JP2003336033A - 化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、エネルギー線に対する感度が
高く、露光後加熱処理までの経時でレジストパターンの
細りが生じたり、レジストパターン表面の形状がＴ型を
呈することがなく、基板近傍におけるパターン形成性に
優れた、ＡｒＦ露光用として好適な化学増幅ポジ型レジ
スト組成物およびパターン形成方法およびパターンを提
供することである。 【解決手段】下記一般式（１）で示されるスルホニウム
カチオンと、下記一般式（２）で示されるスルホン酸ア
ニオンとから構成される酸発生剤。 一般式（１） 【化１】 （ただし、Ｒ¹ は、ベンジル基などを表し、Ｒ²および
Ｒ³は、アルキル基などを表す。） 一般式（２） Ｒ⁴ＳＯ₃ ^- （ただし、Ｒ⁴は、アルキル基などを表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、酸発生剤としてス
ルホン酸アニオンを有するスルホニウム化合物を含む化
学増幅ポジ型レジスト組成物に関するものであり、当該
組成物は、ＡｒＦ露光用として好適であり、良好な保存
安定性、ドライエッチング耐性、感度、解像度、パター
ン形状を与えることができる。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高度な集積化を実現す
るため、リソグラフィー技術の発展による微細化がすす
められている。このような微細パターンを形成するに
は、基盤上にレジスト溶液を塗布し乾燥させて塗膜を形
成した後、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、シ
ンクロトロン放射線、イオンビームなどのエネルギー線
を照射、ポスト露光ベークして潜像を形成し、現像およ
びエッチングにより所望のパターンを得るという技術で
ある。このようなフォトリソグラフィー技術において化
学増幅型ポジ型レジスト組成物は不可欠な材料であり、
微細化の高度化に応じて様々な改良が重ねられている。

【０００３】なかでも酸発生剤は化学増幅型レジストに
は欠かせない材料である。酸発生剤はエネルギー線に感
応して酸を発生し、レジスト組成物に含まれる高分子の
酸不安定基と反応しアルカリ溶液に対する溶解性を向上
させる。よって、化学増幅型レジストの感度や解像度な
ど基本物性の多くを酸発生剤が左右するため、より微細
なパターン形成を実現させるべく様々な化合物の開発が
進められている。

【０００４】オニウム塩は、化学増幅型レジストにおけ
る酸発生剤として有用な化合物であることが既に知られ
ている。オニウム塩は感度やレジスト溶液の保存安定性
などの面で、スルホン酸エステル、Ｎ−スルホニロキシ
イミド、スルホニルジアゾメタンなどの他の構造を有す
る酸発生剤と比較して良好な特性を有することから、酸
発生剤の開発はオニウム塩を中心にすすめられている。
例えば、特開昭６３−２７８２９号公報、特開平２−２
５８５０号公報、特開平２−１５０８４８号公報、特開
平５−１３４４１４号公報、特開平５−２３２７０５号
公報等には、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンを
有するオニウム塩の使用が記載されている。このような
オニウム塩から発生する酸は、レジスト塗膜中における
拡散性の大きいトリフルオロメタンスルホン酸である。
このような酸は、フッ素で置換されていないアルキルス
ルホン酸と比較して酸強度が優れるため、高い感度が得
られるが、露光から加熱処理までのあいだに過剰な拡散
を起こし、レジストパターンを細らせたり、表面の形状
をＴ型にさせるなどの問題があった。

【０００５】このような問題を解決させるため、拡散性
を抑えた酸を発生できるようなオニウム塩の開発が進め
られている。例えば、特開平２−２５８５０号公報、特
開平２−１５０８４８号公報、特開平５−５９９３号公
報、特開平６−４３６５３号公報、特開平６−１２３９
７２号公報等には、トルエンスルホン酸アニオンを有す
るオニウム塩が、特開平６−１９９７７０号公報、特開
平９−２４４２３４号公報、特開平９−２５８４３５号
公報、特開平１０−２７４８４５号公報、特開２００１
−１７２２５１号公報等には、アルキル基、カルボニル
基、アルコキシル基、カルボン酸エステル基もしくはア
リールアルキル基を有するアリールスルホン酸アニオン
を有するオニウム塩が記載されている。

【０００６】ところで、レジスト塗膜は照射波長に対す
る一定の透明性が要求される。これは表面部から深部ま
での露光量が均一でないと、潜像形成の程度に差異が生
じ、良好なパターン形状が得られないからである。しか
し、近年フォトリソグラフィー技術は微細パターンを形
成するため照射波長の短波長化がすすみ、ＫｒＦエキシ
マーレーザー（２４８ｎｍ）に続いてＡｒＦエキシマー
レーザー（１９３ｎｍ）も検討されつつある。よってＡ
ｒＦエキシマーレーザーでは、１９３ｎｍにおけるレジ
スト塗膜の透明性が要求されるため、ポリヒドロキシス
チレンなどの芳香環を有する高分子の使用は困難となっ
ている。しかしながら、芳香環により付与していたドラ
イエッチング耐性を他の構造で達成する必要が生じたた
め、脂環式骨格を有する高分子がＡｒＦレジストの主要
なバインダー成分として提案された。このようなレジス
トにおいて酸の拡散を開始させるには、これまでより高
温のポスト露光ベークが必要となっている。

【０００７】このような高温のポスト露光ベークを含む
ＡｒＦリソグラフィー技術においては、上記のトルエン
スルホン酸アニオンを有するオニウム塩や、アルキル
基、カルボニル基、アルコキシ基、カルボン酸エステル
基もしくはアリールアルキル基を有するアリールスルホ
ン酸アニオンを有するオニウム塩を酸発生剤として使用
すると、エネルギー線照射により発生した酸のレジスト
膜中での拡散性の低減が未だ十分でなく、露光後加熱処
理までの経時でレジストパターンの細りが生じる問題が
あった。さらに、これらのアニオンが芳香環を含むこと
から、露光工程で用いられるＡｒＦエキシマーレーザー
の波長（１９３ｎｍ）における吸光度が大きく、酸発生
に必要なカチオン部分の光反応が阻害されるという欠点
を有していた。

【０００８】また、オニウム塩のカチオン部分に関して
も同様の問題が存在する。酸発生剤として代表的なトリ
フェニルスルホニウム塩は、その構造内に芳香環を有し
ているためＡｒＦエキシマーレーザーの波長（１９３ｎ
ｍ）において高い吸光度を示す。よって、レジスト膜の
露光表面近傍で大部分の光が吸収されてしまうため、基
板近傍にはほとんど光が到達せず、基板側でのパターン
形成性に劣るという問題を抱えていた。これを改良する
材料として、特許第２７７０７４０号公報、特許第２７
７６２０４号公報等では、１９３ｎｍにおける吸光度を
低下させたアルキルスルホニウム塩化合物のＡｒＦレジ
スト用酸発生剤としての利用が記載されている。しかし
ながら、いずれもアニオン部分は、ＢＦ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、
ＳｂＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-あるいはＣＦ₃ＳＯ₃ ^-などの拡散性の
高いアニオンであるため、露光後加熱処理までの経時で
レジストパターンの細りが生じる問題を有していた。よ
って、ＡｒＦエキシマーレーザーの波長である１９３ｎ
ｍにおける吸光度が低く、発生する酸の拡散性が低い酸
発生剤の開発が求められてきた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、エネルギー線に対する感度が高く、露光後加熱処理
までの経時でレジストパターンの細りが生じたり、レジ
ストパターン表面の形状がＴ型を呈することがなく、基
板近傍におけるパターン形成性に優れた、ＡｒＦ露光用
として好適な化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパタ
ーン形成方法およびパターンを提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以上の諸
問題点を考慮し解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発
明に至った。

【００１１】すなわち本発明は、下記一般式（１）のス
ルホニウムカチオンと、下記一般式（２）のスルホン酸
アニオンとから構成される酸発生剤に関する。

【００１２】また、本発明は、下記一般式（１）で示さ
れるスルホニウムカチオンと、下記一般式（２）で示さ
れるスルホン酸アニオンとから構成される酸発生剤に関
する。 一般式（１）

【００１３】

【化４】

【００１４】（ただし、Ｒ¹ は、ベンジル基、フェナシ
ル基、アリル基、アルコキシル基、アルコキシル基、ア
リールオキシ基、アリールオキシ基、および、β位にオ
キソ基を有するＣ₁〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐鎖状、もし
くは環状アルキル基、から選ばれる基を表し、Ｒ²およ
びＲ³は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐
鎖状、もしくは環状アルキル基を表し、Ｒ¹とＲ²、Ｒ¹
とＲ³、Ｒ²とＲ³は互いに共有結合によって環構造を形
成していてもよく、また、Ｒ¹〜Ｒ³は、それぞれフッ
素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト
基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていても
よい。） 一般式（２） Ｒ⁴ＳＯ₃ ^- （ただし、Ｒ⁴は、Ｃ₃〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐鎖状、も
しくは環状アルキル基を表し、フッ素、塩素、臭素、水
酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニト
ロ基、アジド基で置換されていてもよい。） また、本発明は、Ｒ⁴が、直鎖状、分岐鎖状、もしくは
環状のパーフルオロアルキル基である上記酸発生剤に関
する。

【００１５】また、本発明は、上記酸発生剤（Ａ）、酸
不安定基を有する高分子（Ｂ）、および有機溶剤（Ｃ）
を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物
に関する。

【００１６】また、本発明は、酸不安定基を有する高分
子（Ｂ）が、下記一般式（３）または（４）で表される
繰り返し単位のうち、少なくともいずれかひとつを含む
請求項３記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物に関す
る。

