WO2004066408A1 - Metallische schicht eines elektronischen bauelements und herstellungsverfahren dazu - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 12
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/04—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
- C23C26/02—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00 applying molten material to the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0305—Solder used for other purposes than connections between PCB or components, e.g. for filling vias or for programmable patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Definitions
- the invention relates to novel metallic layers of electronic components, such as, for example, conductor tracks, electrodes, contacts, encapsulation and / or metallic feed lines, and a manufacturing method therefor.
- the object of the invention is therefore to provide a metallic layer for an electronic component which is simple, solvent-free and under conditions which
- the invention relates to a metallic layer for an organic electronic component, which is essentially made from a melt of a metallic alloy.
- the invention also relates to a method for producing Position of a metallic layer of an electronic component by applying the melt of a metallic alloy.
- essentially made of a metallic alloy it is meant that additives (such as wetting agents, semi-agents or the like) can also be added to the alloy.
- the metallic alloy is preferably insensitive to oxidation, in particular also above its melting temperature, so that the production by applying the melt does not even require a protective gas atmosphere.
- the melt is applied, preferably structured, by a printing process, such as stamp or pad printing, screen printing, ink jet printing, high and / or gravure printing, stencil printing, flexographic printing and others.
- a printing process such as stamp or pad printing, screen printing, ink jet printing, high and / or gravure printing, stencil printing, flexographic printing and others.
- the metallic alloy is applied using an embossing technique or like a casting resin.
- the melt can also be applied unstructured by spin coating, dipping, knife coating etc. and even structured in a later production step.
- the fusible alloys are known in their nature. For example, they are alloys that form a “eutectic”, that is to say with a certain molar, weight or volume distribution of the components in the alloy, the melting point of the alloy or mixture drops far below that of the individual components.
- the eutectic alloys also have the advantage that they have a defined melting point, in contrast to a melting range that can possibly extend over 10 ° C or more. It is preferably an alloy that can be present as a melt in the range between 30 ° C. and 200 ° C., particularly preferably below 150 ° C.
- Components of these alloys can be the following metals: bismuth, lead, tin, cadmium, indium, mercury, silver, the fusible alloy being characterized by the fact that its melting point is clearly, i.e. measurable in degrees Celsius, below that of the individual components.
- Alloys which are harmless to health are particularly advantageous, that is to say those which manage with little or no cadmium, mercury and / or lead.
- the following alloys may be mentioned as examples: 57% (weight percent) bismuth,
- meltable alloys can be used to produce both thin and thick layers for electronic components.
- Printing processes suitable for mass production can be used in which the meltable alloy is heated for printing above its melting point, which is generally below the maximum temperature to which the electronic component is exposed during its manufacture.
- the metallic parts for electronic components according to the invention have completely different advantages, since the condensation from the molten, liquid phase takes place much more free of defects than that from the vapor phase (in sputtering or chemical vapor deposition CVD process). This means that metallic parts can be produced which, thanks to better condensation conditions, have fewer or almost no defects in the layer, such as pinholes.
- a metallic part made of a fusible metal can also be tempered even at a temperature above the melting point.
- the greatest possible homogenization of the layer can be achieved by tempering in the range of the melting temperature.
- Metallic parts of electronic components such as metallic feed lines for e.g. Displays (OLED, VFD,
- Electroluminescence Certainly, circuit boards with defined layer thicknesses of metallic leads, metallic layers and electrodes can be produced according to the invention.
- the described method can be used to produce metallic parts for electronic components in layer thicknesses from 100 nm to 1000 ⁇ m.
- the invention relates to a novel metallic layer of an organic electronic component such as, for example
- the base material of these new types of metallic parts are low-melting alloys.
Abstract
Die Erfindung betrifft neuartige metallische Teile von Elektronikbauelementen wie Leiterbahnen, Elektroden, Kontakte und/oder metallische Zuleitungen sowie ein Herstellungsverfahren dazu. Grundwerkstoff dieser neuartigen metallischen Teile sind niedrig schmelzbare Legierungen.
Description
Beschreibung
Metallische Schicht eines elektronischen Bauelements und Herstellungsverfahren dazu
Die Erfindung betrifft neuartige metallische Schichten von Elektronikbauelementen wie beispielsweise Leiterbahnen, Elektroden, Kontakte, Verkapselung und/oder metallische Zuleitungen sowie ein Herstellungsverfahren dazu.
