TW533446B - Electroluminescent device and a method of manufacturing thereof - Google Patents
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Description
五、發明説明（2 3極層）的陰影區域，壁壘就用來提供具有圖樣的第二電 ♦已知EL顯示面板的缺點是要使用A空沉#法來執行第二 A層的/几和，一般而f眞s沉積法是一種需要昂貴眞空 :備的批次方法’這種方法相當耗時並且特別不適合用來 k供厚膜。 本發明的目的就是特別用來減輕這些缺點，尤其是，本 發明目標在於提供一種具有圖樣電極的冷光裝置，若要連 續處理的話，該電極可輕易並有效率地量產。置的製 造應該不要牵涉到眞空設備的使用。廣義來説，該裝置要 成爲可以用可靠並且精確的方式製作電極的圖樣，而不需 要借助於壁壘或其他需要額外處理形成的結構。 依照本發明，藉由包含用於將電荷供應給冷光裝置冷光 層的圖樣式噴墨印刷電極之冷光裝置就可達成這些與其他 目的，其中該電極包含一金屬或金屬合金。 藉由提供噴墨印刷圖樣式電極，如此便能很容易並有效 率的量產E L裝置。嘴墨印刷是一種可靠的沉積方法，提供 南生產量以及高解析度，並且適合用於連續處理。使用傳 統低成本設備就可精確製造並量產出特徵最小尺寸低至2〇 μ m的圖樣。 當沉積在基板表面上，墨水會採用液體所會採用的自然 形狀。此天性之特徵取決於墨水與基板的接觸角度。影響 沉積墨水自然形狀以及大小的參數是所噴出的墨水量以及 比率（墨滴量乘上墨滴頻率）、噴嘴直徑以及噴墨頭在基板 -5- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 533446 A7 ._ _____B7 五、發明説明（3 ) 上的移動速度。在噴出墨滴的情況中，基板上所測量到連 %滴下的墨水間之距離式控制噴墨電極大小與形狀的重要 參數’因爲墨水滴到基板上時會呈現自然形狀以及大小， 所以就不需要使用需要額外處理步驟的壁壘或類似結構就 可製作電極的圖樣。 在本發明的内谷中，噴墨印刷一詞就是從一個噴嘴或多 於一個噴嘴（多個噴嘴）釋放出墨水（液體）噴出物。該噴出 物可由個別水滴或連續的噴出物所構成，後者這種配置也 %爲计量分配。將噴墨頭相對於基板移動，然後回應由驅 動電子設備供應給噴墨頭的時間獨立輸入資料訊號，而在 基板上沉積墨水。 在本發明的内谷中，墨水一詞就是可從噴墨頭排放出來 的任何可變形物體（流體、液體），像是懸浮液、溶液、分 散膠質、糊狀物、天然漆、乳劑、膠質溶液等等。 b在本發明的内容中，電極一詞代表包含依照所要圖樣所 提供的（集合的）複數個電極。複數個電極可集合形成一電 極層。電極層可包含複數個空間區隔彼此獨立的可定址電 極。電極可以是用於將電荷供應給EL裝置不同獨立可定址 ELtl件（也稱爲£乙像素）的冷光層之共用電極。 如同以往，在「電極包含金屬或金屬合金」的表示中「 包含」一詞並沒有排除更多金屬與/或金屬合金的存在，特 別是電極可由金屬、金屬合金或任何金屬與/或金屬合金的 混合物所組成。包含金屬或金屬合金的電極也稱爲金屬或 金屬合金電極。 -6
533446 Α7 Β7 五、發明説明（4 在相關領域中，本發明與包含用於將電荷供應到冷光層 的有圖樣電極之冷光裝置有關，該電極包含_金屬或金屬 合金，並且具有至少5 _的最大厚度。厚度較好是至少ι〇 μπι或更好是至少2〇 _。在對大厚度小於5卿時，接觸角 度會變的非常小並且當所要獲得的寬度是大約5〇至3⑼邮 時，墨水就無法擴散到所要的寬度。這種電極寬度通常用 於像素顯示幕。最小的接觸角度通常小於〇1弧度，在此角 度上墨滴的自然形狀以及大小（若維持的話）會容易分散， 造成不可靠的噴墨印刷處理。其厚度由與提供電極的表面 法線方向上的尺寸所定義，對於噴墨最方便的方法就是具 有最大厚度40 μχη或以上的電極，另外，當最大厚度至少是 電極寬度的4 0 %時最方便執行。 依照本發明領域的冷光裝置有一項吸引人的特色，就是 由溶化的金屬或金屬合金之噴墨印刷所獲得之有圖樣電極 層。若利用噴墨印刷熔化金屬來獲得電極層，則表面上流 體形狀的電極可依照相同的圖樣提供。上面已經説明過利 用噴墨印刷提供電極的優點。 噴墨印刷擁有印刷小至2〇 μχη的特色，如此有圖樣的電極 才能適用於像素大小100至300 μιη的多像素EL裝置，有能 用於像素尺寸小至50 μιη或更小的高解析度顯示器。 更進一步，具有至少5叫的最大厚度可減少在電極内形 成針孔的風險。業界内熟知的針孔會導致EL裝置内形成不 必要的黑點。厚電極也會覆蓋在易受損層（像是有機冷光層 )之上提供保護功能。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（5 曰當個別墨滴沉積在基板上，-般而言墨滴會呈現出具有 取大厚度的軸對稱凸形。根據墨滴相對於支撑基板的可濕 性’其特徵在於墨滴與其支撑基板之間的接觸角度，墨滴 的形狀多少會呈現圓形。通常，噴墨頭會嘴出直徑範圍20 卿至80哗的墨滴。當墨滴轉換成電子材料滴時，一般而言 都曰保印凸面形狀。此外’若在轉換時液滴體積不變，則 可方便並規律的獲得至少5卿的最大厚度。 在内含個別液滴的噴出物情況中，藉由將噴墨頭在墨水 要沉積的基板上移動，如此就可依照輯形成墨滴陣列。 相對於基板移動的噴墨頭上之滴落頻率以及速度可彼此調 和，如此墨滴陣列就能融合形成單一連續的結構。 用於回應供應電壓的電極層之目的在於將電荷供應給通 ^疋層狀的冷光材料，在該情況下正電荷也稱爲孔，或在 該情況下負電荷也稱爲電子。供應電荷牽涉到從發光區域 外面（例如從接點墊）將電荷運送至發光區域内部（例如特定 像素）。此電荷運送稱爲側向電荷運送，因爲運送方 向到達其上提供電極的表面。 <此外，電荷運送發生厚電荷會從電極送至冷光層，這也 稱爲堆®EL裝置内的橫向電荷運送，此運送對於支撑電極 的表面來説相當正常。在多重像素EL裝置的情況中，：向 電荷運送通常發生在EL像素内部。 、在開始橫向運送時’電荷會注入電極旁邊的功能層，旁 j的功能層可爲冷光層或電荷運送與/或注入層，用於將電 荷運送與/或注入位於電荷運送/注入層旁邊與電極層相^ 533446 A7 ____ B7 五、發明説明（6 ) ~ 1 的第二旁邊功能層。