TW550628B - Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece - Google Patents

Description

550628 A7 --------—----- 五、發明說明（ί ) 發明領域 本發明指向自動處理控制領域，尤其是，控制一材料 沉積處理程序領域。 發明背景 自一如一半導體晶圓基板、聚合基板等等之微電子工 件中製造微電子元件牽涉到大量的處理程序。用於本發明 目的，一微電子工件係定義以包含一自一基板開始其上形 成微電子電路或元件、資料儲存元件或層及/或微機械元件 所形成之工件。在該微電子工件上執行而具有一些不同處 理操作以製造該微電子元件。例如，這類操作包含材料沉 積、圖案化、摻雜、化學機械電拋光及熱處理。 材料沉積處理牽涉於該微電子工件表面上沉積或其它 形成之薄層材料。圖案化提洪選擇性沉積一薄層及/或移除 這些附加層所選擇之部份。摻雜該半導體晶圓或類似微電 子工件係爲該加入熟知爲”摻雜物”之雜質處理程序以選擇 該晶圓之一部份來變化該基板材料之電特性。熱處理該微 電子工件牽涉熱及/或冷卻該工件以得到特定處理結果。化 學機械拋光牽涉透過一結合化學/機械處理以移除材料而電 拋光牽涉使用電化學反應來自一工件表面移除材料。 熟知爲處理”工具”之數位處理裝置已被發展來架設一 或更多前述處理操作。這些工具隨著在該製造處理中使用 之不同型式工件及該工具所執行之處理程序或一些處理程 序來進行不同架構。一熟知爲理工具且可自 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} Φ •線· 550628 A7 ___B7_________ 五、發明說明（> ) 美國Montana州Kalispell城的Semitool公司取得之工具架 構包含複數個微電子工件處理站，其係利用一或更多工件 傳送機器人來服務。一些該工件處理站利用一工件支撐物 及一處理碗狀容器或容器來配置濕處理操作。這類濕處理 操作包含電鍍、蝕刻、淸潔、無電沉積、電拋光等等。結 合本發明，該LT-210Ctm使用之電化學處理站係値得注意 的。這類電化學處理站執行該微電子工件之上述電鍍、電 拋光、陽極化等等。將了解，在此述及之電化學處理系統 易於用來配置每個該前述電化學處理。 根據該LT-210Ctm工具之一架構，該電化學處理站包 含一工件支撐物及一處理容器，兩者以彼此間相距最近方 式來配置。該工件支撐物及處理容器係操作來攜帶由該工 件支撐物所持有之微電子工件以與一配置於該處理容器中 之電化學處理流體接觸。當該微電子工件係以此方式配置 時，該工件支撐物及處理容器形成一可以打開、關閉及完 全密閉之處理室。 電鍍及其它電化學處理在生產半導體積體電路及來自 微電子工件之其它微電子裝置中已變得重要。例如，電鍍 常被使用於在該工件上形成一或更多金屬層。這些金屬層 常被使用來電性連接該積體電路之不同裝置。又，自該金 屬層形成之結構可構成例如讀/寫頭等等之微電子裝置。 電鍍金屬典型地包含銅、鎳、金、鉑、焊料、鎳鐵等 等。電鍍一般係於形成一非常薄金屬層中被最初形成之一 在微電子工件上之種子層所影響，由此該微電子工件表面 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — I I I I---«II — I I----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 A7 _________B7__ 五、發明說明（々） 係變成電傳導。此電傳導性允許接著由電鍍形成該所期待 金屬之一覆蓋或圖案化。接著例如化學機械平坦化處理可 用來移除在電鍍期間形成之圖案化或金屬覆蓋層中不要的 部份，而導致該期待之金屬化結構之形成。 在一工件表面電拋光金屬牽涉到使用一電化學處理來 移除至少一些金屬。該電化學處理係有效地反轉該電鍍反 應並常使用相同或類似反應器來施行電鍍。 陽極化典型地牽涉到在該工件表面氧化一薄膜層。例 如，可期待選擇性地氧化一金屬層的某些部份，例如，一 銅層，用以幫助接下來移除一溶液中其蝕刻該氧化金屬快 於該未氧化金屬之所選部份。甚而，陽極化可用來沉積例 如鈣鈦礦之某些材料於該工件表面上。 當不同微電子電路及元件尺寸減少時，在必須符合該 製造工具之製造容限中具有一相對應的減少。連接下述之 本發明中，電化學處理必須均勻處理一給予之微電子工件 表面。甚而，該電化學處理必須符合工件對工件均勻性要 求。 電化學處理可被進行於具有一單電極或多電極任一者 之反應室中。在使用一單電極反應室處，改進該處理所得 之位準均勻性牽涉到對該反應室硬體架構之人爲嘗試誤差 的校正。例如，該處理的作業員可以經驗重定位或重導向 該電極、該工件或一自該工件中分開該電極之擋板，或可 以修正一在該反應室內流動之液體型態以嘗試改進該處理 所得之位準均勻性。 5 參纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 ·. -線· 550628 A7 ______B7 ______ 五、發明說明（十） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一多電極反應室中，二或更多電極係配置成某種圖 案。每個該電極係連接至一用以執行該電化學處理操作所 提供之電源的電源供應器。最好，至少一些該電極係連接 至不同電性節點以使由該電源供應器所提供至它們的電源 可獨立於提供給該陣列之其它電極的電源。 具有複數個電極之電極陣列有助於局部控制用來電化 學處理該微電子工件之電性參數。當比較於不須硬體變化 之單電極系統時，此局部控制該電性參數可用來提供跨過 該微電子工件表面之電化學處理更大的均勻性。然而，決 定用於該陣列中之每個電極以得到所需處理之電性參數可 能是不確定的。典型地，在一給予之電化學處理中用於一 給予之電極的電性參數(也就是，電流、電壓等等）係使用 一人爲嘗試誤差方式而實驗性地決定。然而，使用這類人 爲嘗試誤差方式可能會非常花費時間。又，該電性參數不 易於轉換成其它的電化學處理程序。例如，用以電鍍一金 屬至一厚度X至一微電子工件表面上所給予之電性參數組 不易於用來導出出電鍍一金屬至一厚度Y所使用之電性參 數。還有，用以電鍍一給予金屬（例如，銅）所需膜厚度X 之電性參數一般不適合用來電鍍另一金屬（例如，鉑）。在 本嘗試誤差方式之類似缺點係與其它類電化學處理(也就是 ，陽極化、電拋光等等)相關。同時，此人爲嘗試誤差方式 必須被重複於一些共通的環境中，例如，當該目標電鍍厚 度或外形變化時，或當該電鍍速率變化。 就前述而言，一用於電化學處理一可輕易用來辨識使 6 I氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ' 550628 A7 ___ B7_ 五、發明說明（C ) 得一多電極矩陣以達到用於一寬廣範圍之電化學處理變數( 例如，種子層厚度、種子層類型、電鍍材料等等）之高度均 勻性的電性參數之微電子工件的系統已顯著地被利用。 圖式簡單說明 第1圖係一顯示該最佳化器之輸出入之處理程序示意 圖； 第2圖係一顯示一由該最佳化器之某些實施例所使用 之子校正系統之處理程序示意圖； 第3圖係根據該最佳化器之一實施例建置一電化學處 理系統之示意方塊圖； 第4圖係一顯示其中第3圖之最佳化器可使用一組預 置敏感度値來產生一更精確電性參數組用以符合處理一微 電子工件中之目標物理特徵的一方式之流程圖； 第5圖係一用於一多電極反應室之樣本Jacobian敏感 度矩陣圖； 第6圖係一顯示自用於該第一最佳化運轉之輸入中計 算之新電流輸出的空白表格程式圖； 第7圖係一顯示自用於該第二最佳化運轉之輸入中計 算之新電流輸出的空白表格程式圖； 第8圖係一可用於第3圖所示之反應器組件中之處理 容器之一實施例槪略圖，並包含一與該處理流體流過該反 應益室相關流速外形圖示； 第9及10圖說明一可結合本發明使用之完整處理室組 7 度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------訂---------線-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550628 B7 _ 五、發明說明（G ) 件之一實施例； 第11及12圖係第9及10圖中該處理室實施例之電腦 產生的流速輪廓之剖面圖； 第13及14圖說明第9及10圖中該處理室之一校正版； 第15及16圖說明可整合於根據本發明教示建置及操 作之一或更多處理站之處理工具之二實施例。 元件符號說明 140最佳化器，110基底線電流，120種子變化，130厚度 誤差，121進入晶圓，122，132先前電鍍晶圓，131厚度外 形，150電鍍電荷，161電流波形，162,280電流， 230,240,272回饋調整，220,240,271前饋調整，25工件， 20反應器組件，30反應器頭部，35反應器基底，85接觸 ，39處理容器，44攔壩，37溢出容器，46出口，54流體 孔’ 52基底件，50電極組件，42電鍍流體入口，56電極 陣列’ 58電極，60電源供應器，64使用者介面，65控制 系統’ 86度量工具，9〇,94,96線，701輸入値，702輸出 ’ 505主要流體流動室，510前室，515流體入口，520充 滿物質空間，525流擴散器，53〇噴嘴/插槽組件，537中 心軸’ 580主要陽極，505主要室，560輪廓側壁，585環 狀陽極 ’ 565 斜側壁，535 噴嘴，1017，1022，1027，1032 陽 極室框架，1015，1〇2〇，1〇25，1〇3〇環狀陽極，1〇5()支架/傳 導件’ 5丨5，1〇6〇入口，1〇7〇插槽，1065主線圏，1085蓋 子’ 1090上緣，1095外壁，1200斜內壁，1205流體流區 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i Hi n -1 a·— immm tKB I 1 n n —ϋ i 本紙張尺度適用中(CNS)A4規格（2iq χ 297公餐） 550628 B7 五、發明說明（） 域，1210元件或套件，2010入口件，2015中空幹道， 2020步階式集線器，2025步階，2030通道，1610處理站 ，1625中心軌道，1620傳送機制，1615,1635 RTP站， 1640專用機器機制，1645中間階段門/區域，1630 RTP部 份。 較佳實施例之詳細說明 一自動選擇及微調用於處理一微電子工件(“該最佳化 器”)之電性參數的設備係被揭示。在許多實施例中，該最 佳化器決定影響處理一圓工件之處理參數，其爲在該工件 上之不同半徑處的處理結果之函數。在某些實施例中，該 最佳化器調整用於一多電極電鍍室之電極電流，例如，由 Montana 州 Kalispell 市的 Semitool 公司所提供之 Paragon 工具之多陽極反應室，用以得到一例如施加於一半導體晶 圓之金屬或其它導體之一特定厚度外形(也就是，平面、凹 面、凸面等等）之覆蓋。該最佳化器調整用於連續性工件之 電極電流以補償該進入工件（一前饋控制來源）種子層厚度 中之變化，及/或校正用於電鍍它們（一回饋控制來源)所使 用之陽極電流下先前晶圓中產生之不均勻。在此方式中’ 該最佳化器能夠快速地於工件上沉積之覆蓋中得到一高度 均勻性而沒有實質的人爲介入。 該設備典型地操作一包含一主流體流動室之電鍍室及 設置於該主流體流動室中之複數個電極。該電鍍室典型地 又包含一工件支持物，其至少在該微電子工件之電化學處 理期間用以持住與在該主流體流動室中之一電化學處理流 9 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I -------訂.—------I I · n ϋ n n I fli 550628 B7 五、發明說明（X ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 體接觸之微電子工件至少一表面所定位。一或更多電性接 觸係配置來接觸該微電子工件之至少一表面，而一電源供 應器係連接至該一或更多電性接觸及該複數個電極。該複 數個電極中至少二個係分別連接至該電源供應器以幫助其 上各別之電源供應。該設備也包含一連接至該電源供應器 之控制系統以控制與每個該個別連接之電極各自相關之至 少一電源參數。該控制系統根據一或更多使用者輸入參數 及複數個預置敏感度値來設定該至少一電源參數用於該分 別連接電極中所給予之一；其中，該敏感度値對應至來自 千擾用於該分別連接電極所給予之一之電源參數所導致之 處理干擾。 ,線· 例如，雖然本發明係揭示於該微電子工件之電化學處 理內容中，在此教示也可以延伸至其他類型微電子工件處 理。實務上，在此教示可被延伸至其他微電子工件處理系 統，其具有對應至控制參數之個別控制處理元件及具有在 使用該元件所處理之微電子工件物理特徵上的相依效果。 這類系統可應用敏感度表格或矩陣作爲在此前述並使用它 們配合一或更多輸入參數計算以得到精確導致該微電子工 件之目標物理特徵之控制參數値。 第1圖係一顯示該最佳化器之輸出入之處理程序示意 圖。第1圖顯示該最佳化器140使用高達三輸入來源··基 底線電流110、種子變化120及厚度誤差130。該基底線電 流110係用來電鍍該先前晶圓或另一組用於已知電鍍厚度 結果之另一組電流之陽極電流。用於一工件順序中之第一 10 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 550628 A7 ________B7_ 五、發明說明（。丨） 工件’用來電鍍該晶圓之基底線電流係典型地由一不同於 該最佳化器之來源來表示。例如，它們可以由一用來電鍍 該晶圓之工作單來表示，或可以手動作決定。 該種子變化120係在該進入晶圓121之種子層厚度及 該先前電鍍之晶圓122之種子層厚度間之差異。該種子變 化輸入120係所謂成爲一在該最佳化中之前饋控制的來源 ’在於其整合有關該將來臨電鍍周期之資訊，做爲它反射 在將來臨之電鍍周期中欲電鍍的晶圓之測量。厚度誤差 130係在該先前電鍍晶圓132及用於該將來臨之電鍍周期 所表示之目標厚度外形131間之厚度差。該厚度誤差130 係所謂成爲一回饋控制來源，因爲它整合來自一較早電鍍 周期之資訊，也就是，鍍於該先前電鍍周期中之晶圓厚度 〇 第1圖又顯示該最佳化器輸出以安培_分鐘爲單位來表 示用於該將來臨電鍍周期中之每個電極之新電鍍電荷150 。該新電鍍電荷輸出係結合一工作單排程及一電流波形

