JPH06112527A - 炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法Info
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- JPH06112527A JPH06112527A JP25839092A JP25839092A JPH06112527A JP H06112527 A JPH06112527 A JP H06112527A JP 25839092 A JP25839092 A JP 25839092A JP 25839092 A JP25839092 A JP 25839092A JP H06112527 A JPH06112527 A JP H06112527A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 量産性に優れ、電気的な短絡を防止した炭化
ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 ｎ型炭化ケイ素基板１上にその周縁部１ａを
除いて形成されたｎ型炭化ケイ素層２と、該ｎ型炭化ケ
イ素層２上に形成されたｐ型炭化ケイ素層３と、前記周
縁部１ａ上、ｎ型炭化ケイ素層２の側面、及びｐ型炭化
ケイ素層３上に形成された絶縁層４と、該絶縁層４に前
記ｐ型炭化ケイ素層３が露出するように設けられたスル
ーホール部５と、該スルーホール部５と前記ｎ型炭化ケ
イ素基板１の下面上の一部にそれぞれ設けられたｐ型
側、ｎ型側電極６、９と、前記絶縁層４上及びｎ型側電
極９上に形成された導電性接合層７と、該導電性接合層
７上に設けられた導電性基板８と、を備えた炭化ケイ素
発光ダイオード素子１０をその導電性基板８側でステム
１２に導電性接着材１３で固着した。
ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 ｎ型炭化ケイ素基板１上にその周縁部１ａを
除いて形成されたｎ型炭化ケイ素層２と、該ｎ型炭化ケ
イ素層２上に形成されたｐ型炭化ケイ素層３と、前記周
縁部１ａ上、ｎ型炭化ケイ素層２の側面、及びｐ型炭化
ケイ素層３上に形成された絶縁層４と、該絶縁層４に前
記ｐ型炭化ケイ素層３が露出するように設けられたスル
ーホール部５と、該スルーホール部５と前記ｎ型炭化ケ
イ素基板１の下面上の一部にそれぞれ設けられたｐ型
側、ｎ型側電極６、９と、前記絶縁層４上及びｎ型側電
極９上に形成された導電性接合層７と、該導電性接合層
７上に設けられた導電性基板８と、を備えた炭化ケイ素
発光ダイオード素子１０をその導電性基板８側でステム
１２に導電性接着材１３で固着した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は炭化ケイ素発光ダイオー
ド装置とその製造方法に関する。
ド装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化ケイ素（ＳｉＣ）結晶は、耐熱性、
機械的強度、及び耐放射線等の物理的、化学的性質が優
れ、耐環境性半導体材料として注目されている。
機械的強度、及び耐放射線等の物理的、化学的性質が優
れ、耐環境性半導体材料として注目されている。
【０００３】しかも、ＳｉＣ単結晶には３Ｃ型、４Ｈ
型、６Ｈ型、１５Ｒ型等各種の結晶構造が存在し、その
禁制帯幅が２．４ｅＶ〜３．３ｅＶと広範囲に亘ると共
にｐｎ接合が可能であることから、赤色から青紫色まで
の波長領域の可視光を発する発光ダイオード材料として
有望視されている。
型、６Ｈ型、１５Ｒ型等各種の結晶構造が存在し、その
禁制帯幅が２．４ｅＶ〜３．３ｅＶと広範囲に亘ると共
にｐｎ接合が可能であることから、赤色から青紫色まで
の波長領域の可視光を発する発光ダイオード材料として
有望視されている。
【０００４】上記結晶構造のうち３Ｃ型ＳｉＣは高温あ
るいは放射線の照射される環境下で作動する能動素子に
用途が考えられている。６Ｈ型ＳｉＣは室温での禁制帯
幅が約２．９ｅＶであり、青色発光素子として用いられ
ている。また、４Ｈ型ＳｉＣは、約３．２ｅＶと６Ｈ型
ＳｉＣよりも広い禁制帯幅をもつため、青色から紫色の
発光ダイオードや、その他の結晶型のＳｉＣとのヘテロ
接合デバイスに用途が考えられている。
るいは放射線の照射される環境下で作動する能動素子に
用途が考えられている。６Ｈ型ＳｉＣは室温での禁制帯
幅が約２．９ｅＶであり、青色発光素子として用いられ
ている。また、４Ｈ型ＳｉＣは、約３．２ｅＶと６Ｈ型
ＳｉＣよりも広い禁制帯幅をもつため、青色から紫色の
発光ダイオードや、その他の結晶型のＳｉＣとのヘテロ
接合デバイスに用途が考えられている。
【０００５】ＳｉＣ発光ダイオード装置とその製造方法
が、例えば特開平２−２９００８４号（Ｈ０１Ｌ ３３
／００）公報に開示されている。図４は斯る発光ダイオ
ード装置の断面図である。
が、例えば特開平２−２９００８４号（Ｈ０１Ｌ ３３
／００）公報に開示されている。図４は斯る発光ダイオ
ード装置の断面図である。
【０００６】図中、５０は発光ダイオード素子を示し、
斯る素子５０の構成として、５１はｎ型ＳｉＣ基板、５
２及び５３はこの基板５１の一主面上にこの順序でエピ
タキシャル成長されたｎ型ＳｉＣ層及びｐ型ＳｉＣ層で
あり、５４はｐ型ＳｉＣ層５３表面の中心に設けられた
ｐ型側電極、５５はｎ型ＳｉＣ基板５１の他主面の端部
に設けられたｎ型側電極である。
斯る素子５０の構成として、５１はｎ型ＳｉＣ基板、５
２及び５３はこの基板５１の一主面上にこの順序でエピ
タキシャル成長されたｎ型ＳｉＣ層及びｐ型ＳｉＣ層で
あり、５４はｐ型ＳｉＣ層５３表面の中心に設けられた
ｐ型側電極、５５はｎ型ＳｉＣ基板５１の他主面の端部
に設けられたｎ型側電極である。
【０００７】この発光ダイオード素子５０は、ｎ型Ｓｉ
Ｃ基板５１の他主面及び側面、ｎ型ＳｉＣ層５２の側
面、及びｐ型ＳｉＣ層５３の側面にＡｌ2Ｏ3膜又はＳｉ
Ｏ2膜からなる絶縁層５８が被着されており、前記ｐ型
側電極５４側で反射部６０をもつステム６１に銀ペース
