TW541330B

TW541330B - Photo-electric conversion device and oxide semiconductor fine particle

Info

Publication number: TW541330B
Application number: TW091103824A
Authority: TW
Inventors: Masaaki Ikeda; Koichiro Shigaki; Teruhisa Inoue
Original assignee: Nippon Kayaku Kk
Priority date: 2001-03-07
Filing date: 2002-03-01
Publication date: 2003-07-11
Also published as: JPWO2002071530A1; KR20030085542A; US20040074532A1; EP1367667B1; EP1367667A1; US7728222B2; KR100849706B1; CN1264246C; WO2002071530A1; CN1498440A; EP1367667A4; DE60231290D1; ATE424046T1; JP4287655B2

Description

541330 A7 B7 五、發明說明（1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [技術領域] 本發明係有關以有機化合物增感之光電變換裝置及太陽電池，詳言之係有關其特徵為使用具特定骨架之化合物，尤以色素增感之氧化物半導體微粒之光電變換裝置，及利用該裝置之太陽電池。 [先行技術] 取代石油、煤炭等化石燃料，利用陽光作為能源之太陽電池正受矚目。當今，對使用結晶或非晶形矽太陽電池，或使用鎵、砷等之化合物半導體太陽電池等之一再提昇效率等，也有開發探討。但因其製造所需能源及成本高，有難以廣泛使用之問題。而使用以色素增感之半導體微粒之光電變換裝置，或使用該元件之太陽電池亦已為所知，其製作材料、技術亦已見揭示（B· 〇，Regan and m. Gratzel， Nature，353，737 (1991)，M.K. Nazeeruddin，A. Kay，J Rodicio, R. Humphry-Baker, E. Muller, P. Liska, N. Vlachopoulos, M. Gratzel, J. Am. Chem. Soc.? 115? 6382 (1993)，etc·)。該光電變換裝置係用氧化鈦等較低廉之氧化物半導體製造，有可能製得成本低於以往用矽等之太陽電池之光電變換裝置，已多受矚目。但為得高變換效率之裝置，係用釕系配位化合物作增感色素，色素本身成本高，且其供給亦有問題。又，以有機色素作增感色素已有嘗試，但因變換效率低，尚不實用。因此，使用有機色素增感半導體之光電變換裝置，用廉價有^色素’變換效率、實用性高之光電變換裝置之開本紙’尺度適用了國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱7" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i --------t---------線 It 1 313443 541330

五、發明說明（2 ) 發正受期待。[發明之揭示] ^人本I月人等為解決上述課題精心努力，結果發現用特疋各巴比土酸結構之色素增感半導體微粒，製作光電變換装置，可得變效泰古+ ^ 、文年阿之先電變換裝置，終於完成本發明。亦即本發明係有關 1·其特徵為使用具下述部份構造⑴之化合物增感之氧化物半導體微粒之光電變換裝置，

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (1) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 X2及又3各自獨立，表氧原子、硫原子或硒原子）人上速第1項之光電變換裝置，其中具部份構造⑴之化 =’係部份構造⑴與礙原子數3至4G之烴基構成之化部份構造⑴之5位（經χι、χ2取代之碳原子間之部份構造⑴與不飽和雙鍵結合，且由該結合原 ’次-礙原子與其次—礙原子間有不飽和雙鍵，3八物上迷Γ項之光電變換裝置，其中具部份構造⑴之化 β物’係下述一般式之化合物， Η

(2) --------訂---------線. 本紙張尺度翻中國國家標準（CNS)A4規格⑵Q χ撕公髮） 2 313443 541330 A7 五、發明說明（3 ) [式中’ Al、A2及A3各自獨立，表可有取代基之芳族烴基，可有取代基之胺基，羥基，氫原子，由素原子，氰基或可有取代基之脂族烴基。XI、X2及X3各自獨立，表氧原子、硫原子或硒原子，Y表除水楊酸、二羥基苯衍生物構造以外之可有取代基之芳族烴基，可有取代基之有機金屬配位化合物殘基，或可有取代基之胺基。^示〇至5之整數。而當η係2以上而A2及A3有多數存在時，各a】及各A3可係相同或不同之上述基。又Al、Α2(含多數存在時）及Α3(含多數存在時）可係其多數基結合成環，且該環可有取代基。] 4·上述第1項之光電變換裝置，其中具部份構造〇)之化合物，係下述一般式（3)之化合物，

