WO2011077662A1 - 真空蒸着装置及びそのメンテナンス方法 - Google Patents

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WO2011077662A1
WO2011077662A1 PCT/JP2010/007247 JP2010007247W WO2011077662A1 WO 2011077662 A1 WO2011077662 A1 WO 2011077662A1 JP 2010007247 W JP2010007247 W JP 2010007247W WO 2011077662 A1 WO2011077662 A1 WO 2011077662A1
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evaporation
evaporation source
vacuum
chamber
vapor deposition
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PCT/JP2010/007247
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栄一 飯島
久三 中村
宗人 箱守
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株式会社アルバック
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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    • C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
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    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation

Definitions

  • the present invention relates to a vacuum vapor deposition apparatus for forming a vapor deposition film of an evaporation material and a maintenance method thereof.
  • the vacuum deposition apparatus includes a deposition chamber that is maintained in a vacuum and an evaporation source disposed inside the deposition chamber, and a deposition target substrate in which the vapor of the evaporation material generated in the evaporation source is installed in the deposition chamber A thin film is formed by vapor deposition.
  • the evaporation material is appropriately selected according to the type of the deposited film to be formed. For example, a metal, a metal oxide, an organic substance, or the like is used as the evaporation material.
  • the vacuum deposition apparatus needs to perform maintenance including cleaning of the deposition chamber and replacement of components inside the deposition chamber. During this maintenance, the evaporation source is exposed to the atmosphere, so that damage or oxidation due to rapid cooling of the evaporation source becomes a problem. Therefore, in Patent Document 1 below, an evaporation source storage chamber is installed in the vapor deposition chamber via a partition valve, and the evaporation source is exposed to the atmosphere by storing the evaporation source in the evaporation source storage chamber during maintenance of the vapor deposition chamber. A vacuum deposition apparatus that prevents this is described. The evaporation source can be moved between the two chambers by a transfer roller installed in the vapor deposition chamber and the evaporation source storage chamber.
  • JP-B-2-15628 page 2, left column, line 30 to page 3, left column, line 2, FIGS. 1 and 2)
  • Patent Document 1 since the evaporation source storage chamber is installed adjacent to the vapor deposition chamber, the entire apparatus becomes large and it is difficult to reduce the installation space. Further, it is necessary to install a transport roller for moving the evaporation source, and further, the partition valve is increased in size according to the size of the evaporation source, so that the apparatus is complicated and increased in size. In addition, since the evaporation source is conveyed by a roller, it is difficult to cool the casing constituting the evaporation source, and the degassing temperature of the evaporation material is limited.
  • an object of the present invention is to provide a vacuum vapor deposition apparatus capable of separating an evaporation source from the atmosphere while suppressing an increase in complexity and size of the apparatus configuration.
  • an object of the present invention is to provide a maintenance method of a vacuum vapor deposition apparatus that can shorten the maintenance time.
  • a vacuum deposition apparatus includes a deposition chamber that can be evacuated and an evaporation source unit.
  • the evaporation source unit includes an evaporation source, a container, and a seal mechanism, and is disposed in the vapor deposition chamber.
  • the evaporation source generates vapor of evaporation material.
  • the container forms a storage chamber for storing the evaporation source, and has an opening for supplying vapor of the evaporation material from the storage chamber to the vapor deposition chamber.
  • the seal mechanism is configured to be installed in the container and to close the opening in an airtight manner.
  • a maintenance method for a vacuum vapor deposition apparatus includes accommodating an evaporation source including an evaporation material, disposed in a vapor deposition chamber, in a sealed container.
  • the inside of the sealed container is evacuated to a vacuum.
  • the evaporation material is degassed by heating the inside of the closed container. During the degassing of the evaporating material, the deposition chamber is cleaned.
  • a vacuum deposition apparatus includes a deposition chamber that can be evacuated and an evaporation source unit.
  • the evaporation source unit includes an evaporation source, a container, and a seal mechanism, and is disposed in the vapor deposition chamber.
  • the evaporation source generates vapor of evaporation material.
  • the container forms a storage chamber for storing the evaporation source, and has an opening for supplying vapor of the evaporation material from the storage chamber to the vapor deposition chamber.
  • the seal mechanism is configured to be installed in the container and to close the opening in an airtight manner.
  • the evaporation source unit stores the evaporation source in the storage chamber, and can be held in a state where the evaporation source does not communicate with the deposition chamber by the seal mechanism. Therefore, since the evaporation source can be separated from the atmosphere when the vapor deposition chamber is opened to the atmosphere, moisture absorption of the evaporation material due to the evaporation source being exposed to the atmosphere can be prevented. As a result, it is possible to avoid lengthening the exhaust time of the vapor deposition chamber due to the amount of gas released from the evaporation material, and to significantly reduce the time required to start up the apparatus.
  • the evaporation source unit is disposed inside the vapor deposition chamber, it is possible to reduce the installation space of the apparatus as compared with a case where an evaporation source storage chamber is configured adjacent to the vapor deposition chamber. Further, since a mechanism for transporting the evaporation source inside the vapor deposition chamber and a partition valve for allowing the evaporation source to pass through are not required, an increase in size and complexity of the apparatus configuration can be avoided.
  • the evaporation source is not particularly limited as long as the evaporation material can be accommodated and the vapor of the evaporation material can be generated.
  • Examples of the evaporation source include a crucible, a boat, a coil bucket, and a hearth.
  • the sealing mechanism may include a valve body and a drive source.
  • the valve body opens and closes the opening.
  • the drive source moves the valve body between a first position where the opening is opened and a second position where the opening is closed.
  • the evaporation source unit may further include an exhaust line capable of evacuating the storage chamber. This makes it possible to keep the evaporation source and the evaporation material in vacuum, for example, during maintenance of the vapor deposition chamber.
  • the evaporation source unit may further include a heating mechanism capable of heating the evaporation material accommodated in the evaporation source. Thereby, for example, during the maintenance of the vapor deposition chamber, it is possible to perform a preheating treatment of the evaporation material.
  • the evaporation source unit may further include a gas introduction line for setting the storage chamber to a predetermined gas atmosphere.
  • a gas introduction line for setting the storage chamber to a predetermined gas atmosphere.
  • the vacuum vapor deposition apparatus may further include a carry-out mechanism capable of carrying the evaporation source unit out of the vapor deposition chamber. For example, during the maintenance of the vapor deposition chamber, it is possible to increase the maintenance efficiency of the vapor deposition chamber by carrying the evaporation source unit out of the vapor deposition chamber.
  • a maintenance method for a vacuum vapor deposition apparatus includes accommodating an evaporation source including an evaporation material, which is disposed in a vapor deposition chamber, in a sealed container.
  • the inside of the sealed container is evacuated to a vacuum.
  • the evaporation material is degassed by heating the inside of the closed container. During the degassing of the evaporating material, the deposition chamber is cleaned.
  • the maintenance time of the vapor deposition apparatus can be shortened.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a vacuum deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the vacuum vapor deposition apparatus 1 of this embodiment is configured as an inline vacuum vapor deposition apparatus.
  • the vacuum deposition apparatus 1 includes a preparation chamber 11, a heating chamber 12, a deposition chamber 13, a cooling chamber 14, and a take-out chamber 15. These chambers 11 to 15 are connected through first to fourth gate valves G1 to G4. As will be described later, the vacuum deposition apparatus 1 transports the substrate in the order of the preparation chamber 11, the heating chamber 12, the deposition chamber 13, the cooling chamber 14, and the extraction chamber 15, and the substrate subjected to film formation from the extraction chamber 15 to the outside. It can be taken out.
  • a transport mechanism including a carrier that holds the substrate and a mechanism that transports the carrier is typically used for transporting the substrate in the apparatus. Note that a mechanism for transporting only the substrate between the chambers may be employed as the transport mechanism.
  • the preparation chamber 11 is connected to a first vacuum pump 31 via a first vacuum valve 21.
  • the first vacuum pump 31 is configured by combining, for example, a mechanical booster pump and a dry pump.
  • the substrate transferred to the preparation chamber 11 is transferred to the heating chamber 12 via the first gate valve G1 after the preparation chamber 11 is evacuated to a predetermined degree of vacuum (for example, 1 to 10 Pa) by the vacuum pump 31. Is done.
  • the heating chamber 12 is connected to the second vacuum pump 32 via the second vacuum valve 22, and is maintained at a predetermined degree of vacuum (for example, 10 ⁇ 3 Pa level).
  • the second vacuum pump 32 is configured by combining, for example, a cold trap and a turbo molecular pump.
  • the heating chamber 12 has a function of preheating (eg, degassing) the substrate. Thereafter, the substrate is transferred to the vapor deposition chamber 13 through the second gate valve G2.
  • the vapor deposition chamber 13 is connected to a third vacuum pump 33 through a third vacuum valve 23, and is maintained at a predetermined degree of vacuum (for example, 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 1 Pa).
  • the third vacuum pump 33 is configured by combining, for example, a cold trap and a turbo molecular pump. If necessary, a process gas such as O 2 is introduced.
  • the substrate transferred to the vapor deposition chamber 13 is subjected to film formation.
  • the substrate is formed in the vapor deposition chamber 13 by a vacuum vapor deposition method.
