CN100454598C - 发光二极管 - Google Patents
发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100454598C CN100454598C CNB2005800180234A CN200580018023A CN100454598C CN 100454598 C CN100454598 C CN 100454598C CN B2005800180234 A CNB2005800180234 A CN B2005800180234A CN 200580018023 A CN200580018023 A CN 200580018023A CN 100454598 C CN100454598 C CN 100454598C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- led
- substrate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种发光二极管(LED)，包括α-Al2O3或SiC的半透明基底和生长在所述基底的第一侧上的发光半导体材料的第一层，第一电极和第二电极，其中所述基底是多晶体。多晶基底的平均晶粒大小优选与LED使用期间由半导体材料发射的光的波长处于相同数量级。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)，包括半透明基底和生长在所述基底的第一侧上的发光半导体材料的第一层，第一电极和第二电极。
背景技术
这种LED在JP 2002-319708中描述。在现有技术中，半导体材料例如GaN或其它衍生物外延生长在蓝宝石(单晶体α-Al2O3)基底上，该基底具有相对接近于半导体材料的晶格常数的晶格常数。由于晶格不匹配仍然较大，因此沉积的材料倾向于形成小的(10-100nm)高质量域，其相对于彼此扭转和倾斜。错位的大的密度调节相邻晶粒之间的混乱取向。如果GaN在高温时直接沉积在蓝宝石上，那么由于一些晶粒的优先生长，因此错位密度非常高并且表面形态粗糙。如果低温GaN层直接沉积在基底上，后面接着为高温GaN层，那么低温层提供高温膜的成核点。低质量、低温层存在严重缺陷以至于它调节高质量GaN和基底之间的大多数不匹配，导致更好的高温GaN膜。这种低温层通常称为缓冲层。
发明内容
蓝宝石用作基底材料，因为它具有对可见光透明的特性以及相当匹配GaN晶格常数，尽管晶格不匹配仍然达到大于30％(沿一个方向)。与蓝宝石的使用相关的问题在于它的价格和将基底成形为所需形状的困难。
根据本发明，所述基底由多晶材料优选多晶α-Al2O3或SiC构成。这种多晶材料可以以相对便宜的方式制备并且它可以容易地成形为任何所需形状。尽管根据现有技术，仅相信单晶体材料提供适当的起始点以生长半导体层，但是惊人的发现可接受的n型和p型半导体层也生长在多晶氧化铝或SiC上。此外，多晶α-Al2O3或SiC的制备过程允许其它陶瓷组分结合到基底上，这些组分例如是可以操从发射光的陶瓷透镜，或具有高热导率的陶瓷、金属或金属陶瓷以用作高功率LED中的散热片。
从包括氮化铝、氮化镓、氮化铟或其组合(AlGaInN)的组中选择所述半导体材料。
多晶基底的平均晶粒大小优选小于在LED使用期间由半导体材料发射的光的波长的2倍，更优选小于在LED使用期间由半导体材料发射的光的波长的1.5倍，以及甚至更优选小于在LED使用期间由半导体材料发射的光的波长的1.2倍。多晶基底的平均晶粒大小优选小于400nm，更优选小于300nm，甚至优选小于200nm。当多晶材料的平均晶粒大小比得上光的波长时，或至少当多晶材料的平均晶粒大小小于大约200nm时，多晶α-Al2O3或SiC具有透明的特性。
发光半导体材料的所述第一层优选是n型，而p型的发光半导体材料的第二层优选生长在所述n型层上。所述p型层优选仅覆盖n型层表面的一部分，在这种构形中，第一电极可以连接到p型层的表面，第二电极可以连接到n型层的未覆盖表面。在一个实施例中，p型层优选覆盖有半透明的基于Ni-Au的层，其可以是第一电极的一部分。所述基于Ni-Au的层作为空穴扩散层(hole spreading layer)和与n型层接触的空穴注入。此外，反射镜优选连接到基底的第二侧，以便将光反射到由半透明的基于Ni-Au的层形成的LED的前侧。在另一实施例中，第一电极形成反射镜，将光反射到由半透明基底形成的LED的前侧。
本发明还涉及一种制造发光二极管(LED)的方法，其中提供半透明基底，发光半导体材料的第一层生长在所述基底的第一侧上，以及第一电极和第二电极连接到LED，其中所述基底是多晶体。
附图说明
本发明将通过实施例的这些例子以及参考附图进行说明，在附图中：
图1是LED的第一实施例的示意截面；和
图2是LED的第二实施例的示意截面。
具体实施方式
然而，许多不同的构形和变化在本发明的范围中是可能的。
多晶氧化铝(α-Al2O3)的制备如在下述文献中描述：题为“Transparent alumina：a light scattering model”(J.Am.Ceram.Soc.，86(3)480-486(2003))的文章，以及WO 2004/007397和WO2004/007398，这些文献在此引入作为参考。多晶SiC的制备也是已知的，尽管本发明通过其中使用多晶氧化铝的例子进行说明，但是可以以相似方式使用多晶SiC。
由精细(即体积平均直径等于或低于150nm)和适当分配的氧化铝粒子(例如Taimei TM-DAR，Sumitomo AKP50)构成的粉末优选通过氧化铝粒子的解凝聚作用(例如湿球研磨，超声等)和稳定作用(例如通过使用HNO3，聚丙烯酸)分散在水中。氧化铝悬浮液被浇铸(例如通过粉浆浇铸，凝胶浇铸(gelcasting))到具有预定形状的模具中。成形技术非常通用并允许两维和三维复杂形状的制备。
