TW540167B - Semiconductor light emitting device and method - Google Patents

Description

540167 五、發明説明（1 ) 本發明乃關於發光半導體結構及其製造方法，質言之， 乃關於知用第III-V族氮化物半導體之裝置與方法，以及改 善其製造及操作等。 在數個可見光瑨區發光之發光半導體，例如砷化鋁鎵和 +化銥等第III-V族半導體，·於各種應用中已獲商用界認 同。不過，就需要藍或綠光之用途而言，例如交通號誌燈 所用綠光，或白色照明所用紅綠藍三原色組合之藍色成分 等’業經尋求有效半導體發光器以供較短之可見光波長。 若能以合理成本供應此等固態發光源，則半導體運作特點 之可A性及低耗能性即可俾益很多照明用途。短波長裝 置由於此在媒體上獲得較小寫入與讀出之點，故亦具備 於儲存媒體上提供更多的儲存能量。 一種具直接能帶隙且呈大好前景之短波長發光裝置乃以 第ΙΠ-ν族氮化物為主之半導體，其含之物質諸如氮化鎵 (GaN)氮化鋁（Α1Ν) ’氮化銦（ιηΝ)，氮化鋁銦（Α1〖ηΝ),氮 ^匕鎵銦（GalnN)，氮化鋁鎵（A1GaN)，氮化鋁銦鎵（A1InGaN), 氮化硼鋁（BAIN)，氮化硼銦（BInN)，氮化硼鎵（B(}aN)，及氮 化硼鋁鎵銦（BAlGalnN)等。（此等物質有時亦稱為三氮半導 體）。此類發光裝置之範例列示於第Ep 〇926744號歐洲專利 申請案中，其揭示一種於三氮半導體之心型層與其卜型層 兩者間有一有源、區之發光裝置。Μ電位跨接於該二極體之η 及Ρ-型層即由電洞與電子再組合而於有源區產生光子。發 光一極體（LED)結構之壁插頭效率係由裝置以每電功率單位 所發射之光功率界定之。為達最高致率 所考量者為每瓦 540167

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激勵功率所產生之光以及LED於有用方向所發出之光量。 參考歐洲專利刊物可知’在先前技藝為增大有源：產生 之光的方法中’業經付出相當大努力。卜型三氮化物半導 體層之電阻遠大於n_型三氮化物半導體層之電阻。卜電極 通常跨越全部有源區以低電阻均句分佈電流至結點。雖然 此項增大P-電極可增大有源區之光量，但其亦能減低裝置 部分發出之光，藍大部分之光必須通過p_電極故也。ρ·電 極之透射比可藉減薄電極或提供孔隙而獲增進（參見年 9月11曰所提出之第09/151，554號美國專利申請案），但甚至 此等少許傳送電極亦能吸收相當光量，且其傳光特性會影 響電運作效率，諸如損及有源區所要之均勻電流密度。 依上述專利申請案可知，緣於三氮化物市場並無供應， 故三氮化物發光二極體之生成乃通常於非晶格匹配之^質 如藍寶石或‘碳化硅上而完成者。 、 在所稱‘‘反裝晶片，，或‘‘外延面向下，，之組構中，即無經電 極傳光的問題，緣於裝置反轉以外延面向下裝設，故光即 普遍經基板逸出。最普通基板為藍寶石，但藍寶石之較低 折射率（η〜1.8)限制其功能，此乃由於與外延區折射率句 不匹配，導致有源區所產生之光上的波導效應。如下文中 所述，此部分光以一或多次反射陷入外延區，而損失可觀 部分之光。監寶石/外延層介面粗糙化固有些助益，但效果 有限且具其它缺點。請參考美國第6,〇91,〇85號專利案。 本文以上所參考之專利申請案中說明先前技藝方法所採 用藍寶石或導電性碳化硅基板之若干範例，茲將之概述如 -5-

