TW552720B - Micro electro mechanical system controlled organic LED and pixel arrays and method of using and of manufacturing same - Google Patents

Description

552720 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 發明之背景 本發明係槪括關於發光元件及顯示器。本發明尤指一 種藉微機電系統予以控制之有機發光裝置，一以其所構成 之顯示器，以及其一種使用與製造方法。 目前之扁平面板液晶顯示器（liquid crystal display, 簡稱L C D )技術，使用一剛性基板，諸如玻璃，而有薄 膜電晶體（thin film transistor,簡稱T F T )對應於每一 顯示器像素。由於玻璃之易碎性質，顯示器無法經得起大 量之機械振動及/或壓力。此可能爲供手提式顯示器應用 ，諸如手提式數位助理（portable digital assistant,簡稱 P D A )之一項主要缺點，其由於其手提式性質，可能遭 受大量之震動及誤用。而且，L C D之特性限制裝置之操 作溫度範圍。由於此等限制，已興起由冷陰極控制電子發 射體發光之其他技術，諸如場發射顯示器（f i e 1 d e m i s s i ο η display，簡稱FED)，及有機發光裝置（〇LED)， 以克服若干此等限制。 在F E D技術曾有若干發展。例如，美國專利 5，2 10，4 7 2號。揭示一種F E D設計，其利用尖 頭形，薄膜，冷發射陰極之矩陣可定址陣列，配合一磷發 光屏幕。在美國專利5， 210， 472號所揭示之 F E D，包括有一行信號，以啓動一在陰極格柵內之單一 導電條，同時一列信號啓動一在射極基極電極內之導電條 。在一啓動之行及一啓動之列之交點，存在格柵-發射體 電壓差，足夠引起場發射，從而導致關連之磷照明一在螢 本矣氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐） 552720 A7 B7 五、發明説明（2 光屏上之像素。 之間通常需要嚴 。此等需求排除使用一種撓性基板，諸如一種聚合物基板 供F E D，因爲基板之撓曲將會導致間隔大小移出可接受 然而，FED在射極，冷陰極，與磷屏幕 格之間隔容限，以便電子通過閘並衝擊磷 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之容限 如玻璃 陰極與 層。發 由多重 時，電 陽極移 諸）層 依在其 OLE 摻雜物 一種代 出之光 美 光裝置 層，及 動之電 過其發 。另一 有機發光裝置（0 L E D ) —般爲一形成在基板諸 或矽之疊片。將 一陽極之間。〇 發光 光層可選擇自若 底層或一單一摻 子自陰極 動進入相 有機材料 中產生光 D所發出 ，或藉在 表性〇L 通過及離 國專利5 。該〇L 一陰極予 流通過有 出光之表 電極係以 移動進 同之（ 會合時 子之有 之光之 該項技 E D， 開裝置 ，9 6 E D有 以連續 機發光 有機固體之發 L E D也可包括孔注 干已知之螢光有機固 合層構成。在越過裝 入（諸）層有機材料 諸）有機發光層。在 ，其合倂並產生光子 機材料之材料特性而 彩色，可藉選擇有機 藝所已知之其他技術 陽極或陰極爲透明， 光層包夾在一 入或電子注入 體。發光層可 置施加電位差 。同時，孔自 孔及電子在（ 。光子之波長 定。自 材料或藉選擇 予以控制。在 以便允許所發 2，9 6 2號說明一種基本有機發 一結構，其中一陽極，一有機發光 層壓。通常，在陽極與陰極之間流 層之諸點，並導致其發光。位於通 面之電極，係以一透明或半透明薄膜形成 一特定薄金屬膜形成，其可爲一種金屬或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 % 背 之， 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 -5- 552720 A7 ___B7 五、發明説明（3 ) 一種合金。 