ト６２を介して固着されている。
Ｃ基板５１の他主面及び側面、ｎ型ＳｉＣ層５２の側
面、及びｐ型ＳｉＣ層５３の側面にＡｌ2Ｏ3膜又はＳｉ
Ｏ2膜からなる絶縁層５８が被着されており、前記ｐ型
側電極５４側で反射部６０をもつステム６１に銀ペース
ト６２を介して固着されている。
【０００８】そして、図示しないステムと前記ｎ型側電
極５５とは金ワイヤ６３でボンディング接合されてい
る。
極５５とは金ワイヤ６３でボンディング接合されてい
る。
【０００９】上述のようにｎ型ＳｉＣ基板５１を光取り
出し側とするのは、ｎ型ＳｉＣはｐ型ＳｉＣに比べて光
透過性がよいためである。
出し側とするのは、ｎ型ＳｉＣはｐ型ＳｉＣに比べて光
透過性がよいためである。
【００１０】斯る発光ダイオード装置の製造方法を、図
５を参照して説明する。
５を参照して説明する。
【００１１】最初に、図５（Ａ）に示すように、ｎ型Ｓ
ｉＣ基板５１の一主面上にｎ型ＳｉＣ層５２、ｐ型Ｓｉ
Ｃ層５３を順次液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）
により形成した後、前記ｎ型ＳｉＣ基板５１の他主面を
研摩により露出させる。
ｉＣ基板５１の一主面上にｎ型ＳｉＣ層５２、ｐ型Ｓｉ
Ｃ層５３を順次液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）
により形成した後、前記ｎ型ＳｉＣ基板５１の他主面を
研摩により露出させる。
【００１２】その後、図５（Ｂ）に示すように、前記露
出したｎ型ＳｉＣ基板５１の他主面上にｎ型側電極５
５、５５、・・・を作製すると共にｐ型ＳｉＣ層５３上
にｐ型側電極５４、５４、・・・を形成して積層基板を
作製する。
出したｎ型ＳｉＣ基板５１の他主面上にｎ型側電極５
５、５５、・・・を作製すると共にｐ型ＳｉＣ層５３上
にｐ型側電極５４、５４、・・・を形成して積層基板を
作製する。
【００１３】次に、図５（Ｃ）に示すように、前記積層
基板のｎ型ＳｉＣ基板５１側にｎ型ＳｉＣ層５２が露出
しないように素子分断用溝６５、６５、・・・をダイシ
ング形成する。
基板のｎ型ＳｉＣ基板５１側にｎ型ＳｉＣ層５２が露出
しないように素子分断用溝６５、６５、・・・をダイシ
ング形成する。
【００１４】その後、図５（Ｄ）に示すように、この素
子分断用溝６５、６５、・・・に沿って機械的、即ちダ
イシング等を用いずに分離して、各発光ダイオード素子
５０を作製する。そして、この発光ダイオード素子５０
のｎ型ＳｉＣ基板１の他主面及び側面、とｎ型、ｐ型Ｓ
ｉＣ層５２、５３の側面にＡｌ2Ｏ3膜あるいはＳｉＯ 2
膜からなる絶縁層５８を被着する。
子分断用溝６５、６５、・・・に沿って機械的、即ちダ
イシング等を用いずに分離して、各発光ダイオード素子
５０を作製する。そして、この発光ダイオード素子５０
のｎ型ＳｉＣ基板１の他主面及び側面、とｎ型、ｐ型Ｓ
ｉＣ層５２、５３の側面にＡｌ2Ｏ3膜あるいはＳｉＯ 2
膜からなる絶縁層５８を被着する。
【００１５】そして、図４に示すように、発光ダイオー
ド素子５０はｐ型側電極５４側でステム６１に銀ペース
ト６２を介して電気的に接続されている。
ド素子５０はｐ型側電極５４側でステム６１に銀ペース
ト６２を介して電気的に接続されている。
【００１６】この構造の発光ダイオード装置では、素子
５０に絶縁層５８が被着されているので、ｎ型ＳｉＣ基
板５１又はｎ型ＳｉＣ層５２と、ステム６１が銀ペース
ト６２により電気的に短絡しないが、この構造の装置を
作製するためには上述のように各素子５０に分断後に絶
縁層５８を形成する必要があった。このため、製造工程
が繁雑になり量産性が悪いといった問題があった。
５０に絶縁層５８が被着されているので、ｎ型ＳｉＣ基
板５１又はｎ型ＳｉＣ層５２と、ステム６１が銀ペース
ト６２により電気的に短絡しないが、この構造の装置を
作製するためには上述のように各素子５０に分断後に絶
縁層５８を形成する必要があった。このため、製造工程
が繁雑になり量産性が悪いといった問題があった。
【００１７】また、上述の製造方法では、ｎ型、ｐ型Ｓ
ｉＣ層５２、５３にダメージを与えないように、素子分
断用溝６５、６５、・・・を作製した後に、該溝６５、
６５、・・・に沿って機械的に分離するので、製造工程
が繁雑になったり、時間がかかるといった問題もあっ
た。
ｉＣ層５２、５３にダメージを与えないように、素子分
断用溝６５、６５、・・・を作製した後に、該溝６５、
６５、・・・に沿って機械的に分離するので、製造工程
が繁雑になったり、時間がかかるといった問題もあっ
た。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑み成されたものであり、量産性に優れ、電気的な短絡
を防止した炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方
法を提供することを目的とする。
鑑み成されたものであり、量産性に優れ、電気的な短絡
を防止した炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の炭化ケイ素発光
ダイオード装置は、ｎ型炭化ケイ素基板と、該ｎ型炭化
ケイ素基板上にその周縁部を除いて形成されたｎ型炭化
ケイ素層と、該ｎ型炭化ケイ素層上に形成されたｐ型炭
化ケイ素層と、前記周縁部上、ｎ型炭化ケイ素層の側
面、及びｐ型炭化ケイ素層上に形成された絶縁層と、該
絶縁層に前記ｐ型炭化ケイ素層が露出するように設けら
れたスルーホール部と、該スルーホール部と前記ｎ型炭
化ケイ素基板の下面上の一部にそれぞれ設けられたｐ型
側、ｎ型側電極と、前記絶縁層上及びｐ型側電極上に形
成された導電性接合層と、該導電性接合層上に設けられ
た導電性基板と、を備えた炭化ケイ素発光ダイオード素
子と、該発光ダイオード素子を保持するステムとからな
り、前記発光ダイオード素子をその導電性基板側で前記
ステムに電気的に接続すると共に固着したことを特徴と
する。
ダイオード装置は、ｎ型炭化ケイ素基板と、該ｎ型炭化
