ＝４である。）
2. 【請求項２】 ボレートアニオンが、テトラキス（ペン
   タフルオロフェニル）ボレートもしくはテトラキス
   ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
   ートのいずれかのボレートアニオンである請求項１に記
   載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
3. 【請求項３】 オニウムカチオンが、下記一般式（２）
   もしくは（１１）で表されるスルホニウムカチオンであ
   る請求項１または２記載の化学増幅ポジ型レジスト組成
   物。 一般式（２） 【化１】 （ただし、Ｒ¹ は、ベンジル基、フェナシル基、アリル
   基、アルコキシル基、アルコキシル基、アリールオキシ
   基、アリールオキシ基、および、β位にオキソ基を有す
   るＣ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状ア
   ルキル基、から選ばれる基を表し、Ｒ²およびＲ³は、そ
   れぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ１８の、直鎖状、分岐鎖状、も
   しくは環状アルキル基、または、Ｃ６〜Ｃ１８の単環、
   もしくは縮合多環アリール基のいずれかを表し、Ａｒ¹
   〜Ａｒ³は、それぞれ独立に、Ｃ６〜Ｃ１８の単環、も
   しくは縮合多環アリール基を表し、Ｒ¹とＲ²、Ｒ¹と
   Ｒ³、Ｒ ²とＲ³、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ¹とＡｒ³、Ａｒ²と
   Ａｒ³は互いに共有結合によって環構造を形成していて
   もよく、Ｒ¹〜Ｒ³およびＡｒ¹〜Ａｒ³は、それぞれフッ
   素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト
   基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていても
   よい。）
4. 【請求項４】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）が下記一
   般式（１４）〜（１６）で表される繰り返し単位のう
   ち、少なくともいずれかひとつを含む請求項１ないし３
   いずれか１項に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。 【化２】 （ただし、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹⁴はそれぞれ独立に、水素原子、ま
   たは、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の、直鎖状、
   分岐状もしくは環状のアルキル基を表すが、一般式（１
   ５）においてＲ¹³もしくはＲ¹⁴のいずれか一方は、Ｒ¹²
   と相互に結合して炭素数１〜４のオキソアルキレン鎖を
   形成してもよい。Ｒ¹⁷は、相互に独立の脂環式炭素に結
   合する複数の官能基を表し、水素原子、ハロゲン原子、
   水酸基、カルボキシル基、置換もしくは無置換の、炭素
   数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状も
   しくは環状のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭
   素数１〜８の直鎖状、または、分岐状もしくは環状のア
   ルキルエステルであるカルボキシル基を表す。Ｒ¹²およ
   びＲ¹⁷は酸不安定基を有していてもよい。Ｒ¹⁵およびＲ
   ¹⁶はそれぞれ独立に炭素数０〜２のアルキレン鎖を表す
   が、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶の炭素数の和は２である。ただし、Ｒ¹⁵
   およびＲ¹⁶の炭素数がともに１である場合には互いに結
   合して環状構造を形成していてもよく、Ｒ¹⁵もしくはＲ
   ¹⁶の炭素数が２である場合には不飽和結合を表していて
   もよく、ａは０〜６の整数である。）
5. 【請求項５】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）が一般式
   （１６）で表される繰り返し単位を含む請求項４に記載
   の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
6. 【請求項６】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）が、酸不
   安定基として下記一般式（１７）〜（１９）で表される
   基、トリアルキルシリル基もしくは酸無水物基のうち少
   なくとも一つを含む、請求項１ないし５いずれか１項に
   記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。 【化３】 （ただし、Ｒ¹⁸〜Ｒ²⁰はそれぞれ独立に、置換もしくは
   無置換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状
   のアルキル基を表すが、一般式（１７）および（１８）
   において、Ｒ¹⁸とＲ¹⁹、Ｒ¹⁸とＲ²⁰、Ｒ¹⁹とＲ²⁰、Ｒ¹⁸
   とＲ¹⁹とＲ²⁰は互いに結合して環状構造を形成していて
   もよく、Ｒ²¹は水素原子、置換もしくは無置換の、炭素
   数１〜４の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を
   表し、Ｒ²²は置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖
   状、分岐状もしくは環状のアルキレン鎖を表し、ｂおよ
   びｃは０または１である。）
7. 【請求項７】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）が、酸不
   安定基として、ｂが０である一般式（１７）、もしくは
   一般式（１９）で表される基のうち少なくとも一つを含
   む、請求項６に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
8. 【請求項８】さらに、酸不安定基を有する低分子性溶解
   抑止剤（Ｄ）を含む請求項１ないし７いずれか１項に記
   載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
9. 【請求項９】請求項１ないし８いずれか１項に記載の化
   学増幅ポジ型レジスト組成物を用いるパターン形成方
   法。
10. 【請求項１０】１００〜１６０℃のポスト露光ベーク工
    程を含む請求項９記載のパターン形成方法。
11. 【請求項１１】請求項９または１０に記載のパターン形
    成方法により形成されたパターン。