已知之◦ L E D顯示器使用一種傳統被動或一種薄膜 電晶體（thin film transistor，簡稱TFT)方法，以供造 成大量之平面陣列像素，並使其定址。雖然被動方法使用 較少功率，但難以在整個顯示器區域維持顯示器均勻性。 T F T方法允許較佳之顯示器均勻性，但需要高溫製造過 程。此高溫過程需求通常因爲在有機材料在高溫之擊穿， 而阻礙使用任何有機基板。因此，大多數目前之〇L E D 包括一供構造過程，單獨形成在一玻璃基板之T F T。因 之，習知〇L E D顯示器裝置爲不具有撓性及抗震性。在 使用T F T作爲一供像素之定址機構時所發生之另一問題 ，爲自每一掃描列至次一掃描列，幾乎難免一定量之串擾 〇 宜於提供一種彈性式可撓曲顯示器，呈現有機發光裝 置技術之優點，並避免習知裝置之缺點，諸如過度串擾。 發明之槪述 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機發光裝置使用一微機電系統（Μ E M S )結構， 以控制一像素及/或一像素陣列之顯示器特徵，其中每一 像素含一MEMS及一〇L E D元件。一MEMS結構係 用以控制〇L E D元件，例如切換〇L E D元件接通及斷 開，並控制〇L E D之強度，Μ E M S控制之〇L E D像 素可製造在一撓性基板。另外，Μ E M S控制之〇L E D 可製造在一供產生平面顯示器之陣列，其中每一像素可通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ρ -D - 552720 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 過例如一習知矩陣掃描定址方案予以定址。能製造 Μ E M S控制之〇L E D像素在一撓性或剛性基板，允許 基板材料之較寬選擇，供配合不同應用使用，並克服習知 裝置之限制。 附圖之簡要說明 配合附圖，參閱下列較佳實施例之詳細說明，藉以可 更完全瞭解本發明例證性實施例之諸多特色及優點，其中 相同參考圖號用以標示相同元件，在附圖中： 圖1爲一根據本發明實施例之發光元件之剖面圖； 圖2爲一根據本發明另一實施例之發光元件之透視圖 圖3爲一根據本發明另一實施例之發光元件之剖面圖 ， 圖4 - 7爲可配合本發明之各種實施例使用之微機電 系統彈簧結構，其實例之頂視圖； 圖8爲一種製成發光元件之例證性方法之流程圖；以 及 圖9爲略圖，例示一供根據本發明例證性實施例之顯 示器，其定址方案之實例。 主要元件對照表 100 發光元件 105 有機發光 請 先 閲 % 背 面 之， 注 意 事 項 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210Χ297公釐） 552720 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 110 透明基板 1 2〇 陽極 130 有機發光層 1 4〇 陰極 1 5〇 腔 15 5 微機電系統 160 隔片材料 17 0 第一導電層 180 致動構件 190 第二導電層 2 0 0 密封劑層 205 第一部份 210 撓性構件 210 懸臂構件 215 周邊部位 2 2 0 中央部位 220 MEMS基板 2 3 0 觸點層 2 3 0 A 觸點 2 3 〇 B 觸 點 2 4 〇 連 接 構 件 2 5 〇 開 □ 3 〇 0 發 光 元 件 3 〇 5 磷 層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 552720 A7 B7 五、發明説明（6 ) 發明之詳細說明 根據本發明之例證性實施例，使用一微機電系統（” Μ E M S ” ）作爲一啓動切換機構，以控制一有機發光裝 置（”〇LED” ）。可使用合倂之OLED/MEMS 結構，以例如在一顯示器形成一個或多個像素元件。 Μ E M S用於切換〇L E D元件接通及斷開，並因此控制 一顯示器之像素。MEMS控制之〇L E D像素可使用已 知之製造技術，製造在撓性基板，諸如薄玻璃或矽，聚酯 (例如MYLAR)，聚醯亞胺（例如KAPTON)，或其他聚合 物薄膜，或製造在剛性基板諸如矽或玻璃。另外，Μ E Μ S控制之0 L E D像素可製造在一用作供平面顯示器之基 礎之大陣列，其中每一像素可通過習知矩陣掃描定址方案 予以個別定址。