ケイ素基板上にその周縁部を除いて形成されたｎ型炭化
ケイ素層と、該ｎ型炭化ケイ素層上に形成されたｐ型炭
化ケイ素層と、前記周縁部上、ｎ型炭化ケイ素層の側
面、及びｐ型炭化ケイ素層上に形成された絶縁層と、該
絶縁層に前記ｐ型炭化ケイ素層が露出するように設けら
れたスルーホール部と、該スルーホール部と前記ｎ型炭
化ケイ素基板の下面上の一部にそれぞれ設けられたｐ型
側、ｎ型側電極と、前記絶縁層上及びｐ型側電極上に形
成された導電性接合層と、該導電性接合層上に設けられ
た導電性基板と、を備えた炭化ケイ素発光ダイオード素
子と、該発光ダイオード素子を保持するステムとからな
り、前記発光ダイオード素子をその導電性基板側で前記
ステムに電気的に接続すると共に固着したことを特徴と
する。
【００２０】また、本発明の炭化ケイ素発光ダイオード
装置の製造方法は、ｎ型炭化ケイ素基板の一主面上にｎ
型炭化ケイ素層及びｐ型炭化ケイ素層をこの順序に形成
した積層基板を作成する工程と、該積層基板のｐ型炭化
ケイ素層側面上にエッチングにより前記ｎ型炭化ケイ素
基板が露出してなる素子分断用溝を格子状に形成して複
数の四角形状部を作成する工程と、前記積層基板の素子
分断用溝内及びｐ型炭化ケイ素層上に絶縁層を形成する
工程と、前記各四角形状部にｐ型炭化ケイ素層が露出す
るように絶縁層をエッチング除去してスルーホール部を
形成する工程と、前記各スルーホール部と前記ｎ型炭化
ケイ素基板の他の主面上にそれぞれｐ型側、ｎ型側電極
を形成する工程と、前記絶縁層上及びｐ型側電極上に導
電性基板を該導電性接合層を介して固着する工程と、前
記導電性基板をステムと電気的に接続すると共に該ステ
ムに機械的に固着する工程と、からなることを特徴とす
る。
装置の製造方法は、ｎ型炭化ケイ素基板の一主面上にｎ
型炭化ケイ素層及びｐ型炭化ケイ素層をこの順序に形成
した積層基板を作成する工程と、該積層基板のｐ型炭化
ケイ素層側面上にエッチングにより前記ｎ型炭化ケイ素
基板が露出してなる素子分断用溝を格子状に形成して複
数の四角形状部を作成する工程と、前記積層基板の素子
分断用溝内及びｐ型炭化ケイ素層上に絶縁層を形成する
工程と、前記各四角形状部にｐ型炭化ケイ素層が露出す
るように絶縁層をエッチング除去してスルーホール部を
形成する工程と、前記各スルーホール部と前記ｎ型炭化
ケイ素基板の他の主面上にそれぞれｐ型側、ｎ型側電極
を形成する工程と、前記絶縁層上及びｐ型側電極上に導
電性基板を該導電性接合層を介して固着する工程と、前
記導電性基板をステムと電気的に接続すると共に該ステ
ムに機械的に固着する工程と、からなることを特徴とす
る。
【００２１】
【作用】上述の構造の装置は、ｎ型、ｐ型ＳｉＣ層の側
面及びｎ型ＳｉＣ基板の周縁部に絶縁層が形成されてお
り、該ｎ型ＳｉＣ基板の露出した側面と導電性基板の下
面とが、導電性基板の厚みと導電性接合層の厚み分離間
しているので、発光ダイオード素子を固着する導電性接
着材が前記ｎ型ＳｉＣ基板の露出した側面またはｎ型Ｓ
ｉＣ層に接触してｐ型側とｎ型側が電気的に短絡するの
を防止できる。
面及びｎ型ＳｉＣ基板の周縁部に絶縁層が形成されてお
り、該ｎ型ＳｉＣ基板の露出した側面と導電性基板の下
面とが、導電性基板の厚みと導電性接合層の厚み分離間
しているので、発光ダイオード素子を固着する導電性接
着材が前記ｎ型ＳｉＣ基板の露出した側面またはｎ型Ｓ
ｉＣ層に接触してｐ型側とｎ型側が電気的に短絡するの
を防止できる。
【００２２】また、上述の製造方法は、エッチングによ
り素子分断用溝を形成し、該素子分断用溝内及びｐ型Ｓ
ｉＣ層上に絶縁層を形成した後、前記素子分断用溝に沿
ってダイシングにより各素子に分断するので、ｎ、ｐ型
ＳｉＣ層にダメージを与えることがなく、電気的に短絡
を防止した発光ダイオード装置を量産性よく製造でき
る。
り素子分断用溝を形成し、該素子分断用溝内及びｐ型Ｓ
ｉＣ層上に絶縁層を形成した後、前記素子分断用溝に沿
ってダイシングにより各素子に分断するので、ｎ、ｐ型
ＳｉＣ層にダメージを与えることがなく、電気的に短絡
を防止した発光ダイオード装置を量産性よく製造でき
る。
【００２３】
【実施例】本発明の一実施例について詳細に説明する。
図１は本実施例に係るＳｉＣ発光ダイオード装置の要部
断面図である。
図１は本実施例に係るＳｉＣ発光ダイオード装置の要部
断面図である。
【００２４】図中、１は例えば厚み３０〜２００μｍの
ｎ型の６Ｈ型ＳｉＣ基板、２はこの基板１上の周縁部１
ａを除いて該基板１の一主面１ｂ上にエピタキシャル成
長された例えば層厚１〜１０μｍのｎ型ＳｉＣ層であ
り、該周縁部１ａは前記一主面１ｂと同一平面であって
もよいが、本実施例のように該一主面１ｂがリッジ部の
上面となす形状でもよい。３はこのｎ型ＳｉＣ層２上に
エピタキシャル成長された例えば層厚１〜１０μｍのｐ
型ＳｉＣ層である。４は前記基板１の周縁部１ａ上、ｎ
型ＳｉＣ層２の側面、及びｐ型ＳｉＣ層３の上面及び側
面に形成されたＳｉＯ2膜またはＡｌ2Ｏ3膜等からなる
層厚５０００Å程度の絶縁層であり、該絶縁層４のうち
前記ｐ型ＳｉＣ層３の上面には前記ｐ型ＳｉＣ層３が露
出するようにスルーホール部５が設けられている。
ｎ型の６Ｈ型ＳｉＣ基板、２はこの基板１上の周縁部１
ａを除いて該基板１の一主面１ｂ上にエピタキシャル成
長された例えば層厚１〜１０μｍのｎ型ＳｉＣ層であ
り、該周縁部１ａは前記一主面１ｂと同一平面であって
もよいが、本実施例のように該一主面１ｂがリッジ部の
上面となす形状でもよい。３はこのｎ型ＳｉＣ層２上に
エピタキシャル成長された例えば層厚１〜１０μｍのｐ
型ＳｉＣ層である。４は前記基板１の周縁部１ａ上、ｎ
型ＳｉＣ層２の側面、及びｐ型ＳｉＣ層３の上面及び側
面に形成されたＳｉＯ2膜またはＡｌ2Ｏ3膜等からなる
層厚５０００Å程度の絶縁層であり、該絶縁層４のうち
前記ｐ型ＳｉＣ層３の上面には前記ｐ型ＳｉＣ層３が露
出するようにスルーホール部５が設けられている。
【００２５】６は前記スルーホール部５に設けられたｐ
型側電極で、このｐ型側電極６は該ｐ型ＳｉＣ層３側か
