TW533609B - Method of manufacturing a hybrid integrated circuit comprising a semiconductor element and a piezoelectric filter - Google Patents

Description

533609 五、發明說明（1) 本發明係關於一種製造包含互相鄰接設在載體基板上之 半導體元件及壓電濾波器之混合積體電路之方法，半導體 元件包含設於矽層内之半導體區，壓電濾波器包含形成在 聲反射層上之聲諧振器，該聲諧振器包括壓電物質層，位 於此層與聲反射層間之第一電極及在壓電物質層另一側上 位於第一電極相反之第二電極。 半導體元件可為單一電晶體，但亦可為混合電路，形成 於半導體物質層内並包含許多電晶體，必要時，可加入無 源組件於其中。可製造壓電濾波器，亦稱為”薄膜聲波諧 振器n ，俾具有諧振頻率範圍為5 0 0 MHz與5 GHz之間，在 1，0 0 0以上之品質因子Q及小型尺寸，例如，長與寬為 2 0 0 // m。使用該濾波器可使混合積體電路，如選擇放大器 ，形成在載體基板上，其特別適用於設備供個人無線通訊 ，如GSM電話，該頻率之信號用其處理。 實際上，壓電物質層可為，例如，氮化鋁A 1 N或氧化鋅 ZnO層。此等層係以等於波長之一半的厚度塗敷，該頻率 之聲波用該波長傳送於此等物質内。諧振器定位於上之聲 反射層通常由實際上交替地高與低聲阻抗之若干副層所組 成。用途通常由，例如，具有大約100 Gg/m2s之相當高聲 阻抗之鎢與，例如，具有分別大約13 Gg/m2s及2 Gg/m2s之 相當低聲阻抗之氧化矽或合成樹脂之副層完成。此等層係 以相等於波長之四分之一的厚度塗敷，該頻率之聲波用該 波長傳送於此等物質内。對於該頻率範圍内之頻率，壓電 層與反射層均具有厚度範圍為1至3//m。

533609 五、發明說明（2) 美國專利3, 414, 832號揭示一種前段所述類型之方法， 其中，在第一實例中，自矽之載體基板開始。在此基板中 ，形成半導體元件，即，雙載子電晶體。隨後，相鄰半導 體元件設有壓電濾波器。為此目的，首先聲反射層局部形 成在基板上，其後聲諧振器設在此層上。最後，形成金屬 化，其將半導體元件連接濾波器。在第二實例中，自絕緣 陶瓷基板開始，其上首先設有包括半導體元件之半導體晶 體。由此點觀之，此法係以對第一實例所述相同方式實 施。 實際上，頃發現很難提供相鄰半導體元件之聲反射層。 為此目的，該層必須沈積在半導體元件上及相鄰半導體元 件，其後其必須利用蝕刻處理佈型，結果，自半導體元件 再除去層。沈積的層會顯示局部厚度差異，蝕刻過程會在 不同蝕刻速率下局部發生。因此，為了確保層完全自半導 體元件除去，實施蝕刻處理一段時間，超過除層嚴格需要 之時間。實際上，大約2 0 %之”過度蝕刻時間π為正常現象 。因為聲反射層較用於半導體元件之層厚，所以在”過度 蝕刻η時間内可完全蝕刻掉半導體元件内之層。此會導致 半導體元件損害，使之不再能使用。 本發明之目的為克服上述缺點。為了達到此目的，根據 本發明之方法具有特徵為，半導體元件形成於辅助矽片之 第一側，其後，設置支持第一電極之壓電物質層在輔助片 上之相同第一側，之後如此形成之構造設有聲反射層在其 自由表面區上方，隨後，用此層黏附至載體基板，其後在