Bekannt sind metallische Teile von Elektronikbauelementen aus "traditionellen" Metallen mit Schmelztemperaturen oberhalb von 200°C, wie Kupfer, Gold oder Legierungen.
Gemeinsam ist all diesen metallischen Teilen, dass ihre Herstellung, insbesondere im Falle dünner Schichten, nur in ausreichender Qualität durch Deposition aus der Gasphase, beispielsweise in Hochvakuumatmosphäre oder durch sogenanntes Drucken von Nanopartikeln möglich ist. Daneben existieren Thermotransferdruckprozesse und die galvanische Beschichtung in Tauchbädern.
Die bekannten Herstellungsverfahren sind kostspielig und aufwendig und haben ein erhebliches Risiko, das Elektronikbau- teil durch in Kontakt bringen mit Lösungsmittel oder Vakuum zu beschädigen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine metallische Schicht für ein Elektronikbauelement zur Verfügung zu stellen, die einfach, lösungsmittelfrei und unter Bedingungen, denen
Elektronikbauteile während der Herstellung ohnehin unterliegen, herstellbar ist.
Gegenstand der Erfindung ist eine metallische Schicht für ein organisches Elektronikbauelement, die im wesentlichen aus einer Schmelze einer metallischen Legierung gefertigt ist. Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Her-
Stellung einer metallischen Schicht eines Elektronikbauelements durch Aufbringen der Schmelze einer metallischen Legierung.
Mit "im wesentlichen" aus einer metallischen Legierung ist gemeint, dass der Legierung noch (übliche) Additive, wie Benetzungsmittel, Halftvermittler oder ähnliches zugesetzt sein können.
Bevorzugt ist die metallische Legierung oxidationsunempfind- lich, insbesondere auch oberhalb ihrer Schmelztemperatur, so dass die Herstellung durch Aufbringen der Schmelze nicht einmal eine Schutzgasatmosphäre erfordert.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird die Schmelze, bevorzugt strukturiert, durch einen Druckpro- zess, wie Stempel- oder Tampondruck, Siebdruck, Tintenstrahl- druck, Hoch- und/oder Tiefdruck, Schablonendruck, Flexodruck und sonstige aufgebracht.
Nach einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die metallische Legierung mittels einer Prägetechnik oder wie ein Giessharz aufgebracht.
Ebenso gut kann die Schmelze auch unstrukturiert durch Spin Coating, Eintauchen, Rakelverfahren etc. aufgebracht und sogar in einem späteren Produktionsschritt strukturiert werden.
Die schmelzbaren Legierungen sind ihrer Art nach bekannt, es handelt sich beispielweise um Legierungen, die ein "Eutekti- kum" bilden, das heisst bei einer bestimmten prozentualen Mol-, Gewichts- oder Volumenverteilung der Komponenten in der Legierung sinkt der Schmelzpunkt der Legierung oder Mischung weit unter den der Einzelkomponenten. Die eutektischen Legie- rungen haben ausserdem den Vorteil, dass sie einen definierten Schmelzpunkt haben im Gegensatz zu einem Schmelzbereich, der sich unter Umständen über 10 °C oder mehr erstrecken kann.
Bevorzugt handelt es sich um eine Legierung, die im Bereich zwischen 30 °C und 200°C, insbesondere bevorzugt unterhalb von 150°C, als Schmelze vorliegen kann.
Bestandteile dieser Legierungen können die folgenden Metalle sein: Wismut, Blei, Zinn, Cadmium, Indium, Quecksilber, Silber, wobei die schmelzbare Legierung sich dadurch auszeichnet, dass ihr Schmelzpunkt deutlich, also messbar in Grad Celsius, unter dem der Einzelbestandteile liegt.
Besonders vorteilhaft sind die gesundheitlich unbedenklichen Legierungen, also die, die mit wenig oder ohne Cadmium, Quecksilber und/oder Blei auskommen. Beispielhaft genannt seien folgende Legierungen: 57% (Gewichtsprozent) Wismut,
17% Zinn, 26% Indium (Schmelzpunkt 78°C); 48% Zinn, 52% Indium (Schmelzpunkt 118 °C) oder 58% Wismut, 42%Zinn (Schmelzpunkt 138 °C) .
Diese Legierungen gehören zu den sogenannten fusible alloys, die aufgrund ihrer physikalischen Eigenschaften für solche Anwendungen in Frage kommen.
Insbesondere können mit den schmelzbaren Legierungen sowohl dünne als auch dicke Schichten für Elektronikbauelemente hergestellt werden.
Dabei können massenfertigungstaugliche Druckverfahren eingesetzt werden, bei denen die schmelzbare Legierung zum Verdru- cken über ihren Schmelzpunkt erhitzt wird, der in der Regel unter der maximalen Temperatur, der das Elektronikbauelement während seiner Herstellung ohnehin ausgesetzt wird, liegt.
Die metallischen Teile für Elektronikbauelemente nach der Er- findung haben ausser dem vereinfachten Produktionsprozess noch ganz andere Vorteile, da die Kondensation aus der geschmolzenen, flüssigen Phase wesentlich defektfreier erfolgt
als die aus der Dampfphase (beim Sputtern oder Chemical Vapor Deposition CVD-Prozess) . Somit lassen sich metallische Teile herstellen, die durch bessere Kondensationsbedingungen weniger oder nahezu gar keine Defekte wie z.B. pinholes in der Schicht haben.
Um zu möglichst noch defektfreieren metallischen Teilen zu kommen kann ein metallisches Teil aus einem schmelzbaren Metall auch bei einer Temperatur über dem Schmelzpunkt noch ge- tempert werden. Durch ein Tempern im Bereich der Schmelztemperatur kann eine größtmögliche Homogenisierung der Schicht erzielt werden.
Es können metallische Teile von Elektronikbauelementen wie metallische Zuleitungen für z.B. Displays (OLED, VFD,
Elektrolumineszenz... ) , Platinen mit definierten Schichtdicken von metallischen Zuleitungen, metallische Schichten und Elektroden nach der Erfindung hergestellt werden.
Durch das beschriebene Verfahren können metallische Teile für Elektronikbauelemente in Schichtdicken von 100 nm bis 1000 μm hergestellt werden.
Die Erfindung betrifft eine neuartige metallische Schicht ei- nes organischen Elektronikbauelements wie eine beispielsweise
Leiterbahn, eine Elektrode, Kontakte, Verkapselung und/oder metallische Zuleitungen sowie ein Herstellungsverfahren dazu.
Grundwerkstoff dieser neuartigen metallischen Teile sind niedrig schmelzbare Legierungen.
Claims
1. Metallische Schicht für ein organisches Elektronikbauelement, die im wesentlichen aus einer Schmelze einer metalli- sehen Legierung gefertigt ist.
2. Metallische Schicht nach Anspruch 1, wobei die Legierung in einem Temperaturbereich von 30 bis 200 °C als Schmelze vorliegt.
3. Metallische Schicht nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die metallische Legierung oxidationsunempfindlich ist.
4. Metallische Schicht nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die metallische Legierung als Schmelze oxidationsunempfindlich ist.
5. Metallische Schicht nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Legierung zumindest ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe folgender Metalle umfasst: Cadmium, Zinn, Wismut, Blei, Indium, Quecksilber und/oder Silber.
6. Verfahren zur Herstellung der metallischen Schicht eines Elektronikbauelements durch Aufbringen der Schmelze einer metallischen Legierung.
7. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Aufbringung der Schmelze durch einen Druckprozess erfolgt.
8. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Aufbringung der Schmelze unstrukturiert erfolgt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10302144.2 | 2003-01-21 | ||
DE10302144 | 2003-01-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2004066408A1 true WO2004066408A1 (de) | 2004-08-05 |
Family
ID=32747465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/EP2004/000212 WO2004066408A1 (de) | 2003-01-21 | 2004-01-14 | Metallische schicht eines elektronischen bauelements und herstellungsverfahren dazu |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO2004066408A1 (de) |
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2004
- 2004-01-14 WO PCT/EP2004/000212 patent/WO2004066408A1/de active Application Filing
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW |
|
AL | Designated countries for regional patents |
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application | ||
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |