TW546401B - Device for the coating of an areal substrate - Google Patents

Description

546401 五、發明說明（1 ) 本發明係有關於一種如申請專利範圍第1項前言之裝置 〇 陰極射線管在過去超過一百年間，已成爲藉由光柵形成 光點（r a s t e r - f 〇 r m s ρ 〇 t )表示法以達成之靜態及/或動態 運動圖像光學表示方法的一種選擇。然而，陰極射線管之 缺點在於，其具有相當大的深度，這使得無法藉其來製造 出譬如平面電視螢幕等。 ’ 因此，已長時間企圖製造一平面螢幕或一平面顯示器。 最近十年來已發展出可用於製造平面螢幕且爲人所熟知的 結構元件係發光二極體（LED)、液晶元件（LCD)及電漿元件 。然而，這些現代的結構元件亦仍具有特殊之缺點。例如 ，習知發光二極體需消耗較高的能量位準，而呈小螢光管 的電漿元件則無法縮小至任何所需求的尺寸。電漿元件之 圖素光柵係限制到大約0 . 5公厘。更新進之平面螢幕製造 係朝所謂有機發光二極體（0LED)發展。該有機發光二極體 之優點包括，其在低於5伏特之電壓下，具有低能量消耗 、發出強光、具有一寬大的輻射角度、可適用於-40 °C至 + 8 5°C之溫度範圍中、以及重量較輕。此外，其量子效率 、即每一射出之電子或電洞所產生之光子數量將升高至超 過 16%(Helmut Lemme: OLEDs-Senkrechtstarter aus Ku n stsoff，Elektronik 2/2000，p.98，right column， paragraph 2. No. [ 5 ] : Y i He; Janicky，J . : High Efficiency Organic Polymer Light-Emitting 546401 五、發明說明（2) Heterostructure Devices, Eu rod i splay ’99，VDE-Verlag Berlin，Offenbach)，且因此高於由 ΙΠ-V 族半 導體製成之無機發光二極體的量子效率。是以，有機發光 二極體係應用於由電池來作動的設備的較佳選擇。有機發 光二極體包括設置於兩電極之間的一個或更多個半導體有 機層，且至少一電極（通常係呈透明）。倘若施加一電場， 則電子或電洞將射穿過陰極或陽極而進入有機層之輸送帶 (transport bands)。該兩種電荷載子將互相接近地遷移 且其中有一部份將復合，藉此得經由自發性放射以產生成 光子（Helmuth Lemme :OLEDs-Senkrechtatarter a u s Kunstsoff, Elektronik 2/2000, pp.97 to 103; E. Becker e t a 1 : Organi sche Lumineszenz: Neue Technologie fiir flache Bildschrime, Fernseh- und Kino-Technik， 8-9/2000， pp.l to 5)。 可藉由一有機汽相沈積（OVPD，美國專利案第5,554,220 號）技術以製造出該有機發光二極體，其中在一加熱反應 器中之極低壓力下的一載體蒸汽（carrier gas steam)將 吸收材料且將該材料沈積於一基板上而形成薄層。該基板 可爲譬如已事先藉蒸汽而沈積於玻璃上之一銦錫氧化物 (I TO)電極。一另一電極隨後藉由蒸汽沈積而沈積於有機 發光層上’且具有活性發光層的該等電極具有大約4 0 0奈 米的厚度。 在基板上塗覆有具一薄有機層的另一方法中，提供有具 546401 五、發明說明（3) 有一^加熱器的一基板夾持具’該基板夾持具之底側上固持 著譬如爲玻璃的一基板（EP 0 932 260 A1號案係對應於 US 6 1 0 1 3 1 6號案）。