如此，冷光層會與電極相隔一或多個 功能層，像是電荷運送/注入層。 若依照圖樣提供電極的話，嗜墨印刷的優點就是可活用 。有圖樣的電極可用來提供可以顯示影像、標誌或其他種 符號的EL裝置。 另外’具有依照本發明的有圖樣電極之E l裝置可當成獨 立可定址EL元件（也稱爲像素）的電極，像是分段式顯示器 以及被動與主動式矩陣顯示器。 雖然在原理上，有機的噴墨印刷層，或特別是聚醯胺、 導電材料也可當成電極，不過這種電極的導電性過低，而 無法爲實際的顯示應用提供足夠的橫向電荷運送。例如被 動式矩陣顯示器内，沿著這種有機電極的壓降會導致由這 種電極所定址的像素之間產生無法接受、不一致的亮度。 金屬與金屬合金就具有足夠的導電能力可將電荷供應至 EL材料，爲此目的的金屬或金屬合金之選擇並不重要，任 何金屬或金屬合金都可用來製造電極。 EL裝置包含一般而言是階層形狀的冷光材料，到供應電 荷的電極。在本發明的内容中，所使用的El材料種類並不 重要，業界内已知的任何E L材料都可以使用。事實上，合 適的是有機（聚醯胺）EL材料。這種材料克含低或高分子量 的有機光或冷光、螢光與磷光化合物。合適的低分子量化 合物是業界内已知的，並且包含三_8_鋁喹啉合成物與薰草 素。運用眞空沉積法就可供應這些化合物。另外，低分子 量化合物可内嵌在聚醯胺矩陣或用化學方式黏貼到聚醯胺 L洛；盡田 因固 Λ λΛΆ 44? ί r\ r\r\rj \ 9 - 533446 A7
，例如納入主連銷岑去+ ^ 4田成側連鎖，有一範例就是聚乙烯咔 咬。 車义佳的同刀子里材料包含具有複合重複單元的EL聚醯胺 尤-疋相鄰重複單凡以複合方式接合的el聚酿胺，像是 ^吩、聚次苯基、聚屢吩次乙晞或者更好是聚·ρ·次苯基 /人乙烯。較佳的是（發出藍光）聚（烷基）螢光劑與發出紅、 黃或綠光的聚次笨基次乙烯以及2_或2,5-置換的聚-ρ_ 久苯基次乙醚，尤其是這些在2•與/或2,5位置上具有可溶 性改善的側基，像是Cl_C2Q，最好是C4_Ciq烷基或烷氧基。 最好的側基是甲基、甲·、3,7-二甲基辛氧基以及2_甲 基丙氧基。更特別合適的聚醯胺包含2_芳基“，心次苯基次 乙烯重複單元，芳香族羥基可選擇性取代上列的烷基與/或 烷氧基，尤其是曱基、曱氧基、3,7_二甲基辛氧基或更好 是2 -曱基丙氧基。有機材料可包含一或多個這種化合物， 濕沉積技術適合用來供應這種E l聚醯胺。 在本發明的内谷中，有機一詞包含聚醯胺與前置變化詞 出處的聚合體，包含等聚合體、同聚合體、三聚合體和較 高的同族體以及寡聚物。 選擇性來説’有機EL材料進一步包含自然中的物質、有 機物或無機物，可同時分配在分子規模上或是呈現在粒子 分配形式中。尤其是，改善電子與/或孔的電荷注入與/或 電荷運送能力的化合物、改善與/或改進發出光線亮度或顏 色的化合物，以及這類化合物。 有機EL層最好有50 nm至200 nm的平均厚度，特別是6〇 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
装
線 533446 A7 B7 五、發明説明（8 ) nm至15 0 nm或最好是7 0 nm至10 0 nm。 噴墨印刷或圖樣電極可透過一或多的電荷運送/注入層將 電荷供應到E L材料，若電極供應正電荷的話，這種功能層 就是孔注入與/或運送（HTL)層，並且若電極供應電子的話 ，就是電子注入與運送（ETL)層。包含超過一個功能層的 EL裝置範例有陽極/HTL層/EL層/陰極、陽極/EL層/ETL層 /陰極或陽極/HTL層/EL層/ETL層/陰極的的積層狀。 若金屬或金屬合金電極提供從發光區域外的橫向電荷運 送至特定像素，電荷注入/運送層只需要在像素内提供電荷 運送，在此情況下，電荷注入/運送層的導電性可遠小於電 極的導電性。 若EL裝置是二極體型，則電荷注入/運送層的功函數最好 選擇在相鄰該層的功能層中間，以便改善電荷注入至E L材 料的特性。 孔注入與/或孔運送層的合適材料可爲金屬或金屬合金， 或像是芳香三碳氫基氨的有機材料，特別是聯氨或較高的 同族體、聚乙晞叶峻、淀艱1、紫質、S太花青、聚苯胺與聚-3，4 -乙烯二氧嘍酚。 電子注入與/或電子運送層（ETL)的合適材料包含金屬、 金屬合金、u惡二峻基化合物以及链p奎琳化合物。 若使用ITO當成陽極，則EL裝置最好包含厚度50至300 nm的孔注入/運送層材料聚-3，4 -乙烯二氧塞酚或厚度5 0至 200 nm的聚苯胺層。 一般而言，EL裝置包含一基板，若EL裝置配置成透過基 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 533446 A7 B7 五、發明説明（9 ) 板發出光線，則基板相對於要發出的光線是透明的。合適 的基板材料包含不管有沒有彈性的透明合成樹脂、石英、 陶瓷以及玻璃。基板是浮凸圖樣的支撑表面。 在一個具體實施例内，EL裝置爲有機或更特別的是聚合 物EL裝置，包含沉積在第一與第二電極之間的有機（聚合 物）冷光層。一般而言，有機EL裝置是一種堆疊的EL裝置 ，其中EL層像三明治般夾在第一與第二電極之間。在電極 以及冷光層之間可提供上面説明範例中的電荷注入/運送層。 在較佳具體實施例中，電極層包含具有低熔點的金屬或 金屬合金。 若電極的金屬或金屬合金具有低熔點，則熔點越低則電 極就越容易從融熔狀形成噴墨印刷圖樣，並且越省能源。 另外，熔點越低，噴墨印刷頭有可以是更簡單的構造並且 具有較長的使用壽命。 若要在表面上提供熔化的金屬或金屬合金來覆蓋EL裝置 的功能層，像是EL層，則所選擇的熔點就不可〜讓該（對溫 度敏感的）功能層受到熔化金屬或金屬合金的熱量影響而裂 化。 藉由測量電流電壓、電流電壓亮度特性或裝置的使用壽 命來試驗E L裝置的效能，如此就可評估是否發生熱裂化現 象。在組件成份的角度來看，此效能可以和具有相同電極 層材料的眞空沉積電極層之相對應E L裝置的效能做比較。 以上面的觀點來看，較佳具體實施例是依照本發明的冷 光裝置，其中金屬或金屬合金具有250°C或以下的熔點。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂
533446 A7 --—___B7 五、發明説明（10 ) ------— 曰較好是，金屬或金屬合金具有低於25(rc的溶點，或更好 是扣ot以下，或最好是175»c以下，較好是溶點低於15〇。〇 。很明顯㈣態金屬電極非常耐機械衝擊，並且不容易從 基板上去除。不過一般而言’在許多£乙裝置的使用情況下 ’電極較好還是固態。因此，金屬或金屬合金的溶點較好 是，過室溫，至少是3CTC，更好是价。在通訊設備的顯 不益中至少要60°C，而對於應用在汽車内，則較好是至 8 0 〇C 〇 市面上了獲彳寸的低成本、低溶點金屬與金屬合金可包含 攸由In、Sn、Bi、Pb、Hg、Ga與Cd構成的群組中所選 取之元素。除了溶點這廣泛的範圍以外，該金屬也提供廣 义並且重要的其他特質範圍，例如對氧化的敏感度、與其 他材料的黏貼、熱膨脹係數、延展性、尺寸穩定性、凝固 與熔解的縮小程度。在應用中有毒性是一項重要的因素， 最好不要使用含Hg或Cd的合金，像是Sn : (5〇重量百分比 ):Pb(3 2重量百分比）：Cd(18重量百分比）。不過若需要 有彈性的EL裝置，則使用具有延展性低熔點的金屬由其優 點，像是銦（熔點157°C)或熔點1〇0。〇的Sn(35.7重量百分比 ):Bi(35.7重量百分比）：Pb(28.6重量百分比）。爲了將凝 固所造成的應力降至最低，較好是使用凝固時不會形成結 晶並且縮小的金屬，像是熔點138。(：的b i ( 5 8重量百分比） :Sn(42重量百分比）。 二極體型的EL裝置（也稱爲發光二極體）一般由沉積在孔-注入電極（也稱爲陽極）與電子注入電極（也稱爲陰極）之間 -13- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 533446 五、發明説明（” 的冷光層所構成。 陽極可a依照本發明的嘴墨整極，並且爲了達成有效的 孔/王入陽極通常由高功函數材料所製成。合適的高功函 數電極材料是具有超過4 5 eV功函數的材料，包含的範例 金屬有 An、Ag、Pt、pd、c_m〇。 裝 另外：陽極可包含氧化導體，像是氧化銦、氧化錫、氧 化鋅氧化銻。較好是’陽極由透明導體所製成，像是氧 化銦錫(ITO)。精通此技藝的人士就會了解，還有許多透明 的氧化導體可用。_般而言，此方法包含加熱至綱。c或以 上的步驟’以獲得導電性足夠的層。因此，此方法特別適 用於所供應的基板提供耐高溫EL或其他功能層時。在對溫 度敏感的材料案例中，PPV就屬於這種材料，f墨陽極會 在對溫度敏感的功能材料沉積之前㈣積。這種方法的範 例是，直徑10_2〇11111的811〇2和讥〇2(6至15%〜〇2，剩下的 是Sb〇2)粒子加入乙醚中，以維持5重量百分比的懸浮液。 在玻璃上噴墨印刷―層並在空氣中以· m好是5〇代 加熱5 0分鐘，造成氧化銻錫的噴墨印刷陽極。 線 一較佳具體實施例爲根據本發明 極是用於將電子供應到冷光層的電極。裝置”中^ 般而3，在透明基板上會提供傳統二極體型的£^裝置 ，而陽極面對基板。因爲在此架财，要提供陰極層之前 已經有功能層存在，所以陰極的沉積會與功能層相容，也 就是此沉積不會損害到之前已經沉積的功能層。噴墨印刷 陰極適合用於此目的。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)--------- 533446 A7 ______ Β7 五、發明説明（12 ) '~~^ ' 一車父佳具體實施例爲依照本發明的冷光裝置，其中該電 極具有4.5 eV或以下的功函數。 爲了達成有效的電子注入，金屬或金屬合金要有低功函 數。較好是少於4.0 eV或更好是3,5 eV的功函數。若功函數 少於3.0 eV或更好是2.5 eV時會進一步改善電子注入效果。 低功函數金屬的範例包含鹼性金屬、鹼土族金屬、A1、s c Sr'Ca、Ga、In、Na、Li、Cs、Yb、Ba 和 Mg，以及 由像是Ba : A1、Mg ·· Ag與U : A1構成的合金。低功函數 至屬和水與/或氧有特別高的反應性。在此方面經過改良的 陰極是第一低功函數金屬層與第二低功函數金屬層所構成 的雙金屬層陰極，其中第二金屬層具有高於第一金屬層的 功函數，第一低功函數金屬層則面向El層。這種雙陰極層 的範例有B a : A1陰極層。 特別適用的E L裝置是具有由低熔點與低功函數的金屬或 金屬合金所構成之電子注入層，像是111與（}&以及由這些金 屬構成的低熔點合金。 一較佳具體實施例爲依照本發明的冷光裝置，進一步包 含用於繪製圖樣式噴墨印刷電極的浮凸圖樣。 在當沉積於表面上由墨滴所呈現的自然尺寸大於所要尺 寸之案例内’尤其是方向與所要沉積的表面平行時，之後 會導致電極層未形成所要的圖樣，則使用浮凸的圖樣可獲 得所要的大小。當墨水沉積在浮凸圖樣所定義的空間内， 墨水並無法灑到浮凸圖樣所定義的空間之外。 在較佳具體實施例内，EL裝置具有浮凸圖樣，而這些圖 -15- 本紙張尺度適用巾g國家標準(CNS) Μ規格(⑽χ挪公擎了 -- 533446 A7 B7 五、發明説明（13 ) 樣也用來製作EL裝置其他功能層的圖樣，像是EL層、電 荷運送層與/或電荷注入層。在該情況中，無論如何都要提 供浮凸圖樣，並且該用於繪製電極圖樣的浮凸圖樣可和用 於其他功能層的浮凸圖樣整合在一起並且同時提供。 浮凸圖樣的種類以及提供浮凸圖樣的方法並不重要，若 浮凸圖樣要成爲E L裝置的永久部分，浮凸圖樣必須絕緣以 避免電極之間短路。最方便的就是，藉由牽涉到抗蝕劑的 圖樣製作之光微影蚀刻來提供浮凸圖樣。 在特定具體實施例内，依照本發明的E L裝置爲冷光裝置 ，其中該裝置爲被動型矩陣顯示裝置，包含一或多個夾在 列電極與行電極之間的冷光層、形成於列電極以及行電極 交叉點上的獨立可定址冷光元件，其中行電極爲包含金屬 或金屬合金的圖樣式噴墨印刷電極。 依照應用情況選擇EL元件的大小，若要有高解析度，則 可使用10至75 μιη的像素，對於需求較低的應用，則100至 300 μΐη的像素尺寸就已經夠用了。在全彩顯示器中，需要 紅、綠和藍色發光像素三個成一組的單元，每個單元形成 一個RGB像素。例如，紅、綠和藍像素每個都是100乘300 μιη，則RGB像素就是300乘300 μιη。爲了將盡可能填滿，所 以定義成發光可用的總面積除以顯示器的總面積，相隔的 列與行電極之距離盡可能維持最小。總而言之，列電極的 間隔距離可爲1 0至40 μιη，更好是1 5至30 μιη，這同樣適用 於行電極。 