CN102770980B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents
发光装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102770980B CN102770980B CN201180010703.7A CN201180010703A CN102770980B CN 102770980 B CN102770980 B CN 102770980B CN 201180010703 A CN201180010703 A CN 201180010703A CN 102770980 B CN102770980 B CN 102770980B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- next door
- electrode
- resistive layer
- supporting substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 230000009194 climbing Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 32
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 32
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 26
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 17
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 202
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 84
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 84
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- -1 luminous efficiency Substances 0.000 description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 9
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 6
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 6
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 5
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical class C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWVGAEQMWFGWDX-UHFFFAOYSA-N acetylene;thiophene Chemical group C#C.C=1C=CSC=1 TWVGAEQMWFGWDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical class CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000183 1,3-benzoxazoles Chemical class 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- CAWXEEYDBZRFPE-UHFFFAOYSA-N Hexazinone Chemical compound O=C1N(C)C(N(C)C)=NC(=O)N1C1CCCCC1 CAWXEEYDBZRFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical compound [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYPOHTVBFVELTG-UHFFFAOYSA-N but-2-enedinitrile Chemical group N#CC=CC#N KYPOHTVBFVELTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940032007 methylethyl ketone Drugs 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910000832 white gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010938 white gold Substances 0.000 description 1
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种具有能够防止漏电流发生的有机EL元件(22)的发光装置(21)。发光装置(21)具备:支承基板(11);在支承基板上划分多个有机EL元件的隔壁(17);在作为隔壁彼此之间的凹部(18)所设置的多个有机EL元件,其中,各有机EL元件将第一电极(12)、由涂布法形成的第一电阻层(13)、比第一电阻层的电阻高的第二电阻层(14)、发光层(15)、第二电极(16)以第一电极靠近支承基板的方式顺次配置地构成,第一电阻层具有沿隔壁的表面并顺着远离支承基板的方向爬升的爬升部(13a),第二电阻层按照从经由隔壁而相邻的一方的有机EL元件跨越到另一方的有机EL元件的方式被连续设置。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
显示装置中有液晶显示装置和等离子体显示装置等种种。作为其中之一,将有机电致发光元件(organic electroluminescent element)(以下,称为有机EL元件)用于像素的光源的显示装置目前正在得到实用化。
就该显示装置而言,具有在基板上所排列的多个有机EL元件。在基板上,用于划分有机EL元件的隔壁被配置成棋盘格状或条纹状。各有机EL元件被设于由基板和隔壁所划分的区域中。例如在支承基板上多个隔壁设为条纹状时,多个有机EL元件各自分别排列在多个隔壁彼此之间(有称为凹部的情况),在隔壁彼此之间所分别排列、且多个的有机EL元件各自沿着隔壁延长的方向空出既定的间隔排列。换言之,就是多个有机EL元件排列成矩阵状。另外,例如在支承基板上设有棋盘格状的隔壁时,各有机EL元件分别排列在由棋盘格状的隔壁所划分成大体矩形状的区域中。