在干燥和脱模以后，多孔氧化铝产品在氧中煅烧以在基本上低于烧结温度的温度(优选低于烧结温度的至少500℃)时去除所有不需要的组分(例如稳定剂)。随后，材料在适当的烧结气氛(例如湿氢，氧气)中在某温度下烧结，以便最终得到的密度在97％和98％之间。取决于处理参数，涉及的温度范围在1150℃和1300℃之间。在烧结后，在适当高的压力下(优选高于100MPa)，在等于或稍微低于之前所述烧结温度的范围但不低于100℃的温度下，残余孔隙通过恒温热等静压去除。
由此得到的产品是半透明的，并且特征在于范围在0.3和0.8微米之间的平均晶粒大小，这取决于使用的工艺。然而，产品由于例如脱模处理仍然粗糙。因此，产品需要被机械或化学-机械抛光直到光在材料表面处的漫散射变得可以忽略。这相应于范围在5和10nm之间的Ra。可替换地，产品也可以在煅烧处理后被悬浮涂敷或喷射，由此使繁重的抛光步骤变得多余。可以优选热刻蚀由此得到的抛光的和透明的材料以便消除在抛光步骤期间诱发的表面人为产物。热刻蚀操作的温度应当范围在低于所用的烧结温度的0℃和150℃之间。
预成形、半透明多晶氧化铝基底随后用作模具以沉积半导体发光材料例如GaN，该材料用于发光二极管(LED)中。沉积处理由两个沉积模式构成，一个为低温沉积模式(例如在500℃的温度)，另一个为高温沉积模式(例如在1000℃的温度)。在低温时沉积的材料具有弱的晶体质量和高的杂质浓度(例如氧和碳)，并且它不具有GaN装置质量。这种材料用作缓冲层。在1000℃生长的GaN膜通常具有非常小的杂质浓度，约1016cm3，甚至不需要有意的掺杂(n处于低的1017cm3浓度范围中)。
图1和2是根据上述处理制备的LED的两个实施例的截面，其中LED包括多晶氧化铝基底1，其上生长n型GaN半导体层2。p型GaN半导体层3生长在n型层2的一部分表面上。所述p型层由第一电极4覆盖，而n型层2的剩余表面由第二电极5覆盖。电极4，5都由提供充足的电流传输的适当材料构成，例如Ni-Au，并允许分别与n型和p型半导体材料的适当电接触。在必要时，LED由绝缘层6覆盖。焊料块7连接到每个电极4，5，用于连接到可能存在于次装配台(submount)上的电源端子。
在附图中，LED的发射光的路径用箭头8表示。
在图1的实施例中，第一电极4作为反射镜，以便由p型层3发射的光通过电极4向LED的前侧反射，该前侧用半透明基底1形成。
在图2的实施例中，反射镜9连接到基底1的相对侧，以便由p型层3发射的光通过反射镜9向LED的前侧反射，该前侧通过第一电极4的薄的半透明层形成。
Claims (13)
1.一种发光二极管(LED)，包括半透明基底和生长在所述基底的第一侧上的发光半导体材料的第一层，第一电极和第二电极，其特征在于所述基底是多晶α-Al2O3。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中从包括氮化铝、氮化镓、氮化铟或其组合AlGaInN的组中选择所述半导体材料。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其中多晶基底的平均晶粒大小小于在LED使用期间由半导体材料发射的光的波长的2倍。
4.如权利要求1或2所述的发光二极管，其中多晶基底的平均晶粒大小小于在LED使用期间由半导体材料发射的光的波长的1.5倍。
5.如权利要求1或2所述的发光二极管，其中多晶基底的平均晶粒大小小于在LED使用期间由半导体材料发射的光的波长的1.2倍。
6.如权利要求1至2中任一权利要求所述的发光二极管，其中多晶基底的平均晶粒大小小于400nm。
7.如权利要求1至2中任一权利要求所述的发光二极管，其中多晶基底的平均晶粒大小小于300nm。
8.如权利要求1至2中任一权利要求所述的发光二极管，其中多晶基底的平均晶粒大小小于200nm。
9.如权利要求1或2中任一权利要求所述的发光二极管，其中发光半导体材料的所述第一层是n型的。
10.如权利要求9所述的发光二极管，其中p型的发光半导体材料的第二层生长在所述n型层上。
11.如权利要求10所述的发光二极管，其中所述p型层仅覆盖n型层表面的一部分。
12.如权利要求11所述的发光二极管，其中第一电极连接到p型层的表面，第二电极连接到n型层的表面。
13.一种制造发光二极管(LED)的方法，其中提供半透明基底，发光半导体材料的第一层生长在所述基底的第一侧上，以及第一电极和第二电极连接到LED，特征在于所述基底是多晶体α-Al2O3。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP04102423.3 | 2004-06-01 | ||
| EP04102423 | 2004-06-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1961433A CN1961433A (zh) | 2007-05-09 |
| CN100454598C true CN100454598C (zh) | 2009-01-21 |
Family
ID=35311905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005800180234A Expired - Fee Related CN100454598C (zh) | 2004-06-01 | 2005-05-25 | 发光二极管 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080251809A1 (zh) |
| EP (1) | EP1756878A2 (zh) |
| JP (1) | JP2008501234A (zh) |
| KR (1) | KR20070036118A (zh) |
| CN (1) | CN100454598C (zh) |