  • the substrate on which the film formation process has been performed is transferred to the cooling chamber 14 via the third gate valve G3.
  • the cooling chamber 14 is connected to a fourth vacuum pump 34 via a fourth vacuum valve 24 and is maintained at a degree of vacuum equivalent to that of the vapor deposition chamber 13.
  • the fourth vacuum pump 34 is constituted by, for example, a turbo molecular pump.
  • the cooling chamber 14 has a function of cooling the substrate formed in the vapor deposition chamber 13 to a predetermined temperature. The substrate transferred to the cooling chamber 14 is subsequently transferred to the take-out chamber 15 via the fourth gate valve G4.
  • the take-out chamber 15 is connected to a fifth vacuum pump 35 via a fifth vacuum valve 25, and is configured to be evacuated independently.
  • the fifth vacuum pump 35 is configured by combining, for example, a mechanical booster pump and a dry pump.
  • the take-out chamber 15 is maintained at a predetermined degree of vacuum when the substrate is transferred from the cooling chamber 14, and is adjusted to atmospheric pressure with the gate valve G4 closed after the substrate is transferred. Thus, the film-formed substrate is taken out from the take-out chamber 15 to the outside of the apparatus.
  • the configuration of the vacuum deposition apparatus 1 is not limited to the above example, and can be appropriately changed according to the required tact time, the type of vacuum processing, and the like.
  • a buffer chamber may be further added before and after the vapor deposition chamber 13.
  • a plurality of heating chambers may be provided depending on the amount of degassing.
  • FIG. 2 is a side sectional view of the vapor deposition chamber 13 when viewed from a direction orthogonal to the substrate transport direction
  • FIG. 3 is a side sectional view of the vapor deposition chamber 13 when viewed from the substrate transport direction.
  • the vacuum vapor deposition apparatus 1 includes a vacuum chamber 41 that forms a vapor deposition chamber 13.
  • the upper surface of the vacuum chamber 41 is closed by the top plate 40, and the inside is kept airtight.
  • the vacuum chamber 41 is connected to a pump unit (third vacuum pump) 33 including a cold trap 33 a and a turbo molecular pump 33 b through a vacuum valve 23.
  • the vapor deposition chamber 13 can be evacuated to a predetermined degree of vacuum (for example, 10 ⁇ 4 Pa level to 10 ⁇ 1 Pa level).
  • the opening degree of the vacuum valve 23 may be changed as necessary, or a process gas such as O 2 may be introduced.
  • the vacuum chamber 41 is connected to the heating chamber 12 and the cooling chamber 14 via second and third gate valves G2 and G3, respectively.
  • the vapor deposition chamber 13 includes a transfer area 42 where the substrate 10 is transferred, and an evaporation area 43 that generates vapor of evaporation material.
  • the transfer area 42 is an area for transferring the substrate 10 supported by the carrier 20 in the horizontal direction (X-axis direction), and is formed between the second gate valve G2 and the third gate valve G3. Yes.
  • the substrate 10 is supported by the carrier 20 with the length direction in the X-axis direction, the width direction in the Y-axis direction, and the thickness direction in the Z-axis direction.
  • heaters 44a, 44b, 44c, 44d and 44e for heating each surface (the upper surface and the lower surface in FIG. 2) of the substrate 10 to a predetermined temperature are installed. Further, in the transfer area 42, a transfer mechanism for transferring the carrier 20 in the X-axis direction, a gas inlet 46 for introducing a process gas such as argon, nitrogen, oxygen, and water into the film forming region are installed. .
  • the evaporation area 43 is formed to face a part of the transfer area 42 in the Z-axis direction.
  • An evaporation source unit 50 described later is installed in the evaporation area 43.
  • the evaporation source unit 50 is disposed at a position facing the lower surface side of the substrate 10. Accordingly, the transfer area 42 has a film formation region in a region facing the evaporation area 43, and the substrate 10 is subjected to film formation processing by the evaporation source unit 50 in the process of passing through the film formation region.
  • an adhesion preventing plate 45 that prevents the evaporation material from being deposited on the inner wall of the vacuum chamber 41 is installed.
  • the deposition preventing plate 45 has an opening 45a that limits the incident angle of the evaporated particles (vapor) incident on the transfer area 42 and delimits a film formation region within a predetermined range.
  • an electron gun 60 for irradiating the evaporation material accommodated in the evaporation source unit 50 with the electron beam EB, and a gas inlet for introducing a process gas such as argon, nitrogen, oxygen and water into the evaporation area 43. 47 etc. are installed in the evaporation area 43.
  • a base 71 that supports the evaporation source unit 50 is installed in the evaporation area 43.
  • two evaporation source units 50 are installed in the evaporation area 43, and each of them is supported by a different base 71.
  • Each base 71 is configured as a part of an unloading mechanism 70 that can unload the evaporation source unit 50 to the outside of the vapor deposition chamber 13.
  • FIG. 4 is a side sectional view showing a schematic configuration of the evaporation source unit 50 and a carry-out mechanism that supports the evaporation source unit 50.
  • the evaporation source unit 50 includes an evaporation source 51, a container 52, and seal mechanisms 53a and 53b.
  • a disk-shaped hearth is used as the evaporation source 51, and a bulk or powdery evaporation material 100 is accommodated in a ring-shaped recess.
  • Various materials or metal oxides are used as the evaporation material 100.
  • metal oxides such as MgO, SrO—CaO, and MgO—CaO are used.
  • This type of material is used, for example, as a protective film for a front substrate of a plasma display panel (PDP). These materials are highly hygroscopic and release a large amount of water-based gas in a vacuum when exposed to the atmosphere. In this embodiment, even when this type of highly hygroscopic material is used as the evaporation material, it is possible to shorten the time required for starting up the apparatus.
  • the evaporation source 51 has a rotation shaft 511 and a drive motor 512 that rotates the rotation shaft 511 at the center thereof.
  • the evaporation material 100 on the evaporation source 51 is irradiated with the electron beam while rotating around the rotation shaft 511, and is heated and evaporated evenly.
  • the container 52 forms a storage chamber 521 that stores the evaporation source 51.
  • the accommodation chamber 521 is not particularly limited as long as it can accommodate the evaporation source 51, but the smaller the internal volume, the more the evaporation source unit 50 can be reduced.
  • the container 52 has a rectangular shape, and openings 522a and 522b for exposing the evaporation source 51 to the outside are formed on the upper surface portion thereof.
  • the electron beam EB irradiated from the electron gun 60 reaches the evaporation material 100 through the openings 522a and 522b of the container 52. Further, the vapor of the evaporation material 100 generated by irradiation with the electron beam EB is supplied to the film formation region through the openings 522a and 522b.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the main part showing the relationship between the evaporation source 51 and the electron gun 60.
  • the evaporation source unit 50 is disposed along the width direction (Y-axis direction) of the substrate 10, and the openings 522a and 522b are disposed so as to be aligned along the Y-axis direction.
  • Four electron guns 60 are installed corresponding to the openings 522a and 522b, and irradiate the evaporating material 100 facing the outside of the container 52 with the electron beam EB through the openings 522a and 522b.
  • P1 to P4 in the figure indicate the evaporation points of the evaporation material 100 that is irradiated with the electron beam EB, or the irradiation points of the electron beam.
  • a deflection coil that deflects the electron beam EB emitted from the electron gun 60 toward the evaporation source 51 is installed in the evaporation area 43. Since the evaporation source 51 is rotated by the drive motor 512 as described above, the evaporation material 100 on the evaporation source 51 is irradiated with the electron beam EB over the entire circumferential direction.
  • the electron beams may be branched and irradiated to the evaporation points P1 to P4 using two electron guns.
  • the electron beams may be branched and irradiated to the evaporation points P1 to P4 using two electron guns.
  • three or more evaporation sources 51 evaporation source units 50
  • six or more evaporation points of the evaporation material may be set, or the electron beam may be shaped into a line to form a line-shaped evaporation point.
  • the seal mechanisms 53a and 53b are respectively disposed in the container 52 corresponding to the openings 522a and 522b.
  • the seal mechanism 53a and the seal mechanism 53b have the same configuration, and are configured to be able to close the openings 522a and 522b in an airtight manner.
  • the seal mechanisms 53a and 53b include a valve body 531 that opens and closes the openings 522a and 522b, and a drive source 532 that drives the valve body 531.
  • the valve body 531 includes an annular seal member 533 that elastically contacts the periphery of the openings 522a and 522b.
  • the drive source 532 is installed on the upper surface of the container 52.
  • the drive source 532 has a drive shaft 534 connected to the valve body 531, and the valve body 531 extends between a first position where the openings 522 a and 522 b are opened and a second position where the openings 522 a and 522 b are closed. Move each one.
  • the drive source 532 functions as an elevating source that elevates and lowers the valve body 531 with respect to the openings 522a and 522b.
  • the seal member 533 can be appropriately pressed against the peripheral edge portions of the openings 522a and 522b.
  • the drive source 532 can be configured by a motor, a cylinder device, or a combination thereof.
  • the sealing mechanisms 53a and 53b can be operated independently by the evaporation source unit 50.