I 161以產生以安培計之電流162被傳送至該工作單排程中 每一點之各電極。這些新電流係使用於該電鍍處理用以電 鍍一在該下一電鍍周期中之晶圓。在使用不同類型電源供 應器之實施例中，其它類型控制參數係由該最佳化器產生 用於操作該電源供應器。例如，其使用一電壓控制電源供 應器中’由該最佳化器產生之控制參數係爲以伏特表示之 電壓。將如此電鍍之晶圓接著作後鍍度量以測量它的電鍍 厚度132。 11 t紙張尺度適用中關家標'規格咖χ 297 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ,線· 550628 A7 ___B7_____ 五、發明說明（I0 ) 在該最佳化器被顯示於接收輸入及於處理這些値中之 不同點產生輸出時，凡是熟知此項技術之人士將了解該最 佳化器會有不同地定義以包含或除外這類處理之觀點。例 女□，當第1圖顯示產生來自基底線晶圓種子厚度及該最佳 化器外之種子層厚度中之種子變化時’預期這類產生會替 代性地執行於該最佳化器內。 第2圖係一顯示該最佳化之某些具體實施例所使用之 子校正系統之處理示意圖。該子調整系統使用二可分別結 合校正調整、因厚度誤差而致之回饋調整(230、24〇、272) 及因進入種子層厚度變化而致之一前饋調整（220、240、 271)。當該陽極電流產生一可接受之均勻性時’該回饋回 路可自該基底線電流210轉換卸下至新的電流280。該前 饋補償可在不要該種子層變化影響厚度均勻性之情形下被 卸下。例如，在校正一類似批次之第一晶圓後，該前饋補 償可被卸下且該校正可被施加於該批次中之每一順序晶圓 〇 第3圖係根據該最佳化之一實施例所架構之一電化學 處理系統示意方塊圖。第3圖顯示一用於電化學處理例如 一可用來連接本發明之例如半導體晶圓之微電子工件25之 反應器組件20。一般而言，該反應器組件20之一實施例 包含一反應器頭部30及大致上以35顯示之一對應的反應 器基底或容器。該反應器基底35可以是一碗狀及杯狀組件 以包含一電化學處理溶液流動。第3圖之反應器20可用來 製作例如電鍍、電拋光、陽極化等等之各種電化學處理， 12 私紙張尺度適用中國國家標準—(CNS)A4規格（21G χ 297公爱） -------訂---------線--AWI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 B7 五、發明說明（、\ ) 以及製作廣泛類型之其它材料沉積技術。基於下面討論之 目的，在此前所述之特定實施例觀點將被說明’不限於一 電鍍處理內容。 該反應器組件20之反應器頭部30可包含一恆定組件( 未顯示)及一轉子組件（未顯示）。該轉子組件可配置來接收 及攜帶一相關微電子工件25、定位該微電子工件於一在反 應器容器35內向下處理面方向及轉動或旋轉該工件。該反 應器頭部30也可包含提供電鍍電源至該微電子工件表面之 一或更多接觸85 (槪略性地顯示）。在該所示之實施例中’ 該接觸85係配置來接觸一種子層或被電鍍在該電鍍表面微 電子工件25上之其它傳導材料。然而，應了解，該接觸 85可以視該接觸及電鍍區域間之正確傳導路徑而定來結合 該工件前面或後面中任一者。具有接觸85之合適的反應器 頭部30係揭示於美國專利號6,080,291及美國申請案號 09/386,803 ; 09/386,610 ; 09/386，197 ; 09/717,927 及 09/823,948中，其所有係在此整體併入本發明參考之' 該反應器頭部30可利用一轉動該反應器頭部30自一 其可以接受之面向上方向至其該微電子工件可接觸反應器 基底35中之電鍍溶液之面向下方向之昇舉/轉動裝置來實 現。該昇舉/轉動裝置可攜帶該工件25與該電鍍溶液不是 共平面就是一給予角度之接觸。一包含一末端受動器之機 器人系統係典型地用來裝卸該頭部30上之微電子工件25 。應了解，利用僅有前述圖示所揭示之反應器室之本發明 觀點來使用其它反應器組件架構。 13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -treJ. -線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 ___B7____ 五、發明說明（·β) 該反應器基底35可包含一外溢容器及一內處理容器 39。一電鍍流體透過一注入口 42(箭頭1)流入至該處理容 器39中。該電鍍流體流過該處理容器39內部並在該處理 容器39(箭頭F)處溢出一攔壩44。溢出該攔壩44之流體接 著穿過一溢出容器37並透過一出口 46(箭頭0)自該反應器 20流出。該流體存在該出口 46可導向一在循環系統、化 學補充系統、配置系統等等。 該反應器20也包含在它流過該反應器20時，一在該 處理容器39中之電極以接觸該電化學處理流體(例如，該 電鍍流體）。在第3圖之實施例中，該反應器20包含一具 有一透過複數個流體孔54延伸之基底件52之電極組件50 。該流體孔54有助於支出該電鍍流體入口 42，致使在該 微電子工件25表面流動之電鍍流體係較少局部化且具有一 期待之輻射狀分佈。該電極組件50也包含一電極陣列56 以包括由該基底件52支援之複數個獨立電極58。該電極 陣列56可具有一些架構，包含其中電極係配置於離該微電 子工件不同距離的那些。於一給予反應器所使用之特定實 體架構可隨該微電子工件25之特定型態及外形而定。在所 示之實施例中，該微電子工件25係一碟狀半導體晶圓。據 此，本發明者發現該個別電極58可形成不同直徑之環且它 們會被安排集中地與微電子工件25中心對準。然而，將了 解’光柵陣列或其它電極陣列架構也會被使用而不偏離本 發明範圍。該反應器基底35及電極陣列56之一合適架構 係揭示於2001年(代理人文件號29195.81 19US) 3月12日 14 尺度細中國國家鮮（CNS)A4規格（21() x 297公爱) ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) irOJ·· •線' 550628 A7 ___ B7 _ 五、發明說明（Λ ) 提申之USSN 09/804,696中，而另一合適架構係揭示於 2001年（代理人文件號29195.8120US) 3月12日提申之 USSN 09/804,697中，上述兩者在此倂入本案參考之％ 當該反應器20電鍍微電子工件25至少一表面時’該 工件25之電鍍表面作用如一在該電化學反應中之陰極而該 電極陣列56作用如一陽極。最後，該工件25電鍍表面係 透過接觸85連接至一電源供應器60之負電位端而該電極 陣列56之獨立電極58係連接至該供應器60之正電位端。 在該所示實施例中，每個該獨立電極58係連接至該供應器 60之一不連續端致使該供應器60會分別設定及/或變化與 每個該獨立電極58相關例如該電流之一或更多電性參數V 因此，第3圖中之每個該獨立電極58係一可分別控制之電 極。然而，將了解，該電極陣列56之個別電極58之一或 更多可被連接至該電源供應器60之一共通節點/端點。在 這類例子中，該電源供應器60將個別地作相反動作而同時 改變該共通連接電極58之一或更多電性參數’藉此有效地 使該共通連接電極58成爲單一可個別控制之電極。如此’ 可個別控制之電極可連接至電源供應器6〇之不連續端之實 體不同電極及共通連接至電源供應器60之單一不連續端之 實體不同電極。該電極陣列56最好包括至少二可個別控制 之電極。 該電極陣列56及該電源供應器60幫助用於電化學處 理該微電子工件之電性參數之局部控制。當比較於單一電 極系統時，該電性參數之此局部控制可被用來擴大跨過該 15 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 鲁. 訂： .線· 550628 A7 ______B7_____ 五、發明說明（A ) 微電子工件表面之電化學處理之均勻性。不幸地，決定用 於該陣列56中之每個電極58以得到所需處理均勻性之電 性參數會是困難的。然而，該最佳化器簡化並真地自動決 定與每個可個別控制電極相關之電性參數。尤其，該最佳 化器決定複數個敏感度値，不是實驗就是透過數値模擬， 且接著使用該敏感度値來調整與每個可個別控制電極相關 之電性參數。該敏感度値會被置於一表格中或爲一 Jacobian矩陣形式。本表格/矩陣持有因對每個可個別控制 電極之電性參數干擾(也就是，電流變化）而在工件上不同 點下，用以處理參數變化（也就是，該電鍍膜厚度）所對應 之資訊。本表格/矩陣係導出於來自一基底線工件中之資料 加上具有一對每個可個別控制電極之可控制電性參數干擾 之個別運轉資料中。 該最佳化器典型地執行於一連接至該電源供應器60之 控制系統65中，用以供應用於一電鍍周期之電流値。該控 制系統6 5可選取各類格式，包含一般性或特定目的之電 腦系統，其不是整合至包含該反應室之製造工具中就是例 如膝上型或獨立於其它可攜式電腦系統之製造工具。該控 制系統可通訊性地連接至該電源供應器60，或輸出電流値 以接著手動輸入至該電源供應器。其該控制系統係由一網 路連接至該電源供應器中，其它電腦系統及類似裝置係介 於該控制系統及該電源供應器之間。在許多實施例中，該 控制系統包含這類元件作爲一或更多處理器，一用於儲存 程式及資料之主要記憶體、一用以連續儲存程式及資料之 16 ¥紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . -線 550628 A7 __ B7___ 五、發明說明（6 ) 持久性ifi憶體、輸出入裝置及一例如一 CD-ROM驅動器或 一 DVD驅動器之電腦可讀取媒體驅動器。/ 一旦用於該敏感度表格/矩陣値已定，該値會儲存於並 使用於控制系統65中以控制電源供應器60連接每個可個 別控制電極58所使用之電性參數之一或更多。第4圖係一 顯示一其中該敏感度表格/矩陣可用來計算一用於符合一處 理目標參數（也就是，該電鍍膜之目標厚度）之每個可個別 控制電極58之電性參數(也就是，電流)之方式之流程圖、 在第4圖所示之步驟中，該最佳化器利用二組輸入參 數連同該敏感度表格/矩陣來計算該所需電性參數。在步驟 70中，該最佳化器使用一已知預置電性參數組來執行一第 —電鍍周期（一”測試運轉”）。例如，一測試運轉可利用將 —微電子工件25於其對每個可個別控制之電極58在一給 予時間段中提供電流係固定於一預定大小中作電鍍處理來 實行。 在步驟72中，在該測試運轉係完成後，該最佳化器測 量該測試工件之物理特徵（也就是，該電鍍膜厚度）以產生 一第一組參數。例如，在步驟72中，該測試工件可使用一 度量站台作厚度測量，產生包含在該工件上一些點之每一 個厚度測量之一組參數。在步驟74中，該最佳化器對著一 第二組輸入參數比較在步驟72中所測量之測試工件之物理 特徵。在該方法所示之實施例中，該第二組輸入參數對應 至由該處理（也就是，該電鍍膜厚度）最終所得之微電子工 件之目標物理特徵。顯然地，該目標物理特徵可以是均勻 17 衣紙張尺度適用中國國家標拳（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ —訂---------線丨 550628 A7 __________B7 _ 五、發明說明（Λ ) 覆蓋在該微電子工件25表面上或是於該表面上變化。例如 ，在該所示實施例中，在該微電子工件25表面上一電鍍膜 厚度可被用作該目標物理特徵，且該使用者可在距該工件 中心、一相對應該工件之光柵或相對應該工件之基準之其 它參考系統不同半徑下表示該目標厚度。 在步驟74中，該最佳化器使用該第一及第二組輸入參 數以產生〜組處理誤差値。在步驟80中，該最佳化器導出 一根據包含該組處理誤差値及該敏感度表格/矩陣値計算之 新電性參數組。在步驟82中，一但該新電性參數組被導出 ’該最佳化器指示電源供應器60於處理該下一微電子工件 中使用該導出之電子參數。接著，在步驟404中，該最佳 化〜類似步驟72之方式測量該測試工件之物理特徵。 406中，該最佳化器比較步驟404中測量所產生之 胃Μ胃〜組目標特徵以產生—組處理誤差値。該組目標特 徵Μ胃步驟74中所使用之同組目標特徵，或可爲一不同組 目標特徵。在步驟408中，若步驟406中產生之誤差値係 在—預定範圍內，接著該最佳化器繼續步驟410，否則該 設備繼續步驟80。在步驟80中，該最佳化器導出一新電 性參數組。在步驟410中，該最佳化器使用步驟80中導出 之:取新1電性參數來處理接下來之微電子工件。在某些實施 例（未顯示）中，該處理微電子工件及/或它們測量特徵不是 手動就是自動地被檢查，用以進一步排除該處理之問題。 再參考第3圖，該第一及第二組輸入參數可利用一使 用者介面64及/或一度量工具來提供給該控制系統65。該 __ 18 本紙張尺度適用規格（210 X 297公釐）----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨-------訂---------線丨. 550628 A7 ______B7 __ 五、發明說明（A ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用者介面64包含一鍵盤、一接觸螢幕、一語音辨識系統 及/或其它輸入裝置。該度量工具86可以是一在例如測試 運轉後用來測量該測試工件之物理特徵之自動工具。當一 使用者介面64及一度量工具86兩者被使用時，該使用者 介面64可用來輸入可藉由該處理達到之目標物理特徵，而 度量工具86可用來對該控制系統65直接通訊該測試工件 之測量物理特徵。在缺乏一能與控制系統65通訊之度量工 具中，該測試工件之測量物理特徵可透過該使用者介面64 或例如一碟片之可移性資料儲存媒體來提供給控制系統65 。將了解，前述係僅爲適於數據通訊裝置例子，且其它數 據通訊裝置可用來提供該第一及第二組輸入參數給控制系 統65 〇 爲了預測以電流變化作爲函數之厚度變化，該最佳化 器產生一 Jacobian敏感度矩陣。一其中由該最佳化器產生 之敏感度矩陣係根據該反應室之一數學模組而決定之例子 係說明於下。然而，在一額外實施例中，該最佳化器所使 用之敏感度矩陣係根據由操作該實際反應室所產生之實驗 結果而決定。在該敏感度矩陣中模組化資料包含一基底線 膜厚度外形及與節點一樣多之干擾曲線，其中，每個干擾 曲線包括一特定節點大略增加0.05安培。該Jacohian係一 偏微分矩陣，代表因安培分鐘計量之電流變化而產生之微 米§十重之厚度變化。特別地，該Jacohian係一 m χ η矩陣 ，其中列數目m係等於該模組資料中之半徑位置資料點數 目，以及行數目η係等於在該反應器上之陽極數目。典型 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱) - 550628 A7 ____B7_____ 五、發明說明（β ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 地，m値係相當大(>100)，因爲用於該室之模組所選擇之 計算網目之故。該矩陣元件係因該干擾陽極及以安培-分鐘 計^量之電流變化而利用選取厚度差之商數來計算，其係安 培計量之電流變化及分鐘計量之運轉時間之乘積。 --線· 如同一回饋控制來源，該最佳化器使用該最近電鍍之 晶圓厚度於該電鍍晶圓上之一些半徑位置之每一個。這些 半徑位置不是選自對應至該矩陣之列之半徑位置，就是插 入於對應至該矩陣之列之半徑位置之間。可使用一廣泛範 圍之半徑位置數目。當使用之這些半徑位置增加時，改進 以覆蓋均勻性爲代表之最佳化器結果。然而，當使用之這 些半徑位置增加時，會增加用以測量該晶圓、輸入該測量 結果及/或操作該最佳化器以產生新電流所需之時間。據此 ，產生可接受結果之最少量之半徑位置被典型地使用。一 方式係使用在一標準度量輪廓圖(用於200毫米爲4及用於 300毫米爲4或6)加一內之這些半徑測試點，其中，加入 該額外之點以使用於所有點（也就是，使該直徑掃瞄較佳) 之3 sigma均勻性較佳。 一特定測量點圖可被設計用於該度量站台，其將測量 與用於該最佳化器操作所需之半徑點相關之晶圓上之合適 該最佳化器參考至一其中該電化學處理係電鍍之特定 實施例而能進一步被了解，該電鍍膜厚度係該目標物理參 數，而提供至每個可個別控制之電極58之電流係控制來得 到該目標膜厚度之電性參數。根據本特定實施例，一 20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 B7 五、發明說明（

Jacobian敏感度矩陣係先自實驗或數値模擬資料中導出。 弟5圖係一用於一多電極反應室之樣本jaco|3ian敏感度矩 陣圖形。尤其，第5圖係一每一電流-時間之變化於電鍍膜 厚度之樣本變化爲一用於例如第3圖所示之陽極A1-A4之 一些可個別控制之電極中之每個之微電子工件25上之半徑 位置的函數之圖形。一第—基線工件係利用遞送預定之一 組電流値至該多陽極反應器中之電極來電鍍一預定時段。 該所致之電鍍膜厚度接著被測量作爲一在該工件上半徑位 置之函數。這些資料點接著被用作基線測量以比較於當至 每個陽極A1-A4之電流被干擾時所需之資料。線90係與 一由電源供應器60提供電流至陽極A1而至其餘陽極A2-A4之電流持於它們固定之預定値中之干擾相關之Jac〇bian 項目之繪圖。線92係與一由電源供應器60提供電流至陽 極A2而至其餘陽極A1及A3-A4之電流持於它們固定之 預定値中之干擾相關之Jacobian項目之繪圖。線94係與 一由電源供應器60提供電流至陽極A3而至其餘陽極ΑΙΑ〕 及 A4 之電流係持於它們固定之預定値中之干擾相關之 Jacobian項目之繪圖。最後，線96係與一由電源供應器 60提供電流至陽極A4而至其餘陽極A1-A3之電流持於它 們固定之預定値中之干擾相關之Jacobian項目之繪圖。 用於第5圖所示之Jacobian參數之資料可使用下列方 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I -------訂---------線—. 方程式（Al) 程式來計算： j.. = Jlj dAM.

