TW548727B - Thin-film transistor device, its manufacturing process, and image display using the device - Google Patents

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Shinya Yamaguchi
Mutsuko Hatano
Takeo Shiba
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Hitachi Ltd
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Description

548727 A7 B7 發明説明（1 發明領域 本發明係關於一種薄膜電晶體裝置，該裝置包含薄膜電 曰曰體’該等薄膜電晶體形成一多晶矽薄膜上，該多晶矽薄 膜係經過低溫熱處理，且用雷射在至少兩結晶面向所定義 的相關方向上掃描過兩次。本發明亦關於該薄膜電晶體裝 置之製造方法及一使用該薄膜電晶體裝置之影像顯示器。 發明背景 現有用於薄膜電晶體之矩陣薄膜係由一石英基板及以大 約900°C熱處理而形成於該基板上之粒徑相當大（5〇〇_6〇〇 nm)的多晶矽（以下稱為「高溫多晶矽」）所組成。形成於一 高溫多晶矽薄膜上之薄膜電晶體使用低顆粒邊界密度之結 晶良好的多晶矽作為它們的通道，具有2〇〇_350cm2/Vs的電 子移動性’接近形成於單晶石夕上面之薄膜電晶體的電子移 動性（最大 500 cm /Vs’ 請參見 Physics of Semiconductor
Devices，第29頁，第二版，作者ley)。然而，高溫多晶 石夕薄膜必須形成於能夠忍受高溫熱處理之昂貴的石英基板 上，因此，於薄膜上形成薄膜電晶體的製造成本相當高， 使電晶體的市場規模受限。 近來已有許多研究人員著手建立利用低溫熱處理在一基 板上形成多晶石夕（以下稱為「低溫多晶石夕」）的方法。根據 此方法’一非晶性矽薄膜以電漿CVD (化學汽相沉積）或類 似的技術形成於一不昂貴的玻璃或塑膠基板上，並用準分 子雷射退火該非晶性石夕使其成為多晶石夕。此方法使多晶石夕 薄膜能夠在低溫（最高150。〇形成，因而可以用低成本來製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝 訂
548727 A7 B7 五、發明説明（2 造薄膜電晶體。然而，低溫多晶矽的顆粒比高溫多晶矽小 。此外’低溫多晶矽之晶粒的方向是隨機的。若多晶矽的 晶粒很小’則載體通道的顆粒邊界密度會很高。若多晶矽 晶粒的面向是隨機的，則在顆粒邊界的陷井階（trap — 1 eve 1)密度會很高。這兩種情況都會影響電晶體的特性。 因此’形成於低溫多晶矽基板上之薄膜電晶體，其電子移 動性被限制在大約150 cm2/Vs ,造成元件運轉速度較低，而 限制了可形成於單一玻璃基質（或塑膠基質）基板上的元件 種類。例如，影像顯示器的像素可形成於玻璃基質（或塑膠 基質）基板上’但其它電路元件，例如源極驅動器、閘極驅 動器、偏移暫存器和週邊控制單元等，必須做在傳統的印 刷電路板上’以電線與基板連接。其結果是，較小的影像 顯示單元，但很高的製造成本。 因此，需要有一種能夠增加晶粒尺寸並使晶粒之位置與 面向均一化的技術。已有許多用於增加低溫多晶矽之晶粒 尺寸以及使晶粒之位置與面向規則化的技術被提出來。 JP-A-3457 8 3/1999揭示一種使用一雷射束以5一g〇〇對石夕進 行兩次或更多次掃描的技術，JPH49592/1995揭示一種 以（n/2 + 1/4)轉動一雷射束來對矽進行兩次或更多次掃描 的技術。JP-A-199808/1998揭示一種使用一雷射束以g〇〇對 矽進行兩次或更多次掃描的技術。這些技術重複施加熱能 於石夕結體上加以退火，以獲得高品質。另一方面，本發明 以依據矽晶體之結構與成長機制所設計的雷射束對矽進行 掃描使矽結.晶。除了前述之先前技藝以外， -5-