参照图3,对于现有的发光装置的构成进行说明。图3是模式化地表示具有多个有机EL元件的发光装置的图。
有机EL元件按照含有一对电极,和设于该电极间的多个既定的层的方式构成。有机EL元件中作为既定的层至少具备1层发光层。还有如图3所示,有机EL元件按照将阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、阴极6在支承基板1上以阳极2靠近支承基板1的方式顺次层叠而构成。
上述的既定的层能够由涂布法形成。例如空穴注入层3,能够通过将含有构成该空穴注入层的材料的墨水,供给到由隔壁7划分的区域(凹部),再使之固化而形成。若如此通过涂布法形成空穴注入层3,则所供给的墨水以润湿扩展到隔壁7侧面的状态固化。即如图3所示,在设于凹部内的空穴注入层3的外周边部,形成有沿着隔壁7的侧面并顺着远离支承基板1的方向上爬升的爬升部3a。若在具有这样的爬升部3a的空穴注入层3上,依次形成空穴传输层4、发光层5、阴极6,则爬升部3a和阴极6被物理性地连接。
作为空穴注入层3目前多被采用的材料,电阻比较低。因此,若爬升部3a和阴极6被物理性地连接,则经由爬升部3a而阴极6和阳极2被电连接,结果是发生漏电流。用于防止这样的漏电流发生的对策受到研究(例如参照专利文献1)。然而,该对策未必称得上实用,期望其有所改良。
【先行技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】特开2008-192311号公报
发明内容
因此本发明的目的在于,提供一种具备可以防止漏电流发生的有机EL元件的发光装置。
本发明提供下述的[1]~[4]。
[1]一种发光装置,其具备:支承基板;在支承基板上划分多个有机电致发光元件的隔壁;在作为隔壁彼此之间的凹部所设置的多个有机电致发光元件,其中,
各有机电致发光元件其构成为,将第一电极、第一电阻层、电阻比第一电阻层高的第二电阻层、发光层、第二电极按照第一电极靠近支承基板的方式顺次配置,
第一电阻层具有:沿着隔壁的表面并顺着远离支承基板的方向爬升的爬升部,
第二电阻层按照从经由隔壁而相邻的一方有机电致发光元件跨越到另一方有机电致发光元件的方式被连续设置。
[2]一种发光装置的制造方法,该发光装置具备:支承基板;在支承基板上划分多个有机电致发光元件的隔壁;在作为隔壁彼此之间的凹部所设置的多个有机电致发光元件,并且有机电致发光元件其构成为,将第一电极、第一电阻层、电阻比第一电阻层高的第二电阻层、发光层、第二电极按照第一电极靠近支承基板的方式顺次配置,在所述发光装置的制造方法中,包括如下工序:
准备设置有隔壁和第一电极的支承基板的工序;
将含有构成第一电阻层的材料的墨水供给到凹部,使墨水固化而形成第一电阻层的工序;
遍及多个有机电致发光元件应该形成的整个区域,以墨水连续的方式,将含有构成第二电阻层的材料的墨水供给到所述整个区域,且使之固化而形成第二电阻层的工序;
形成发光层的工序;
形成第二电极的工序。
[3]根据[2]所述的发光装置的制造方法,其中,形成第一电阻层的工序,通过喷印法实施。
根据本发明,能够得到具备可抑制漏电流发生的有机EL元件的发光装置。
附图说明
图1是模式化地表示发光装置的剖面图。
图2是模式化地表示发光装置的平面图。
图3是模式化地表示现有的发光装置的剖面图。
具体实施方式
本发明的实施方式的发光装置,具备:支承基板;在支承基板上划分多个有机EL元件的隔壁;在作为隔壁彼此之间的凹部所设置的多个有机EL元件,并且各有机EL元件按照将第一电极、第一电阻层、比该第一电阻层的电阻高的第二电阻层、发光层、第二电极以使第一电极靠近支承基板的方式顺次配置,第一电阻层具有沿着隔壁的表面并顺着远离支承基板的方向爬升的爬升部,第二电阻层从经由隔壁而相邻的一方有机EL元件跨越到另一方有机EL元件,以此方式被连续设置。
发光装置例如被作为显示装置利用。显示装置中主要有有源矩阵驱动型的装置和无源矩阵驱动型的装置。本发明可以适用于双方类型的显示装置,但在本实施方式中,作为一例对于适用于有源矩阵驱动型的显示装置的发光装置进行说明。
<发光装置的构成>
首先,参照图1和图2,对于本实施方式的发光装置的构成进行说明。还有在以下的说明中,各图不过是在发明能够理解的程度上概略性地表示其构成要素的形状、大小和配置,本发明并不特别受其限定。另外在各图中,对于同样的构成成分附加相同的符号表示,有省略其重复的说明的情况。
图1是模式化地表示发光装置的剖面图。图2是模式化地表示发光装置的平面图。发光装置21,其构成主要含有如下:支承基板11、形成于该支承基板11上的多个有机EL元件22、在支承基板11上划分多个有机EL元件22的隔壁17。
隔壁17按照用于在支承基板11上划分多个有机EL元件22的方式设置。隔壁17形成为例如棋盘格状或条纹状。在本实施方式中,隔壁17设为条纹状。即沿行方向X延长的多个隔壁17,在列方向Y上空出既定的间隔而设于支承基板11上。在本实施方式中,行方向X和列方向Y相互直交,并且行方向X和列方向Y分别是相对于支承基板11的厚度方向Z而直交的方向。以下,由列方向Y上相邻的一对隔壁17和支承基板11规定、且在行方向上延长的凹陷为凹部18。在支承基板11上,规定有多个凹部18。凹部18分别对应既定的行。
还有在本实施方式中,绝缘膜19设于支承基板11和隔壁17之间。该绝缘膜19例如是为了确保在行方向X或列方向Y上相邻的有机EL元件22彼此之间的电绝缘而设置的。绝缘膜19其构成为,形成为棋盘格状,沿行方向X延长的多个带状的部分、和沿列方向延长的多个带状的部分被一体地形成。
绝缘膜19的开口孔径19a,从支承基板11的厚度方向的一方看(以下,有称为“俯视”的情况。),形成在与有机EL元件重叠的位置。
绝缘膜19的开口孔径19a在俯视下例如形成为近矩形、卵圆形(ovalgold)、近圆形和近椭圆形等形状。棋盘格状的绝缘膜19在俯视下主要在除了后述的第一电极12以外的区域形成、且其一部分覆盖第一电极12的周边而形成。另外前述的多个隔壁17被设置在构成绝缘膜的一部分的、沿行方向X延长的多条带状的部分上。
在本实施方式中,多个有机EL元件22被设置于在列方向Y上相邻的隔壁17彼此之间(即凹部18)、且在隔壁17彼此之间分别沿行方向X空出既定的间隔而配置。即在本实施方式中,多个有机EL元件22在支承基板11上排列成矩阵状。多个有机EL元件22分别在行方向X上空出既定的间隔、且在列方向Y上空出既定的间隔而排列。还有各有机EL元件22不需要物理性地分离,以能够个别驱动的方式电绝缘即可。因此构成有机EL元件22的一部分层(后述的电极、空穴注入层)也可以与其他的有机EL元件22物理性地相连。
有机EL元件22具备:由第一电极12和第二电极16构成的一对电极、和在该电极间所设置的发光层15。
由第一电极12和第二电极16构成的一对电极由阳极和阴极构成。即第一电极12和第二电极16的一方被作为阳极设置、而另一方被作为阴极设置。另外第一电极12和第二电极16之中的第一电极12靠近支承基板11配置,第二电极16比第一电极12远离支承基板11配置。