El 21 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 550628 A7 B7 方程式(A2) 方程式(A3) 方程式(A4) 五、發明說明（/ ) t(AM)=[ti (AM) t2 (AM) .... tm (AM)] AM=[AMi AM2 .... AMn ] ε 1 = ^ΑΑΜ{' 0 £ 2 = 0 μμ2 0 …ε η= '0 〇 ^ 0 _ _ 0 _ 其中： t代表厚度[微米]; AM代表電流[安培-分鐘]; ε 代表干擾[安培-分鐘]; i係一對應至一在該工件上之半徑位置之整數； j係一代表一特定陽極之整數； m係一對應至該工件上半徑位置總量之整數； η係一代表可個別控制陽極總量之整數。 如下於方程式(Α5)所述之Jacobian敏感度矩陣係一使 用方程式(Α1)-(Α4)計算該Jacobian値之指數。該Jacobian 矩陣不是產生於根據該沉積室之一數學模組來使用模擬該 沉積室操作就是產生於使用來自電鍍一或更多測試晶圓中 導出之實驗資料。架構這類數學模組連同它用來模擬操作 該模組沉積室係詳述於固態電子第44冊第5篇第797-807 頁（2000 年 5 月），由 G. Ritter、P. McHugh、G. Wilson 及 T. Ritzdorf戶斤著的’’Two- and three- dimensional numerical modeling of copper electroplating for advanced ULSI metalllization”中，可自網站中取得，也可自網站 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線！ 550628 A7 B7 五、發明說明（V)) http://jounials.ohiolink.edu/pdflinks/01040215 46 3 8 009 82 .pd f中取得。 0.192982 0.071570 0.030913 0.017811 0.148448 0.084824 0.039650 0.022264 0.066126 0.087475 0.076612 0.047073 0.037112 0.57654 0.090725 0.092239 0.029689 0.045725 0.073924 0.138040 在Jacobian矩陣中之値也出現在該第5圖形中重點提 示資料點。這些値對應至典型地選擇用於測量之一半導體 晶圓表面上之半徑位置上。一旦用於該Jacobian敏感度矩 陣中之値已被導出，它們可儲存於控制系統65中以爲未來 使用。 下面表格1述及對應至一其中一 200毫米晶圓係於一 使用一通常2000埃厚之初始銅種子層之多陽極系統中鍍銅 。1.12安培(持續3分鐘)一模一樣的電流係提供至所有的 四個陽極A1-A4。在五半徑位置下所導致之厚度接著被測 量並記錄於表格1的第二行。該晶圓的3 si§ma均勻性使 用一49點輪廓圖係爲9.4%。目標厚度接著被提供並被述 及於表格1第3行中。本例中，因爲一塗佈平面係需要的 ，該目標厚度於每個半徑位置係爲相同的。在該電鍍膜及 該目標厚度間之厚度誤差（處理誤差）接著被計算並提供於 表格1的最後一行中。這些計算出之厚度誤差係由該最佳 化器使用爲一回饋控制來源。 23 --------------------^---------線--AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 方程式(A5) J: 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 R7 五、發明說明（、户） 表格1 來自以1.12安培施於每個陽極來電鍍晶圓之資料 半徑位置(m) 0 0.032 0.063 0.081 0.098 測量厚度(微米） 1.1081 1.0778 1.0226 1.0169 0.09987 目標厚度(微米) 1.0291 1.0291 1.0291 1.0291 1.0291 誤差(微米) •0.0790 0.0487 0.0065 0.0122 0.0304 該Jacobian敏感度矩陣接著會隨同該厚度誤差値提供 應會產生較佳膜均勻性之一組修正版陽極電流値。總結本 方式之方程式係述於下： ΔΑΜ = J^At (用於一其中該測量半徑位置之方程式 (B1)數目對應至在該系統中之可個別控制陽極數目之方形 系統中），及 △ AM = (jTjfjT^t (用於一其中該測量半徑位置之 方程式(B2)數目係不同於在該系統中之可個別控制陽極數 目之非方形系統中）。 △ t· = t.target t.〇ld 一 (t.newseed oldseed^ specified 方程式(B3) -------^---------線—AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在方程式（B3)，係爲得到一所須外形晶圓而考 慮該總電流調整所需之目標厚度，ti°ld係爲舊整體厚度， tinewseed係爲該新種子層厚度，ti°ldseed係爲該舊種子層厚度 ，及tispedfied係爲對應至該晶圓中心之厚度規格，也就是 ，由該目標電鍍外形所表示之厚度。尤其，該名詞tispeeified 代表該目標厚度’而該數量titai>get - ti°ld代表來自先前晶圓 之回饋，及該數量t newseed oldseed 代表來自進入晶圓種子 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 R7 五、發明說明U、） 層厚度之前饋一以失能回饋控制，該第一數量係自方程式 (B3)中刪除；以失能前饋控制，該第二數量係自方程式 (B3)中刪除。 表格2顯示如施用至該給予資料設定之前述方程式及 來自該方程式中導出以符合每個半徑位置(最佳最小方形配 合）之目標厚度所對應之電流變化。該方程式之這類應用及 該Jacobian矩陣建置係使用一例如Microsoft Excel®之空 白表格應用程式結合特定巨集程式所執行之某些實施例中 。在其它實施例中，不同方法係用於建置該Jacobian矩陣 及施用於該上述方程式。 在該表格2最後一行之電流所得之晶圓均勻性係爲 1.7% (比較於該測試運轉晶圓用之9.4%)。此程序可再重複 嘗試進一步改進該均勻性。在本例中，在該種子層間之差 異因該種子層係實質上相同而被忽略。 表格2 電流調整 陽極編號 用於第1運轉之陽 極電流(安培） 陽極電流之變化(安 培） 用於第2運轉之陽 極電流(安培） 1 1.12 -0.21 0.91 2 L12 0.20 1.32 3 1.12 -0.09 1.03 4 1.12 0.10 1.22 一旦用於該陽極電流之校正値已被計算，第3圖之控 制系統65指向電源供應器60以在接著處理期間提供該校 正之電流至該對應陽極A1-A4以符合該目標膜厚度及均勻 25 -------------i-------訂---------線—· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 A7 550628 ___B7___ 五、發明說明（济） 性。 在某些例子中，可期待不斷地施用前述方程式以獲得 一組電流變化値(表格2行3所示之値)以加總至零。例如 ，這麼作以使該總電鍍電荷一及因此該電鍍材料總量一被 持於常數而不必改變工作單時間。 於前述例中之Jacobian敏感度矩陣量化該系統響應至 陽極電流變化約一基線條件。理想上’若該處理條件自該 基線中變化顯著，則可使用一不同矩陣。影響該敏感度矩 陣之敏感度値之一些系統參數係相當大。這類系統參數包 含該種子層厚度、該電解質傳導性、該電鍍金屬、該膜厚 度、該電鍍速率、該接觸環幾何、相對於該室之晶圓位置 及該陽極外形/電流分佈。陽極外形/電流分佈被包含以包 含超時消耗陽極外形中之變化影響到該室電鍍特徵所在之 室設計。對所有這些項目之變化可以變化跨過該晶圓一組 糸合予之陽極電流之電流密度，因此，變化該系統響應至該 陽極電流中之變化。然而，期待許多這些參數的小變化將 不須計算一新的敏感度矩陣。然而，複數個敏感度表格/矩 陣可針對不同處理條件來導出並儲存於控制系統65中。該 控制系統65使用之敏感度表格/矩陣其可由一使用者手動 鍵入，或隨某些感測器或指示存在著一或更多特定處理條 件雷同者（也就是，溫度感測器、化學分析單元、等等）所 取之測量來自動設定。 該最佳化器也可用來補償該微電子工件初始種子層之 差異及不均勻性。一般而言，一覆毯式種子層可於二方面 26 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -I線- 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) " ' 550628 A7 __B7____ 五、發明說明（/；) 影響一電鍍膜均勻性： 1.若該種子層不均勻性變化時，此不均勻性被加入至 該最終膜。例如，若該種子層係10〇埃，外緣薄於預期時 ，該最終膜厚度也爲外緣較薄之100埃。 2·若該平均種子層厚度變化顯著，該種子層電阻將變 化而致一跨過該晶圓之修正電流密度分佈及改變膜均勻性 。例如，如果該種子層厚度自2〇〇〇埃減少至1000埃，則 最終膜將不僅較薄（因初始膜較薄）且因比較於該2000埃 甲重子層(假設一邊緣接觸)具有該較高電阻性之1000埃種子 層，故它在外緣將也是相對地較厚。 該最佳化器可用來補償這類種子層衍生物，藉此使用 種子層厚度作爲一前饋控制來源。在上面第一例中，在種 子層均勻性中之變化可以管理目標厚度及測量厚度間之誤 差之相同方式來管理。一該晶圓之預測量在不同半徑測量 位置量化該種子層厚度中之變化，且這些變化（誤差）係交 付至該電流調整計算中。使用此方式’良好的均勻性結果 可在該新種子層上得到，甚至在第一次企圖電鍍時得到。 在上述之第二例子中，一更新或選擇另一儲存之敏感 度/Jacobian矩陣可用來計算該種子層中顯著不同之電阻。 一用以調整該新種子層厚度之簡單方法係使用與電鍍一膜 於先前種子層上所使用之相同電流來電鍍一膜至該新種子 層上。可利用一適用於該新種子之敏感度矩陣來使用自本 晶圓中所測量之厚度誤差以調整該電流。 爲了進一步說明該最佳化器之操作’一第二測試運轉 27 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · --線· 550628 B7 五、發明說明（'>) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 被說明。在該第二測試運轉中，該最佳化處理開始於一基 糸泉電流設定或標準工作單電流。一晶圓必須先讀取種子層 厚度之資料，並接著使用該所指示之電流來電鍍。在電鍍 後，該晶圓被預先測量以作爲其最終厚度値。下列晶圓也 >必須預先讀取種子層厚度資料。在該標準五半徑位置(〇毫 米、31.83毫米、63.67毫米、80毫米、95.5毫米)之六十 七:點係典型地測量並平均讀取每個晶圓。 除了該陽極電流，還有來自該先前晶圓及該新晶圓種 子層之厚度資料被鍵入至該最佳化器之輸入頁中。該使用 者也可選擇輸入一厚度規格，或選擇利用調整以安培-分鐘 計量之總電流來修正該電鍍厚度。在所有資料被校正輸入 後，該使用者啓動該最佳化器。回應之，該最佳化器預測 厚度變化及計算新電流。 該新晶圓接著以調整之陽極電流來電鍍及接著測量之 。若該厚度外形不令人滿意，一第二修正也許是需要的。 當需要再重複上述時，該最佳化被持續。如前述，該後電 鑛晶圓之厚度値被測量，而預先讀取另一晶圓用於一組新 種子之種子層厚度値。接著，該下列數量被鍵入在該輸入 頁上： 1. 電鍍之晶圓厚度， 2. 陽極電流， 3. 電鍍之晶圓種子層厚度，及 4. 新晶圓種子層厚度 該工作單時間及厚度外形規格鹰是一致於先前不斷重 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 B7 五、發明說明) 複者。現在，該程式已準備再跑一次以提供一組新的陽極 電流用於該下一電鍍嘗試中。 在以該新的電流電鍍後，該經處理之晶圓被測量且若 該均勻性仍未被接受，該程序會持續另一運轉的重複。決 定一晶圓均勻性之標準値係爲該3-σ，其係相對於該均方 丰艮及乘上3之測量點之標準差。通常，一四十九點圖被用 來在約〇毫米、32毫米、64毫米及95毫米之半徑位置下 湏[J量以測試均勻性。 上述程序將使用一多重複例來強調。晶圓#3934係爲 使用具有一工作單時間爲2.33分鐘（140秒)之一組標準陽 極電流：0·557/0·818/1·039/0·786(以安培計量之陽極1/陽極 2/陽極3/陽極4)之第一電鍍晶圓。在電鍍前，該晶圓係預 先讀取用於種子層資料。從該中心至該外緣以微米計量之 這:些厚度値係示於表格3。 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨線· 表格3 用於晶圓#3934之種子層厚度値 半徑(毫米） 厚度(微米） 0.0 0.130207 31.83 0.13108 63.67 0.131882 80.00 0.129958 95.50 0.127886 該晶圓接著被送至該電鍍室，並在處理後接著被測量 。所導致用於該後電鍍晶圓#3934之厚度値(以微米計量)係 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 __B7_ 五、發明說明（β) 示於表格4 : 表格4 用於後電鍍晶圓#3934之厚度値 半徑(毫米） 厚度(微米） 0.0 0.615939 31.83 0.617442 63.67 0.626134 80.00 0.626202 95.50 0.628257 --------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 計算用於該電鍍晶圓之3-σ係爲超過一範圍爲230.4 埃的2.6%。既然該電流已產生一低於3%的晶圓，任何調 整將變得微不足道。接著晶圚必須預先讀取用於種子層値 ，用以補償任何種子層差異。晶圓#4004被測量且以微米 計量之厚度値係示於表格5 : 訂· _線- 表格5 用於晶圓#4004之種子層厚度値 半徑(毫米） 厚度(微米） 0.0 0.130308 31.83 0.131178 63.67 0.132068 80.00 0.13079 95.50 0.130314 用於本最佳化運轉，不具有厚度外形規格或整個厚度 調整。所有該前述資料被輸入至該最佳化器中，且啓動該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 Α7 Β7 五、發明說明（>1) 最佳化器以產生一組新的電流。這些電流將被用來電鍍下 一晶圓。第6圖係一顯示自該第一最佳化運轉用之輸入中 言十算出之新電流輸出之空白表格圖。可見到，該輸入値 601已產生包含一新電流組之輸出602。該最佳化器也預測 本新電流組將產生之絕對及變化厚度。 該新陽極電流被送至該處理工作單並於該電鍍室中運 轉。該運轉時間及總電流(安培-分鐘）維持常數，而該晶圓 上之電流密度係未變的。來自晶圓#4004用之本運轉之新 種子層資料將變成下一重複動作用之舊種子層資料。 在晶圓#4004上電鍍所調整之電流所導致之厚度(微米) 係示於表格6中： <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表格6 用於後電鍍晶圓#4004之厚度値 半徑(毫米） 厚度(微米） 0.0 0.624351 31.83 0.621553 63.67 0.622704 80.00 0.62076 95.50 0.618746 線· 後電鍍晶圓具有超過一範圍爲248.6埃之2.117%之一 3 σ。