らＡｌ層、Ｓｉ層がこの順序に形成されてなるｐ型側オ
ーミック電極から構成されている。尚、このｐ型側オー
ミック電極としては、Ａｌ層が形成されてなる電極、ま
たＡｌ層、Ｔｉ層がこの順序に形成されてなる電極等で
もよく、適宜変更可能である。
型側電極で、このｐ型側電極６は該ｐ型ＳｉＣ層３側か
らＡｌ層、Ｓｉ層がこの順序に形成されてなるｐ型側オ
ーミック電極から構成されている。尚、このｐ型側オー
ミック電極としては、Ａｌ層が形成されてなる電極、ま
たＡｌ層、Ｔｉ層がこの順序に形成されてなる電極等で
もよく、適宜変更可能である。
【００２６】７は前記絶縁層４上及びｐ型側電極６上に
形成された半田または銀ペースト等からなる導電性接合
層で、８はこの導電性接合層７上に設けられた不純物が
ドープされたＳｉ（ケイ素）結晶、又はアルミニウム等
からなる熱良伝導性を有する例えば３０〜２００μｍ厚
の導電性基板である。
形成された半田または銀ペースト等からなる導電性接合
層で、８はこの導電性接合層７上に設けられた不純物が
ドープされたＳｉ（ケイ素）結晶、又はアルミニウム等
からなる熱良伝導性を有する例えば３０〜２００μｍ厚
の導電性基板である。
【００２７】９は前記ｎ型ＳｉＣ基板１の他の主面１ｃ
上の端部に形成されたｎ型側電極で、該ｎ型ＳｉＣ基板
１側からＮｉ層からなるオーミック電極、該オーミック
電極上にＴｉ層、Ｐｄ層、及びＡｕ層がこの順序で形成
されてなるボンディング電極で構成されている。尚、こ
のｎ型側電極９も適宜別の構造の電極も利用できる。
上の端部に形成されたｎ型側電極で、該ｎ型ＳｉＣ基板
１側からＮｉ層からなるオーミック電極、該オーミック
電極上にＴｉ層、Ｐｄ層、及びＡｕ層がこの順序で形成
されてなるボンディング電極で構成されている。尚、こ
のｎ型側電極９も適宜別の構造の電極も利用できる。
【００２８】上述のように構成された発光ダイオード素
子１０は、前記導電性基板８側で該素子１０を囲繞する
銀等からなる反射部１１を有する銅、又は鉄等からなる
導電性ステム１２に銀ペースト等の導電性接着材１３を
介して固着され、また前記ｎ型側電極９は金等からなる
導電線１４を介して図示しない別のステム等に電気的に
接続されている。
子１０は、前記導電性基板８側で該素子１０を囲繞する
銀等からなる反射部１１を有する銅、又は鉄等からなる
導電性ステム１２に銀ペースト等の導電性接着材１３を
介して固着され、また前記ｎ型側電極９は金等からなる
導電線１４を介して図示しない別のステム等に電気的に
接続されている。
【００２９】尚、前記基板１は望ましくは１×１０17ｃ
ｍ-3以上のキャリア濃度と、１Ωｃｍ以下の比抵抗を有
する。この基板１の一主面１ｂは、特にＣ（炭素）配列
が表面となる（０００−１）面から＜１１−２０＞結晶
軸方向あるいは＜１０−１０＞結晶軸方向に傾斜したＣ
配列の傾斜面が望ましく、この傾斜角は１〜１０°、よ
り望ましくは３°〜７°である。又前記（０００−１）
面に代えてＳｉ（ケイ素）配列が表面となる（０００
１）面から上記結晶軸方向に同様の角度に傾斜したＳｉ
配列の傾斜面を用いてもよい。
ｍ-3以上のキャリア濃度と、１Ωｃｍ以下の比抵抗を有
する。この基板１の一主面１ｂは、特にＣ（炭素）配列
が表面となる（０００−１）面から＜１１−２０＞結晶
軸方向あるいは＜１０−１０＞結晶軸方向に傾斜したＣ
配列の傾斜面が望ましく、この傾斜角は１〜１０°、よ
り望ましくは３°〜７°である。又前記（０００−１）
面に代えてＳｉ（ケイ素）配列が表面となる（０００
１）面から上記結晶軸方向に同様の角度に傾斜したＳｉ
配列の傾斜面を用いてもよい。
【００３０】ところで、前記基板１の周縁部１ａと導電
性基板８のステム１２側下面の間の高さＨは、前記導電
性接着材１３が前記ｎ型ＳｉＣ基板１の露出した側面に
付着して電気的に短絡する惧れがない寸法が選択され、
本実施例においてこの高さＨは５０〜２００μｍ程度で
ある。
性基板８のステム１２側下面の間の高さＨは、前記導電
性接着材１３が前記ｎ型ＳｉＣ基板１の露出した側面に
付着して電気的に短絡する惧れがない寸法が選択され、
本実施例においてこの高さＨは５０〜２００μｍ程度で
ある。
【００３１】尚、上述では、前記ｐ型側電極６と導電性
基板８は離間しているが、前記ｐ型側電極６と導電性基
板８が密着していてもよい。
基板８は離間しているが、前記ｐ型側電極６と導電性基
板８が密着していてもよい。
【００３２】また、上述ではｎ型基板１として、（００
０１）面または（０００−１）面から傾斜した傾斜面を
もつ６Ｈ型ＳｉＣ基板について説明したが、他の面を用
いたものでも勿論よく、更には３Ｃ型ＳｉＣ基板等の他
の結晶多系の基板を用いてもよい。
０１）面または（０００−１）面から傾斜した傾斜面を
もつ６Ｈ型ＳｉＣ基板について説明したが、他の面を用
いたものでも勿論よく、更には３Ｃ型ＳｉＣ基板等の他
の結晶多系の基板を用いてもよい。
【００３３】斯る構造の発光ダイオード装置は、ｎ型、
ｐ型ＳｉＣ層２、３の側面及びｎ型基板１の周縁部１ａ
に絶縁層４が形成されており、該ｎ型ＳｉＣ基板１の露
出した側面と導電性基板８の下面が、導電性基板８の厚
みと導電性接合層７の厚み分離間しているので、発光ダ
イオード素子１０を固着する導電性接着材１３が前記ｎ
型ＳｉＣ基板１の露出した側面及びｎ型ＳｉＣ層２に接
触してｐ型側とｎ型側が電気的に短絡するのを防止でき
る。
ｐ型ＳｉＣ層２、３の側面及びｎ型基板１の周縁部１ａ
に絶縁層４が形成されており、該ｎ型ＳｉＣ基板１の露
出した側面と導電性基板８の下面が、導電性基板８の厚
みと導電性接合層７の厚み分離間しているので、発光ダ
イオード素子１０を固着する導電性接着材１３が前記ｎ
型ＳｉＣ基板１の露出した側面及びｎ型ＳｉＣ層２に接
触してｐ型側とｎ型側が電気的に短絡するのを防止でき
る。
【００３４】次に、この発光ダイオード装置の製造方法
の一例を図を参照して説明する。
の一例を図を参照して説明する。
【００３５】最初に、図２（Ａ）に示すように、例えば
厚さ３５０〜５００μｍのｎ型の６Ｈ型ＳｉＣ基板１を
準備する。そして、このｎ型ＳｉＣ基板１の（０００−
