NL1020820C2 - Inrichting om een laag op een vlak substraat aan te brengen. - Google Patents

Inrichting om een laag op een vlak substraat aan te brengen. Download PDF

Info

Publication number
NL1020820C2
NL1020820C2 NL1020820A NL1020820A NL1020820C2 NL 1020820 C2 NL1020820 C2 NL 1020820C2 NL 1020820 A NL1020820 A NL 1020820A NL 1020820 A NL1020820 A NL 1020820A NL 1020820 C2 NL1020820 C2 NL 1020820C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
substrate
distribution
tube
ceramic
crucible
Prior art date
Application number
NL1020820A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1020820A1 (nl
Inventor
Uwe Hoffmann
Jutta Trube
Dieter Haas
Original Assignee
Applied Films Gmbh & Co Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Films Gmbh & Co Kg filed Critical Applied Films Gmbh & Co Kg
Publication of NL1020820A1 publication Critical patent/NL1020820A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1020820C2 publication Critical patent/NL1020820C2/nl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

H Titel: Inrichting om een laag op een vlak substraat aan te brengen.
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting volgens de aanhef van conclusie 1.
Voor de optische weergave van stilstaande en/of bewegende beelden door middel van rastervormige puntweergaven is sinds meer dan 100 jaar I 5 de Braunse buis, die ook elektronenstraalbuis wordt genoemd, het te verkiezen apparaat. Een nadeel van de Braunse buis is echter, dat deze een aanzienlijke diepte heeft, zodat daarmee bijvoorbeeld geen vlak I televisiebeeldscherm kan worden vervaardigd.
Derhalve streeft men sinds lange tijd, om een vlak beeldscherm I 10 respectievelijk een vlak display te vervaardigen. De bekendste van de in de laatste jaren en tientallen jaren ontwikkelde bouwelementen, waarmee I vlakke beeldschermen vervaardigd kunnen worden, zijn de lichtemitterende I diodes (LEDs) de vloeibaar kristal-schermen (LCDs) en de plasma- I elementen. Deze moderne bouwelementen hebben echter ook nog bepaalde 15 nadelen. Zo verbruiken traditionele LEDs relatief veel energie, terwijl I plasma-elementen, waarbij het kleine fluorescentiebuizen betreft, niet willekeurig klein kunnen worden gemaakt. Het pixelraster van de plasma- I elementen is tot circa 0,5 mm beperkt. Nieuwe ontwikkelingen bij de I vervaardiging van vlakbeeldschermen zijn op de zogenaamde organische I 20 lichtdiodes (OLEDs) gericht. De voordelen van deze organische lichtdioden bestaan daarin, dat deze bij spanningen van minder dan 5 Volt weinig elektrische energie verbruiken, sterk oplichtende kleuren laten zien, een brede uitstraalhoek bezitten, in temperatuurbereiken van - 40 °C tot + 85 °C inzetbaar zijn en een gering gewicht hebben. Bovendien ligt hun kwantum 25 efficiency, dat wil zeggen het aantal verwekte fotonen per geïnjecteerd elektron of gat, ondertussen bij meer dan 16 % (Helmuth Lemme: OLEDs-Senkrechtstarter aus Kunststoff, Elektronik 2/2000, p. 98, rechter kolom, tweede alinea, Nr. [5]: [Yi He; Janicky, J.: High Efficiency Organic Polymer 1020820 I 2
Light-Emitting Heterostructure Devices, Eurodisplay '99, VDE-Verlag I Berlin, Offenbach) en derhalve boven de kwantum efficiency van I anorganische LEDs uit III-V-halfgeleiders. De OLEDs zijn daardoor geschikt voor toepassingen in batterij aangedreven inrichtingen. OLEDs I 5 bestaan uit één of meer halfgeleidende organische lagen, die tussen twee I elektroden zijn opgesteld, waarbij in het algemeen tenminste één van deze elektroden transparant is. Wanneer een elektrisch veld wordt aangelegd, worden elektronen resp. gaten door de kathode resp. anode in de transportbanden van de organische laag geïnjecteerd. De beide 10 ladingsdragers dwalen op elkaar af en een bepaald deel ervan recombineert, waardoor lichtkwanta door spontane emissie ontstaan (Helmuth Lemme: I OLEDs - Senkrechtstarter aus Kunststoff, Elektronik 2/2000, p. 97 tot 103; E. Becker et al.: Organische Lumineszenz: Neue Technologie für flache I Bildschirme, Fernseh- und Kino-Technik, 8-9/2000. p. 1 tot 5).
H 15 De vervaardiging van OLEDs kan door middel van een OVPD-
Technologie verlopen (OVPD = Organic Vapor Phase Deposition, US 5 554 220), waarbij een dragergasstroom bij een zeer lage druk in een verhitte H reactor organisch materiaal opneemt en dit als dunne lagen op een ^B substraat deponeert. Bij dit substraat kan het bijvoorbeeld om een ITO- 20 elektrode (ITO = Indium-Zink-Oxide) gaan die daarvoor op glas is opgedampt. Op de organische lichtlaag wordt vervolgens een verdere ^B elektrode op gedampt, waarbij de elektroden met de actieve lichtlaag ongeveer 400 nanometer dik zijn.