爲了另一回重複，一新種子層測量係需要的，除非告 矢口該晶圓批次具有等效之種子層。晶圓#4220係預先測量 且以微米計量之厚度値係示於表格7中： 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 Α7 Β7 五、發明說明（ο 表格7 用於晶圓#4220之種子層厚度値 半徑(毫米） 厚度(微米） 0.0 0.127869 31.83 0.129744 63.67 0.133403 80.00 0.134055 95.50 0.1335560 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線 又，所有該新資料連同用於電鍍該新晶圓之電流&該 電鍍晶圓種子之厚度一起輸入至該最佳化器中。該最佳化 器自動在輸入中轉換該新電流成爲該舊電流。該最佳化器 接著被啓動以產生一組新的電流。第7圖係一顯示自該第 二最佳化運轉用之輸入中計算出之新電流輸出之空白表格 圖。可見到，來自該輸入値701中，該最佳化器已產生包 含一新電流組之輸出702。可進一步看到，該設備已預測 使用該新電流組將產生之絕對及變化厚度。 該校正之陽極電流再被送至該工作單並施加於該電鍍 處理。在該陽極電流上之第二次調整產生表格8所示之以 微米計量之厚度値： 表格8 用於後電鍍晶圓#4220之厚度値 半徑(毫米） 厚度(微米） 0.0 0.624165 31.83 0.622783 63.67 0.626911 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 _________Β7____ 五、發明說明（Μ ) 80.00 0.627005 95.50 0.623823 用於晶圓#4220之3σ係超過一範圍爲213·6埃之 1.97%。該程序可繼續以較佳該均勻性，但是基於說明目 的’ 一低於2 %之3 σ係可接受的。 該最佳化器也可用來補償一例如可自Montana州 Kalispell市的Semitool公司中取得之LT-210Ctm類之多反 應器系統中之反應器至反應器之變化。在這類系統中，有 一可能性係電鍍一特定膜所需之陽極電流在將一反應器比 較於另一個時，也許會是不同的。這類差異之某些可能來 源包含因該昇舉-轉動機構中之容限所致晶圓位置之變化、 因電源供應器製造容限所致之提供給每個陽極電流之變化 、因製造容限所致之該室幾何佈置之變化、該電鍍溶液之 變化、等等。 在一單陽極系統中，該反應器至反應器變化典型地被 減少，不是藉由減少硬體製造容限就是對每個反應器稍作 硬體修正以補償反應器變化。在一根據本發明教示所架置 之多陽極反應器中，反應器至反應器變化可利用在每個反 窃中運轉稍微不同的電流組來減少/消除。只要該反應益 變化未基本上變化該系統反應（也就是，該敏感度矩陣）， 在此所示之自我調整方案係期待發現陽極電流符合膜厚度 目標。反應器至反應器變化可利用比較每室中最終陽極電 流差異來量化。這些差異可儲存於該控制系統65中之一或 更多移位表格內以使該相同工作單可使用於每個反應器中 33 #·紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------1----訂·------I I -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 A7 ______ B7___ 五、發明說明（p) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。此外’這些移位表格可用來增加鍵入新處理工作單至該 控制系統65中之效率。甚至，這些發現可用來解決問題反 應器設立。例如，若該移位表格中之値係超過一特定臨界 値’該衍生物會指示一需要校正之硬體效率。 如上述，該最佳化具體實施例可用來設定電流及用於 在該沉積循環期間表明電流變化之複雜沉積工作單之其它 參數。如一例子，該最佳化器之具體實施例可根據具有二 不同步驟之工作單以決定陽極電流。在其總値爲+ 1安培電 流透過四電極被遞送期間，該工作單之步驟1持續0.5分 鐘。該工作單中緊跟在步驟1後之步驟2係爲1.25分鐘長 。在步驟2期間，一總電流+9安培被遞送95毫秒。其後 ，一總電流-4.3安培被遞送25毫秒。在遞送該-4.3安培電 流後十毫秒係結束，重複該循環，遞送+9安培另一95毫 手少。正在遞送一正電流時期係熟知爲該步驟之”順向階段” ，而正遞送一負電流時期係熟知爲該步驟之”逆向階段”。 使用例如逆向階段來減少因在該電鍍溶液內之有機物質而 導致電鍍表面中所形成之不規則性。 爲了施用該最佳化器來最佳化本工作單之電流，初始 電流係根據該工作單來選擇。這些係示於下面表格9中。 34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 ____ B7 五、發明說明（4) 表格9 : 初始多步驟工作單 步驟1 步驟2 1. 時間 0.5 1.25 2. 順向分數 1 0.730769 3. 陽極1電流 0.2 1.8 4. 陽極2電流 0.24 2.16 5· 陽極3電流 0.34 3.06 6. 陽極4電流 0.22 1.98 7. 逆向分數 0.192307 8. 陽極1電流 -0.86 9· 陽極2電流 -1.03 10. 陽極3流 -1.46 11. 陽極4電流 -0.95 12. 順向安培-分鐘 0.5 8.221153 13· 逆向安培-分鐘 0 -1.033653 14· 總値安培-分鐘 7.6875 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該表格9之左行顯示用於該工作單第一步驟之電流及 其它資訊，而該右行顯示用於該工作單第二步驟之電流及 其它資訊。在第1列中，可見到步驟1具有1.5分鐘的時 期而步驟2具有一 1.25分鐘的時期。在第2列中，可見到 在步驟1中，順向電鍍係於該步驟時期中100%執行，而在 步驟2中，順向電鍍係於該步驟時期中約73%(該步驟之 130毫秒時期中佔95毫米)執行。第3-6列顯示在該二步驟 中每個順向階段期間送至每個陽極之電流。例如，可見到 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 550628 ___B7__ 五、發明說明（蚪） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .24安培於步驟1時期被送至陽極2。在路線7中，可見到 一負電流係遞送用於約19%之步驟2時期(該130毫秒之總 時期中佔25毫秒）。線路8-11顯示在步驟2逆向階段期間 所遞送之負電流。線路12顯示在每個步驟之順向階段中所 遞送之以安培-分鐘計量之電荷。用於步驟1中，此係5安 培-分鐘，其係以該步驟1時期的.5安培-分鐘乘以該順向 分數1及該步驟1順向電流之總和1安培計算而得。步驟 2之順向電鍍電荷係約爲8.22安培-分鐘，其係以該步驟2 時期的1.25分鐘乘以該順向分數約爲73%及該步驟2中順 向電流之總和爲9安培計算而得。線路13顯示一用於步驟 2逆向階段之類似計算結果。線路14顯示利用加總線路12 及13上帶符號之電荷値所得到之淨電鍍電荷値7.6875安 培^分鐘。 該沉積室係用於根據這些初始電流來沉積一晶圓。也 就是，在該第一半分鐘沉積(步驟1)期間，+.2安培係遞送 至陽極卜在該處理(步驟2)接下來1.25分鐘期間，持續95 毫秒將+ 1.8安培遞送至陽極1，接著持續25毫秒將-0.86安 培遞送至陽極1，接著持續10毫秒沒有電流流過1，並接 著重複該循環直到該步驟2的1.25分鐘時期結束爲止。總 之，該1.537安培-分鐘之電荷係遞送至該陽極1。這個値 係將時期、順向分數及來自步驟1之陽極1電流相乘，接 著加上該步驟2時期、該步驟2順向分數及該步驟2順向 陽極1電流的乘積，接著加上該步驟2時期、該步驟2逆 向分數及該步驟2逆向陽極1電流的乘積，如此而得。這 36 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) A7 550628 五、發明說明（β ) 類淨電鍍電荷可如下表格10所示地來對每個陽極作計算。 表格10 :於初始多步驟工作單中之淨電鍍電荷 陽極1 L537安培-分鐘 陽極2 1.845安培-分鐘 陽極3 2.614安培-分鐘 陽極4 1.690安培-分鐘 這些電鍍電荷値與使用該初始電流自該電鍍晶圓中測 量之厚度一起提交至該最佳化器。回應之，該最佳化器產 生用於每個電極之一組新淨電鍍電荷。這些新淨電鍍電荷 係示於下面表格11中 表格11 ··用於修正版工作單之新淨電鍍電荷 1 U37安培-分鐘+0.171286安培-分鐘：1.709安培-分鐘 陽極2 1.845安培-分鐘-0.46657安培-分鐘=1.379安培-分鐘 陽極3 2.614安培-分鐘+0.106337安培-分鐘=1.271安培-分鐘 陽極4 1.690安培-分鐘+0.188942安培-分鐘=1.879安培-分鐘 該最佳化器接著利用分割決定用於所有陽極之淨電鍍 電荷總和來決定用於該陽極之新淨電鍍電荷以計算每個陽 極所分得遞送至該陽極之電流。這些電流持份係示於下面 表格12中。 表格12 :用於修正版工作單之電流持份 陽極 1 1.709/7.6875 = 22.2 % 丨本紙張 (CNS)A4^(21〇x 297 /^) --------------------訂---------—AW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 A7 ___B7 五、發明說明（4 ) 陽極2 1.379/7.6875 =17.9 % 陽極3 1.271/7.6875 =35.5 % 陽極4 1.879/7.6875 =24.4 % 該最佳化器接著決定該工作單之每個步驟及階段中用 於每個陽極之一新電流，其係將用於該步驟及階段之總電 流乘以用於每個陽極計算之電流持份而得。這些係示於下 面表格13中。 表格13 :修正版多步驟工作單 步驟1 步驟2 1. 時間 0.5 1.25 2. 順向分數 1 0.730769 3. 陽極1電流 0.222281 2.000530 4. 陽極2電流 0.179371 1.614339 5. 陽極3電流 0.353895 2.200075 6. 陽極4電流 0.244452 0.192307 7. 逆向分數 -0.955808 8. 陽極1電流 -0.771295 9. 陽極2電流 -1.521748 10.陽極3流 -1.051147 11.陽極4電流 8.221153 12.順向安培-分鐘 0.5 -1.033653 13.逆向安培-分鐘 0 -1.033653 14.總値安培-分鐘 7.6875 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. |線· 550628 A7 ______B7___ 五、發明說明（1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 例如，可見到表格13之路線4中，用於步驟2之順向 陽極2電流係約爲1.61安培，其係將用於步驟200順向階 段之+9安培總電流乘以表格12所示用於該陽極2計算之 電流持份17.9 %計算而得。 比較表格13與表格9，可見到用於該修正版工作單之 最佳化器所表示之淨電鍍電荷變化係均勻分佈於本工作單 之步驟及階段。也可見到用於該修正版工作單之每個步驟 及階段之總電鍍電荷與該總電鍍電荷一樣係未變化該初始 多步驟工作單。該最佳化器可使用不同其它方式來分佈在 該工作單內之電鍍電荷變化。例如，可替換性分佈所有變 化至該工作單之步驟2中，保留來自該初始多步驟工作單 中之工作單步驟1不作變化。在某些實施例中，該最佳化 器於一多步驟工作單之每個步驟中維持並施加一不同靈敏 度矩陣。 在某些實施例中，該設備使用一預測控制回饋形式。 在這些實施例中，用於每組修正版電流，該最佳化器產生 一組預測性電鍍厚度。該最佳化器決定這些預測厚度及該 對應工件實際電度厚度間之差異。用於每個工件，本組差 異代表有該最佳化器在設定該工件電流中產生之誤差位準 。該最佳化器使用該組差異於該先前工件中利用減去與該 目標厚度變化之這些差異而產生用於該進入工件之電流變 化來改進該進入工件之效率。此方式，該最佳化器能夠更 1 夬得到該目標電鍍外形。 又’使用該最佳化器之樣本晶圓處理方法係述於下。 39 本紙張尺度適用中國國家標準* (CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 550628 A7 _______B7_ 五、發明說明（β ) 應注意，不想完全列出這類處理方法，而那些只包含典型 例子。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下表13顯示一使用該最佳化器之樣本晶圓處理方法’ 其中該步驟之子集可被選擇及/或修正以定義額外這類處理 方法。 表格13: 使用該最佳化器之樣本晶圓處理方法 ___工具/處理方法_ 1. 使用一或更多物理氣相沉積(“PVD”)工具來沉積金屬種 子層，以相同PVD工具於不同室或CVD室或無電沉 積室 2. 使用度量站來測量種子層膜厚度，不是在該工具上就 是一獨立站-度量站可自該膜之層電阻測量或光學測量 中推測膜厚度 3. 使用來自步驟2(前饋）中之測量及來自步驟6或8(回 饋)之先前SLE中之測量結果來施用最佳化器-存在 或獨立於一個人電腦上之工具-於一種子層強化 (“SLE”)室中 4. 於SLE室中沉積金屬層 5. 於SRD/封膠室中淸洗晶圓 6. 使用度量站來測量晶圓厚度 7. 在該工具上之回火室中或獨立站中回火晶圓 8. 使用度量站來測量晶圓厚度 9. 使用來自步驟7(前饋）中之測量及來自步驟12或14( 40 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公Θ 550628 B7 五、發明說明（，） 回饋）之先前ECD中之測量結果來施用最佳化器於 ECD室中 10.於ECD室中沉積最終金屬層 1 1.於封膠室中淸潔並傾斜蝕刻晶圓 12. 使用度量站來測量晶圓厚度 13. 於回火室中回火晶圓 14. 使用度量站測量晶圓厚度 這些步驟具有各類認證方式，包含：該測量/最佳化器 序列步驟可在工具認證或撥入期間執行；該測量/最佳化器 序列步驟可在週期性執行以監視執行；該測量/最佳化器序 歹[]步驟可在每個晶圓上執行；SLE處理可隨步驟2(也就是 本晶圚可圍繞這個佈路徑及相關處理步驟）中之測量結果來 選擇；晶圓序列可依據步驟2、6、8、12及14而中止、重 佈路徑或重新開始；測量/最佳化器步驟可在方法/硬體變 化後才執行；回火前後之測量（例如，層電阻）可用來決定 回火處理之有效性；金屬沉積步驟4及10可沉積於相同金 屬或不同金屬-它們可使用不同槽來沉積相同金屬；可 使用一或更多金屬沉積步驟，其沉積一或更多不同金屬； 該最佳化步驟可調整電流以產生一平坦厚度外形或一具有 一特定外形者；該最佳化步驟可調整電流以產生一用於未 來塡充之期待電流密度外形；根據度量結果，若該膜厚度 係不足的，該晶圓可轉向一用於額外金屬沉積之沉積室。 下表Η顯示一額外樣本處理方法： 41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 抑5J- -線· 550628 A7 B7 五、發明說明U Ο 表格14 : 使用該最佳化器之樣本晶圓處埋方、法 __#1_工具/處理 1. 使用PVD工具來沉積金屬種子層 2. 使用度量站來測量種子層膜厚度 3. 