  • FIG. 6A and 6B are plan views of the evaporation source unit 50, where FIG. 6A shows an open state of the openings 522a and 522b, and FIG. 6B shows a closed state of the openings 522a and 522b.
  • the seal mechanisms 53a and 53b of this embodiment further include a protection plate 535 that protects the seal surfaces of the openings 522a and 522b from damage caused by irradiation with the electron beam EB.
  • the protection plate 535 is formed in a ring shape and covers the peripheral region of the openings 522a and 522b that come into contact with the seal member 533. Thereby, the proper sealing function of opening 522a, 522b by the valve body 531 is securable.
  • the valve body 531 and the protection plate 535 are respectively supported by a connector 536 connected to the drive shaft 534 of the drive source 532.
  • the connector 536 has a first arm that supports the valve body 531 and a second arm that supports the protection plate 535, and the valve body 531 and the protection plate 535 are arranged on the same circumference around the drive shaft 534. It is possible to swivel.
  • the drive source 532 controls the amount of rotation of the drive shaft 534 so that the protective plate 535 is located at the periphery of the openings 522a and 522b when the valve body 531 is in the first position where the openings 522a and 522b are opened.
  • the evaporation source unit 50 of the present embodiment further includes an exhaust line 54, a heater 55 (heating mechanism), and a gas introduction line 56.
  • the exhaust line 54 is for evacuating the storage chamber 521, and is connected to a vacuum pump via a vacuum valve or the like, not shown.
  • the heater 55 is for preheating the evaporation material 100 accommodated in the evaporation source 51, and is installed on the upper inner wall of the container 52.
  • the heater 55 can be constituted by an infrared lamp or the like in addition to the resistance heating wire.
  • the gas introduction line 56 is for making the accommodation chamber 521 have a predetermined gas atmosphere, and is connected to a gas introduction source through an on-off valve, a flow rate adjustment valve, etc., not shown.
  • As the predetermined gas atmosphere for example, an inert gas such as clean dry air (CDA), nitrogen, or argon is used.
  • the carry-out mechanism 70 is for carrying the evaporation source unit 50 out of the vapor deposition chamber 13 during maintenance of the vapor deposition chamber 13.
  • the unloading mechanism 70 includes a base 71 that supports the evaporation source unit 50, a moving carriage 72, and a flange 73 that couples the base 71 to the moving carriage 72.
  • the rotation shaft 511 of the evaporation source 51 is supported rotatably with respect to the container 52 and the base 71 via a vacuum seal member 57 such as a magnetic fluid seal.
  • a vacuum seal member 57 such as a magnetic fluid seal.
  • the flange 73 constitutes a part of the side wall of the vacuum chamber 41, and the side wall of the vacuum chamber 41 is opened when the evaporation source unit 50 is carried out of the evaporation area 43.
  • the two evaporation source units 50 are each carried out of the apparatus by separate carrying-out mechanisms 70. Not limited to this, the two evaporation source units 50 may be carried out by one carrying-out mechanism.
  • the vacuum evaporation apparatus 1 of this embodiment is comprised as mentioned above. Next, the substrate film forming process in the vapor deposition chamber 13 including the operation of the evaporation source unit 50 will be described.
  • the vapor deposition chamber 13 is evacuated by a vacuum pump 33 (33a, 33b). Then, a process gas such as O 2 is introduced into the transfer area 42 and the evaporation area 43 in the vapor deposition chamber 13 through the gas introduction ports 46 and 47, so that the inside of the vapor deposition chamber 13 has a predetermined pressure (for example, 10 ⁇ 4 Pa level to 10 ⁇ 1 Pa level).
  • a predetermined pressure for example, 10 ⁇ 4 Pa level to 10 ⁇ 1 Pa level.
  • the valve body 531 of the seal mechanisms 53a and 53b opens the openings 522a and 522b of the container 52 as shown in FIG. 6A, and the protective plate 535 covers the periphery of the openings 522a and 522b. is doing.
  • the evaporation source 51 is rotated at a predetermined rotation number around the rotation shaft 511 by driving of the drive motor 512. In this state, the electron beam EB is irradiated from the electron gun 60, and the electron beams EB are irradiated to the evaporation points P1 to P4 shown in FIG.
  • the evaporation material 100 is dissolved or sublimated, and the vapor of the generated evaporation material 100 is supplied to the vapor deposition chamber 13 through the openings 522a and 522b.
  • the protection plate 535 can prevent damage to the peripheral edges of the openings 522a and 522b due to irradiation of the electron beam and adhesion of the evaporation material, and can ensure proper sealing performance with the valve body 531.
  • the vapor that has passed through the opening 45 a of the deposition preventing plate 45 is sequentially deposited on the lower surface of the substrate 10 that passes through the transfer area 42, and forms a vapor deposition film on the lower surface of the substrate 10.
  • the substrate 10 carried into the vapor deposition chamber 13 is sequentially formed.
  • the film-formed substrate 10 is transferred to the cooling chamber 14 via the gate valve G3, and after being subjected to a predetermined cooling process, is taken out from the take-out chamber 15 to the atmosphere.
  • the passing film forming method in which the vapor deposition process is performed while the substrate 10 is being transported is described as an example.
  • a fixed film forming method in which the vapor deposition process is performed while the substrate 10 is stationary may be employed. .
  • the vapor deposition material is deposited on the deposition preventing plate 45 and the like. Substances deposited on the components constituting the vapor deposition chamber 13 may be separated to generate dust and cause film formation failure. Also, the electron radiation source such as the filament of the electron gun 60 is consumed over time. For this reason, it is necessary to periodically perform maintenance work including cleaning of the vapor deposition chamber 13 and replacement of consumable parts.
  • the evaporation source unit 50 stores the evaporation source 51 in the storage chamber 521, and can be held in a state where the evaporation source 51 does not communicate with the vapor deposition chamber by the sealing mechanisms 53a and 53b. That is, by closing the openings 522a and 522b of the container 52 with the valve bodies 531 of the seal mechanisms 53a and 53b, the storage chamber 521 can be held in a sealed state. Therefore, when the vapor deposition chamber 13 is opened to the atmosphere, the evaporation source 51 can be separated from the atmosphere, so that moisture absorption of the evaporation material due to the evaporation source 51 being exposed to the atmosphere can be prevented. As a result, the exhaust time of the vapor deposition chamber 13 due to the amount of gas released from the evaporation material 100 can be avoided, and the time required to start up the apparatus can be greatly reduced.
  • the apparatus since the evaporation source unit 50 is disposed inside the vapor deposition chamber 13, the apparatus is installed as compared with a case where an evaporation source storage chamber is formed adjacent to the vapor deposition chamber. Space can be reduced. Further, since a mechanism for transporting the evaporation source inside the vapor deposition chamber and a partition valve for allowing the evaporation source to pass through are not required, an increase in size and complexity of the apparatus configuration can be avoided.
  • the evaporation material 100 may be supplemented to the evaporation source 51 during the maintenance of the vapor deposition chamber 13.
  • the degassing process of the evaporation material 100 filled in the evaporation source 51 is required, the degassing process of the evaporation material 100 is performed during the maintenance of the vapor deposition chamber 13.
  • an example of the maintenance procedure of the vapor deposition chamber including replenishment of the evaporation material will be described.
  • Example of maintenance of vapor deposition equipment For example, the following steps are performed for maintenance of the vapor deposition apparatus.
  • Step 1 Venting of the deposition chamber
  • the deposition chamber 13 is brought to atmospheric pressure. Specifically, the vent valve attached to the vacuum chamber 41 is opened, and the outside air is introduced into the vapor deposition chamber 13.
  • Step 2 Opening of the chamber A step of removing the top plate 40 from the vacuum chamber 41 and a step of carrying out the evaporation source 51 to the outside of the vapor deposition chamber 13 by the carry-out mechanism 70.
  • Step 3 Removal of adhesion prevention plate This is a step of removing various mechanical parts including the adhesion prevention plate 45 from the opened vacuum chamber 41.
  • Step 4 Cleaning the inside of the vapor deposition chamber
  • the vapor deposition material adhering to the inner wall of the vacuum chamber 41 and the surfaces of various structures is cleaned using a chemical solution.
  • Step 5 Attaching the deposition preventing plate This is a step of installing a cleaned deposition preventing plate or a new deposition preventing plate inside the vapor deposition chamber 13.
  • Step 6 Input of film forming material (evaporation material) This is a step of storing the evaporation material 100 in the evaporation source 51.
  • Step 7 Assembly of the chamber This is a step of installing the carry-out mechanism 70 including the top plate 40 and the evaporation source 51 on the vacuum chamber 41. Thereby, the vapor deposition chamber 13 is sealed.
  • Step 8 Vacuum evacuation of the deposition chamber
  • the deposition chamber 13 is evacuated by the cold trap 33a and the turbo molecular pump 33b through the vacuum valve 23.
  • Step 9 Degassing of film forming material (evaporating material) This is a step of mainly removing moisture absorbed or adsorbed on the evaporating material 100 before film formation on the substrate.
  • FIG. 7 shows the results of an experiment in which the amount of gas released from the MgO film was measured by a thermal desorption spectroscopy (TDS).