第8頁 533609 五、發明說明（3) 聲諧振器之位 在半導體元 ，然後根據圖 厚度實際上範 地触刻而無半 體元件變成無 聲反射層未根 載體基板上而 較佳的是， 位在頂層上之 形成在此氧化 有聲反射層， 助片第二側之 隨後在聲諧振 除矽步驟，其 處理實行。i ，位置，氧化 蝕刻浴中，可 間，輔助片必 置被除去。 #半導體區 頂層内時，矽 半導體元件之 成在如此暴露 件之形成 案蝕刻。 圍為1與3 導體元件 用之程度 據圖案钱 不用根據 半導體區 氧化矽層 矽層上， 隨後，構 表面實施 器之位置 遍及表面 第二步驟 矽層可作 對氧化矽 須在半導 片之第二側除去碎。 後，壓電物質層沈積在輔助石夕# i 此層較聲反射層薄。壓電物質層之 之間。該薄層可根據圖案容易 層因π過度餘刻時間”被侵襲成半導 。塗敷至半導體元件及聲諧振器之 刻。因此，混合積體電路可形成在 圖案蝕刻之聲反射層。 形成於矽片之頂層内，該矽片設有 ’其後支持第一電極之壓電物質層 之後如此形成之構造的自由表面二 造用該層黏附至載體基板，其後^ 1 除石夕過程，其就在頂層附近停止， ，矽被除去向下至氧化矽層。第一 進行’可利用慣用機械—化學磨光 中，其中氧化矽層暴露在聲諧振器 為蝕刻停止層。在含有氫氧化鉀之 極選擇地蝕刻矽。在此蝕刻處理期 體元件之位置遮罩，以防矽在該位 形成於設有埋入頂層下方之氧化矽層之 :ί ΐ易2助片t第二側除去，除去相鄰 h ΐ支持* —電極之壓電物質層形 之氧化矽層上，其後如此形成之構造的自由

533609 五、發明說明（4) 表面設有聲反射層，然後構造用此層黏附至載體基板，其 後矽自輔助片第二側之表面向下至氧化矽之埋設層除去。 所用之片為S0 I (矽在絕緣體上）片。又在此情況下，可實 施慣用機械-化學磨光處理作為移除過程中第一步驟。在 後續無罩步驟中，可蝕刻掉矽，直到暴露氧化矽之埋設層 為止。在約600 厚之片中，例如，約500 /zm可藉磨光處 理而其餘藉餘刻除去。 在諧振器之壓電層形成在輔助片上後，其上形成第一電 極。對立第一電極之第二電極係以簡單方式設在諧振器上 ，在聲諧振器形成在位於輔助片第一側之氧化矽層上以前 ，若第二電極設於聲諳振器之位置時，其後負載第一電極 之壓電物質層形成在此第二電極上。 此法之缺點在於諧振器之壓電物質層必須形成在該第二 電極上。為了預防對此電極之損害，壓電物質層必須在較 低溫度下沈積。若第二電極形成於，例如，鋁或鎢層内時 ，在壓電物質層之沈積期間，輔助片必須不被加熱至 350 °C以上。為了獲得包含相等定向晶體之壓電物質層， 希望在較高溫度下沈積層。此有可能，若壓電物質層直接 形成在位於輔助片第一側之氧化矽層上，其後設置第一電 極，如此形成之構造之自由表面設有聲反射層，隨後該構 造用此層黏附至載體基板，其後氧化矽層自辅助片之第二 側暴露，隨後此層在聲諧振器之位置設有一窗，第二電極 設於其中。因此，在第二電極之形成前，設置壓電物質層 。因此可排除在沈積過程期間因加熱造成之對此電極的損