【００１７】

【化５】

【００１８】（ただし、Ｒ⁵〜Ｒ⁷は、それぞれ独立に、
水素原子、または、置換もしくは無置換の炭素数１〜８
の、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を表す
が、一般式（３）においてＲ⁶もしくはＲ⁷のいずれか一
方は、Ｒ⁵と相互に結合して炭素数１〜４のオキソアル
キレン鎖を形成してもよい。Ｒ¹⁰は、相互に独立の脂環
式炭素に結合する複数の官能基を表し、水素原子、ハロ
ゲン原子、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは無置
換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基、置換もしく
は無置換の炭素数１〜８の直鎖状、または、分岐状もし
くは環状のアルキルエステルであるカルボキシル基を表
す。Ｒ⁵およびＲ¹⁰は酸不安定基を有していてもよい。
Ｒ⁸およびＲ⁹は、それぞれ独立に炭素数０〜２のアルキ
レン鎖を表すが、Ｒ⁸とＲ⁹の炭素数の和は２である。た
だし、Ｒ⁸およびＲ⁹の炭素数がともに１である場合には
互いに結合して環状構造を形成していてもよく、Ｒ⁸も
しくはＲ⁹の炭素数が２である場合には不飽和結合を表
していてもよく、ａは０〜６の整数である。） また、本発明は、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）が、
酸不安定基として下記一般式（５）〜（７）で表される
基、トリアルキルシリル基もしくは酸無水物基のうち少
なくとも一つを含む、上記化学増幅ポジ型レジスト組成
物に関する。

【００１９】

【化６】

【００２０】（ただし、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は、それぞれ独立
に、置換もしくは無置換の、炭素数１〜８の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルキル基を表すが、一般式（５）
および（６）において、Ｒ¹¹とＲ¹²、Ｒ¹¹とＲ¹³、Ｒ¹²
とＲ¹³、Ｒ¹¹とＲ¹²とＲ¹¹は互いに結合して環状構造を
形成していてもよい。Ｒ¹⁴は、水素原子、置換もしくは
無置換の、炭素数１〜４の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基を表し、Ｒ¹⁵は置換もしくは無置換の炭素
数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン鎖
を表し、ｂおよびｃは０または１である。） また、本発明は、さらに、酸不安定基を有する低分子性
溶解抑止剤（Ｄ）を含む上記化学増幅ポジ型レジスト組
成物に関する。

【００２１】また、本発明は、エネルギー線を照射され
たレジスト組成物の現像によりパターン形成方法であっ
て、レジスト組成物が、上記化学増幅ポジ型レジスト組
成物であるパターン形成方法に関する。

【００２２】また、本発明は、１４０〜２２０ｎｍの波
長の遠紫外光による露光工程を含む上記パターン形成方
法に関する。

【００２３】また、本発明は、上記パターン形成方法に
より形成されたパターンに関する。

【００２４】

【発明の実施の形態】まず初めに、本発明の酸発生剤
（Ａ）について説明する。本発明の酸発生剤（Ａ）とは
エネルギー線の照射に感応して酸を発生するオニウム塩
であり、スルホニウムカチオンとスルホン酸アニオンか
ら構成される。スルホニウムカチオンの構造は下記一般
式（１）、スルホン酸アニオンの構造は下記一般式
（２）で表される。 一般式（１）

【００２５】

【化７】

【００２６】（ただし、Ｒ¹ は、ベンジル基、フェナシ
ル基、アリル基、アルコキシル基、アルコキシル基、ア
リールオキシ基、アリールオキシ基、および、β位にオ
キソ基を有するＣ₁〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐鎖状、もし
くは環状アルキル基、から選ばれる基を表し、Ｒ²およ
びＲ³は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐
鎖状、もしくは環状アルキル基を表し、Ｒ¹とＲ²、Ｒ¹
とＲ³、Ｒ²とＲ³は互いに共有結合によって環構造を形
成していてもよく、Ｒ¹〜Ｒ³は、それぞれフッ素、塩
素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シ
アノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよ
い。） 一般式（２） Ｒ⁴ＳＯ₃ ^- （ただしＲ⁴はＣ₃〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐鎖状、もしく
は環状アルキル基を表し、フッ素、塩素、臭素、水酸
基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ
基、アジド基で置換されていてもよい。） この内、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式
（１）で表されるスルホニウムカチオンとしては、Ｒ¹
が置換ベンジル基、置換フェナシル基、または、β位に
オキソ基を有するＣ₁〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐鎖状、も
しくは環状の置換アルキル基、であるスルホニウムカチ
オンが好ましく、さらにはＲ¹ が置換フェナシル基であ
るスルホニウムカチオン好ましい。

【００２７】上に説明したスルホニウムカチオンを有す
る酸発生剤（Ａ）は、エネルギー線の照射によって分解
し易く、酸発生効率に優れるうえ、１９３ｎｍにおける
吸光度がより低いため基盤近傍での高いパターン形成性
を付与できることから好ましい。

【００２８】一方、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する
一般式（２）で表されるスルホン酸アニオンとしては、
Ｒ⁴が、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状のパーフルオ
ロアルキル基であるスルホン酸アニオンが好ましく、さ
らにはＣ₄〜Ｃ₁₀の直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状の
パーフルオロアルキル基であるスルホン酸アニオンが好
ましい。

【００２９】上に説明したスルホン酸アニオンを有する
酸発生剤（Ａ）は、エネルギー線の照射によって生じた
酸が強酸であるため反応性に優れるうえ、低拡散性であ
ることから、露光後加熱処理までの経時でレジストパタ
ーンの細りが生じたり、レジストパターン表面の形状が
Ｔ型を呈することがないため好ましい。

【００３０】したがって、本発明の酸発生剤（Ａ）を構
成する好ましいオニウムボレート錯体の具体例として
は、以下に掲げるものをあげることができるが、本発明
は、なんらこれらに限定されるものではない。

【００３１】ｎ−プロパンスルホネートの例：ベンジル
スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネートの例：ジメチ
ル（ベンジル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネー
ト、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホニウム−ｎ
−プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−シアノベンジ
ル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチ
ル（ｍ−ニトロベンジル）スルホニウム−ｎ−プロパン
スルホネート、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチ
ル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチ
ル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル）スルホニウ
ム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−メチル
スルホニルベンジル）スルホニウム−ｎ−プロパンスル
ホネート、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニ
ウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｏ−ベン
ゾイルベンジル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネ
ート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホニ
ウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−メト
キシベンジル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネー
ト、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホニウム−ｎ
−プロパンスルホネート、ジメチル（９−アンスリルメ
チル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジエ
チル（ベンジル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネ
ート、メチルエチル（ベンジル）スルホニウム−ｎ−プ
ロパンスルホネート、メチルフェニル（ベンジル）スル
ホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジフェニル（ベ
ンジル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネートな
ど。

【００３２】フェナシルスルホニウム−ｎ−プロパンス
ルホネートの例：ジメチル（フェナシル）スルホニウム
−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−シアノフ
ェナシル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、
ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウム−ｎ−
プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロ
メチル）フェナシル）スルホニウム−ｎ−プロパンスル
ホネート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシ
ル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチ
ル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホニウム−ｎ−プロ
パンスルホネート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシ
ル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチ
ル（ｐ−イソプロピルフェナシル）スルホニウム−ｎ−
プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシ
カルボニルフェナシル）スルホニウム−ｎ−プロパンス
ルホネート、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホ
ニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（９−ア
ンスロイルメチル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホ
ネート、ジエチル（フェナシル）スルホニウム−ｎ−プ
ロパンスルホネート、メチルエチル（フェナシル）スル
ホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ビス（２−ヒド
ロキシエチル）（フェナシル）スルホニウム−ｎ−プロ
パンスルホネート、メチルフェニル（フェナシル）スル
ホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジフェニル（フ
ェナシル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、
テトラメチレン（フェナシル）スルホニウム−ｎ−プロ
パンスルホネートなど。

【００３３】アリルスルホニウム−ｎ−プロパンスルホ
ネートの例：ジメチル（アリル）スルホニウム−ｎ−プ
ロパンスルホネート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２
−プロペニル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネー
ト、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プ
ロペニル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、
ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プ
ロペニル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、
ジメチル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−
プロペニル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート
など。

【００３４】アルコキシスルホニウム−ｎ−プロパンス
ルホネートの例：ジメチル（メトキシ）スルホニウム−
ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（エトキシ）スル
ホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ブト
キシ）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメ
チル（イソプロポキシ）スルホニウム−ｎ−プロパンス
ルホネート、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニ
ウム−ｎ−プロパンスルホネートなど。

【００３５】アリールオキシスルホニウム−ｎ−プロパ
ンスルホネートの例：ジメチル（フェノキシ）スルホニ
ウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（１ーナフ
チルオキシ）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネー
ト、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホニウム−ｎ
−プロパンスルホネート、ジメチル（９−アンスリルオ
キシ）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメ
チル（ｐ−トリルオキシ）スルホニウム−ｎ−プロパン
スルホネート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）スル
ホニウム−ｎ−プロパンスルホネートなど。

【００３６】β−オキソアルキルスルホニウム−ｎ−プ
ロパンスルホネートの例：β−オキソシクロヘキシルメ
チル（２−ノルボルニル）スルホニウム−ｎ−プロパン
スルホネート、シクロヘキシルメチル（β−オキソノル
ボルニル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、
アダマンチルメチル（β−オキソシクロヘキシル）スル
ホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、シクロヘキシル
メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム−ｎ
−プロパンスルホネート、ジシクロヘキシル（２−オキ
ソシクロヘキシル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホ
ネート、シクロペンチルメチル（２−オキソシクロヘキ
シル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホネート、シク
ロヘプチルメチル（２−オキソシクロペンチル）スルホ
ニウム−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（２−オ
キソ−２−シクロヘキシルエチル）スルホニウム−ｎ−
プロパンスルホネート、ジメチル（２−オキソ−２−ア
ダマンチルエチル）スルホニウム−ｎ−プロパンスルホ
ネートなど。

【００３７】ｎ−ブタンスルホネートの例：ベンジルス
ルホニウム−ｎ−ブタンスルホネートの例：ジメチル
（ベンジル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、
ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホニウム−ｎ−ブ
タンスルホネート、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）ス
ルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｍ−
ニトロベンジル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホ
ニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−（ト
リフルオロメチル）ベンジル）スルホニウム−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベン
ジル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチ
ル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニウム−ｎ−ブタン
スルホネート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）ス
ルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−
イソプロピルベンジル）スルホニウム−ｎ−ブタンスル
ホネート、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホニ
ウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（２−ナフチ
ルメチル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
メチル（９−アンスリルメチル）スルホニウム−ｎ−ブ
タンスルホネート、ジエチル（ベンジル）スルホニウム
−ｎ−ブタンスルホネート、メチルエチル（ベンジル）
スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、メチルフェニ
ル（ベンジル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジフェニル（ベンジル）スルホニウム−ｎ−ブタン
スルホネートなど。