540167 A7 B7 ) 五、發明説明（3 下：

Nakamura等之美國第5,563,422號專利案，Inoue等之第 091^77八1號歐洲專利案，K〇nd〇h等之第〇926744A2號歐洲 專利案’以及1997年電子書信33 (24)第2066-2068頁，各揭 示於監寶石基板上構成之三氮化物之發光二極體。 Nakamura等說明一種外延面向上之組構，其它皆說明反裝 晶片組構。此等方法皆易遭受由於藍寶石/外延層折射率不 匹配而致部分光波導效應及陷入之功能限制。 公佈之第WO96/09653號PCT申請案（Edmond等）揭示一種 於導電之碳化硅基板上垂直投射三氮化物發光二極體之具 體實例。需一導電性緩衝層做為自三氮化物發光二極體至 碳化硅基板之電阻性傳導。導電性緩衝層所需之生成條件 限疋了彳交繼層之生成條件，從而限制三氮化物有源區層之 品質。同時，導電性緩衝層會引入限制光摘取效率之光損 失作用。甚且，碳化硅基板必須摻雜以提供低串聯電阻之 高電導性（ρ<0·2 Ω-cm)。碳化硅基板摻雜劑導致之光吸收性 限制裝置之光摘取效率。此等狀況導致串聯電阻與光摘取 效率兩者間之消長，並限制發光二極體之電光功率轉換之 效率。 小區域表面安裝之發光二極體晶片適用於很多用途，諸 如顯示輪廓之條狀照明及背照明等。就此等裝置而古，不 需高生光能力，但應屬有效而價廉。因此，此等裝置越小 越好，具有效使用之有源區域。同時，此等表面安裝之裝 置應不需聯線就能安裝於包裝。傳統式三氮化物裝置多採 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（4 ) 用藍寶石基板。此等基板屬較廉且適於生成優良品質之氮 化物膜。由於基板絕緣，故p與n接觸點皆在發光二極體晶 片的同一表面。如此利於將發光二極體附接至前述反裝晶 片方法中之子座或包裝，從而p及n聯結墊即不需聯線即互 接至外包裝。不過，除前述由於波導之光損失問題外，藍 寶石基板不易切成400 X 400平方微米以下之尺寸，故不易 製造低成本之表面安裝式發光二極體晶片裝置。劃與割或 鋸等，使藍寶石在此等尺寸會導致瑕疵產品，且不利於量 另一種製造三氮化物發光二極體之方法採用前述Edm〇n< 等之PCT公佈申請案中之導電性碳化硅基板。此裝置之生成 包括-可‘垂直投射操作之導電性緩衝層。此裝置之優點在 於其可切割成很小尺寸（ 300 X·平方微米）。缺點在於該垂 ^投射裝置‘更不易以表面安裝方式包纟，因…接觸點: 土相對之表面，騎光二極體上f要料。此外，如前所 述’碳化μ摻雜始呈導電而導致晶片内過度之光吸收， 並限制取光效率。因之，導f性碳化録板無法提供製造 诸如三氣化物之小面積表面安裝發光二極體晶片之裝置的 可行方法。 之半導體製造與操作， 面安裝發光二極體晶片 本發明之目的之一在於提供改良 特別是針對與三氮化物之小面積表 製造與操作相關問題之類型方面。 在上述審查中之專利申請案内（序號：〇9/469 65” 09/470,)40)，揭示一種生光能力 3攻 < 一虱化物半導體赛 540167

光裝置。纟其具體實例巾，碳化4基板上所構成之大面積 ( 400 X 400平方微米）裝置含有一反裝組構，#外延面向下結 構以光主要經基板發射。至少一 m介入卜電極金屬 化中以提供低串聯電阻。卜電極金屬化屬不透日月，高反射 性二電阻t生’提供極佳之電流展佈。在發光二極體有源區 之奪值發射波長’卜電極中之光吸收低於每—通過的百分 之二十五。可用中間材料或子座以提供發光二極體模片與 ，裝兩者間之電性及熱之連接。可採硅為子座材料以提供 電子功能，諸如電壓一致性限制操作，靜電放電保護，連 串發光二極體列以及反饋控制光輸出等。包括發光二極體 子座在内之整體裝置乃.設計以供低熱阻，而容高電流密度 之操作。 本文中製造有效，低成本，小面積，表面安裝之發光二 極體晶片，‘採用一種大致透明，高折射率且可切割成小晶 片之基板。其一具體實例採用低吸光碳化硅基板做為摘取 窗而非導電性基板。在此具體實例中，p與n接觸點皆在發 光二極體的一表面上構成’以利表面安裝連接。同時，碳 化硅基板之高折射率（n〜2.7)不會產生藍寶石基板之波導問 題’故具更高摘光效率。由於碳化硅易於切割成很小晶 片’故以本發明可輕易製造有效，成本低之小型裝置。 基板之折射率η宜為η>2.0，而η>2.3則更佳。基板之吸 光，於相關波長或小範圍波長乃由公式I = I〇e-ad中之吸光係 數a所界定’式中1〇為輸入光強度，d為通過吸收媒體之光 徑長度，而I為輸出光強度。如本發明所採，大致透明基板 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 540167 A7