第10頁 533609 \ly 5 χίν 第 若 〇 件 元 體 導 半 至 接 4gc 内 路 積 在 須 必 器 波 慮 明 、、" 說 電 明 發。 、-害 五 化金 屬一 金而 二方 成下 形器 須振 必諧 ，在 時層 件化 元屬 體金 導一 半， 至之 接觀 連片 均助 極辅 in —9 二， 第即 壓與。 一 層 圍層之 範b鄰 Λ相 #設i ，了上 即彳器 為 ， 振 ο 厚 諧 易 較^厚 器層較 振.〇在 此白 4 申 ^屬彳 因工其 ο 5 -第 . 上£道 置 端設J 頂矶體 ash導 振j含 諧m包 在#須 層-3必 化1其 屬為， 定的 特大 。較 方比 上接 之橋 緣須 邊必 器其 振為 諧因 在， 伸置 延設 其難 ，很 iiit 執轨 J5I 45— ^tcd tist3· ¾¾ 導導 含後 包較 及， 以言 ，而 二成 為形 成器 可振 俾諧 ，聯 極串 電個二二 第使 入， 加位 若定 ，極 題電問一 此第 免對 避相 可其 o f 異極 差電 度副 高個 在步 成該 形之 被異 須差 必度 化高 屬接 金橋 僅取 ，採 下必 況不 情而 此， 在器 。振 間諧 之鄰 極相 電並 副上 個器 二振。 在諧驟 亦 是 別 特 層 著 黏 之 層 射 反 聲 份 部 成 形 用 利 板 基 助 輔 若 板為 基因 體， 載能 至可 附為 黏成 層此 射， 反上 聲際 份實 部。 成構 形結 極單 電簡 一得 第獲 之可 器步 振一 諧進 聲， 若時 抗振 阻諧 聲欲 高所 當之 相器 有波 具遽 則應 質對 物可 極俾 電， 而度 抗厚 阻之 聲極 低電 當一 相第 有擇 具選 層須 著必 黏。 〇態 厚他 較其 為及 可等 其此 以之 所明 ，發 抗本 阻白 聲明 低加 極更 有可 具當 劑例 著體 黏具 為述 因下 •’照 率參。 頻 樣 中 圖 附 U 在圖 圖 至 體 積 合 混 之 成 製 法 方 明 發 本 據 根 由 造 製 在 為

第11頁 533609 五、發明說明（6) 電路之第一實例中若干階段之概略截面圖， 圖11至圖18為在製造由根據本發明方法製成之混合積體 電路之第二實例中若干階段之概略載面圖， 圖19至圖22為在製造由根據本發明方法製成之混合積體 電路之第三實例中若干階段之概略截面圖， 圖23至圖25為在製造由根據本發明方法製成之混合積體 電路之第四實例中若干階段之概略截面圖，及 圖26，27及28為能簡化先前實例之製造之若干特殊解決 方法的概略截面圖。 圖為概略性且未按比例繪製，對應零件係由相同參考號 示出。為了簡化之故，製成之半導體元件，如圖所示，為 單一雙載子電晶體。實際上，半導體元件可交替地為積體 半導體電路，包含許多電晶體，可將無源元件如電阻器， 電容器或線圈加入其中。包含壓電渡波器之半導體元件可 形成，例如，可用5 0 0 Μ Η z與5 G Η z間之頻率處理信號之選 擇放大器。 圖1至圖1 1為製造混合積體電路之第一實例中若干階段 之概略截面圖，混合積體電路包含，如圖1 0所示，半導體 元件1及壓電濾波器2，其為互相鄰接設在載體基板3上， 半導體元件包含設於矽層4内之半導體區5，6，及壓電濾 波器2包含形成在聲反射層7上之聲諧振器8，9，10，該聲 諧振器包括壓電物質層8及第一電極9位於此層8與聲反射 層7之間，而相對第一電極9定位之第二電極10位於壓電物 質層8之另一側上。

第12頁 533609 五、發明說明（7) 在欲說明之實例中，半導體元件1設在辅助矽片12之第 一側11上，其後負載第一電極9之壓電物質層8設在辅 之相同第一側1 1上。 月 在第一實例中，辅助片12為約6 00 /ζιη厚矽片，其設有蠢 晶生長’約8 0 0 nm厚頂層，在此實例中，其為每“摻雜約 5 · 1 015原子之略微η型，且在欲形成之電晶體1之位置形 埋没層14，其為每cc摻雜約l〇2G原子之高11型。如下所述， 一部份層13形成矽層4，電晶體之半導體區5及6形成於其， 中。層13設有η型摻入雜質，其可作為摻入雜質供欲形^ 之電晶體之集極。埋設層14為高度摻雜之η型，並可作為 連接層供電晶體1之集極。在頂層13中，以慣用方式形成參 具有摻雜濃度為每cc 5 · 10”原子之ρ型摻入雜質之約 2 0 0 ηιη深基極區5及具有摻雜濃度為每cc 2 ·102〇原子之約 100 rim深射極區6。電晶體i之集極區係由位在射極區6下'' 方之層1 3的部份1 5所形成。 在頂層13上，形成約6〇〇 n m厚矽層16，具有窗17及18， 分別使射極區6及基極區5能接觸。在附圖平面之外側，另 一窗形成於氧化矽層1 7内，使埋設層丨4以及電晶體 1 5能接觸。 # ^ 在氧化矽層1 6上，例如，於約5 〇 〇 nm厚鋁層内形成金 化，包含導體轨道1 9，在第一實例中，形成聲諧振器8， 9，1 0之電極1 〇。 ，半導體7G件1之形成後，在此實例中為電極丨〇，聲諧 振器8，9，1 〇相鄰半導體元件i形成在片i 2之第一側丨丨上