548727 A7 B7
JP-A-321339/1995揭示一種形成多晶矽的技術，藉由在一 具有金屬元件的絕緣基板上加入一層非晶性石夕薄膜，選擇 性地培養結晶，造成結晶以平行於絕緣基板的方式成長， 而使{111}轴朝向載體移動的方向。JP-A —41234/1998揭示 一種技術’藉由在每一分鐘控制熱處理光束的形狀及控制 光束從一部位至另一部位之移動，來形成{1〇〇}軸係在垂直 於絕緣基板的方向，且（220)面與掃描方向平行（或夾45。角 )的矩形多晶矽。JP-A-55808/1996揭示一種藉由（i)以非等 向性蝕刻形成一第一多晶矽層以形成具有特定面（丨丨〇〇}、 {110}及{111})之一的種子結晶，及（i i )在該第一層上形成 一第二多晶矽層，而形成一層具有均勻面向之柱狀多晶矽 層的技術。然而前述所有的先前技藝都無法製造出具備足 夠電子移動性的電晶體。 則述先刖技藝所製造的顆粒尺寸不夠大（最大2 μΐβ)，而 用於大螢幕液晶顯示器之薄膜電晶體實際上大約要有8叩 的顆粒尺寸。此外’先前技藝無法在精確的位置形成晶粒 以使7G件具備一致的性能。因此，先前技藝無法提供具備 需求特性的高性能TFT裝置來取代傳統低性能的TFT裝置。 先前技藝並未找到根據矽晶體成長機制來進行結晶的方法 。要解決此等問題，必須要開發一種最能與矽晶體之自我 組織功能相容的技術。 本發明之目的為H㈣晶趙成長機料基礎的結 晶方法來製作薄膜電晶冑，使低溫多晶矽之晶粒的面向均 一化及增加晶粒的尺寸（以形成偽單晶（pseud0_single 訂
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crystal))，以實現具備高電子移動性的tft裝置，及提供 低成本的大螢幕顯示器。 發明概要 為達刖述目的，將一矽薄膜或另一 IV_族元素（c、Ge、Sn 、or Pb)薄膜以一在一晶粒成長最大之側面方向上移動的 雷射束掃描，以便在薄膜上的精確位置形成高品質的晶體 (同時可明顯降低先前技藝所無法控制的瑕疵），從而實現 高品質的TFT裝置。 以下將首先說明本發明的基本原理。圖11(3)至11(〇〇所 不為，晶粒在將於稍後說明之根據本發明具體實施例所述 之兩不同面向上的形成過程。此例中，以面向{11〇}為例作 說明，然而，很明顯地，藉由改變指定角度（prescribes angle)，此說明亦適用於其它面向。圖UA為從基板上方觀 看所見，矽晶粒{110}面的方向。轴<1〇〇>與軸<U1>兩者之 間夾54· 8°角並與基板平行。在矽的結晶過程中，轴<1〇〇〉 方向的成長率大於轴<111〉方向。因此，當基板用雷射束以 圖11(b)所示方向加以掃描時，種子晶體成長變成側向成長 的晶粒，其{100}轴在掃描的方向上。然後，如圖所 示，基板以另一雷射束加以掃描，此第二掃描方向與第一 掃描方向夾54· 8。角。晶體在第二掃描方向上成長，轉變成 具有{111}轴的晶粒。因此，有兩個不同方向的結晶區域於 一單一基板上形成。一薄膜電晶體rTFT1」的通道（形成於 一源極及一汲極之間）在第一結晶區域中於第一掃描方向 上形成，另一薄膜電晶體「TFT2」的通道在第二結晶區域 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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:個TFT * 上形成。因此，在單-基板上，可形咸 八中一個具有沿<1〇〇>轴的通道，另一個具有沿 轴的通道。本發明提供—種在單—基板上形成不同面 -之曰曰粒的技術。本發明之特點如下文所描述。 根據本發明之第一個特點為，一薄膜電晶體裝置，該袭 置^ a (i)絕緣基板，（ii) 一形成於該絕緣基板上之多結 晶薄膜，及（iU)薄膜電晶體，每個電晶體各具有一源極、 一汲極、一通道及一閘極，它們形成於該多結晶薄膜上。 