對於依照本發明只需要一些電壓就可提供適合顯示的亮 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 533446 A7 B7 五、發明説明（14 ) 度且/或耗電量極少的EL裝置而言，該EL裝置特別適用於 使用電池的顯示器及/或可攜帶，尤其是手持式電子設備， 像是膝上型電腦、掌上型電腦、個人數位助理、可上網的 行動電話或其他需要呈現影像（或視訊）的服務。E L裝置允 許以視訊方式顯示網際網路資料以及影像資料。 在另一方面，本發明因此與電池運作和/或提供依照本發 明的EL裝置之手持式電子裝置有關，像是行動電話。 在另一方面，本發明與製造冷光裝置的方法有關。 尤其是，本發明與製造包含依照所要圖樣提供的金屬或 金屬合金電極之冷光裝置有關，該方法包含藉由一或多個 沉積步驟，依照所要圖樣在基板表面上沉積金屬或金屬合 金電極，該沉積包含依照所要圖樣或互補圖樣的噴墨印刷 之沉積步驟。 之前已經説明過藉由噴墨印刷法提供電極層的優點。 該方法的合適具體實施例包含： -提供一第一電極層； -提供一冷光層； -提供一第二電極層； 其中至少該第二電極層是一圖樣式噴墨電極層。在一個變 體中，該第一電極層是陰極層並且第二電極層是陽極層。 在另一個變體中，該第一電極層是陽極層並且第二電極層 是陰極層。更方便的是，在基板上提供功能層，該層較好 是透明的可讓EL裝置發出的光線通過。如同上面提及的， 在任何（噴墨）電極層與冷光層之間會沉積一或多個其他功 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂
線 533446 A7 發明説明 此層’像是電荷運送與注入層。 特別適合用來沉積低熔點金屬或金屬合金的電極層之方 法’就是製造包含依照所要圖樣提供金屬或金屬合金的冷 光裝置之方法’該方法包含依照所要的圖樣在表面上沉積 嘴墨印刷溶化金屬或金屬合金（讓噴墨印刷到表面的熔融狀 金屬或金屬合金冷卻）來形成金屬或金屬合金電極之步驟。 此方法牵涉到從加熱的噴墨頭排出熔融狀金屬或金屬合 金。當沉積在溫度較低的表面上，根據金屬（合金）的熔點 ’溶融狀金屬會冷卻、凝固。爲了降低溫度衝擊，可將基 板的表面加熱。基板加熱也可用來增加基板的可濕性。在 電極層形成之後，會經過將電極層加熱到熔點之上，然後 再次讓Η凝固來去除在噴墨印刷期間可能累積在層内的任 何應力之後期處理。 溶融狀金屬或金屬合金的噴墨印刷特別適合用來沉積具 有低溶點的低功函數金屬或金屬合金，形成電極只需要一 個沈積步驟。爲了避免可迅速氧化的低功函數金屬氧化， 也可在惰性氣體（像是氮氣或氬氣）中執行噴墨印刷。 以此方式也可提供雙金屬電極，藉由排出包含兩層的金 屬或金屬合金之熔融狀金屬成份即可，當熔融狀金屬沉積 在表面上時，其冷卻相位會將金屬分離而形成雙金屬層。 依照本發明的方法之其他具體實施例是製造包含依照所 要圖樣的金屬或金屬合金的冷光裝置之方法，電極的沉積 包含噴墨印刷一可依照所要圖樣轉換成表面上金屬或金屬 合金的先前墨水，然後將噴墨印刷到表面上的先前墨水轉 -18-
裝 訂
線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 五、發明説明（16 :成金屬或金屬合金’來形成依照所要圖樣的電極之沉積 步驟。 在某些方面内，此方法就是上述溶融狀金屬方法的普遍 化不過，一般而τ先前墨水是液體，而金屬或金屬合金 則可呈現爲比較方便的型態’像是(金屬)膠質溶液、分散 劑、溶液或乳劑。若提供包含高熔點的金屬或金屬合金之 電極層，此方法特別有用。 根據所使用的先前墨水種類，轉換會受到熱、輻射或暴 露在低壓内的影響，並且牽涉到溶劑的去除或(額外的)化 學轉換。 進-步具體實施例是製造包含依照所要圖樣的金屬或金 屬合金的冷光裝置之方法，該方法包含： -依照所要的圖樣或互補圖樣在纟面上噴墨印刷一選擇 層’該選擇層可讓金屬、金屬合金或可獲得金屬或金屬合 金的先前墨水選擇性沉積在表面上； -選擇性藉由先前墨水，依照所要的圖樣選擇性提供金屬 或金屬合金，如此形成金屬或金屬合金電極。 在該方法的一個具體實施例内，選擇層對於金屬、金屬 合金或先前墨水的親和力高於選擇層未覆蓋的表面部分。 在此情況下’選擇層的圖樣會對應到所要的圖樣。這種選 擇層的範例有’可藉由無電電錄選擇性沉積金屬或金屬合 金的作用I。該作用m用來準備這種作用㈣墨水^ 是業界内熟知的。就進一步範例而言，選擇層是可以選擇 性吸收炫融狀金屬或金屬合金或可轉换成這種金屬或金屬 •19- 533446
合金的先前墨水之黏貼居 知的。 貼層、種黏貼層在業界内是眾所周 人的另—具體實施例内，選擇層對於金屬、全屬 墨料齡力低於選擇層未覆蓋的表面部分。 擇芦：有\，選擇層的圖樣是所要的圖樣的互補。這種選 其優點，就是該選擇層並非電極將電荷供應至el 種選擇層的範例有，和金屬或金屬合 至或可轉換成這種金屬或金屬合金的先前成份相容性 的層，這種層在業界内是眾所周知的。—般而t， 蝕劑層這種有機、無機層都適用於此。 几 在牵涉到選擇層的所有具體實施例中，像是沾渴塗佈、 整片塗佈、手術刀、旋轉塗佈、賤鍍塗佈這些簡單無選擇 性塗佈法都可用來沉積電極材料。 雖然上面主要以二極體型（業界内也稱爲發光二極體）冷 光裝置來探討本發明，依照本發明的裝置有可爲任何冷光 裝置。其可爲無機型，但較好是有機型。其可爲單極冷光 裝置，這種裝置是只有一個極性的電荷載子注入足以產生 光線的裝置。其也可以是雙極型，此型需要同時孔與電子 都注入才能產生光線。後者此型包含第5,682,043號美國專 利所公佈不需要不同功函數的電極來發出光線之發光單元 (LEC) ’以及需要高功函數來注入孔的電極和低功函數來 注入電子的電極之發光二極體（LED)。另外也包含電荷注 入電極彼此重疊或相鄰配置的冷光裝置。 經過參考此後所説明的具體實施例之後就可明瞭本發明 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 線 533446 A7 B7 五、發明説明（18 ) -- 的這些以及其他領域。 在圖式内： 圖1以透視圖的方式圖解顯示發光二極體型EL裝置的具 體實施例之截面圖，其中該裝置包含依照本發明的喷黑印 刷電極， 圖2以平面圖的方式圖解顯示El裝置的進一步具體實施 例’其中該裝置包含依照本發明的噴墨印刷電極， 圖3以圖解方式顯示圖2内沿著I-Ι線的截面圖， 圖4以圖解方式顯示依照本發明的被動矩陣e [裝置之具 體實施例截面圖， 圖5以平面圖的方式圖解顯示el裝置的另一具體實施例 ’其中該裝置包含依照本發明的噴墨印刷電極， 圖6以圖解方式顯示圖5内沿著π_π線的截面圖， 圖7以圖解方式顯示依照本發明的區段式el顯示裝置之 具體實施例平面圖，以及 圖8以圖解方式顯示依照本發明的進一步£乙裝置之平面 圖。 圖1以透視圖的方式圖解顯示發光二極體型£[裝置的具 體實施例之截面圖，其中該裝置包含依照本發明的噴墨印 刷電極。 所顯7F的EL裝置1具有一基板2，該基板一般而言對於 E L裝置1所發出的光線是透明的，但這並不是本發明的重 點。使用依照行列與空間圖樣所提供的行電極3就可提供基 板2，行電極3透過電荷運送/注入層5將電荷送至冷光層7r -21 - 本紙張尺度適用千國國豕標平(CNS) A4規格(2i〇 X 297公- 533446 A7 B7