| TW (1) | TW200612581A (zh) |
| WO (1) | WO2005119798A2 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8294166B2 (en) | 2006-12-11 | 2012-10-23 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
| KR101809472B1 (ko) | 2009-01-14 | 2018-01-18 | 삼성전자주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광 장치 |
| WO2011037876A1 (en) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Cree, Inc. | Lighting device having heat dissipation element |
| US9732930B2 (en) * | 2010-07-20 | 2017-08-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light bulb shaped lamp |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288417B1 (en) * | 1999-01-07 | 2001-09-11 | Xerox Corporation | Light-emitting devices including polycrystalline gan layers and method of forming devices |
| US6417127B1 (en) * | 1999-05-19 | 2002-07-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Translucent polycrystalline ceramic and method for making same |
| WO2003098713A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Lumei Optoelectronics Corporation | Light-emitting diode with silicon carbide substrate |
| US20040094774A1 (en) * | 1999-12-22 | 2004-05-20 | Steigerwald Daniel A. | Semiconductor light emitting device and method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4211758A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-08 | Gte Laboratories Incorporated | Ceramic compositions and articles prepared therefrom |
| JPH09172199A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
| JP4723055B2 (ja) * | 1999-05-19 | 2011-07-13 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ焼結体及びその製造方法並びに焼結アルミナ部材及び発光管 |
| US20020084748A1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-04 | Ayala Raul E. | UV Reflecting materials for LED lamps using UV-emitting diodes |
-
2005
- 2005-05-25 CN CNB2005800180234A patent/CN100454598C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-25 KR KR1020077000048A patent/KR20070036118A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-05-25 JP JP2007514282A patent/JP2008501234A/ja active Pending
- 2005-05-25 US US11/569,702 patent/US20080251809A1/en not_active Abandoned
- 2005-05-25 EP EP05741048A patent/EP1756878A2/en not_active Withdrawn
- 2005-05-25 WO PCT/IB2005/051708 patent/WO2005119798A2/en active Application Filing
- 2005-05-27 TW TW094117502A patent/TW200612581A/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288417B1 (en) * | 1999-01-07 | 2001-09-11 | Xerox Corporation | Light-emitting devices including polycrystalline gan layers and method of forming devices |