【００３８】フェナシルスルホニウム−ｎ−ブタンスル
ホネートの例：ジメチル（フェナシル）スルホニウム−
ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−シアノフェナ
シル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチ
ル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウム−ｎ−ブタン
スルホネート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）
フェナシル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、
ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホニ
ウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｏ−アセチ
ルフェナシル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホニウ
ム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロ
ピルフェナシル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシ
ル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル
（２−ナフトイルメチル）スルホニウム−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジメチル（９−アンスロイルメチル）スル
ホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジエチル（フェナ
シル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、メチル
エチル（フェナシル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホ
ネート、ビス（２−ヒドロキシエチル）（フェナシル）
スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、メチルフェニ
ル（フェナシル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジフェニル（フェナシル）スルホニウム−ｎ−ブタ
ンスルホネート、テトラメチレン（フェナシル）スルホ
ニウム−ｎ−ブタンスルホネートなど。

【００３９】アリルスルホニウム−ｎ−ブタンスルホネ
ートの例：ジメチル（アリル）スルホニウム−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プ
ロペニル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
メチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニ
ル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル
（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニ
ル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル
（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニ
ル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネートなど。

【００４０】アルコキシスルホニウム−ｎ−ブタンスル
ホネートの例：ジメチル（メトキシ）スルホニウム−ｎ
−ブタンスルホネート、ジメチル（エトキシ）スルホニ
ウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ブトキシ）
スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（イ
ソプロポキシ）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニウム−ｎ
−ブタンスルホネートなど。

【００４１】アリールオキシスルホニウム−ｎ−ブタン
スルホネートの例：ジメチル（フェノキシ）スルホニウ
ム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（１ーナフチル
オキシ）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメ
チル（２−ナフチルオキシ）スルホニウム−ｎ−ブタン
スルホネート、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スル
ホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−ト
リルオキシ）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、
ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホニウム−ｎ−
ブタンスルホネートなど。

【００４２】β−オキソアルキルスルホニウム−ｎ−ブ
タンスルホネートの例：β−オキソシクロヘキシルメチ
ル（２−ノルボルニル）スルホニウム−ｎ−ブタンスル
ホネート、シクロヘキシルメチル（β−オキソノルボル
ニル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、アダマ
ンチルメチル（β−オキソシクロヘキシル）スルホニウ
ム−ｎ−ブタンスルホネート、シクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロ
ヘキシル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、シ
クロペンチルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スル
ホニウム−ｎ−ブタンスルホネート、シクロヘプチルメ
チル（２−オキソシクロペンチル）スルホニウム−ｎ−
ブタンスルホネート、ジメチル（２−オキソ−２−シク
ロヘキシルエチル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネ
ート、ジメチル（２−オキソ−２−アダマンチルエチ
ル）スルホニウム−ｎ−ブタンスルホネートなど。

【００４３】ヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネー
トの例：ベンジルスルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プ
ロパンスルホネートの例：ジメチル（ベンジル）スルホ
ニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジ
メチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホニウムヘプタフル
オロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−シア
ノベンジル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパ
ンスルホネート、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スル
ホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、
ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホニウ
ムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチ
ル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル）スルホニウ
ムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチ
ル（ｐ−メチルスルホニルベンジル）スルホニウムヘプ
タフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｏ
−アセチルベンジル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ
−プロパンスルホネート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベ
ンジル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンス
ルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）ス
ルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネー
ト、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホニウムヘ
プタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル
（２−ナフチルメチル）スルホニウムヘプタフルオロ−
ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（９−アンスリル
メチル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンス
ルホネート、ジエチル（ベンジル）スルホニウムヘプタ
フルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、メチルエチル
（ベンジル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパ
ンスルホネート、メチルフェニル（ベンジル）スルホニ
ウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジフ
ェニル（ベンジル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−
プロパンスルホネートなど。

【００４４】フェナシルスルホニウムヘプタフルオロ−
ｎ−プロパンスルホネートの例：ジメチル（フェナシ
ル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホ
ネート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホニウ
ムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチ
ル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウムヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−（トリ
フルオロメチル）フェナシル）スルホニウムヘプタフル
オロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｐ−メチ
ルスルホニルフェナシル）スルホニウムヘプタフルオロ
−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ｏ−アセチル
フェナシル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパ
ンスルホネート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシ
ル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホ
ネート、ジメチル（ｐ−イソプロピルフェナシル）スル
ホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、
ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル）
スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネー
ト、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホニウムヘ
プタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル
（９−アンスロイルメチル）スルホニウムヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジエチル（フェナシ
ル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホ
ネート、メチルエチル（フェナシル）スルホニウムヘプ
タフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ビス（２−ヒ
ドロキシエチル）（フェナシル）スルホニウムヘプタフ
ルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、メチルフェニル
（フェナシル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロ
パンスルホネート、ジフェニル（フェナシル）スルホニ
ウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、テト
ラメチレン（フェナシル）スルホニウムヘプタフルオロ
−ｎ−プロパンスルホネートなど。

【００４５】アリルスルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−
プロパンスルホネートの例：ジメチル（アリル）スルホ
ニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジ
メチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニ
ウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメ
チル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニ
ル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホ
ネート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ
−２−プロペニル）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−
プロパンスルホネート、ジメチル（３，３−ビス（メト
キシカルボニル）−２−プロペニル）スルホニウムヘプ
タフルオロ−ｎ−プロパンスルホネートなど。

【００４６】アルコキシスルホニウムヘプタフルオロ−
ｎ−プロパンスルホネートの例：ジメチル（メトキシ）
スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネー
ト、ジメチル（エトキシ）スルホニウムヘプタフルオロ
−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（ブトキシ）ス
ルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネー
ト、ジメチル（イソプロポキシ）スルホニウムヘプタフ
ルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（４−シ
アノブトキシ）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロ
パンスルホネートなど。

【００４７】アリールオキシスルホニウムヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロパンスルホネートの例：ジメチル（フェノ
キシ）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスル
ホネート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホニウ
ムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチ
ル（２−ナフチルオキシ）スルホニウムヘプタフルオロ
−ｎ−プロパンスルホネート、ジメチル（９−アンスリ
ルオキシ）スルホニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパン
スルホネート、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホニ
ウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメ
チル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホニウムヘプタフル
オロ−ｎ−プロパンスルホネートなど。

【００４８】β−オキソアルキルスルホニウムヘプタフ
ルオロ−ｎ−プロパンスルホネートの例：β−オキソシ
クロヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウム
ヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、シクロヘ
キシルメチル（β−オキソノルボルニル）スルホニウム
ヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、アダマン
チルメチル（β−オキソシクロヘキシル）スルホニウム
ヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、シクロヘ
キシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウ
ムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジシク
ロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム
ヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、シクロペ
ンチルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウ
ムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、シクロ
ヘプチルメチル（２−オキソシクロペンチル）スルホニ
ウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジメ
チル（２−オキソ−２−シクロヘキシルエチル）スルホ
ニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネート、ジ
メチル（２−オキソ−２−アダマンチルエチル）スルホ
ニウムヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホネートな
ど。

【００４９】ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートの
例：ベンジルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネートの例：ジメチル（ベンジル）スルホニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−
ブロモベンジル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スル
ホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメ
チル（ｍ−ニトロベンジル）スルホニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ペンタフルオロ
フェニルメチル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチ
ル）ベンジル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタン
スルホネート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジ
ル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｏ−
ベンゾイルベンジル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベン
ジル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ート、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（２
−ナフチルメチル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、ジメチル（９−アンスリルメチル）
スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
ジエチル（ベンジル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、メチルエチル（ベンジル）スルホ
ニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、メチル
フェニル（ベンジル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、ジフェニル（ベンジル）スルホニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートなど。

【００５０】フェナシルスルホニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネートの例：ジメチル（フェナシル）ス
ルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ
メチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｍ−ニトロ
フェナシル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）フ
ェナシル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシ
ル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｏ
−ベンゾイルフェナシル）スルホニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロピル
フェナシル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニル
フェナシル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホ
ニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチ
ル（９−アンスロイルメチル）スルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジエチル（フェナシル）
スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
メチルエチル（フェナシル）スルホニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）（フェナシル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、メチルフェニル（フェナシル）スル
ホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフ
ェニル（フェナシル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、テトラメチレン（フェナシル）ス
ルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートな
ど。

【００５１】アリルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネートの例：ジメチル（アリル）スルホニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル
（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（２−
メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル
（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニ
ル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−
２−プロペニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネートなど。

【００５２】アルコキシスルホニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネートの例：ジメチル（メトキシ）スル
ホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメ
チル（エトキシ）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ジメチル（ブトキシ）スルホニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（イソ
プロポキシ）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニ
ウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートなど。

【００５３】アリールオキシスルホニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネートの例：ジメチル（フェノキ
シ）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（２−ナ
フチルオキシ）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタン
スルホネート、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スル
ホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジメ
チル（ｐ−トリルオキシ）スルホニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノ
キシ）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ートなど。

【００５４】β−オキソアルキルスルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネートの例：β−オキソシクロ
ヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、シクロヘキシルメ
チル（β−オキソノルボルニル）スルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、アダマンチルメチル
（β−オキソシクロヘキシル）スルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、シクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジシクロヘキシル（２−
オキソシクロヘキシル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、シクロペンチルメチル（２−オ
キソシクロヘキシル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート、シクロヘプチルメチル（２−オキ
ソシクロペンチル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、ジメチル（２−オキソ−２−シクロ
ヘキシルエチル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタ
ンスルホネート、ジメチル（２−オキソ−２−アダマン
チルエチル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネートなど。