之吸光係數宜屬α<3 cm」fta<i cm」則更佳。 依據本發明之形式’其提供之發光裝置包含於基板一 上構成之半導體結構]匕半導體結構具有多重半導印 層内之有源區；並含與結構之不同半導體層分別接=第° -和第-導電性電極。基板包含之材料具有n>2〇折 ⑹⑽·ι之有源區發光波長之吸光係^。在此形 具體實例中’基板材料之折射率為η>2.3且其吸光係數^ α<1 crrT 匕 句 依據本發明之技術層面，其揭示一種製造半導體發光租 置晶片之方法’此方法包含下述各步驟：提供一大致透： 碳化石圭之基板；於基板之一面上構成半導體結構，此半導 體結構具有多重半導體層及層内之有源區；以電極施加至 結構，半導體層以構成半導體發光裝i ;以及將基板與裝 置切剔成多‘個晶片。在本發明此型具體實例中，構成具多 層之+導體結構之步驟包含提供含三氮化物半導體之^ _型 層及Ρ-型層至有源區之相對兩面上。在此具體實例中，基 板及裝置鋸成小於400 X 400平方微米（面積小於〇16平方亳 米）尺寸之片。在另一具體實例中，基板及裝置鋸成小於 300 X 300平方微米（面積小於〇 〇9平方毫朱）尺寸之片。此 外，在諸具體實例中，不論情況若何，至少一維尺寸小至 400微米或300微米。碳化硅基板與一般藍寶石基板比較， 就本用途而言，前者特具優點，而後者以當前技術很難不 致破指產品切割成如此小片。 自下述之詳細說明配合圖式’當可進一步瞭解本發明之 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 X 297公釐） 540167

特徵與優點。 圖1頒不具藍寶石基板之先前技藝第πι族氮化物發光裝置 圖，其證明減低有用於光輸出之不良波導效應。 、 圖2為本發明具體實例之三氮化物發光裝置之圖式，其採 用透明的碳化硅基板，證明由於無波導效應而改善了光之 摘取。 圖3為一圖表，顯示高度透明碳化硅與藍寶石比較下，產 生高效率之三氮化物發光裝置。 圖4為一流程圖’顯示本發明具體實例中發光二極體晶片 製造技術之步驟。 圖1顯示所謂反裝晶片或外延面向下組構之先前技藝型第 III族氮化物半導體裝置（110)之範例。在此範例中，於藍寶 石基板（U5)上原已構成該裝置，基板之折射率為η〜1.8 (基 板11 5經反轉後有時稱為超基板）。三氮化物半導體層之外 延區（120)包括η-型層（122)和卜型層（128)，以及型層與 Ρ-型層間之有源區ρ_η結.三氮化物半導體之有源區層㈠乃） 通#配置於Ρ - η結處。導電性卜電極（丨3 8)配置於ρ _型層 (128)上，導電性η電極（132)配置於η-型層（122)上。在此一 先岫技藝組構中，各電極屬不透明及反射性，目的在於盡 I經監寶石超基板（1 15)之頂與側發光。藍寶石具相當之光 輻射傳播性。不過藍寶石之折射率為η〜丨.8，遠低於外延層 區之折射率η〜2.4。如此而導致sin ec=1.8/24之臨界角，亦 — 即θ’48.6度。因此’凡藍寶石與外延層界限上入射角大於 此臨界角之光（以界限之法線為準），會歷經總内部反射， _ -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) Α4規格(21〇x 297公笼) 540167 A 7 —__B? 五、發明説明（8 ) 其相當於約7 0 %的有源區所產生光之總量。如此即造成如 圖1中光線（141)所示之波導式效應及輸出光之大量損失， 蓋每一反射皆涉及光能損耗，特別是自金屬電極等耗損性 媒體反射以及經外延層損耗性傳輸者為然。故自採藍寶石 為超基板之傳統式反裝晶片三氮化物發光二極體取光可見 仍屬難解問題，至少部分由於三氮化物外延層中波導效應 所導致寶貴光能之損失。 以本發明具體實例改善光之摘取例示於圖2中，其仍顯示 一反裝晶片之第III族氮化物半導體發光二極體（21〇)，但本 例中郃具有一大致透明之高折射率基板（2丨5)。在此較佳具 體貫例中，基板材料由大致透明之碳化硅構成。三氮化物 半導體層之外延區（220)包含n -型層（220)和P _型層（228),並 在η-型層與卜型層兩者間具有p-n結。在p-n結處，配置三 氮化物半導‘體之有源區（225)。在一範例中，p與卜型層包 含p -型氮化鎵（如GaN : Mg)及n -型氮化鎵（如GaN : Si)，而 有源區則由氮化銦鎵構成，亦可含一或多個量子阱層。不 過任何適宜材料系統皆可採用。導電性卜電極（238)配置於 P-型層（ 228)上，導電-電極（232)配置於n_型層（222) 上。此等電極同樣層不透明及具反射性。在本例中，透明 之碳化硅折射率為η〜2·7大於外延層之析射率η〜2·4。如此即 排除臨界角顧慮，並排除圖1中範例之外延層内波導式效 應。基板於放射波長之低吸光性亦大為提升輸出效率。在 放射峯值波長上，吸光係數α宜為α<3而以α<ι則更佳。此 例中，絕大部分入射於外延區與基板間介面上之光（通常直 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(c NS) A4規格（210 X 297公t) 540167 A7 B7