１）面または（０００１）面から＜１１−２０＞結晶軸
方向あるいは＜１０−１０＞結晶軸方向に１°〜１０°
傾斜させた傾斜面を研摩により形成し、該傾斜面表面の
研摩損傷層を除去するために４００〜５００℃のＫＯＨ
（水酸化カリウム）溶液あるいは１５００〜１８００℃
のＨ2（水素ガス）雰囲気等で処理して一主面１ｂを作
成する。その後、この一主面１ｂ上にＳｉ（シリコン）
融液を用いた従来周知のＬＰＥ法によりｎ型ＳｉＣ層２
及びｐ型ＳｉＣ層３をこの順序でエピタキシャル成長し
て積層基板を作成する。このエピタキシャル成長の際に
ｎ型ＳｉＣ基板１の他主面１ｄ上にもｎ型ＳｉＣ層３２
及びｐ型ＳｉＣ層３３が形成される。尚、ｎ型ＳｉＣ層
２、及びｐ型ＳｉＣ層３を成長する際にＳｉ融液に添加
される不純物は例えばそれぞれＳｉ3Ｎ4（四窒化三ケイ
素）とＡｌ（アルミニウム）、及びＡｌである。その
後、熱酸化法により、即ち例えば１０００〜１１００℃
の酸素または水蒸気雰囲気中に前記積層基板を数時間保
持して、前記ｐ型ＳｉＣ層３の表面を酸化して層厚１０
００〜５０００Å程度のＳｉＯ2（二酸化ケイ素）から
なるマスク層２４ａを形成する。この時、基板１の他主
面１ｄ側のｐ型ＳｉＣ層３３上にもＳｉＯ2層３４が形
成される。
厚さ３５０〜５００μｍのｎ型の６Ｈ型ＳｉＣ基板１を
準備する。そして、このｎ型ＳｉＣ基板１の（０００−
１）面または（０００１）面から＜１１−２０＞結晶軸
方向あるいは＜１０−１０＞結晶軸方向に１°〜１０°
傾斜させた傾斜面を研摩により形成し、該傾斜面表面の
研摩損傷層を除去するために４００〜５００℃のＫＯＨ
（水酸化カリウム）溶液あるいは１５００〜１８００℃
のＨ2（水素ガス）雰囲気等で処理して一主面１ｂを作
成する。その後、この一主面１ｂ上にＳｉ（シリコン）
融液を用いた従来周知のＬＰＥ法によりｎ型ＳｉＣ層２
及びｐ型ＳｉＣ層３をこの順序でエピタキシャル成長し
て積層基板を作成する。このエピタキシャル成長の際に
ｎ型ＳｉＣ基板１の他主面１ｄ上にもｎ型ＳｉＣ層３２
及びｐ型ＳｉＣ層３３が形成される。尚、ｎ型ＳｉＣ層
２、及びｐ型ＳｉＣ層３を成長する際にＳｉ融液に添加
される不純物は例えばそれぞれＳｉ3Ｎ4（四窒化三ケイ
素）とＡｌ（アルミニウム）、及びＡｌである。その
後、熱酸化法により、即ち例えば１０００〜１１００℃
の酸素または水蒸気雰囲気中に前記積層基板を数時間保
持して、前記ｐ型ＳｉＣ層３の表面を酸化して層厚１０
００〜５０００Å程度のＳｉＯ2（二酸化ケイ素）から
なるマスク層２４ａを形成する。この時、基板１の他主
面１ｄ側のｐ型ＳｉＣ層３３上にもＳｉＯ2層３４が形
成される。
【００３６】次に、図２（Ｂ）に示すように、上面四角
形状のレジスト膜が縦横に配列してなるレジストパター
ン膜２５を形成し、このレジストパターン膜２５をマス
クとしてＨＦ（フッ酸）系溶液にて前記マスク層２４ａ
を格子状に選択エッチングして、上面四角形状が縦横に
配列してなるマスクパターン層２４ｂを形成する。尚、
本実施例では前記上面四角形状の一辺の長さは１００〜
２５０μｍである。
形状のレジスト膜が縦横に配列してなるレジストパター
ン膜２５を形成し、このレジストパターン膜２５をマス
クとしてＨＦ（フッ酸）系溶液にて前記マスク層２４ａ
を格子状に選択エッチングして、上面四角形状が縦横に
配列してなるマスクパターン層２４ｂを形成する。尚、
本実施例では前記上面四角形状の一辺の長さは１００〜
２５０μｍである。
【００３７】続いて、図２（Ｃ）に示すように、前記レ
ジストパターン膜２５を除去した後、前記マスクパター
ン層２４ｂをマスクとしてハロゲン系ガス、例えば１０
００〜１１００℃の温度において、Ｃｌ2（塩素ガ
ス）、Ｏ2（酸素ガス） 、及びＡｒ（アルゴンガス）の
体積比が、それぞれ７％、１．４％、及び９１．６％か
らなるＣｌ2系ガスを用いたドライエッチング法により
前記ｐ型ＳｉＣ層３、ｎ型ＳｉＣ層２をエッチング除去
してｎ型ＳｉＣ基板１が露出してなる格子状の素子分断
用溝２６、２６、・・を形成して積層基板に四角形状部
を作成する。この時、この素子分断用溝２６、２６、・
・はｎ型ＳｉＣ基板１内まで形成されていてもよく、ま
た前記ｐ型ＳｉＣ層２とｎ型ＳｉＣ層３のみをエッチン
グ除去してなるものでもよい。尚、前記素子分断用溝２
６、２６、・・・は以下で説明するダイシング工程でダ
イシング歯が前記ｐ型ＳｉＣ層２、ｎ型ＳｉＣ層３に少
なくとも接触しない程度の溝幅を有する。本実施例では
前記素子分断用溝２６、２６、・・・の溝幅は５０〜１
５０μｍである。
ジストパターン膜２５を除去した後、前記マスクパター
ン層２４ｂをマスクとしてハロゲン系ガス、例えば１０
００〜１１００℃の温度において、Ｃｌ2（塩素ガ
ス）、Ｏ2（酸素ガス） 、及びＡｒ（アルゴンガス）の
体積比が、それぞれ７％、１．４％、及び９１．６％か
らなるＣｌ2系ガスを用いたドライエッチング法により
前記ｐ型ＳｉＣ層３、ｎ型ＳｉＣ層２をエッチング除去
してｎ型ＳｉＣ基板１が露出してなる格子状の素子分断
用溝２６、２６、・・を形成して積層基板に四角形状部
を作成する。この時、この素子分断用溝２６、２６、・
・はｎ型ＳｉＣ基板１内まで形成されていてもよく、ま
た前記ｐ型ＳｉＣ層２とｎ型ＳｉＣ層３のみをエッチン
グ除去してなるものでもよい。尚、前記素子分断用溝２
６、２６、・・・は以下で説明するダイシング工程でダ
イシング歯が前記ｐ型ＳｉＣ層２、ｎ型ＳｉＣ層３に少
なくとも接触しない程度の溝幅を有する。本実施例では
前記素子分断用溝２６、２６、・・・の溝幅は５０〜１
５０μｍである。
【００３８】次に、図２（Ｄ）に示すように、前記素子
分断用溝２６、２６、・・・を形成した積層基板を上述
と同様の熱酸化法によりｐ型ＳｉＣ層２上及び該素子分
断用溝２６、２６、・・・内にＳｉＯ2膜からなる絶縁
層４を形成する。ここで、この素子分断用溝２６、２
６、・・内の絶縁層４の層厚は例えば５０００Å程度で
ある。尚、前記マスクパターン層２４ｂはこの絶縁層４
を形成する前に、ＨＦ系溶液でエッチング除去してもよ
い。