【００５５】ウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネ
ートの例：ベンジルスルホニウムウンデカフルオロ−ｎ
−ペンタンスルホネートの例：ジメチル（ベンジル）ス
ルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネー
ト、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホニウムウン
デカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル
（ｐ−シアノベンジル）スルホニウムウンデカフルオロ
−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル（ｍ−ニトロベ
ンジル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタン
スルホネート、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチ
ル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスル
ホネート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベン
ジル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンス
ルホネート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジ
ル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスル
ホネート、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニ
ウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジ
メチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホニウムウンデ
カフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル（ｐ
−イソプロピルベンジル）スルホニウムウンデカフルオ
ロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル（ｐ−メトキ
シベンジル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペン
タンスルホネート、ジメチル（２−ナフチルメチル）ス
ルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネー
ト、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホニウムウ
ンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジエチル
（ベンジル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペン
タンスルホネート、メチルエチル（ベンジル）スルホニ
ウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、メ
チルフェニル（ベンジル）スルホニウムウンデカフルオ
ロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジフェニル（ベンジ
ル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスル
ホネートなど。

【００５６】フェナシルスルホニウムウンデカフルオロ
−ｎ−ペンタンスルホネートの例：ジメチル（フェナシ
ル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスル
ホネート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホニ
ウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジ
メチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウムウンデカ
フルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル（ｐ−
（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホニウムウン
デカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル
（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホニウムウン
デカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル
（ｏ−アセチルフェナシル）スルホニウムウンデカフル
オロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル（ｏ−ベン
ゾイルフェナシル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ
−ペンタンスルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロピル
フェナシル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペン
タンスルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカル
ボニルフェナシル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ
−ペンタンスルホネート、ジメチル（２−ナフトイルメ
チル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンス
ルホネート、ジメチル（９−アンスロイルメチル）スル
ホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネー
ト、ジエチル（フェナシル）スルホニウムウンデカフル
オロ−ｎ−ペンタンスルホネート、メチルエチル（フェ
ナシル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタン
スルホネート、ビス（２−ヒドロキシエチル）（フェナ
シル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンス
ルホネート、メチルフェニル（フェナシル）スルホニウ
ムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジフ
ェニル（フェナシル）スルホニウムウンデカフルオロ−
ｎ−ペンタンスルホネート、テトラメチレン（フェナシ
ル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスル
ホネートなど。

【００５７】アリルスルホニウムウンデカフルオロ−ｎ
−ペンタンスルホネートの例：ジメチル（アリル）スル
ホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネー
ト、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ス
ルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネー
ト、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プ
ロペニル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタ
ンスルホネート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−
ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムウンデカフル
オロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル（３，３−
ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）スルホ
ニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネートな
ど。

【００５８】アルコキシスルホニウムウンデカフルオロ
−ｎ−ペンタンスルホネートの例：ジメチル（メトキ
シ）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスル
ホネート、ジメチル（エトキシ）スルホニウムウンデカ
フルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル（ブト
キシ）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンス
ルホネート、ジメチル（イソプロポキシ）スルホニウム
ウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチ
ル（４−シアノブトキシ）スルホニウムウンデカフルオ
ロ−ｎ−ペンタンスルホネートなど。

【００５９】アリールオキシスルホニウムウンデカフル
オロ−ｎ−ペンタンスルホネートの例：ジメチル（フェ
ノキシ）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタン
スルホネート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホ
ニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、
ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホニウムウンデカ
フルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ジメチル（９−
アンスリルオキシ）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ
−ペンタンスルホネート、ジメチル（ｐ−トリルオキ
シ）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスル
ホネート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホニ
ウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネートな
ど。

【００６０】β−オキソアルキルスルホニウムウンデカ
フルオロ−ｎ−ペンタンスルホネートの例：β−オキソ
シクロヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウ
ムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、シク
ロヘキシルメチル（β−オキソノルボルニル）スルホニ
ウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ア
ダマンチルメチル（β−オキソシクロヘキシル）スルホ
ニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、
シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）ス
ルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネー
ト、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）ス
ルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネー
ト、シクロペンチルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタンスル
ホネート、シクロヘプチルメチル（２−オキソシクロペ
ンチル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペンタン
スルホネート、ジメチル（２−オキソ−２−シクロヘキ
シルエチル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペン
タンスルホネート、ジメチル（２−オキソ−２−アダマ
ンチルエチル）スルホニウムウンデカフルオロ−ｎ−ペ
ンタンスルホネートなど。

【００６１】ヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネートの例：ベンジルスルホニウムヘプタデカフルオロ
−ｎ−オクタンスルホネートの例：ジメチル（ベンジ
ル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホニ
ウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホニウムヘプタデ
カフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（ｍ
−ニトロベンジル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（ペンタフルオロ
フェニルメチル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、ジメチル（ｐ−（トリフルオ
ロメチル）ベンジル）スルホニウムヘプタデカフルオロ
−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（ｐ−メチルス
ルホニルベンジル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（ｏ−アセチルベ
ンジル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）
スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホ
ニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホニウムヘ
プタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチ
ル（２−ナフチルメチル）スルホニウムヘプタデカフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（９−アン
スリルメチル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−
オクタンスルホネート、ジエチル（ベンジル）スルホニ
ウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
メチルエチル（ベンジル）スルホニウムヘプタデカフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、メチルフェニル（ベ
ンジル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、ジフェニル（ベンジル）スルホニウム
ヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネートなど。

【００６２】フェナシルスルホニウムヘプタデカフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネートの例：ジメチル（フェナ
シル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタン
スルホネート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スル
ホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウムヘ
プタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチ
ル（ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホニ
ウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホニ
ウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホニウムヘプ
タデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル
（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホニウムヘプタデカ
フルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（ｐ−
イソプロピルフェナシル）スルホニウムヘプタデカフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（ｐ−イソ
プロポキシカルボニルフェナシル）スルホニウムヘプタ
デカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル
（２−ナフトイルメチル）スルホニウムヘプタデカフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（９−アン
スロイルメチル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、ジエチル（フェナシル）スル
ホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、メチルエチル（フェナシル）スルホニウムヘプタデ
カフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（２−ヒ
ドロキシエチル）（フェナシル）スルホニウムヘプタデ
カフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、メチルフェニ
ル（フェナシル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、ジフェニル（フェナシル）ス
ルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、テトラメチレン（フェナシル）スルホニウムヘプ
タデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネートなど。

【００６３】アリルスルホニウムヘプタデカフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネートの例：ジメチル（アリル）ス
ルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）
スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２
−プロペニル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−
オクタンスルホネート、ジメチル（２−ベンゾイル−
３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムヘプ
タデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル
（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニ
ル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネートなど。

【００６４】アルコキシスルホニウムヘプタデカフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネートの例：ジメチル（メトキ
シ）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネート、ジメチル（エトキシ）スルホニウムヘプタ
デカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル
（ブトキシ）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、ジメチル（イソプロポキシ）スル
ホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニウムヘプ
タデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネートなど。

【００６５】アリールオキシスルホニウムヘプタデカフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネートの例：ジメチル（フ
ェノキシ）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オク
タンスルホネート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）ス
ルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホニウムヘ
プタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチ
ル（９−アンスリルオキシ）スルホニウムヘプタデカフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（ｐ−ト
リルオキシ）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキ
シ）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンス
ルホネートなど。

【００６６】β−オキソアルキルスルホニウムヘプタデ
カフルオロ−ｎ−オクタンスルホネートの例：β−オキ
ソシクロヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニ
ウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
シクロヘキシルメチル（β−オキソノルボルニル）スル
ホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、アダマンチルメチル（β−オキソシクロヘキシル）
スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキ
シル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタン
スルホネート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘ
キシル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−オクタ
ンスルホネート、シクロペンチルメチル（２−オキソシ
クロヘキシル）スルホニウムヘプタデカフルオロ−ｎ−
オクタンスルホネート、シクロヘプチルメチル（２−オ
キソシクロペンチル）スルホニウムヘプタデカフルオロ
−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（２−オキソ−
２−シクロヘキシルエチル）スルホニウムヘプタデカフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジメチル（２−オ
キソ−２−アダマンチルエチル）スルホニウムヘプタデ
カフルオロ−ｎ−オクタンスルホネートなど。

【００６７】１０−カンファースルホネートの例：ベン
ジルスルホニウム−１０−カンファースルホネートの
例：ジメチル（ベンジル）スルホニウム−１０−カンフ
ァースルホネート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）ス
ルホニウム−１０−カンファースルホネート、ジメチル
（ｐ−シアノベンジル）スルホニウム−１０−カンファ
ースルホネート、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スル
ホニウム−１０−カンファースルホネート、ジメチル
（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホニウム−１０
−カンファースルホネート、ジメチル（ｐ−（トリフル
オロメチル）ベンジル）スルホニウム−１０−カンファ
ースルホネート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベン
ジル）スルホニウム−１０−カンファースルホネート、
ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニウム−１０
−カンファースルホネート、ジメチル（ｏ−ベンゾイル
ベンジル）スルホニウム−１０−カンファースルホネー
ト、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホニウ
ム−１０−カンファースルホネート、ジメチル（ｐ−メ
トキシベンジル）スルホニウム−１０−カンファースル
ホネート、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホニウ
ム−１０−カンファースルホネート、ジメチル（９−ア
ンスリルメチル）スルホニウム−１０−カンファースル
ホネート、ジエチル（ベンジル）スルホニウム−１０−
カンファースルホネート、メチルエチル（ベンジル）ス
ルホニウム−１０−カンファースルホネート、メチルフ
ェニル（ベンジル）スルホニウム−１０−カンファース
ルホネート、ジフェニル（ベンジル）スルホニウム−１
０−カンファースルホネートなど。