能製造Μ E M S控制之〇L E D像素在一 撓性或剛性基板，提供依特定應用或操作環境而定之實際 多方面用途。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1中示本發明之第一實施例。一發光元件1 0 0包 含一 LED及一MEMS。〇L ED 1 0 5包括一陽極 120，一有機發光層130，及一陰極140。 〇L E D 1 〇 5可例如形成在一透明基板1 1 0。透明基 板1 1 0可爲一種玻璃，聚合物或其他透明材料。如果基 板包含一種聚合物，可提供一密封劑層2 0 0，保護 〇L E D以防自空氣及水分吸收通過基板1 1 〇。 有機發光層1 3 0在越過陽極及陰極施加電壓時發光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 552720 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 。陽極及陰極將載荷子，亦即孔及電子，注入至有機發光 層1 3 0，其在此處重新合倂，以形成激勵之分子或激勵 子，其在分子或激勵子衰變時發光。分子所發出光之彩色 ，依分子或激勵子之激勵狀態與接地狀態間之能量差異而 定。 陰極1 4 0通常包含一種材料，有一低工作函數値， 致使相對小電壓導致自陰極發射電子。陰極1 4 0可包含 例如鈣或一種金屬諸如金，銦，錳，錫，鉛，鋁，銀，鎂 ，或一種鎂/銀合金。或則，陰極可以二層作成，以增強 電子注入。實例包括一薄內層之L i F，後隨一較厚外層 之鋁或銀，或一薄內層之鈣，後隨一較厚外層之鋁或銀。 陽極1 2 0 —般包含一種材料，有一高工作函數値。 陽極1 2 0較佳爲透明，以便在有機發光層1 3 0所產生 之光可傅播離開發光元件1 0 0。陽極1 2 0可包含例如 銦氧化錫（I T〇），氧化錫，鎳，或金。陽極可予以作 成圖案，以允許每一 0 L E D元件予以個別定址。可例如 藉習知蒸汽敷著技術，諸如蒸發或濺射形成電極1 2 0， 14 0。 各種有機發光層1 3 0可配合本發明之例證性實施例 使用。根據一種實施例，有機發光層1 3 0包含一單層。 有機發光層1 3 0可包含例如一發光之共軛聚合物，一摻 雜電子運送分子及一種發光材料之孔運送聚合物，或一種 摻雜孔運送分子及一種發光材料之惰性聚合物。有機發光 層1 3 0也可包含一可摻雜其他發光分子之發光小有機分

I 背 面 之· 注 項 I· 本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 552720 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（8 ) 子之無定形薄膜。 根據本發明之其他實施例，有機發光層1 3 0包含二 或更多底層，其執行孔注入，孔運送，電子注入，電子運 送，及發光之功能。一作用裝置僅需要發光層。然而，另 外之諸底層通常增加孔及電子重新合倂，以產生光之效率 。因此有機發光層1 3 0可包含1 一 4底層，例如包括一 孔注入底層，一孔運送層或一發光底層，及一電子注入底 層。而且，一層或多層底層可包含一種材料，其達成二或 更多功能諸如孔注入，孔運送，電子注入，電子運送，及 發光。 請再次參照圖1，發光元件1 0 0也包括一耦合至 OLED105 之MEMS155 °MEMS 藉一隔片 1 6 0自〇L ED間開。隔片1 6 0在MEMS與 〇L E D之間造成一腔1 5 0，其允許Μ E M S相對於 〇L ED移動。隔片可予以在〇L ED形成如下：將一層 之保護犧牲金屬（未示）或其他材料在〇LED 1 〇 5之 頂部作成圖案，以供稍後蝕刻。將一層之隔片材料1 6 0 敷著在保護犧牲材料上面，以在0 L E D蝕刻掉保護犧牲 材料後作用如一隔片。此隔片材料1 6 0可例如予以刮壓 及平面化，或使用其他習知方法予以敷著。如果希望，隔 片材料1 6 0及保護犧牲材料也可包含一種光可成像聚醯 亞胺。 MEMS 1 5 5可例如藉層壓予以施加在隔片1 6 0 。Μ E M S爲以小比例，例如在大小自幾微米至幾毫米所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -11 - 552720 A 7 B7 五、發明説明（9 )