  • the sample used in the experiment was an MgO film having a thickness of about 800 nm formed on a silicon wafer. After the sample was exposed to the atmosphere, the silicon wafer (substrate) was heated and measured.
  • Step 10 Substrate input and production In this step, the substrate 10 is carried into the vapor deposition chamber 13 and a film forming process is performed.
  • the operations in the steps 6 and 9 can be performed in parallel with the operations in the steps 3 to 5.
  • an operation example of the evaporation source unit 50 during maintenance of the vapor deposition chamber 13 will be described.
  • the evaporation source unit 50 is carried out of the vapor deposition chamber 13 by the carry-out mechanism 70, and then the evaporation material 100 is filled on the evaporation source 51 (step 6). Thereafter, as shown in FIGS. 4 and 6B, the sealing mechanisms 53a and 53b move the valve body 531 to the second position where the openings 522a and 522b of the container 52 are closed, thereby sealing the housing chamber 521. To do. Next, the storage chamber 521 is evacuated to a predetermined degree of vacuum via the exhaust line 54. Thereafter, an inert gas such as clean dry air, nitrogen, or argon is introduced into the storage chamber 521 through the gas introduction line 56.
  • an inert gas such as clean dry air, nitrogen, or argon is introduced into the storage chamber 521 through the gas introduction line 56.
  • the degassing process of the evaporation material 100 is performed (step 9).
  • the degassing process of the evaporation material 100 may be performed in a vacuum atmosphere.
  • the heating temperature by the heater 55 is 600 ° C., for example. It is efficient to degas the evaporation material 100 while rotating the evaporation source 51.
  • the degassing process of the evaporation material 100 can be a combination of a heating process by the heater 55 and an electron beam irradiation process.
  • the degassing process by electron beam irradiation is performed after the vacuum evacuation of the vapor deposition chamber 13 (process 8) (process 9).
  • the degassing process of the evaporation material is preceded in the evaporation source unit 50 in parallel with the removal operation of the deposition preventing plate 45 from the evaporation chamber 13 and the cleaning operation of the evaporation chamber 13. Can be made. Thereby, it becomes possible to shorten the time required for the exhaust process of the vapor deposition chamber 13.
  • an in-line film forming apparatus for forming a protective film of a PDP evacuates to about 2 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa after the maintenance of the vapor deposition chamber, and performs degassing by irradiating the evaporation material with an electron beam.
  • FIG. 8 is a result of an experiment showing the exhaust characteristics of the vapor deposition chamber 13 in the step 8 described above.
  • “embodiment” means a vapor deposition apparatus according to this embodiment having a housing structure (evaporation source unit 50) for the evaporation source 51 by the container 52, and “comparative example” has a housing structure for the evaporation source. It means a conventional vapor deposition apparatus that does not (the same applies hereinafter).
  • the exhaust times up to 2 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa were compared.
  • the vapor deposition apparatus according to the comparative example required an exhaust time of about 57 minutes from the atmospheric pressure to the target pressure, but the vapor deposition apparatus according to the embodiment was able to achieve the target temperature in about 12 minutes.
  • the evaporating material can be sufficiently degassed by the evaporation source unit 50, so that the exhaust time can be significantly shortened as compared with the comparative example.
  • FIG. 9 shows the experimental results of the vapor deposition apparatus according to the comparative example
  • FIG. 10 shows the experimental results of the vapor deposition apparatus according to the embodiment.
  • the acceleration voltage of the used electron gun is 20 kV.
  • the evaporation material After evacuating the deposition chamber 13 to about 2 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, the evaporation material is irradiated with an electron beam to degas the evaporation material. At this time, degassing is performed while adjusting the electron beam power so that the pressure in the vapor deposition chamber does not become a pressure to diverge the electron beam due to the gas released from the evaporation material.
  • the amount of gas emitted from the evaporation material increases, and it is necessary to maintain the electron beam power for about 100 minutes. It was. Therefore, the time required for the released gas to stabilize was about 420 minutes to 500 minutes.