【００６８】フェナシルスルホニウム−１０−カンファ
ースルホネートの例：ジメチル（フェナシル）スルホニ
ウム−１０−カンファースルホネート、ジメチル（ｐ−
シアノフェナシル）スルホニウム−１０−カンファース
ルホネート、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホ
ニウム−１０−カンファースルホネート、ジメチル（ｐ
−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホニウム−
１０−カンファースルホネート、ジメチル（ｐ−メチル
スルホニルフェナシル）スルホニウム−１０−カンファ
ースルホネート、ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）
スルホニウム−１０−カンファースルホネート、ジメチ
ル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホニウム−１０−
カンファースルホネート、ジメチル（ｐ−イソプロピル
フェナシル）スルホニウム−１０−カンファースルホネ
ート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナ
シル）スルホニウム−１０−カンファースルホネート、
ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホニウム−１０
−カンファースルホネート、ジメチル（９−アンスロイ
ルメチル）スルホニウム−１０−カンファースルホネー
ト、ジエチル（フェナシル）スルホニウム−１０−カン
ファースルホネート、メチルエチル（フェナシル）スル
ホニウム−１０−カンファースルホネート、ビス（２−
ヒドロキシエチル）（フェナシル）スルホニウム−１０
−カンファースルホネート、メチルフェニル（フェナシ
ル）スルホニウム−１０−カンファースルホネート、ジ
フェニル（フェナシル）スルホニウム−１０−カンファ
ースルホネート、テトラメチレン（フェナシル）スルホ
ニウム−１０−カンファースルホネートなど。

【００６９】アリルスルホニウム−１０−カンファース
ルホネートの例：ジメチル（アリル）スルホニウム−１
０−カンファースルホネート、ジメチル（３，３−ジシ
アノ−２−プロペニル）スルホニウム−１０−カンファ
ースルホネート、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシ
アノ−２−プロペニル）スルホニウム−１０−カンファ
ースルホネート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−
ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウム−１０−カン
ファースルホネート、ジメチル（３，３−ビス（メトキ
シカルボニル）−２−プロペニル）スルホニウム−１０
−カンファースルホネートなど。

【００７０】アルコキシスルホニウム−１０−カンファ
ースルホネートの例：ジメチル（メトキシ）スルホニウ
ム−１０−カンファースルホネート、ジメチル（エトキ
シ）スルホニウム−１０−カンファースルホネート、ジ
メチル（ブトキシ）スルホニウム−１０−カンファース
ルホネート、ジメチル（イソプロポキシ）スルホニウム
−１０−カンファースルホネート、ジメチル（４−シア
ノブトキシ）スルホニウム−１０−カンファースルホネ
ートなど。

【００７１】アリールオキシスルホニウム−１０−カン
ファースルホネートの例：ジメチル（フェノキシ）スル
ホニウム−１０−カンファースルホネート、ジメチル
（１ーナフチルオキシ）スルホニウム−１０−カンファ
ースルホネート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スル
ホニウム−１０−カンファースルホネート、ジメチル
（９−アンスリルオキシ）スルホニウム−１０−カンフ
ァースルホネート、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スル
ホニウム−１０−カンファースルホネート、ジメチル
（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホニウム−１０−カンフ
ァースルホネートなど。

【００７２】β−オキソアルキルスルホニウム−１０−
カンファースルホネートの例：β−オキソシクロヘキシ
ルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウム−１０−カ
ンファースルホネート、シクロヘキシルメチル（β−オ
キソノルボルニル）スルホニウム−１０−カンファース
ルホネート、アダマンチルメチル（β−オキソシクロヘ
キシル）スルホニウム−１０−カンファースルホネー
ト、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシ
ル）スルホニウム−１０−カンファースルホネート、ジ
シクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニ
ウム−１０−カンファースルホネート、シクロペンチル
メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム−１
０−カンファースルホネート、シクロヘプチルメチル
（２−オキソシクロペンチル）スルホニウム−１０−カ
ンファースルホネート、ジメチル（２−オキソ−２−シ
クロヘキシルエチル）スルホニウム−１０−カンファー
スルホネート、ジメチル（２−オキソ−２−アダマンチ
ルエチル）スルホニウム−１０−カンファースルホネー
トなど。

【００７３】本発明の酸発生剤（Ａ）は、ＡｒＦエキシ
マーレーザーの波長である１９３ｎｍにおける吸光度が
低いという特徴を有している。よって、組成物中に大量
に含有させても、レジスト膜の基盤側への光の到達を妨
げないため、基盤近傍のパターン形成性に優れる。よっ
て露光表面側と基盤側で同様に優れたパターン形成性を
実現できるような、化学増幅ポジ型レジスト組成物およ
びパターン形成方法およびパターンを提供することが可
能となる。

【００７４】さらに、本発明の酸発生剤（Ａ）は、従来
知られていたＢＦ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-もし
くはＣＦ₃ＳＯ₃ ^-などのアニオンよりもサイズが大きい
アニオンを有するため、エネルギー線の照射により発生
する酸の拡散性が低いという特徴を有している。この特
徴により、露光後加熱処理までの経時でレジストパター
ンの細りが生じたり、レジストパターン表面の形状がＴ
型を呈することのない化学増幅ポジ型レジスト組成物お
よびパターン形成方法およびパターンを提供することが
可能となる。

【００７５】酸発生剤（Ａ）の添加量は、使用するエネ
ルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透
過率、レジストパターン形状を制御することを目的とし
て、任意の数値とすることができるが、好ましくは化学
増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に対して
０．０５〜２５重量部、さらに好ましくは０．５〜１０
重量部である。これらの範囲より低い添加量ではレジス
トパターン形成に必要な酸発生量が得られず、これらの
範囲を超えて添加しても感度の向上は認められない。ま
た、酸発生剤（Ａ）は単独でも２種以上混合しても用い
ることができる。

【００７６】また、本発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造
を有する酸発生剤も併用することもできる。例えば、本
発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造を有するオニウム塩の
ほか、スルホン酸エステル、スルホニルジアゾメタン、
Ｎ−スルホニルオキシイミド、ベンゾインスルホネー
ト、ニトロベンジルスルホネート、スルホン型酸発生
剤、グリオキシム誘導体型の酸発生剤等が挙げられ、特
開昭６３−２７８２９号公報、特開平２−２５８５０号
公報、特開平２−１５０８４８号公報、特開平５−１３
４４１４号公報、特開平５−２３２７０５号公報、特開
平５−５９９３号公報、特開平６−４３６５３号公報、
特開平６−１２３９７２号公報、特開平６−１９９７７
０号公報、特開平９−２４４２３４号公報、特開平９−
２５８４３５号公報、特開平１０−２７４８４５号公
報、特開平１１−１９０９０４号公報、特開２０００−
５３６０１号公報、特開２００１−１７２２５１号公
報、特許公報２７１９７４８号公報、特許公報２７７６
２０４号公報、特許公報２７７０７４０号公報、特許公
報２８２７９３８号公報、特許公報２８２７９４０号公
報、特許公報２８７４５７９号公報等に記載のものを用
いることができるが、これらに限定されるものではな
く、エネルギー線の照射により酸を発生するものであれ
ば用いることができる。

【００７７】中でも好ましく用いられる酸発生剤として
は、オニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、スルホ
ン酸エステル、Ｎ−スルホニルオキシイミドである。

【００７８】オニウム塩は、オニウムカチオンと、ＢＦ
₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、スルホン酸アニオ
ン、もしくはその他のボレートアニオンの組合わせで構
成され、オニウムカチオンとしては酸発生剤（Ａ）の例
示に挙げたものと同様のものを用いることができる。例
えば、ジメチルベンジルスルホニウム、ビス（２−ヒド
ロキシエチル）（ベンジル）スルホニウム、ジメチルフ
ェナシルスルホニウム、ビス（２−ヒドロキシエチル）
（フェナシル）スルホニウム、ジメチル（アリル）スル
ホニウム、ジメチル（メトキシ）スルホニウム−ｎ−プ
ロパンスルホネート、ジメチル（フェノキシ）スルホニ
ウム、β−オキソシクロヘキシルメチル（２−ノルボル
ニル）スルホニウム、ジメチル（２−オキソ−２−シク
ロヘキシルエチル）スルホニウムなどが好適に用いられ
るがこれらに限定されるものではない。さらに酸発生剤
（Ａ）のカチオン部分以外の構造を有するオニウムカチ
オンも用いることができる。例えば、トリフェニルスル
ホニウム、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホ
ニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、４−ｔ−ブチ
ルフェニルジフェニルスルホニウム、トリス（４−ｔ−
ブチルフェニル）スルホニウム、ジフェニルヨードニウ
ム、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムなど
が好適に用いられるがこれらに限定されるものではな
い。

【００７９】スルホン酸アニオンとして、酸発生剤
（Ａ）の例示に挙げたものと同様のものを用いることが
できる。例えば、ｎ−プロパンスルホネート、ｎ−ブタ
ンスルホネート、ヘプタフルオロ−ｎ−プロパンスルホ
ネート、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ウン
デカフルオロ−ｎ−ペンタンスルホネート、ヘプタデカ
フルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１０−カンファ
ースルホネートなどが好適に用いられるがこれらに限定
されるものではない。さらに酸発生剤（Ａ）のスルホン
酸アニオン以外の構造を有するものも用いることができ
る。例えば、ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンス
ルホン酸アニオン、トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニ
オン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ペンタ
フルオロエタンスルホン酸アニオン、２，２，２−トリ
フルオロエタンスルホン酸アニオン等が挙げられるがこ
れらに限定されるものではない。

【００８０】その他のボレートアニオンとしては、ペン
タフルオロフェニルトリフルオロボレート、３，５−ビ
ス（トリフルオロメチル）フェニルトリフルオロボレー
ト、ビス（ペンタフルオロフェニル）ジフルオロボレー
ト、ビス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニ
ル］ジフルオロボレート、トリス（ペンタフルオロフェ
ニル）フルオロボレート、トリス［３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）フェニル］フルオロボレート、テトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレ
ート等が挙げられるがこれらに限定されるものではな
い。

【００８１】ビススルホニルジアゾメタンとしては、ビ
ス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ−アミ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられるがこれらに
限定されるものではない。

【００８２】本発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造を有す
る酸発生剤の添加量は、使用するエネルギー線に対する
感度、エネルギー線の波長における透過率、レジストパ
ターン形状を制御することを目的として、任意の数値と
することができるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジス
ト中の固形分１００重量部に対して０．０５〜２５重量
部、さらに好ましくは０．５〜１０重量部である。これ
らの範囲より低い添加量ではレジストパターン形成に必
要な酸発生量が得られず、これらの範囲を超えて添加し
ても感度の向上は認められない。また、本発明の酸発生
剤（Ａ）以外の構造を有する酸発生剤は、単独でも２種
以上混合しても用いることができる。