533609 五、發明說明（8) 。最後，沈積壓電物質層，隨後根據圖案蝕刻，其方式使 圖3所示之部份8仍保持完整。實際上，壓電物質層可為， 例如，氮化鋁A1N層或氧化鋅層ZnO。此等層係以等於波長 一半之厚度設置，該頻率之聲波以該波長傳送於此等物質 内。對於頻率範圍為500 MHz及5 GHz間之頻率，壓電層具 有厚度範圍為1至3/zm。此層8，例如，具有長度及寬度為 約 2 0 0 // m 〇 沈積的層可顯示局部厚度差異，蝕刻過程可具有局部不 同蝕刻速率。因此，為了確保層可完全自半導體元件除去 ，實施蝕刻處理進行一段較蝕刻掉層嚴格所需更長時間。 實際上，約2 0 %之”過度蝕刻時間π為正常。壓電物質層具 有為1與2/zm間之相當薄厚度。該薄層可根據圖案容易蝕 刻而無半導體元件層會因π過度蝕刻時間π而不利地影響至 半導體元件變成無用之程度。 在導體執道19及壓電物質層8上，沈積有約250 nm厚氧 化矽層2 0，窗2 1形成於其内，其中約1 # m厚鎢電極9被後 來設置。此電極形成於一層内，其中在附圖之平面外側， 亦形成一接頭，其將電極9連接導體軌道1 9之一。因此， 諧振器8，9，1 0相鄰半導體元件1形成在輔助片1 2上。隨 後，聲反射層7沈積在如此形成且示於圖5之構造之整個自 由表面上。在此實例中，此聲反射層為一層，其係由5個 約1 // m厚副層之堆壘所組成。1 // m厚鎢電極9設有第一堆 壘層，其為約1/zm厚氧化矽層，約l//m厚鎢層沈積於其上 ，接著約1 // m厚氧化石夕層，約1 /z m厚嫣層，最後，約1 // m

第14頁 533609 五、發明說明（9) 須 厚氧化矽層。為了清楚 知電極9形成部份聲反哭起見，各種副層來示於附圖中 負載諧振器之聲反射層。， 阻抗之副層所組成。憤層通常由若干具有交替地高及低聲 阻抗為約100 Gg/m2s <用副層係由，例如，具有相當高聲 別為約13 Gg/m2s及約2鴿與，例如，具有相當低聲阻抗分 。此等層係以等於波 Gg/m2s之氧化矽或合成樹脂所製成 聲波用該波長傳送於之四分之一的厚度塗敷，該頻率之 隨後，圖6戶斤示之'樽等^勿質内。— 在載體基板3上，在此!!利用黏著層2 2，例如聚亞胺，設 板。其次，辅助石夕片J ?貧例中’具有厚度為若干m m之玻璃 ，其就在頂層13附近^第二側23之整個表面實施除矽操作 向下至氧化石 隨後，石夕在聲譜振器 步驟係利用慣用機械〜置除去。遍及表面進行之第一除矽 自600/ζπι厚片12除去學磨光處理實施，其中400/zm係 ®在餐m 在第二步驟中，其中氧化石夕層16暴 iL声。^ ί态8，9，1 〇之位置，氧化矽層1 6可作為蝕刻停 吣^二在3有氮氣化钟之钱刻浴中’石夕可對氧化矽極選摆 性蝕划。在此蝕刻處理期間，蝕刻罩2 4設在半導體元件j 之位置，在此情況下’該蝕刻罩形成於約2 0 0 n m厚氮化功 層内。 G石夕 氧化矽1 6之暴露層最後可設窗（圖未示），使混合積體雷 路能外部接觸。 - 圖1 1至1 8為製造包含半導體元件1及壓電濾波器2之藏合 積體電路之第二實例中若干階段之概略截面圖。又在此<