該基板下方設置有用於將有機材料 蒸發的兩蒸發器源，且當設置於該基板與該蒸發器之間的 一隔膜是開啓時，則該上述有機材料將沈積於該基板上。 藉由該方法，根本無法在各基板的大區域上均勻地塗覆。 使用兩分離之蒸發器將導致該經蒸發之材料在該基板上疊 置而造成塗覆不均句。 又已知一真空蒸發設備，其包括一蒸發器槽，待蒸發之 材料將在該蒸發器槽內蒸發。該蒸發器槽之頂側設有沿水 平方向朝外地延伸之一蓋帽（EP 0 477 474 A1號案）。然 ’該設備將無法線性地分配該經蒸發之材料。 亦已知一種用於塗覆一鋼帶之裝置，其包括藉進氣加熱 的至少一真空蒸發器容器。該裝置之特徵在於，每一該等 容器皆具有用於金屬蒸汽輸出口之一開口，且另一個特徵 爲該作爲金屬蒸汽輸出口用的開口具有設置於距離待塗覆 基板一微小間隔處的一窄狹縫型式（w〇 96 / 35822號案）。 然，該裝置亦無法線性地分配蒸汽。 EP 0 982 411 A1號案中係描述一種用於製造出有機電 致發光二極體的蒸發器源。該源包括一個用於接收有機材 料、由一絕緣材料所製成的容器。緊密地環繞該容器則設 置有用於蒸發有機材料的一加熱器。該容器具有一加熱區 帶’該加熱區帶係由該加熱器直接加熱，且也經由一接觸 546401 五、發明說明（4) 區帶與有機材料接觸。在此並未詳細描述塗覆基板之方式 〇 爲了在一大區域上完成各塗層，原則上可能運用點型、 線型或區域蒸發器。雖然，已由譬如EP 0 982 4 1 1 A2及 EP 0 962 260 A1號案中得知點型蒸發器，但是也可由DE 42 04 938 C1號案已知一線型蒸發器。在該線型蒸發器之 案例中，可由下方藉蒸汽式沈積而沈積至基板上。DE 199 2 1 744 A1號案中所揭露的一線型蒸發器係與此相同。 點型蒸發器之缺點在於，使用此點型蒸發器，僅蒸發器 與基板間之距離較大時，才可在大區域上實施一均質塗覆 。這需要一非常大之塗覆設備以達成較大之蒸發器與基板 間距。此外，僅可利用一小部份該蒸發器材料。 此外，蒸發器源必須設置於基板下方，這將造成定位於 蒸發器源與基板之間遮罩的問題，特別係在基板未達大約 300公厘X 400公厘之前、而且也造成在此遮罩中微小結 構的問題。 倘若線性蒸發器源係水平地設置於待塗覆之一基板下方 ’則將因遮罩在此情況下下陷而遭遇到遮罩自大約300公 厘X 400公厘起、及遮罩內具有譬如自0.4公厘X0.4公厘 起之圖素尺寸等微小結構的問題：這將導致非均質塗覆。 爲了達成具有較厚層之一高水準的均質性，該蒸發器或該 基板又必須緩慢地互相相對運動。 本發明係以提供一種用於塗覆基板之裝置的任務爲基礎 546401 五、 發明說明 ( 5 : ) 其 具有低 的 空 間 需 求 、 藉 其，可達成均勻的塗 覆 且 可 能 在 其 中應 用 大 遮 罩 〇 因 此， 可 藉 — 種 依 據 甲 請 專利範圍第1項之特 徵 的 裝 置 來 達 成該 任 務 〇 是 以， 本 發 明 係 有 關 於 一 種用於塗覆譬如一矩 形板件 等 一 is 域基 板的 裝 置 〇 該 裝 置 包括一蒸發器源、及 用 於 將 經 蒸 發 材料 運 送 至 該 基 板 上 的 一分配器系統。該分 配 器 系 統 包 括 一線 型 源 ( ί ir ί e S ( 〕U ] r c ( :)，且該線型源與該 基 板 可 互 相 相 對地 運 動 〇 該 裝 置 較 佳地係用於製造出具有有 機 發 光 二 極 體的平面 螢 幕 〇 由 本發 明 達 成 之 優 點 特別包括因爲導引該基板 通 過 一 線 性 蒸 發器 源 所 以 可 塗 覆 大 量之區域材料。由於 設 置 於 該 蒸 發 器源 與 基 板 之 間 的 遮 罩 係平行該區域基板設 置 所 以 不 致 下陷 〇 此 外 將 可有 效 率地利用經蒸發材料 而 且 經 蒸 發 之有 機 材 料 不 致 與 周 圍 部件發生化學反應。 更 因 此 超 過 i甘渦 且 在 最 終 輸 出 開 □ 之前的該整個分配器 區 間 係 處 於 —. 疋義 之 高 溫 度 ， 如 此 可 防止經蒸發材料凝結 且 也 不 致 使有 機分 子 化 學 分 解 〇 圖 式中 係 描 述 本 發 明 之 一 具體實施例範例且將 在 以 下 說 明 中 更詳細 地 解 說 該 具 體 實 施例範例。圖式中係? 睹ί 述 第 1圖 係依 據 本 發 明 之 一 塗覆容室的總透視圖 5 第 2圖 係依 據 第 1 圖 之 塗 覆容室的前視圖； 第 3圖 係 通 過 依 據 第 2 圖 之容室的剖面A-A ; -7- 546401 五、發明說明（6) 第4圖係通過依據第2圖之容室的剖面B - B ; 第5圖係依據第3圖之坩堝的一放大剖面表示1 第6圖係第4圖之放大局部表示； 第7圖係用於分配經蒸發材料之分配器裝置的透視爆炸 圖式。 達1圖係顯示具有蒸發器之依據本發明的一塗覆鍋爐1 透視總視圖。塗覆鍋爐1包括一前側2及一後側3，且在 前側2中提供一前開口 4及在後側3中提供一後開口 5以 弓丨進一驅動裝置。可在引進該驅動裝置後再次關閉開口 4 及 5。前開口 4上方設置一前板6，且該前板係支持一前 托架板7及一後托架框架8。 塗覆鍋爐1之部件10、1 1、12係形成一外殼，該外殼 係形成一作業區間，且以其外殻與第1圖中未描述之其他 外殼緊鄰地設置。 譬如一玻璃板等之一基板9可運動通過互相緊鄰設置之 該等作業區間且可藉在每一個中皆不相同之方式作業。在 此未顯示出之總設備將因此以模組式組成，且由塗覆鍋爐 1代表複數個模組中的其中之一。該容室（其中該基板9是 被塗覆）無製程時具有小於1〇_4巴（Pa)的一基本壓力，且 具有製程時爲小於1〇_2巴，其中該壓力係蒸發率之一函數 〇 托架板7與托架框架8係互相連接’且具有一凸緣13 至 2 3的複數個測定管皆自一前托架板7突出。譬如’具 546401 五、 發明說明（7) 有 凸緣1 3之管件可發展成包括一玻 璃 蓋的一 觀察 用管 5 且 可能透過玻璃蓋而觀看到基板9。在具有凸緣1 4 之測 定 管 中可設置一熱電偶，且同時具有凸 緣 15之 測定 管中 可 設 置一石英振盪器，可藉該石英振盪 器 來測量 該蒸 發器 源 之 蒸發率。參考代碼24係指示一手 柄 ，其能 夠將 類似 門 —* 樣把托架板7及托架框架8自塗覆 鍋 爐1之 支撐 處抬 起 〇 用於冷卻托架板7及框架8之一冷卻管25 係纒 繞著 具 有 凸緣13至23之測定管，且特別是 使 該冷卻 管自 冷卻 流 體 用之一連接管26起、延伸於結合成 一第一 群的 具有 凸 緣 1 3至1 6之測定管上方，接著導引 至 具有凸 緣1 3至 16 之 該等測定管下方且因此位於結合成 一 第二群 的具 有凸 緣 17 至1 9之其他測定管上方，以及最: 後 ，位在具有凸緣 20 至 23之一第三群測定管下方者係與 冷卻流體 用之 更一 連 接 管27連接。 具有凸緣1 3至2 3的測定管與開口 4 之間設 有一 蒸發 器 源 28，該蒸發器源包括一前管29及- -後管30 〇兩《 管件 29 30係由連接夾箍37、38而互相固 持 ，且該 等連 接夾 箍 係 用於接收連接螺栓。管件30之下 方末端處 設有 兩通 □ 32 、33，譬如一電源可連接至該等通 □ 。管件 30 上係 繞 著一冷卻管36，且該冷卻管係與一 冷卻裝置 通口 39 連 接 。參考代碼3 4、3 5係指示懸吊掛 鉤 ，藉此 可將 形成 一 門 之托架板7、或托架框架8舉升起< 第1圖中未顯不出傳統上平行於基 -9- 板 9設置 、且 也更 明 546401 五、發明說明（8) 確地係位於基板9與前板件6之間的一遮罩。由於該遮罩 係垂直地定向，所以可排除因重力造成之下陷。 基板9係垂直地、即與地球重力方向平行地而被定向。 然而，吾人允許微小的偏離該平行度。整個塗覆鍋爐1可 譬如相對於垂直而傾斜705，但在此未作更進一步解釋。重 點在於，可防止具有潛力之遮罩下陷。倘若該遮罩因基板 9之一歪斜位置而倚靠於該基板9之頂側時，該遮罩將不 致下陷。 第2圖中係以前視圖再次描述相同於第1圖中者之結構 。在此又顯而易見者係歪斜地以凸緣裝至前托架板7上的 蒸發器源28、具有凸緣13至23的複數個測定管、冷卻管 2 5、及手柄24。此外，以第3圖及第4圖所描述之剖面作 爲特徵的剖面線A - A或B - B亦顯而易見。 在第3圖所描述之剖面表示中，可看出具有複數個測定 管及其凸緣14、18、21的托架板7、以及基板9與蒸發器 源28之管件29、30。基板9係譬如爲一玻璃板，且該基 板可運動至圖式平面中及運動出圖式平面。第3圖中未顯 示出該基板9之保持裝置及驅動裝置。可能位於緊鄰基板 9的左側、可覆蓋基板9整個表面之一遮罩的保持裝置及 驅動裝置亦與此相同。 管件29內設置有由一金屬遮蔽管42所圍繞的一陶瓷管 43。陶瓷管43之下方末端處設有一坩堝44，且該坩堝前 方部係連接至一石英管46。在第3圖之表示中，拉出該石 - 1 0 - 五、發明說明（9) 荚管46而使其下方末端與坩堝44之間的距離相對較大。 棄斜地設置之石英管46係於其前末端處過渡至一垂直定 向石英管46後壁47中，且該垂直石英管之面朝向遠離石 英管46的側面48上設有設置於一垂直線上的複數個孔洞 。第7圖中將更詳細地描述該等孔洞。 垂直設置之石英管40係由一陶瓷管之兩半管52、58所 瞻繞’且該兩半管在弟3圖之表不中係向左與向右拉開。 在組立狀態下及操作期間將使兩半管52、58倂合，使其 形成圍繞石英管40的一管狀單元。 接著再藉由金屬管之兩半管53、57圍繞著陶瓷管之兩 半管52、58。設於右側上之半個陶瓷管或金屬管52、53 在相同於垂直石英管40之位置處上具有複數個孔洞。該 三個管件之孔洞將因此而互相定位於另一個之上方且形成 —線型源。 在操作期間，石英管46之下方末端係與坩堝44連接， 使得來自坩堝44之經蒸發材料將經由該歪斜的石英管46 而導入由陶瓷半管52、58及金屬半管53、57所圍繞的垂 直石英管40中。經蒸發之材料此刻將經由石英管4〇之垂 直設置孔洞且經由陶瓷或金屬管之半管5 2、5 3而導入於 容室（其中設置有基板9 )中。由於該等孔洞-對比第3圖之 表元-在操作期間係設置於基板9左側，所以基板9係與 經蒸發之材料作用。 倘若一遮罩係設置於金屬管53與基板9之間，則經蒸 11- 546401 五、發明說明（1〇) 發材料係在到達基板9上之前會先觸及該遮罩。 通過由石英管40之垂直設置孔洞所形成的陶瓷管52、 5 8及金屬管5 3、5 7線型源之後’基板9將導引出圖式平 面或進入圖式平面。如此，可能連續地塗覆一大的基板區 域。 坩堝44之溫度、及包含管件40與46之分配系統的溫 度係分離地被調節，而且必須精確地調節至1 00 °C與 800°C之間的範圍內。接續坩堝44之整個分配系統必須處 於可防止凝結但不致熱分解有機分子的一定義高溫度下。 如結合第6圖所作之解說，均勻之溫度係經由輻射之間接 加熱而最佳地達成。經由適應於蒸發率的管件40、46直 徑對包括有許多微小孔洞或一狹縫之輸出開口面積的比率 ，將可達成均質的塗覆基板9。該輸出開口可經由特殊回 火（tempering)而較優地免於塗覆。 管件40的前側48與基板在操作期間之間距應保持儘可 能地小。藉由第1圖至第3圖所描述之裝置，可能在補充 塗覆材料時，僅坩堝區間需要通風。此外，可能使坩堝44 保持於真空或將保護氣體帶至該分配系統，而無需使該坩 堝、整個線型源或設備通風。亦可能提供用於蒸發不同材 料的兩蒸發器坩堝，且兩材料蒸汽係在分配系統中均質地 混合。 第4圖係顯示通過塗覆鍋爐1的一剖面B- B。兩管件29 、30、冷卻管36、及板件7或框架8將再一次顯而易見。 -12- 546401 五、發明說明（11) 剖開該管件29 ’使得其內的金屬管42及其內的陶瓷管 4 3以及其內之石英管46得以明顯。可看出具有前側48及 後側47之垂直石英管40係大致位於基板9之高度處。該 石英管前方係設置一陶瓷半管52及一金屬半管53。石英 管40後方則明顯地具有另一陶瓷半管58及另一金屬半管 5 7。相對於托架板7以凸緣歪斜地安裝的金屬管42上設 有兩調整輔助件62、63，且該等調整輔助件係用於使金屬 管42定向，使得該線型源之垂直孔洞能垂直地指向基板9 上。 第5圖係以一放大比例來顯示依據第3圖之蒸發器28 下方區間。 坩堝44係藉由一分隔壁69而分割成一上方容室73及 一下方容室45。上方容室73中係置放有待蒸發之有機物 質。此處包含之該物質係譬如上述由E. Becker等人所著 論文中的圖式4顯示者。用於輸送電子之可能材料特別爲 (A 1 q3，PBD )、用於放射光線者特別爲（A 1 q3，1 - AZM - Hex， OXD-8，摻雜物質·· Ph-Qd，DCM，Eu(TTFA)3Phen)、且用 於輸送電洞者特別爲（CuPc，TNATA，TAD, NPD)。其他物 質亦屬可能（參閱WO 99 / 25894號案，申請專利範圍第6 項）。 坩堝44係由石英玻璃所構成。然而，亦可採用鉬、鉬 或鎢質之坩堝。必須確保的是該坩堝44在每一情況下皆 不致與設置於其內的材料發生化學反應。 -1 3 - 546401 五、發明說明（12 ) 坩堝44的上方容室73之歪斜底部69係確保將該底部 69定向至與地球表面平行。坩堝44之空容室45的相對底 部 66設有一支持件82，且該支持件具有複數個拉條彈簧 83、65、81。其上方部設置於底部66附近或亦引進容室 45中的一熱感測器78、84係藉一螺旋彈簧79圍繞其下方 區間。一冷卻裝置輸入口 39係與一冷卻流體管線71連接 。8 5係指示設有一孔洞86的一短鋼管，可經由該孔洞引 入進給管線或相似者。 第6圖係再次顯示第4圖之一細部放大。此處可看出設 置於陶瓷管4 3或5 8外側上的複數個加熱條8 8至9 0或9 2 、9 3，以加熱該陶瓷管，使得陶瓷管43或58可間接加熱 石英管46或40。亦可能提供眾多小型加熱線圈或其他加 熱元件來取代加熱條8 8至9 0、9 2、9 3。9 5、9 6係指示裝 設於金屬管5 3、5 7下方末端處的一蓋子之部份。 第7圖中係以透視圖再一次表示分配系統之組件，該分 配系統係使在坩堝44中之經蒸發材料分配至該基板上。 石英管46之一末端係與坩堝44連接，但在此並未顯示出 ，且同時石英管4 6之另一末端係歪斜地、即以一近似4 5。 之角度終結於石英管40中。環繞石英管46係置放在陶瓷 管43，且該陶瓷管再接著由金屬管42圍繞。陶瓷或金屬 管43或42係被選擇使得它們不會與經蒸發材料產生反應 者。 藉剖面來顯示以近似45°之角度且藉凸緣安裝的全部三 - 14- 546401 五、發明說明（13) 個管件42、43、46之一部份。管件42、43係終結於半管 57、58中，且該等半管係藉相同於該等管件本身材料之材 料構成。 以爆炸圖顯示出之半管57、58係與陶瓷半管52及金屬 半管53相對。 年管58與52、或57與53分別係藉夾箍或其他連接裝 置輔助而互相連接，使得兩石英管46及40在操作狀態下 皆由一個陶瓷管所圍繞，且該陶瓷管接著再由一金屬管所 圍繞。 爲了藉由一線型蒸發器源來作用沿箭頭1 0 0方向、即垂 直石英管40縱向軸移動的基板，因此在石英管40且亦在 陶瓷半管52、53及金屬半管53中提供一起形成一線型源 的複數個相對孔口 1 0 1、1 02、1 03。藉由採用呈一直線設 置之該等孔口，將可較一縱向狹縫能更佳地分配該經蒸發 材料。特別是可應用在用於初始地分配該經蒸發材料之的 石英管40。然而，亦能在金屬半管5 3中提供一連續狹縫 ，而不致因此對均勻分配經蒸發材料造成明顯影響。然而 ，陶瓷半管52及/或石英管40中之純狹縫原則上亦屬可 會g 。 如業已強調，已了解到平行於或垂直於地球重力之該基 板方位及其移動方向意味著可防止現在具潛力的遮罩下陷 。這在遮罩倚靠於一基板頂側且該基板係與地球重力方向 橫切地定向、及產生「來自上方」之一塗覆時亦然。 -15- 546401 五、發明說明（14 ) 更:應了解到，亦可提供導引一蒸發器源通過的一靜止基 扳來取代由一基板朝向其運動的一靜止蒸發器源。 本發明之一重要特徵在於，蒸發器壁、分配器壁及孔洞 壁之溫度係保持於可避免蒸汽在側壁上凝結的一溫度之上 。該需求溫度係近似於材料之汽化溫度，且該溫度係根據 環境壓力而定、即該汽化溫度並非與大氣壓力下之汽化溫 度相當。 另一重要特徵在於，該蒸發管必須配置在平行於該基板 表面之一平面中。 又，本發明不僅可應用於藉一垂直方式定位之基板配置 ，且亦可應用於藉一水平方式定位者。 元件符號說明 1 塗覆鍋爐 2 前側 3 後側 4 前開口 5 後開口 6 前板 7 前托架板 8 後托架框架 9 基板 10,11,12 部件 1 3〜2 3 凸緣 -16- 546401 五、發明說明（1〇 24 手柄 25 冷卻管 26，27 連接管 28 蒸發器源 29 前管 30 後管 32，33 通口 34,35 懸吊掛鉤 36 冷卻管 37,38 連接夾箍 39 冷卻裝置通口 40 石英管 42 金屬遮蔽管 43 陶瓷管 44 坩堝 45 下方容室 46 石英管 47 後壁 48 側面 52,58 陶瓷（半）管 5 3,57 金屬（半）管 62,63 調整輔助件 6 5 拉條彈簧 -17- 546401 五、發明說明（16) 66 69 7 1 73 77 78 79 8 1 82 83 84 85 86 88 ,89,90,92,93 95，96 1〇〇 1 〇 1，102，103 底部 分隔壁/歪斜底部 冷卻流體管線 上方容室 溫度感測器 熱感測器 螺旋彈簧 拉條彈簧 支持件 拉條彈簧 熱感測器 短鋼管 孔洞 加熱條/加熱元件 蓋子之部份 箭頭 孔口 -18-

Claims (1)

1. 546401

   六、申請專利範圍 1 〜種用於在一區域基板（9 )上塗覆之裝置，其包括·· 一靜止蒸發器源（28 )，用於使塗覆在該基板（9 )上的 材料蒸發； 一驅動裝置，使該區域基板（9)相對該蒸發器源（28) 而移動； 一第一分配器裝置（40)，將由該蒸發器源（28)所輸出 的蒸汽作線性分配；及 一第二分配器裝置（46)，其一末端係至少鄰近該蒸發 器源（28)而設置，且其另一末端係終結於該第一分配器 裝置（40 )中。 2 ·如申請專利範圍第i項之裝置，其中將該基板（9 )定向 成，使該基板（9 )表面上的一法線與地球重力方向大體 上成垂直而延伸。 3 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中爲該基板（9 )之運 動係與該基板（9)之法線大體上成垂直且與地球重力大 體上成垂直。 4 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該分配器線係與該 基板（9)表面及地球重力表面大體上成平行而延伸。 