【００８３】次に、本発明の酸不安定基を有する高分子
（Ｂ）について説明する。本発明の酸不安定基を有する
高分子（Ｂ）としては、酸の反応によりアルカリ性現像
液に対する溶解性が向上する高分子化合物であれば任意
のものを用いることができる。しかし、ポリヒドロキシ
スチレンなどの芳香族構造を有するものは、１９３ｎｍ
における吸光度が高く基盤側でのパターン形成性に劣る
ため適さない。よって、例えば、置換または無置換の、
水素化ポリヒドロキシスチレン、ポリ（メタ）アクリル
酸、ポリノルボルネンなどに酸不安定基が付加した高分
子化合物やこれらの共重合体、マレイミドもしくは酸無
水物基を繰り返し単位とする高分子化合物やこれらの共
重合体、水素化ノボラック樹脂などを用いることができ
る。また、上記高分子化合物はアクリロニトリルなどと
の共重合体であってもよい。

【００８４】なかでも、好ましくは下記一般式（３）ま
たは（４）で表される繰り返し単位のうち、少なくとも
いずれかひとつを含む高分子化合物である。このような
高分子化合物を用いることにより、良好なレジスト感
度、現像性、パターン形状、保存安定性が得られ、１９
３ｎｍにおける吸光度が低いため基盤側でのパターン形
成性に優れることから好ましい。

【００８５】

【化８】

【００８６】（ただし、Ｒ⁵〜Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水
素原子、または、置換もしくは無置換の炭素数１〜８
の、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を表す
が、一般式（３）においてＲ⁶もしくはＲ⁷のいずれか一
方は、Ｒ⁵と相互に結合して炭素数１〜４のオキソアル
キレン鎖を形成してもよい。Ｒ¹⁰は、相互に独立の脂環
式炭素に結合する複数の官能基を表し、水素原子、ハロ
ゲン原子、水酸基、カルボキシル基、置換もしくは無置
換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基、置換もしく
は無置換の炭素数１〜８の直鎖状、または、分岐状もし
くは環状のアルキルエステルであるカルボキシル基を表
す。Ｒ⁵およびＲ^{1 0}は酸不安定基を有していてもよい。
Ｒ⁸およびＲ⁹はそれぞれ独立に炭素数０〜２のアルキレ
ン鎖を表すが、Ｒ⁸とＲ⁹の炭素数の和は２である。ただ
し、Ｒ⁸およびＲ⁹の炭素数がともに１である場合には互
いに結合して環状構造を形成していてもよく、Ｒ⁸もし
くはＲ⁹の炭素数が２である場合には不飽和結合を表し
ていてもよく、ａは０〜６の整数である。） 酸不安定基を有する高分子（Ｂ）における酸不安定基と
しては、酸発生剤（Ａ）から発生する酸と反応して、ア
ルカリ性現像液に対する溶解性を向上させることができ
る基であればいかなる基も用いることができるが、酸と
の反応により水酸基もしくはカルボキシル基などの酸性
基が形成されるものが好適に用いられる。なかでも好ま
しくは、酸と酸不安定基との反応により酸が再生するよ
うな反応を行うことができる酸不安定基である。このよ
うな酸不安定基を有する高分子（Ｂ）を用いることによ
り、エネルギー線に対して高感度な化学増幅ポジ型レジ
スト組成物を提供でき、生産性の向上に繋げられるため
好ましい。

【００８７】下記一般式（５）〜（７）で表される基、
トリアルキルシリル基もしくは酸無水物基が、酸不安定
基としてさらに好ましい。このような酸不安定基を有す
る高分子（Ｂ）を用いることにより、良好なレジスト感
度、現像性、パターン形状、保存安定性が得られるため
好ましい。

【００８８】

【化９】

【００８９】（ただし、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³はそれぞれ独立に、
置換もしくは無置換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状
もしくは環状のアルキル基を表すが、一般式（５）およ
び（６）において、Ｒ¹¹とＲ¹²、Ｒ¹¹とＲ¹³、Ｒ¹²とＲ
¹³、Ｒ¹¹とＲ¹²とＲ¹¹は互いに結合して環状構造を形成
していてもよく、Ｒ¹⁴は水素原子、置換もしくは無置換
の、炭素数１〜４の直鎖状、分岐状もしくは環状のアル
キル基を表し、Ｒ¹⁵は置換もしくは無置換の炭素数１〜
８の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン鎖を表
し、ｂおよびｃは０または１である。） 酸不安定基として具体例を挙げる。ｔ−ブチル基、ｔ−
アミル基、１，１−ジエチルプロピル基、１−メチルシ
クロペンチル基、１−エチルシクロペンチル基、１−イ
ソプロピルシクロペンチル基、１−ブチルシクロペンチ
ル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロ
ヘキシル基、１−イソプロピルシクロヘキシル基、１−
ブチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−メ
チル−２−アダマンチル基、ｔ−ブトキシカルボニル基
などの一般式（５）で表される基、１−メトキシエチル
基、１−エトキシエチル基、１−メトキシ−１−メチル
−エチル基、１−エトキシ−１−メチルエチル基、テト
ラヒドロフラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロ
フラン−２−イル基、テトラヒドロピラン−２−イル
基、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル基などの
一般式（６）で表される基、３−オキソシクロヘキシル
基、１−メチル−３−オキソシクロヘキシル基、２−オ
キソオキサン−４−イル基、４−メチル−２−オキソオ
キサン−４−イル基、３−オキソシクロペンチル基、１
−メチル−３−オキソシクロペンチル基、２−オキソオ
キソラン−４−イル基、４−メチル−２−オキソオキソ
ラン−４−イル基などの一般式（７）で表される基、ト
リメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、ｔ−ブチ
ルジメチルシリル基、トリエチルシリル基などのトリア
ルキルシリル基、マレイン酸無水物基、イタコン酸無水
物基などの酸無水物基などがあげられるがこれらに限定
されるものではない。また、酸不安定基は、酸不安定基
を有する高分子（Ｂ）中に１種類もしくは２種類以上含
まれていてもよい。

【００９０】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）として、
重量平均分子量が３，０００〜２００，０００である高
分子化合物が、本発明の酸不安定基を有する高分子
（Ｂ）として好ましい。さらに好ましい重量平均分子量
の範囲は５，０００〜１００，０００である。これらの
範囲より小さい重量平均分子量では良好な耐熱性および
成膜性が得られない。これらの範囲を超えた重量平均分
子量では良好な現像性が得られない。

【００９１】以下に、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）
を構成する繰り返し単位の具体的な例を示すが、これら
に限定されるものではない。

【００９２】一般式（３）の例：ｔ−ブチル（メタ）ア
クリレート、ｔ−アミル（メタ）アクリレート、１，１
−ジエチルプロピル（メタ）アクリレート、１−メチル
シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−エチルシク
ロペンチル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシ
クロペンチル（メタ）アクリレート、１−ブチルシクロ
ペンチル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロヘキ
シル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキシル
（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロヘキシ
ル（メタ）アクリレート、１−ブチルシクロヘキシル
（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アク
リレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アク
リレート、ｔ−ブトキシカルボニル（メタ）アクリレー
トなどの一般式（５）で表される酸不安定基、を有する
（メタ）アクリレート、１−メトキシエチル（メタ）ア
クリレート、１−エトキシエチル（メタ）アクリレー
ト、１−メトキシ−１−メチル−エチル（メタ）アクリ
レート、１−エトキシ−１−メチルエチル（メタ）アク
リレート、テトラヒドロフラン−２−イル（メタ）アク
リレート、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル
（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラン−２−イル
（メタ）アクリレート、２−メチルテトラヒドロピラン
−２−イル（メタ）アクリレートなどの一般式（６）で
表される酸不安定基、を有する（メタ）アクリレート、
３−オキソシクロヘキシル（メタ）アクリレート、１−
メチル−３−オキソシクロヘキシル（メタ）アクリレー
ト、２−オキソオキサン−４−イル（メタ）アクリレー
ト、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル（メ
タ）アクリレート、３−オキソシクロペンチル（メタ）
アクリレート、１−メチル−３−オキソシクロペンチル
（メタ）アクリレート、２−オキソオキソラン−４−イ
ル（メタ）アクリレート、４−メチル−２−オキソオキ
ソラン−４−イル（メタ）アクリレートなどの一般式
（７）で表される酸不安定基、を有する（メタ）アクリ
レート、トリメチルシリル（メタ）アクリレート、エチ
ルジメチルシリル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチルジ
メチルシリル（メタ）アクリレート、トリエチルシリル
（メタ）アクリレートなどのトリアルキルシリル基を有
する（メタ）アクリレート、マレイン酸無水物、イタコ
ン酸無水物などの酸無水物。

【００９３】一般式（４）の例：５−ノルボルネン−２
−（ｔ−ブチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン
−２−（ｔ−アミル）カルボキシレート、５−ノルボル
ネン−２−（１，１−ジエチルプロピル）カルボキシレ
ート、５−ノルボルネン−２−（１−メチルシクロペン
チル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１
−エチルシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノル
ボルネン−２−（１−イソプロピルシクロペンチル）カ
ルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−ブチル
シクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン
−２−（１−メチルシクロヘキシル）カルボキシレー
ト、５−ノルボルネン−２−（１−エチルシクロヘキシ
ル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−
イソプロピルシクロヘキシル）カルボキシレート、５−
ノルボルネン−２−（１−ブチルシクロヘキシル）カル
ボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−アダマン
チル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（２
−メチル−２−アダマンチル）カルボキシレート、５−
ノルボルネン−２−（ｔ−ブトキシカルボニル）カルボ
キシレートなどの一般式（５）で表される酸不安定基、
を有する５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、５
−ノルボルネン−２−（１−メトキシエチル）カルボキ
シレート、５−ノルボルネン−２−（１−エトキシエチ
ル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−
メトキシ−１−メチル−エチル）カルボキシレート、５
−ノルボルネン−２−（１−エトキシ−１−メチルエチ
ル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（テト
ラヒドロフラン−２−イル）カルボキシレート、５−ノ
ルボルネン−２−（２−メチルテトラヒドロフラン−２
−イル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−
（テトラヒドロピラン−２−イル）カルボキシレート、
５−ノルボルネン−２−（２−メチルテトラヒドロピラ
ン−２−イル）カルボキシレートなどの一般式（６）で
表される酸不安定基、を有する５−ノルボルネン−２−
カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（３−オキ
ソシクロヘキシル）カルボキシレート、５−ノルボルネ
ン−２−（１−メチル−３−オキソシクロヘキシル）カ
ルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（２−オキソ
オキサン−４−イル）カルボキシレート、５−ノルボル
ネン−２−（４−メチル−２−オキソオキサン−４−イ
ル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（３−
オキソシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボ
ルネン−２−（１−メチル−３−オキソシクロペンチ
ル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（２−
オキソオキソラン−４−イル）カルボキシレート、５−
ノルボルネン−２−（４−メチル−２−オキソオキソラ
ン−４−イル）カルボキシレートなどの一般式（７）で
表される酸不安定基、を有する５−ノルボルネン−２−
カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（トリメチ
ルシリル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−
（エチルジメチルシリル）カルボキシレート、５−ノル
ボルネン−２−（ｔ−ブチルジメチルシリル）カルボキ
シレート、５−ノルボルネン−２−（トリエチルシリ
ル）カルボキシレートなどのトリアルキルシリル基を有
する５−ノルボルネン−２−カルボキシレート。