第15頁 533609 五、發明說明（ίο) 例中，半導體元件為雙載子電晶體，包含半導體區5及6與 壓電濾波器2具有聲諧振器8，9，10形成在聲反射層7上， 該雙載子電晶體與該壓電濾波器為互相鄰接排列在載體基 板3上。 在第二實例中，辅助片2 5為約6 0 0 # m厚矽片，包含絕緣 物質層2 6，其被埋入片中，在此情況下，氧化矽埋入層， 約1 0 0 nm厚單晶矽層2 7定位在該絕緣物質層上，其為摻雜 每cc約l〇w原子之n型。約8〇〇 nm厚頂層28磊晶地形成在層 27上’在此情況下，該頂層為摻雜每^約5 ·10ΐ5原子之略 微η型。此摻入雜質作為欲形成電晶體之集極之摻入雜質 。層27被高η型摻雜並可作為連接層供電晶體1之集極用。‘ 在η型摻雜層2 8中，以慣用方式形成具有摻雜濃度為每 cc 5 · 1 〇”原子之ρ型摻入雜質之約2〇〇關深基極區5及具 有摻雜濃度為每cc 2 · 1 〇2〇原子之約1 〇〇 nm深射極區6。電 晶體1之集極區係由位於射極區6下方之層2 8的部份1 5所形 成。隨後，位在氧化矽層2 6上之層2 7及2 8相鄰電晶體除去 ，使形成半導體區5及6之矽層4仍留下。其次，氧化矽層 2 9形成於此層上，該氧化矽層具有窗3 〇及3丨供分別接觸射 極區6及基極區5用。 在氧化石夕層2 6及2 9上’例如，於約2 〇 〇 n m厚铭層内形成 f屬化，該金屬化包含導體軌道1 9，在第二實例中，形成· 聲譜振器8，9，10之電極10。 f半導體元件1之形成後，在此實例中為電極丨〇，聲諧 振158 ’9，1〇相鄰半導體元件1形成在片12之第一側丨丨上

第16頁 533609 五、發明說明（11) 。為此目的，愿發 之邻份S 電物貝層被沈積，隨後，以保留圖1 3所示 艮據又圖在案餘刻。此層8具有長度&寬度為， 餘刻而無半導^元=實例中，壓電物質層可根據圖案 使半導體元件變成會因，，過度蝕刻時間"受不利影響而 在導體執導19與壓雷队 矽層20，窗21形成^ 1物質層8上’沈積約2 5 0 nm厚氧化 9。此電極形成I _於声其中’其中隨後設置約1 # m厚鎢電極 一接頭，其將電極連’其中在附圖平面之外側亦形成 ，9，10鄰接半導體元導體軌道19之一。因此，諧振器8 射層7沈積在如此$ ^ < 1形成在輔助片2 5上。隨後，聲反 示於圖5。又在此惰^況;^構，之整個自由表面上，該構造 矽與鎢之副層的堆晶’聲反射層為一層，其係由氧化 隨後，圖16所示二田 設在載體基板3上構^利用黏著劑層22，例如聚亞胺 ㈣除去。又在此情況二表面向下至石夕 步驟中，用途係由慣用機械—化學磨戍*除去。在第一 4 0 0 p係自6 0 0 “厚片12除去，而第二处里完成，其中 化鉀之蝕刻浴内實施。在第二實例中，矽=係於含有氫氧 利用罩，使其較第一實例内更簡單。 可破除去而不必 矽26之暴露層最後可設有窗（圖未示）供 丨 極電路用。 “卜部接觸混合積 〇之壓電層8的形成 在上述二個實例中，諧振器8，9

533609 五、發明說明（12) 係在電極9在該層上之形成後。此電極形成諧振器8，9， 1 0之第一電極9 ;在濾波器2安裝在載體基板3後，由載體 基板觀看，此電極位於諧振器8，9，1 〇下方。在二個實例 中，第二電極10在聲層8前形成，參照圖3及13。隨後，壓 電層8設在此第二電極上。 圖19至22為在製造第三實例中若干階段之概略截面圖。 該製造以如圖1及2所示之相同方式開始進行。如圖丨9所示 ’壓電層8在設窗17及18前設在矽層16上。其次，窗17及 1 8形成於氧化梦層内並提供具有導體 /之化 壓電物質層8直接形成在氧化石夕層16上\ 9在之二金個屬化 例中，此層8形成在第二電極10上^ ^ 4 1 〇之損害，Μ電物質層必須在相合佤^對第：電極你 二電極，例如，於鋁或鎢層内時y . Ζ 積◊右形成第 間，輔助片不會被加熱至約350 c以在严\物質層之沈積期 向晶體之壓電物質[希望在較1二上/丁為了獲得相等定 由，：實她所述之方法元成時，此成為可能。 2。，其後諧振器8，9，10之具有窗21之氧化石夕層 ，沈積聲反射層7。 第電極9設於窗21内。隨後 隨後，圖20所示之構造係利用^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 板3。其次，石夕係自輔助片12第二勒Π2固疋至載體基 該過程就在頂層1 3近處停止，隨 之'個表面除去’ 1 〇遠至氧化矽層1 7之位置除去。，，矽在聲諳振器8，9， 在半導體元件1之位置。 *過知中’钮刻罩24設

533609 五、發明說明（13) 最後，氧化矽層1 6在聲譜 納有諧振器8，9，1 〇之第二 氧化石夕之暴露層16内，藉以 1 9及形成之混合積體電路能 圖23至25為製造第四實例 製造如圖1 1及1 2所示般開始 在窗30及31設於氧化石夕層29 後’窗3 0及3 1形成於氧化石夕 之金屬化。 振器之位置設有窗2 1 ，其中容 電極10。實際上，更多窗設於 使第二電極1〇連接至導體軌道 外部接觸。 中若干階段之概略截面圖。該 進行。如圖23所示。壓電層8 以前形成在氧化矽層2 6上。隨 層29内及提供具有導體轨道19 ，S電物質層8直接形成在氧化矽層26上 .)第與第一貫例中在第二電極1 〇上。如第三實例所 述，此可使壓電物質層在相當高溫下沈積。 在，2 3所示之構造之形成後，形成具有窗2 1之氧化矽層 20，”後諧振器8，9，1〇之第一電極9設於窗21内。隨後 ，沈積聲反射層7而如此形成之構造利用黏著劑層2 2固定 至載體基板9。隨後，矽自辅助矽片12第二側23之整個表 面遠至化石夕層26除去。 最後，氧化矽層26在聲諧振器之位置設有窗33，其中容 納有諧振器8，9，1 0之第二電極丨〇。實際上，更多窗設於 氧化矽之暴露層26内，藉以使第二電極1〇連接至導體執道 1 9及形成之混合積體電路能外部接觸。 在積極電路中，壓電濾波器2必須連接至半導體元件1。 右第一電極9以及第二電極1〇均連接至半導體元件}時，必 須形成二層金屬化層，即，一層具有導體19而另一層具有