形成之機電系統。Μ E M S —詞通常指一種藉電及/或磁 力予以啓動之機械結構。可使用已知方法諸如L I G Α法 ，矽表面車削，矽本體微車削，及放電車削形成Μ E M S ο 根據圖1中所示之實例，Μ E M S 1 5 5包含一致動 構件180，一第一導電層170，及一第二導電層 1 9 0。致動構件1 8 0可包含一絕緣聚醯亞胺諸如例如 Dupont所製造之Kapton。如在該技藝已知，第一及第二導電 層1 7 0，1 9 0可包含例如銅，鈦，鎳或諸金屬之組合 ，並可藉任何適當方法施加至致動構件1 8 0。第一導電 金屬層1 7 0 —般爲予以作成圖案，以允許個別元件致動 〇 在第一導電層1 7 0之金屬作成圖案後，可使用雷射 消融，電漿蝕刻，或其他消融技術，以在致動構件1 8 0 及導電層1 7 0， 1 9 0作成一切割，以界定一懸臂或其 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

In- HAT- m ml— mu ϋ— n^i 士^^ ϋϋ (請先見讀背面之注意事項^^寫本頁) 線· 他類型之似彈簧撓性構件2 1 0。圖4示切割圖案，供圖 1之懸臂構件2 1 0之頂視圖。致動構件1 8 0 —般包括 一相對於一電觸點（例如0 L E D之陰極）固定之第一部 份2 0 5，及一向電觸點移動及自其移開之第二部份（在 此實例爲懸臂構件2 1 〇 )。 圖5 — 7中示供撓性構件之其他切割t i n g圖案之 實例。可依據供Μ E M S之希望機械及靜電特性改變撓性 構件2 1 0之特定構形。在圖5 - 7中，致動構件1 8 0 包括一相對於電觸點（例如0 L E D之陰極）固定之周邊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -12- 552720 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 部位2 1 5，及一向電觸點移動及自其移開之中央部位 2 2 0，以分別完成一電路及使其斷開。 在已作成切割（圖4 - 7中所不），以界定撓性構件 2 1 0後，通過一蝕刻過程去除保護犧牲材料，以形成腔 15 0° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 請再次參照圖1，在第一導電層1 7 0與〇L ED之 陽極1 2 0之間施加電壓，藉以啓動發光元件1 0 0。電 位所產生之吸引靜電力使撓性構件2 1 0向〇L E D之陰 極1 4 0彎曲，直到MEMS之第二導電層1 9 0接觸 〇LED之陰極140 °MEMS之第二導電層190相 對於〇L E D之陽極1 2 0施加一控制電壓至〇L E D。 越過0 L E D之控制電壓啓動0 L E D，以產生光。施加 啓動電壓至第一導電層1 7 0，同時供給控制電壓至第二 導電層190，因此可藉以使OLED接通及斷開。靜電 引力用以使懸臂2 1 0彎曲之啓動電壓可例如約爲1 0 — 1 0 0伏，但可依希望根據懸臂2 1 0之堅硬度予以改變 。第二導電層1 9 0越過OLED所施加之控制電壓一般 爲2—10伏，但依〇LED之特徵而定，可爲較多或較 少。再者，通過控制電壓之脈衝寬度調變，可控制 〇L E D之工作循環，及因而控制其亮度。或則，藉調節 施加至〇L E D之控制電壓之大小，藉以可調整〇L E D 之亮度。 圖2中例示本發明之第二實施例。發光元件3 0 0包 含一^透明基板1 1 〇，一*陽極1 2 0，一*有機發光層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 552720 A7 B7 五、發明説明（11 ) 13〇，一陰極140，一腔15〇，一隔片160, 第一導電層170，一致動構件18 0，一第二導電層 19 0，及一選用之密封劑層200。 發光元件3 0 0也包含一例如 板220，一包含觸點230A及 請 先 閱· 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚醯亞胺之Μ E 2 3 0 Β之觸點 2 3 0在其上作成圖 予以連接至越過〇L 3 0 Β藉一連接構件