【００９４】これらの繰り返し単位を１種類以上含む単
独もしくは共重合体を、酸不安定基を有する高分子
（Ｂ）として用いることができる。さらに、少なくとも
１種類以上の上記繰り返し単位と、（メタ）アクリル
酸、メチル（メタ）アクリレート、５−ノルボルネン−
２−カルボキシレートなどの酸不安定基を有さない繰り
返し単位との共重合体も、酸不安定基を有する高分子
（Ｂ）として用いることができる。

【００９５】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）は、少な
くとも一種類以上の、酸不安定基を有する繰り返し単位
から構成されるが、一種類以上の、酸不安定基を有さな
い繰り返し単位を含んでいてもよい。

【００９６】なお、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）は
単独で、または２種以上混合して使用することができ
る。２種以上混合して使用する場合には、使用するエネ
ルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透
過率、レジストパターン形状を制御することを目的とし
て任意の割合とすることができる。

【００９７】本発明の有機溶剤（Ｃ）としては、酸発生
剤（Ａ）と酸不安定基を有する高分子（Ｂ）等からなる
成分が充分に溶解し、スピンコーティング法などの通常
用いるコーティング法により均一に塗布膜が形成できれ
ばいかなる溶媒でもよい。具体的には、トルエン、キシ
レン、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、１
−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキ
サノール、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、
２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、Ｎ
−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、イソホロン、アセトニ
ルアセトン、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
モノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピル
エーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノイソプロビルエーテルア
セテート、イソプロペニルアセテート、イソプロベニル
プロピオネート、フェニルセロソルブアセテート、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロ
キシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エ
チル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メ
チル酪酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−
メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−
３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−
メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸イソプロ
ピル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、
３−エトキシプロピオン酸エチル、カプロン酸、カプリ
ル酸、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレンなどが挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

【００９８】有機溶剤（Ｃ）は単独でも２種類以上混合
して用いることもできる。有機溶剤（Ｃ）の配合量は、
レジスト溶液の粘度、塗工性、乾燥性などを制御するこ
とを目的として、任意の数値とすることができるが、好
ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量
部に対して１００〜１０，０００重量部、さらに好まし
くは４００〜１，０００重量部である。これらの範囲よ
り低いもしくは高い配合量では塗工性が低下する。

【００９９】さらに現像性、ドライエッチング耐性、パ
ターン形状などを調整するために、酸不安定基を有する
低分子性溶解抑止剤（Ｄ）を用いることができる。例え
ば、酸不安定基を有する、重量平均分子量が２，９９９
以下のカルボン酸誘導体や脂環式化合物などの芳香族構
造を含まない化合物が挙げられる。例えば、アダマンタ
ン、デオキシコール酸、リトコール酸等に酸不安定基が
付加した化合物が挙げられる。酸不安定基としては、酸
不安定基を有する高分子（Ｂ）と同様のものが挙げられ
る。

【０１００】低分子性溶解抑止剤（Ｄ）として具体的に
は、１−アダマンタンカルボン酸−ｔ−ブチル、３−ア
ダマンタンカルボン酸−ｔ−ブチル、１，３−アダマン
タンジカルボン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢
酸−ｔ−ブチル、３−アダマンタン酢酸−ｔ−ブチル、
１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル、デオキシ
コール酸−ｔ−ブチル、デオキシコール酸−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチル、デオキシコール酸−２−シクロヘ
キシルオキシエチル、デオキシコール酸−３−オキソシ
クロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニ
ル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル、リト
コール酸−ｔ−ブチル、リトコール酸−ｔ−ブトキシカ
ルボニルメチル、リトコール酸−２−エトキシエチル、
リトコール酸−２−シクロヘキシルオキシエチル、リト
コール酸−３−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テ
トラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエ
ステルを挙げることができるがこれらに限定されるもの
ではない。

【０１０１】低分子性溶解抑止剤（Ｄ）は、単独または
２種以上混合して使用することができる。また、低分子
性溶解抑止剤（Ｄ）の配合量は、使用するエネルギー線
に対する感度、レジストパターン形状を制御することを
目的として、任意の数値とすることができるが、好まし
くは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に
対して３０重量部以下である。さらに好ましくは１５重
量部以下である。３０重量部より多く配合するとレジス
ト材料の耐熱性が低下する。

【０１０２】光酸発生剤（Ａ）より発生する酸のレジス
ト膜中における拡散速度を制御し、解像度の向上、露光
後の感度変化の制御、露光余裕度やパターンプロファイ
ル等の向上を目的として、本発明の化学増幅ポジ型レジ
スト組成物中に塩基性化合物を配合することができる。
基板や環境中に含まれる塩基性もしくは酸性物質の影響
を軽減するためにも塩基性物質を用いることができる。

【０１０３】このような塩基性化合物としては、第一
級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、アミド誘導体、
イミド誘導体等が挙げられる。具体的にはアンモニア、
メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イ
ソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミ
ン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ペンチ
ルアミン、ｔ−アミルアミン、シクロペンチルアミン、
ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミ
ン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ド
デシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチ
レンジアミン、テトラエチレンペンタミン、、ジメチル
アミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ
イソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブ
チルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルア
ミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジ
シクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチル
アミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシル
アミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルテトラエチレンペンタミン、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ト
リイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ
イソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリ
ペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキ
シルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチル
アミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリ
デシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレン
ペンタミン、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロ
ピルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプ
ロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２
−アミノエタノール、３−アミノ−１−プロパノール、
４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエ
チル）モルホリン、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、
Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、プロピオンアミド、サクシンイミド、マレイミド、
ピロール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導
体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、フラザン
誘導体、ピロリン誘導体、ピロリジン誘導体、イミダゾ
リン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピラゾリン誘導
体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジ
ン誘導体、モルホリン誘導体、などが挙げられるがこれ
らに限定されるものではない。

【０１０４】塩基性化合物は、単独あるいは２種以上レ
ジスト組成物中に添加することができる。塩基性化合物
の添加量は、使用するエネルギー線に対する感度、エネ
ルギー線の波長における透過率、レジストパターン形状
を制御することを目的として、任意の数値とすることが
できるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形
分１００重量部に対し、０．００５〜１０重量部、好ま
しくは０．０１〜５重量部である。これらの範囲より少
ない添加量では酸の拡散抑制効果が得られず、これらの
範囲を超えて添加すると感度や解像性の低下を招くおそ
れがある。

【０１０５】また、必要に応じて界面活性剤、色素、安
定剤、塗布性改良剤、染料、架橋剤、可塑剤、光増感
剤、アルカリ可溶性化合物、酸増殖剤などの添加剤を、
本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物中に配合するこ
とができる。

【０１０６】本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物
は、Ｓｉ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＷＳ
ｉ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ、有機反射防止膜などの基板表面
に塗布した後、溶剤を乾燥除去して、レジスト膜として
用いることができる。塗布方法としては、スピンコーテ
ィング、ロールコーティング、フローコーティング、デ
ィップコーティング、スプレーコーティング、ドクター
コーティングなどを用いて、乾燥膜厚が０．０５〜２．
５μｍとなるように塗布する。乾燥（プリベーク）は５
０〜１５０℃、１〜１０分間で行う。

【０１０７】本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物
は、レジスト膜に潜像を形成させる露光工程としてＡｒ
Ｆエキシマーレーザーを用いたリソグラフィー用のレジ
ストとして適しており、優れた特性が得られるが、所望
の用途に応じてその他のリソグラフィープロセスを選択
することもできる。例えば、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、
電子線、γ線、シンクロトロン放射線、イオンビームな
どから選ばれる任意のエネルギー線を、所定のマスクを
用いて照射する工程を用いることができる。

【０１０８】レジスト膜にエネルギー線を照射した後、
ポスト露光ベークを行い潜像を形成させる。ポスト露光
ベーク工程の条件は６０〜１８０℃、１〜２０分間で行
うが、好ましくは８０〜１６０℃、さらに好ましくは、
１００〜１５０℃である。これらの範囲より低い温度で
は、潜像およびレジストパターンの形成に十分な酸の拡
散が行われない。これらの範囲より高い温度では、マス
クによりエネルギー線の照射が行われていない領域まで
酸が拡散し良好なレジスト形状が得られない。

【０１０９】潜像が形成されたレジスト膜は、現像液を
用いて現像する。現像によりエネルギー線の照射が行わ
れた部分のみが溶解するため、用いたマスクに応じて所
望のパターンが形成される。現像液としては、有機溶媒
あるいは適度な濃度のアルカリ水溶液を用いることがで
きる。また、必要に応じて界面活性剤など他の成分を現
像液に添加しても用いることもできる。使用される有機
溶媒としてはアセトン、メチルエチルケトン、メチルア
ルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる
がこれらに限定されるものではない。また、使用される
アルカリ溶液としては、たとえば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの
無機アルカリ類や、エチルアミン、プロピルアミン、ジ
エチルアミン、ジプロピルアミン、トリメチルアミン、
トリエチルアミン、などの有機アミン類、そしてテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアン
モニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの有機アンモニウム塩な
どを含む溶液、水溶液が挙げられるが、これらだけに限
定されるものではない。これらの現像液は、単独でも２
種類以上混合して用いることもできる。

【０１１０】

【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明の内容はこれらに限定されるものではない。実施例
および比較例で用いた材料を以下に記す。