具體實施例平面圖。 EL裝置8 1具有共用電極83，由虛線所圍繞的區域來指示 ，並且噴墨印刷區段89的區段電極層包含用來將電荷^應 給EL裝置81的EL層（未顯示）之金屬或金屬合金。在此將 依照代表數字8的圖樣來提供電極區段89，並且該區段是 獨JL可足址的，因此可利用在共用電極8 3與適當的區段電 極8 9之間供應電壓來顯示數字〇到9。 ％ 圖8以圖解方式顯示依照本發明的進一步el裝置之平 圖。 二 EL裝置1〇1包含一基板1〇2，其上提供用來將電荷供應給 EL裝置的EL層（未顯示）之電極1〇3。該裝置進一步包含一 噴墨印刷電極109，該電極包含依照字母，E，形狀圖樣^提 供的金屬或金屬合金。當合適的電壓供應到電極1〇2與忉3 ，字母Έ’就會亮起。 範例1 ： 一噴墨印刷機配備有噴墨頭，該噴墨頭具有可控制的加 熱咨以及具有噴嘴直徑67 _的單一噴嘴（微調配器頭，型 號MD-K-140H)、墨水匣（型號MD-V_3〇4)、垂直容器和管 路（型號MD-H-715H)以及驅動器電子設備（型號MD_E_ 201H) ’這些全都是Micr〇dr〇p所出品，然後整組機器放置 在溫度4 2 C的環境中並且墨水匣填滿液態鎵。鎵是低熔點 金屬，熔點大約3 0 °C，並且具有大約4·2 eV的低功函數。 噴嘴會噴出直徑90 μιη的鎵。因爲熔融狀鎵的流速非常低， 只有幾c Ρ，所以噴嘴提供有4〇 _的阻尼節流。在噴嘴之 -25- 本紙張尺度適财g g家標準(CNS) 格(21G χ 297公爱) ------- 533446 A7 B7 五、發明説明（23 ) -- 下將建立氮氣氣流，以避免噴出的熔融狀金屬滴遭到氧化。 一驗石灰玻璃基板放置在可拆除的χγ桌上並且將噴墨頭 定位在基板上，桌子與基板都處於室溫狀態（大約2yc)。 當以速度2 0 mm/ s移動X Y桌子並且以75 Hz的滴落頻率排 出溶融狀嫁的墨滴，如此在基板表面上會印出連續的金屬 線，如此就可形成低功函數金屬的圖樣噴墨印刷電極。在 燦融狀金屬凝固之後，將獲得寬度1 i Ο μπι的G a金屬線，這 適合用來當成EL裝置内的電極。該電極具有最厚大約7〇 , 的橫輪廓，將跟著噴墨頭路徑的電極最大厚度點連接起來 就可獲得該輪廓，該輪廓顯示出具有最低7〇 ,最高9〇啤 的波動，最厚的地方就是在噴墨期間墨滴撞擊到基板的地 方。在垂直於線路方面内的橫輪廓具有凸出的形狀，尤其 是，其具有液體滴在基板上的截面形狀。 若用300 Hz滴落頻率重複此實驗，將會獲得寬度大約185 μιη並且最大橫輪廓厚度大約45 μιη的連續鎵金屬線。將跟著 噴墨頭路徑的電極最大厚度點連接起來就可獲得該輪廓， 該輪廓顯示出具有最低45 μιη最高66 μιη的波動，最厚的地 方就是在噴墨期間墨滴撞擊到基板的地方。藉由選擇75與 300 Hz之間適合的滴落頻率，如此就可獲得寬度介於11〇 μιη 到185 μιη之間的線條。 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ 297公釐）
Claims (1)
- 爭文申j 5335^。邊择“申請案 Ί替換本(92年1月） 申請專利範圍 種冷光裝置’其包含用於將電荷供應給冷光裝置冷光 層的圖樣式噴墨印刷電極，該電極包含一金屬或一金屬 合金。 2 . 6. 8. 9. 一種冷光裝置，其包含用於將電荷供應給一冷光層的圖 ，電極，該電極包含一金屬或一金屬合金並且具有最大 厚度至少5 μηι的橫截面輪廓。 如申凊專利範圍第丨或2項之冷光裝置，其中該金屬或金 屬合金具有2 5 0 °C或以下的熔點。 如申請專利範圍第_項之冷光裝置，其中該電極是用 於將電子供應到該冷光層的電極。 如申請專利範圍第4項之冷光裝置，其中該電極具有45 eV或以下的功函數。 如申請專利範圍第丨或2項之冷光裝置，進一步包含一用 於繪製圖樣式噴墨印刷電極的浮凸圖樣。 如申請專利範圍第1或2項之冷光裝置，其中該裝置 =矩陣顯示裝置，包含_或多夾在列電極與行電極之 曰巧的冷光|、形&於列電極以及行電極《又點上立 可疋址冷光兀件’其中行電極為包含一金屬或 二入 的圖樣式噴墨印刷電極。 。至 一種電池運作及/或手持式電子裝置，如行動電話，並且 =冷光裝置，該冷光裝置包含用於將電荷供應給^光、 裝置冷光層的圖樣式喷墨印刷電極，該 ^ 或-金屬合金。 -極包含-金屬 —種電池運作及/或手持式電子裝置，如， 勒電話，其具 X 297公釐） ϋ張尺度標準(CNS) A4規格(210 533446申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 有一冷光裝置，包含用於將電荷供應給一冷光層的圖樣 電極，該電極包含一金屬或一金屬合金並且具有最大厚 度至少5 μΠΙ的橫截面輪靡。 1 0 種製造包含依照所要圖樣提供的金屬或金屬合金電極 之冷光裝置之方法’該方法包含藉由一或多沉積步驟， 依照所要圖樣在基板表面上沉積金屬或金屬合金電極， 該沉積包含依照所要圖樣或互補圖樣的噴墨印刷之沉積 步騾。 i i •一種製造之包含依照所要圖樣提供金屬或金屬合金之冷 光裝置之方法，該方法包含依照所要的圖樣在表面上沉 積喷墨印刷溶化金屬或金屬合金（讓噴墨印刷到表面的溶 融狀金屬或金屬合金冷卻）來形成金屬或金屬合金電極之 步驟。 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI407474B (zh) * | 2005-01-10 | 2013-09-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | 陶瓷冷光轉換器及包含該轉換器之照明系統 |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4627897B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2011-02-09 | スタンレー電気株式会社 | 有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| JP2003017248A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電界発光素子 |