14 0 下，並 過〇L 至1 9 並越過 件1 7 以啓動 點2 3 圖 後過程 以上關 2 3 0 件3 0 在Μ Ε 2 4 0 MEM 。因此，在啓 且導電層1 9 E D施加控制 0 至 2 3 0 B 〇L E D，以 〇與〇L E D Μ E M S，其 0 A，2 3 0 2 之 Μ E M S 步驟，並因此 於圖1所說明 B敷著在Μ E 0，及然後形 M S基板2 2 ，以在Μ Ε Μ S基板2 2 0 案。延伸至2 E D所施加控 2 4 0電連接 動Μ Ε M S時 0觸及觸點2 電壓。電流自 至2 4 0至〇 產生光。如在 之陽極1 2〇 造成吸引靜電 Β彎曲。 之構形允許〇 改進在製造時 ，將作成圖案 M S基板2 2 成隔片1 6 0 0之開口 2 5 〇5之 制電壓 至〇L ，懸臂 3 0 A 2 0 5 LED 圖1中 之間施 力，使 觸點2 3 之一側。 E D之陰 2 1 0被 及2 3 0 流動至2 之陰極1 ， 在第一^ 加啓動電 懸臂2 1 M S基 層 0 A， 觸點2 極 強制向 B，越 3 0 A 4 0， 導電構 壓，藉 0向觸 L E D兀件之增加爲最 之生產量。特別是，如 之觸點2 3 0 A， 0，藉以可形成發光元 及Μ Ε M S結構。然後 0形成一連接構件 S基板2 2 0之一側之〇 L FD與在 之另一側之觸點2 3 0 Β之間提供電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -14- 552720 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 連接。 然後可將OLED連接至MEMS。根據第一方法， 將諸層之〇L ED直接敷著在MEMS基板2 2 0上之連 接構件2 4 0。根據第二方法，預先形成〇L E D，並且 然後例如利用一種導電環氧樹脂予以黏附至在Μ E M S基 板2 2 0之連接構件2 4 0。因此僅在製造過程之結束增 加〇LED。圖3例示本發明之另一實施例。 圖3中之發光元件包括在透明基板11〇之一層磷材 料3 0 5。磷層吸收〇LED所發出之若干或所有光，並 發出不同波長之光。磷層3 0 5 —般爲包夾在基板1 1 〇 與密封劑層2 0 0之間，但其可在其暴露至來自〇L ED 之足夠照明之任何位置作用。磷層3 0 5可予以選擇爲具 有足夠衰變時間，以允許每一像素，亦即◦ L E D，在掃 描過程中維持嚴格水準，以減低顯示器在低掃描速率之任 何閃爍效應。或則，不同發光彩色之磷可予以作成圖案至 一像素陣列之不同像素，以允許全彩色顯示器。 圖8中例示製作Μ E M S控制之〇L E D像素之例證 性方法。使一作成圖案之陽極在透明基板顯像，以允許施 加控制電壓（S 1 1 〇 )，藉以控制每一個別〇L E D元 件。其次，如果透明基板1 1 〇係以一種聚合物作成（S 1 2 0 )，可將密封劑施加至基板，俾保護透明基板，以 防空氣及水分吸收（S 1 3 0 )。如果透明基板不以聚合 物作成，則敷著有機發光層（S 1 4 0 )。敷著係通過使 用噴墨，陰影掩蓋或其他已知作圖案技術所達成。然後敷 請 先 閲_ 讀 背 之 注 項 寫 本 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -15- 552720 A7 ---— —__ B7 五、發明説明（13 ) 著一陰極層140 (S150)。 一保護犧牲材料然後可在〇 L E D之頂部作成圖案（ S 1 6 0 )。其次，將隔片材料1 6 〇置於保護犧牲材料 之頂部，並靠近此保護犧牲材料（S 1 7 0 )，俾在去除 保護犧牲材料時，造成希望之間隔。在〇L E d上面之隔 片材料之部份，一般爲通過習知之作成圖案方法予以去除 。可藉已知敷著技術，包括使用刮板敷著隔片材料1 6 〇 。隔片材料1 6 0及保護犧牲材料均可例如包含光可成像 聚醯亞胺。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有銅產生在其兩側作爲層1 7 〇及1 9 0之聚醯亞胺 層180，諸如Kapton，予以層壓在隔片160之 頂部（S I 8 0 )。