有机EL元件22不限于一层发光层15,也可以具备多个发光层。另外在一对电极间,不限于发光层15而根据需要设有既定的层。例如在阳极和发光层15之间设有空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层等,在发光层15和阴极之间设有空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等。
本实施方式的有机EL元件22,在第一电极12和发光层15之间具备:通过涂布法形成的低电阻层(有称为第一电阻层的情况。)13、和比该低电阻层13电阻高的高电阻层(有称为第二电阻层的情况。)14。还有,在第一电极12和低电阻层13之间、在高电阻层14和发光层15之间、和在发光层15和第二电极16之间,根据需要设有既定的层。
以下,作为实施的一个方式,对于作为阳极起作用的第一电极12、作为空穴注入层起作用的低电阻层13、作为空穴传输层起作用的高电阻层14、发光层15、作为阴极起作用的第二电极16,以第一电极12靠近支承基板11的方式被顺次层叠而构成的有机EL元件22进行说明。
本实施方式的发光装置21是有源矩阵驱动型的装置。因此,第一电极12在每个有机EL元件22上被单独设置。即,与有机EL元件22的数量为同数量的第一电极12被设于支承基板11上。第一电极12例如为板状、且被形成为在俯视下大致矩形。第一电极12对应于在支承基板11上设有各有机EL元件22的位置而设为矩阵状。多个第一电极12在行方向X上空出既定的间隔、且在列方向Y上空出既定的间隔而配置。
即,第一电极12在俯视下被设置于在列方向Y上相邻的隔壁17彼此之间、且在各隔壁17彼此之间沿行方向X空出既定的间隔而配置。
如前述,棋盘格状的绝缘膜19在俯视下被主要形成于除去第一电极12以外的区域、且其一部分覆盖第一电极12的周边形成。即在绝缘膜19上,形成有使第一电极12的一部分露出的开口孔径19a。经由该开口孔径19a,第一电极12的表面的一部分从绝缘膜19露出。
就低电阻层13而言,在由隔壁17所夹的区域沿行方向X延长配置。即低电阻层13在由列方向Y上相邻的隔壁17所规定的凹部18中被形成为带状。低电阻层13以在行方向X上相邻的有机EL元件22之间跨越的方式连续形成。
低电阻层13具有沿着隔壁17的表面并顺着远离支承基板11的方向爬升的爬升部13a。在本实施方式中,条纹状的隔壁17设于支承基板11上,因此低电阻层13的列方向Y的两方的外周边部与隔壁17接触,在该列方向Y的两方的外周边部形成爬升部13a。还有在本实施方式中,仅在低电阻层13的列方向Y的两方的外周边部形成爬升部13a,但在例如设有棋盘格状的隔壁、且各有机EL元件被隔壁个别划分时,因为低电阻层的外周边部全部与隔壁接触,所以低电阻层在全部外周边部具有爬升部。
就高电阻层14而言,按照从经由隔壁17而相邻的一方有机EL元件22跨越到另一方有机EL元件22的方式连续设置。换言之,高电阻层14被形成至使一方有机EL元件22和另一方有机EL元件22分离的隔壁17上。即,高电阻层14遍及低电阻层13的表面上、及隔壁17的表面之中的从低电阻层13露出的面上被全面地一体地连续形成。通过如此至隔壁17上为止设置高电阻层14,低电阻层13的爬升部13a被高电阻层14覆盖。因此,能够使在高电阻层14之后所形成的第二电极(阴极)16与低电阻层13隔离开,防止其物理性地连接。
就高电阻层14的电阻而言,即电阻率至少比低电阻层13的电阻率高即可。优选高电阻层14的电阻率例如是低电阻层13的电阻率的10倍以上,更优选为100倍以上。还有,高电阻层14的电阻率的上限,考虑该高电阻层14的膜厚和有机EL元件22的特性等而被适宜设定。
就发光层15而言,在隔壁17之间所夹的区域沿行方向X延长而配置。即发光层15在由列方向Y上相邻的隔壁17之间所规定的凹部18中被形成为带状,且以跨越行方向X上相邻的多个有机EL元件22的方式连续形成。
彩色显示装置的情况下,放出红色、绿色和蓝色任意一种光的3种有机EL元件22被设于支承基板11上。彩色显示装置能够通过将例如以下的(I)、(II)、(III)的行顺次沿列方向Y反复排列而实现。
(I)放出红色光的多个有机EL元件22R以空出既定的间隔的方式排列的行
(II)放出绿色光的多个有机EL元件22G以空出既定的间隔的方式排列的行
(III)放出蓝色光的多个有机EL元件22B以空出既定的间隔的方式排列的行
如此形成发光色不同的多种有机EL元件时,按发光色不同的有机EL元件的种类设有发光色不同的发光层。在本实施方式中,将分别设有3种发光层15R、15G、15B的以下的(i)、(ii)、(iii)的行,顺次沿列方向Y反复排列。
(i)设有放出红色光的发光层15R的行
(ii)设有放出绿色光的发光层15G的行
(iii)设有放出蓝色光的发光层15B的行这3种行
即,沿行方向X延长的带状的发光层15R、发光层15G、发光层15B,按照分别在列方向Y上空出2行的间隔的方式依次层叠在高电阻层14上。
第二电极16设于发光层15上。还有在本实施方式中,第二电极16跨越多个有机EL元件22而连续形成,作为在多个有机EL元件22上共通的电极被设置。第二电极16不仅在发光层15上形成,也在隔壁17上形成,以发光层15上的电极和隔壁17上的电极相连接的方式全面地形成。
<发光装置的制造方法>
接着,对于发光装置的制造方法进行说明。
(准备设置有隔壁和第一电极的支承基板的工序)
首先,准备支承基板11。在有源矩阵驱动型的显示装置时,作为该支承基板11,能够使用预先形成有用于个别驱动多个有机EL元件的电路的基板。例如,能够使用预先形成有TFT(薄膜晶体管Thin Film Transistor)的基板作为支承基板。
其次,在所准备的支承基板11上矩阵状地形成多个第一电极12。就第一电极12的形成而言,例如将导电性薄膜形成于支承基板11上的一面,运用光刻法(在以下的说明中,“光刻法”中,包括继掩模图案的形成工序后进行的蚀刻工序等的图案形成工序)对其进行图案化而成为矩阵状。另外,例如也可以将在既定的部位形成有开口孔径的掩模配置在支承基板11上,经由该掩模在支承基板11上的既定的部位选择性地使导电性材料堆积,由此对第一电极12进行图案化形成。关于第一电极12的材料后述。还有在本工序中,也可以准备预先形成有第一电极12的基板作为支承基板11。
其次在本实施方式,在支承基板11上形成条纹状的隔壁17。隔壁17由有机物或无机物构成。作为构成隔壁17的有机物的例子,能够列举丙烯酸树脂、酚醛树脂和聚酰亚胺树脂等的树脂。另外,作为构成隔壁17的无机物的例子,能够列举SiOx,SiNx等。
由有机物构成的隔壁17形成时,首先例如全面地涂布正片型或负片型的感光性树脂,使既定的部位曝光、显影。再通过使之固化而形成条纹状的隔壁17。还有,作为感光性树脂能够使用光致抗蚀剂。另外,由无机物构成的隔壁17形成时,通过等离子体CVD法、溅射法等全面地形成由无机物构成的薄膜。接着,通过去除薄膜之中既定的部位而形成条纹状的隔壁17。既定的部位的去除例如通过光刻法进行。