使用來自步驟2(前饋）中之測量及來自步驟7(回饋)J： 之先前ECD晶圓中之測量結果來施用最佳化器於 ECD室中 4. 於ECD室中沉積最終金屬層 5. 於回火室中回火晶圓 6. 於封膠室中淸潔及傾斜蝕刻晶圓 7. 使用度量站來測量晶圓厚度 下表15顯示一額外樣本處理方法： 表格15 : 使用該最佳化器之樣本晶圓處理方法 步驟_工具/處理方法 1. 使用PVD工具來沉積金屬種子層 2. 使用度量站來測量種子層膜厚度 3. 使用來自步驟2(前饋）中之測量及來自步驟6(回饋)之 先前ECD晶圓中之測量結果來施用最佳化器於ECD 室中 4. 於ECD室中沉積最終金屬層 5. 於回火室中回火晶圓 6. 於封膠室中淸潔及傾斜蝕刻晶圓 7. 使用度量站來測量晶圓厚度 42 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. 丨線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 ___B7____ 五、發明說明（Η ) 下表16顯示一額外樣本處理方法： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表格16: 使用該最佳化器之樣本晶圓處理方法 _ 步驟_ 工具/處理方法 1. 使用PVD工具來沉積金屬種子層 2. 使用度量站來測量種子層膜厚度 3. 使用來自步驟2(前饋）中之測量及來自步驟6(回饋)上 之先前SLE晶圓中之測量結果來施用最佳化器於ECD 室中 4. 於SLE室中沉積金屬層 5. 於回火室中回火晶圓 6. 於封膠室中淸潔及傾斜蝕刻晶圓 7. 使用度量站來測量晶圓厚度 如一'額外樣本處理方法’在該晶圚被攜帶至該電鏡工 具並置於一 SLE處理室中後，一具有一 PVD沉積之種子 層之晶圓厚度均勻性係於一專用度量工具上作測量。使用 來自該專用度量工具之測量，該最佳化器係用來選擇一 SLE工作單以加強該PVD沉積之種子層來產生一具有改進 厚度均勻性之種子層，而該SLE處理係在該晶圓上執行。 在該晶圓已被淸潔並在該電鍍工具封膠室其中之一中弄乾 後，該晶圓係傳送至一電鍍室，其中該最佳化器接著被用 來選擇一電鍍工作單以產生一名目種子層所須厚度之均勻 本體膜。在完成該本體膜電鍍處理後，該晶圓被傳送至一 封膠室，隨之將其自該工具中移去。 43 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 ____B7___ 五、發明說明（_) 如一額外樣本處理方法’ 一晶圓被帶至該電鍍工具並 置於該附在板上度量站中以決定該CVD沉積之種子層厚度 外形。該晶圓係接著傳送至一電鍍室。使用來自該附在板 上度量站中之種子層測量，該最佳化器係用來選擇一會在 該期待名目厚度處產生一凸（中間厚）體膜之電鍍工作單。 在該電鍍處理已完成後，該晶圓係傳送至一封膠清潔室， 隨之自該工具中移除。 如一額外樣本處理方法，一晶圓進入至一具有一使用 物理氣相沉積所施加之不均勻種子層之電鍍工具。一度量 站係用來測量該不均勻性，而該最佳化器操作該多電揮反 應器以校正該測量之不均勻性。接著使用一無電il#'.鍍 處理方法來執行種子層修復以產生一最終更均勻之種子層 。該最佳化器接著操作以沉積本體金屬在該修復之種子層 上。 如一額外樣本處理方法，一半導體製造具有二物理氣 相沉積工具(“PVD工具”），其中每個具有它自己特定的特 徵。一由該第一 PVD工具處理並具有一種子層不均勻性之 晶圓係指向一用於種子層修復之第一多電極反應器。一來 自具有一不同種子層不均勻性之第二PVD工具之晶圓係指 向一用於種子層修復之第二多電極反應器。本體金屬係接 著在該最佳化器控制下沉積於一第三CFD反應器中之二晶 圓之修復種子層上。 該最佳化器之額外應用包含： 單電鍍例··該生產環境可牽涉在一工具上之許多工作 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - -線- 550628 A7 _____B7 _ 五、發明說明（吶） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 單，因爲每個晶圓會需要多處理步驟。例如，也許有5-7 金屬互連層且每層具有不同處理參數。甚者’一工具可處 理一些不同產品。在該工具(像該CFD反應器)上具有一多 陽極反應器之優點係爲唯一陽極電流及最佳效率可用於標 示該工具上所有不同室之所有不同工作單。 一該最佳化器之基本應用係幫助生產中即將於一工具 上運轉之所有工作單之初始撥入處理方法中。在本模式中 ，工作單將在生產前使用該最佳化器作爲得到均勻性規格 之助力來寫入並作實驗性測試。在本工件生產之圖像中， 該最佳化器係只在該設定階段期間使用，以節省處理工程 自币花費在設定該工具及每個該工作單中之許多時間。若進 至該工具中之種子層係相同且穩定的，該上面圖像係足夠 的。 若該種子層係不一致的，接著分離式工具度量或整合 式度量可被用來監視該種子層中之變化且該最佳化器可用 來修正該工作單中之陽極電流以補償這些變化。 ECD種子跟著本體ECD後：在該序列電鍍步驟例中 ’每個電鑛步驟則後之度量允許以該最佳化器對每個處理 作工作單電流調整。在該ECD種子例中，該初始PVD或 CVD層之金屬可使用該最佳化器之前饋特徵來測量及調整 。注意：在本處理方法中，該種子層下之障礙層電阻也可 對該電鍍均勻性具有一大影響，若本層電阻可被測量，那 麼該最佳化器可被用來補償此效應(它可對該最佳化器多次 執行）。 45 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4 $格（210 X 297公釐） 550628 A7 ____B7___ 五、發明說明（蚪） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 撥入均勻電流密度工作單：利用該最佳化器及度量， 該最佳化器可用來幫助撥入工作單以在該特徵塡充期間確 保均勻電流密度。 查詢表：用以在不同厚度種子層(假設該種子層係真地 均勻)上均勻地電鍍之最佳電流可使用該最佳化器來發現這 些電流而預先決定。接著，當該種子層電阻率被測量時， 該電流可自一表格中查出。這個對該整個電鍍運轉中該種 子層電阻係爲常數之平台電鍍(焊接)係相當有用的。 該最佳化器可用以控制一大範圍類型及微電子工件處 理裝置之設計之處理參數。這類裝置之不同示例係說明於 下。/ 第8圖顯示一包含複數個可個別控制電極之內部處理 容器39實施例之基本構成。也說明其自該處理容器構成中 所致之相對應流速輪廓圖案。如所示，該處理容器39大體 上包括一主要流體流動室505、一前室510、一流體入口 5 15、一充滿物質空間520、一自該前室510中分開該充滿 物質空間520之流擴散器525及一自該主要室505中分開 該充滿物質空間520之噴嘴/插槽組件530。這些元件分工 合作以在具有一實質放射獨立標準元件之微電子工件25下 提供一電化學處理流體流（在此，屬於該電鍍溶液）。在所 示:之實施例中，該衝撞流係以約中心軸537爲中心並擁有 一正交於該微電子工件表面25之近乎均勻元件。此導致一 真地均勻之大量流向微電子工件表面以使其接著成爲真正 地均勻處理。 46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A7 ___B7 五、發明說明（β ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯然地，可獲得所欲之流動特徵而不須使用一配置於 該電極/陽極及被電化學處理（例如，電鍍）之微電子工件表 面間之擴散器。如此，用於該電鍍反應器中之陽極可被置 於緊鄰該微電子工件表面，藉以提供真正地控制用於該電 渡處理中之局部電場/電流密度參數。此在該電性參數之高 度控制允許易於改造該反應器來符合一大範圍電鍍需求(例 女口，種子厚度、種子類型、電鍍材料等等），而不用在該反 應器硬體上之一相對應改變。反之，改造可透過例如軟體 控制提供至該陽極之電源以改變用於該電鍍處理中之電性 參數來實做。 該反應器設計因而有效地去耦合調整至該電場之流體 流。本方式之一優點係爲當電鍍或其它電化學處理應用對 電場需要顯著變化時，一電鍍及其它電化學處理(也就是， 一提供一真正地均勻擴散層跨過該微電子工件之設計)用之 具有近乎理想流之室可被設計成不會降級。 如上述之處理容器39係提供複數個個別控制電極(此 後參考稱之爲”陽極”，但非限制用）。在所示實施例中，一 主要陽極580係配置於該主要室505之下部中。若該微電 子·工件25表面之四周邊緣放射延伸超過輪廓側壁560之範 圍，則該四周邊緣係自主要陽極580被電性屏障且減少的 電;鍍會發生於那些區域。如此，複數個環狀陽極585係以 一大體上同心的方式配置在斜側壁565上以提供電鍍電流 流向該四周區域。 所示實施例之陽極580及585係配置在距離被電鍍之 47 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 550628 A7 B7 五、發明說明（4 ) 微電子工件25表面不同距離處。尤其，該陽極580及585 係同心配置在不同水平面。結合垂直差異之這類同心安排 允許該陽極580及585被有效地放置緊接該微電子工件25 表面而不產生一相對應於由噴嘴535所量身定做流圖案之 不利影響。 一陽極在微電子工件25電鍍上所具有之控制效應及程 度係無關於那個陽極及被電鍍微電子工件表面間之有效距 離。尤其特別地，一陽極被有效地放置於一距離該微電子 件25表面之給予距離係相等之所有其它事物在該微電子 工：件之一較大區域上比一陽極被有效地放置於一距離該微 電子工件25表面具有約一較少量之影響。被有效置於距離 該微電子工件25表面稍大距離處之陽極因此透過該電鍍處 理比被置於一較小距離的那些具有較少局部性控制。因而 产屋要有效地定位該陽極緊接至該微電子工件25表面，因爲 這樣做允許更多方面適合於局部控制該電鍍處理。本增加 控制取得所產生之電鍍膜達到更均勻性之優點。這類控制 係例如在一可程式化控制器或雷同者控制下經由將該電鍍 電源提供給該個別陽極來達成。因此，對該電鍍電源之調 整可根據手動或自動輸入交付至軟體控制來產生。 在所示實施例中，當被定位距離該微電子工件25表面 £巨離B1時，陽極580係被微電子工件25有效地”看見”。 這是因爲在該陽極580及側壁560間之關係產生一具有一 ^3該側壁560最內尺寸所定義之有效區域之虛擬陽極。反 之，陽極585係爲從該最內陽極至以該最外陽極係最接近 48 衣紙張尺度適用中國國家標辱（CNS)A4規格（210 x 297公釐) ' --------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )§]·. -線· 550628 A7 ____B7_ 五、發明說明（〇；υ 該微電子工件25之最外陽極所處理之有效距離Β2、Β3及 Β4。在本實施例之所有陽極585係在緊接(也就是，在約i 时或更少，具有將該最外陽極係以約10毫米自該微電子工 件中間隔)被電鍍之微電子工件25表面。既然陽極585係 緊接至該微電子工件25表面，它們可透過在該微電子工件 四周部份之放射狀的膜成長來提供有效之局部控制。這類 局部控制在該微電子工件四周部份係特別可期待的，因這 些部份係更可能具有一高均勻斜率(通常，大部份係因所產 生之電性接觸在該微電子工件之種子層之最外四周區域處 而致該微電子工件四周比較於其中心部份具較高電鍍速率 ° ) 該前述陽極安排係特別適合用於電鍍具有高電阻種子 層之微電子工件及用於電鍍微電子工件上之高電阻材料。 大體而言，沉積之種子層或材料愈具阻性則在該中心陽極 580(或中心陽極）之電流大小應增加愈多以產生一均勻薄膜 〇 第9-12圖顯示一改進之反應器室之又一實施例。當同 時用於想要之陽極/電極隔離情況時，在這些圖形中所示之 實施例保留該具優勢之電場及該前述反應器構成之流特徵 。這類情況包含於下，但不限於此： •其中該電化學電鍍溶液之例子必須以一最有效之高 流速通過一例如一陽極之電極； •其中在該陽極表面之電化學反應中釋放之一或更多 氣體之例子必須被移除用以確保均勻電化學處理；及 49 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------— II-------丨丨丨丨訂---1 --AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 550628 __B7____ 五、發明說明（β ) •其中消費性電極之例子被使用。 參考第9及10圖，該反應器包含一至非常類似第4圖 所示之實施例流動路徑之處理室最內部中之電化學電鍍溶 液流動路徑。如此，具有類似功能之元件基於簡化理由未 被進一步辨識。反之，只有顯著不同於前述實施例之那些 音[5份反應器被辨識及說明於下。 介於該實施例間之一顯著區分存在於與該陽極及該相 關結構及流體流動路徑間之連接中。尤其，該處理容器39 包含在對應陽極室框架1017、1022、1027及1032中彼此 互爲同心配置之複數個環狀陽極1015、1020、1025及 1 030。如所示，每個陽極1015、1020、1025及1030具有 一大於前述實施例中所示之相對應陽極之表面區域之垂直 定向表面區域。四這類陽極係使用於所揭示之實施例中， 但一較大或較小數量之陽極可根據該電化學處理參數來使 並產生所要的結果。每個陽極1015、1020、1025及 1030係經由延伸至該處理基底37底部並終止於一用來連 接至一電力源之電性連接器之至少一相對應支架/傳導件 1 050來支撐於該相對應陽極室框架1017、1022、1027及 1 032 中。 根據該揭示之實施例，流至並流過該三最外之室框架 1 022、1027及1032之流體係提供自一與提供該流體流過 一最內之室框架10Π之入口 515分開之入口 1060之中。 女口所示，流體入口 515提供電化學溶液至一具有配置在它 的外壁中之複數個插槽1070之主線圏1065。插槽係在流 50 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 x 297公釐） " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -線· 550628 A7 B7 五、發明說明（Vj) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 體中流通於一包含複數個開口之空間1075至該電鍍溶液分 另ϋ進入該三陽極室框架1022、1027及1032。進入該陽極 室框架1017、1022、1027及1032之流體流過相對應於陽 極1015、1020、1025及1030之至少一垂直表面，且最好 ，爲兩個垂直表面。 每個陽極室框架1017、1022、1027及1032包含一開 向一相對應蓋子1085之上出口區域。如所示，蓋子1085 係配置於該反應器室中以使它們彼此互爲同心的。每個蓋 子包含一對應於具有每個蓋子邊緣終止在一垂直地位在緊 鄰外部同心蓋子下高度之其它邊緣而終止於一預定高度β 上緣1090。每個該三最內蓋子進一步包含一真正地垂直外 壁1095及一斜內壁1200。此壁構成產生一在介於同心配 置蓋子(具有一定義該流體流區域1205及與該最外陽極相 陽葡之最外流區域1205之槪廓性內壁之最內蓋子除外）間之 空隙區域中之流動區域，其增加該流體往上流向在處理下 之微電子工件表面之區域。區域之增加有效地減少沿著該 垂直流體流徑之流體流速，其當比較於在該特定流動區域 上面部份流動之流速時大於在該流動區域1205下面部份之 流速。 