第19頁 533609 五、發明說明（14) 電極9。當諧振器相當薄時，即，範圍為1至3 //m時，無法 容易設置具有第一電極9之第二金屬化層。此層必須包含 導體軌道，其定位於相當薄諧振器8上並相鄰之，而且導 體執道，其延伸在諧振器之蝕刻上方。特別是，必須橋接 相當大高度差異之較後導體執道很難設置。若加入聲諧振 器8之第二電極1 0時，此問題可避免，俾可包含二個副電 極34及35，如圖26及27所示，其均對立第一電極9，使二 個串聯諧振器形成在二個副電極34與35之間。結果，僅金 屬化必須形成在諧振器上並相鄰之；不必採用橋接高度差 異之該步驟。對圖2 5所示之第四實例之混合積體電路此示 於圖26，而對圖18所示之第二實例此示於圖27 (?)。可知 對應解決方法亦會導致其他上述實例製造之簡化。 若輔助基板1 2，2 5利用形成部份聲反射層7之黏著劑層 固定至載體基板3時，特別是若聲諧振器之第一電極9亦形 成部份聲反射層7時，進一步可得一簡單構造。實際上此 切實可行，因為黏著劑層顯示相當低聲電阻而電極物質顯 示極高聲電阻。第一電極9之厚度必須選擇，俾可符合濾 波器之所欲諧振頻率，而黏著劑層由於極低聲阻抗可具有 較厚之厚度。此解決方法示於圖2 8之第四實例。又在此情 況下，須知對應解決方法亦會簡化其他上述實例之製造。

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Claims (1)

1. 533609 方撼Ά/叉>7補羞 案號 90108313 V 年尸月/ /日__ 六、申請專利範圍 1 . 一種製造包含互相鄰接設在載體基板上之半導體元件 及壓電濾波器之混合積體電路之方法，半導體元件包含設 於矽層内之半導體區，壓電濾波器包含形成在聲反射層上 之聲諧振器，該聲諧振器包括壓電物質層，位於此層與聲 反射層間之第一電極及在壓電物質層另一側上位於第一電 極相反之第二電極，其特徵為，半導體元件形成於辅助矽 片之第一側，其後支持第一電極之壓電物質層提供輔助片 上於相同之第一侧，之後如此形成之構造在其自由表面區 上方設有聲反射層，隨後用此層黏附至載體基板，然後矽 在聲諧振器之位置自輔助片之第二側除去。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中半導體區形成於 φ 矽片之頂層内，該片設有位在頂層上之氧化矽層，其後支 持第一電極之壓電物質層形成在此氧化矽層上，之後如此 形成之構造的自由表面設有聲反射層，此構造隨後用該層 黏附至載體基板，其後辅助片第二側之表面受除矽過程 ，其就在頂層附近停止，隨後，在聲諧振器之位置，矽向 下至氧化矽層除去。 3.如申請專利範圍第1項之方法，其中半導體區形成於 設有埋設在頂層下方之氧化矽層之矽片頂層内，該頂層相 鄰半導體元件除去，之後支持第一電極之壓電物質層形成 在如此暴露之氧化矽層上，其後如此形成之構造的自由表 面設有聲反射層，之後構造用此層黏附至載體基板，其後籲 矽自辅助片第二側之表面向下至氧化矽之埋設層除去。 4 ·如申請專利範圍第2或3項之方法，其中首先位於辅助

   Q:\70\70434-910814.ptc 第22頁 533609 _案號 90108313 年 f 月曰_iii_ 六、申請專利範圍 片第一側之氧化矽層在聲諧振器之位置設有第二電極，其 後負載第一電極之壓電物質形成在此第二電極上。 5 .如申請專利範圍第2或3項之方法，其中壓電物質層直 接形成在位於辅助片第一側之氧化矽層上，其後設置第一 電極，如此形成之構造之自由表面設有聲反射層，隨後該 構造用此層黏附至載體基板，其後氧化矽層係自辅助片之 第二側暴露，隨後此層在聲諧振器之位置設有其中設置第 二電極之窗。 6 .如申請專利範圍第4項之方法，其中加入第二電極， 俾可成為二個副電極，其均對立第一電極定位，使二個串 聯諧振器形成在二個副電極之間。 7.如申請專利範圍第5項之方法，其中加入第二電極， 俾可成為二個副電極，其均對立第一電極定位，使二個串 聯諧振器形成在二個副電極之間。 8 .如申請專利範圍第1、2或3項之方法，其中辅助片利 用黏著劑層黏附至載體基板。 9 .如申請專利範圍第1 、2或3項之方法，其中辅助片利 用形成部份聲反射層之黏著劑層黏附至載體基板。 1 0 .如申請專利範圍第1 、2或3項之方法，其中聲諧振器 之第一電極形成部份之聲反射層。

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