还有,在制造具有棋盘格状的绝缘膜19的发光装置21时,在形成隔壁17的工序之前形成绝缘膜19。绝缘膜19例如能够使用作为隔壁17的材料而例示的材料,通过与形成隔壁17同样的方法形成为棋盘格状。
隔壁17的形状及其配置,根据像素数和分辨率等的显示装置的规格、制造的容易程度等而适宜设定。
例如隔壁17的列方向Y的宽度L1为5μm~50μm左右。隔壁17的高度L2为0.5μm~5μm左右。列方向Y上相邻的隔壁17间的间隔L3、即凹部18的列方向Y的宽度L3为10μm~200μm左右。另外,第一电极12的行方向X和列方向Y的宽度分别为10μm~400μm左右。
(形成低电阻层的工序)
在本工序中,将含有构成低电阻层13的材料的墨水供给到隔壁17彼此之间,使其固化而形成低电阻层13。在本实施方式中,为了形成作为空穴注入层起作用的低电阻层13,将含有构成空穴注入层的材料的墨水供给到隔壁17彼此之间,使其固化而形成低电阻层13。
作为向隔壁17彼此间供给墨水的方法,只要是可以向隔壁17之间选择性地供给墨水的涂布法,哪种方法都可以。作为这样的方法,能够列举既定的印刷法、喷印法、喷墨法、苯胺印刷法等。
如本实施方式这样,向作为条纹状的隔壁17彼此之间的凹部18供给墨水时,优选喷印法和苯胺印刷法等既定的印刷法,更优选喷印法。
在喷印法中一笔画向各行(凹部18)供给墨水。即,从在支承基板11的上方所配置的喷嘴吐出液柱状的墨水,以此状态一边使喷嘴沿行方向X来回移动,一边在喷嘴的来回移动的折返时,使支承基板11沿列方向Y移动1行的量,由此向各行供给墨水。还有,并不限于如本实施方式这样依次向各行供给墨水的方法,也可以空出既定的行间隔来供给墨水。这种情况下,墨水分为多次被供给到全部的行。
就低电阻层13而言,是通过使供给到隔壁17彼此之间的、即供给到凹部18的墨水固化而形成。墨水的固化例如能够通过除去溶剂来进行。溶剂的除去,能够通过自然干燥、加热干燥和真空干燥等进行。另外,所使用的墨水含有因施加光、热等的能量而发生聚合的材料时,也可以在供给墨水之后,通过施加光、热等的能量而使低电阻层13固化。
若供给到由隔壁17划分的区域的墨水,以在隔壁17的侧面润湿扩展的状态固化,则如图3所示,沿着隔壁17的侧面并顺着远离支承基板11的方向爬升的爬升部13a,在低电阻层13的外周边部形成。
(形成高电阻层的工序)
在本工序中,首先,遍及应该形成多个有机EL元件22的整个区域(例如露出面的整个面)而使墨水遍布,如此将含有构成高电阻层14的材料的墨水供给到所述整个区域。作为如此向所述整个区域供给墨水的方法,能够列举旋涂法、狭缝涂布法,CAP涂布法等。还有,高电阻层14并不限于涂布法,也可以通过蒸镀法、溅射法等的既定的干式法形成。
就高电阻层14而言,通过使供给到隔壁17彼此之间的墨水固化而形成。墨水的固化例如能够通过去除溶剂来进行。溶剂的去除,能够通过自然干燥、加热干燥和真空干燥等进行。另外,所使用的墨水含有通过施加光、热等的能量而发生聚合的材料时,也可以在供给墨水之后,通过施加光、热等的能量而使之固化来形成高电阻层14。
通过如此将墨水涂布在整个区域,再使之固化,高电阻层按照从经由隔壁而相邻的一方的有机EL元件跨越到另一方的有机EL元件的方式连续形成。
(形成发光层的工序)
接着形成发光层15。如前述,在制作彩色显示装置时,为了制作3种有机EL元件22,需要按行分开涂布发光层15的材料。例如按行形成3种发光层15时,需要将含有放出红色光的材料的红墨水、含有放出绿色光的材料的绿墨水、含有放出蓝色光的材料的蓝墨水,分别沿列方向Y空出2列的间隔地涂布。然后,通过将红墨水、绿墨水、蓝墨水依次涂布在既定的行,能够涂布成膜各发光层15(15R、15G、15B)。作为将红墨水、绿墨水、蓝墨水依次涂布在既定的行的方法,可列举印刷法、喷墨法、喷印法等的既定的涂布法。例如在喷印法中,能够根据与前述的形成低电阻层13同样的方法涂布墨水。
例如能够从在支承基板11的上方所配置的喷嘴吐出液柱状的红墨水,以此状态一边使喷嘴沿行方向X来回移动,一边在喷嘴的来回移动的折返时,使支承基板11沿列方向Y移动3行的量,由此按2行供给红墨水。绿墨水,蓝墨水的供给方法,也能够与红墨水的供给方法同样地进行。
就发光层15而言,通过供给到隔壁17彼此之间的墨水固化而形成。墨水的固化例如能够通过去除溶剂来进行。溶剂的去除,能够通过自然干燥、加热干燥和真空干燥等进行。另外,所使用的墨水含有通过施加光、热等的能量而发生聚合的材料时,也可以在供给墨水之后通过施加光、热等的能量使之固化而形成发光层15。
在形成发光层15后,根据需要通过既定的方法形成既定的有机层、无机层等。其可以采用印刷法、喷墨法、喷印法等的既定的涂布法形成,此外也可以采用蒸镀法、溅射法等的既定的干式法形成。
(形成第二电极的工序)
接着形成第二电极16。如前述在本实施方式中,将第二电极16形成于支承基板11上的整个面(露出面的整个面)。通过形成第二电极16,多个有机EL元件22被形成于支承基板11上。
在以上说明的发光装置21中,低电阻层13的爬升部13a,被电阻率比该低电阻层13高的高电阻层14覆盖。因此,能够防止低电阻层13和第二电极16物理性地连接。在现有的发光装置中,容易发生沿着隔壁的侧面流动的漏电流。然而在本实施方式的有机EL元件22(发光装置21)中,因为高电阻层14介于低电阻层13和第二电极16之间,所以能够防止沿着隔壁17的侧面流动的漏电流。
<有机EL元件的构成>
如前述有机EL元件22能够采用种种层结构,以下,对于有机EL元件22的层构造、各层的构成和各层的形成方法更详细地进行说明。
如前述,有机EL元件22按照含有一对电极和在该电极间所设置的一个或多个有机层的方式构成,作为一个或多个有机层,至少具有一层发光层15。还有,也可以有机EL元件22包括含有无机物和有机物的层以及无机层等。作为构成有机层的有机物,低分子化合物或高分子化合物均可,另外,也可以是低分子化合物和高分子化合物的混合物。有机层优选含有高分子化合物,优选含有聚苯乙烯换算的数均分子量为103~108的高分子化合物。
作为设于阴极和发光层15之间的层,能够列举电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等。在阴极和发光层15之间设置电子注入层和电子传输层这两方的层时,将靠近阴极的层称为电子注入层,靠近发光层15的层称为电子传输层。作为在阳极和发光层15之间所设置的层,能够列举空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等。设有空穴注入层和空穴传输层这两方的层时,靠近阳极的层称为空穴注入层,靠近发光层15的层称为空穴传输层。
以下示出有机EL元件22的元件构成的一例。
a)阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