可將銅層1 7 0作成圖案，以允許個 別致動發光元件（S 1 9 0 )。在頂面之金屬作成圖案後 ，可採用一種雷射消融，電漿蝕刻，或其他技術。切割聚 醯亞胺材料以及在聚醯亞胺材料下面之銅，以例如如圖4 一 7中所示，界定Μ E M S ( S 2 0 0 )之撓性構件 2 1 0。然後去除保護犧牲材料（S 2 1〇），並且過程 結束（S 2 2 0 )。 圖9槪略例示一顯示器之定址及控制方案之實例，包 含一陣列之發光兀件，各界定顯不器之一像素。列位址線 s 1 - S 4予以耦合至在一對應列之每一像素，其 Μ E M S結構之撓性構件2 1 0之導電層1 7 0。行位址 線D 1 - D 4予以耦合至在一對應行之每一像素之導電層 1 9 0。因之，將適當電壓置於列位址線S 1，將會以以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -16- 552720 A7 ___B7_ 五、發明説明（14 ) 上所說明方式，致動發光元件1 〇 〇之第一列之撓性構件 2 1 0。同樣，將適當電壓置於列位址線S 2 - S 4，將 會致動發光元件1 0 0之對應列之撓性構件2 1 〇。以此 方式，可使一特定列定址以供致動。請察知，在任何特定 時間，撓性構件不是被致動，亦即被偏轉以接觸〇 L E D ，就是不被致動。因之，列不是在接通（〇N )就是在斷 開（〇F F )狀態。 1 9 0施加 以可控制該 像素。而且 裝 請 先 閲- 讀 背 之 注 意 事 項 一經將一特定列置於◦ N狀態，藉導電層 控制電壓VI—V4至選定列之〇LED,藉 列之像素。因之，可一次致動及控制一整列之 訂 ，如以上所說明，可控制在選定列之諸個別〇L E D之亮 度。例如，可改變施加至行位址線D 1 - D 4之每一控制 電壓VI - V4之大小，以獨立控制每一像素之亮度。或 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 則，可應用脈衝寬 ◦LED以希望之 列或多列。當然， 以上所討論之任何 控制方案。 精於此項技藝 修改。例如，可將 ，以保護〇L E D 外電極，以供將Μ 構。也可將Μ Ε Μ 殼，以延長其使用 度調變技術，以控制電壓使 方式循環，以控制亮度。可 在一顯不器可有任何數之像 實施例，可利用圖9中所例 個別 一次選擇一 素。而且， 示之定址及 者可察知，對所說明之結構 有間隔之另外諸層置於〇L 操作環境，並可包括一供靜電致動之另 E M S致動構件拉回，造成 可作成各種 E D之頂部 一推一拉機 S / 0 L E D裝置置於一密封之惰性包 期限。可使用各種已知技術，形成各種 丨線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17- 552720 五、發明説明（15 ) 元件。Μ E M S可爲允許其作動式耦合至0 L E D，以作 用如啓動切換機構之任何構形。 雖然上述說明包括很多細節及特徵，但請予瞭解’此 等細節及特徵經予包括僅供解釋之目的，並且不闡釋爲本 發明之限制。可作成以上所說明實施例之很多修改，而不 偏離如預計由下列申請專利範圍及其合法同等者所將包含 之本發明之精神及範圍。 請 先 讀 背 之 注 意 事 項 舄 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適 -尺 一張 一紙 本 準 標 家 1¥ 規 A4 釐 公 7 9 2

Claims (1)

1. 552720 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1