5 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一分配器裝置 (40)係一石英管，其中該蒸汽之線性分配係通過被設置 於一筆直線上的複數個孔洞（101)。 6 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二分配器裝置 (46)係一石英管。 -19- 546401 六、申請專利範圍 7 ·如申請專利範圍第6項之裝置，其中該第一及第二分配 器裝置（40、46)皆由一陶瓷套筒（52、58; 43)所圍繞。 8 ·如申請專利範圍第7項之裝置，其中環繞著該第一分配 器裝置（40)之該陶瓷套筒（52、58)包括有兩半管（52、 5 8 )，其中在一半管（52 )中提供了設置於一筆直線上的 複數個孔洞（102)。 9 .如申請專利範圍第7項之裝置，其中該等陶瓷套筒（5 2 、58 ; 43)皆由一金屬套筒（53、57 ; 42)所圍繞。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中環繞著該陶瓷套筒 (52、58)之該金屬套筒（53)包括兩半管（53、57)，其中 在一半管（5 3 )中提供了設置於一筆直線上的複數個孔洞 (103)。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中至少一該等分配裝 置（40、46)可間接地加熱。 1 2 ·如申請專利範圍第7項之裝置，其中該等陶瓷套筒（52 、58; 43)具有複數個電氣加熱元件（88、89; 92、93) 〇 1 3 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該蒸發器源（28 )包 括一坩堝（44)，該坩堝（44)的溫度可調節且可精確地調 整於至少100°C至8 00°C的一範圍內。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之裝置，其中該坩堝（44 )可與 該等分配器裝置其中之一連結。 1 5 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該蒸發器源（2 8 )中 -20- 546401 六、申請專利範圍 蒸發之材料係一有機物質。 1 6 ·$□申請專利範圍第丨項之裝置，其中該第二分配器裝置 (46)係以大約45°之一角度連附至該第一分配器裝置（40) 〇 17 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該蒸發器源（28)包 括一坩堝（4 4 )，該坩堝係藉一歪斜分隔壁（6 9 )而分割成 兩區間（4 5、7 3 )，其中該上方區間（7 3 )中係設置待蒸發 材料，而該下方區間（45)係一空容室。 1 8 ·$[]申§靑專利範圍第1 7項之裝置’其中相對於該j：甘渦（4 4 ) —底部（6 6 )處提供了具有一溫度感測器（7 7 )之一支持件 (82)。 1 9 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中提供具有一門（6、 7、8)之一塗覆鍋爐（1)，一蒸發器源（28)係以凸緣安裝 至其外側上。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 9項之裝置，其中該塗覆鍋爐（1 )係 相對於地球重力略微傾斜° 2 1 ·如申請專利範圍第20項之裝置，其中該傾斜係7°。 22·如申請專利範圍第7項之裝置，其中該等陶瓷套筒（52 、58 ; 43 )之外側上設有電氣地可加熱元件（88至90、 92、93 ” 23 ·如申請專利範圍第1 7項之裝置，其中一熱感測器（78、 84)係引進該坩堝（44)之該下方區間（45)中。 -21 -