(3) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ·- -夢 --------訂----------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [式中’ A1、Α2及A3各自獨立’表可有取代基之芳族烴基’可有取代基之胺基’經基，氫原子，由素原子，氮基或可有取代基之脂族烴基。XI至X6各自獨立，表氧原子、琉原子或硒原子。Z可係氫原子，金屬原子或與χ6配對形成鏺鹽。η示0至5之整數。而當n係2以上而八2及 A3有多數存在時，各Α2及各A3可係相同或不同之上述基。又Α卜Α2(含多數存在時）及A3(含多數存在時）可係其多數基結合成環，且該環可有取代基。] ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 3 313443 541330 Α7 Β7 五、發明說明（4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5.第1至4項中任一項之光電變換裝置，其中部份構造 (1)、一般式（2)及（3)之XI至X6全係氧原子， 6·第3項或第5項之光電變換裝置，其中一般式（2)之γ 係具取代胺基之芳族烴基。 7. 其特徵為使用經併用2種以上選自具第丨項之部份構造 (1)之化合物，及不具該部份構造（1)之有機色素（含金屬配位化合物）增感之氧化物半導體之光電變換裝置（但併用同為不具部份構造（1)之有機色素（含金屬配位化合物）者除外）。 8. 第7項之光電變換裝置，其中具部份構造（1)之化合物，係上述第3項之一般式（2)或上述第4項之一般式（3)之化合物， 9·第1至8項中任一項之光電變換裝置，其中氧化物半導體微粒含必要成分二氧化鈦， 10.第1至9項中任一項之光電變換裝置，其中色素係於包合化合物（inclusion compound)存在下載持於氧化物半導體微粒， U•其特徵為使用第1至9項中任一項之光電變換裝置之太陽電池， I2·以具上述第1項之部份構造（1)之化合物增感之氧化物半導體微粒， 13·上述第12項之氧化物半導體微粒，其中具部份構造〇) 之化合物，係上述第3項之一般式（2)或上述第4項之一般式（3)之化合物。表紙張尺度適標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公髮 4 313443 π讀先開讀背希之涑意事頊存填寫本頁) % -------^-----^-----^ 1^ 541330 A7 B7 五、發明說明（5 ) [發明之最佳實施形態] 以下詳細說明本發明。 =具部份構造⑴之化合物有，部份構造⑴與碳原子數3至40之烴基(可有取代基，且構造中可含氮原子、氧原子）構成之化合物，而該烴基於部份構造⑴之人取狀0刊之碳❹），縣構造⑴與不飽和雙社合，且由該結合原子數起，次—碳原子與其次4 原子間有不飽和雙鍵之化合物。該部份構造⑴與碳原子冑3至4〇《烴部份構造⑴之化合物，-般係以色素化合物為佳。該具部份構造⑴之色素化合物有通常之甲川系色素化合物等，以甲川系色素化合物為佳。色素化合物係f川系色素化合物時，具部份構造（1)之化合物係由部份構造〇)與碳原子數3 至40之烴基構成之甲川系色素殘基所構成。用於本發明之較佳甲川系色素化合物，其代表例有上述一般式（2)及（3)之化合物。一般式（2)中，Al、A2及A3各自獨立，表可有取代基之芳族烴基，可有取代基之胺基，羥基，氫原子，氰基，鹵素原子或可有取代基之脂族烴基。A2及A3有多數存在時’亦各獨立表上述之基。上述芳族烴基指從芳族烴去除1氫原子之基，該芳族烴之例有苯、萘、蒽、菲、芘、茚、奠 '芴、茈等。這些通常有碳原子數6至16之芳環（芳環及含芳環之縮合環等^上述芳族烴基，係以從這些芳族烴去徐一氫 ΐ紙張家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公髮） 5 313443 線 541330 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（6 ) 原子之基為佳。以苯基為更佳。該芳族烴基有取代基時，該芳族烴基之取代基如後敘。上述脂族烴基有從飽和及不飽和直鏈、分枝及環狀脂族烴去除1氫原子之基，碳原子數無特殊限制，但通常在 1至36 ’較佳者為碳原子數1至20左右之直鏈烷基。最普通者係碳原子數1至6左右之烧基。環狀者有例如碳原子數3至8之環烷等。與上述部份構造（1)結合之碳原子數3至40之烴基上之取代基，上述Al、A2及A3之芳族烴基或脂族烴基上之取代基，無特殊限制，有可有取代基之烷基（芳族烴基時）、芳基、氰基、異氰基、硫氰基、異硫氰酸酯基、硝基、亞硝醯基、鹵素原子、羥基、磺基、磷酸基、酯化磷酸基（下稱填酸酯基）、取代或非取代巯基、取代或非取代胺基、取代或非取代醯胺基、烷氧基或烷氧基羰基、羧基、醯胺基、酸基等取代羰基等。上述可有取代基之烷基通常有可有取代基之碳原子數1至36左右者，以碳原子數1至20左右之烧基為佳。最普通者係碳原子數1至6左右之烷基。該烷基可更有除上述烷基外之取代基。上述取代基等之醯基有例如碳原子數1至1〇之烷基羰基、芳基羰基等，以碳原子數1至4之烷基羰基為佳，具體有乙酿基、丙酿基等。又上述醯基以外取代基之具體例如下。鹵素原子有氟、氯、溴、碘等原子，以氯、溴、碘為佳0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨秦 n n 1« ϋ I I - 本Λ張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313443