   -.....1 —·τ · 第901 1 6650號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國92年5月2日修正 1·一種發光元件，包含： 一有機發光裝置；以及 •一微機電系統，耦合至有機發光裝置，致使微機電系 統之致動啓動有機發光裝置以產生光。 2 .如申請專利範圍第1項之發光元件，其中有機發 光裝置包含一陽極，一陰極，及至少一有機發光層。 3 ·如申請專利範圍第2項之發光元件，其中微機電 系統包含一致動構件，可操作以自不啓動有機發光裝置之 第一位置移動至啓動有機發光裝置之第二位置。 4 ·如申請專利範圍第3項之發光元件，其中致動構 件包含一懸臂。 5 .如申請專利範圍第3項之發光元件，另包含一第 一導電層，配置在致動構件之第一側側，在有機發光裝置 之第一導電層與陽極之間施加電壓時，第一導電層可操作 強制致動構件向有機發光裝置。 6 .如申請專利範圍第4項之發光元件，另包含一第 二導電層，配置在有機發光裝置之第二側，第二導電層可 操作以供給電流至有機發光裝置啓動有機發光裝置以產生 光。 7 .如申請專利範圍第3項之發光元件，另包含一間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 0—, (請先閲讀背面之>i意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552720 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 隔構件，靠近致動構件，其使致動構件與一電觸點間開。 8 ·如申請專利範圍第2項之發光元件，其中微機電 系統包含一撓性致動構件，撓性致動構件包含： 一第一部份，其相對於一接觸面固定，並與接觸面間 開；以及 一第二部份，其可予以強制接觸接觸面。 9 .如申請專利範圍第8項之發光元件，其中接觸面 爲有機發光裝置之陰極或陽極之表面。 1 〇 ·如申請專利範圍第8項之發光元件，其中接觸 面爲一觸點之表面，其予以電連接至有機發光裝置之陰極 或陽極。 1 1 ·如申請專利範圍第8項之發光元件，其中致動 構件之第一部份及第二部份被一空間所部份分開，以允許 第二部份相對於第一部份向接觸面移動。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之發光元件，其中第 一部份佔用微機電系統之一周邊部位，及第二部份佔用微 機電系統之一中央部位。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之發光元件，其中空 間包含許多界定一彈簧結構之切口。 1 4 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中微機 電系統包含 一微機電系統基板； 一接觸構件；以及 一致動構件； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 、^1 Mm 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552720 Α8 Β8 C8 D8 Κ、申請專利範圍 3 及其中有機發光裝置予以直接敷著在微機電系統基板 ---------Φ II (請先閲·讀背面之注意事項再填寫本頁) 及其中發光元件另包含一電連接在微機電系統之接觸 構件與有機發光裝置之一電極間之連接構件。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中微機 電系統包含 一微機電系統基板； 一接觸構件； 一間隔構件；以及 一致動構件； 及其中有機發光裝置予以黏附至微機電系統基板； 及其中發光元件另包含一電連接在微機電系統之接觸 構件與有機發光裝置之一電極間之連接構件。 ·· 1 6 .如申請專利範圍第1項之發光元件，其中有機 發光裝置予以形成在一撓性基板，及微機電系統予以固定 至撓性基板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，其中有機 發光裝置予以形成在一剛性基板，及微機電系統予以固定 至剛性基板。 1 8 .如申請專利範圍第1項之發光元件，另包含： 一磷層，其吸收來自有機發光裝置，具有第一波長之光， 並且其發出具有第二波長之光。 1 9 .如申請專利範圍第1項之發光元件，其中有機 發光裝置及微機電系統適於使用在扁平面板顯示器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格(210Χ297公釐厂 ~ 552720 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 2 0 .如申請專利範圍第1項之發光元件，其中有機 發光裝置及微機電系統適於使用在一陣列之發光元件。 