五、發明説明（9 ) 接自有源區發出或自反射性電極單一反射者）將會進入基板 (21 5)而成為有用之輸出光。由圖2可見，在本具體實例 中，最好於基板上提共粗糙面（諸如所鋸邊緣或所磨頂面 等），以助光自基板逸入基板外之較低折射率環境中，亦即 具中間折射率之空氣或密封劑等。 圖3為一圖表，顯示高度透明碳化硅與藍寶石比較下，產 生高效率第III族氮化物發光裝置之優越性。以氮化鎵/藍寶 石為例所標準化之取光效率乃就厚度不同之碳化硅標定= 碳化硅吸光係數之函數。此等計算係以環氧樹脂所密封之 晶片為範例而完成者。依吸光係數為準之取光效率會在晶 片非密封情形下增大。 圖4為一流程圖，說明實施本發明具體實例中製造小面積 發光二極體晶片之技術。方袼（410)代表提供一適宜且大致 透明之高折‘射率基板。如前所述，所選定之基板具有吸光 k數oc在放射奪值波長oc<3 cin而以α<1 cmi更佳，並呈折 射率η宜為η〜2.0而以n>2.3更佳。在本發明一具體實例中， 基板為透明之碳化硅，其具折射率η〜2.7及吸光係數在47〇奈 米波長α小於1 cnT1。在一範例中，碳化硅基板之厚度範圍 為50至500微米。方格（420)代表將第⑴族氮化物外延層以既 知方式配置於基板上。其次如方格（430)所代表者為金屬化 物包括電極和黏合墊之配置。然後此晶圓即可以刻割或利 用鋸開技術切成晶片（方格440)。在一具體實例中，晶片鑛 成小於400 X 400微米（小於0.1 6平方毫米面積）之片。在另一 具體實例中，晶片鋸成小於300 X 300微米（小於〇〇9平方毫 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（2川X 297公發） 540167 A7 B7明説明（10 ) " 米面積）尺寸之片。此外，在此等具體實例中，無論如何， 至少有一維要小於400或3 00微米。以碳化硅基板與藍寶石 基板相較’前者特別有利於此項用途，蓋依當前技術而 論，後者不易切成全無瑕疵品質之如此小片。在尚未由錯 切而粗糙化之基板曝露面上，可利用磨或|虫刻達成其粗链 化。繼之如方格（ 450)所代表者，晶片附接至子座（此步驟 屬選擇性）以及最後實施封裝（方格460)。 依據本發明另一具體實例，基板可由透明之多晶碳化石圭 構成，以化學蒸積法（CVD)形成後製成大型晶圓或其它形 狀。由於多晶粒具定向性’故此等基板適於利用第Η〗族氣 化物材料糸以MOCVD法而生成。且此基板之低雜質性提供 本文所述高效率發光二極體所要求之屬性（n>2 〇，a<3 cm力 。在本具體實例另一形式中’多晶碳化硅晶圓可經由施緣 體石圭晶圓結‘合及碳化法切成具單晶體3 C碳化娃膜之薄片。 [參考 K.D. Hobart 等 J. Electrochem. Soc.146，3833-3836 1999]薄片式基板可用以生成第ΠΙ族氮化物外延層，如前述 之具體實例中者，且裝置可在切成小晶片並結合至子座後 封裝形成小面積表面安裝之發光二極體晶片之前，於其上 構成。此等裝置具前所列舉之優點，包括製造期間切成小 晶片之能力，以及大致排除由於三氤化物外延層與藍寶石 基板間折射率不匹配所造成之所滯陷光損失的優點。而 且’此較低成本之大面積聚合碳化硅/碳化硅基板可供高度 量產優點。低吸光性氤化鎵，氮化銦或其它第ΙΠ族氮化物 基板亦可採用。