  • the degassing treatment of the evaporation material is sufficiently performed during the maintenance, there is no significant increase in emitted gas even if the power of the electron beam is increased. In about 40 minutes, the released gas stabilizes. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to greatly reduce the degassing time of the evaporation material.
  • FIG. 11 and FIG. 12 are measurement results showing a comparison of an example of maintenance time including all steps 1 to 10 from the vapor deposition chamber vent to the substrate loading in the vapor deposition apparatus according to the comparative example and the embodiment.
  • the exhaust time of the vapor deposition chamber 13 and the degassing time of the evaporation material 100 can be greatly shortened, so that the maintenance time is about 13.5 hours of the comparative example. It was shortened to about 6.5 hours. Thereby, the time (scheduled downtime) related to the regular maintenance of the vapor deposition apparatus can be reduced to about 1 ⁇ 2, and the operation rate and productivity can be improved.
  • metal oxides used as a protective film react with moisture and carbon dioxide in the atmosphere to produce magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ), carbonated water Magnesium oxide (4MgCO 3 .Mg (OH) 2 ), strontium hydroxide (Sr (OH) 2 ), strontium carbonate (SrCO 3 ), calcium hydroxide (Ca (OH) 2 ), calcium carbonate (CaCO 3 ), etc. Generated.
  • these materials are irradiated with an electron beam, they decompose, and particularly when carbon (C) is taken into the protective film, the electrical properties of the protective film may be deteriorated. According to this embodiment, the production
  • a ring hearth is used as an evaporation source.
  • the present invention is not limited to this, and other evaporation sources such as a crucible, a boat, and a bucket can be used.
  • the electron gun is used as the heating source for the evaporation material, a resistance heating source, a lamp heating source, or the like may be used instead.
  • two evaporation source units 50 are arranged inside the vapor deposition chamber 13, but the number of evaporation source units installed is not limited to this example.
  • a plurality of evaporation sources may be installed in one evaporation source unit.
  • the in-line type vacuum vapor deposition apparatus has been described as an example.
  • the present invention can also be applied to a cluster type single wafer vacuum processing apparatus or the like.

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Abstract

【課題】装置構成の複雑化、大型化を抑制しつつ、蒸発源を大気から分離することができる真空蒸着装置を提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置は、真空排気可能な蒸着室１３と、蒸発源ユニット５０とを具備する。蒸発源ユニット５０は、蒸発源５１と、容器５２と、シール機構５３ａ、５３ｂとを有し、蒸着室１３に配置される。蒸発源５１は、蒸発材料１００の蒸気を発生させる。容器５２は、蒸発源５１を収容する収容室５２１を形成し、収容室５２１から蒸着室１３へ蒸発材料１００の蒸気を供給する開口５２２ａ、５２２ｂを有する。シール機構５３ａ、５３ｂは、容器５２に設置され、開口５２２ａ、５２２ｂを気密に閉止することが可能に構成されている。

Description

真空蒸着装置及びそのメンテナンス方法
　本発明は、蒸発材料の蒸着膜を形成するための真空蒸着装置及びそのメンテナンス方法に関する。
　真空蒸着装置は、真空に維持された蒸着室と、蒸着室の内部に配置された蒸発源とを備え、蒸発源で生成された蒸発材料の蒸気を蒸着室に設置された被成膜基材に蒸着させて薄膜を形成する。蒸発材料は、形成すべき蒸着膜の種類に応じて適宜選択され、例えば、金属、金属酸化物、有機物などが蒸発材料として用いられている。
　一方、真空蒸着装置は、蒸着室のクリーニングや蒸着室内部の部品の交換等を含むメンテナンスを実施する必要がある。このメンテナンスの際、蒸発源が大気に曝されることで、蒸発源の急冷による損傷や酸化が問題となる。そこで、下記特許文献１には、蒸着室に仕切りバルブを介して蒸発源収納室を設置し、蒸着室のメンテナンス時に蒸発源を蒸発源収納室に収納することで、蒸発源が大気に曝されることを防止する真空蒸着装置が記載されている。蒸発源は、蒸着室と蒸発源収納室とに設置された搬送ローラによって、これら両室間を移動可能とされている。
特公平２－１５６２８号公報（第２頁左欄第３０行～第３頁左欄第２行、第１図及び第２図）
　近年、生産性を高める目的で、真空蒸着装置のメンテナンス時間の短縮が望まれている。特に、蒸発源が大気に曝されると、蒸発材料の吸湿量に応じて放出ガス量が増加するため、蒸着室を所定の真空度に短時間で排気することが非常に困難となっている。したがって、蒸着室を大気に開放するときは、上記特許文献１に記載された構成のように、蒸発源は大気から分離可能に構成されることが望ましい。
　しかしながら、上記特許文献１の構成では、蒸発源収納室が蒸着室に隣接して設置されているため、装置全体が大型化し、設置スペースを小さくすることが困難である。また、蒸発源の移動のために搬送ローラを設置する必要があり、更には、蒸発源の大きさに応じて仕切りバルブも大型化するため、装置の複雑化、大型化が避けられない。加えて、蒸発源をローラで搬送するために、蒸発源を構成する筐体の冷却が困難であり、蒸発材料の脱ガス温度が制限される。
　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、装置構成の複雑化、大型化を抑制しつつ、蒸発源を大気から分離することができる真空蒸着装置を提供することにある。
　また、本発明の目的は、メンテナンス時間の短縮を図ることができる真空蒸着装置のメンテナンス方法を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空蒸着装置は、真空排気可能な蒸着室と、蒸発源ユニットとを具備する。
　上記蒸発源ユニットは、蒸発源と、容器と、シール機構とを有し、上記蒸着室に配置される。上記蒸発源は、蒸発材料の蒸気を発生させる。上記容器は、上記蒸発源を収容する収容室を形成し、上記収容室から上記蒸着室へ上記蒸発材料の蒸気を供給する開口を有する。上記シール機構は、上記容器に設置され上記開口を気密に閉止することが可能に構成されている。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空蒸着装置のメンテナンス方法は、蒸着室に配置された、蒸発材料を含む蒸発源を密閉容器に収容することを含む。上記密閉容器の内部は、真空に排気される。上記密閉容器の内部を加熱することで、上記蒸発材料は脱ガスされる。上記蒸発材料の脱ガス処理の間、上記蒸着室はクリーニングされる。
本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置を示す概略図である。 上記真空蒸着装置における蒸着室を基板の搬送方向と直交する方向から見たときの側断面図である。 上記蒸着室を基板の搬送方向から見たときの側断面図である。 上記真空蒸着装置における蒸発源ユニット及びこれを支持する搬出機構の概略構成を示す側断面図である。 上記真空蒸着装置における蒸発源と電子銃との関係を示す要部の模式的な平面図である。 上記蒸発源ユニットの平面図であり、（Ａ）は開口部の開放状態を示し、（Ｂ）は開口部の閉塞状態を示している。 ＭｇＯ膜からの放出ガス量を昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Thermal Desorption Spectroscopy）によって測定した一実験結果である。 蒸着室の排気特性を示す一実験結果である。 比較例に係る蒸着装置について測定した、蒸発材料の脱ガス特性を示す一実験結果である。 本発明の一実施形態に係る蒸着装置について測定した、蒸発材料の脱ガス特性を示す一実験結果である。 比較例に係る蒸着装置におけるメンテナンス時間の一例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着装置におけるメンテナンス時間の一例を示す図である。
　本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置は、真空排気可能な蒸着室と、蒸発源ユニットとを具備する。
　上記蒸発源ユニットは、蒸発源と、容器と、シール機構とを有し、上記蒸着室に配置される。上記蒸発源は、蒸発材料の蒸気を発生させる。上記容器は、上記蒸発源を収容する収容室を形成し、上記収容室から上記蒸着室へ上記蒸発材料の蒸気を供給する開口を有する。上記シール機構は、上記容器に設置され上記開口を気密に閉止することが可能に構成されている。
　上記真空蒸着装置において、蒸発源ユニットは、蒸発源を収容室に収容しており、シール機構によって蒸発源が蒸着室と連通しない状態に保持可能である。したがって、蒸着室の大気開放時、蒸発源を大気から分離することが可能であるため、蒸発源が大気に曝されることによる蒸発材料の吸湿を阻止することができる。これにより、蒸発材料の放出ガス量に起因する蒸着室の排気時間の長時間化を回避し、装置の立ち上げに要する時間を大幅に削減することができる。
　また、蒸発源ユニットは、蒸着室の内部に配置されているため、蒸着室に隣接して蒸発源の収容室を構成する場合と比較して、装置の設置スペースの低減を図ることができる。また、蒸着室の内部において蒸発源を搬送する機構や、蒸発源を通過させるための仕切りバルブが不要となるため、装置構成の大型化、複雑化を回避することができる。
　蒸発源としては、蒸発材料を収容でき、蒸発材料の蒸気を発生させることができる構成であれば特に限定されない。蒸発源としては、例えば、るつぼ、ボート、コイルバケット、ハース等が挙げられる。
　上記シール機構は、弁体と、駆動源とを有してもよい。上記弁体は、上記開口を開閉する。上記駆動源は、上記開口を開放する第１の位置と上記開口を閉止する第２の位置との間にわたって上記弁体を移動させる。
　これにより、上記開口の開閉動作を蒸発源ユニットにより自立的に行うことが可能となる。
　上記蒸発源ユニットは、上記収容室を真空排気可能な排気ラインをさらに有してもよい。
　これにより、例えば蒸着室のメンテナンスの間、蒸発源及び蒸発材料を真空中に保持することが可能となる。
　上記蒸発源ユニットは、上記蒸発源に収容された蒸発材料を加熱可能な加熱機構をさらに有してもよい。
　これにより、例えば蒸着室のメンテナンスの間、蒸発材料の予備加熱処理を実施することが可能となる。
　上記蒸発源ユニットは、上記収容室を所定のガス雰囲気とするためのガス導入ラインをさらに有してもよい。
　これにより、例えば蒸着室のメンテナンスの間、蒸発源及び蒸発材料を窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中に保持することが可能となる。
　上記真空蒸着装置は、上記蒸発源ユニットを上記蒸着室の外部へ搬出可能な搬出機構をさらに具備してもよい。
　例えば蒸着室のメンテナンスの間、蒸発源ユニットを蒸着室の外部へ搬出することで、蒸着室のメンテナンス効率を高めることが可能となる。
　本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置のメンテナンス方法は、蒸着室に配置された、蒸発材料を含む蒸発源を密閉容器に収容することを含む。上記密閉容器の内部は、真空に排気される。上記密閉容器の内部を加熱することで、上記蒸発材料は脱ガスされる。上記蒸発材料の脱ガス処理の間、上記蒸着室はクリーニングされる。
　上記真空蒸着装置のメンテナンス方法によれば、蒸着室のクリーニング処理の間、蒸発材料の脱ガス処理を並行して実施することができるため、蒸着装置のメンテナンス時間の短縮を図ることができる。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
［全体構成］
　図１は、本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置を示す概略図である。本実施形態の真空蒸着装置１は、インライン式の真空蒸着装置として構成されている。
　真空蒸着装置１は、仕込み室１１と、加熱室１２と、蒸着室１３と、冷却室１４と、取出し室１５とを備える。これらの各室１１～１５は、第１～第４のゲートバルブＧ１～Ｇ４を介して接続されている。真空蒸着装置１は、後述するように、仕込み室１１から加熱室１２、蒸着室１３、冷却室１４及び取出し室１５の順で基板を搬送し、取出し室１５から成膜処理した基板を外部へ取り出すことが可能に構成されている。装置内における基板の搬送には、典型的には、基板を保持するキャリアと、当該キャリアを搬送する機構を含む搬送機構が用いられる。なお、上記搬送機構として、基板のみを各室間で搬送する機構が採用されてもよい。
　仕込み室１１は、第１の真空バルブ２１を介して第１の真空ポンプ３１と接続されている。第１の真空ポンプ３１は、例えば、メカニカルブースタポンプとドライポンプとを組み合わせて構成される。仕込み室１１に搬送された基板は、仕込み室１１が真空ポンプ３１によって所定の真空度（例えば１～１０Ｐａ台）にまで排気された後、第１のゲートバルブＧ１を介して加熱室１２へ搬送される。
　加熱室１２は、第２の真空バルブ２２を介して第２の真空ポンプ３２と接続されており、所定の真空度（例えば１０－３Ｐａ台）に維持されている。第２の真空ポンプ３２は、例えば、コールドトラップとターボ分子ポンプとを組み合わせて構成される。加熱室１２は、基板を予備加熱（例えば脱ガス処理）する機能を有する。その後、基板は、第２のゲートバルブＧ２を介して蒸着室１３へ搬送される。
　蒸着室１３は、第３の真空バルブ２３を介して第３の真空ポンプ３３と接続されており、所定の真空度（例えば１０－４～１０－１Ｐａ）に維持されている。第３の真空ポンプ３３は、例えば、コールドトラップとターボ分子ポンプとを組み合わせて構成される。また必要に応じ、Ｏ２等のプロセスガスが導入される。蒸着室１３に搬送された基板は、成膜処理がなされる。基板は、蒸着室１３において、真空蒸着法によって成膜される。成膜処理が施された基板は、第３のゲートバルブＧ３を介して、冷却室１４へ搬送される。
　冷却室１４は、第４の真空バルブ２４を介して第４の真空ポンプ３４と接続されており、蒸着室１３と同等の真空度に維持されている。第４の真空ポンプ３４は、例えば、ターボ分子ポンプで構成される。冷却室１４は、蒸着室１３において成膜された基板を所定温度に冷却する機能を有する。冷却室１４に搬送された基板は、続いて、第４のゲートバルブＧ４を介して取出し室１５へ搬送される。
　取出し室１５は、第５の真空バルブ２５を介して第５の真空ポンプ３５と接続されており、独立して真空排気可能に構成されている。第５の真空ポンプ３５は、例えば、メカニカルブースタポンプとドライポンプとを組み合わせて構成される。取出し室１５は、冷却室１４から基板が搬送される際は所定の真空度に維持されており、基板が搬送された後はゲートバルブＧ４が閉塞された状態で大気圧に調整される。これにより、成膜済みの基板が取出し室１５から装置の外部へ取り出される。
　真空蒸着装置１の構成は上記の例に限られず、要求されるタクトタイム、真空処理の種類等に応じて適宜変更することが可能である。例えば、タクトタイムが早い場合は、蒸着室１３の前段及び後段に更にバッファ室を増設してもよい。また、脱ガス量によっては加熱室を複数設置してもよい。
［蒸着室］
　次に、蒸着室１３の構成について説明する。図２は基板の搬送方向と直交する方向から見たときの蒸着室１３の側断面図であり、図３は基板の搬送方向から見たときの蒸着室１３の側断面図である。
　真空蒸着装置１は、蒸着室１３を形成する真空チャンバ４１を備える。真空チャンバ４１の上面は天板４０によって閉塞されており、内部が気密に保持されている。真空チャンバ４１は、真空バルブ２３を介して、コールドトラップ３３ａ及びターボ分子ポンプ３３ｂからなるポンプユニット（第３の真空ポンプ）３３と接続されている。これにより、蒸着室１３は、所定の真空度（例えば１０－４Ｐａ台～１０－１Ｐａ台）に真空排気されることが可能である。この時、必要に応じ、真空バルブ２３の開度が変えられてもよいし、Ｏ２等のプロセスガスが導入されてもよい。また、真空チャンバ４１は、第２及び第３のゲートバルブＧ２、Ｇ３を介して加熱室１２及び冷却室１４にそれぞれ接続されている。
　蒸着室１３は、基板１０が搬送される搬送エリア４２と、蒸発材料の蒸気を発生させる蒸発エリア４３とを含む。搬送エリア４２は、キャリア２０によって支持された基板１０を水平方向（Ｘ軸方向）に搬送するための領域であり、第２のゲートバルブＧ２と第３のゲートバルブＧ３との間にわたって形成されている。基板１０は、キャリア２０によってＸ軸方向に長さ方向、Ｙ軸方向に幅方向、そして、Ｚ軸方向に厚み方向をそれぞれ向けて支持される。
　搬送エリア４２には、基板１０の各面（図２において上面及び下面）を所定温度に加熱するヒータ４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄ及び４４ｅがそれぞれ設置されている。また、搬送エリア４２には、キャリア２０をＸ軸方向に搬送する搬送機構、成膜領域にアルゴン、窒素、酸素、水等のプロセスガスを導入するためのガス導入口４６等が設置されている。
　一方、蒸発エリア４３は、Ｚ軸方向に関して搬送エリア４２の一部と対向するように形成されている。蒸発エリア４３には、後述する蒸発源ユニット５０が設置されている。蒸発源ユニット５０は、基板１０の下面側と対向する位置に配置されている。したがって、搬送エリア４２は、蒸発エリア４３と対向する領域に成膜領域を有し、基板１０は、成膜領域を通過する過程で蒸発源ユニット５０により成膜処理が施される。搬送エリア４２と蒸発エリア４３との間には、真空チャンバ４１の内壁への蒸発材料の堆積を防止する防着板４５が設置されている。防着板４５は、搬送エリア４２に入射する蒸発粒子（蒸気）の入射角を制限し、所定範囲の成膜領域を画定する開口部４５ａを有している。
　蒸発エリア４３には、蒸発源ユニット５０に収容された蒸発材料に電子ビームＥＢを照射する電子銃６０、蒸発エリア４３にアルゴン、窒素、酸素、水等のプロセスガスを導入するためのガス導入口４７等が設置されている。また、蒸発エリア４３には、蒸発源ユニット５０を支持する基台７１が設置されている。本実施形態では、蒸発エリア４３に、２台の蒸発源ユニット５０が設置されており、その各々が異なる基台７１によって支持されている。各々の基台７１は、蒸発源ユニット５０を蒸着室１３の外部へ搬出可能な搬出機構７０の一部として構成される。
［蒸発源ユニット］
　次に、蒸発源ユニット５０の詳細について説明する。
　図４は、蒸発源ユニット５０及びこれを支持する搬出機構の概略構成を示す側断面図である。蒸発源ユニット５０は、蒸発源５１と、容器５２と、シール機構５３ａ、５３ｂとを有する。
　蒸発源５１には円盤状のハースが用いられ、リング状の凹部にバルク状あるいは粉末状の蒸発材料１００が収容されている。蒸発材料１００としては種々の金属あるいは金属酸化物等が用いられ、本実施形態では、ＭｇＯ、ＳｒＯ－ＣａＯ、ＭｇＯ－ＣａＯのような金属酸化物が用いられる。この種の材料は、例えば、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の前面基板の保護膜に採用されている。これらの材料は吸湿性が高く、大気に曝すと真空中で水を主成分とするガスを大量に放出する。本実施形態では、この種の吸湿性の高い材料を蒸発材料に用いた場合でも、装置の立ち上げに要する時間を短くすることを可能とする。
　蒸発源５１は、その中心部に回転軸５１１と、その回転軸５１１を回転させる駆動モータ５１２とを有する。蒸発源５１上の蒸発材料１００は、回転軸５１１のまわりに回転しながら電子ビームの照射を受けて、均等に加熱、蒸発される。
　容器５２は、蒸発源５１を収容する収容室５２１を形成する。収容室５２１は、蒸発源５１を収容できる大きさであれば特に制限されないが、内容積が小さいほど蒸発源ユニット５０の小型化に貢献することができる。容器５２は、直方形状を有し、その上面部には、蒸発源５１を外部に露出させる開口５２２ａ、５２２ｂが形成されている。電子銃６０から照射される電子ビームＥＢは、容器５２の開口５２２ａ、５２２ｂを介して蒸発材料１００へ到達する。また、電子ビームＥＢの照射を受けて発生した蒸発材料１００の蒸気は、開口５２２ａ、５２２ｂを介して上記成膜領域へ供給される。
　図５は、蒸発源５１と電子銃６０との関係を示す要部の模式的な平面図である。蒸発源ユニット５０は、基板１０の幅方向（Ｙ軸方向）に沿って配置され、それらの開口５２２ａ、５２２ｂは、Ｙ軸方向に沿って整列するように配置されている。電子銃６０は、各開口５２２ａ、５２２ｂに対応して４台設置されており、各開口５２２ａ、５２２ｂを介して容器５２の外部に臨む蒸発材料１００に電子ビームＥＢを照射する。図中Ｐ１～Ｐ４は、電子ビームＥＢの照射を受ける蒸発材料１００の蒸発ポイント、あるいは電子ビームの照射ポイントを示している。図示せずとも、蒸発エリア４３には、電子銃６０から出射した電子ビームＥＢを蒸発源５１に向けて偏向させる偏向コイルが設置されている。上述したように蒸発源５１は、駆動モータ５１２によって回転されるため、蒸発源５１上の蒸発材料１００はその周方向全域にわたって電子ビームＥＢの照射を受ける。
　図５の構成例においては、電子銃６０を４台設置する例を説明したが、２台の電子銃を用いて、蒸発ポイントＰ１～Ｐ４に電子ビームを分岐して照射してもよい。また、基板１０の幅寸法（Ｗ）によっては、蒸発源５１（蒸発源ユニット５０）を３台以上設置してもよい。この場合、蒸発材料の蒸発ポイントを６点以上設定してもよいし、電子ビームをライン状に整形してライン状の蒸発ポイントを形成してもよい。
　シール機構５３ａ、５３ｂは、開口５２２ａ、５２２ｂに対応して容器５２にそれぞれ配置されている。シール機構５３ａ及びシール機構５３ｂはそれぞれ同一の構成を有しており、それぞれ開口５２２ａ、５２２ｂを気密に閉止可能に構成されている。
　シール機構５３ａ、５３ｂは、開口５２２ａ、５２２ｂを開閉する弁体５３１と、弁体５３１を駆動する駆動源５３２とを有する。弁体５３１は、開口５２２ａ、５２２ｂの周縁に弾性的に接触する環状のシール部材５３３を有する。駆動源５３２は、容器５２の上面に設置される。駆動源５３２は、弁体５３１に連結される駆動軸５３４を有し、開口５２２ａ、５２２ｂを開放する第１の位置と開口５２２ａ、５２２ｂを閉止する第２の位置との間にわたって弁体５３１をそれぞれ移動させる。また、駆動源５３２は、弁体５３１を開口５２２ａ、５２２ｂに対して昇降させる昇降源としての機能を有する。これにより、シール部材５３３を開口５２２ａ、５２２ｂの周縁部に適正に押圧することが可能となっている。駆動源５３２は、モータ、シリンダ装置あるいはそれらの組み合わせなどによって構成することができる。これにより、シール機構５３ａ、５３ｂを蒸発源ユニット５０によって自立的に動作させることができる。
　図６は、蒸発源ユニット５０の平面図であり、（Ａ）は開口５２２ａ、５２２ｂの開放状態を示し、（Ｂ）は開口５２２ａ、５２２ｂの閉塞状態を示している。本実施形態のシール機構５３ａ、５３ｂは、電子ビームＥＢの照射による損傷から開口５２２ａ、５２２ｂのシール面を保護する保護板５３５をさらに有する。保護板５３５は、リング状に形成されており、シール部材５３３と接触する開口５２２ａ、５２２ｂの周縁領域を被覆する。これにより、弁体５３１による開口５２２ａ、５２２ｂの適正なシール機能を確保することができる。
　弁体５３１及び保護板５３５は、駆動源５３２の駆動軸５３４に連結された連結具５３６にそれぞれ支持されている。連結具５３６は、弁体５３１を支持する第１のアームと保護板５３５を支持する第２のアームとを有し、駆動軸５３４を中心として弁体５３１及び保護板５３５を同一円周上に旋回させることが可能である。駆動源５３２は、弁体５３１が開口５２２ａ、５２２ｂを開放する上記第１の位置にあるとき、保護板５３５が開口５２２ａ、５２２ｂの周縁に位置するように駆動軸５３４の回転量を制御する。
　本実施形態の蒸発源ユニット５０は、さらに、排気ライン５４と、ヒータ５５（加熱機構）と、ガス導入ライン５６とをそれぞれ有する。
　排気ライン５４は、収容室５２１を真空排気するためのもので、図示せずとも真空バルブ等を介して真空ポンプに接続されている。ヒータ５５は、蒸発源５１に収容された蒸発材料１００を予備加熱するためのもので、容器５２の上面内壁に設置されている。ヒータ５５は、抵抗加熱線のほか、赤外線ランプ等によって構成することができる。ガス導入ライン５６は、収容室５２１を所定のガス雰囲気とするためのもので、図示せずとも開閉弁や流量調整バルブ等を介してガス導入源に接続されている。所定のガス雰囲気としては、例えば、クリーンドライエア（ＣＤＡ）、窒素、アルゴン等の不活性ガスが用いられる。
［搬出機構］
　次に、搬出機構７０について説明する。搬出機構７０は、蒸着室１３のメンテナンス時に、蒸着室１３から蒸発源ユニット５０を外部へ搬出するためのものである。
　搬出機構７０は、図３に示すように、蒸発源ユニット５０を支持する基台７１と、移動台車７２と、基台７１を移動台車７２に結合するフランジ７３とを有する。蒸発源５１の回転軸５１１は、磁性流体シール等の真空シール部材５７を介して容器５２及び基台７１に対して回転自在に支持されている。これにより、基台７１の内部を大気圧に保持することが可能となり、したがって、駆動モータ５１２等を基台７１の内部に設置することが可能となる。フランジ７３は、真空チャンバ４１の側壁の一部を構成し、蒸発源ユニット５０を蒸発エリア４３から外部へ搬出した際、真空チャンバ４１の側壁が開放される。本実施形態では、２台の蒸発源ユニット５０をそれぞれ別々の搬出機構７０で装置外部へ搬出する。これに限らず、一台の搬出機構で２台の蒸発源ユニット５０を搬出してもよい。
［真空蒸着装置の動作例］
　本実施形態の真空蒸着装置１は以上のように構成される。次に、蒸発源ユニット５０の動作を含む蒸着室１３における基板の成膜処理について説明する。
　蒸着室１３は、真空ポンプ３３（３３ａ、３３ｂ）によって真空排気される。そして、ガス導入口４６、４７を介して蒸着室１３内の搬送エリア４２及び蒸発エリア４３にＯ２等のプロセスガスが導入されることで、蒸着室１３の内部が所定の圧力（例えば１０－４Ｐａ台～１０－１Ｐａ台）に維持される。加熱室１２で加熱処理された基板１０は、キャリア２０に支持された状態で、ヒータ４４ａ～４４ｅによる加熱処理を受けながら、搬送エリア４２を矢印Ａで示す方向に搬送される。
　蒸発源ユニット５０に関して、シール機構５３ａ、５３ｂの弁体５３１は、図６（Ａ）に示すように容器５２の開口５２２ａ、５２２ｂを開放し、保護板５３５は、開口５２２ａ、５２２ｂの周縁を被覆している。蒸発源５１は、駆動モータ５１２の駆動により回転軸５１１のまわりに所定の回転数で回転される。この状態で、電子銃６０から電子ビームＥＢが照射され、図５に示す蒸発ポイントＰ１～Ｐ４へ電子ビームＥＢが照射される。これにより、蒸発材料１００は溶解あるいは昇華し、生成された蒸発材料１００の蒸気が開口５２２ａ、５２２ｂを介して蒸着室１３へ供給される。また、保護板５３５により、開口５２２ａ、５２２ｂの周縁への電子ビームの照射による損傷及び蒸発材料の付着を防止でき、弁体５３１との適切なシール性を確保することができる。防着板４５の開口部４５ａを通過した蒸気は、搬送エリア４２を通過する基板１０の下面に順次堆積し、基板１０の下面に蒸着膜を形成する。
　以上の処理を継続的に行うことにより、蒸着室１３に搬入された基板１０が順次成膜される。成膜された基板１０は、ゲートバルブＧ３を介して冷却室１４へ搬送され、所定の冷却処理を受けた後、取出し室１５から大気へ取り出される。本実施形態では、基板１０を搬送しながら蒸着処理を施す通過成膜法を例に挙げて説明したが、基板１０を静止させた状態で蒸着処理を施す固定成膜法が採用されてもよい。
　さて、上述した処理が長時間繰り返されることで、防着板４５等に蒸着物質が堆積する。蒸着室１３を構成する部品に堆積した物質は、剥離することでダストを発生させ、成膜不良の原因となることがある。また、電子銃６０のフィラメントのような電子の放射源は、経時的に消耗する。このため、蒸着室１３のクリーニングや消耗部品の交換等を含むメンテナンス作業を定期的に実施する必要がある。
　本実施形態によれば、蒸発源ユニット５０は、蒸発源５１を収容室５２１に収容しており、シール機構５３ａ、５３ｂによって蒸発源５１が蒸着室と連通しない状態に保持可能である。すなわち、シール機構５３ａ、５３ｂの弁体５３１によって容器５２の開口５２２ａ、５２２ｂを閉塞することで、収容室５２１を密閉状態に保持することが可能である。したがって、蒸着室１３の大気開放時、蒸発源５１を大気から分離することが可能であるため、蒸発源５１が大気に曝されることによる蒸発材料の吸湿を阻止することができる。これにより、蒸発材料１００の放出ガス量に起因する蒸着室１３の排気時間の長時間化を回避し、装置の立ち上げに要する時間を大幅に削減することができる。
　また、本実施形態によれば、蒸発源ユニット５０は、蒸着室１３の内部に配置されているため、蒸着室に隣接して蒸発源の収容室を構成する場合と比較して、装置の設置スペースの低減を図ることができる。また、蒸着室の内部において蒸発源を搬送する機構や、蒸発源を通過させるための仕切りバルブが不要となるため、装置構成の大型化、複雑化を回避することができる。
　一方、蒸着室１３のメンテナンスの際に、蒸発源５１に対する蒸発材料１００の補充を行う場合がある。この場合、蒸発源５１に充填した蒸発材料１００の脱ガス処理を必要とするため、蒸着室１３のメンテナンスの際に蒸発材料１００の脱ガス処理が実施される。以下、蒸発材料の補充を含む蒸着室のメンテナンス手順の一例を説明する。
［蒸着装置のメンテナンス例］
　蒸着装置のメンテナンスは、例えば以下の工程が実施される。
（工程１）蒸着室のベント
　蒸着室１３を大気圧にする工程である。具体的には、真空チャンバ４１に取り付けられたベント弁を開放し、蒸着室１３へ外気を導入する。
（工程２）チャンバの開放
　真空チャンバ４１から天板４０を取り外す工程と、搬出機構７０によって蒸発源５１を蒸着室１３の外部へ搬出する工程である。
（工程３）防着板の取り外し
　開放された真空チャンバ４１から防着板４５を含む各種機構部品を取り外す工程である。
（工程４）蒸着室内部の清掃
　真空チャンバ４１の内壁や各種構造物の表面に付着した蒸着物質を、薬液を用いてクリーニングする工程である。
（工程５）防着板の取り付け
　清掃した防着板あるいは新品の防着板を蒸着室１３の内部へ設置する工程である。
（工程６）成膜材料（蒸発材料）の投入
　蒸発源５１へ蒸発材料１００を収容する工程である。
（工程７）チャンバの組み立て
　真空チャンバ４１に対して天板４０及び、蒸発源５１を含む搬出機構７０を据え付ける工程である。これにより、蒸着室１３が密閉される。
（工程８）蒸着室の真空排気
　真空バルブ２３を介してコールドトラップ３３ａ及びターボ分子ポンプ３３ｂによって蒸着室１３を真空排気する工程である。
（工程９）成膜材料（蒸発材料）の脱ガス
　主として、蒸発材料１００に吸収または吸着された水分を基板の成膜前に除去する工程である。図７は、ＭｇＯ膜からの放出ガス量を昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Thermal Desorption Spectroscopy）によって測定した一実験結果を示す。実験に用いたサンプルは、シリコンウェーハ上に成膜された厚み約８００ｎｍのＭｇＯ膜であり、当該サンプルを大気に曝した後にシリコンウェーハ（基板）を加熱して測定した。放出ガスの主なものは、Ｍ／ｅ（電荷質量比）＝１８である水分（Ｈ２Ｏ）であった。当該放出ガスは、装置のメンテナンス後の立ち上げ時間を増加させ、稼働率を低下させる原因となっている。
（工程１０）基板の投入及び生産
　基板１０を蒸着室１３に搬入した成膜処理を実施する工程である。
　本実施形態では、蒸発源ユニット５０を備えているので、工程３～工程５の作業と並行して、工程６及び工程９の作業を行うことができる。以下、蒸着室１３のメンテナンス時における蒸発源ユニット５０の動作例について説明する。
　蒸着室１３のメンテナンス工程において、蒸発源ユニット５０は、搬出機構７０によって蒸着室１３の外部に搬出された後、蒸発源５１上に蒸発材料１００が充填される（工程６）。その後、シール機構５３ａ、５３ｂは、図４及び図６（Ｂ）に示すように、弁体５３１を容器５２の開口５２２ａ、５２２ｂを閉塞する第２の位置に移動させて、収容室５２１を密閉する。次いで、収容室５２１は、排気ライン５４を介して所定の真空度に排気される。その後、ガス導入ライン５６を介して収容室５２１内にクリーンドライエア、窒素、またはアルゴン等の不活性ガスが導入される。この状態で、ヒータ５５を作動させることで、蒸発材料１００の脱ガス処理が実施される（工程９）。なお、蒸発材料１００の脱ガス処理は、真空雰囲気で行われてもよい。ヒータ５５による加熱温度は、例えば６００℃である。蒸発材料１００の脱ガス処理は、蒸発源５１を回転させながら行うのが効率的である。蒸発材料１００の脱ガス処理は、ヒータ５５による加熱処理と電子ビームの照射処理とを組み合わせることができる。電子ビームの照射による脱ガス処理は、蒸着室１３の真空排気（工程８）の後に実施される（工程９）。
　以上のように、本実施形態によれば、蒸着室１３からの防着板４５の取り外し作業や蒸着室１３のクリーニング作業等と並行して、蒸発源ユニット５０において蒸発材料の脱ガス処理を先行させることができる。これにより、蒸着室１３の排気工程に要する時間の短縮を図ることが可能となる。
　例えば、ＰＤＰの保護膜成膜用のインライン式成膜装置は、蒸着室のメンテナンス後、約２×１０－２Ｐａまで真空排気し、電子ビームを蒸発材料に照射して脱ガスを行う。図８は、上記工程８における蒸着室１３の排気特性を示す一実験結果である。図において、「実施形態」は、容器５２による蒸発源５１の収容構造（蒸発源ユニット５０）を有する本実施形態に係る蒸着装置を意味し、「比較例」は、蒸発源の収容構造を有さない従来の蒸着装置を意味する（以下、同様）。図８の例では、２×１０－２Ｐａまでの排気時間を比較した。比較例に係る蒸着装置では、大気圧から目標圧力まで約５７分の排気時間が必要であったが、実施形態に係る蒸着装置では、約１２分で目標温度に達成できた。本実施形態によれば、メンテナンス中、蒸発材料の脱ガスを蒸発源ユニット５０によって十分に行えるため、比較例に比べて大幅に排気時間を短縮することが可能となる。
　次に、図９及び図１０は、蒸発材料としてのＭｇＯの脱ガス特性を電子ビームの電流値とＲＧＡ（残留ガス分析計）のＭ／ｅ＝１８（主にＨ２Ｏ）のイオン電流値により測定した一実験結果を示す。図９は比較例に係る蒸着装置の実験結果であり、図１０は実施形態に係る蒸着装置の実験結果である。使用した電子銃の加速電圧は２０ｋＶである。図９及び図１０に示した電子ビーム電流をアンペアに換算し、加速電圧を乗じることで、蒸発材料に投入する電子ビームパワーを把握することができる。蒸着室１３を約２×１０－２Ｐａまで真空排気した後、蒸発材料に電子ビームを照射し、蒸発材料の脱ガスを行う。このとき、蒸発材料からの放出ガスによって蒸着室内の圧力が電子ビームを発散させる圧力にならないように電子ビームパワーを調整しながら、脱ガスを行う。
　比較例に係る蒸着装置においては、電子ビームの電流値を３０ｍＡから１００ｍＡ、２００ｍＡに増加させていくと蒸発材料からの放出ガスが多くなり、それぞれの電子ビームパワーで約１００分間保持する必要があった。このため、放出ガスが安定するまでに要する時間は約４２０分～５００分であった。これに対して、実施形態に係る蒸着装置においては、メンテナンス中に蒸発材料の脱ガス処理が十分になされているため、電子ビームのパワーをアップさせていっても大幅な放出ガスの増加はなく、約４０分で放出ガスは安定する。したがって、本実施形態によれば、蒸発材料の脱ガス処理時間を大幅に短縮することが可能となる。
　図１１及び図１２は、比較例及び実施形態に係る蒸着装置における、蒸着室のベントから基板投入までの全工程１～１０を含むメンテナンス時間の一例を比較して示す測定結果である。上述したように、本実施形態によれば、蒸着室１３の排気時間及び蒸発材料１００の脱ガス処理時間の大幅な短縮を図ることができるため、メンテナンス時間は比較例の約１３．５時間から約６．５時間に短縮できた。これにより、蒸着装置の定期メンテナンスに係る時間（スケジュールド・ダウンタイム）を約１／２とすることができ、稼働率の向上及び生産性の向上を図ることができる。
　また、保護膜として使用する金属酸化物（例えば、ＭｇＯ、ＳｒＯ－ＣａＯ、ＭｇＯ－ＣａＯ）は、大気中の水分や炭酸ガスと反応して、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸水酸化マグネシウム（４ＭｇＣＯ３・Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化ストロンチウム（Ｓｒ（ＯＨ）２）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、水酸化カルシウム（Ｃａ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）等が生成される。これらの物質に電子ビームを照射すると分解し、特にカーボン（Ｃ）が保護膜中に取り込まれると、保護膜の電気特性が劣化する可能性がある。本実施形態によれば、これらの物質の生成を防止し、膜特性の安定化を図ることができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
　例えば以上の実施形態では、蒸発源として、リングハースを用いた例を説明したが、これに限られず、るつぼ、ボート、バケットなどの他の蒸発源を用いることも可能である。また、蒸発材料の加熱源に電子銃を用いたが、これに代えて、抵抗加熱源、ランプ加熱源などを用いてもよい。
　また、以上の実施形態では、蒸着室１３の内部に２台の蒸発源ユニット５０を配置したが、蒸発源ユニットの設置台数はこの例に限定されない。また、一台の蒸発源ユニットに複数台の蒸発源が設置されてもよい。
　さらに、以上の実施形態では、インライン式の真空蒸着装置を例に挙げて説明したが、クラスター型の枚葉式真空処理装置などにも本発明は適用可能である。
　１…真空蒸着装置
　１０…基板
　１３…蒸着室
　４１…真空チャンバ
　４２…搬送エリア
　４３…蒸発エリア
　４５…防着板
　５０…蒸発源ユニット
　５１…蒸発源
　５２…容器
　　５２１…収容室
　　５２２ａ、５２２ｂ…開口
　５３ａ、５３ｂ…シール機構
　　５３１…弁体
　　５３２…駆動源
　　５３５…保護板
　　５３６…連結具
　５４…排気ライン
　５５…ヒータ
　５６…ガス導入ライン
　６０…電子銃
　７０…搬出機構
　１００…蒸発材料

Claims (7)

  1. 　真空排気可能な蒸着室と、
    　蒸発材料の蒸気を発生させる蒸発源と、前記蒸発源を収容する収容室を形成し前記収容室から前記蒸着室へ前記蒸発材料の蒸気を供給する開口を有する容器と、前記容器に設置され前記開口を気密に閉止することが可能なシール機構とを有する、前記蒸着室に配置された蒸発源ユニットと
    　を具備する真空蒸着装置。
  2. 　請求項１に記載の真空蒸着装置であって、
    　前記シール機構は、
    　前記開口を開閉する弁体と、
    　前記開口を開放する第１の位置と前記開口を閉止する第２の位置との間にわたって前記弁体を移動させる駆動源とを有する
    　真空蒸着装置。
  3. 　請求項２に記載の真空蒸着装置であって、
    　前記蒸発源ユニットは、前記収容室を真空排気可能な排気ラインをさらに有する
    　真空蒸着装置。
  4. 　請求項３に記載の真空蒸着装置であって、
    　前記蒸発源ユニットは、前記蒸発源に収容された蒸発材料を加熱可能な加熱機構をさらに有する
    　真空蒸着装置。
  5. 　請求項３に記載の真空蒸着装置であって、
    　前記蒸発源ユニットは、前記収容室を所定のガス雰囲気とするためのガス導入ラインをさらに有する
    　真空蒸着装置。
  6. 　請求項１に記載の真空蒸着装置であって、
    　前記蒸発源ユニットを前記蒸着室の外部へ搬出可能な搬出機構をさらに具備する
    　真空蒸着装置。
  7. 　蒸着室に配置された、蒸発材料を含む蒸発源を密閉容器に収容し、
    　前記密閉容器の内部を真空に排気し、
    　前記密閉容器の内部を加熱することで前記蒸発材料を脱ガスし、
    　前記蒸発材料の脱ガス処理の間、前記蒸着室をクリーニングする
    　真空蒸着装置のメンテナンス方法。
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