五、發明說明（7 ) 541330 璘酸酯基有碳原子數1至4之烷基磷酸酯基等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 取代或非取代毓基有髄基、烷基酼基、以碳原子數i 至4之烷基巯基等.為佳。取代或非取代胺基有胺基、單或二甲胺基、單或二乙胺基、單或二丙胺基或苯甲胺基、烷氧基烷胺基等之可有取代基之單或二烷胺基（烷基上之取代基有苯基、烷氧基、鹵素原子、羥基、氰基、烷氧基羰基氧基等），可有取代基之單或二苯胺基(苯基上之取代基有烷基等），單或二萘胺基等之芳基取代胺基、N-(碳原子數1至4之烷基取代或燒氧基取代本基-烧胺基等之烧基芳胺基等。取代或非取代醯胺基有醯胺基、烷基醯胺基、芳族醯胺基等。這些取代基之燒基有礙原子數i至2 〇，較佳者為碳原子數1至10’更佳者為碳原子數1至4之燒基。烧氧基有例如，碳原子數丨至10之烷氧基等。該烷氧基可更以烧氧基、鹵素原子、芳基等取代。又，烷氧基羰基有例如，碳原子數丨至丨〇之烷氧基羰經濟部智慧財產局員工消費合作社印製基等。又，羧基、磺基及磷酸基等之酸性基及羥基可形成鹽，而鹽有例如與鋰、鈉、鉀、鎂、鈣等鹼金屬或鹼土金屬類等之鹽，或有機鹼例如，四甲銨、四丁銨、毗啶鏺、咪唑鐵等4級銨鹽之類的鹽。 A1、A2及A3之較佳者為氫原子、由素原子、可經取 I ^之烷基、羥基、二烷胺基、可經取代之苯基（取代甚右敍 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗G X 297公髮)------- 7 313443 541330 五、發明說明（8 ) 基、烷胺基等)，更佳者為氫原子或可經取代之烷基。又〜、入2(含多數存在者）及A3(含多數存在^亦其中多數基結合成環，且該環亦可有取代基。形成之产右不飽和烴環或雜環。不飽和烴環有苯環、蔡環、衣環、拓環、萌環、奠環、努環、環丁烯環、環己料= 戍浠壞、壤己二烯環、環戍二稀環等，雜環㈣㈣1 畊H定環、吲哚滿環、噻吩環、呋读環、哏畴環…亞嗤環、噻哇環、_環、苯并噻唾環、苯并嚼唾環訂，戍：二環：苯并㈣環等。又其中較佳者為環丁婦環、壞戍浠壞、壞己烯環、哦喃環等。又取代基可有幾基、硫羰基等，此時亦可形成環狀酮或環狀硫酮等。 2本發明中，記載有「可有取代基」之取代註明者外，有為上述碳原子數3至4Q之煙基上之取代基等所列之基。線 Y表除水揚酸、二經基苯衍生物構造外之可有取代基之芳㈣基’可有取代基之有機金屬配位化合物或可有取代基之胺基。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Y之方知烴基及其取代基，有如同上述Al、A2及A3 之說明所記載者。又此時丫之芳族煙環之取代基亦可互相結合，形成杜稀咬環（例如具體例39、79、80)、喹啉環（例如具體例83等）、昨嗤環（例如具體例33、34、82等）等雜壞構造。又，亦可係芳族烴基之取代基與Μ或Μ多數存在時為其任一）、Α3(多數存在時為其任-）結合，形成酮、例如香豆素環:具體例35、本紙張尺度適用？ 8 313443 541330 A7 五、發明說明（9 ) 36 、 92 、 105 等）。 Y之可有取代基之胺基，有如同上述A1、A2及A3 之說明所列者。有例如二苯胺基等之二芳基取代胺基，單苯胺基，二烧胺基，單烧胺基，燒基苯胺基等之單燒基單方基取代胺基，苯醯胺基及乙醯胺基等酿基胺基，烧氧基胺基，單脂烯基取代胺基，二脂烯基取代胺基，無取代之胺基等。該胺基上之取代基烧基或苯基等芳基亦可更經取代。該烷基上或芳基上之取代基有，如同上述a1、a2& A3之芳族烴基或脂族烴基上之取代基之說明所列者。 Y之可有取代基之胺基，較佳者有單或二苯胺基，烷氧基取代單苯基單烷胺基，單烷氧基苯基單烷胺基等之經烷基或苯基（亦可經烷氧基等取代）之至少其一取代之二取代胺基，更佳者為單或二苯胺基及單烷基單（亦可經烷氧基取代）苯胺基。在此，烷基以碳原子數1至2〇左右者為佳，以碳原子數1至6者為更佳。可經取代之單或二苯胺基之烧基上之取代基有芳基、鹵素原子、燒氧基等。 Y之有機金屬配位化合物基有二茂鐵、二茂釘、二茂鈦、一茂錯、駄菁、卩卜琳、舒聯D比唆配位化合物等。較佳之Y基有二苯胺基苯基、單苯胺基苯基、二烧胺基苯基、單烷胺基苯基等胺基經烷基或苯基取代之單或二取代胺基苯基’單或二取代胺基萘基，或胺基經烧基或苯基取代之單或二取代胺基（二烷胺基時亦可其相結合成環），例如二苯胺基、單苯胺基、二烷胺基、單烷胺基、哌啶基等。更佳之γ有胺基經烷基或苯基取代之單或二取代本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313443 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^一^ --------訂---------—赢經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 541330 Α7 Β7 五、發明說明（10 ) 胺基苯基，或胺基之1氫原子經苯基取代，另一氫原子無取代或經烷基或苯基取代之單或二取代胺基。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 一般式（2)之化合物較佳者有，X卜X2、X3係氧原子、硫原子或砸原子，η係零或1至2，Al、A2及A3各自獨立，係（C1至C4)烷基、苯基[亦可有羥基、單或二（C1至 C4)烷胺基等取代基]、單或二（C1至C4)烷胺基或鹵素原子、Υ係一個以上選自單或二取代胺基苯基[苯環上亦可更有選自（C1至C4)烷基、羥基及（C1至C4)烷氧基所成組群之取代基，且胺基上之取代基係非取代之（C1至C20，以 C1至C4為佳）烷基，取代基為具有至少一個選自羧基、羥基、鹵素原子' (C1至C4)烷氧基及苯基所成組群之C1至 C4烷基、苯基等]，取代基為具有選自羥基、（C1至C4) 烷氧基及嗎啉基所成組群之基取代之苯基、單或二取代胺基[胺基上之取代基係非取代之（C1至C4)烷基或苯基]，取代基為具有一個以上選自胺基、（C1至C4)烷胺基、羥基及羧基所成組群之基取代之萘基、以（C1至C4)烷胺基取代之蒽基、有機金屬配位化合物基之二茂鐵或二茂釕等。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製更佳之一般式（2)化合物有，XI、Χ2、Χ3係氧原子， η係零或1至2，Al、Α2及A3係氫原子，Υ係單或二取代胺基苯基[胺基之取代基有非取代之（C1至C4，以C2至 C4為佳）烷基或苯基等]或單或二取代胺基[胺基之取代基有非取代之（C1至C4，以C2至C4為佳）烷基或苯基等，二胺基取代時亦可二者結合成環]。這些化合物可具順式、反式構造，無特殊限制。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 10 313443 541330

五、發明說明（11

一般式（3)之 A1、A2、A3、n ft A η同一般式（2)。χι至χ6 亦同一般式（2)之XI至Χ3。Ζ係S语7 保乳原子、金屬原子或與Χ6 形成鐵鹽。金屬原子有例如鐘、麵、^ 納鉀、鎂、鈣等鹼金屬或鹼土金屬，與Χ6形成鎗鹽時有例如四甲銨、四丁銨、吡啶鍚、咪唑鏺等四級銨鹽之類的鹽。 -般式(2)之化合物可例如，以對應於目標化合物之一般式⑴之巴比土酸系化合物，及對應於目標化合物之一般式（4)之甲川擬基何生物（4)(苯胺衍生物等）在有機溶劑中從室溫至回流溫度縮合而得。一般式（3)之化合物係對如一般式（5)之二苯胺衍生物 1莫耳以一般式（1)之巴比土酸系化合物2莫耳同樣反應而得。有機溶劑有甲醇、乙醇、丙醇等醇類，Ν，Ν_:甲基甲醯胺、Ν-甲基α比嘻烧酮等非質子性極性溶劑，醋酸、醋酸酐等。用鹼作觸媒時亦可得高收率之目標物。鹼性觸媒之代表例有苛性鈉、甲醇鈉、醋酸鈉、三乙胺、哌哄、二口丫雙環十一烯等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

\-/ 1 /|\ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G χ_ 297公餐）

II 313443 541330 A7 五、發明說明（12 )

⑸ 以下列舉化合物之具體例。一般式⑺之η = 〇衍生物γ 為苯胺衍生物之一般式（6)示於表J。

X1 A1 R2 ⑹ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製化合物XI X2 X3 A1 表1 R1 R2 R3 R4 1 0 0 0 Η Η Η CHs Cft 2 0 0 0 Η Η Η ClVL· C2H5 3 0 0 0 Η Η Η GH9 Oft 4 0 0 0 Η Η Η C12H25 Gft 5 0 0 0 Η Η Η C18H37 C18H37 6 0 0 0 Η Η Η C2H4OCH3 C2H4OCB 7 0 0 0 Η Η Η 苯基苯基 8 0 0 0 Η Η Η C2H4COOH C2H4COOH 9 0 0 0 Η Η Η GftOH GH4〇H 10 0 0 0 Η Η Η C2H4Br GftBr 11 0 0 0 Η Η Η C2H4CN C2H4CN 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 313443 ----II - ^ « — — III — — — - -ϋ i_i ϋ ϋ 1 1 i-i I i-i n ϋ _ϋ ·1-1 ·-1 ϋ n n I n - 541330 A7 _ B7 五、發明說明（13 )

12 0 0 0 Η Η Η Η H 13 0 0 0 Η Η Η Η C2H4CO2QH5 14 0 0 0 Η OCH3 CH3 CH3 CH3 15 0 0 0 Η OCH3 NHCOCH3 Gft GHs 16 0 0 0 Η Η ΟΗ GHs GHs 17 0 0 0 Η Η C1 Cft 18 0 0 0 Η Η Η tolyl tolyl 19 0 S 0 Η Η Η GHs Gft 20 S S S Η Η Η Ctt Ctt 21 S 0 S Η Η Η C2H4CI C2H4CN 22 0 0 0 Η Η Η GH4苯基Gtt苯基 23 0 Se 0 Η Η Η GHs GHs 24 0 0 0 Η Η Η Cft GHit 25 0 0 0 C1 Η Η GHs GHs 26 0 0 0 苯基 Η Η GHs GHs 27 0 0 0 Gtt Η Η GHs GHs 28 0 0 0 NHCH3 Η Η GHs C2H5 29 0 0 0 Η COOH Η H H (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

—ϋ —ϋ —ϋ ·ϋ I n ϋ 一OJI ϋ n 11 .1 n ϋ 1 I 線丨t η二0衍生物之一般式（2)之其它例如下。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（14 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（15 ) Η

(37)

0 ----------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Η

Re 化合物（2)之η=1，Υ為苯胺衍生物（下式（7))之化合物例示於表2。而4-二甲基苯胺略作4-DMA，4-二乙基苯胺略作4_DEA。

Rn： ⑺ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（16 )表2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製化合物XI X2 X3 A1 Α2 A3 R5 R6 41 0 0 0 Η Η Η CHb CH3 42 0 〇 0 Η Η Η GHs C2H5 43 0 0 0 Η Η Η GH9 Gft 44 0 0 0 Η Η Η C12H25 C2H5 45 0 0 0 Η Η Η C18H37 C18H37 46 0 〇 0 Η Η Η C2H4OCH3 C2H4OCH3 47 0 〇 0 Η Η Η 苯基苯基 48 0 〇 0 Η Η Η GH4COOH C2H4COOH 49 0 0 0 Η Η Η GftOH GH.OH 50 0 0 0 Η Η Η GH4Br GaBr 51 0 0 0 Η Η Η C2H4CN C2H4CN 52 0 0 0 Η Η Η Η H 53 0 0 0 Η Η Η Η C2H4CO2C2H5 54 0 0 0 Η Η C1 GHs GHs 55 0 0 0 Η Η CH3 C2H5 GHs 56 〇〇 0 苯基 Η Η GHs GHs 57 0 0 0 Η Cft Η C2U5 CzHs 58 0 0 0 Η Η Η 甲苯基甲苯基 59 0 S 0 Η Η Η Cft CH3 60 S S S Η Η Η dh Cft 61 S 0 S Η Η Η Gael C2H4CN 62 0 〇 0 Η Η Η C2H4苯基Ga苯基 63 0 Se 0 Η Η Η GHs C2H5 64 0 0 0 Η Η Η Cft GHn 65 〇 0 0 C1 Η Η GHs GHs 66 0 〇 0 NHCI- h Η Η GHs C2H5 67 0 0 0 ΟζΆ Η Η GHs GHs 68 0 0 0 Η Η Η CHs C2HCI 69 0 〇 0 Η Η Η C2H4COCOOCH3 C2H4COCOOCH3 70 0 0 0 Η Η Η H C2H4COCOOCH3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .---l·----------------訂---------線# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 16 313443 541330 A7 B7 17 五、發明說明（其它具體例如下。 Η 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

N(C2H5)2

h3 η3、5 CIN

Η3 CH / IN /1 3C H 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17 313443 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 541330 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂---------線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 313443 541330 A7 _ B7 五、發明說明（l9 )

Η

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 111111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

線丨» 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 19 313443 541330 Α7 Β7 五、發明說明（2G )

X\n(CH2COOC2H5)2 0CH3 (88)

(請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ΗΝ, Η 〇丫 ΝγΟ 〇ν〇 N<C2H5)2

N(C2H5)2 93) Ο Ο (92) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 20 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（21 )

94)

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\/ 6 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (97 \/ 8 (9

I 21 313443 .1:——·--------0^--------訂----I---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 541330 A7 B7 五、發明說明（22 )

H3 H3CH CIN 00) ο ο

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C—N 02) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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CIN 03) 訂i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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N ο 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 04) 2 05) !!線 _1 —_____________________ 22 313443 541330 Α7 Β7

Η

N(C2H5OCH3)2 (109) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

(110) (111)

(112) a ϋ .1 ϋ ϋ ϋ ϋ I I n — ϋ ϋ ϋ ϋ n I H ϋ ϋ ϋ I I ϋ n ^ n I I ϋ I 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 23 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（24 ) Η

CH3-CH3 (113) Η

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CH3 (115)

N(C2H5)2 (116) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 人

HN NH

C4H9C4H9 (117) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 24 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（25 Η

般式（3)之具體例如下。 Η Η Η n(ch3)2 (118) Η

OH (124) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----------線」經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

8) 2 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（26 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

2)4)6) 3 336 π ο ο <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 26 313443 541330 A7 五、發明說明（27 其它有以下之例

本發明之色素增感光電變換裝置係例如，用氧化物半導體微粒於基板上製成氧化物半導體薄臈，再以色素載持於該薄膜者。本發明中設置氧化物半導體薄膜之基板，以表面具導電性者為佳，如此之基板容易採講。具體可用例如玻璃或聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚醚楓等透明高分子材料，於其表面設銦、氟、銻摻雜之氧化錫等導電金屬氧化物，金、銀、鋼等金屬薄膜者。其導電性通常1〇〇〇歐姆以下即可，以1〇〇歐姆以下為佳。氧化物半導體微粒以金屬氧化物為佳，錫、辞、嫣、錐、錄、姻、紀、銳、组、叙㈣=。中以欽、錫、辞、鎢等之氧化物為佳，以氧化鈦為最佳。這些氧化物半導體可單獨使用或二種以上混合使用。氧化物半導體微粒之平均粒徑通常在！至5〇〇奈米，以5至1〇〇奈米為佳。該氧化物半導體可混合大小微粒使用。氧化物半導體薄膜可用氧化物半導體微粒以喷霧等直接於基板上形成薄膜之方法，以基板為電極電析出半導體微粒薄膜之方法，後敘之半導體微粒漿料塗布於基板上後乾燥硬化或鍛燒製造。氧化物半導體電極性能上，係以使用襞料之方法為佳。此時可將二次凝集之氧化物半導體微本紙張尺度適財_家蘇"^…規格⑽χ 297 --- 313443 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27 541330

拉’以特定方法於分散介f中分散至！至扇奈米得分綱之分散介質係能分散半導體微粒者即可枓: 用水或乙醇等醇，丙酮、乙醯基丙酮等酮或己烷等烴類：機溶劑，可混合使用。因使用水之裝料的黏度變 = 此較佳。因塗布漿料之基板，锻燒溫度通常在綱t以上，4 以上為較佳，上限約在基材之溶點（軟化點）以下，限在以下為較佳。鍛燒時間無特殊限制，以約4小時以内為佳。基板上薄膜厚度通常在u 微米， 5至50微米為較佳。氧化物半導體薄膜可施以二次處理。亦即可例如以與半導體同-金屬之醇化物、氯化物、硝化物、硫化物等溶液，直接於各基板浸積成薄臈，乾燥、鍛燒，以提昇半導體薄膜之性能。金屬醇化物有乙醇鈦、異丙醇欽、三級丁醇鈦、二正丁基二乙醯錫等，以其醇溶液使用。氯化物有四氯化鈦、四氯化錫、氣化鋅等，以其水溶液使用。其次說明載持色素於氧化物半導體薄膜之方法。上述色素之載持方法有，將色素溶於溶劑成溶液，若係低溶解度之色素則將之分散成分散液，浸潰上述設有氧化物半導體薄膜之基板之方法。溶液或分散液之濃度可依色素適當決定。將基板上之半導體薄膜浸於其溶液中。浸潰溫度約從常溫至溶劑之沸點。浸潰時間係從i小時至48 小時。 |_可用於溶解色素之溶劑，具體例有甲醇、乙醇、乙腈、本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G x 297公爱 313443 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 28 541330