分断用溝２６、２６、・・・を形成した積層基板を上述
と同様の熱酸化法によりｐ型ＳｉＣ層２上及び該素子分
断用溝２６、２６、・・・内にＳｉＯ2膜からなる絶縁
層４を形成する。ここで、この素子分断用溝２６、２
６、・・内の絶縁層４の層厚は例えば５０００Å程度で
ある。尚、前記マスクパターン層２４ｂはこの絶縁層４
を形成する前に、ＨＦ系溶液でエッチング除去してもよ
い。
【００３９】その後、図３（Ａ）に示すように、前記絶
縁層４上にｐ型ＳｉＣ層３に対向する窓を持つレジスト
パターン膜をフォトリソグラフィ技術により形成し、該
パターン膜をマスクとしてＨＦ系溶液で該窓から露出し
た絶縁層４を選択エッチング除去して、ｐ型ＳｉＣ層３
が露出してなるスルーホール部５を形成する。尚、本実
施例ではスルホール部５の寸法は直径６０〜１６０μｍ
である。
縁層４上にｐ型ＳｉＣ層３に対向する窓を持つレジスト
パターン膜をフォトリソグラフィ技術により形成し、該
パターン膜をマスクとしてＨＦ系溶液で該窓から露出し
た絶縁層４を選択エッチング除去して、ｐ型ＳｉＣ層３
が露出してなるスルーホール部５を形成する。尚、本実
施例ではスルホール部５の寸法は直径６０〜１６０μｍ
である。
【００４０】続いて、図３（Ｂ）に示すように、前記ｎ
型ＳｉＣ基板１の他主面１ｄ側に形成されたｎ型ＳｉＣ
層３２、ｐ型ＳｉＣ層３３、及びＳｉＯ2膜３４を研摩
により除去し、更に該ｎ型ＳｉＣ基板１の他主面１ｄ側
を研摩し、他主面１ｃを形成すると共に基板１の厚みを
例えば３０〜２００μｍにする。その後、前記スルーホ
ール部５にて露出してなるｐ型ＳｉＣ層３上及び絶縁層
４上に例えば層厚０．６μｍのＡｌ層、層厚０．２μｍ
のＳｉ層をこの順序に蒸着法等により形成すると共にｎ
型ＳｉＣ基板１の他主面１ｃ上に層厚０．４μｍのＮｉ
層を蒸着法等により形成する。その後、前記Ａｌ層及び
Ｓｉ層、前記Ｎｉ層を形成した積層基板を該各層が酸化
しないように望ましくは還元雰囲気、例えばＨ2（水素
ガス）とＡｒ（アルゴンガス）が３対７の分圧比となる
例えば大気圧雰囲気中で、前記Ａｌ層及びＳｉ層がオー
ミック接触できる温度７００〜１２００℃と熱処理時間
５〜１０分、前記Ｎｉ層がオーミック接触できる温度９
００〜１４００℃と熱処理時間５〜１０分の共通熱処理
温度９００〜１２００℃と共通熱処理時間５〜１０分で
処理して前記ｐ型ＳｉＣ層３上にＳｉ／Ａｌオーミック
電極層とｎ型ＳｉＣ基板１上にＮｉオーミック電極層を
形成する。続いて、このＮｉオーミック電極層上に例え
ば層厚０．１μｍのＴｉ層、層厚０．２μｍのＰｄ層、
及び層厚１μｍのＡｕ層をこの順序に蒸着法等により形
成した後、上述と同様の還元雰囲気で温度３００〜５０
０℃、時間１０〜３０分で熱処理してＡｕ／Ｐｄ／Ｔｉ
ボンディング電極層を形成する。その後、前記Ｓｉ／Ａ
ｌオーミック電極層をフォトリソグラフィ技術、及びエ
ッチング技術を用いて、前記スルーホール部５にて露出
してなるｐ型ＳｉＣ層３上にｐ型側電極６を形成すると
共に以下で説明するように素子毎に分断した時、該素子
の端部に位置するようにＮｉオーミック電極とＡｕ／Ｐ
ｄ／Ｔｉボンディング電極からなるｎ型側電極９をフォ
トリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて形成
する。
型ＳｉＣ基板１の他主面１ｄ側に形成されたｎ型ＳｉＣ
層３２、ｐ型ＳｉＣ層３３、及びＳｉＯ2膜３４を研摩
により除去し、更に該ｎ型ＳｉＣ基板１の他主面１ｄ側
を研摩し、他主面１ｃを形成すると共に基板１の厚みを
例えば３０〜２００μｍにする。その後、前記スルーホ
ール部５にて露出してなるｐ型ＳｉＣ層３上及び絶縁層
４上に例えば層厚０．６μｍのＡｌ層、層厚０．２μｍ
のＳｉ層をこの順序に蒸着法等により形成すると共にｎ
型ＳｉＣ基板１の他主面１ｃ上に層厚０．４μｍのＮｉ
層を蒸着法等により形成する。その後、前記Ａｌ層及び
Ｓｉ層、前記Ｎｉ層を形成した積層基板を該各層が酸化
しないように望ましくは還元雰囲気、例えばＨ2（水素
ガス）とＡｒ（アルゴンガス）が３対７の分圧比となる
例えば大気圧雰囲気中で、前記Ａｌ層及びＳｉ層がオー
ミック接触できる温度７００〜１２００℃と熱処理時間
５〜１０分、前記Ｎｉ層がオーミック接触できる温度９
００〜１４００℃と熱処理時間５〜１０分の共通熱処理
温度９００〜１２００℃と共通熱処理時間５〜１０分で
処理して前記ｐ型ＳｉＣ層３上にＳｉ／Ａｌオーミック
電極層とｎ型ＳｉＣ基板１上にＮｉオーミック電極層を
形成する。続いて、このＮｉオーミック電極層上に例え
ば層厚０．１μｍのＴｉ層、層厚０．２μｍのＰｄ層、
及び層厚１μｍのＡｕ層をこの順序に蒸着法等により形
成した後、上述と同様の還元雰囲気で温度３００〜５０
０℃、時間１０〜３０分で熱処理してＡｕ／Ｐｄ／Ｔｉ
ボンディング電極層を形成する。その後、前記Ｓｉ／Ａ
ｌオーミック電極層をフォトリソグラフィ技術、及びエ
ッチング技術を用いて、前記スルーホール部５にて露出
してなるｐ型ＳｉＣ層３上にｐ型側電極６を形成すると
共に以下で説明するように素子毎に分断した時、該素子
の端部に位置するようにＮｉオーミック電極とＡｕ／Ｐ
ｄ／Ｔｉボンディング電極からなるｎ型側電極９をフォ
トリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて形成
する。
【００４１】続いて、図３（Ｃ）に示すように、前記ｐ
型側電極６及びｎ型側電極９を形成した積層基板を前記
ｐ型側電極６側から導電性基板８に導電性接合層７を介
して固着する。その後、前記素子分断用溝２６、２６、
・・・に露出するｐ型、ｎ型ＳｉＣ層２、３にダイシン
グ歯が接触しないように該分断用溝２６、２６、・・・
中を通る破線Ｚ−Ｚに沿ってダイシングにより分断して
底部の一辺が２５０〜３５０μｍ程度の四角形状の図１
に示す発光ダイオード素子１０を得、該発光ダイオード
素子１０を導電性基板８側からステム１２に導電性接着
材１３を介して固着する。その後、前記ｎ型側電極９は
金等からなる導電線１４を介して図示しない別のステム