Volgens een andere werkwijze om een dunne organische laag op een 25 substraat aan te brengen, is een substraathouder van een verhitter voorzien, die op zijn onderzijde een substraat houdt, bijvoorbeeld glas (EP 0 962 260 Al = US-PS 6 101 316). Onder dit substraat zijn twee verdampingsbronnen voorzien, die organisch materiaal verdampen, dat zich op het substraat neerslaat, wanneer een zich tussen het substraat en de H 30 verdamper bevindend scherm is geopend. Met deze werkwijze is het niet 1 η?Γ) 820 3 mogelijk om een laag en over een groot vlak gelijkmatig op substraten aan te brengen. Het gebruik van twee gescheiden verdampers leidt tot overlappingen van het verdampte materiaal op het substraat, hetgeen leidt tot een ongelijkmatigheid van de laag.
5 Verder is een vacuüm-opdampinrichting bekend, die is voorzien van een verdamptank, waarin het te verdampen materiaal wordt verdampt. De bovenzijde van deze verdamptank is voorzien van een kap, die zich in horizontale richting naar buiten uitstrekt ( EP 0 477 474 Al). Een lineaire verdeling van het verdampte materiaal is met deze inrichting niet haalbaar. 10 Ook is een inrichting voor het aanbrengen van een laag op een staalband bekend, die is voorzien van tenminste een vacuüm-verdampings-reservoir, dat door inductie wordt verhit. De inrichting wordt daardoor gekenmerkt, dat elk reservoir is voorzien van een opening voor het uittreden van metaaldampen en dat de uittree-opening voor de metaaldamp de vorm 15 van een nauwe spleet heeft, die op geringe afstand van het van een laag te voorziene substraat is opgesteld (WO 96/35822). Ook met deze inrichting kan geen lineaire verdeling van damp worden bereikt.
Een verdampingsbron voor de vervaardiging van organische elektro-luminescentie dioden is beschreven in EP 0 982 411 Al. Deze bron is 20 voorzien van een reservoir uit isolatiemateriaal, dat het organische materiaal opneemt. Een verhitter is nauw om het reservoir gelegd, welke het organische materiaal aan het verdampen brengt. Daarbij is het reservoir voorzien van een verhittingsgebied, dat direct via de verhitter wordt verhit en dat met het organische materiaal door een contactzone in verbinding 25 staat. Hoe het aanbrengen van lagen op substraten in details verloopt is niet uiteengezet.
Om lagen over een groot vlak aan te brengen, is het in principe mogelijk, puntvormige, lijnvormige of vlakke verdampers te gebruiken. Terwijl puntvormige verdampers bijvoorbeeld uit EP 0 982 411A2 en EP 30 962 260 Al bekend zijn, is een lijnvormige verdamper uit DE 42 04 938 Cl 1 0 20 8 - H bekend. Bij deze lijnvormige verdamper vindt het opdampen van het substraat van onderen plaats. Hetzelfde geldt voor een uit DE 199 21 744
Al bekende lijnvormige verdamper.
Het nadeel van puntvormige verdampers bestaat daarin, dat een 5 homogene laag over een groot vlak daarmee slechts dan is te realiseren, als de afstand tussen verdamper en substraat groot is. Hierdoor moet een inrichting om een laag aan te brengen zeer groot zijn, zodat de afstand tussen de verdamper en het substraat groot is. Bovendien wordt slechts een gering deel van het verdampingsmateriaal gebruikt.
10 Daar en boven moet de verdampingsbron onder het substraat zijn opgesteld, wat tot problemen met maskers kan leiden, die zich tussen de verdampingsbron en het substraat bevinden, en wel uiterlijk vanaf een substraatgrootte van circa 300 mm x 400 mm en kleine structuren in het I masker.
I 15 Wanneer lineaire verdampingsbronnen horizontaal en onder een van een laag te voorzien substraat zijn opgesteld, ontstaan problemen bij maskers vanaf circa 300 mm x 400 mm en kleine structuren in het masker, bijvoorbeeld bij pixelgroottes van 0,4 mm, terwijl de maskers dan I doorbuigen, hetgeen tot een inhomogene laag leidt. Om bij dikkere lagen een I 20 grotere homogeniteit te verkrijgen, moeten de verdampingsbronnen of het I substraat bovendien langzaam relatief ten opzichte van elkaar worden I bewogen.
Doel van de uitvinding is, om een inrichting voor het aanbrengen I van een laag op substraten te verschaffen, die weinig plaats inneemt, I 25 waarmee een gelijkmatige laag kan worden verkregen en waarin het I mogelijk is, ook grote maskers toe te passen.
I Dit doel wordt met een inrichting volgens het kenmerk van conclusie 1 opgelost.
I De uitvinding heeft derhalve betrekking op een inrichting om een I 30 laag op een vlak substraat aan te brengen, bijvoorbeeld een rechthoekige I Vö'20 820 5 schijf. Deze inrichting is voorzien van een verdampingsbron en een verdeelsysteem voor het toevoeren van verdampt materiaal aan het substraat. Het verdeelsysteem omvat een lineaire bron, waarbij deze lineaire bron en het substraat relatief ten opzichte van elkaar beweegbaar 5 zijn. De inrichting dient bij voorkeur voor de vervaardiging van vlakke beeldschermen met organische lichtdioden.
Het met de uitvinding bereikte voordeel bestaat in het bijzonder daarin, dat grote hoeveelheden van vlakke substraten kunnen worden voorzien van een laag, terwijl de substraten langs een lineaire 10 verdampingsbron worden gevoerd. Maskers, die zich tussen de verdampingsbron en substraat bevinden, hangen niet door, aangezien deze parallel aan het vlakke substraat zijn opgesteld. Bovendien wordt een efficiënt gebruik van het verdampte materiaal bereikt, en er vinden geen chemische reacties van organische materialen met omgevende delen plaats.