【０１１１】酸発生剤（Ａ） （Ａ−１）ジメチル（ベンジル）スルホニウム−ｎ−ブ
タンスルホネート （Ａ−２）ジメチル（ベンジル）スルホニウムノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート （Ａ−３）ジメチル（フェナシル）スルホニウムヘプタ
フルオロ−ｎ−プロパンスルホネート （Ａ−４）ジメチル（フェナシル）スルホニウム−ｎ−
ブタンスルホネート （Ａ−５）ジメチル（フェナシル）スルホニウムノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホネート （Ａ−６）β−オキソシクロヘキシルメチル（２−ノル
ボルニル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート （Ａ−７）ジメチル（２−オキソ−２−シクロヘキシル
エチル）スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホ
ネート

【０１１２】酸不安定基を有する高分子（Ｂ） （Ｂ−１）メタクリル酸／メチルメタクリレート／１−
エトキシエチルメタクリレート共重合体（モル比１：
１：１、重量平均分子量１３，０００） （Ｂ−２）メタクリル酸／メチルメタクリレート／テト
ラヒドロピラン−２−イルメタクリレート共重合体（モ
ル比１：１：１、重量平均分子量１１，０００） （Ｂ−３）メタクリル酸／メチルメタクリレート／ｔ−
ブトキシカルボニルメタクリレート共重合体（モル比
１：１：１、重量平均分子量１２，０００） （Ｂ−４）２−メチル−２−アダマンチルメタクリレー
ト／２−オキソオキソラン−４−イルメタクリレート共
重合体（モル比１：１、重量平均分子量９，０００） （Ｂ−５）５−ノルボルネン／マレイン酸無水物共重合
体（モル比１：１、重量平均分子量９，０００） （Ｂ−６）５−ノルボルネン−２−（ｔ−ブチル）カル
ボキシレート／マレイン酸無水物共重合体（モル比１：
１、重量平均分子量８，０００）

【０１１３】有機溶剤（Ｃ） （Ｃ−１）シクロヘキサノン （Ｃ−２）プロピレングリコールモノエチルエーテルア
セテート 酸不安定基を有する低分子性溶解抑止剤（Ｄ） （Ｄ−１）デオキシコール酸−ｔ−ブチル （Ｄ−２）リトコール酸テトラヒドロピラニル

【０１１４】酸発生剤（Ａ）以外の構造を有する酸発生
剤 （Ｅ−１）ジメチル（フェナシル）スルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート （Ｅ−２）ジメチル（フェナシル）スルホニウム−ｐ−
トルエンスルホネート （Ｅ−３）トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート （Ｅ−４）トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート （Ｅ−５）β−オキソシクロヘキシルメチル（２−ノル
ボルニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト

【０１１５】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）以外の構
造を有する高分子 （Ｆ−１）ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−（１−エトキ
シエトキシ）スチレン共重合体（モル比２：１、重量平
均分子量１５，０００） （Ｆ−２）ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン（重量平均分
子量２０，０００） （Ｆ−３）ポリメチルメタクリレート（重量平均分子量
２５，０００） （Ｆ−４）ポリビニルアルコール（重量平均分子量２
５，０００） （Ｆ−５）ビニルアルコール／ｔ−ブチルビニルエーテ
ル共重合体（モル比１：１、重量平均分子量２２，００
０）

【０１１６】（実施例１〜２６、比較例１〜２０）表１
または表２に記す配合表にもとづいて溶液を調整し、孔
径０．１mｍのフッ素樹脂フィルターで濾過し化学増幅
ポジ型レジスト組成物を得た。レジスト溶液をスピンコ
ーティングによりシリコンウェハー上に塗布し、１００
℃のホットプレートで９０秒間加熱乾燥させることによ
り膜厚０．５mｍのレジスト膜を形成させた。得られた
レジスト膜に、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（Ｎ
Ａ＝０．５５）を用いマスクパターンを介して露光を行
った。露光後、ホットプレート上で１４０℃で９０秒間
ポスト露光ベークを行い、２．３８％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液に６０秒間浸漬し、６０秒
間水でリンスした。次に、乾燥させてレジストパターン
を得た。

【０１１７】

【表１】

【０１１８】

【表２】

【０１１９】表３に実施例、表４に比較例の評価結果を
示す。評価基準は以下の通りである。 （プロファイル評価）得られたレジストパターンの断面
を走査型電子顕微鏡により観察し、プロファイル形状の
観察を行った。レジストパターンのプロファイルを観察
し、その形状による評価を行った。 ５：良好な矩形、４：概ね良好な矩形、３：やや形状不
良、２：形状不良、１：極めて形状不良

【０１２０】（感度評価）０．２５μｍのラインアンド
スペースパターンを得るのに必要な露光量を感度とし
た。

【０１２１】（解像度評価）０．２５μｍのラインアン
ドスペースパターンを得るのに必要な露光量において、
分離しているラインアンドスペースの最小線幅を解像度
とした。

【０１２２】

【表３】

【０１２３】

【表４】

【０１２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の酸発生剤
（Ａ）、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）、有機溶剤
（Ｃ）を含む、またさらには酸不安定基を有する低分子
性溶解抑止剤（Ｄ）を含む化学増幅ポジ型レジスト組成
物を用いることにより、特にＡｒＦリソグラフィーにお
いて、従来の化学増幅ポジ型レジスト組成物よりも、良
好なレジストパターンのプロファイル形状、感度、解像
度が得られることが明らかとなった。したがって、本発
明の化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形成
方法およびパターンは、半導体集積回路の作成などに好
適に用いることができる。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記一般式（１）で示されるスルホニウム
   カチオンと、下記一般式（２）で示されるスルホン酸ア
   ニオンとから構成される酸発生剤。 一般式（１） 【化１】 （ただし、Ｒ¹ は、ベンジル基、フェナシル基、アリル
   基、アルコキシル基、アルコキシル基、アリールオキシ
   基、アリールオキシ基、および、β位にオキソ基を有す
   るＣ₁〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状アル
   キル基、から選ばれる基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それ
   ぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐鎖状、もしく
   は環状アルキル基を表し、Ｒ¹とＲ²、Ｒ¹とＲ³、Ｒ²と
   Ｒ³は互いに共有結合によって環構造を形成していても
   よく、また、Ｒ¹〜Ｒ³は、それぞれフッ素、塩素、臭
   素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ
   基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい。） 一般式（２） Ｒ⁴ＳＯ₃ ^- （ただし、Ｒ⁴は、Ｃ₃〜Ｃ₁₈の、直鎖状、分岐鎖状、も
   しくは環状アルキル基を表し、フッ素、塩素、臭素、水
   酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニト
   ロ基、アジド基で置換されていてもよい。）
2. 【請求項２】Ｒ⁴が、直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状
   のパーフルオロアルキル基である請求項１に記載の酸発
   生剤。
3. 【請求項３】請求項１または２記載の酸発生剤（Ａ）、
   酸不安定基を有する高分子（Ｂ）、および有機溶剤
   （Ｃ）を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト
   組成物。
4. 【請求項４】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）が、下記
   一般式（３）または（４）で表される繰り返し単位のう
   ち、少なくともいずれかひとつを含む請求項３記載の化
   学増幅ポジ型レジスト組成物。 【化２】 （ただし、Ｒ⁵〜Ｒ⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ま
   たは、置換もしくは無置換の炭素数１〜８の、直鎖状、
   分岐状もしくは環状のアルキル基を表すが、一般式
   （３）においてＲ⁶もしくはＲ⁷のいずれか一方は、Ｒ⁵
   と相互に結合して炭素数１〜４のオキソアルキレン鎖を
   形成してもよい。Ｒ¹⁰は、相互に独立の脂環式炭素に結
   合する複数の官能基を表し、水素原子、ハロゲン原子、
   水酸基、カルボキシル基、置換もしくは無置換の、炭素
   数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状も
   しくは環状のアルコキシル基、置換もしくは無置換の炭
   素数１〜８の直鎖状、または、分岐状もしくは環状のア
   ルキルエステルであるカルボキシル基を表す。Ｒ⁵およ
   びＲ¹⁰は酸不安定基を有していてもよい。Ｒ⁸およびＲ⁹
   は、それぞれ独立に炭素数０〜２のアルキレン鎖を表す
   が、Ｒ⁸とＲ⁹の炭素数の和は２である。ただし、Ｒ⁸お
   よびＲ⁹の炭素数がともに１である場合には互いに結合
   して環状構造を形成していてもよく、Ｒ⁸もしくはＲ⁹の
   炭素数が２である場合には不飽和結合を表していてもよ
   く、ａは０〜６の整数である。）
5. 【請求項５】酸不安定基を有する高分子（Ｂ）が、酸不
   安定基として下記一般式（５）〜（７）で表される基、
   トリアルキルシリル基もしくは酸無水物基のうち少なく
   とも一つを含む、請求項３または４記載の化学増幅ポジ
   型レジスト組成物。 【化３】 （ただし、Ｒ¹¹〜Ｒ¹³は、それぞれ独立に、置換もしく
   は無置換の、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環
   状のアルキル基を表すが、一般式（５）および（６）に
   おいて、Ｒ¹¹とＲ¹²、Ｒ¹¹とＲ¹³、Ｒ¹²とＲ¹³、Ｒ¹¹と
   Ｒ¹²とＲ¹¹は互いに結合して環状構造を形成していても
   よい。Ｒ¹⁴は、水素原子、置換もしくは無置換の、炭素
   数１〜４の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を
   表し、Ｒ¹⁵は置換もしくは無置換の炭素数１〜８の直鎖
   状、分岐状もしくは環状のアルキレン鎖を表し、ｂおよ
   びｃは０または１である。）
6. 【請求項６】さらに、酸不安定基を有する低分子性溶解
   抑止剤（Ｄ）を含む請求項３〜５いずれか１項に記載の
   化学増幅ポジ型レジスト組成物。
7. 【請求項７】エネルギー線を照射されたレジスト組成物
   の現像によりパターン形成方法であって、レジスト組成
   物が、請求項３〜６いずれか１項に記載の化学増幅ポジ
   型レジスト組成物であるパターン形成方法。
8. 【請求項８】１４０〜２２０ｎｍの波長の遠紫外光によ
   る露光工程を含む請求項７記載のパターン形成方法。
9. 【請求項９】請求項７または８に記載のパターン形成方
   法により形成されたパターン。