b)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
c)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极
d)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极
e)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
f)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
g)阳极/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
在此,标记“/”表示夹隔标记“/”的各层邻接而层叠。下同。
此外,有机EL元件也可以具有2层以上的发光层,另外,也可以构成:具有2层以上的发光层、且使发生电荷的电荷发生层介于发光层间的所谓多光子型的元件。
有机EL元件由用于包封的包封膜或包封板等的包封构件进一步覆盖也可。
关于层叠的层的顺序、层数和各层的厚度,能够考虑发光效率、元件寿命而适宜设定。就有机EL元件22而言,在阳极和阴极之中,也可以使阳极靠近支承基板11配置,并且使阴极配置在远离支承基板的位置,另外也可以相反,使阴极靠近支承基板11配置,使阳极配置在远离支承基板11的位置。例如在上述c)~f)的构成,可以将第一电极12作为阳极,从更左侧所示的层按顺序在支承基板11上层叠各层,反之,在a)、b)、f)、g)的构成中,也可以将第一电极12作为阴极,从更右侧所示的层按顺序在支承基板11上层叠各层。
接下来,对于构成有机EL元件22的各层的材料和形成方法更具体地进行说明。
<阳极>
从发光层15放出的光通过阳极而出射的这一构成的有机EL元件的情况,阳极使用的是示出透光性的电极。作为示出透光性的电极,能够使用电导率高的金属氧化物、金属硫化物和金属等的薄膜,优选使用光透射率高的材料。作为示出透光性的电极的例子,具体来说,可使用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、金、白金、银和铜等构成的薄膜,其中优选使用由ITO、IZO或氧化锡构成的薄膜。作为阳极的制作方法,能够列举真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀覆法等。另外作为阳极,也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等的有机的透明导电膜。
还有,从发光层15放出的光通过阴极而出射的构成的有机EL元件22的情况,阳极可以使用使光反射的材料,作为使光反射的材料,优选逸出功3.0eV以上的金属、金属氧化物、金属硫化物。
阳极的膜厚,能够考虑光的透射性和电阻等而适宜选择。阳极的膜厚例如为10nm~10μm,优选为20nm~1μm,更优选为50nm~500nm。
<空穴注入层>
作为构成空穴注入层的空穴注入材料的例子,能够列举氧化钒、氧化钼、氧化钌和氧化铝等的氧化物,以及苯胺化合物、星型胺化合物、酞菁化合物、无定形碳、聚苯胺和聚噻吩衍生物等。
作为空穴注入层的成膜方法,例如能够列举由含有空穴注入材料的溶液的成膜。作为在基于溶液的成膜所使用的溶液的溶剂,只要使空穴注入材料溶解便没有特别限制。作为空穴注入材料,例如能够列举:氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等的氯系溶剂;四氢呋喃等的醚系溶剂;甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂;丙酮、甲基-乙基甲酮等的酮系溶剂;醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙二醇乙醚醋酸酯(エチルセルソルブアセテ一ト:ethyl cellosolveacetate)等酯系溶剂和水。
作为基于溶液的成膜的方法的例子,能够列举旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、刮棒涂布法、辊涂法、环棒式涂布法、浸渍涂布法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、喷印法等的涂布法,空穴注入层优选由上述的喷印法形成。
空穴注入层的膜厚,考虑电特性和成膜的容易性等而适宜设定。空穴注入层的膜厚,例如为1nm~1μm,优选为2nm~500nm,更优选为5nm~200nm。
<空穴传输层>
作为构成空穴传输层的空穴传输材料的例子,能够列举:聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、侧链或主链具有芳族胺的聚硅醚衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚对苯乙炔或其衍生物、或者聚2,5噻吩乙炔或其衍生物等。
其中作为空穴传输材料,优选聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、侧链或主链具有芳族胺化合物基的聚硅醚衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚对苯乙炔或其衍生物、或聚2,5噻吩乙炔或其衍生物等的高分子空穴传输材料。更优选聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、侧链或主链具有芳族胺的聚硅醚衍生物。在低分子的空穴传输材料的情况下,优选使之分散在高分子粘合剂中使用。
作为空穴传输层的成膜方法没有特别限制,但使用低分子的空穴传输材料时,能够列举由含有高分子粘合剂和空穴传输材料的混合液进行成膜的方法,使用高分子的空穴传输材料时,能够列举由含有空穴传输材料的溶液进行成膜的方法。
作为在基于溶液的成膜所使用的溶液的溶剂,只要使空穴传输材料溶解便没有特别限制。作为溶剂,例如能够使用作为在由溶液成膜空穴注入层时所使用的溶液的溶剂而例示的溶剂。
作为基于溶液的成膜的方法,能够列举与前述的空穴中注入层的成膜法相同的涂布法,空穴传输层例如优选由上述的旋涂法形成。
作为混合的高分子粘合剂,优选不会极度阻碍电荷传输的,另外还优选使用对于可视光的吸收弱的高分子粘合剂。作为高分子粘合剂,例如能够列举聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅醚等。
空穴传输层的膜厚,考虑电特性和成膜的容易性等适宜设定,空穴传输层的膜厚,例如为1nm~1μm,优选为2nm~500nm,更优选为5nm~200nm。
<发光层>