| WO2003004571A2 (de) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Nanogate Technologies Gmbh | Partikuläre beschichtung |
| JP2003123968A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Univ Toyama | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2005514729A (ja) * | 2001-12-20 | 2005-05-19 | アド−ビジョン・インコーポレイテッド | 有機発光デバイスのためのスクリーン印刷可能な電極 |
| KR100875097B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자 |
| US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
| JP2004207142A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
| WO2004066408A1 (de) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Metallische schicht eines elektronischen bauelements und herstellungsverfahren dazu |
| JP2006515716A (ja) * | 2003-01-21 | 2006-06-01 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電子素子のための封止体及び前記封止体の製造方法 |
| WO2004066332A2 (de) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kathode für ein organisches elektronikbauteil |
| KR101115291B1 (ko) | 2003-04-25 | 2012-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액적 토출 장치, 패턴의 형성 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| GB0320491D0 (en) * | 2003-09-02 | 2003-10-01 | Plastic Logic Ltd | Multi-level patterning |
| JP4887602B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2012-02-29 | 大日本印刷株式会社 | 有機機能素子の製造方法 |
| US7273773B2 (en) * | 2004-01-26 | 2007-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing thereof, and television device |
| US7462514B2 (en) | 2004-03-03 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
| DE102004013449B3 (de) * | 2004-03-11 | 2005-12-29 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | OLED-Display mit Elektroden hoher Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7615488B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television device |
| US7642038B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus |
| JP2005277340A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機デバイスの電極の製造方法 |
| CN1947478A (zh) * | 2004-03-31 | 2007-04-11 | 日本瑞翁株式会社 | 电路基板、电路基板的制造方法及具有电路基板的显示装置 |
| JP4606767B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2011-01-05 | 共同印刷株式会社 | 表示装置用素子基板の製造方法 |
| JP2005317229A (ja) | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器 |
| US8158517B2 (en) * | 2004-06-28 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device |
| JP4544937B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-09-15 | 大日本印刷株式会社 | 有機機能素子、有機ｅｌ素子、有機半導体素子、有機ｔｆｔ素子およびそれらの製造方法 |