五、發明說明（29 一甲亞楓、二甲基甲醯胺等。溶液之色素濃度通常可係 10 M 至 1M，以 1χ 10—4 Μ 至 1χ ΙΟ1 μ 為佳。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 如此’得色素增感氧化物半導體薄膜之光電變換裝置。載持之色素可係1種，亦可數種混合。混合時可同係本發明之色素，亦可混用其它不具部份構造⑴之有機色素 (亦可係金屬配位化合物色素）。尤以混合吸收波長不同之色素’可用寬廣之吸收波長，可得高變換效率之太陽電池。混用3種以上色素更可製成最適之太陽電池。金屬配位化合物之例無特殊限制，以j Am chem. Soc.，115, 6382 (1993)’特開2000-26487所示之釕金屬配位化合物，酞菁， ^啉等為佳。混用之有機色素，有不含金屬之酞菁、卩卜啉、菁、份菁 '噁壬環醇、三苯甲烷系等之甲川系色素，咕噸系偶氮系 '恩醌系等色素。較佳者為釕配位化合物、份菁等甲川系色素。混合色素之比率無特殊限制，可依各色素最適化，一般以等莫耳混合至}色素於1〇%莫耳以上使用為佳。使用混合色素之溶液或分散液，使色素吸附於氧經濟部智慧財產局員工消費合作社印製化物半導體微粒薄膜時，其中色素之合計濃度以如同僅以 1種載持者即可。以色素載持於氧化物半導體微粒薄膜時，為防色素間之締合，於包合化合物存在下將色素載持即為有效。包合化合物有膽酸等類固醇類化合物、冠醚'環糊精、杯狀鍵芳烴、聚氧化乙烯等，以膽酸、聚氧化乙烯等為佳。又載持色素後’可用4·三級丁基吡啶等胺類化合物處理半導體本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313443 29 541330 B7 五、發明說明（％ ) 電極表面。處理可用例如肱 < 兹 j如將权有丰導體微粒薄臈並經色素載持之基板’浸潰於胺之乙醇溶液等方法。本發明之太陽電池，係由上述載持色素於氧化物半導體涛膜之光電變換裝置電極、對電極及氧化還原電解質或電洞輸送材料構成。氧化還原電解質可係將氧化還原對溶於溶劑中之溶液，浸渗於聚合物基質之凝膠電解質，或如炫鹽之固態電解質。電祠輪送材料有胺衍生物、聚乙块、聚：胺、聚噻吩等導電高分子，聚亞苯基等用圓盤狀液晶相者。所用對電極係以具導電性，對氧化還原電解質之還原反應具觸媒作用者為佳。可用例如，於玻璃、或高分子膜蒸鍍始、碳、铑、订等，塗附以導電微粒者。、用於本發明太陽電池之氧化還原電解質有，以鹵素離子為抗衡離子之齒素化合物及画素分子構成之㈣氧化還原系電解質，亞鐵氰酸鹽-鐵氰酸鹽、二茂鐵_二茂鐵陽離子等之金屬配位化合物等之金屬氡化還原系電解質，烧基硫醇-烧基二硫越、氧化還原色素、氫醌·臨等芳族氧化還原系電解質等ϋ素氧化還原系電解質為佳。画素化合物i素分子構成之_素氧化還原系電解質，其齒素分子有例如峨分子、漠分子等，以碟分子為佳。又，以齒素離子為抗衡離子之i素化合物，有例如ui、Nai、Ki、㈤、

Cal2等卣化金屬鹽或峨化四烧銨、峨化咪唾鎗、埃化吼啶鎗等齒素之有機四級銨鹽等，以抗衡離子為破離子之鹽類化合物為佳。抗衡離子為鐵離子之鹽類化合物有例如，碘化鋰、碘化鈉、碘化三甲銨鹽等。本紙張尺度適时關家鮮（CNS)A4規格⑵_「χ__297公£) 30 313443 541330 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（31 ) 又’氧化還原電解質若係其溶液時，溶劑係用上非活性者，有例如乙腈、碳酸丙稀醋、碳酸乙稀醋、3· 甲氧基丙腈、甲氧基乙腈、乙二醇、丙二醇、^乙二醇、三乙二醇、r-丁内醋、二甲氧基乙烷、碳酸二乙醋、二乙醚、碳酸二甲酯、12二甲氧基刊签G沉、一甲基甲醯胺、二 :亞楓、1，3-二噁烷、甲酸甲酯、2_甲基四氫呋喃、3_甲氧基噪钱_2_酮、環丁楓、四氫咲嚼、水等。其中特以乙腈、碳酸丙烯酯、碳酸乙烯酯、3_甲氧基丙腈;、甲氧基乙腈、乙二醇、3_甲氧基噁唑烷_2_酮等為佳。這些可單獨使用或2種以上組合使用。凝膠電解質有使用聚丙稀酸醋、聚甲基丙稀酸酯樹脂等為其基質者。氧化還原電解質之濃度通常在〇_〇1至99重量％，以〇」至9〇重量％為佳。配置對電極，使之夾置於基板上有經色素載持於氧化物半導體薄膜之光電變換裝置電極。其間充填含氧化還原電解質之溶液等，即得本發明之太陽電池。 [實施例] 以下基於實施例更具體說明本發明，惟本發明並非僅限於該等實施例。實施例中，若非特地指定，份指質量份， %指質量％。合成例1 巴比土酸1份及4-二乙胺基苯曱醛1.5份溶於乙醇10 份’滴入哌哄無水物〇 · 3份。回流下反應2小時後，冷卻得固體，過濾、清洗、乾燥後以乙醇再結晶，過濾、清洗、乾燥得化合物（2) 1·9份。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 31 313443 541330

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（32 ) 最大吸收（甲醇）：467奈米合成例2 巴比土酸1份及4-二苯胺基苯甲酸2份溶於乙醇1〇份，滴入哌哄無水物〇· 3份。回流下反應2小時後’冷卻得固體，過濾 '清洗、乾燥後以乙醇再結晶，過濾、清洗、乾燥得化合物（7) 1.8份。最大吸收（乙醇）：464奈米合成例3 巴比土酸1份及4-二苯胺基肉桂醛2份溶於乙醇1〇份，滴入哌哄無水物〇· 3份。回流下反應2小時後’冷卻得固體，過濾、清洗、乾燥後以乙醇再結晶，過濾、清洗、乾燥得化合物（47) 1.8份。最大吸收（乙醇）：5 14奈米合成例4 硫代巴比土酸1份及4-二甲胺基醛2份溶於乙醇10 份，滴入哌哄無水物〇 · 3份。回流下反應2小時後’冷卻得固體，過濾、清洗、乾燥後以乙醇再結晶，過濾、清洗、乾燥得化合物（5 9 ) 2.0份。最大吸收（乙醇）：530奈米金成例5 巴比土酸1份及丙醛二醯替苯胺鹽酸鹽1份溶於乙醇 10份，滴入哌哄無水物0 · 1份。回流下反應2小時後’冷卻得固體，過濾、清洗、乾燥後以乙醇再結晶，過濾、清洗、乾燥得化合物（96) 0.4份。 —·--------------------•訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 32 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（33 ) 最大吸收（乙醇）：441奈米合成例θ 巴比土酸1份及戊烯二醛二縮苯胺鹽酸鹽1份溶於乙醇1 0份，滴入哌畊無水物〇 1份。回流下反應2小時後，冷卻得固體，過濾 '清洗、乾燥後，以乙醇等重複再沉澱、再結晶，過濾、清洗、乾燥得化合物（1〇6) 0 3份。最大吸收（乙醇）：538奈米合成例7 巴比土酸15份及丙醛二醯替苯胺鹽酸鹽13份以DMF 100份及哌畊1份於1〇〇至120艽加熱反應3小時後，冷卻得固體’重複過濾 '清洗、再沉澱，乾燥得化合物（丨i 9) 10份。最大吸收（DMF) : 441奈米合成例8 巴比土酸1 6份，戊烯二醛二縮苯胺鹽酸鹽〗4份以 DMF 100份及哌畊1份於1〇〇至12〇加熱反應3小時後，冷卻得固體，重複過濾、清洗、再沉澱，乾燥得化合物（131) 11 份。最大吸收（曱醇）：585奈米 [實施例] 色素溶於乙醇成3·2χ 10_4 M。於室溫將多孔質基板（透明導電玻璃電極上以多孔質氧化鈦於4501鍛燒3〇分鐘之半導體薄臈電極）浸於該溶液中3小時至一夜載持色素，以溶劑清洗，乾燥，得色素增感半導體薄膜之光電變換裝置本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313443 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ---------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 33 541330 A7 五、發明說明（34 實轭例1、7、8 ' 9及14係用表3之色素1種，調整為上述濃| &上述方法載持色素，得光電變換裝置。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ^施例16、17、18、19係用色素2種，各調整為16 X 1〇 4 Μ之溶液，依上述方法載持色素，得光電變換裝置。實施例2、3、4、5、6、10、11、13係用表3之色素 1種’調整為上述濃度。並用上述多孔質基板，於半導體薄膜之氧化鈦薄膜部份，α 〇 2 Μ之四氯化鈦水溶液滴下，於至zm靜置24小時後水洗，再於45〇〇c鍛燒3〇分鐘得四氯化鈦處理半導體薄膜電極。用所得半導體薄膜電極同上載持色素。而實施例15係用表3之色素丨種，載持色素時添加包合化合物膽酸成3χ 1〇-2 Μ，調製上述色素溶液，載持於半導體薄膜，得膽酸處理色素增感半導體薄膜。短路電流、釋放電壓、變換效率係如下量測。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以表面經始濺鍍之導電玻璃固定夾置上述所得色素增感半導體薄膜，於其空隙注入電解質溶液。除實施例i 8 外，s亥電解質溶液係用埃/埃化四正丙錢溶於6比*之碳酸乙烯酯及乙腈溶液成0.02 M/0.5 Μ者。實施例18之電解質溶液係用碘/碘化鋰/碘化丨，2_二甲基-3-正丙基咪嗤鏺/三級丁基π比唆溶於3-甲氧基丙睛成〇 j Μ/0.1 Μ/0.6 Μ/1 Μ 者。量測電池之尺寸，實用部份係0.25平方公分。光源係用5 00瓦氤燈，通過AM 1.5濾片成100毫瓦/平方公分。短路電流、釋放電壓 '變換效率係用恆電位電流裝置量本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313443 34 541330 A7