发光层15通常主要是由发出荧光和/或磷光的有机物、或者由该有机物和辅助其的掺杂剂形成。掺杂剂例如是为了提高发光效率、为了使发光波长变化而添加的。还有,有机物可以是低分子化合物,也可以是高分子化合物,优选发光层15含有聚苯乙烯换算的数均分子量为103~108的高分子化合物。作为构成发光层15的发光材料,例如能够列举以下的色素材料、金属络合物材料、高分子材料、掺杂剂材料。
(色素材料)
作为色素系材料,例如能够列举シクロペンダミン衍生物、四苯基丁二烯衍生化合物、三苯胺衍生物、恶二唑衍生物、吡唑喹啉衍生物、均二苯乙烯衍生物、联苯乙烯衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、芘酮衍生物、二萘嵌苯衍生物、低聚噻吩衍生物、恶二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。
(金属络合物材料)
作为金属络合物材料,例如能够列举Tb、Eu、Dy等的稀土类金属;或在中心金属具有Al、Zn、Be、Ir、Pt等,在配位体具有恶二唑、噻重氮、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉构造等的金属络合物。作为金属络合物材料,例如能够列举铱络合物、白金络合物等的具有基于三重激态发光的金属络合物、喹啉铝络合物、苯并喹啉络合物、苯并恶唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、邻二氮杂菲铕络合物等。
(高分子材料)
作为高分子材料的例子,能够列举聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、使上述色素系材料、金属络合物材料高分子化的材料等。
上述发光性材料之中,作为蓝色发光的材料例子,能够列举联苯乙烯衍生物、恶二唑衍生物及其聚合物、聚乙烯咔唑衍生物、聚对苯衍生物、聚芴衍生物等。其中优选作为高分子材料的聚乙烯咔唑衍生物、聚对苯衍生物和聚芴衍生物等。
另外作为绿色发光的材料的例子,能够列举喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物及其聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚芴衍生物等。其中优选作为高分子材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚芴衍生物等。
另外作为红色发光的材料的例子,能够列举香豆素衍生物、噻吩环化合物及其聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。其中优选高分子材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。
(掺杂剂材料)
作为掺杂剂材料,例如能够列举二萘嵌苯衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸盐衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯色素、并四苯衍生物、吡唑啉酮衍生物、十环烯、吩噁嗪酮等。还有,这样的发光层的厚度通常约2nm~200nm。
作为发光材料的成膜方法的例子,能够列举印刷法、喷墨印刷法、喷印法等。例如上述,能够通过喷印法分别涂布多种类的墨水。
<电子传输层>
作为构成电子传输层的电子传输材料,能够使用公知的材料。作为电子传输材料的例子,能够列举恶二唑衍生物、anthraquinodimethane(アントラキノジメタン)或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、tetracyano anthraquinone methane(テトラシアノアンスラキノジメタン)或其衍生物、芴酮衍生物、二氰基乙烯或其衍生物、联苯醌衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
其中,作为电子传输材料,优选使用恶二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物,更优选使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)-1,3,4-恶二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子传输层的成膜法没有特别限制,但使用低分子的电子传输材料时,能够列举基于粉末的真空蒸镀法,或者基于溶液或溶融状态的成膜。在使用高分子的电子传输材料时,能够列举基于溶液或熔融状态的成膜。还有,基于溶液或溶融状态的成膜时,也可以并用高分子粘合剂。作为基于溶液的成膜的方法,能够列举前述的与空穴中注入层的成膜法同样的涂布法
电子传输层的膜厚考虑电特性和成膜的容易性等适宜设定,电子传输层的膜厚例如为1nm~1μm,优选为2nm~500nm,更优选为5nm~200nm。
<电子注入层>
作为构成电子注入层的材料,根据发光层14的种类适宜选择最佳的材料。作为构成电子注入层的材料的例子,能够列举碱金属、碱土类金属、含有碱金属和碱土类金属之中的1种以上的合金、碱金属或碱土类金属的氧化物、卤化物、碳酸盐、或这些物质的混合物等。作为碱金属、碱金属的氧化物、卤化物、和碳酸盐的例子,能够列举锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟化铯、碳酸锂等。另外,作为碱土类金属、碱土类金属的氧化物、卤化物、碳酸盐的例子,能够列举镁、钙、钡、锶、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氧化钡、氟化钡、氧化锶、氟化锶、碳酸镁等。电子注入层也可以由层叠两层以上的层叠体构成,例如能够列举LiF/Ca等。电子注入层通过蒸镀法、溅射法、印刷法等形成。作为电子注入层的膜厚,优选为1nm~1μm左右。
<阴极>
作为阴极的材料,优选逸出功小、电子向发光层15的注入容易、电导率高的材料。另外,在从阳极侧引出光的有机EL元件中,为了使从发光层15放出的光由阴极反射到阳极侧,作为阴极的材料优选可视光反射率高的材料。在阴极的材料中,例如能够使用碱金属、碱土类金属、过渡金属和周期表13族金属等。作为阴极的材料,例如可使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等的金属、所述金属之中的两种以上的合金,所述金属之中的一种以上与金、银、白金、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡之中的一种以上的合金,或石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子,能够列举镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。另外,作为阴极,能够使用由导电性金属氧化物和导电性有机物等构成的透明导电性电极。具体来说,作为导电性金属酸化物的例子,能够列举氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO和IZO,作为导电性有机物的例子,能够使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。还有,阴极也可以由层叠有两层以上的层叠体构成。还有,也有电子注入层作为阴极被使用的情况。