介於同心地相鄰蓋子之邊緣間之空隙區域定義複數個 虛擬陽極中每個之尺寸及外形，每個虛擬陽極係各別與一 配置在它的相對陽極室框架之對應陽極相關。處理下之微 電子工件可見到每個虛擬陽極之尺寸及外形係大致上獨立 於該對應真實陽極之尺寸及外形。如此，當它們被使過時 51 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 550628 A7 B7 五、發明說明（7 ) 而在尺寸及外形變化之消費性陽極可被使用於陽極1015、 1020、1025及1030，而在處理下之微電子工件沒看見一整 體陽極架構中之相對應變化。又，當它透過流動區域1205 垂直處理時給予經由該流體流所實驗之減速，一高流體流 速可被引進橫過該陽極室框架1022、1027及1032中之陽 極1015、1020、1025及1030垂直表面而同時產生一放身寸 狀橫過處理下之微電子工件表面之非常均勻流體流圖案。 女口上述，這類高流體流速橫過該陽極1015、1020、1025及 1030之垂直表面當使用例如來自Atotech提供之電鍍流體 之某電化學電鍍溶液時係爲可期待的。而且，這類高流體 流速可用來協助移除在該陽極，尤其是入口陽極表面形成 之某些氣體泡泡。最後，每個該陽極室框架10Π、1022、 1027及1032可在其上面部份提供一或更多出口（未圖示)以 捏，出這類氣體。 進一步注意，不像前述實施例，元件1210係一自一介 電質材料中彩成之套件(securement)。該套件1210係用來 將形成反應器基底35之複數個結構夾在一起。雖然套件 1210可自一傳導性材料中形成以使它可作用如一陽極。處 理下之微電子工件所見之最內陽極係最好爲一對應至該最 內陽極1015之虛擬陽極。 第11及12圖顯示電腦模擬一根據第13至15圖所示 之實施例所架構之反應器之流體流速輪廓。在本實施例中 ’該反應器基底之所有陽極可透過該陽極室框架自一流體 流中隔離。最後，第11圖顯示當一電鍍溶液流動係提供至 52 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： -線· 550628 A7 B7 五、發明說明（V!) 每個該陽極室框架時發生之流體流速輪廓，而第12圖顯示 當沒有提供電鍍溶液流動經該陽極至該陽極室框架時發生 之流體流速輪廓。此後者情況可藉由關閉來自該第二流體 流動入口（說明於下）中之流動來完成該反應器中及類似地 藉由關閉流至入口 1060之流體流動來完成於第9及10圖 之反應器中。這類狀況在其中一電鍍溶液流過該陽極表面 係發現到顯著地減少該溶液之有機附加濃度之那些例子中 係可期待的。 第13圖顯示第10圖中所示之反應器實施例之變化。 爲了簡化起見，只有有關於下述之元件被提供參考號。 本進一步實施例使用一不同結構用以提供流體流動至 該陽極1015、1020、1025及1030。尤其，該進一步實施 伊(J使用一用作一用於供應及分佈該處理流體至該陽極室框 架 1017、1022、1027 及 1032 之入口之入口件 2010。 利用參考至第13及14圖，該入口件2010包含一可用 來提供一電鍍流體流動之中空幹道2015。該中空幹道2015 糸冬止在一步階式集線器2020。步階式集線器2020包含複 數個步階2025，每個包含一量身來接收及支撐該陽極室框 架之一對應壁之溝槽。處理流體係透過從一歧管區域處理 至:相對應之陽極室框架中之複數個通道2030而被引導至該 陽極室框架中。 此後者入口的安排係有助於進一步將陽極1015、1020 、1025及1030彼此間互相電性隔離。這類電性隔離係因 在該陽極間之電性流徑之電阻增加而發生。該增加之電阻 53 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 線- 550628 A7 ____Β7____ 五、發明說明（ f系存在於該陽極室框架間之流體流徑之長度增加之一直接 結果。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該電鍍電力被供應至該微電子工件其四周邊緣之方式 影響該沉積金屬之整體膜品質。一用來提供這類電鍍電力 之:接觸組件之某些更可能特徵包含下例： •均勻分佈電鍍電力接近該微電子工件四周以極大化 該沉積膜之均勻性； •連續接觸特徵確保晶圓對晶圓均勻性； •少量侵入在該微電子工件四周上之接觸組件以極大 化:用於裝置製造之有效區域；及 •少量電鍍在接近該微電子工件之障礙層上以禁止剝 皮及/或落屑。 爲了符合前述特徵之一或更多，反應器組件20最好使 用一包含第3圖所示之接觸85之接觸組件。該接觸組件可 ί旨定來提供該微電子工件25 —連續電性接觸或一大量不連 續電性接觸。經由提供一與該微電子工件25之外部四周邊 緣之更連續接觸，在本例環繞該半導體晶圓外部周圍中’ 一均勻電流係提供給該微電子工件25以促進均勻電流密度 。該均勻電流密度強化該沉積材料深度中之均勻性。 該接觸組件可包含提供接近該微電子工件四周之少量 ί曼入之接觸件而同時提供與該種子層之一致性接觸。與該 種子層之接觸係利用一接觸件結構來在該微電子工件被帶 人與該接觸組件結合時提供對該種子之掃除動作。本掃除 動作有助於移除在該種子層表面之任何氧化物，藉此強化 54 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 550628 A7 ___B7___ 五、發明說明（〇) 該接觸結構及該種子層間之電性接觸。結果，接近該微電 子工件四周之電流密度均勻性被增加且該產生之薄膜係更 均身。又，該電性接觸之這類連續性有助於在來自晶圓至 晶摑之電鍍處理中之較大連續性，藉此增加晶圓至晶圓之 均J勻性。 該接觸組件也包含提供一獨立或結合其它結構之一或 更多結構之障礙，用以自該電鍍溶液中分開該接觸/該些 接觸8 5、該微電子工件2 5之四周邊緣部份及背面。道 個阻止金屬電鍍在該個別接觸上，且進一步有助於阻止靠 近該微電子工件2 5邊緣之障礙層之任何曝露部份被曝露 於該電鍍環境中。結果，電鍍該障礙層及因任何鬆地黏附 電鍍材料之落屑而發生污染之相關潛在性係真地受限制。 適於現在系統使用之典型接觸組件係示於USSN09/1 13,723 中，時間1998年7月10日，名稱爲”PLATING APPARATUS WITH PALTING CONTACT WITH PERIPHERAL SEAL MEMBER”，在此將其一倂整合參考之 ο 該前述反應器組件之一或更多可被輕易地整合於一能 夠在一例如一半導體微電子工件之工件上執行複數個處理 程序之處理工具中。一這類處理工具係爲可自Montana州 Klalispell市之Semitool公司中取得之1^-2101^電鑛設備 。第15及16圖顯示這類整合。 第15圖系統包含複數個處理站1610。最好，這些處 理I站包含一或更多沖洗/乾燥站及一或更多電鍍站（包含上 55 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -線· 550628 A7 B7 五、發明說明（A ) 面者之一或更多電鍍反應器），儘管根據本發明構成之進一 歩浸入化學處理站也是可以使用的。該系統也最好包含一 例J如1615之熱處理站以包含適於快速熱處理(RTP)之至少 一熱反應器。 該工件係使用沿著一中心軌道1625配置用於內襯移動 之一或更多機器傳送機制1620來傳送於該處理站1610及 該RTP站1615之間。一或更多該站1610也整合適用於執 行一現場沖洗之結構。最好，所有該處理站及該機器傳送 機制係配置於一密室中以提供具有一正氣壓之過濾空氣， 藉以限制可能會減少該微電子工件有效性之懸浮污染物。 第16圖顯示一實施例之處理工具，其係配置在部份 1630中且包含至少一熱反應器而整合於一工具組中之RTP 站1635。不像第15圖之實施例，至少一熱反應器係由一 專用機器機制1640來服務。該專用機器機制1640接收工 件以利用該機器傳送機制1620來傳送給它。傳送可能透過 一中間階段門/區域1645而發生。如此，它變成可能衛生 f生地自該工具其它部份中分開該處理工具之RTP部份1630 。此外，使用這類構成，所示之回火站可被架設爲一裝附 式一升級一現存工具組之分開式模組。將了解，除了或取 代RTP站1635外其它型處理站可座落於部份1630中。 將可想像，該最佳化器可使用於處理半導體工件之一 或更多階段之大變化處理中。再想像，該最佳化器可於執 行只以用於該最佳化器之某機制來傳送控制參數至這類處 理工具之這類處理之處理工具中完全獨立地操作。當然， 56 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · · 線· 550628 A7 B7 ------ '~^""一 ' 一 . 五、發明說明（β ) 該最佳化器及處理工具可在該不同族群控制及/或擁有權下 操作及/或操作於不同的實體位置。 一些修改可被產生於該所述最佳化器中而不偏離其基 本教示。例如，雖然本發明係說明該微電子工件之電化學 處理內容，在此之教示也可延伸至包含不同類材料沉積處 理之其它類型微電子工件處理。例如’該最佳化器可用來 控制例如正或負電泳光阻或電泳塗料、化學或物理氣相沉 積等等。實際上，在此之教示可延伸至具有個別控制處理 元件以回應性的來控制參數及在該微電子工件上之一物理 特徵上具有相依效果以使用該元件來處理之其它微電子工 件處理系統。這類系統可使用在前述所提出之敏感度表格 或矩陣並使用它們配合一或更多輸入參數組作計算以得到 精確地導致該微電子工件之目標物理特徵之控制參數値。 雖然本發明已參考一或更多特定實施例來非常詳細地說明 ，熟知此項技術之那些人士將了解可對其作改變而不偏離 於此前述之本發明範圍及精神。 57 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · --線

Claims (1)

1. 550628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 g? 六、申請專利範圍 1·一種在計算系統中用以控制電鍍處理之方法，其中 在每一電鍍循環中以一材料電鍍〜序列工件且該控制包含 爲每個電鍍工件指定供應至複數個電鍍陽極中每個之電流 ，包括下列步驟： 架設一 Jacobian敏感度矩陣以特徵化在改變每個該複 數:個陽極所提供之電流之每個複數個工件位置之電鍍材料 厚度上之效應； 接收一在該複數個工件位置中每個之目標電鍍材料厚 度規格； 施用該Jacobian敏感度矩陣以產生一是否應改變一組 底線陽極電流以產生特定目標電鍍材料厚度而不是導自該 底線組陽極電流所示之底線電鍍材料厚度之第一決定； 根據該第一決定來使用一經由改變該底線組陽極電流 而"產生一組指定陽極電流以產生~導引一對應至一第一工 ί牛之第一電鍍循環之指示； 接收在該第一工件之複數個工件位置中每個測量電鍍 材料厚度； 施用該Jacobian敏感度矩陣以產生一是否應改變指定 用於該第一電鍍循環之該組陽極電流以產生特定目標電鍍 材料厚度而不是該第一工件之測量電鍍材料厚度之第二決 定；及 根據該第二決定來使用一經由改變指定用於該第一電 鑛循環之該組陽極電流所產生之一組指定陽極電流來產生 一用以導引一對應至一第二工件之第二電鍍循環之指示。 1 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------IT---------^---Awl (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括： 接收來自該第二電鍍循環中該複數個工件位置之每個 之測4電鍍材料厚度； 決定來自該第二電鍍循環中之測量電鍍材料厚度係於 該特定目標電鍍材料厚度之一特定容限內；及 爲了對應該決定而利用指定用於該第二電鍍循環之該 糸且陽極電流來產生一或更多指示來導以複數個進一步之電 #度循環。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括： 接收來自該第二電鍍循環中該複數個工件位置之每個 之測量電鍍材料厚度； 施用該Jacobian敏感度矩陣以產生一是否應改變指定 用於該第二電鍍循環之該組陽極電流以產生特定目標電鍍 材料厚度而不是該第二工件之測量電鍍材料厚度之第三決 定；及 根據該第三決定來使用經由改變指定用於該第二電鍍 ί盾環之該組陽極電流所產生之一組指定陽極電流來產生一 用以導引一第三電鍍循環之指示。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括： 在該第一電鍍循環前，在該複數個工件位置接收該第 一工件之測量種子層厚度；及 在該第二電鍍循環前，在該複數個工件位置接收該第 二:工件之測量種子層厚度， 且其中，經由施用該Jacobian敏感度矩陣所產生之第 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ------^--------- 線丨參 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 二1決定係一按照該第一及第二工件之測量種子層厚度間之 差異決定是否應改變指定用於該第一電鍍循環之該組陽極 電:流以產生特定目標電鍍材料厚度而不是該第一工件之測 量電鍍材料厚度。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該Jac〇bian敏 感度矩陣係自該電鍍處理之一數學模組中產生。 6. 如申請專利朝圍苐1項之方法，其中該Jacobian敏 感度矩陣係來自經由操作該電鍍處理所得到之資料中產生 〇 7·如申請專利範圍第1項之方法，其中該底線電鍍材 料* G度係來自利用該電鍍處理之一數學模組來模擬操作該 _鍍處理所得到之資料中產生。 8_如申請專利範圍第1項之方法，其中該底線電鍍材 半斗厚度係來自以該底線陽極電流操作該電鍍處理所得到之 料中產生。 9·一種在計算系統中用以提供一處理之迴路控制之方 法’其中該處理系用以施加一塗佈材料至一系列工件以產 生該塗佈材料之一塗佈層，包括下列步驟： (a) 接收一表示在該工件上產生之塗佈層之一或更多 屬性之塗佈外形； (b) 指定一第一組塗佈參數用於塗佈一第一工件； (c) 辨識使用該第一組塗佈參數於該第一工件上產生 之塗佈層屬性及該塗佈外形所示之屬性間之一第一組差異 竇 一 3 &度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 ------^---------^---AW1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (d) 決定一用以減少該辨識出之第一組差異所期待之 該第一組塗佈參數之第一組修正； (e) 根據所決定之第一組修正來修正該第一組塗佈參 數以產生一第二組塗佈參數； ⑴指定該第二組塗佈參數使用於塗佈一第二工件； 及 (g)重複(c) - (f)至該序列中接著之工件，直到該組辨 識之差異落在一選擇之容限內。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，進一步包括在(g)後 中旨定將該組最後所產生之塗佈參數使用於塗佈接著之工件 〇 11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中每個工件係爲 ——矽晶圓。 12. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該塗佈材料係 爲一導體。 13. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該塗佈材料係 銅。 14. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該處理方法係 執行於一具有複數個陽極之電解室中，且其中至少一部份 該塗佈參數係爲用以傳送至該複數個陽極中被辨識之陽極 之電流。 15. 如申請專利範圍第9項之方法，其中由該塗佈外形 所表示之工件上產生之塗佈層之至少一部份屬性係爲該工 件上所選擇區域中該塗佈層之目標厚度。 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -------訂 *-------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   中請專利範圍 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 16·如申請專利範圍第15項之方法，其中在⑷中所辨 之差異對應至在該塗佈工件上所選擇區域中測量到之厚 _及由用於該塗佈工件上所選擇區域之塗佈外形所表示之 §標厚度間之差異。 17·如申請專利範圍第15項之方法，進一步包括： 根據該第一組塗佈參數在該第一工件上所選擇區域中 _生一組預測塗佈厚度； 接收一在該塗佈之第一工件上之選擇區域中所測量之 摩度指示； 計算一在該預測塗佈厚度及該指示測量厚度間之差異 •，及 在使用該第一組修正來修正該第一組塗佈參數前，自 _決定之第一組修正中減去該計算之差異。 18·如申請專利範圍第15項之方法，其中每個該工件 有一種子層， 咳方法進一步包括： 用於每個該第一及第二工件，在該工件被塗佈前，接 收一在該工件上之選擇區域中所測量之種子層厚度之指示 ;及 在指定該第二組塗佈參數使用於塗佈一第二工件前， 再調整該第二組塗佈參數以調整在該第一及第二工件之測 量厚度間之差異。 19·如申請專利範圍第9項之方法，其中該塗佈處理係 爲電解液沉積。 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） I-------I -------^ ·11111--I I I 1AW. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 20. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該塗佈處理係 電泳沉積。 21. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該塗佈處理係 爲化學氣相沉積。 22·如申請專利範圍第9項之方法，其中該塗佈處理係 爲物理氣相沉積。 23·如申請專利範圍第9項之方法，其中該塗佈處理係 爲電子束霧化。 24·如申請專利範圍第9項之方法，其中（d)使用一屬性 之敏感度矩陣映射變化至用以產生這些屬性變化所期待之 塗佈參數變化。 25·—種電腦可讀取媒體，其內容會使計算系統提供一 處理之迴路控制來施加一塗佈材料至一系列工件，用以經 由下列方法來產生該塗佈材料之一塗佈層，係包括： (a) 接收一表示在該工件上產生之塗佈層之一或更多 屬性之塗佈外形； (b) 指定一第一組塗佈參數用於塗佈一第一工件； ⑷辨識使用該第一組塗佈參數於該第一工件上產生 之塗佈層屬性及該塗佈外形所示之屬性間之一第一組差異 (d)決定一用以減少該辨識出之第一組差異所期待之 該第一組塗佈參數之第一組修正； ⑷根據所決定之第一組修正來修正該第一組塗佈參 數以產生一第二組塗佈參數；及 ____ 6 成張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） ------訂--------- 線！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 §S8 §____ 六、申請專利範圍 (f)指定該第二組塗佈參數使用於塗佈一桌一工件 26. 如申請專利範圍第25項之電腦可讀取媒體，進一 步包括重複(c) _ (f)至該序列中接著之工件，直到該組辨識 之差異落在一選擇之容限內。 27. —種在計算系統中用以自動架構參數之方法，其中 該參數係控制用於一序列至少含二晶圓中之每一個上沉積 材料之沉積室的操作以改進與一特定沉積圖案之一致性， 包括下列步驟： 用於該序列晶圓中之每個’在材料被沉積在該晶圓上 之前測量該晶圓厚度； 用於該序列晶圓中之每個’在材料被沉積在該晶圓上 之:後測量該晶圓厚度； 在該序列之第一晶圓後之每個該序列晶圓中，根據該 特定沉積圖案、在該目前晶圓上沉積材料前之目前晶圓測 量厚度、在該先前晶圓上沉積材料前於該序列中之先前晶 圓之測量厚度、用來在該先前晶圚上沉積材料所使用之參 數及在材料被沉積在該先前晶圓後之先前晶圓測量厚度， 來架構用以在該晶圓上沉積材料之參數。 28. 如申請專利範圍第27項之方法，其中該特定沉積 圖案係一平面沉積圖案。 29·如申請專利範圍第27項之方法，其中該特定沉積 圖案係一凹面沉積圖案。 3〇·如申請專利範圍第27項之方法，其中該特定沉積 圖案係一凸面沉積圖案。 7 -------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 31. 如申請專利範圍第27項之方法，其中該特定沉積 圖案係一任意放射狀外形。 32. 如申請專利範圍第27項之方法，其中該特定沉積 圖案係一任意外形。 33. 如申請專利範圍第27項之方法，進一步包括，用 方令一第二沉積室中： 取得具有在該沉積室及該第二沉積室間差異特徵之一 糸且位移値； 根據該組取得之位移値來修正用於該沉積室中最後架 構之參數以得到一用於該第二沉積室之參數；及 利用所得到用於該第二沉積室之參數來架構該第二沉 積室。 34. —種用以自動架構參數之裝置，其中該參數係控制 用於一序列晶圓中之每一個上沉積材料之沉積室的操作以 己夂進與一特定沉積圖案的一致性，係包括： 一在材料被沉積在該晶圓前用以測量該序列晶圓中每 一個厚度之沉積前測量子系統； 一在材料被沉積在該晶圓後用以測量該序列晶圓中每 一個厚度之沉積後測量子系統； 一參數架構子系統，其根據該特定沉積圖案、在該目 前晶圓上沉積材料前之目前晶圓測量厚度、在該先前晶圓 上沉積材料前於該序列中之先前晶圓之測量厚度、用來在 該先前晶圓上沉積材料所使用之參數及在材料被沉積在該 先前晶圓後之先前晶圓測量厚度，來架構用以在該序列之 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------訂---------線—AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第一晶圓後之每個序列晶圓上沉積材料之參數。 35. —種在計算系統中構成敏感度矩陣之方法，其中該 每夂感度矩陣可用來調整一電鍍室中之複數個電極電流以改 進電鍍均勻性，包括下列步驟： 用於該電鍍工件上之複數個放射部份中之每一個，當 一組底線電流被遞送至該電極時，在該工件之那半徑處上 得到一電鍍厚度； 用於每個電極，複數個放射部份中之每個，當該底線 電;流因那個電極而被干擾時，在該工件之那半徑處上得到 ——電鍍厚度；及 構成一矩陣，該矩陣之一第一維對應至該複數個電極 ，該矩陣之一第二維對應至該複數個半徑，用於一特定電 極及一特定半徑之每一項係決定於自當該底線電流因那個 電:極而被干擾時的那半徑處上厚度中減去當該底線電流被 遞送至該電流時的那半徑處上厚度，接著除以來自它的底 糸泉電流干擾之那個電極電流。 36. 如申請專利範圍第35項之方法，其中用於每個電 極之電流係受到約+ .05安培之干擾。 37. 如申請專利範圍第35項之方法，其中用於每個電 極之電流係受到一範圍介在1%及10%間之因數干擾。 38. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該得到之厚 度係根據該電鍍室之一數學模組來執行該電鍍室操作模擬 而得。 39. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該得到之厚 9 I -------訂------1— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 550628 _____ 六、申請專利範圍 度係利用測量在該電鍍室中所電鍍之工件而得。 40·如申請專利範圍第35項之方法，進一步包括重複 該方法以產生用於各種不同狀況之額外敏感度矩陣。 41·如申請專利範圍第35項之方法，進一步包括使用 該構成之敏感度矩陣來修正用於電鍍一電鍍一第一工件所 ί吏用之第二工件電流，如此該修正電流使得所電鍍之第二 工：件比該第一工件更均勻。 42·-種一或更多之電腦記憶體，其總括地包含一有關 一具有用於在一具有所選擇的半徑上沉積材料之複數個沉 積初始器之沉積室之敏感度矩陣資料結構、一有關每個該 沉積初始器之控制參數，該資料結構包括複數個數量項， 每個該數量項預測對於一在與一給予之沉積初始器相關之 控制參數中所給予之變化而言，在一給定之半徑上所沉積 之材料厚度中所期待之變化， 如此該資料結構之內容可用來決定爲了較一致之沉積 材料厚度至一沉積材料厚度之目標外形所修正之沉積初始 器參數。 43·如申請專利範圍第42項之電腦記憶體，其中該沉 積初始器係爲電極，且其中與該沉積初始器相關之控制參 數:係爲遞送至該電極之電流。 44·如申請專利範圍第42項之電腦記憶體，其中該敏 感度矩陣資料結構係爲一 Jacobian敏感度矩陣。 45.如申請專利範圍第42項之電腦記億體，其中該電 月鐘記憶體包含許多敏感度矩陣資料結構，每一個適合於一 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I -------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 糸且不同狀況。 46·—種一或更多之電腦記憶體，其總括地包含一用以 控制一材料沉積處理之資料結構之電腦記憶體，其包括用 於該材料沉積處理之一組參數値，該參數係利用調整一組 較早使用之參數以解決一使用該組較早使用之參數及一該 沉積處理所表示之目標沉積外形所沉積之工件測量間之差 異來產生的， 如此該資料結構內容可用來沉積一與該所示之沉積外 开多相當一致之額外工件。 如申請專利範圍第46項之電腦記憶體，其中該沉 積處理使用複數個電極，且其中該組之每個參數値係一遞 送至該複數個電極其中之一之電流量。 48·一種一或更多之電腦記憶體，其總括地包含一沉積 室位移資料結構之電腦記憶體，包括用以指示如何調整在 一第一沉積室中得到可接受沉積結果所使用之第一參數組 以產生可使用在一第二沉積室中得到可接受沉積結果之第 二:參數組之一組値。 49.一種用以電化學處理一微電子工件之反應器，包括 一架構以得到一電化學處理流體之流體室； 在該流體室中之複數個電極； 一在該流體室中可定位來持住該微電子工件之工件支 撐物； 一連接至該微電子工件表面及該複數個電極之電力供 π __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 ------訂---------線— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 應器，該複數個電極中至少二個係個別連接至該電力供應 器以有助於其上電力之個別供應；及 一連接至該電力供應器之控制系統，其用以控制各自 與每個該個別連接之電極相關之至少一電力參數，該控制 系統根據一或更多輸入參數及複數個預定敏感度値來設定 該至少一電力參數給該個別連接電極中之一指定者，該預 定敏感度値對應至來自該個別連接電極中之一指定者之電 力參數干擾所導致之處理干擾。 50·如申請專利範圍第49項之反應器，其中該至少一 電:性參數係爲電流。 51·如申請專利範圍第49項之反應器，其中該敏感度 ί直係邏輯性地安排於該控制系統內作爲一或更多Jacobian 矩陣。 52·如申請專利範圍第49項之反應器，其中該至少一 使用者輸入參數包括一在該微電子工件之至少一表面上作 電化學沉積之膜厚度。 53·如申請專利範圍第49項之反應器，其中該個別連 接電極係安排成彼此互爲同心的。 54. 如申請專利範圍第49項之反應器，其中該個別連 接電極係配置在距離該微電子工件相同有效距離處。 55. 如申請專利範圍第54項之反應器，其中該個別連 接電極係安排成彼此互爲同心的。 56·如申請專利範圍第49項之反應器，其中該個別連 接電極中至少二者係配置在距離該微電子工件表面不同有 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公髮） ------^--------- 線丨令 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 A8 B8 C8 D8 t、申請專利範圍 交夂距離處。 57. 如申請專利範圍第56項之反應器，其中該個別連 接電極係安排成彼此互爲同心的。 58. 如申請專利範圍第57項之反應器，其中該個別連 接電極係安排在自該複數個同心陽極中之最外者至該個別 連接電極中之最內者中離該微電子工件之距離漸增處。 59. 如申請專利範圍第49項之反應器，其中一或更多 該個別連接電極係一虛擬電極。 60. —種在計算系統中用以控制在具有複數個電極之電 鑛室中具有許多步驟之電鍍處理之方法，包括： 用於每個電極，利用加總在該處理之每個步驟中遞送 至該電極之電鍍電荷來決定在一第一電鍍循環期間遞送至 該電極以電鍍一第一工件之淨電鍍電荷； 將一在電鍍該第一工件中所得之電鍍外形與一目標電 鑛外形作比較，用以辨識在該所得電鍍外形及該目標電鍍 夕f形間之差異； 決定用於所選之每個電極之新淨電鍍電荷以減少在一 第二工件中所辨識之差異； 針對每個新電鍍電荷，分配該新淨電鍍電荷到該處理 #驟上； 使用該分配之新淨電鍍電荷來決定一用於該處理每個 步驟之每個電極之電流；及 使用每個步驟之每個電極中所決定之電流來導引一用 以電鍍一第二工件之第二電鍍循環。 . 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A、申請專利範圍 61. 如申請專利範圍第60項之方法，其中該新淨電鍍 電:荷係均勻分配至該處理之所有步驟中。 62. 如申請專利範圍第60項之方法，其中該新淨電鑛 電荷係利用分配至該處理之一單步驟中在該新淨電鍍電荷 及該遞送之淨電鍍電荷間之差異來分配至該處理之步驟中 〇 63. 如申請專利範圍第60項之方法，其中該分配包含 分^配該新淨電鍍電荷至該處理步驟之一所選擇者之二或更 多階段中之每個。 64. 如申請專利範圍第60項之方法，進一步包括重複 該方法用以再減少介於該所得電鍍外形及該目標電鑛外形 P高之差異。 65. 如申請專利範圍第60項之方法，其中一敏感度矩 障係用來決定該新淨電鍍電荷。 66. 如申請專利範圍第60項之方法，其中一敏感度矩 陣係用來決定一用於該處理之每個步驟中之新淨電鍍電荷 〇 67. 一種在電腦系統中旨平墓電鑛反應益設5十之方法’包 括： 施用一具體化該反應器設計之數學模組至一組初始電 極電流以決定一第一產生之電鍍外形； 將該第一產生之電鍍外形與一目標電鍍外形作比較以 得到一第一差異； 施用一敏感度技術以辨識一組修正之電極電流； 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 A8 g _________D8 ι 六、申請專利範圍 施用該數學模組至該組修正之電極電流以決定一第二 產生之電鍍外形； 將該第二產生之電鍍外形與該目標電鍍外形作比較以 得到一第二差異；及 根據所得之第二莲異來評量該設計。 