2 1 ·如申請專利範圍第1項之發光元件，另包含一 在其上配置有機發光裝置之聚合物基板。 2 2 . —種製造發光元件之方法，包含下列步驟： 形成一有機發光裝置；以及 形成一微機電系統，其予以耦合至有機發光裝置，致 使微機電系統之致動啓動有機發光裝置以產生光。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中有機發 光裝置予以形成在一基板，及微機電系統予以形成靠近有 機發光裝置，致使在微機電系統致動時，接觸有機發光裝 置之一電極，以啓動有機發光裝置。 2 4 ·如申請專利範圍第2 2項之方法，其中形成微 機電系統之步驟包含形成一懸臂構件，可操作自不啓動有 機發光裝置之第一位置移動至啓動有機發光裝置之第二位 置。 2 5 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中形成微 機電系統之步驟包含形成一撓性懸臂部份，有一第一導電 層及一第二導電層，並在一電位施加至第一導電層時，可 操作向一電觸點撓曲。 2 6 .如申請專利範圍第2 2項之方法，另包含形成 一層磷材料之步驟，其接收來自有機發光裝置之光° 2 7 . —種製造發光元件之方法，包含下列步驟： 提供一微機電系統，微機電系統包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ---------,ΜΨ —— (請先閲·讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言. ,· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4 - 552720 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 一致動構件； (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 一接觸面；以及 一微機電系統基板； 在微機電系統基板敷著一有機發光裝置；以及 將有機發光裝置之一電極電連接至微機電系統之接觸 面。 2 8 · —種製造發光元件之方法，包含下列步驟： 提供一微機電系統，微機電系統包含： 一致動構件； ' 一接觸面；以及 一微機電系統基板； 提供一有機發光裝置； 將有機發光裝置黏附至微機電系統基板；以及 將有機發光裝置之一電極電連接至微機電系統之接觸 面。 29.—種發光元件，包含： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一有機發光裝置，其包含一配置於一陽極與一陰極之 間的有機發光材料；以及 一結構，以供電機械式啓動有機發光裝置；該結構被 配置以延伸於有機發光裝置的陰極之上，而當該結構於非 致動狀態下時該結構係與該有機發光裝置的陰極分開。 3 0 · —種供控制有機發光裝置之方法，包含下列步 驟： 產生一控制電壓，予以施加至有機發光裝置；以及 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552720 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 操作一微機電系統，以完成一電路，致使控制電壓啓 動有機發光裝置產生光。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之方法，其中操作步 驟包含在微機電系統與有機發光裝置之間施加一電壓，以 導致微機電系統之一部份移動，並完成一^電路用於供給電 流至有機發光裝置。 3 2 ·如申請專利範圍第3 0項之方法，其中操作步 驟包含使微機電系統之一懸臂構件自不啓動有機發光裝置 之第一位置移動至啓動有機發光裝置之第二位置。 3 3 ·如申請專利範圍第3 0項之方法，其中產生步 驟包含產生一脈動信號，予以施加至有機發光裝置作爲控 制電壓。 3 4 ·如申請專利範圍第3 3項之方法，另包含調變 脈動信號之脈衝之至少寬度及高度之一，以控制自有機發 光裝置所輸出之光之步驟。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）