| WO2006030719A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP4803478B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-10-26 | 大日本印刷株式会社 | Ｇａ系合金及びこれを用いた有機機能素子 |
| JP2011202277A (ja) * | 2004-10-20 | 2011-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｇａ系合金及びこれを用いた有機機能素子 |
| JP4238822B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2009-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成基板、電気光学装置、パターン形成基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
| US8334464B2 (en) * | 2005-01-14 | 2012-12-18 | Cabot Corporation | Optimized multi-layer printing of electronics and displays |
| WO2006076612A2 (en) | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | A process for manufacturing application specific printable circuits (aspc’s) and other custom electronic devices |
| US8383014B2 (en) | 2010-06-15 | 2013-02-26 | Cabot Corporation | Metal nanoparticle compositions |
| US7824466B2 (en) | 2005-01-14 | 2010-11-02 | Cabot Corporation | Production of metal nanoparticles |
| WO2006076609A2 (en) | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same |
| EP1701395B1 (de) * | 2005-03-11 | 2012-09-12 | Novaled AG | Transparentes lichtemittierendes Bauelement |
| KR100647325B1 (ko) * | 2005-04-21 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 저면발광형 유기발광소자 |
| US7645177B2 (en) * | 2005-05-07 | 2010-01-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electroluminescent panel with inkjet-printed electrode regions |
| KR100747299B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2007-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 듀얼형 전계 발광 패널과 그가 내장된 듀얼형 전계 발광표시 장치 |
| CN101030536B (zh) | 2006-03-02 | 2010-06-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 电路图案、薄膜晶体管及电子设备的制造方法 |
| US20090015156A1 (en) * | 2006-03-09 | 2009-01-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting elements with segmented electrodes |
| EP1895608A3 (de) | 2006-09-04 | 2011-01-05 | Novaled AG | Organisches lichtemittierendes Bauteil und Verfahren zum Herstellen |
| TW201005813A (en) | 2008-05-15 | 2010-02-01 | Du Pont | Process for forming an electroactive layer |
| TW201039382A (en) | 2009-03-06 | 2010-11-01 | Du Pont | Process for forming an electroactive layer |
| JP5701782B2 (ja) | 2009-03-09 | 2015-04-15 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ | 電気活性層の形成方法 |
| WO2010104852A2 (en) | 2009-03-09 | 2010-09-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for forming an electroactive layer |
| JP2010062161A (ja) * | 2009-12-14 | 2010-03-18 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置及び電子機器 |
| NL2015982B1 (en) * | 2015-12-17 | 2017-07-05 | Cati B V | An electro-optical assembly. |