15 Verder wordt, doordat het gezamenlijke verdeelbereik na de smeltkroes en voor de definitieve uittree-opening op een gedefinieerde hoge temperatuur ligt, condensatie van het verdampte materiaal verhinderd, zonder te leiden tot een thermische ontbinding van organische moleculen. Die hoge temperatuur is hiertoe bij voorkeur ongeveer de verdampingstemperatuur 20 van het te deponeren materiaal. Deze temperatuur hangt vanzelfsprekend af van de in het systeem heersende druk. De wanden van de smeltkroes worden bij voorkeur eveneens op een temperatuur gehouden die in hoofdzaak gelijk is aan de verdampingstemperatuur van dat materiaal, opdat condensatie wordt tegengegaan.
25 Een uitvoeringsvoorbeeld van de uitvinding is in de tekeningen weergegeven en wordt in het volgende nader beschreven. In de tekening toont:
Figuur 1 een perspectivisch totaalaanzicht van een belagingskamer om een volgens de uitvinding; 30 Figuur 2 een vooraanzicht van de belagingskamer volgens figuur 1; 1020820 H Figuur 3 een doorsnede A-A door de kamer volgens figuur 2;
Figuur 4 een doorsnede B-B door de kamer volgens figuur 2; I Figuur 5 een uitvergroot doorsnede-aanzicht van de smeltkroes I volgens figuur 3; 5 Figuur 6 een uitvergroot deelaanzicht uit figuur 4;
Figuur 7 een perspectivische, geëxplodeerde tekening van verdeelinrichtingen voor het verdelen van verdampt materiaal.
I Figuur 1 toont een perspectivisch totaalaanzicht van een I belagingsketel 1 met een verdamper volgens de uitvinding. Deze I 10 belagingsketel is voorzien van een voorzijde 2 en een achterzijde 3, waarbij I in de voorzijde 2 een voorste opening 4 en in de achterzijde 3 een achterste opening 5 is voorzien voor het inbrengen van een aandrijving. De openingen 4 en 5 kunnen na het inbrengen van de aandrijving weer worden gesloten.
I Boven de voorste opening 4 bevindt zich een voorplaat 6, die een voorste 15 draagplaat 7 en een achterste draagraam 8 draagt.
I Delen 10,11, 12 van de belagingsketel 1 vormen een huis, dat één van verscheidene naast elkaar opgestelde bewerkingsbereiken met eigen huizen vormt, die in figuur 1 niet zijn weergegeven.
I Een substraat 9, bijvoorbeeld een glasplaat, kan door de naast I 20 elkaar opgestelde bewerkingsbereiken worden bewogen en op een steeds I verschillende manier worden behandeld. De hier niet weergegeven totale inrichting is zodoende modulair opgebouwd, waarbij de belagingsketel 1 één I van verscheidene modulen voorstelt. De ruimte waarin het substraat 9 van een laag wordt voorzien, heeft zonder proces een basisdruk van minder dan I 25 ΙΟ 4 Pa en tijdens een proces een druk van minder dan 10 2 Pa, waarbij deze druk van de verdampingssnelheid afhangt.
I De draagplaat 7 en het draagraam 8 zijn aan elkaar verbonden, I waarbij uit de voorste draagplaat 7 verscheidene meetbuizen met elk een I flens 13 tot 23 uitsteken. De buis met de flens 13 kan bijvoorbeeld als I 30 waarnemingsbuis zijn uitgevoerd, die is voorzien van een glasafdekking, I 1 n ? 0 3 2 0 7 waardoorheen men het substraat 9 kan zien. Daarentegen kan in de meetbuis met flens 14 een thermo-element zijn aangebracht, terwijl in de meetbuis met flens 15 zich een kwartsresonator bevindt, waarmee de verdampingssnelheid van de verdampingsbron wordt gemeten. Met het 5 verwijzingscijfer 24 is een greep weergegeven, die het mogelijk maakt, de draagplaat 7 en het draagraam 8 als een deur van de rest van de belagingsketel 1 af te nemen. Een koelslang 25 voor koeling van de plaat 7 en het raam 8 is om de meetbuizen van de flenzen 13 tot 23 heengeslingerd, en wel op een zodanig manier, dat de koelslang van een aansluitstuk 26 voor 10 koelvloeistof boven de tot een eerste groep samengebrachte meetbuizen met de flenzen 13 tot 16 verloopt, dan onder deze meetbuizen met de flenzen 13 tot 16 en daarmee boven verdere, tot een tweede groep samengebrachte meetbuizen met de flenzen 17 tot 19 is gevoerd en tenslotte onder een derde groep meetbuizen met de flenzen 20 tot 23 met een verder aansluitstuk 27 15 voor de koelvloeistof in verbinding staat.
Tussen de meetbuizen met de flenzen 13 tot 23 en de opening 4 is een verdampingsbron 28 opgesteld, die is voorzien van een voorste buis 29 en een achterste buis 30. Beide buizen 29, 30 worden door verbindingsklemmen 37, 38 samengehouden, die voor de opname van 20 verbindingsschroeven zijn voorzien. Aan een ondereinde van de buis 30 zijn twee aansluitingen 32, 33 aangebracht, waaraan bijvoorbeeld een stroombron kan worden aangesloten. Rondom de buis 30 is een koelslang 36 gevoerd, die met een koelmiddelaansluiting 39 in verbinding staat. Met 34, 35 zijn ophanghaken weergegeven, waarmee de een deur vormende 25 draagplaat 7 resp. draagraam 8 omhoog kan worden geheven.
