TW550613B - Manufacturing method of solid electrolytic capacitor - Google Patents

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550613 發明説明 [技術領域] 本發明係有關於一種各種雷 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 合植電子機裔所利用之固體電解 電容器之製造方法者。 用之L1篮电解 [習知背景] 兹就習知固體電解電容器之構造按製造過程依序說 日二乃t以下者。即’⑴令銘或组等經多孔質化之間金屬 之异度方向的一面或中間之核心部作為電極部，於閥 金屬片體之多孔質部的表面形成介電體覆膜。⑺於介電體 覆膜之表面形成#電體層。（3)於集電制設有藉金屬所構 成之電極層以構造成電容器元件。⑷層壓電容^件。⑺ 將層μ後之各電容器元件之電極部或電極層—同連接於外 部端子。（6)最後使外部端子露出表面以形成外覆者。 々按上述習知固體電解電容器，雖可構成大電容化與提高 專效串聯電阻（eqUivalent series resjstance ;以下稱為 esr)， 但仍舊與一般固體電解電容器同樣，須透過外部端子而安 裝於電路基板上。 如此按該與半導體零件同等安裝於電路基板表面之固 體電解電容器，處於構建成實際電路之狀態下之Esr或等 效串聯電感（equivalent series inductance;以下稱為 ESL) 特性係因端子長度或配線長度的存在而增大，乃具有使高 頻響應性低劣之課題。 為解決如此課題，而有一種固體電解電容器之提案，其 係於固體電解電容器表面配置陽、陰極兩者，再將半導體 零件等直接安裝在其上者，俾可降低ESR或ESL者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -4- 550613 A7 ^---^___B7__ 五、發明説明（2 ) [發明之揭示] 本發明之目的乃在於提供一種固體電解電容器之製造 方法，藉此可實現一種如以上般可與半導體零件直接連 接，且高頻響應性優異之大電容固體電解電容器。為此， 本發明之固體電解電容器之製造方法，係包含有以下步 驟’即：將藉蝕刻而將一面作多孔質化之鋁箔（閥金屬片體） 的業經多孔質化之面上形成光阻膜後再於預定位置形成通 孔’而於該銘箔之未經多孔質化之面（以下稱之為平坦面） 及通孔内壁形成絕緣膜，接著將光阻膜除去後，進一步於 業經多孔質化之部位形成介電體覆膜，並於該介電體覆膜 上形成固體電解質層之後，再於上述通孔内形成通孔電 極’隨後在固體電解質層上形成集電體層，再於平坦面之 絶緣膜之預定位置形成開口部後，於該絕緣膜之開口部及 通孔電極之表面露出面形成連接端子者。 [發明之實施形態] 本發明固體電解電容器之製造方法，係包含有：介電體 形成階段，係將鋁羯（閥金屬片體）之業經多孔質化的部位 (以下稱為多孔質化部）上形成光阻膜後再於預定位置形成 通孔，並於該鋁羯之未經多孔質化之面（以下稱之為平坦面） 及通孔内壁形成絕緣膜，接著將光阻膜除去後，進一步於 多孔質化部形成介電體覆膜者；元件形成階段，係具有於 該介電體覆膜上形成固體電解質層、於上述通孔内形成通 孔電極與在固體電解質層上形成集電體層等步驟者；及， 端子形成階段，係具有於鋁羯平坦面之絕緣膜之位置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂| 550613 A7 B7 五、發明説明 形成開口部與於該絕緣膜之開口部及通孔電極上形成連接 端子等步驟者。藉本發明，乃可輕易地生產一種固體電體 電容器，其可行與半導體零件之直接連接，且具有優異之 同頻特性者。又，藉組合多種態樣之中間流程之步驟，即 可實現多種有利的效果。所得到之效果係列舉出以下幾 種即，防止鋁箔平坦面上形成固體電解質者，可確實地 使陽、陰極分離。防止鋁箔平坦面有通孔電極的凸出，且 防止形成固體電解質者，可確實地使陽、陰極分離者。可 次形成很乡㈣口部。可提昇通孔電極與銘箱間之絕緣 可靠性等等。 ' ★又，光阻膜係可使用感光性樹脂或具有黏著性之有機薄 膜等，以藉圖案化而朝與通孔一致之處形成孔、或構造成 通孔内不渗入光阻之構造，俾可於介電體覆膜上及通孔内 形成固體電解質層者。形成光阻膜之方法係由浸泡、旋塗、 網版印刷及薄膜黏著法中選擇一種最適於形成欲使用之光 阻的方法，可確實地將光阻膜形成在絕緣層上。 又，於兩面塗布光阻，且藉濕式姓刻法形成通孔時可 使形成製程簡單且—次形成多數通孔者。形成通礼之方法 係猎由雷射加工法、沖孔加工法、鑽孔加工法及放電加工 ;中選擇出一種因應通孔口握、孔數量而最佳之孔加工 法，可廉價地進行通孔形成者。 又，對㈣之業經多孔質化之面的通孔邊緣施行去角加 工時，可減低絕緣不良者。 又，形成絕緣膜之方法係採用電鑛法時，可使形成製程 本紙張尺度適用tig家鮮（cns)機格（2Κ)χ297公楚） ><k (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-6 - 550613 發明説明< 簡單，且可形成膜厚極薄之絕緣膜。進而，藉電鍍法形成 絕緣性樹脂作為第1層，爾後形成混合有《、碳«子 與乳化飲微粒子之絕緣性樹脂料第2層時，乃可於第1 層形成極薄之電阻錄高之難後再設置邊料蓋性高之 絕緣樹脂為第2層，俾可將膜厚形成均句，因此乃可來成 絕緣不良率低之通孔内壁之絕緣膜。進而，為形成通^電 極乃使用充填導電性黏著劑後再使之硬化之方法，可使製 私簡單’製造生產性優異之電容器。 又，以分離陽、陰極之方法而言，在形成介電體覆膜後 再形成絕緣膜之面的全面上形成光阻膜，並於介電體覆膜 上形成固體電解質層之後再將光阻膜除去，可防止於銘箱 平坦面形成固體電解質者，俾確實地使陽、陰極分離者。 或者是，在形成介電體覆膜後再形成絕緣膜之面的全面上 形成光阻膜’並於通孔内形成通孔電極之後，再將光阻膜 除去時，可防止鋁箔之平坦面之通孔電極的凸出，且防止 形成固體電解f者，俾確實地使陽、陰極分離者。 又，採用雷射加工法或研磨法，且將雷射輸出及研磨條 件最佳化’可輕易地形錢口部1,在形錢緣膜之前 在鋁箔之平坦面上的預定位置上形成光阻部，並形成集電 體之後，再將光阻部剝離，就可一次輕易地形成彼多開口 部。 又，使用導電性黏著劑來形成連接端子時，可實現優異 的生蓋性。藉使用通電鍍敷或無電解鍍敷時，可輕易地一 次形成很多的連接端子。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（2】〇χ297公复）

(請f閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可丨 -7- 5 550613 五、發明説明 又’形成固體電解質層之材料係使用含 分子之導電性高分子之組成物時乃可製造 “间 且ESR更低之固體電解電容器。又 人熱f生‘異 人疮占道一 匕予1合或電解聚 ^成導電性两分子時’可實現優異的生產性。 法為，塗布導電性高分子粉末之懸浮液，俟 =聚合導電性高分子而形成者，可使對介 ： 更低。或者是，將硝酸猛施以熱分解後形成二氧化猛了可 =確立的技術來確實地進行生產。或者是，將石肖酸猛施 以…分解後形成二氧化猛，隨後電解聚合導電性高分子後 亦可形成者。 又，藉用碳微粒子之懸浮液及導電性黏著劑以形成集電 體之方法，係較直接在固體電解質上塗抹導電性黏著劑之 方法來說，更可製造出低ESR之固體電解電容器。 以下，用實施形態及圖式，就本發明之固體電解電容器 及其製造方法進行具體說明。 (實施形態1) 用第1至14圖說明本發明之實施形態丨。第ι圖係本 發明實施形態1之固體電解電容器之立體圖；第2圖係該 電容器之截面圖；且第3圖為該電容器之部分擴大截面圖。 —開始先按製程之順序說明本發明之片狀電容器元件 1之構造。 對鋁箔2之一面進行蝕刻，進一步於經過多孔質化之鋁 泊2之業經多孔質化的部位（以下稱之為多孔質部3)形成 光阻膜4。接著在鋁箔2之預定位置形成通孔5，又於鋁箔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐）

.訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 550613 A7 B7 五、發明説明（6 2之未經多孔質化之面（以下稱為平坦面）及通孔5之内壁 形成絕緣膜6後，再將光阻膜4除去，並於多孔質部3形 成介電體覆膜7。 、 ' 其次，在介電體覆膜7上形成固體電解質層8之後，於 上述通孔5内形成通孔電極9,隨後在固體電解質層8上 形成集電體層10。 最後，在鋁箔2之平坦面的絕緣膜6之預定位置形成開 口部11，且於絕緣膜6之開口部u及通孔電極9之表面 露出面形成連接端子12。 於已作成之電容器元件丄的側面及集電體層1〇面上形 成外覆13’進而在外覆13上形成與鋁箔2電性連接之第1 外部端子14及與集電體層1〇電性連接之第2外部端子 15’並於通孔電極9上及連接端子12上形成連接凸塊μ， 以構造成固體電解電容器。 以下，用第4至14圖詳細說明本發明固體電解電容器 之製造方法。如第4圖所示，在對上述一面進行敍刻以成 多孔質化之鋁箔2之多孔質部3上形成光阻膜4。其方法 可藉浸泡法、旋塗法或網版印刷法而將感光性樹脂塗布於 多孔質部3上，並使之硬化，而得到光阻膜*。又，亦可 使用具有黏著性之有機薄膜形成光阻膜4，此時係藉薄膜 黏著法而形成於多孔質部3上。 、 接著’如第5圖所示，於通孔2之預定位置形成通孔卜 可一攻形成通孔5之方法乃可使用濕式蝕刻法。又，使加 工尺寸為較高精密度且不論通孔5形成部分之材枓的形成口 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、可| -9- 550613 A7 -—--—________B7_ 五、發明說明（7 ) 一 -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 去係以雷射加工法、沖孔加工法、鑽孔加工法及放電加工 為佳藉其等方法，即可形成i 〇〇μιη以下之微細通孔5。 ^濕式餘刻法，即，於銘羯2兩面上在通孔5形成部位 上設有開口部後形成光阻膜，隨後以濕式敍刻形成孔，再 將光阻膜除去，就可形成通孔5。進而，透過濕式姓刻等 ^而將㈣2之多孔質部3的通孔5邊緣施行去角加 可進步提尚在後段程序形成之絕緣膜6的可靠性。 接著，如第6圖所示，藉電鍍法鍍上絕緣性塗料，即可 於銘ν白2之平坦面及所形成之通孔5内壁上形成絕緣膜 6。藉電鍍法之絕緣膜形成步驟係可形成緻密且均勻之覆 膜，因此絕緣膜6係可於不填埋全通孔5之狀態下只覆蓋 内壁而形成者。 此外，在罪形成介電體覆膜7之面這一侧之通孔5之邊 緣部係具有形成薄薄的絕緣膜6之可能性。可解決該問題 以實現較高之可靠性的方法係以邊緣部的去角加工乃為有 效。進而，用混合有邊緣覆蓋性高之微膠、碳微粒子及氧 化鈦微粒子之絕緣性樹脂進行電鍍時，可更有效地解決者。 在此，微膠意指：將具有1 Ομη!以下之粒徑之高分子材 料添加於聚合物以提高聚合物之黏度者，很難流勤，具有 &幵邊緣覆蓋性之效果者。惟’電錢於1⑼μ m以下之微細 通孔5之内壁時，僅以邊緣覆蓋性高之混合樹脂就加厚電 鍍層之厚度，有使通孔5被電鍍樹脂埋住之可能性。在此， 將藉電鍍之絕緣膜6形成過程分成2次，在第i層附上薄 薄的電阻係數高之樹脂，其次於第2層鍍上邊緣覆蓋性高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） -10- 550613 A7 ______B7_ 五、發明説明（8 ) 之混合有微膠、碳微粒子及氧化欽微粒子之絕緣性樹脂， 可形成絕緣不良率少之通孔5内壁之絕緣膜6。 其次，如第7圖所示，除去光阻膜4後，在生成液中進 行陽極氧化，可於鋁箔2之多孔質部3形成介電體覆膜7。 接著如第8圖所示，將固體電解質層8形成於介電體覆膜 7。形成方法是藉化學聚合或電解聚合聚吼咯及聚噻吩等含 有7Γ電子共軛高分子及/或除此以外之導電性高分子之組 成物’以形成高分子層。固體電解質層8係可藉將導電性 高分子以化學聚合進行預鍍後藉電解聚合來形成，亦可僅 以化學聚合來形成者。又，塗布導電性高分子粉末之懸浮 液並俟之乾燥後’藉電解聚合導電性高分子以形成，亦可 浸泡硝酸錳後再行熱分解，形成二氧化錳後，藉電解聚合 導電性高分子以形成者。進而以已確立之固體電解質層8 形成技術而言乃有一種將硝酸錳進行熱分解後形成二氧化 錳之方法。該方法係可獲得緻密的電解質層，可自由地進 行厚度的控制，是故可謀求生產性及可靠性的提昇。 其次，如第9圖所示，針對通孔5内形成通孔電極9 之步騾進行說明。乃可採用充填有用以形成通孔電極9之 電極材料即混合Ag膏、Cu膏等導電性粒子之導電性黏著 劑後再加以硬化之方法。 進而如第10圖所示，於固體電解質層8上形成集電體 層10。該集電體層10係利用碳微粒子之懸浮液及以銀膏 為主成分之導電性黏著劑，而作成碳層與銀膏層之層壓 造，可有效地引出電荷者。 Θ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-11- 550613 A7 B7 9 五、發明說明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ⑺其次，如第11圖所示，在於鋁箔2之平坦面上所形成 之絶緣膜6之預定位置，藉YAG雷射或研磨等加工法，形 成開口部11。又，其他形成開口部11之方法則諸如，藉 於形成絕緣膜6之前，在於銘箱2平坦面上預定位置形成 光阻部，並形成集電體層10後，再將光阻部剝離之方法， 亦可形成開口部11。 。接者，如第12圖所示，使用導電性黏著劑或電鍍、無 電解鐵敷之任—方式，在絕緣膜6開口部u之表面露出面 形成連接端子12。 進而，如第13圖所示，為電氣絕緣與耐濕性及外部應 力而保濩電容器元件丨以提高可靠性，乃於電容器元件1 周圍藉環氧樹脂形成外覆13。接著如第14圖所示，藉於 外覆13上形成與鋁箔2做電性連接之第丨外部端子“及 與集電體層10做電性連接之第2外部端子15，而成電容 器元件1之完成品。 進而，欲提昇連接於電容部之半導體零件或與電子零件 連接之可靠性及電氣性能時，則宜於連接端子12及通孔電 極9上形成連接凸塊μ。 藉由以上之方法製造固體電解電容器，可輕易地生產出 可與半導體零件直接連接，且高頻特性優異之固體電解電 容器者。 (實施形態2) 利用第1 5及16圖說明本發明之實施形態2。第15及 1 6圖係用以說明本發明實施形態2之固體電解電容器之製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） -12- 550613 A7 B7 五 發明説明（ 10 程之主要步驟圖。 業經钱刻將一面施行多孔質化之鋁箔2之多孔質部3 形成光阻膜4後，再於預定位置形成通孔5。其次，在該 銘荡2之未經多孔質化之面（以下稱為平坦面）及通孔5内 壁形成絕緣膜6，接著將光阻膜4除去後，進一少在多孔 質部3上形成介電體覆膜7。以上步驟係於實施形態i同 樣者。 接著在上述介電體覆膜7之上設置固體電解質層8時， 通孔口徑遠大於80μιη時，就有使固體電解質層8形成於 鋁箔2之平坦面上所形成之絕緣膜6上之可能性。 為解決該問題，首先如第15圖所示，藉將感光性樹脂 以浸泡法、旋塗法及網版印刷法塗布於絕緣膜6上後，再 使之乾燥，而得到第2光阻膜17。又，也可使用具有黏著 性之有機薄膜作為第2光阻膜17，此時，藉薄膜黏著法形 成在絕緣膜6之面上。進而，如第16圖所示，經由光致 程或機械加工法而於與通孔5 一致之部位的第2光阻膜 上形成一定尺寸下之孔。 、 其次，藉以與實施形態1同樣之方法，形成固體電解 層8及通孔電極9後再將第2光阻膜17除去可使固體 解質層8不形成於㈣2之平坦面，確實地實施陽、陰極 分離者。 Κ 隨後，與實施形態i同樣，於固體電解質層8上 電體層H)’在於上述㈣2之平坦面上形成之絕 預定位置形成開口部11，並於該絕緣膜6之開口呷、 製 17 電 集 之 及 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 、一-ΰ

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2Κ)χ297公釐） -13- 550613 11 A7 B7 五、發明説明 通孔電極9之表面露出面形成連接端子12。 如此’藉實施形態2之固體電解電容器之製造方法，可 防止固體電解質朝爾後形成之鋁箔2之開口部11之迴入， 確實地使陽、陰極分離者。 (實施形態3) 利用第17及18圖具體說明本發明之實施形態3。第17 及1 8圖係用以說明本發明實施形態3之固體電解電容器之 製程之主要步驟圖。 業經蝕刻一面而呈多孔質化之鋁箔2的多孔質部3上形 成光阻膜4之後，再於預定位置形成通孔5。接著，在該 鋁箔2中未經多孔質化之面（以下稱為平坦面）及通孔5内 壁形成絕緣膜6。隨即將光阻膜4除去，再於多孔質部3 形成介電體覆膜7。以上之步驟係與實施形態工同樣者。 接著在上述介電體覆膜7之上設置固體電解質層8時， 通孔口徑遠大於80μιη時，就有使固體電解質層8形成於 銘羯2之平坦面上所形成之絕緣膜6上之可能性。 為解決該問題，該製造方法，如第17圖所示，於通孔 5内形成通孔電極9。形成通孔電極9之方法係可使用如下 方法，即利用混合有Ag膏、Cu膏等導電性粒子之導電性 黏著劑後充填其内後俟乾燥者。隨後，於介電體覆膜了之 上形成固體電解質層8，進而在固體電解質層8上开》成集 電體層10,可使固體電解質層8不形成在鋁箔2之平括面。 又，防止鋁箔2之平坦面之通孔電極9的凸出之方法， 係形成介電體覆膜7之後，再於形成有絕緣臈6之面的八 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-14- 550613 12 A7 五、發明説明 面上形成第2光阻膜17。1-々，认，^ 凡丨腺丨7其认，於上述通孔5内形成通孔 電極9後再於上述介電體覆膜7之上形成固體電解質層 8後進-步形成集電體層1〇。接著除去第2光阻膜17，以 除了防止固體電解質形成在紹落2之平坦面，還可防止通 孔電極9凸出。 接下來的步驟則與實施形態' !同樣，即，在上述紹箱2 之絕緣膜6預定位置經由YAG雷射等加工而形成開口部 11又以於形成絕緣膜6之前先於鋁箔2平坦面上預定 位置使用光感硬化性樹脂等形成光阻部，並於形成集電體 層10後’再剝離光阻部之方法，亦可形成開口部U者。 然後在該絕緣膜6之開口部Π的表面露出面及通孔電極9 形成連接端子12。 如此，藉實施形態3之固體電解電容器之製造方法，可 防止固體電解質朝爾後形成之結落2之開口部U之迴入， 確實地進行陽、陰極的分離者。 (實施形態4) 利用第1 9至22圖說明本發明之實施形態4。第丨9及 22囷係用以β兒明本發明貫施形態4之固體電解電容器之製 程之主要步驟圖。 業經姓刻一面而呈多孔質化之鋁箔2的多孔質部3上形 成光阻膜4之後，再於預定位置形成第i通孔5。接著， 在辕鋁泊2中未經多孔質化之面（以下稱為平坦面）及第工 通孔5内壁形成絕緣膜6。隨即將光阻膜4除去。以上之 步驟係與實施形態1同樣者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇x297公楚）

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂丨 ----線丨 -15- 13 550613 、發明說明（ 在所形成之介電體覆膜7之上設置固體電解質層8時， 通孔口徑遠大於80μιη時，就有使固體電解質層8形成於 銘箔2之平坦面之可能性。 為解決該問題，首先如第19圖所示，形成絕緣膜6， 使之完全埋沒鋁箔2之平坦面及第j通孔5内者。絕緣膜 6之形成係藉與實施形態i同樣之方法製作者。絕緣膜6 係為確實地填滿通孔5，而可藉用將絕緣性樹脂數次電鍍 之方法、網版印刷或密封澆入法形成者。其次，如第 圖所示，於多孔質部3形成介電體覆膜7，接著如第21圖 所示，於介電體覆膜7之上設置固體電解質層8,其次如 第22圖所示，在絕緣膜6内形成第2通孔18。藉此，使 固體電解質層8不形成在鋁箔2之平坦面。 接下來的步驟則與實施形態i同樣，即，於第2通孔 18内形成通孔電極9後，再於固體電解質層8上設置集電 體層10 ’接著在上述鋁箔2之絕緣膜6預定位置形成開口 部11，並於該絕緣膜6之開口部u及通孔電極9之表面 露出面形成連接端子12。 如此，藉實施形態4之固體電解電容器之製造方法，可 提高通孔電極9與鋁箔2間之絕緣可靠性，且防止固體電 解質層朝鋁箔2開口部n之迴入，確實地進行陽、陰極的 分離者。 [產業利用性] 如以上說明，本發明之製造方法係可輕易地進行可與半 導體零件直接連接、高頻特性優異且大電容之固體電解電 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可| -16- 550613 A7 B7 五 發明說明（ 14 容器之生產者。 [圖式之簡單說明] 第1圖像本發明固體電解電容器之立體圖。 第2圖像本發明固體電解電容器之截面圖。 第3圖係本發明固體電解電容器之 圖。 要邛分擴大截面 第4圖係本發明固體電解電容器中鋁 ^ ’曰&夕孔質部上 形成有光阻膜狀態之截面圖。 第5圖係本發明固體電解電容器中鋁箔之預定位置上 形成有通孔狀態之截面圖。 第6圖係本發明固體電解電容器中鋁箔之未經多孔質 部化之面（以下稱之平坦面）及通孔之内壁上形成有絕緣膜 狀態之戴面圖。 第7圖係本發明固體電解電容器中鋁箔之業經多孔質 化之部位上形成有介電體覆膜狀態之截面圖。 第8圖係本發明固體電解電容器中鋁箔之介電體覆膜 上形成有固體電解質層狀態之截面圖。 第9圖係本發明固體電解電容器中通孔内形成有通孔 電極狀態之截面圖。 第10圖係本發明固體電解電容器中固體電解質上形成 有集電體層狀態之截面圖。 第11圖係本發明固體電解電容器中絕緣膜形成有開口 部狀態之截面圖。 第12圖係本發明固體電解電容器中開口部上形成有連 -17_ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 550613 A7 , --~-^ B7 五、發明説明^~—— 接端子狀態之截面圖。 第13圖係本發明固體電解電容器中電容器元件上形成 有外覆狀態之截面圖。 第14圖係本發明固體電解電容器中外覆上形成有外部 端子及連接凸塊狀態之截面圖。 ° 第15圖係本發明固體電解電容器中絕緣膜上形成有絕 緣膜狀態之截面圖。 第16圖係本發明另一固體電解電容器中對光阻膜施有 圖案狀態之截面圖。 ' 第17圖係本發明另一固體電解電容器中通孔内形成有 通孔電極狀態之截面圖。 第18圖係本發明另一固體電解電容器中鋁箔之介電體 覆膜上形成有固體電解質層狀態之截面圖。 第19圖係本發明不同的固體電解電容器中於鋁羯之平 坦面形成有絕緣膜且在通孔内形成有絕緣膜狀態之截面 圖。 第20圖係本發明不同的固體電解電容器中鋁箔之多孔 質部形成有介電體覆膜狀態之截面圖。 第21圖係本發明不同的固體電解電容器中鋁箔之介電 體覆膜上形成有固體電解質層狀態之截面圖。 第22圖係本發明不同的固體電解電容器中絕緣膜内形 成有第2通孔狀態的截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-18- 550613 A7 B7 五、發明説明（16 ) [圖中元件標號說明] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1.. .電容器元件 2…鋁箔 3·..多孔質化部 4···光阻膜（第1光阻膜） 5·..通孔（第1通孔） 6··.絕緣膜 7…介電體覆膜 8.. .固體電解質層 9.. .通孔電極 10.. .集電體層 11···開口部 12.. .連接端子 13…外覆 14··.第1外部端子 15…第2外部端子 1 6…連接凸塊 17…第2光阻膜 18···第2通孔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -19-

Claims (1)

1. 550613 A8 B8 C8 D8

   、申請專利範圍 .一種固體電解電容器之製造方法，係包含有： 介電體形成階段，係將閥金屬片體進行多孔質化， 且於業經多孔質化之表面形成介電體覆膜者； 元件形成階段，係於前述；Φ胁 ⑺逆；丨電體覆膜上形成固體電 解質層與集電體層者；及 端子形成階段，係形成盥冰1 L + 战興外部電極相連接之連接端 子者； 前述介電體形成階段係依序具有·· (A1)多孔質化步驟，係對閥金屬片體之一面進行 蝕刻，作成多孔質化部者； (A2)形成第1光阻膜之步驟，係於前述業經多孔 質化之面形成第1光阻膜者； (A3)形成通孔之步驟，係於前述業經多孔質化 面的預定位置形成通孔者； (A4)形成絕緣膜之步驟，係於前述閥金屬片體 未經多孔質化之另一面及前述通孔之内壁形成絕 膜者；及 (A5)形成介電體覆膜之步驟，係將第i光阻膜 去後，再於業經多孔質化之部分形成介電體覆膜者 前述元件形成階段係具有·· (B 1)電解質層形成步驟，係於前述介電體覆膜 形成固體電解質層者； (B2)通孔電極形成步驟，係於前述通孔内形成通 孔電極者；及 本紙張尺度適用中國國家標準（QfS)A4規格（210X297公楚） 之 之 緣 除 上

   20 - ^0613 A8 B8 C8 "T-------— _ 申請專利範圍 " ~ (Β3)集電體層形成步驟，係於前述固體電解質層 上形成集電體層者； 前述端子形成階段係具有： (C1)形成開Π部之步驟，係於前述閥金屬片體之 另一面之絕緣膜預定位置形成開口部者；及 (C2)形成連接端子之步驟，係於前述開口部及前 述通孔電極之表面露出面形成連接端子者。 2·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方法， 其中該元件形成階段係依序具有前述電解質層形成步 驟、前述it孔電極形成步驟及前述集電體層形成步驟 者。 如申明專利範圍第2項之固體電解電容器之製造方法， 其中該元件形成階段並具有一步驟，即：於前述電解質 層形成步驟之前，在形成有前述絕緣膜之面上形成第2 光阻膜者；並於前述電解質層形成步驟之後具有除去前 述第2光阻膜之步驟者。 如申印專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方法， 其中泫疋件形成階段係依序具有前述通孔電極形成步 驟、前述電解質層形成步驟及前述集電體層形成步驟 者。 5 ·如申明專利範圍第i項之固體電解電容器之製造方法， 其中该兀件形成階段並具有一步驟，即：於前述通孔電 極形成步驟之前’於形成有前述絕緣膜之面上形成第2 光P膜者’再依序具有前述通孔電極形成步驟、前述電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（21〇χ297公楚) (請4?閲讀背·面之注意事項再填寫本頁) 、可| -21 - 550613 申請專利範園 解質層形成步驟、前述集電體層形成步驟與除去前述第 2光阻膜之步驟者。 6·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方法， 其中該介電體形成階段係具有一步驟，即：於業經多孔 質化之面形成前述第1光阻膜，並於未經多孔質化之另 -面的預定位置形成第3光阻膜者；前述元件形成階段 則依序八有則述電解質層形成步驟、前述通孔電極形 成步驟及前述集電體層形成步驟；前述端子形成階段係 具有一步驟’即：除去前述第3綠職，再於前述闕 金屬片體之另一面的絕緣膜預定位置形成開口部者。 孔 另 7.如申凊專利範圍第！項之固體電解電容器之製造方法， 其中該介電體形成階段係具有一步驟，即··往業經多 質化之面形成前述第i光阻臈，並於未經多孔質化之 7面之預定位置形成第3光阻膜者；前述元件形成階段 係依序具有··前述通孔電極形成步驟、前述電解質層形 成步驟及前述集電體層形成步驟；前述端子形成階段則 八有V驟，即·除去前述第3光阻膜後，再於前述閥 金屬片體之另一面的絕緣膜預定位置形成開口部者。 閥 下 8.如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方法， 其中該介電體形成階段係具有一步驟，即··在將前述 金屬片體之未經多孔質化之另一面及前述通孔填滿， 形成别述絕緣膜者；而，前述元件形成階段則依序具有 則述電解質層形成步驟、於充填有前述絕緣膜之通孔内 側形成第2通孔之步驟、於前述第2通孔内形成前述通 本紙張尺度適用中國國豕標準（哪）从規格⑵〇幻97公酱） -22 550613 A8 B8 C8 ---——__D8___ 六、申請專利範圍 孔電極之步驟，及前述集電體層形成步驟。 9·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方法， 其中"亥光阻臈係使用感光性樹脂或具有黏著性之感光 性薄膜者。 10·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方 法’其中該光阻膜係藉浸泡、旋塗、網版印刷及薄膜黏 著法中任一方法所形成者。 π·如申請專利範圍第i項之固體電解電容器之製造方 法’其中該形成通孔之步驟，係於業經多孔質化之閥金 屬片體之兩面上塗布光阻，並對已圖案化之開口部進行 濕式蝕刻者。 12·如申請專利範圍第J項之固體電解電容器之製造方 法’其中該形成通孔之步驟係藉雷射加工、沖孔加工、 鑽孔加工及放電加工中任一方法進行者。 13.如申請專利範圍第J項之固體電解電容器之製造方 法，其中該形成通孔之步驟，係並具有一將業經多孔質 化之面側所形成之通孔的邊緣施行去角處理之去角加 工步驟。 14·如申請專利範圍第i項之固體電解電容器之製造方 法，其中該形成絕緣膜之步驟係使用電鍍法以形成絕緣 膜者。 15·如申請專利範圍第14項之固體電解電容器之製造方 法，其中該形成絕緣膜之步驟係具有：形成絕緣性樹脂 作為第一層之步驟，及，形成混合有微膠、碳微粒子與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚) (請命閲讀背•面之注意事項再填寫本頁) 、盯| -23- 550613 申請專利範圍 氧化鈦微粒子之絕緣性指 树月曰作為第二層之步驟。 16 ·如申請專利範圍第丨 (請疮閲讀背*面之注意事項再填寫本頁) 、 員之固體電解電容器之製造方 法，其中該通孔電極艰士、北 /成步驟係使用導電性黏著劑而形 成前述電極者。 17 ·如申請專利範圍第1 、 胃之固體電解電容器之製造方 法’其中該形成開口部之半 f之步驟係藉雷射加工法或研磨法 而進行者。 18. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方 法’、ί中該形成連接端子之步驟係使用導電性黏著劑而 形成前述端子者。 19. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方 •、可I 法’其中該形成連接端子之步㈣以電鑛及無電解鑛敷 中之任一方法進行者。 20. 如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方 法’其中該電解質層形成步驟，係使用含有導電性高分 子之組成物以形成前述固體電解質層之步驟。 2i•如申請專利範圍第2〇項之固體電解電容器之製造方 法，其中該導電性高分子係7Γ電子共軛系高分子。 22·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造方 法，其中該電解質層形成步驟係至少使用化學聚合法盥 電解聚合中之一者。 a ϋ 23·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器之製造 法，其中該電解質層形成步驟，係具有—使用導電性Τ 分子粉末之懸浮液以形成高分子膜之步驟， 呵 入—册刖述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（21〇><297公爱） 24- 550613

   、申請專利範圍 高分子膜進行電解聚合之步驟。 24.如申請專利範圍第丨項之固體電解。 法，其中該電解質層形成步驟，係具有之製造方 進打熱分解後以二氧化鐘所構成成將肖酉夂猛 驟。 取口體電解質層之步 法，其中㈣解質層形成步驟，係具有 之步驟後接著藉電解聚合以形成導電性高丄= 乂如巾請專利範圍第！項之固體電解電容器之製造方 法，其中該集電體層形成步驟，係具有一使用碳微粒子 之懸浮液及導電性黏著劑以形成集電體之步驟。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀¾面之注意事項再填寫本頁)

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