| US6417127B1 (en) * | 1999-05-19 | 2002-07-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Translucent polycrystalline ceramic and method for making same |
| US20040094774A1 (en) * | 1999-12-22 | 2004-05-20 | Steigerwald Daniel A. | Semiconductor light emitting device and method |
| WO2003098713A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Lumei Optoelectronics Corporation | Light-emitting diode with silicon carbide substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080251809A1 (en) | 2008-10-16 |
| WO2005119798A2 (en) | 2005-12-15 |
| WO2005119798A3 (en) | 2006-03-16 |
| KR20070036118A (ko) | 2007-04-02 |
| TW200612581A (en) | 2006-04-16 |
| JP2008501234A (ja) | 2008-01-17 |
| CN1961433A (zh) | 2007-05-09 |
| EP1756878A2 (en) | 2007-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210083143A1 (en) | Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices | |
| CN105009307B (zh) | 制造纳米结构的半导体发光元件的方法 | |
| CN108389944B (zh) | 半导体发光元件用基板及半导体发光元件 | |
| CN102760802B (zh) | 发光二极管 | |
| KR101151158B1 (ko) | 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법, 화합물 반도체 발광 소자용 도전형 투광성 전극, 램프, 전자 기기 및 기계 장치 | |
| US8097887B2 (en) | Light emitting device having a monotone decreasing function | |
| JP6910341B2 (ja) | 縦型紫外発光ダイオード | |
| TWI415288B (zh) | 獨立基板、其製造方法，以及半導體發光元件 | |
| CN101615647A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| US9331236B2 (en) | Engineered substrates having epitaxial formation structures with enhanced shear strength and associated systems and methods | |
| CN106030834A (zh) | 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 | |
| KR20100067131A (ko) | Ｓｏｉ 위에서의 갈륨 나이트라이드 반도체 장치 및 그 제조 공정 | |
| CN100454598C (zh) | 发光二极管 | |
| US20220209062A1 (en) | Composite Substrate, Light Emitting Element, and Methods for Manufacturing Composite Substrate and Light Emitting Element | |
| US10707373B2 (en) | Polycrystalline gallium nitride self-supported substrate and light emitting element using same | |
| KR101758548B1 (ko) | 질화갈륨 자립 기판, 발광 소자 및 이들의 제조 방법 | |
| JP2024074813A (ja) | 窒化インジウムガリウム構造およびデバイス | |
| TWI389338B (zh) | A light-emitting element manufacturing method, a compound semiconductor wafer, and a light-emitting element | |
| JP5015480B2 (ja) | 半導体単結晶基板の製造方法 | |
| JP2007123858A (ja) | ３−５族窒化物半導体の製造方法 | |
| CN108475710B (zh) | 半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法 | |
| TW201006007A (en) | Light emitting device | |
| CN103503134A (zh) | 发光二极管和基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090121 |