に電気的に接続して完成する。
型側電極６及びｎ型側電極９を形成した積層基板を前記
ｐ型側電極６側から導電性基板８に導電性接合層７を介
して固着する。その後、前記素子分断用溝２６、２６、
・・・に露出するｐ型、ｎ型ＳｉＣ層２、３にダイシン
グ歯が接触しないように該分断用溝２６、２６、・・・
中を通る破線Ｚ−Ｚに沿ってダイシングにより分断して
底部の一辺が２５０〜３５０μｍ程度の四角形状の図１
に示す発光ダイオード素子１０を得、該発光ダイオード
素子１０を導電性基板８側からステム１２に導電性接着
材１３を介して固着する。その後、前記ｎ型側電極９は
金等からなる導電線１４を介して図示しない別のステム
に電気的に接続して完成する。
【００４２】尚、上述の工程では、前記ｎ型、ｐ型Ｓｉ
Ｃ層２、３をＬＰＥ法により作成したが、ＣＶＤ法（化
学気相堆積法）により形成してもよい。この場合には、
前記ｐ型、ｎ型ＳｉＣ層３２、３３は形成されず、熱酸
化法によりｎ型ＳｉＣ基板１の他主面１ｄ上にＳｉＯ2
層３４が形成される以外は上述と同様の工程である。
Ｃ層２、３をＬＰＥ法により作成したが、ＣＶＤ法（化
学気相堆積法）により形成してもよい。この場合には、
前記ｐ型、ｎ型ＳｉＣ層３２、３３は形成されず、熱酸
化法によりｎ型ＳｉＣ基板１の他主面１ｄ上にＳｉＯ2
層３４が形成される以外は上述と同様の工程である。
【００４３】また、ＳｉＯ2からなる絶縁層４、またＳ
ｉＯ2からなるマスク層２４ａは熱酸化法の代わりに、
スパッタリング法やイオンプレーティング法等により形
成してもよい。この場合にはｎ型基板１の他主面側には
これら層が形成されない以外は上述と同様の工程であ
る。
ｉＯ2からなるマスク層２４ａは熱酸化法の代わりに、
スパッタリング法やイオンプレーティング法等により形
成してもよい。この場合にはｎ型基板１の他主面側には
これら層が形成されない以外は上述と同様の工程であ
る。
【００４４】また、前記ｎ型、ｐ型ＳｉＣ層２、３をＣ
ＶＤ法により形成し、絶縁層４とマスク層２４ａをスパ
ッタリング法やイオンプレーティング法等により形成す
る際には、ｎ型基板１の他主面側には被着形成されない
ので、ｎ型基板１の厚みを調整する研摩の工程は、ｎ
型、ｐ型側電極９、６を形成する前の工程中で行えばよ
く、また予め所定の厚みをもつｎ型基板１を使用する場
合は、このｎ型基板１の他主面側を研摩する工程を省い
てもよい。
ＶＤ法により形成し、絶縁層４とマスク層２４ａをスパ
ッタリング法やイオンプレーティング法等により形成す
る際には、ｎ型基板１の他主面側には被着形成されない
ので、ｎ型基板１の厚みを調整する研摩の工程は、ｎ
型、ｐ型側電極９、６を形成する前の工程中で行えばよ
く、また予め所定の厚みをもつｎ型基板１を使用する場
合は、このｎ型基板１の他主面側を研摩する工程を省い
てもよい。
【００４５】更に、絶縁層４、またはマスク層２４ａと
しては、ＳｉＯ2の代わりにＳｉ3Ｎ 4、Ａｌ2Ｏ3 等の材
料をスパッタリング法やイオンプレーティング法等によ
り形成してもよい。この場合、エッチング方法は適宜変
更が必要である。
しては、ＳｉＯ2の代わりにＳｉ3Ｎ 4、Ａｌ2Ｏ3 等の材
料をスパッタリング法やイオンプレーティング法等によ
り形成してもよい。この場合、エッチング方法は適宜変
更が必要である。
【００４６】斯る製造方法では、素子分断用溝２６、２
６、・・・をエッチングにより形成し、該素子分断用溝
２６、２６、・・・内及びｐ型ＳｉＣ層３上に絶縁層４
を形成した後、この分断用溝２６、２６、・・・に沿っ
て、ｎ、ｐ型ＳｉＣ層２、３に接触しないようにダイシ
ングするので、ｎ、ｐ型ＳｉＣ層２、３にダメージを与
えることがなく、量産性よく製造できる。
６、・・・をエッチングにより形成し、該素子分断用溝
２６、２６、・・・内及びｐ型ＳｉＣ層３上に絶縁層４
を形成した後、この分断用溝２６、２６、・・・に沿っ
て、ｎ、ｐ型ＳｉＣ層２、３に接触しないようにダイシ
ングするので、ｎ、ｐ型ＳｉＣ層２、３にダメージを与
えることがなく、量産性よく製造できる。
【００４７】また、ｎ型、ｐ型ＳｉＣ層２、３、及びｎ
型ＳｉＣ基板１の周縁部１ａ上に絶縁層４が形成された
積層基板を導電性基板８と導電性接着材７を介して接合
した後、素子１０に分断し、この素子１０を導電性基板
８側からステム１２に導電性接着材１３を介して固着す
るので、ｎ型側とｐ型側が電気的に短絡する惧れがな
い。
型ＳｉＣ基板１の周縁部１ａ上に絶縁層４が形成された
積層基板を導電性基板８と導電性接着材７を介して接合
した後、素子１０に分断し、この素子１０を導電性基板
８側からステム１２に導電性接着材１３を介して固着す
るので、ｎ型側とｐ型側が電気的に短絡する惧れがな
い。
【００４８】
【発明の効果】本発明の発光ダイオード装置は、ｎ型、
ｐ型ＳｉＣ層の側面及びｎ型ＳｉＣ基板の周縁部に絶縁
層が形成されており、該ｎ型ＳｉＣ基板の露出した側面
と導電性基板の下面が、導電性基板の厚みと導電性接合
層の厚み分離間しているので、発光ダイオード素子を固
着する導電性接着材が前記ｎ型ＳｉＣ基板の露出した側
面またはｎ型ＳｉＣ層に接触してｐ型側とｎ型側が電気
的に短絡するのを防止できる。
ｐ型ＳｉＣ層の側面及びｎ型ＳｉＣ基板の周縁部に絶縁
層が形成されており、該ｎ型ＳｉＣ基板の露出した側面
と導電性基板の下面が、導電性基板の厚みと導電性接合
層の厚み分離間しているので、発光ダイオード素子を固
着する導電性接着材が前記ｎ型ＳｉＣ基板の露出した側
面またはｎ型ＳｉＣ層に接触してｐ型側とｎ型側が電気
的に短絡するのを防止できる。
【００４９】また、本発明の発光ダイオード装置の製造
方法は、エッチングにより素子分断用溝を形成し、この
溝内及びｐ型炭化ケイ素上に絶縁層を形成した後、該素
子分断用溝に沿って、ダイシングして各素子に分断する
ので、ｎ、ｐ型ＳｉＣ層にダメージを与えることがな
く、電気的に短絡を防止した発光ダイオード装置を量産
性よく製造できる。
方法は、エッチングにより素子分断用溝を形成し、この
溝内及びｐ型炭化ケイ素上に絶縁層を形成した後、該素
子分断用溝に沿って、ダイシングして各素子に分断する