裝 η

線 -13- 本紙張尺度適财g國家職CNS) Μ規格(21QX297公聲)

Claims (1)

1. 540167 A8 B8 C8 1)8 申請專利範圍 1, 一種發光裝 在基板之潘+ 有多重半導ί纖之半導體結構’該半導體結構含 一 二把龙和層内之有源區；及 …_第—導兒性電極，分別與基板一面上结構之不 同半導體層接觸； 上…稱（小 该基板組成封粗&女 抖具有折射率η>2·0及在有源區發光波長 上之吸光係數a<3 cm.i。 2·如申請專利範圍第1項之裝置，其中基板材料呈有之折 射率 n>2.3。 〃 3·如申凊專利範圍第i項之裝置，其中基板材料之吸光係 數 α<1 cnT1 〇 4_如申請專利範圍第2項之裝置，其中基板材料之吸光係 數 a < 1 c m ·1。 5·如申請專、利範圍第μ之裝置，其中基板材料包含碳化 石圭。 6·如申請專利範圍第4項之裝置，其中基板材料包含碳化 石全。 7·如申請專利範圍第丨項之裝置，其中基板材料包含多晶 碳化硅。 8·如申請專利範圍第4項之裝置，其中基板材料包含多晶 碳化硅。 9·如申請專利範圍第丨項之裝置，其中基板材料包含之多 晶碳化硅上具有單晶體碳化硅。 1〇·如申請專利範圍第4項之裝置，其中基板材料包含之多 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 540167 Λ8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 晶碳化硅上具有單晶體碳化硅。 11. 如申請專利範圍第5項之裝置，其中該裝置至少含與其 厚度垂直之一維小於4〇〇微米。 12. 如申請專利範圍第5項之裝置，其中該裝置至少含有與 其厚度垂直令含維小於4〇〇 X 4〇〇微米。 13. —種發光裝_含： 在基板之上構成之半導體結構，此結構含有多重 半導體層和聊之有源1 ;該等多重層包括有源區相對 面上之第III族氮化物半導體之n -型層及第m族氮化物半 導體之ρ-型層； 第一和第二導電性電極，分別與η _型層及ρ _型層接 觸；以及 3 將電信號施加至諸電極以於有源區產生光之器件，所 產生之光i邑大部分係自裝置經由基板發出； 該基板組成材料具有折射率η>2·〇及在有源區發光波長 上之吸光係數a<3 cm-1。 14·如申請專利範圍第1 3項之裝置，其中基板材料具有折射 率 n>2.3 〇 15·如申請專利範圍第i 3項之裝置，其中基板材料之吸光係 婁文 α< 1 cnT1。 16·如申請專利範圍第1 4項之裝置，其中基板材料之吸光係 數 α< 1 cm-1 〇 17·如申請專利範圍第1 4項之裝置，其中基板材 包含破化 硅0 ，15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 X 297公釐） 540167 A8 B8