阴极的膜厚考虑电导率和耐久性而适宜设定,阴极的膜厚例如为10nm~10μm,优选为20nm~1μm,更优选为50nm~500nm。
作为阴极的制作方法,能够列举真空蒸镀法、溅射法、还有热压合金属薄膜的层压法等。
符号的说明
1、11 支承基板
2 阳极
3 空穴注入层
3a,13a 爬升部
4 空穴传输层
5、15 发光层
6 阴极
7、17 隔壁
12 第一电极(阳极)
13 低电阻层(空穴注入层)
14 高电阻层(空穴传输层)
16 第二电极(阴极)
18 凹部
19 绝缘膜
19a 开口孔径
21 发光装置
22 有机EL元件
Claims (3)
1.一种发光装置,其具备:支承基板;在支承基板上划分多个有机电致发光元件的隔壁;在作为隔壁彼此之间的凹部所设置的多个有机电致发光元件,其中,
各有机电致发光元件将第一电极、第一电阻层、电阻比第一电阻层高的第二电阻层、发光层、第二电极按照第一电极靠近支承基板的方式顺次配置地构成,
第一电阻层具有:沿着隔壁的表面且顺着远离支承基板的方向爬升的爬升部,且该第一电阻层是作为空穴注入层起作用的层,
第二电阻层遍及第一电阻层的表面上、及隔壁的表面之中的从第一电阻层露出的面上被全面地形成,且按照从经由隔壁而相邻的一方有机电致发光元件跨越到另一方有机电致发光元件的方式被连续设置,并且该第二电阻层是作为空穴传输层起作用的层。
2.一种发光装置的制造方法,该发光装置具备:支承基板;在支承基板上划分多个有机电致发光元件的隔壁;在作为隔壁彼此之间的凹部所设置的多个有机电致发光元件,并且,有机电致发光元件将第一电极、第一电阻层、电阻比第一电阻层高的第二电阻层、发光层、第二电极按照第一电极靠近支承基板的方式顺次配置地构成,其中,
所述发光装置的制造方法包括:
准备设置有隔壁和第一电极的支承基板的工序;
将含有构成作为空穴注入层起作用的层即第一电阻层的材料的墨水供给到凹部,使墨水固化而形成第一电阻层的工序;
在第一电阻层的表面上及隔壁的表面之中的从第一电阻层露出的面上即多个有机电致发光元件应该形成的整个区域,以墨水连续的方式,将含有构成作为空穴传输层起作用的层即第二电阻层的材料的墨水供给到所述整个区域,且使之固化而形成第二电阻层的工序;
形成发光层的工序;
形成第二电极的工序。
3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法,其中,形成第一电阻层的工序,通过喷印法实施。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010039992A JP4849175B2 (ja) | 2010-02-25 | 2010-02-25 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2010-039992 | 2010-02-25 | ||
PCT/JP2011/053693 WO2011105330A1 (ja) | 2010-02-25 | 2011-02-21 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102770980A CN102770980A (zh) | 2012-11-07 |
CN102770980B true CN102770980B (zh) | 2015-08-26 |
Family
ID=44506738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180010703.7A Expired - Fee Related CN102770980B (zh) | 2010-02-25 | 2011-02-21 | 发光装置及其制造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9356251B2 (zh) |
EP (1) | EP2541636A1 (zh) |
JP (1) | JP4849175B2 (zh) |
KR (1) | KR20130009952A (zh) |
CN (1) | CN102770980B (zh) |
TW (1) | TW201214821A (zh) |
WO (1) | WO2011105330A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6136578B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 |
US9660220B2 (en) * | 2014-10-24 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Multiple light-emitting element device |
KR102579326B1 (ko) | 2015-12-23 | 2023-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2017157782A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法 |
WO2017158767A1 (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2017220528A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル |
CN111129246B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-06-15 | 无锡新仕嘉半导体科技有限公司 | 一种集成串联电阻倒装led芯片及其制作方法 |
US11626568B1 (en) | 2020-03-24 | 2023-04-11 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with a conductive layer having an additive |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4094919B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2008-06-04 | 東北パイオニア株式会社 | 有機発光表示装置 |