該多、、” a曰薄膜具有結晶區域，包括由丨v族元素C、s丨、、 及Pb之或其組合所組成的晶體。該結晶區域的面向包 括{100}、{110}及{111}至少其中兩個。 根據本發明第二個特點為，一影像顯示器，該影像顯示 器包含（1)複數個形成於一單一基板上的薄膜電晶體裝置 及（ii) 一像素驅動電路、一週邊控制電路及一邏輯電路至 少其中之一。每個薄膜電晶體裝置包括（i)一絕緣基板， (ii) 一形成於該絕緣基板上之多結晶薄膜，及（iii)薄膜電 晶禮’每個電晶體各具有一源極、一没極、一通道及一閑 極形成於該多結晶薄膜上。該多結晶薄膜具有結晶區域， 包括由IV族元素C、Si、Ge、Sn及Pb之一或其組合所組成的 晶體。該結晶區域的面向包括{100}、{110}&{U1}至少其 中兩個。 該絕緣基板最好是以玻璃做成，且該多結晶薄膜的厚度 最好是30 nm至300 nm。 此外，最好是，每個結晶區域至少有一薄膜電晶體其一
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=在一源極和一汲極之間，該等結晶區域中，薄膜電 :曰想：通道配置於兩個相差一角度的方向之一該角度為 30±5°、35.3±5。、45.“5。、54.8土5。、60± 5〇、70· 5 土 5。及 90 ± 5。之一。 根據本發明第三個特點為，一製造一薄膜電晶體裝置之 方法，該方法以-具有一長#的雷射束掃描結晶於一絕緣 基板上的半導體薄膜’纟中該雷射束長轴和與雷射掃描半 導體薄膜垂直的方向之間的角度（以下稱為「長㈣斜角」）為 〇 ± 5〇、30 ± 5〇、35. 3 ± 5〇、45. 0 ± 5〇、54. 8 ± 5〇 、60 ± 5。、70.5 ± 5〇、及 90 ± 5〇 之一 最好是，前述方法中，該半導體薄膜每次用雷射束掃描 ，使其結晶數次，兩連續雷射掃描方向之間的角度（以下稱為「掃描偏斜角」）為〇 土 5〇、30 ± 5〇、35 3 + 5〇、 45·0 土 5°、54·8 ± 5〇、60 土 5〇、70·5 ± 5° 及 90 ± 5〇 之 最好是，前述方法中，該半導體薄膜至少有一區域是利 用一對長轴偏斜角等於掃描偏斜角的雷射束使其結晶。 再最好是，前述方法中，該半導體薄膜有複數個區域是 以兩組長轴偏斜角和掃描偏斜角使其結晶。 前述方法中，可以用複數個定位標記在該絕緣基板或該 半導體薄膜上作記號，標示出絕對位置和絕對角度，以便 決定長轴偏斜角或掃描偏斜角。 圖式簡單說明 從以下詳細說明並參考附圖，將更能明暸本發明之前述 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐)
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548727 A7 _________ B7 五、發明説明（8 ) 以下將參考附圖，詳細說明本發明之具體實施例。 在說明本發明之具體實施例之前，將先說明先前技藝的 問題及晶體成長速率與面向的相關性。面向（11〇)、（1〇1) 及（011)在結晶學上是等價的，本說明書中，集體用丨11〇} 表不，當然，每一面向皆適用。以下說明雖然是以矽晶體 為例，但亦適用任何IV-族元素晶體（c、Si、Ge、如及抑的 晶體或其混合晶體）。 圖1(a)及1(b)說明以雷射束進行結晶之先前技藝所遭遇 的問題。 如圖1(a)所示，非晶性矽以雷射束1掃描使之結晶，雷射 束1之長轴沿縱向配置，而且在垂直於長軸的方向或向右邊 作側向移動。與其它方法（例如，以固定雷射束對非晶性矽 進行結晶）比較，此法產生顆粒尺寸相當大的矽晶體。因此 ’有許多研究人員已著手研究改進此法。利用此方法所製 造之多晶矽的特點為，晶粒1〇1係沿著掃描方向2上形成。 石夕晶體的顆粒尺寸和面向隨著雷射束種類（例如準分子雷 射束、固態雷射束等）及非晶性矽薄膜的厚度而變化。例如 ’當一50 nm厚的非晶性矽膜以一固態雷射（YAG)使其結晶 時，會長出{100}面在成長方向上且{110}面在垂直於基板 方向上之最大尺寸為1〇 μπι或以上的晶粒。若電晶體的通道 是沿著掃描方向2配置，電子移動性由於顆粒邊界處的分散 情況減輕而增強，因此電晶體的性能獲得提昇。在實際形 成之多晶矽薄膜的掃描開始區域會發現有許多微晶體1 〇2 ，掃描時，顆粒邊界接缝103會發生在任何地方，且薄膜中 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 548727 A7
，在晶粒以外的位置，到處都可以 4# X 1 η 4 ^ Ά 4m ^ 大…、發生的顆粒裂 隙邊界104，这些都會降低多晶石夕 认< 、土々H 浔暝的σ口質。解決此問題 的方法之一疋在一基板上形成一多 夕日日取薄膜，並以一雷射 ::::膜進行兩次不同的掃描。例如，第二掃描的方向2 ，、第掃描垂直的方向進行，如圖一 ^ ^ 國Ub)所不。此方法相當 有效。然而，該第二掃描也會產生料曰 "田L腎座玍微日日體102、顆粒邊界接 缝103和顆粒裂隙邊界104,使效果不如預期。即使第二掃 描的方向2是以平行於第一掃描的方向進行，結果仍然相同 。因此，使用側向結晶的薄膜電晶體尚未被實際使用。基 本問題是，矽晶體的成長機制與雷射結晶技術未適當匹配。 圖2(a)至2(c)所不為矽晶格，圖2(a)為面{1〇〇丨平行於薄 板，圖2(b)為面{110}平行於薄板，圖2(c)為面丨m丨平行 於薄板。虛線表示與薄板垂直的其它面。在矽從液相變化 到固相的固化程序中，例如雷射結晶程序，視矽的面向而 定’固化速度（或晶體成長率）變化極大。定量地量測成長 率極為困難，不過，面{100}的成長率已知（雷射退火的情 況）大約為7 m/s。相反地，面{in}的成長率大約比面{1〇〇} 小一個階數（Laser Annealing of Semiconductors，J. μ Poate，Academic Press，New York，1982年）。此外，在 矽的側向結晶方面，面{111 }的成長一般而言是活躍的。石夕 晶體的原始結構以及雷射束的熱所造成的溫度梯度均為決 疋以上兩面之成長率的因素。因此，♦晶體在一薄膜表面 的成長機制具有很強烈的非等向性，這造成如圖1所示的許 多瑕疲。例如，當圖2(b)所示的晶粒沿著{100}的方向側向 •12· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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548727 A7 B7 成長，另一面{111}可能由一相鄰的晶粒沿著與丨1〇〇丨方向 夾54. 8°的方向成長’而在它們間產生衝突，造成前述的瑕 疵。因此，為減少此等瑕疵，本發明提供一種不同於傳統 掃描方法且對溫度梯度加以控制的方法。根據本發明藉由 使雷射束掃描程序與該等結晶面之間的夹角能夠匹配而抑 制瑕疵的發生。以下參考圖2(b)的晶體結構說明本發明之 具體實施例。然而’應了解，本發明之具體實施例亦適用 於其它不同角度的晶體結構。 (具體實施例1 ) 圖3(a)為一根據本發明第一具體實施例之雷射結晶法。 當雷射束1施加於掃描方向2時，雷射束〗的長軸與一垂直於 掃描方向2之間的夾角係定義成為長軸偏斜角3。藉由使長 轴偏斜角3與圖2所示各個結晶成長面間的角度相配合，使 沿掃描方向2的晶體成長與根據長轴偏斜角3所造成之溫度 梯度的結晶成長分開，而降低瑕疵發生的機會。例如，長 轴偏斜角3可以是54.8。，使面U1U不受成長面{1〇〇}干擾 ，反之亦同，而改善各成長面的協調性。本具體實施 用了雷射束長轴的偏斜特性。可以利用，例如，一遮罩、 一雷射狹缝Gaser slit)等裝置，達成對雷射掃描作相同 的控制。 (具體實施例2) 圖3(b)為一根據本發明第二具體實施例之雷射結晶法。 此法中’結晶-矽薄膜之同一面以一雷射束照掃描兩次， 第二掃描方向2係相對於第-掃描方向偏斜_掃㈣斜角4
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548727 A7 _________B7____ 五、發明説明) 。藉由使此一掃描偏斜角4與圖2所示晶體成長面之間的角 度相配合，另一成長面上（不同於在第一掃描形成的晶體成 長面）的成長在第二掃描程序中達成。因此，可同時獲致降 低第一掃描所發生的瑕疵以及形成不同面向的晶粒之兩個 效果。此外，此情況下，可藉由適當選擇長轴偏斜角3以形 成品質良好的晶體。本具體實施例亦可藉由使用一遮罩、 一雷射狹缝等裝置來控制雷射掃描而達成。 圖4為一根據本發明第二具體實施例之特別的雷射結晶 法。一第一雷射束1沿掃描方向2移動。此時，長轴偏斜角3 為〇°°因此’可得到一包含具有一與掃描方向2正交的面 {100}及一與薄板平行的面丨11〇}之長條狀晶粒5的第一多 結晶區域6(圖4(a))。然後，在該第一多結晶區域6上，以 一長軸偏斜角3與一相對於第一雷射結晶之掃描偏斜角4進 行第二雷射結晶。此時，使長轴偏斜角3和掃描偏斜角4兩 者都是54· 8。，一從如圖4所示長條狀晶粒5所產生的第二多 結晶區域7成長進入面{in}的方向，成為無瑕疵的狀態 (圖 4(b)) 〇 圖5亦為一根據本發明第二具體實施例之特別的雷射結 晶法的例子。如同圖4(a)和圖4(b)，在第一雷射結晶之後 ，以相對於第一雷射結晶之一掃描偏斜角4及一長轴偏斜角 3對第一多結晶區域6進行第二雷射結晶。此時，掃描偏斜 角4為54.8。，長轴偏斜角3為35· 3。。因此，從圖3(b)所示 ，面{111}之其餘成長，圖4(3)及4(1))並未顯示，係源自於 {111}的兩面。此情況下，整個第二多結晶區域並不變成一 -14- 本紙張尺度適财s s家標準(CNS) A4規格x 297公爱) ----- 548727 A7
548727 五、發明説明（13 晶之前，以照相機拍攝定位標記8，將其圖案儲存起來。根 據儲存的圖案计鼻基板的參考方向9，在掃描方向2上進行 $—雷射結晶，掃描方向2係藉由預先加上掃描偏斜角4所 得到此時長軸偏斜角3為〇。。因此，在基板上形成一第 一多結晶區域6,其面{100丨與掃描方向2垂直，面丨11〇}與 基板平行（圖7(a))。然後，從定位標記8的圖案預先計算出 第一多結晶區域6内要改善品質的部位。因此，利用計算出 來的位置與先前得到的參考方向g之間的關係，可決定第二 雷射結晶的掃描位置。第二掃描方向2係設為與參考方向9 平行，長轴偏斜角3設為54·8。。m式，形成與圖❿） 相似的第二結晶區域7(圖7(b))。利用定位標記8, 一源極 “及極、-通道、一閘極絕緣物及一閘極電極，一個接 :個地形成’使電晶體的通道重疊於形成的第二多結晶 用、一多薄膜電晶體1〇群組。因此，可得到一利 體陶^域（瑕範很少）作為通道的高機能薄膜電晶 圖8(a)至8(c)所不為另一應用一根 施例之雷射結晶法於一實^面杯的姓〜赞月第一具體實 至隨一 4 貫際面板的特別例子。如同圖7(a) == 行第一雷射結晶。此時，掃描偏斜角4 Γ:，「：偏斜角3為°。。因此，在基板上形 多結晶區域6内，=(;)』::下來，預先計算出在第- 位’並在該部位進行第二雷涛膜電-體的部 由射m曰日。第二掃描方向2和參考 標準(CNS) A4 顧 548727 A7
長軸的偏斜角為35· 3。。以此方 方向9之間的夾角為54, 式’可選擇性地形成如圖5之第二多結晶區域。 當使電晶體的圖案偏斜以使其電流通道與形成於第二多結 晶區域7上的晶體成長方向平行時，一源極、一汲極、一通 道、、-閘極絕緣物及一閘極電極會一個接著一個地形成而 形成每個該等薄膜電晶體1〇。在其它區域，係形成一傳統 的薄膜電晶體H，其具有一與參考方向9平行的電流通道。 因此★，可選擇性地形成一具有與傳統薄膜電晶體u不同面 向的薄膜電晶體10群組。整體特徵係分別藉由分配電子型 式及電洞型式之載體來改進。 圖9所示之一週邊電路的例子為，其所具有之應用如圖 Ka)至7(c)及圖8(a)至8(c)所示之第二多結晶區域？的薄 膜電sa體1〇與傳統薄膜電晶體η係分別被分配在面板上不 同的區域。整個週邊電路中的特定區域12係利用定位標記 預先決定。在這些特定區域12中，一薄膜電晶體1〇群組之 一面向一電流通道的方向相同。其上只進行一雷射結晶， 與运些特定區域12形成對比之一傳統區域13亦被適當地阻 隔（block)及配置。此方式可提高雷射結晶的掃描效率，並 降低製造成本。該等特定區域可以選擇性地用不同的载體 型式來代表’亦即，電子型式或電洞型式。 圖10所示為一使用本發明所述薄膜電晶之影像顯示器的 例子。一石夕薄膜形成於一絕緣基板14上，一週邊電路區域 15與其結合’它們集合起來構成一具有像素16的影像顯示 面板。由於電路上不同的電晶體需要有不同性能，因此該 -17- 本紙張尺度適财 X 297公釐) 548727 A7 B7 五、發明説明（15 ) 等薄膜電晶體係以類似於圖9的組合選擇性地結合起來。此 一構造中，主要電路可結合於一大面積的玻璃基板上，而 形成一幾乎結合了所有傳統週邊電路的影像顯示器。此外 ，該裝置可以使用低成本的玻璃基板，以更少的程序製造 。在該影像顯示面板上，一液晶層17、一共用電極及一 保護膜19依序重疊於其上面，它們夾在一上部極板2〇與一 下部極板21之間形成三明治結構。該影像顯示面板係藉由 把上述組件形成於一導光板22上成為一件所做成。 因此’可降低一結晶薄膜在形成一薄膜電晶體時發生瑕 疵的機會，且薄膜電晶體係選擇性地形成於具有高品質多 結晶的部位，因此可得到高性能的薄膜電晶體裝置。此外 ，有可能在同一玻璃基板上密集地形成像素部份及一週邊 電路，因此可得到一大型（大於15吋）影像顯示器。 本發明的原理、較佳具體實施例和操作模式已於前述說 明詳細描述。然而，本發明所被保護的並不僅限於所揭示 特定的具體實施例。本文所描述之具體實施例係用於說明 ，而非限制。其他人可做各種變化及改變，及採行同等作 法，並不背離本發明的精神。因此，在此表明，所有在申 請專利範圍中所定義之在本發明精神及範圍内之該等變化 、改變及同等作法皆囊括於本發明之申請專利範圍内。 -18- 本紙張尺度冢標準(⑽）A:規格(摩撕公爱)

Claims (1)

  1. 修正 A BCD 4358號專利申請案 +^申謂j專利範圍替換本(92年6月） 申請專利範圍 1 · 一種薄膜電晶體裝置，其包含： 一絕緣基板； 每個該等薄膜電晶體具有一源極 閘極 一多結晶薄膜，其係形成於該絕緣基板上者；及 複數個薄膜電晶體，其係形成於該多結晶薄膜上者 沒極、一通道及 其中該多結晶薄膜具有複數個包含C、Si、Ge、Sn j Pb之IV族元素至少其中之一的晶體之結晶區域，且 該結晶區域的面向為{100}、{11〇}及{111}至少其今 兩個，係在針對每個該等面向個別進行雷射掃描的階召 形成。 2. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體裝置，其中該絕驾 基板係以玻璃做成且該多結晶薄膜的厚度為 300 nm 〇 3. 如申請專利範圍第丨項之薄膜電晶體裝置，其中每個全 結晶區域具有至少一薄膜電晶體，其具有一通道位於;; 源極及一汲極之間，在該結晶區域中之該薄膜電晶體起 道係排列於互相夾〇 ± 5〇、30 ± 5〇、35 3 + 5。 45·〇 土 5°、54.8±5°、6〇±5°、7〇.5±519〇±H 之一的兩方向之一。 4. 如申請專利範圍第3項之薄膜電晶體裝置，其中該等g 向亦根據通道中的載體型式做選擇。 ~ 5 · —種影像顯示器，其包含： 複數個薄膜電晶體裝置，合併形成於一 ' ^ 基板上
    每個薄膜電晶體裝置包括·· 一絕緣基板， 一多結晶薄膜，其係形成於該絕緣基板上者，及 複數個薄膜電晶體，其係形成於該多結晶薄膜上者， 每個該等薄膜電晶體具有一源極、一汲極、一通道及一 閘極， 其中孩多結晶薄膜具有複數個包含C、Si、Ge、以及 Pb足IV族7C素至少其中之一的晶體之結晶區域，且 M等結晶區域的面向為，{100}、{110}及{11 ”至少 其中兩個，係在針對每個該等面向個別進行雷射掃描的 階段形成；及 一像素驅動電路、一週邊控制電路及一邏輯電路至少 其中之一。 6· 7. 如申請專利範11第5項之影像顯示器，其中該絕緣基板係 以玻璃做成，且該多結晶薄膜的厚度為3〇11111至3〇()1^^。 如申請專利範圍第5項之影像顯示器，其中每個該等結 晶區域具有至少一薄膜電晶體，其具有一通道位於一源^ 極及一汲極之間，在該等結晶區域中之該薄膜電晶體通 道係排列於互相夾〇 土 50、30 土 50、35·3 土 5〇、45.0 ± 5〇 、 54.8 士 5°、60 ± 5° 向之一。 7〇·5 士 5。及 90 土 5°角度之一的兩方 8·如申請專利範圍第7項之影像顯示器，其中該等面向亦 根據通道中的載體型式做選擇。 9· 一種薄膜電晶體裝置之製造方法，其藉由具有一長轴之 548727
    田射束使半導體薄膜結晶於一緣絕基板上，其中該雷射 束的長軸與和該半導體薄膜之雷射掃描的垂直方向之 門的角度係定義為長軸偏斜角，其為〇 土 5〇、 30土5〇 35.3 ± 5°、45.0 土 5〇、54·8 土 5〇、60 ± 5°、70.5 ± 50 及90 ± 5。角度之一。 10·如申請專利範圍第9項之薄膜電晶體裝置之製造方法， /、中β半導體之薄膜每次以雷射束掃描進行結晶數次 ，任何兩連續雷射掃描方向之間的角度係定義為「掃描 偏斜角」，為 〇 ± 5。、30 ± 5。、35.3 土 5。、45.0 土 5。、 54,8 ± 5。、60 ± 5。、70.5 ± 50。及 90 ± 5。角度之一。 U·如申請專利範圍第10項之薄膜電晶體裝置之製造方法 三其中該半導體薄膜至少有一區域係以一對長軸偏斜角 等於掃描偏斜角的雷射束加以結晶。 12·如申請專利範圍第u項之薄膜電晶體裝置之製造方法 ，其中該半導體薄膜有複數個區域係以至少兩組長軸偏 斜角及兩組掃描偏斜角在結晶區域中加以結晶。 13·如申請專利範圍第9項之薄膜電晶體裝置之製造方法， 其中該絕緣基板或該半導體薄膜具有複數個定位標記 用於提供絕對位置及絕對角度的指標以便決定長軸或 掃描偏斜角。 14·如申請專利範圍第9項之薄膜電晶體裝置之製造方法， 其中該薄膜電晶體裝置至少有一薄膜電晶體，其具有— 通道位於一源極及一汲極之間，該薄膜電晶體通道排列 於互相夾 0 ± 5。、30 士 5。、35.3 ± 5。、45 〇 ± 5〇、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 548727
    申請專利範圍 54.8 ± 5〇、60 ± 5〇、70 S + ^ 向之一。 7〇.5 士 5。及90 土 5。角度之一的兩方 15.如:請專利範圍第10項之薄膜電晶體裝置之製造方法 ，其中該薄膜雷曰触發苗π ^ H长 日日置至少有-薄膜電晶體，其具有 通迢位於一源極及一 兮落_ A ^^^^7 及扛又間，该潯膜電晶體通道排 〜 可兩連續雷射掃描方向的-第二掃描方向 上0 16·如申請專利範圍第10項之薄膜電晶體裝置之製造方法 ’其中該雷射掃描方向亦根據通道中的載體型式作選擇。 磺申叫專利範圍第9項之薄膜電晶體裝置之製造方法， 八中Θ田射束心長軸方向係利用一雷射投影裝置、一遮 罩或一雷射狹縫加以控制。 、 8·如申清專利範圍第1〇項之薄膜電晶體裝置之製造方法 ，其中該長軸偏斜角為35.3 ± 5。，該掃 為 54.8 ± 5°。 β 月為 9·如申凊專利範圍第1〇項之薄膜電晶體裝置之製造方法，其 中該長軸偏斜角為54.8土5。，該掃描偏斜角為〇±5。。… -4-
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