   18. 如申請專利範圍第1 5項之裝置 石圭° 19. 如申請專利範圍第1 6項之裝置 娃。 2〇·如申請專利範圍第1 4項之裝置 碳化娃。 其中基板材料包含碳化 其中基板材料包含碳化 其中基板材料包含多晶 21·如申請專利範圍第14項之裝置 晶碳化硅上具有單晶體碳化硅。 22·如申請專利範圍第1 3項之裝置 鎵（GaN)。 其中基板材料所含之多 其中基板材料包含氮化 23·如申請專利範圍第1 3項之裝置 鋁（A1N)。 其中基板材料包含氮化 24.如申請專利範圍第1 3項之裝置 族氮化物:材料。 其中基板材料包含第III 25·如申請專利範圍第1 3項之裝置， 其厚度垂直之一維小於4〇〇微米。 26. 如申請專利範圍第1 6項之裝置， 其厚度垂直之一維小於4〇〇微米。 27. 如申凊專利範圍第1 4項之裝置， 度垂直之二維小於400 X 400微米 其中5亥裝置至少具有與 其中該裝置至少具有與 其中該裝置具有與其厚 28·如申請專利範圍第1 4項之裝置，其中該裝 0.16平方毫米。 置之面積小於 29· —種製造半導體發光裝置晶片之方法，其包含步驟 提供大致透明的碳化硅之基板； 16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐） 540167 A3 B8 C8 " 一 於基板之一面上構成半導體結構’半導體結構具多重 半導體層及層内之有源區； 將電極施加於基板一面上結構之諸半導體層，以形成 半導體發光裝置；以及 將基板及裝置切割成多個晶片。 30. 如申請專利範圍第2 9項之方法，其另含將各裝置晶片之 電極結合至子座，以獲得反裝式半導體發光裝置。 31. 如申請專利範圍第2 9項之方法，其中切割步驟包括將基 板及裝置鋸成多個晶片。 32·如申請專利範圍第2 9項之方法，其中提供透明碳化硅基 板之步驟包含所提供之碳化硅基板具有折射率n>2.3並具 有在有源區放射波長上之吸光係數a<3 cm-1。 33·如申請專利範圍第2 9項之方法，其中提供基板之步驟包 括提供多‘晶碳化石圭之基板。 34.如申請專利範圍第2 9項之方法，其中提供基板之步驟包 括提供其上具有單晶體碳化硅之多晶碳化硅基板。 35·如申請專利範圍第2 9項之方法，其中切割成晶片之步驟 包括切成之晶片至少具有與其厚度垂直之一維小於400 微米。 36·如申請專利範圍第3 2項之方法，其中切割成晶片之步騍 包括切成之晶片至少具有與其厚度垂直之一維小於400 微米。 37.如申請專利範圍第2 9項之方法，其中切割成晶片之夕驟 包括切成之晶片具有與其厚度垂直之二維小於4〇〇 X 4〇〇 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Λ4規格（210X297公釐）

   申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 微米。 38.如申請專利範圍第2 9項之方 包括七+ a ，、〒切割成晶片之步驟 成日日片之面積小於0.16平方毫米。 39·如申凊專利範圍第2 9項之方法，其中切宝丨 包;^ + > ，、Y切割成晶片之步驟 刀成之晶片至少具有與其厚度垂 微米。 且〈一維小於300 4〇·如申凊專利範圍第2 9項之方法， 匕括切成之晶片具有與其厚度垂 微米。 其中切割成晶片之步驟 直之二維小 於 300 X 300 41.::請專利範圍第29項之方法，其中切割成晶片之步驟 匕切成晶片之面積小於0.09平方毫米。 42·如申請專利範圍第2 9頂之方、、兵，1 i 社 固弟29貝之万法其中構成具多層半導體 本，^ = V驟包括於有源區相對面上提供含第111族氮化物 “ V也之η -型層及第η〗族氮化物半導體之形 重層。 Ρ , 43·:申玥專利範圍第3 2項之方法，其中構成具多層半導體 二構之步驟包括於有源區相對面上提供含第族氮化物 半導體之η·型層及第ΠΙ族氮化物半導體之卜型層等之多 重層。 44.:申請專利範圍第39項之方法，其中構成具多層半導體 結構之步驟包括於有源區相對面上提供含第ΠΙ族氮化物 半導f之η-型層及第ΠΙ族氮化物半導體之ρ-型層等之多 重層h 減 45· —種$發光裝 w: - . ... 含·· -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公爱) 540167 46. A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 於基板一面上構成之半導體結構，此結構含有多重半 導體層和層内之有源區，此等多重層包括有源區相對面 上之第III族氮化物半導體之型層及第III族氮化物半導 體之P-型層； 第一及第二導電性電極，分別與n -型層和P -型層相接 觸；以及 將電信號施加至諸電極以於有源區產生光之器件，所 產生光絕大部分係自裝置經由基板發出； 該基板包含多晶竣化娃。 如申請專利範圍第4 5項之裝置，其中基板包含之多晶碳 化硅上具有單晶體碳化硅。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）