五、發明說明（35 ) [比較例] 比較例1及2各係用下述Ru配位化合物色素（142)及份菁色素（143)，如同上述實施例1得光電變換裝置。短路電流、釋放電壓、變換效率量測於比較例1係如同實施例1 8，於比較例2係如同實施例1。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —-----訂---------線·

ch2ch3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 35 313443 541330 A7 B7 五、發明說明（36 ) 表3 實施有機短路電流釋放電壓變換效率薄膜之 ^ ^ 、（亳安培/ 膽酸處理例色素平方公分）（伏特）（％) TiCl4處理經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 4.8 0.61 2.0 未處理未處理 2 7 7.1 0.52 2.1 處理未處理 3 41 1.4 0.60 0.6 處理未處理 4 47 6.6 0.46 1.5 處理未處理 5 59 1.5 0.58 0.6 處理未處理 6 95 3.1 0.58 1.2 處理未處理 7 96 2.8 0.63 1.2 未處理未處理 8 106 83 0.53 23 未處理未處理 9 107 3.2 0.49 1.0 未處理未處理 10 107 5.1 0.45 12 處理未處理 11 141 0.6 0.35 0.11 處理未處理 12 119 6.7 0.57 2.2 未處理未處理 13 119 7.5 0.57 2.4 處理未處理 14 131 8.4 0.44 1.8 未處理未處理 15 131 5.7 0.55 1.9 未處理處理 16 96+119 6.4 0.67 2.7 未處理未處理 17119+131 7.4 0.58 2.7 未處理未處理 18 96+142 11.5 0.69 4.8 未處理未處理 19106+143 9.5 0.59 2.6 未處理未處理比較例 1 142 11.0 0.71 4.5 未處理未處理 2 143 6.3 0.56 2.4 未處理未處理 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂·--------· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 36 313443 541330 A7 _B7_ 五、發明說明（37 ) [產業上之利用可能性] 本發明之色素增感光電變換裝置因使用具巴比土酸結構之色素，可提供高變換效率之太陽電池。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 37 313443

Claims

541331 > i£id H3 第91 103824號專利申請案申請專利範圍修正本 (92年3月4) 一種光電變換裝置，苴牲料，、特徵為：所使用之氧化物半導體微粒經下述部份構造（1)之化合物增感，

參 (X1、X2及X3各自獨立，表氧原子、硫原子或硒原子）。 2 ·如申明專利範圍第1項之光電變換裝置，其中具部份構造（1)之化合物係，部份構造（1)與碳原子數3至4〇之烴基（可有取代基，且構造中可含氮原子、氧原子）構成之化合物，该烴基於部份構造（丨）之5位（經χ丨、χ2取代之碳原子間之碳原子），部份構造（丨）與不飽和雙鍵結 3，且由该結合原子數起，次一碳原子與其次一碳原子間有不飽和雙鍵。 3 ·如申請專利範圍第2項之光電變換裝置，其中具部份構造（1)之化合物係下述一般式（2)之化合物，

(2) X3 A1 福利委員會印製 [式中，Al、A2及A3各自獨立，表可有取代基之芳族本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 x 297公釐） 1 313443

經濟部中央標準局員工福利委員會印製 541330

烴基，可有取代基之胺基，羥基，氫原子，齒素原子，氰基或可有取代基之脂族烴基；XI、Χ2及Χ3各自獨立’表氧原子、硫原子或硒原子，γ表除水楊酸 '二幾基苯衍生物構造以外之可有取代基之芳族烴基，可有取代基之有機金屬配位化合物殘基，或可有取代基之胺基；η示0至5之整數；而當11係2以上而八2及八3 有多數存在時’各Α2及各A3可係相同或不同之上述基；又Al、Α2(含多數存在時）及Α3(含多數存在時）可係其多數基結合成環，且該環可有取代基]。 4·如申請專利範圍第2項之光電變換裝置，其中具部份構造（1)之化合物係下述一般式（3)之化合物， ⑶ [式中，A1、A2及A3各自獨立，表可有取代基之芳族烴基，可有取代基之胺基，羥基，氫原子，鹵素原子，氰基或可有取代基之脂族烴基；XI至X6各自獨立，表氧原子、硫原子或硒原子；Z可係氫原子，金屬原子读與X6配對形成鎗鹽；n示0至5之整數；而當2 以上而Α2及A3有多數存在時，各Α2及各八3可係相同或不同之上述基；又A：l、A2(含多數存在時）及Α3(名多數存在時）可係其多數基結合成環，且該環可有取代基]。 313443

541330 H3 5. 範圍第1至第4項中任-項之光電變換裝 =中精構造⑴、-般式(侧之XI至Χ6全係利範圍第5項之光電變換裝置，其中一之Υ係有取代胺基之芳族烴基。 7· 一種光電變換裝置，其特徵為··使用經併用2種以上選自具如中請專利範圍第i項之部份構造⑴之化合物，及不具該部份構造⑴之有機色素（含金屬配位化合物）增感之氧化物半導體（但除併用同為不具該部份構造之有機色素（含金屬配位化合物）者外）。 8·如申請專利範圍第7項之光電變換裝置，其中具部份構造⑴之化合物’係如申請專利範圍第3項之一般式⑺ 或如申請專利範圍第4項之一般式(3)之化合物。 9.如申請專利範圍第1或第7項之光電變換裝置，其中氧化物半導體微粒含必要成分二氧化鈦。經濟部中央標準局員工福利委員會印製 10·如申請專利範圍第！或第7項之光電變換裝置，其中色素係於包合化合物存在下載持於氧化物半導體微粒。種氧化物半導體微粒，其特徵為：以具如申請專利範圍第1項之部份構造（i)之化合物增感。 12=申請專利範圍第U項之氧化物半導體微粒，其中具邛伤構造⑴之化合物，係如申請專利範圍第3項之一般式（2)或如申請專利範圍第4項之一般式（3)之化合物。 313443 ¥尺度_ ^3@家標準（CNS) A4規格（21G χ 297公爱）