68·種用以自動選擇參數之裝置，其中該參數係使用 於控制在所選晶圓上沉積材料以最佳化與特定沉麵案一 致性之沉積室操作，包括： 一測量接收子系統，其接收： 在該晶圓上沉積材料前，該所選晶圓之沉積前厚度； 在該已沉積晶圓上沉積材料後，一已沉積晶圓之沉積 後厚度；及 在該晶圓上沉積材料前，該已沉積晶圓之沉積前厚度 :及 …根據該特定沉積圖案、該所選晶圓沉積前厚度、該已 沉積晶圓沉積前厚度、在該已沉積晶圓上沉積材料所使用 之參數及該已沉積晶圓沉積後厚度來選擇該所選晶圓上沉 積材料所使用參數之〜選擇子系統。 69.如申請專利範圍第68項之裝置，進一步包括一使 用該參數選擇子系統所選擇之參數來在該所選晶圓上沉積 材料之沉積室。 7〇·如申請專利範圍第68項之裝置，進—步包括一包 含一由該參數選擇子系統用來在該所選晶圓上沉積材料所 選之參數所使用之敏感度矩陣之記憶體。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 71·一種在計算系統中用以自動架構參數之方法，其中 該參數可用於控制一沉積室操作以在所選晶圓上沉積材料 來最佳化與一特定沉積圖案之一致性，包括下列步驟·· 在材料被沉積在該晶圓前接收該所選晶圓之沉積前厚 度； 在材料被沉積在該已沉積晶圓後接收一已沉積晶圓之 沉積後厚度；及 在材料被沉積在該晶圓前接收該已沉積晶圓之沉積前 厚度； 根據該特定沉積圖案、該所選晶圓沉積前厚度、該已 沉積晶圓沉積前厚度、在該已沉積晶圓上沉積材料所使用 之參數及該已沉積晶圓沉積後厚度來選擇在該所選晶圓上 沉積材料所使用之參數。 72.如申請專利範圍第71項之方法，進一步包括使用 該所選參數來控制一在該所選晶圓上沉積材料之沉積室。 73·如申請專利範圍第71項之方法，其中一敏感度矩 陣係用於選擇在該所選晶圓上沉積材料所使用之參數。 74·—種用以電化學處理微電子工件之反應器，包括： 一架構來包含一電化學處理流體之流體室； 在該流體室中之複數個電極； 〜在可定位以持住該流體室中之微電子工件之工件支 撐物；及 〜連接至該微電子工件表面及該複數個電極之電力供 應器，該複數個電極中至少二個係個別連接至該電力供應 16 __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線---AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 器以有助於其上電力之個別供應，根據一提供於該個別連 接電極之電力參數來架構該電力供應器以提供電力至每個 ί固別連接電極，每個電力參數係根據一或更多輸入參數及 複:數個預定敏感度値，該預定敏感度値對應至來自該個別 連接電極中之一指定者之電力參數干擾所導致之處理干擾 〇 75. 如申請專利範圍第74項之反應器，其中每個電力 參數係爲一電流位準。 76. 如申請專利範圍第74項之反應器，進一步包括一 用以選擇對應至每個個別連接電極之電力參數之電力參數 選擇子系統。 77. —種使用複數個電極來電鍍所選表面之方法，包括 下列步驟： 得到一由複數個電流位準所組成之電流規格組，每個 丰票不該複數個電極中之一特定者，該電流規格組之電流位 準包括一區別電流規格組之一修正電流位準用以根據該區 另[J電流規格組來改進電鍍所產生之結果；及 用於每個電極，利用該電流規格組遞送該電極所標示 之電流位準至該電極用以電鍍所選之表面。 78·如申請專利範圍第77項之方法，其中該電流規格 糸且係經由一介面來接收而得。 79. 如申請專利範圍第78項之方法，其中該介面係一 使用者介面。 80. 如申請專利範圍第78項之方法，其中該介面係一 ____ 17 ____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- 線《丨命 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 ί由取式媒體驅動。 81.如申請專利範圍第78項之方法，其中該介面係一 網路連接。 82·如申請專利範圍第77項之方法，其中該電流規格 糸且係經修正該區別電流規格組而得。 83·—種用以處理微電子工件之方法，包括下列步驟： ⑷使用一物理氣相沉積法來施用一種子層至該工件 y (b)使用一度量裝置來測量所施用種子層之不均勻性 (c) 校正一根據該施用種子層所測量之不均勻性及該 多電極反應器特徵所決定之電性參數來操作其電極之多電 極反應器中該施用種子層所測量之不均勻性。 84·如申請專利範圍第83項之方法，進一步包括下列 步驟於⑷之後： (d) 交付該工件至一無電離子電鍍處理用以強化該種 子層。 85·如申請專利範圍第84項之方法，進一步包括下列 步驟於(d)之後： 使甩一度量裝置來測量該強化種子層之厚度； 在根據該強化種子層厚度及該多電極反應器特徵所決 定之電性參數來操作其電極之一多電極反應器中之種子層 IM部上沉積~^本體金屬層。 86.—種用以處理微電子工件之方法，包括下列步驟： 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------^---------線—AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (a) 使用一第〜物理氣相沉積工具來施用一種子層至 —第一工件； (b) 使用一第二物理氣相沉積工具來施用一種子層至 ——第二工件； (0使用一度量裝置來測量施用至該第一工件之種子 層之不均勻性； (d) 使用一度量裝置來測量施用至該第二工件之種子 層之不均勻性； (e) 校正一根據施用至該第一工件之種子層所測量之 不均勻性及該第一多電極反應器特徵所決定之電性參數來 操作其電極之第一多電極反應器中施用至該第一工件之種 子層所測量之不均句性； ⑴校正一根據施用至該第二工件之種子層所測量之 不均句性及該第二多電極反應器特徵所決定之電性參數來 操作其電極之第二多電極反應器中施用至該第二工件之種 子層所測量之不均勻性。 87·如申請專利範圍第86項之方法，進一步包括下列 涉驟於(0之後： 使用一度量裝置來測量該第一工件之校正種子層厚度 在根據該第一工件之校正種子層之測量厚度及該第三 多電極反應器特徵所決定之電性參數來操作其電極之一第 三多電極反應器中之第一工件種子層頂部上沉積一本體金 屬層； 19 本紙張瓦度適用中國國家標準〈CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------^---------^ —AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C8 〜-------------—___ 中請專利範圍 .使用-帛量裝置來測量_二工件之校正種子層厚度 y =根據該第二工件之校正種子靥之測量厚度及該第三多 電極反麵特徵所決定之職_來雌謂極之一第三 多电極反應器中之第二種子層頂部上沉積一本體金屬層。 88·—種用以構成沉積處堙參數資料庫之方法，其係用 方々控制一控制多控制點以控制材料沉積之材料沉積工具， ί系包括： _接收複數個工作單，每個工作單辨識利用該工具所執 $ 了之一沉積處理而使用之一組不同特徵； 用於每個接收之工作單中， 根據該工作單來操作該工具，並根據一初始參數組來 控制每個該控制點以沉積一測試工件； 評量該沉積之測試工件； 辨識介於評量該沉積之測試工件及一目標沉積外形間 之差異； 以一投射方式來修正 該初始參數組以減少該辨識 之差異；及 以一與該接收工作單相關方式來儲存該修正之初始參 數。 89.如申請專利範圍第88項之方法，進一步包括下列 步驟： 選擇該複數工作單其中之一； 對應於該工作單之選擇，取得與該所選工作單相關之 20 ___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 550628

   、申請專利範圍 參數組；及 根據該所選工作單來操作該工具，並根據該取得之參 數組來控制每個該控制點以沉積一工件。 90. 如申請專利範圍第88項之方法，其中該沉積工具 之控制點係爲電極’且其中每個初始及修正參數組標示一 控制每個該電極之方式。 91. 一種一或更多之電腦記憶體，其係用以總括地包含 一用以控制一控制多控制點以控制材料沉積之複數個沉積 處理參數組，每個參數組係與一處理工作單相關且包含一 標示當執行該處理工作單時如何控制每個該控制點之參數 〇 92. 如申請專利範圍第91項之電腦記憶體，其中該參 數組係在電腦控制下所作之實驗性決定。 93. —種用以在工件上執行材料沉積之方法，包括下列 步驟： 選擇該複數個工作單其中之一； 對應於該工作單選擇，從電腦控制下之實驗性決定之 複數個沉積處理參數組中取得一與該所選工作單相關之參 ®組；及 根據該所選工作單來操作一沉積工具，並根據該取得 之參數組來控制該工具之每個複數個控制點以沉積一工件 〇 94. 一種一或更多之電腦記憶體，其係用以總括地包含 一電鍍電流資料結構，該資料結構包括標示用於每個複數 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 丨------訂--------- 線丨♦ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 ί固種子層電阻率範圍中遞送至一群電極以電鍍一具有一其 電阻率落在該範圍內之種子層之工件之一組電流之資訊。 95. 如申請專利範圍第94項之電腦記憶體，其中該資 料結構中之資訊所標示之該組電流係在電腦控制下所作之 實驗性決定。 96. —種在計算系統中用以自動架構參數之方法，其中 該參數係可用來控制反應室操作以電拋光所選晶圓來最佳 化:與一標示之電拋光圖案之一致性，包括下列步驟： 在拋光該所選晶圓前，接收該所選晶圓拋光前之厚度 在拋光該已拋光晶圓後，接收一已拋光晶圓拋光後之 厚度；及 在拋光該已拋光晶圓前，接收該已拋光晶圓拋光前之 厚度； 根據該特定拋光圖案、該所選晶圓拋光前厚度、該已 抛光晶圓拋光前厚度、用來拋光該已拋光晶圓之參數及該 已拋光晶圓拋光後之厚度來選擇用來拋光該所選晶圓之參 數。 97. —種用以電化學處理微電子工件之處理容器，包括 一主要流體流室； 配置在該主要流體流室中之不同高度用以在距一處理 時之微電子工件之不同距離下放置該同心陽極之複數個同 心陽極；及 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 線—丨伞 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一架構來遞送一電流至每個該同心陽極之控制器，其 係（a)根據一遞送至該同心陽極以處理一較早處理之微電 子工件之電，及(b)選擇比在處理該較早處理之微電子 工：件下產生一更均勻處理該工件者。 98. 如申請專利範圍第97項之處理容器，其中該複數 ί固同心陽極係安排在自該複數個同心陽極最外者至該複數 個同心陽極最內者中離該微電子工件之距離漸增處。 99. 如申請專利範圍第98項之處理容器，其中該主要 '流體流室係定義在其一上部接近一斜壁，該斜壁支撐一或 更多該複數個同心陽極。 100. 如申請專利範圍第97項之處理容器，其中一或更 多該複數同心陽極係爲一虛擬陽極。 101. 如申請專利範圍第1〇〇項之處理容器，其中該虛 擬陽極包括： 一具有一處理流體入口及一處理流體出口之陽極室框 架，該處理流體出口係配置緊鄰至處理下之微電子工件； 及 配置於該陽極室框架之至少一傳導性陽極元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 102. 如申請專利範圍第100項之處理容器，其中該至 少一傳導性陽極元件係來自一入口材料所形成。 103. 如申請專利範圍第97項之處理容器，進一步包括 用來提供該電化學處理流體流至該主要流體流室所配置之 複數噴嘴，該複數噴嘴被安排及指示來提供結合產生一放 身ί狀跨過該工件之至少一表面之真正均勻垂直流元件之垂 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 550628 A8 B8 C8 D8 f、申請專利範圍 直及放射流體流元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 104. 如申請專利範圍第97項之處理容器，其中該主要 流:體流室係定義在其一上部接近一斜壁，該斜壁支撐一或 更多該複數個同心陽極。 105. 如申請專利範圍第97項之處理容器，其中該主要 流:體流室進一步包括一於其下部配置之入口，其係架構來 提供幫助該主要流體流室之一下部份之處理流體流之再循 環之Venturi效應。 106. 如申請專利範圍第97項之處理容器，進一步包括 一用以由該控制器選擇遞送至該同心陽極之電流之電流最 佳化子系統。 107. 如申請專利範圍第106項之處理容器，進一步包 ?舌一包含一由該電流最佳化子系統用於由該控制器選擇遞 送至該同心陽極之電流所使用之主要流體流室特徵所反射 之Jfacobian敏感度矩陣之記憶體。 108. 如申請專利範圍第97項之處理容器，進一步包括 一用以在該主要流體流室內之處理流體之泵。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 109. 如申請專利範圍第97項之處理容器，其中該流體 淸！;室係適合包含一用以電鍍該微電子工件之電解液。 110. 如申請專利範圍第109項之處理容器，其中由該 控制器遞送至每個陽極之電流係選擇在處理之微電子工件 上產生一比在該較早處理微電子工件上所產生者更均勻之 電鍍材料層。 111. —種用以在微電子工件上電鍍材料之方法，包括 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 550628 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 引進該微電子工件之至少一表面至一電鍍槽中； 於該電鍍槽中提供複數個陽極，該複數個陽極係以離 電鍍之微電子工件中至少一表面之不同距離作間隔；及 用於每個該複數個陽極，感應一介於該陽極及該微電 子工件之至少一表面間之電流，該感應電流係(a)根據一 感應於該陽極及一先前電鍍之微電子工件間之電流及(b) 選來改進一得自該先前電鍍微電子工件之電鍍結果。 112. 如申請專利範圍第111項之方法，其中大部份該 電鍍處理提供每個該複數個陽極一固定電流。 113. 如申請專利範圍第111項之方法，進一步包括該 步驟爲提供一真正均勻標準電鍍液流至該微電子工件之至 少一表面。 114. 如申請專利範圍第111項之方法，進一步包括該 步驟爲提供一真正均勻標準電鍍液流至該微電子工件之至 少一表面而沒有一配置於該複數個陽極及該微電子工件之 至少一表面間之中間擴散器。 115. 如申請專利範圍第111項之方法，其中每個感應 電流被選擇來改進得自該先前電鍍微電子工件之電鍍均勻 位準。 116. 如申請專利範圍第111項之方法，其中每個感應 電流被選擇來改進得自該先前電鍍微電子工件之電鍍外形 符合一目標電鐽外形。 117. 如申請專利範圍第m項之方法，進一步包括選 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） ------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 550628 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 擇該感應電流。 118.如申請專利範圍第117項之方法，進一步包括執 行該電鍍係一用以選擇該感應電流基礎之敏感度分析。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）