| JP6739729B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2020-08-12 | 株式会社Flosfia | 光電変換素子の製造方法 |
| CN107546326A (zh) * | 2016-06-24 | 2018-01-05 | 云南科威液态金属谷研发有限公司 | 低熔点金属电极型钙钛矿太阳能电池 |
| CN107046047A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-08-15 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 印刷型电致发光器件的像素单元及其制备方法和应用 |
| CN111129361B (zh) * | 2019-12-26 | 2021-04-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板制造方法以及显示面板 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265756A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス |
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US5608287A (en) * | 1995-02-23 | 1997-03-04 | Eastman Kodak Company | Conductive electron injector for light-emitting diodes |
| US5753381A (en) * | 1995-12-22 | 1998-05-19 | Add Vision Inc | Electroluminescent filament |
| DE69719136T2 (de) * | 1996-04-25 | 2003-10-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Organische elektrolumineszente vorrichtung |
| US5856029A (en) * | 1996-05-30 | 1999-01-05 | E.L. Specialists, Inc. | Electroluminescent system in monolithic structure |
| US6002206A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-14 | Cambridge Display Technology Limited | Organic EL devices and operation thereof |
| US6013982A (en) * | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
| US5846666A (en) * | 1997-02-27 | 1998-12-08 | Xerox Corporation | Electroluminescent devices |
| US6087196A (en) * | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
| EP0989534B1 (en) * | 1998-03-12 | 2005-05-11 | Seiko Epson Corporation | Active matrix light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP3088102B1 (ja) * | 1998-05-01 | 2000-09-18 | キヤノン株式会社 | 電子源及び画像形成装置の製造方法 |
| US6140759A (en) * | 1998-07-17 | 2000-10-31 | Sarnoff Corporation | Embossed plasma display back panel |
| JP3622598B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2005-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 不揮発性メモリ素子の製造方法 |
| WO2001093346A2 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High brightness and low voltage operated leds based on inorganic salts as emitters and conductive materials as cathodic contacts |
| US6414543B1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-07-02 | Precision Dynamics Corporation | Rectifying charge storage element |
| US6551725B2 (en) * | 2001-02-28 | 2003-04-22 | Eastman Kodak Company | Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices |
| JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
| US6596438B2 (en) * | 2001-06-13 | 2003-07-22 | The Gillette Company | Alkaline cell with improved cathode |
-
2001
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