Niet in figuur 1 weergegeven is een masker, dat op gebruikelijke wijze parallel aan het substraat 9 is opgesteld, en wel tussen substraat 9 en voorplaat 6. Aangezien het masker verticaal is georiënteerd, wordt doorbuigen ten gevolge van de zwaartekracht uitgesloten. Het 30 substraat 9 is verticaal, d.w.z. parallel aan de richting van de 1020820 H aardaantrekkingskracht georiënteerd. Geringe afwijkingen van de I parallelliteit zijn echter toegestaan. Zo kan de gehele belagingsketel 1 volgens hier niet verder uiteengezette redenen met circa 7° ten opzichte van I de verticaal schuin zijn opgesteld. Wezenlijk is, dat doorhangen van een I 5 optioneel masker wordt verhinderd. Wanneer het masker door een scheve toestand van het substraat 9 op de bovenzijde van dit substraat 9 ligt, kan het niet doorbuigen.
In figuur 2 is dezelfde inrichting als in figuur 1 nog eens in een I vooraanzicht weergegeven. Men herkent hierbij weer de schuin aan de 10 voorste draagplaat 7 opgeflenste verdampingsbron 28, de meetbuizen met de flenzen 13 tot 23, de koelslang 25 en de greep 24. Bovendien zijn I snijlijnen A-B resp. B-B te herkennen, welke de in fig. 3 en 4 weergegeven doorsneden karakteriseren.
Bij de in figuur 3 getoonde doorsnedeweergave herkent men de 15 draagplaat 7 met de meetbuizen en hun flenzen 14, 18, 21 alsmede het I substraat 9 en de buizen 29, 30 van de verdampingsbron 28. Bij het I substraat gaat het b.v. om een glasschijf, die het tekenvlak in of daaruit kan I worden bewogen. De houder en de aandrijving voor dit substraat 9 zijn in I figuur 3 niet weergeven. Hetzelfde geldt voor de houder en de aandrijving I 20 van een eventueel links naast het substraat 9 opgesteld masker, dat het I gehele vlak van het substraat 9 kan afdekken.
I Binnen de buis 29 bevindt zich een keramische buis 43, die door I een metalen afschermbuis 42 wordt omgeven. Aan een ondereinde van de I keramische buis 43 is een smeltkroes 44 voorzien, waarvan een voorste deel I 25 op een kwartsbuis 46 aansluit. Deze kwartsbuis is bij de weergave van I figuur 3 uitgetrokken, zodat tussen zijn ondereinde en de smeltkroes 44 een I relatief grote afstand bestaat. De schuin opgestelde kwartsbuis 46 gaat aan I zijn voorste einde in de achterwand 47 van een verticaal uitgerichte I kwartsbuis 40 over, die aan zijn van de kwartsbuis 46 afgekeerde zijde 48 I 10 20 8 v; o 9 van verscheidene gaten is voorzien, die op een verticale lijn liggen. Deze gaten zijn in figuur 7 nader weergegeven.
De verticale kwartsbuis 40 wordt door twee helften 52, 58 van een keramische buis omgeven, die in de weergave van figuur 3 naar rechts en 5 links uit elkaar zijn getrokken. In samengestelde toestand en tijdens bedrijf zijn de beide helften 52, 58 samengevoegd, zodat ze een uniforme buis vormen, welke de kwartsbuis 40 omvat.
De beide helften 52, 58 van de keramische buis zijn van hun kant omgeven door metalen buishelften 53, 57. De op de rechterzijde voorziene 10 helften 52, 53 van de keramische buis resp. de metalen buis bezitten op dezelfde plaats gaten als de verticale kwartsbuis 40. De gaten van de drie buizen liggen derhalve boven elkaar en vormen een lijnbron.
Tijdens bedrijf is het ondereinde van de kwartsbuis 46 met de smeltkroes 44 verbonden, zodat het door de smeltkroes 44 verdampte 15 materiaal via de schuine kwartsbuis 46 in de verticale kwartsbuis 40 geraakt, die door de keramische buishelften 52, 58 en de metaalbuishelften 53, 57 is omgeven. Het verdampte materiaal bereikt nu door de verticaal gerangschikte gaten van de kwartsbuis 40 en door de gaten van de helften 52, 53 van de keramische resp. metaalbuis de ruimte waarin het substraat 9 20 zich bevindt. Aangezien deze gaten zich -anders dan bij de weergave van figuur 3- tijdens bedrijft links van het substraat 9 bevinden, wordt het substraat 9 van het verdampte materiaal voorzien. Deze gaten strekken zich bovendien langs een verdeellijn uit die parallel is aan het oppervlak van het substraat, hetgeen de homogeniteit van de aangebrachte laag bevordert.
25 Bevindt zich tussen de metalen buis en het substraat 9 een masker, dan bereikt het verdampte materiaal eerst dit masker, voordat het op het substraat 9 geraakt.
Aan de door de verticaal gerangschikte gaten van de kwartsbuis 40, de keramische buizen 52, 58 en de metaalbuizen 53, 57 gevormde 30 lijnbron wordt het substraat 9 vanuit het tekenvlak of het tekenvlak in i n 7 i .: 'j o * · - I 10 I voorbij gevoerd. Op deze manier is een ononderbroken belaging van een groot substraatvlak mogelijk.
I De temperatuur van de smeltkroes 44 en de temperatuur van het de buizen 40 en 46 behelzende verdeelsysteem worden apart geregeld, I 5 waarbij een nauwkeurige regeling van de temperatuur voor het bereik I tussen 100° en 800°C gewaarborgd moet zijn. Daarbij moet het totale op de kroes 44 volgende verdeelsysteem op een gedefinieerd hoge temperatuur I liggen, die condensatie verhindert, maar organische moleculen thermisch niet aantast.Deze temperatuur is bijvoorbeeld in hoofdzaak de I 10 verdampingstemperatuur van het belagingsmateriaal bij de in het systeem I heersende druk. De gelijkmatigheid van de temperatuur wordt, zoals aan de I hand van figuur 6 verduidelijkt, het beste door een indirecte verhitting door middel van straling bereikt. De homogeniteit van de laag van het substraat H 9 wordt door een aan de verdampingssnelheid aangepaste verhouding van 15 de diameter van de buizen 40, 46 tot het vlak van de uittreeopening, die uit vele kleine gaten of een spleet bestaat, bereikt. Op voordelige wijze kan de uittreeopening door een gerichte op temperatuur brenging vrij van een laag I worden gehouden.
De afstand tussen de voorzijde 48 van de buis 40 tot het substraat 20 9 moet tijdens bedrijf zo klein mogelijk worden gehouden. Met de in figuur 1 tot 3 weergegeven inrichting is het mogelijk, belagingsmateriaal na te vullen, waarbij slechts het kroesgebied moet worden belucht. Bovendien is het mogelijk, de onder vacuüm of een beschermend gas gehouden smeltkroes 44 op het verdeelsysteem te brengen, zonder de smeltkroes, de 25 gehele bron of de inrichting te beluchten. Er kunnen ook twee verdampingsbronnen worden voorzien, die verschillende materialen verdampen, waarbij de beide materiaaldampen in het verdeelsysteem homogeen worden gemengd.
I 1020820 11
In figuur 4 is een doorsnede B-B door de belagingsketel 1 weergegeven. Men herkent hierbij wederom de beide buizen 29, 30, de koelslang 36 en de plaat 7 resp. het raam 8.
De buis 29 is doorsneden, zodat men daarin de metaalbuis 42 en 5 hierin de keramische buis 43 en hierin de kwartsbuis 46 herkent. De verticale kwartsbuis 40 met zijn voorzijde 48 en zijn achterzijde 47 is enigszins op de hoogte van het substraat 9 zichtbaar. Daarvoor bevindt zich een helft 52 van de keramische buis en een helft 53 van de metaalbuis. Achter de kwartsbuis 40 herkent men de andere helft 58 van de keramische 10 buis en de andere helft 57 van de metaalbuis. Aan de schuin aan de draagplaat 7 opgeflenste metaalbuis 42 bevinden zich twee justeerhulpen 62, 63, die dienen om de metaalbuis 42 zo uit te richten, dat de verticale gaten van de lijnbron loodrecht op het substraat 9 zijn gericht.
Figuur 5 toont het onderste deel van de verdamper 28 volgens 15 figuur 3 op vergrote schaal.
De smeltkroes 44 is door een scheidingswand 69 in een bovenste ruimte 73 en in een onderste ruimte 45 verdeeld. In de bovenste ruimte 73 bevindt zich de organische stof, die moet worden verdampt. Om welke stof het hierbij kan gaan, is b.v. in tekening 4 van het bovengenoemde artikel 20 van E. Becker e.a. getoond. Het betreft in het bijzonder materialen voor het elektronentransport (Alq3, PBD), voor de lichtemissie (Alq3, 1-AZM-Hex, OXD-8, doteerstoffen: Ph-Qd, DCM, Eu (TTFA)3Phen) alsmede voor het gatentransport (CuPc, TNATA, TAD, NPD). Andere stoffen komen eveneens in aanmerking (zie WO 99/25894, conclusie 6).
25 De kroes 44 bestaat uit kwartsglas. Het is echter ook mogelijk kroezen uit tantaal, molybdeen of wolfraam te gebruiken. In elk geval moet gewaarborgd zijn, dat de smeltkroes 44 niet chemisch reageert met het zich daarin bevindende materiaal.
Door de schuine bodem 69 van de bovenste ruimte 73 van de kroes 30 44 is gewaarborgd, dat deze bodem 69 zich parallel ten opzichte van het 1 0 20 ^:?0 I 12 I aardoppervlak uitstrekt. Tegenover de bodem 66 van de lege ruimte 45 van de kroes 44 is een steun 82 met afsteunveren 83, 65, 81 voorzien. Een I warmtesensor 78, 84, die met zijn bovenste deel 84 nabij de bodem 66 is geplaatst of ook de ruimte 45 is ingevoerd, is bij zijn onderste deel door een I 5 spiraalveer 79 omgeven. Een koelmiddelinlaat 39 is verbonden aan een I koelvloeistofleiding 71. Met 85 is een korte stalen buis weergegeven, die is I voorzien van een gat 86 waardoor toevoerleidingen of dergelijke kunnen I worden ingevoerd.
B Figuur 6 toont nog eens een vergrote doorsnede uit figuur 4. Men B 10 herkent hierbij verscheidene verhittingsdraden 88 tot 90 resp. 92, 93, die op B de buitenzijde van de keramische buis 43 resp. 58 zijn geplaatst om deze te B verwarmen, zodat de keramische buis 43 resp. 58 de kwartsbuis 46 resp. 40 B indirect kan verhitten. I.p.v. verhittingsstaven 88 tot 90, 92, 93 kunnen ook talrijke kleine verhittingsspiralen of andere verhittingselementen zijn 15 voorzien. Met 94, 95 zijn delen van een deksel weergegeven, die zich aan een ondereinde van de metaalbuis 53, 57 bevindt.
In figuur 7 zijn wezenlijke bestanddelen van het verdeelsysteem, dat het in de smeltkroes 44 verdampte materiaal op het substraat verdeelt, nog eens in een perspectivisch aanzicht weergegeven. Het ene einde van de 20 kwartsbuis 46 is met de hier niet weergegeven kroes 44 verbonden, terwijl het ander einde van deze kwartsbuis 46 schuin, althans met ongeveer een hoek van 45°, in de kwartsbuis 40 uitmondt. Om de kwartsbuis 46 heen is de keramische buis 43 gelegd, die van zijn kant door de metaalbuis is omgeven. De keramiek resp. het metaal van de buizen 43 resp. 42 zijn zo H 25 uitgekozen, dat deze geen reactie met het verdampte materiaal aangaan.
Alle drie met een hoek van circa 45° opgeflenste buizen 42, 43, 46 zijn gedeeltelijk in doorsnede weergegeven. De buizen 42, 43 monden uit in de halve buizen 57, 58, die uit hetzelfde materiaal als ze zelfbestaan.
Deze halve buizen 57, 58, liggen in de getoonde explosieweergaven 30 tegenover de keramische halve buis 52 en de metalen halve buis 53.
I 1n 20 820 13
De halve buizen 58 en 52 resp. 57 en 53 worden met behulp van bevestigingsringen of andere verbindingsmiddelen met elkaar verbonden, zodat in bedrijfstoestand de beide kwartsbuizen 46 en 40 steeds door een keramische buis zijn omgeven die van zijn kant door een metaalbuis is 5 omgeven.
Opdat de substraten, die loodrecht ten opzichte van een langsas 40 in de richting van pijl 100 worden bewogen, door een lijnvormige verdampingsbron worden behandeld, zijn zowel in de kwartsbuis 40 alsmede in de keramische halve buis 52 en de metalen halve buis talrijke 10 elkaar tegenoverliggen boringen 101, 102, 103 voorzien, die gezamenlijk een lijnbon vormen. Door de toepassing van verscheidene in een lijn gerangschikte boringen vindt, vergeleken met een langsspleet, een betere verdeling van het verdampte materiaal plaats. Dit geldt in het bijzonder voor de kwartsbuis 40, waar de eerste verdeling van het verdampte 15 materiaal plaatsheeft. In de metalen halve buis 53 zou daarentegen een doorgaande spleet kunnen zijn voorzien, zonder dat hierdoor de gelijkmatige verdeling van het verdampte materiaal nog wezenlijk zou worden beïnvloed. In beginsel zijn echter ook zuivere sleten bij de keramische halve buis 42 en/of de kwartsbuis 40 mogelijk.
20 Zoals reeds is benadrukt, zijn de oriëntatie van het substraat en zijn bewegingsrichting parallel aan resp. loodrecht ten opzichte van de aardaantrekkingskracht in die zin op te vatten, dat doorbuigen van een eventueel aanwezig masker wordt verhinderd. Dit zou ook dan het geval zijn, wanneer het masker op de bovenzijde van een loodrecht ten opzichte 25 van de richting van de aardaantrekkingskracht uitgericht substraat zou liggen en een laag "van boven"zou worden aangebracht.
Verder kan vanzelfsprekend in plaats van een verdampingsbron, waarnaar een substraat wordt bewogen, ook een vast opgesteld substraat zijn voorzien, waaraan een verdampingsbron wordt voorbij gevoerd.
1Q20Ö2Ü 30

Claims (21)

  1. 2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het substraat (9) zodanig is gericht, dat een normaal op het vlak van het substaat (9) in 20 hoofdzaak loodrecht ten opzichte van de richting van de aardaantrekkingskracht verloopt.
  2. 3. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de beweging van het substraat (9) in hoofdzaak loodrecht ten opzichte van de normaal van het substraat (9) en loodrecht ten opzicht van de H 25 aardaantrekkingskracht verloopt. I 1020820
  3. 4 Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de verdeellijn in hoofdzaak parallel aan een oppervlak van het substraat (9) en de aardaantrekkingskracht verloopt.
  4. 5. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste 5 verdeelinrichting een kwartbuis is, bij welke de lineaire verdeling van de damp door verscheidene op een rechte lijn gerangschikte gaten (101) verloopt.
  5. 6. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede verdeelinrichting (46) een kwartbuis is.
  6. 7. Inrichting volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de eerste en de tweede verdeelinrichting (40, 46) elk zijn omgeven door een keramische omhulling (52, 8; 43)
  7. 8 Inrichting volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de keramische omhulling (52, 58) om de eerste verdeelinrichting (40) uit twee helften (52, 15 58) bestaat, waarbij in de ene helft (52) verscheidene op een rechte lijn gerangschikte gaten (102) zijn voorzien.
  8. 9. Inrichting volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de keramische omhullingen (52, 58; 43) elk door een metaalomhulling (53, 57, 42) zijn omgeven.
  9. 10. Inrichting volgens conclusie 9, met het kenmerk dat de metaalomhulling (53) om de keramische omhulling (52, 58) uit twee helften (53, 57) bestaat, waarbij in de ene helft (53) verscheidene op een rechte lijn gerangschikte gaten (103) zijn voorzien.
  10. 11. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat tenminste één 25 van de verdeelinrichtingen (40, 46) indirect verhitbaar is. j
  11. 12. Inrichting volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de keramische omhullingen (52, 58; 43) zijn voorzien van elektrische verhittingselementen 88, 89; 92, 93).
  12. 13. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de 30 verdampingsbron (28) een smeltkroes (44) omvat, waarvan de temperatuur 1 η?' n; *·' ..... I 16 B tenminste binnen een bereik van 100 °C tot 800 °C regelbaar en exact I instelbaar is.
  13. 14. Inrichting volgens conclusie 13, met het kenmerk dat de smeltkroes (44) aan één van de verdeelinrichtingen koppelbaar is.
  14. 15. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het in de I verdampingsbron (28) te verdampen materiaal een organische substantie is.
  15. 16. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de tweede verdeelinrichting (46) met een hoek van circa 45° aan de eerste I verdeelinrichting (40) is aangebracht. I 10 17. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de I verdampingsbron (28) een smeltkroes (44) omvat, die door een schuine I scheidingswand (69) in twee gebieden (45, 73) is verdeeld, waarbij het te I verdampen materiaal zich in het bovenste gebied (73) bevindt, waarbij het onderste gebied (45) een lege ruimte is.
  16. 18. Inrichting volgens conclusie 17, met het kenmerk, dat tegenover de bodem (66) van de smeltkroes (44) een steun (82) met een temperatuur voeler (77) is voorzien.
  17. 19. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een I belagingsketel (1) met een deur (6, 7, 8) is voorzien, waarop aan een I 20 buitenzijde een verdampingsbron (8) is aangeflenst.
  18. 20. Inrichting volgens conclusie (19), met het kenmerk, dat de B belagingsketel (1) relatief ten opzichte van de richting van de B aardaantrekkingskracht enigszins is geheld.
  19. 21. Inrichting volgens conclusie 20, met het kenmerk, dat de helling 7° B 25 bedraagt.
  20. 22. Inrichting volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de keramische B omhullingen (52, 58; 43) aan de buitenzijden zijn voorzien van verhitbare I elementen (88 tot 90, 92, 93). I 1020820
  21. 23. Inrichting volgens conclusie 17, met het kenmerk, dat in het onderste gebied (45) van de smeltkroes (44) een warmetevoeler (78, 84) is ingevoerd. 5 1020 8:;:d
NL1020820A 2001-06-11 2002-06-10 Inrichting om een laag op een vlak substraat aan te brengen. NL1020820C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10128091 2001-06-11
DE10128091A DE10128091C1 (de) 2001-06-11 2001-06-11 Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1020820A1 NL1020820A1 (nl) 2002-12-12
NL1020820C2 true NL1020820C2 (nl) 2004-06-29

Family

ID=7687790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1020820A NL1020820C2 (nl) 2001-06-11 2002-06-10 Inrichting om een laag op een vlak substraat aan te brengen.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8012260B2 (nl)
JP (1) JP4860091B2 (nl)
KR (1) KR20020095096A (nl)
DE (2) DE10128091C1 (nl)
FR (2) FR2825719B1 (nl)
NL (1) NL1020820C2 (nl)
TW (1) TW546401B (nl)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10233137A1 (de) * 2002-07-20 2004-02-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
JP4447256B2 (ja) * 2003-06-27 2010-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US20050244580A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
US20050241585A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company System for vaporizing materials onto a substrate surface
KR101121417B1 (ko) * 2004-10-28 2012-03-15 주성엔지니어링(주) 표시소자의 제조장치
EP1672715A1 (de) * 2004-12-17 2006-06-21 Applied Films GmbH & Co. KG Vorrichtung für die Beschichtung eines Substrats
CN101175866B (zh) * 2005-05-31 2010-12-15 科鲁斯技术有限公司 用于涂覆基材的设备及方法
EP1752555A1 (de) 2005-07-28 2007-02-14 Applied Materials GmbH & Co. KG Verdampfervorrichtung
PL1752554T3 (pl) * 2005-07-28 2008-03-31 Applied Mat Gmbh & Co Kg Urządzenie do naparowywania
DE502006001507D1 (de) * 2006-06-03 2008-10-16 Applied Materials Gmbh & Co Kg Vorrichtung zum Verdampfen von Materialien mit einem Verdampferrohr
EP1862788A1 (en) * 2006-06-03 2007-12-05 Applied Materials GmbH & Co. KG Evaporator for organic material, coating installation, and method for use thereof
WO2009144072A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Applied Materials, Inc. Arrangement for coating a substrate
EP2128303B1 (en) 2008-05-30 2013-03-13 Applied Materials, Inc. Arrangement for coating a substrate
US20100098853A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Arrangement for vaporizing materials and method for coating substrates
KR101499228B1 (ko) * 2008-12-08 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
DE102009007587B4 (de) 2009-02-05 2011-06-01 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten aus der Dampfphase
WO2011026971A1 (de) 2009-09-04 2011-03-10 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten aus der dampfphase
DE102010041380A1 (de) 2009-09-25 2011-04-28 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verdampfereinrichtung für eine Beschichtungsanlage
US10954594B2 (en) * 2015-09-30 2021-03-23 Applied Materials, Inc. High temperature vapor delivery system and method
WO2019000274A1 (zh) * 2017-06-28 2019-01-03 深圳市柔宇科技有限公司 成膜设备及成膜方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401052A (en) * 1979-05-29 1983-08-30 The University Of Delaware Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation
EP0839925A2 (en) * 1996-10-30 1998-05-06 Applied Materials, Inc. Deposition of a thin film on a substrate using a multi-beam source
WO1999025894A1 (en) * 1997-11-17 1999-05-27 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
WO2000028103A2 (en) * 1998-11-12 2000-05-18 Flex Products, Inc. Vapor source having linear aperture and coating process

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL133151C (nl) * 1959-05-28 1900-01-01
US3282243A (en) * 1965-09-08 1966-11-01 Ethyl Corp Movable means comprising vapor-plating nozzle and exhaust
US4204938A (en) * 1975-06-11 1980-05-27 Rhone-Poulenc Industries Method of making porous plastic diaphragms and the resulting novel diaphragms
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4371422A (en) * 1980-10-15 1983-02-01 Micro-Plate, Inc. Continuous processing of printed circuit boards
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
FR2598721B1 (fr) * 1986-05-15 1988-09-30 Commissariat Energie Atomique Cellule pour epitaxie par jets moleculaires et procede associe
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US4854266A (en) * 1987-11-02 1989-08-08 Btu Engineering Corporation Cross-flow diffusion furnace
JPH03185815A (ja) 1989-12-15 1991-08-13 Anelva Corp 薄膜形成装置
JPH0762239B2 (ja) * 1990-09-28 1995-07-05 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置
JPH04236769A (ja) 1991-01-17 1992-08-25 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
DE4204938C1 (nl) * 1992-02-19 1993-06-24 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
JP2719283B2 (ja) 1992-08-26 1998-02-25 隆文 八百 低温用クヌ−ドセンセル
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
WO1996035822A1 (fr) * 1995-05-10 1996-11-14 Centre De Recherches Metallurgiques - Centrum Voor Research In De Metallurgie Dispositif et installation pour revetir une bande d'acier
US5554220A (en) * 1995-05-19 1996-09-10 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities
JP3817036B2 (ja) 1997-07-29 2006-08-30 株式会社アルバック 有機化合物蒸発用容器、有機蒸着源、及び真空蒸着装置
JPH1191943A (ja) 1997-09-25 1999-04-06 Zetekku Kk 基板搬送システム
EP0962260B1 (en) * 1998-05-28 2005-01-05 Ulvac, Inc. Material evaporation system
US6276220B1 (en) * 1998-07-10 2001-08-21 Bradley P Varhol Multipurpose groundwater sampler
JP2000068055A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Tdk Corp 有機el素子用蒸発源、この有機el素子用蒸発源を用いた有機el素子の製造装置および製造方法
DE19848177A1 (de) * 1998-10-20 2000-04-27 Leybold Systems Gmbh Bedampfungsvorrichtung
DE19921744B4 (de) * 1999-05-11 2008-04-30 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Transport von mindestens einer dampfförmigen Substanz durch die Wand einer Vakuumkammer in die Vakuumkammer sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und deren Verwendung
JP4236769B2 (ja) 1999-08-02 2009-03-11 日新製鋼株式会社 耐食性が改善された亜鉛系めっき鋼板,表面処理液及び表面処理方法
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
JP2001220286A (ja) * 2000-02-02 2001-08-14 Sharp Corp 分子線源および分子線エピタキシ装置
US6237529B1 (en) 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
US20030015140A1 (en) * 2001-04-26 2003-01-23 Eastman Kodak Company Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401052A (en) * 1979-05-29 1983-08-30 The University Of Delaware Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation
EP0839925A2 (en) * 1996-10-30 1998-05-06 Applied Materials, Inc. Deposition of a thin film on a substrate using a multi-beam source
WO1999025894A1 (en) * 1997-11-17 1999-05-27 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
WO2000028103A2 (en) * 1998-11-12 2000-05-18 Flex Products, Inc. Vapor source having linear aperture and coating process

Also Published As

Publication number Publication date
DE10224908B4 (de) 2009-11-05
US20020185069A1 (en) 2002-12-12
TW546401B (en) 2003-08-11
FR2825719B1 (fr) 2006-02-17
KR20020095096A (ko) 2002-12-20
DE10224908A1 (de) 2003-01-16
JP2003027218A (ja) 2003-01-29
NL1020820A1 (nl) 2002-12-12
FR2825719A1 (fr) 2002-12-13
US8012260B2 (en) 2011-09-06
FR2879218A1 (fr) 2006-06-16
DE10128091C1 (de) 2002-10-02
JP4860091B2 (ja) 2012-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1020820C2 (nl) Inrichting om een laag op een vlak substraat aan te brengen.
KR100490537B1 (ko) 가열용기와 이를 이용한 증착장치
US8673082B2 (en) Crucible and deposition apparatus
JP4653089B2 (ja) Oledを製造するためのペレットを使用する蒸着源
KR101136879B1 (ko) 열 물리적 증착 소스 및 면적이 큰 기판을 피복하는 방법
JP4782219B2 (ja) 真空蒸着装置
US20080156267A1 (en) Device and method for vacuum deposition, and organic electroluminescent element provided by the device and the method
US20090025885A1 (en) Evaporation apparatus with inclined crucible
US20050145179A1 (en) Accessory member for dispensers of alkali metals
JP5798171B2 (ja) 量産用蒸発装置および方法
KR20140093622A (ko) 증착 장치 및 이것에 이용하는 증발원
TW202035741A (zh) 用以蒸發一材料之蒸發設備及使用蒸發裝置蒸發材料之方法
CN211227301U (zh) 用于蒸发源材料的蒸发装置、蒸发源和沉积系统
JP2020023750A (ja) 堆積装置を操作する方法、蒸発した源材料を基板に堆積する方法、及び堆積装置
KR20070054871A (ko) 유기박막 증착장치
KR20070028183A (ko) 가열용기와 이를 이용한 증착장치
KR100583044B1 (ko) 선형 증착물질 가열장치
KR101300117B1 (ko) 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착방법
CN114641590A (zh) 蒸发方法、蒸发设备和蒸发源
KR20180073093A (ko) 면증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20040224

PD2B A search report has been drawn up
MM Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20190701