ので、ｎ、ｐ型ＳｉＣ層にダメージを与えることがな
く、電気的に短絡を防止した発光ダイオード装置を量産
性よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一実施例の炭化ケイ素発光ダイオ
ード装置の断面図である。
ード装置の断面図である。
【図２】上記実施例の発光ダイオード装置の製造工程図
である。
である。
【図３】図２に続く上記実施例の発光ダイオード装置の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図４】従来例の炭化ケイ素発光ダイオード装置の断面
図である。
図である。
【図５】上記従来例の発光ダイオード装置の製造工程図
である。
である。
１ ｎ型炭化ケイ素基板 １ａ 周縁部 ２ ｎ型炭化ケイ素層 ３ ｐ型炭化ケイ素層 ４ 絶縁層 ５ スルーホール部 ６ ｐ型側電極 ７ 導電性接合層 ８ 導電性基板 １０ 発光ダイオード素子 １２ ステム ２６ 素子分断用溝
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型炭化ケイ素基板と、該ｎ型炭化ケイ
素基板上にその周縁部を除いて形成されたｎ型炭化ケイ
素層と、該ｎ型炭化ケイ素層上に形成されたｐ型炭化ケ
イ素層と、前記周縁部上、ｎ型炭化ケイ素層の側面、及
びｐ型炭化ケイ素層上に形成された絶縁層と、該絶縁層
に前記ｐ型炭化ケイ素層が露出するように設けられたス
ルーホール部と、該スルーホール部と前記ｎ型炭化ケイ
素基板の下面上の一部にそれぞれ設けられたｐ型側、ｎ
型側電極と、前記絶縁層上及びｐ型側電極上に形成され
た導電性接合層と、該導電性接合層上に設けられた導電
性基板と、を備えた炭化ケイ素発光ダイオード素子と、 該発光ダイオード素子を保持するステムとからなり、 前記発光ダイオード素子をその導電性基板側で前記ステ
ムに電気的に接続すると共に固着したことを特徴とする
炭化ケイ素発光ダイオード装置。 - 【請求項２】 ｎ型炭化ケイ素基板の一主面上にｎ型炭
化ケイ素層及びｐ型炭化ケイ素層をこの順序に形成した
積層基板を作成する工程と、該積層基板のｐ型炭化ケイ
素層側面上にエッチングにより前記ｎ型炭化ケイ素基板
が露出してなる素子分断用溝を格子状に形成して複数の
四角形状部を作成する工程と、前記積層基板の素子分断
用溝内及びｐ型炭化ケイ素層上に絶縁層を形成する工程
と、前記各四角形状部にｐ型炭化ケイ素層が露出するよ
うに絶縁層をエッチング除去してスルーホール部を形成
する工程と、前記各スルーホール部と前記ｎ型炭化ケイ
素基板の他主面上にそれぞれｐ型側、ｎ型側電極を形成
する工程と、前記絶縁層上及びｐ型側電極上に導電性基
板を該導電性接合層を介して固着する工程と、前記導電
性基板をステムと電気的に接続すると共に該ステムに機
械的に固着する工程と、からなることを特徴とする炭化
ケイ素発光ダイオード装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25839092A JPH06112527A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25839092A JPH06112527A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112527A true JPH06112527A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17319577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25839092A Pending JPH06112527A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112527A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1239524A2 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-11 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Semiconductor light emitting device and method of fabrication |
| JP2006310657A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子及び窒化物系半導体素子の製造方法 |
| US7511311B2 (en) | 2002-08-01 | 2009-03-31 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
| JP2014187112A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP25839092A patent/JPH06112527A/ja active Pending
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| US8035118B2 (en) | 2002-08-01 | 2011-10-11 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
| US8330179B2 (en) | 2002-08-01 | 2012-12-11 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
| US8742438B2 (en) | 2002-08-01 | 2014-06-03 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
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