JPH03185815A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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JPH03185815A
JPH03185815A JP32529989A JP32529989A JPH03185815A JP H03185815 A JPH03185815 A JP H03185815A JP 32529989 A JP32529989 A JP 32529989A JP 32529989 A JP32529989 A JP 32529989A JP H03185815 A JPH03185815 A JP H03185815A
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JP
Japan
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evaporation source
thin film
gate valve
film forming
nipple
Prior art date
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Pending
Application number
JP32529989A
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English (en)
Inventor
Hitoaki Hirama
平間 仁章
Shunichi Murakami
俊一 村上
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Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH03185815A publication Critical patent/JPH03185815A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は薄膜形成室に蒸発源収納容器を着脱可能に接
続した薄膜形成装置に関する。
(従来の技術〉 従来、第4図に示したような薄膜形成装置が知られてい
る。この装置は真空容器で構成された薄膜形成室1(排
気系は図示していない)の−側に接続ボート2が設けら
れ、該接続ボート2の接続端に設けたゲートバルブ3に
対して、ルツボなどの蒸発源4を収容した蒸発源収納容
器5が着脱可能に接続されている。蒸発源収納容器5は
有底筒状の器体であって、筒壁にベローズニップル6が
介装されて伸縮可能としてあり、蒸発源4を図示したよ
うに薄膜形成室1内へ進入させたり、ゲートバルブ3よ
り外側へ後退できるようになっている。又、蒸発源収納
容器5にはバルブ7、リークバルブ8、真空ポンプ9で
構成した排気系が備えられて、蒸発源収納容器5内の排
気ができるようになっている。図中10は蒸発源4に対
するシャッター板である。
(発明が解決しようとした課題) 前記の薄膜形成装置は、ゲートバルブ3を閉じてから、
蒸発源収納容器5を外すことによって、薄膜形成室1内
を大気に曝すことなく、蒸発物質を蒸発源4に充填でき
るようにしたのであるが、充填した蒸発物質および充填
時に大気に曝された蒸発源4の脱ガスが充分にできない
問題点があった。
蒸発源収納容器5に備えた排気系を介しである程度の脱
ガスは可能であったが、高温、長時間に亘る充分な脱ガ
スはできなかった。例えばガリウムでは1200℃、ア
ルミニウムでは1400℃程度の如く、蒸発物質等はか
なりの高温で数時間の脱ガスを行なった後に薄膜形成を
開始することが望まれるが、前記の如くの従来の装置に
おいては、ゲートバルブ3が閉の状態でかなりの温度に
加熱されるので、ガスケット(非金属製)が破損したり
、脱ガス中の蒸発物質が弁体、弁座等に付着してゲート
パルプ3自体の動作に支障が起るなどの危険性があった
従って、従来の装置においては長時間に亘って一定の条
件下で安定した薄膜形成ができなかったのである。
この発明は以上のような問題点を解消し、蒸発物質およ
び蒸発源の充分な脱ガスができる薄膜形成装置を提供す
ることを目的としている。
(課題を解決する為の手段) この発明の薄膜形成装置は、薄膜形成室の一側に蒸発源
収納容器を着脱可能に接続してなる薄膜形成装置におい
て、前記薄膜形成室および蒸発源収納容器の接続端に夫
々ゲートバルブが設けてあることを特徴としている。
前記薄膜形成室の接続端のゲートバルブと蒸発源収納容
器の接続端のゲートバルブは直接接続するようにしても
良いものであるが、各接続端の間に排気装置付ニップル
を介設して、接続端間の排気および蒸発源収納容器内の
排気(ゲートバルブを閉じた後に放出されるガス等に対
して)が行なえるようにするのが望ましい。
(作  用) この発明の薄膜形成装置によれば、蒸発源収納容器側に
設けたゲートバルブによって、該蒸発源収納容器を封止
することが可能である。この結果、蒸発源収納容器を脱
ガス装置に接続して充分な脱ガスを行なった後に、薄膜
形成室に接続することができる。
(実施N) 以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図が実施例の薄膜形成装置であって、薄膜形成室1
1の一側に設けた接続ボート12の接続端に遮断用のゲ
ートバルブ13が設けられている。
又、蒸発源14を内部に収容した有底筒状の蒸発源収納
容器15の接続端に保管用のゲートバルブ21が設けら
れている。16はベローズニップル、20はシャッター
板である。そして、前記ゲートバルブ13.21がニッ
プル22を介して接続され、ニップル22の側壁にはバ
ルブ17、リークバルブ18、真空ポンプ19で構成さ
れた排気装置が接続されている。
上記の実施例において、薄膜形成室11内で薄膜形成作
業を行なう場合は、ゲートバルブ13.21を開とし、
ベローズニップル16を収縮させて、蒸発源14を薄膜
形成室11内へ進入させることにより、従来の装置と同
様に行なうことができる。
一方、蒸発源14に蒸発物質を補充する場合には、蒸発
源14を図示したように蒸発源収納容器15内に後退さ
せ、薄膜形成室11側の接続端に設けた遮断用のゲート
バルブ13を閉とした後、第2図に示したように、蒸発
源収納容器15側の接続端に設けた保管用のゲートバル
ブ21とニップル22の接続を外す。この場合、リーク
はリークバルブ18から導入し、ゲートバルブ21は開
とした。
次に、取り外した蒸発源収納容器15内の蒸発源14に
所要の蒸発物質を充填した後、この蒸発源収納容器15
を第3図に示したように脱ガス装置23に接続して加熱
、脱ガスを行なう。
前記脱ガス装置23は、ゲートバルブ21に対する接続
ボート24を備えた真空容器25に排気装置26を接続
して構成されたもので、蒸発物質の充填の際に蒸発源1
4に付着したガスや、充填された蒸発物質の吸蔵ガスは
必要な温度と時間のもとに、確実に除去される。
上記のようにして加熱、脱ガスが完了した後に、ゲート
バルブ21を閉として封止した蒸発源収納容器15を脱
ガス装置23より外し、前記ゲートバルブ21をニップ
ル22へ接続して第1図に示した状態に戻す。然る後、
ニップル22内の大気を真空ポンプ19で排気し、次い
で、ゲートバルブ13.21を開にして再び薄膜形成を
行なうことができる。蒸発物質の補充の間、薄膜形成室
11はゲートバルブ13を閉として封止状態におかれる
ので、一定の膜質を維持することができる。
又、蒸発物質も充分な加熱、脱ガスを行なえるので、同
一条件で継続的に薄膜形成を行なうことができる。
又、蒸発源収納容器15はゲートバルブ21で封止が可
能であることから、蒸発物質として有毒性材料(例えば
ベリリウムなど)を使用する場合に、該有毒性材料を大
気に曝すことなく取扱うことができ、安全性を確保する
こともできる。前記有毒性材料の蒸発源14への充填、
加熱、脱ガス、更には廃棄は特別に許可された業者に依
頼することで毒性に対処することができる。
(発明の効果) 以上に説明したようにこの発明によれば、蒸発物質の充
分な加熱、脱ガスを行なえるので、薄膜形成作業を一定
の条件で継続的に行なえる効果がある。
又、薄膜形成室の接続端と蒸発源収納容器の接続端との
間に排気装置付ニップルを介設すると、上記効果に加え
て、蒸発源収納容器側の着脱作業が能率良くできると共
に、両接続端間のガス(大気)を事前に排気できる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例の系統図、第2図は同じ〈実
施例の蒸発源収納容器を外した状態の図、第3図は同じ
〈実施例の蒸発物質の脱ガス時の図、第4図は従来装置
の系統図である。 11・・・薄膜形成室 13.21・・・ゲートバルブ 14・・・蒸発源  15・・・蒸発源収納容器22・
・・ニップル 23・・・脱ガス装置手表品荊13−t
FせF(自発) 1.事件の表示 平成1年特許願第325299号 2、発明の呂称 薄膜形成装置n 3、補正をする省 ・11件との関係 特許出願人 呂称日電アネルバ株式会社 4、代理人〒160電話03 <353) 34075
、桶i「の対象 図面中、第3図および第4図 6.7+lLEの内容 第3図および第4図を別紙のように訂正する。 7、添付書類の「1録 (1)訂正図面(第3図および第4図)   1通第3

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 薄膜形成室の一側に蒸発源収納容器を着脱可能に接
    続してなる薄膜形成装置において、前記薄膜形成室およ
    び蒸発源収納容器の接続端に夫々ゲートバルブが設けて
    あることを特徴とした薄膜形成装置 2 薄膜形成室の接続端と蒸発源収納容器の接続端との
    間に、排気装置付ニップルが介設してあることを特徴と
    した請求項1記載の薄膜形成装置
JP32529989A 1989-12-15 1989-12-15 薄膜形成装置 Pending JPH03185815A (ja)

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