EP3447816A1 (en) * | 2003-09-19 | 2019-02-27 | Sony Corporation | Display unit, method of manufacturing same, organic light emitting unit, and method of manufacturing same |
WO2006085615A1 (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Tohoku Pioneer Corporation | 自発光素子および自発光パネル |
JP2008192311A (ja) | 2005-05-16 | 2008-08-21 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2007005173A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
KR100659105B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR100846592B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP2008235011A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
KR101581475B1 (ko) | 2007-07-31 | 2015-12-30 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법 |
US8076838B2 (en) * | 2007-10-31 | 2011-12-13 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
JP2009238708A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-02-25 JP JP2010039992A patent/JP4849175B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-21 US US13/580,777 patent/US9356251B2/en active Active
- 2011-02-21 WO PCT/JP2011/053693 patent/WO2011105330A1/ja active Application Filing
- 2011-02-21 CN CN201180010703.7A patent/CN102770980B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-21 KR KR1020127021918A patent/KR20130009952A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-02-21 EP EP11747291A patent/EP2541636A1/en not_active Withdrawn
- 2011-02-24 TW TW100106152A patent/TW201214821A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9356251B2 (en) | 2016-05-31 |
JP4849175B2 (ja) | 2012-01-11 |
CN102770980A (zh) | 2012-11-07 |
US20130001607A1 (en) | 2013-01-03 |
KR20130009952A (ko) | 2013-01-24 |
EP2541636A1 (en) | 2013-01-02 |
JP2011176190A (ja) | 2011-09-08 |
TW201214821A (en) | 2012-04-01 |
WO2011105330A1 (ja) | 2011-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102726122B (zh) | 发光装置 | |
CN102770980B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
CN101911333B (zh) | 有机电致发光元件及其制造方法 | |
CN102227953B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
JPWO2009038171A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 | |
JP4803321B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 | |
CN102440074A (zh) | 发光装置 | |
CN102754529B (zh) | 发光装置的制造方法 | |
JP4983940B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
CN102726121A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
CN102598862B (zh) | 有机el元件的制造方法 | |
CN102113412A (zh) | 有机电致发光元件的制造方法、发光装置及显示装置 | |
CN102823326B (zh) | 发光装置 | |
EP2542031A1 (en) | Manufacturing method for light-emitting devices | |
JP2010073579A (ja) | 有機el素子の製造方法および塗布装置 | |
CN102668705A (zh) | 发光装置的制造方法 | |
JP2011175909A (ja) | 凸版印刷版 | |
JP2010205528A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2009266805A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
JP2014067533A (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150826 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |