TW528796B - Cerium-based abrasive and method of evaluating the same - Google Patents

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Kazuaki Takahashi
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Mitsui Mining & Amp Smelting C
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Description

528796 五、發明說明（1) 發明領域： 的,係有關於以氧化飾為主要成分的鈽基研磨材料 的Μ方法，以及鈽基研磨材料和其製造方法。研磨材枓 習知技術說明： 以氧化鈽（Ce02)為主要成分的姑A rTT & 於種種的玻璃材枓&硏府 刀的鈽基研磨材料，係被用 使用在硬= 々別在近年來，常被用於研磨 磨電子ί=ίϊ 錄媒體用的玻璃，也常用於研 料的應用領域是相當廣泛的。 “鈽基研磨材 =基研磨材料雖然係經由比對於氧化飾的 化物s有量(以下’稱為剛)而分：乳 50%卢^ / 鈽基研磨材料（氧化鈽含有量 工）。μ而，該鈽基研磨材料的製程並沒有什麼很大 ( n/V無論是哪種的鈽基研磨材料，都是經由化學處理 (二式處理)原：料、再經由過遽及乾燥之 ：= 叔碎及分級而製造而得。還有，當作是 7冉了 常使用從被稱做氟碳鈽礦（bastnas i )的土 ^上係 得的所謂翁诸鈾该n . . bll：。的稀土礦石選礦而 碳鋪礦(bastnasite)礦和比較便 礙當作是原料的人工合成的氧化豨土式#确&⑵座複雜 原材料。 σ戢的軋化稀土或石厌酸稀土而當作是 鈽基研磨材料的被廣泛使用的原因係由於適用# Α饥 磨材料而能夠得到高精度的研磨面’再加上鈽基研磨：料 2169-4508- pF(N).ptd 第6頁 ‘發明說明（2) 的切削性很優良， 处 ^^ /又有明確的學說，但是被：卄的研磨機構，雖然 分係被用做是有很大的效果。：：基研磨材料中的說素成 研磨效果’再加上以氧化飾為：二：磨材係具有一般的 作用，被含於研磨材中#研磨粒子的機械性研磨 而形成貌化物之後，則形成：有所：：：：璃表面反應， 的化學性研磨作用。 進破璃表面的侵# 經由此般地具有機械作用 基研磨材料的優良的研磨特性係被；：用：兩方效果，鈽 示鈽基研磨材料的基準，—I % d後，當作是顯 亦即’研磨粒子的丄均求的品質， 原因的粗大粒子，而且要求且存在會產生傷痕的 係適當地控制氟元素含有量及研 而能提供品質優良的研磨LtT分級條件等，經由此 然而，右考里今後的鈽基研磨材料的需要的話，希望 能夠開發品質更優良的研磨材料則是當然的事。特別是， 在硬碟、LCD用的玻璃基板等領域中，為了能得到更高精 密度化，則不僅要求非常高精度的研磨面，也要求要具有 能夠高速地既定量研磨的高切削性的研磨材料。 還有，氟化處理條件、燒烤溫度、分級條件等的内 容’到目前為止多是以經驗來決定，而該等的相關關係並 非一定是單純的關係，特別是以在燒烤溫度、分級條件等 2169-4508-PF(N).ptd 第7頁 528796 五、發明說明（3) 的製程履歷 為了要評價 磨玻璃材料 有無，但實 的。還有， 可能的。因 的確立，更 新的研磨材 本發明 基研磨材料 比較簡易的 為基準而來 鈽基研磨材 之後而觀察 際上，研磨 僅根據氟元 此’希望能 者，希望能 料也是必要 係有鑑於上 而能夠形成 鈽基研磨材 推測該研 料的研磨 研磨值的 破璃材料 素含有量 得到更簡 變更習知 的事。 述狀況， 高精度的 料評價方 磨特性是困難的。在此， 特性，雖然是經由實際研 測定和研磨面的傷發生的 的研磨試驗是相當繁雜 來評價鈽基研磨材料是不 易的研磨材料的評價基準 的原料和製造條件而試做 提供一種切削性更好的鈽 研磨面。以及，提供一種 法0 發明概述： 本發明係為了解決上述問題，本發明者等，進行種種 的檢討’而，意鈽基研磨材料的製程’特別是在燒烤前 ^ ’起因於氟70素之舉動的氧化鈽的結晶構造的變化。本 I明者等發現’氧化飾含有量4〇%以上（TRE〇基準）的鋪基 料中Si粒子的結晶構造’ •然係根據原料而使 =晶構造的製程不同’但是最終地成為研磨材料時是相 同的。 將氧化稀土當作是原料的鈽基研磨材料中的研磨粒子 的結晶構造係如：述。也就是說’燒烤前的原料狀態的氧 化鈽係在鈽結晶中，以La, Nd等的稀土類金屬是固溶的 cexuA的化學式來表示當作是氧化鈽型立方晶（u係含有
2169-4508-PF(N).ptd 第8頁 528796 五、發明說明（4) 飾的稀土類元素。 的式子。還有，、下试I的關係是符合2xSzS2(X + y) 稱呼。）而存在著。，還有"亥乳化鈽型立方晶將以氧化鈽相來 素，係當作是和稀土 Λ’屈燒烤前的原料狀態的氟元 (LnF3)而存在，該稀旨屬化合而形成稀土類氟化物 以固溶在氧化飾相 後，5亥研磨材料的原料雖然是經由 存：的稀土類氟化物係一 相 時地，固溶在氧化鈽相的稀烤 % μ羊#、相被放出氧化而打算變化成LnOF。因此，_、維 後的研磨材料，係由稀土類 ：烤 土類氟化物的固溶量係經由_ H ^ 匕錦相（稀 土類敦化物所構成。 凡烤/皿度而不同）和U〇F和稀 土為；：：I I以氟碳鈽礦加“—1⑷精礦或是碳酸稀 基研磨材料中的研磨粒子的結晶構造係被認 ::别的原料是氟化稀土碳酸鹽、#土碳酸鹽、稀 土類鼠化物等所構成，在該狀態的結晶構造是不同於 稀^的場合。但是，在燒烤過程中，氟化稀土碳酸鹽及稀 土碳酸鹽係變化成氧化鈽型結晶，之後的舉動係和燒烤氧 化稀土時相同，會發生稀土類氟化物的氧化和稀土 ^氟化 ，的放出，燒烤後的研磨材料係由稀土類氟化物是固溶的 氧化鈽相、LnOF、稀土類氟化物所構成。 本發明者等，發現在該等的鈽基研磨材料的製造工程 中’在產生稀土類氟化物的放出的場合，使在氧化鈽相中
528796 五 發明說明（5) 產生構造變化’經由此而產生氧化飾相的結晶袼子的縮 h °在該氧化#相的結晶格子的縮小和研磨材料的研磨值 以及研磨面的精度之間，係有一定的相關關係。然後，關 於顯示良好的研磨特性的研磨材料，發現氧化鈽的晶格常 數係在所定範圍内，該範圍係與在燒烤溫度等的製程^的 履歷無關，而是在一大約既定的範圍内。 一關於影響研磨特性的因素雖然目前不是很明確，但是 ，由發，者等的檢討，確認研磨值大的研磨材料係匕⑽相 疋成長著，還有若稀土氟化物殘留很多在研磨材料中的 話，就會發現在研磨材料上有傷痕。因此，對研磨 磨面的精度對LnOF相的量有影響，也就是說，對從該 ，=的稀土類氟化物的放出量和沒有變化成_相 氟化物的量的平衡有影響。然*，該稀土類i 物的放出量和殘存的稀土類氟化物的量的平衡係 常數有影響，所以對於研磨材料中的氧化鈽相 =曰。曰格吊數’從研磨特性的觀點來看則存在有適當的範 一 1二方面，即使晶格常數是在既定的範 凡素含有量，U〇F相以及稀土類I :據乱 且，如上述般地，Ln0F相越多則 ==冋的。而 作在另一古二 ^ 4 ^原材枓的研磨值越高， 仁在另方面，在殘留許多稀土類氟化物的 门 研磨面上會有傷發生。㈤此，研磨材料的則在 在上述的範圍内，$ 了要能夠發揮良 ς =數即使是 在有適當Μ元素含有量的範目。 研冑特性，則存
五、發明說明（6) #= ίϊ:者等，以該等氧化鈽相的晶格常數以及 氟含：里的雙方當作是基準，進行發現有良好的 的鈽基研磨材料之結果，而想到本發明。 ， ::明的申請專利範圍第"員，一種鈽 重量%以上(全稀土類氧化物比)的：基 研磨材#巾’ L括有相對於#基研磨 請，以及由以粉末心=而 =曰。曰“數疋〇. 544〜0. 56〇nm範圍的結晶所構成的研磨 在此，將氧化鈽型結晶的晶格常數的範圍做成是 0二°數7=:這是經由本發明者等的檢討的結果，當 曰曰格㊉數小於0. 544nm時，研磨值雖會變高，但 產生傷痕；當晶格常數大於〇. 56〇 痕，但是卻無法得到十分的研磨值。’_然不易產生傷 還有，關於氟含有量，最好是在〇 5重量％〜1〇重量 =則原因是：當氟含有量超過1〇重量％ =傷ϋ = ϊ土類氟化物而使得在研磨時容易產 士傷5，另-方面’當氣含有量小於0 存的有稀土類氟化物很少，但是因A 里/°子雖…、殘
Ln〇F相而無法得到十分的研磨^因為不存在對研磨有效的 ϊ;=ΓΓ:ί研磨材料的話，有效率地形成高 章二還有，關°以t成良好的切削性狀態的研磨作 業运有關於本發明的鈽基研磨材料中的研磨粒子的平 528796
均粒後 並/又有特別的限定。 接 即，當 控制方 的調整 在 氟碳鈽 稀土、 氣碳飾 必要的 分。還 為自身 前就添 成份的 的含有 著，關於本發明 作是將氟含有量 法，關於氟含有 ’關於晶格常數 此，當作是如上 礦（bastnasite) 碳酸稀土的人工 礦（bastnasi te) 話’可對應原本 有，關於是人工 的原料狀態中就 加氟元素成分至 添加方法，係經 氟的化合物或該 的鈽基研 以及晶格 量係經由 係經由進 述般的鈽 精礦的天 原料。在 精礦中含 的II含有 原料的氧 沒有包含 目的濃度 由添加n 等的水溶 磨材料的 常數控制 進行原料 行燒烤溫 基研磨材 然原料， 此，因為 有原本的 量而添加 化稀土、 氟元素， 。還有， 酸、氟化 液來進行 製造方 在上述 的氟化 度的調 料，係 和使用 在是天 氟元素 調整氟 碳酸稀 所以在 當作是 銨、氟 法，亦 範圍内的 處理條件 整。 使用所謂 所謂氧化 然原料的 ，所以若 元素成 土 ，貝1j因 燒烤製程 該氟元素 化氫銨等 人另一方面，在氟含有量是〇· 5重量％〜1〇重量％範圍的場 a 為了要將氧化鈽的晶格常數控制在既定的範圍内， 則最好將燒烤溫度控制在70 0 〜1100t。因為在7〇(pc以下 時’對研磨有效的LnOF相的成長就不會產生，而使得研磨 值變低。還有，因為在110CTC以上時，雖然Ln〇F相是十分 地成長’但是氧化鈽會異常粒成長而形成粗大的研磨粒 子。因此，即使是在上述溫度範圍内，最好是特別地控制 在780 〜980 〇c 〇
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另外，如上述般地，鈽 格常數和研磨特性之間有密 含有量以及晶格常數而能推 在此，關於氟含有量，雖然 被檢查，但是關於既定濃度 測定晶袼常數，然後評價該 法’是習知所沒有的。 因此，本發明者等，當 明，一種飾基研磨材料的評 的飾基研磨材料，然後經由 取的飾基研磨材料，而計算 數0 基研磨材料的氟含有量以及晶 切的關係。因此，經由測定氟 定飾基研磨材料的研磨特性。 從前以來是經由既定的檢查而 的氟含有量的鈽基研磨材料的 等研磨材料的研磨特性之做 作是申請專利範圍第2項的發 價方法，包括採取是評價對象 以粉末X光繞射法來分析所採 構成研磨粒子的結晶的晶袼常 然後’在求是晶格常數的算出的基礎的繞射角時，在 下述的4個的各領域所顯示的最大尖峰（Peak)之中，至少 求得1個的最大尖峰的繞射角（0)。 (a) 2 Θ ^。〜a2。 (b) 2 0=B。±3 〇。 (c) 2(9=c° ±3·〇。 (d) 2 (9 。± 3 〇。 其中，當\、A2、C、D以粉末X光繞射法中所使用的X 光的波長λ (nm)表示的話，則以下式來表示： = Trxsin-id mmx 入） A2 = 360^ 7rxsin-1(3.245569x λ) Β = 360 - ^ χ sin-i(le 843 583 χ λ )
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五、發明說明（9) C = 360+ π X sin1 ( 2. 588 335 χ λ) ^ = ^ τγ x sin1 ( 3. 047405 x λ) 該等的繞射角的測定區域，例如，入射χ光係Cuk α 光’經由所得的繞射χ光的CuK αι光（λ = 〇· 154〇562nm)而 將繞射光譜當作是基準的場合時，Ai=2〇。、。、 Β = 33· 0。 、〇47· 0。 、D = 56· 0。 。 如此般地，選定當作是求得繞射角的尖峰而顯示在4 個的範圍的原因是，在χ光繞射分析中顯示十分的強度， 而且，通常是盡量使用顯示在高角度區域的尖峰，在&成為 本發明的對象的氧化鈽型結晶中，因為在上述4個的區域、 所顯不的尖峰是符合該條件。然後，如本發明 光繞广法來算出晶格常數，而求得從該等的任-個 的大峰的、k射角，雖然即使算出晶格常數也可 妙 了從求得更正確的晶格常數，則求得複數 & μ而為 最好是以最小二乘法和外插法從該等条=j角，所以 數。 寻几射角來算出晶格常 還有在本發明中的飾基研磨材料的氧 4n以上（ter〇基準），雖然研磨材料中的化鈽含有量是 立方晶，但是在中請專利範圍第2 =聽鈽相主要是 區域的尖峰係對應氧化鈽型立方晶 u不的顯示於4個的 (a) (lll)面 ' 下的面指數。 (b) (200)面 (c) (220)面
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(d) (311)面 根 有的特 了測定 短且簡 夠簡易 料和製 料和製 磨材料 單地預 還 常被進 的鈽基 常是用 在此， 用Cu， :本$月^的话’經由所謂晶格常數的研磨 且 ^，可以砰價鈽基研磨材料的研磨特性。 - 该晶格常數的粉末X光繞射分析，，為 =析法，所以不必進行複雜：研為磨 =鈽基研磨材料的研磨特性。特別是驗對：； 未知的飾基研磨材料的場合，或是對於原 疋已知的和即使是從習知變更而試做新的研 、、穷^時，本發明的評價方法都能適用，而能夠簡 /貝J和6平價鈽基研磨材料的研磨特性。 係使用經由該等靶的K a i線、L a i線而所得的繞射X光。其 中’最好是使用銅靶，而適用於經由K q線所得的繞射X 光。經由F e等的X光的繞射尖峰強度較低，恐怕對被算出 f ’關於是分析方法的粉末X光繞射法，係經由通 订的方法來進行。亦即，將單色X光入射至所採用 研磨材料’然後進行經由測定散射X光的強度，通 所谓X光繞射儀（x_ray diffractometer)來進行。 當作是X光繞射分析之際的靶（target)，係可以採 Mq，Fe，Co, W，Ag等靶。對於晶格常數的計算， 的晶格常數的精度有影響。還有，使用K a i線的場合時， 照射試料的X光係Κ α線，即使單獨係K q線也可以；然而 在照射Κ α線的場合時，將繞射X光分離成κ αι線和Κ α2 線’然後經由Κ α i線以繞射X光為基準而求得繞射角。還
2169-4508-PF(N).ptd 第15頁 528796 五、發明說明（π) 有，關於被測定的繞射角的值，最好是使用精密測定用標 準物質（高純度矽元素粉末），然後補正之後算出晶格常 數。 在此，經由被測定的繞射角（Θ )來算出晶格常數係如 下述般地進行。關於經由X光繞射法而被測定的結晶面的 繞射角（0 )和面間隔（d)之間，係遵從下列式子。 [方程式1 ] 2ds i η θ = λ 另一方面，在立方晶中，在面間隔（d)和晶格常數（a) 之間，將對應該繞射角的氧化鈽型結晶的結晶面的密勒指 數（Miller indices)以（hkl)表示的話，則下列關係式是 成立的。 [方程式2 ] Ι/d2 二（h2 + k2 + l2)/a2 因此，從方程式1和2，因為繞射角（0 )和晶格常數 (a)之間成立有下列關係式’所以可以從某繞射角來求得 晶格常數。 、 [方程式3 ] a=[ A/(2dsin (9)] /(h2 + k2 + l2) 例如，在（111 )面的尖峰來求得繞射角θ時，因為 h = k = 1 = 1，所以晶格常數則變成下列式子。 [方程式4 ] a二[A/(2dsin (9)]θ
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發明的實施例 以下係以實施例和比較例來說明本發明。 第1實施例 ^此& TRE〇90重1%、TRE0中的氧化鈽含有量70重量％的 氧化稀土lkg和水1升而當作是研磨劑（siurry)，將該研磨 劑充填至直徑5mm的鋼瓶中，然後以溼式球磨機（容量5升） 粉碎3小時，而形成由平均粒徑（微蹤法D5〇(累積5〇%粒 徑））1 /zm的粉體所構成的研磨劑。然後，將3升的im〇i/升 的，化鏔溶液添加到該研磨劑内，然後以純水洗淨後過濾 而付到餅（cake)。接著，乾燥該餅後，以9 2 〇它燒烤3小 時，然後再度粉碎後而分級而得到鈽基研磨材料。該鈽基 研磨材料的氟含有量是5. 2%。 、接著，求進行關於用上述製程製造而得的鈽基研磨材 料的X光繞射分析的氧化鈽相的晶格常數。適量採取第ι實 施例的鈽基研磨材料，然後均一地充填而使在試料支撐座 的試料面和支撐座的面一致，然後將該試料設置於义光繞 射儀中而得到X光繞射圖案。此時的入射χ光係Cu κ α線， 繞射X光係根據κ Α線為基準。所得的χ光繞射圖案係盥各 種的稀土類化合物做比較，而能確認各尖峰（peak)m/代表 的化合物。第1圖是顯示以本實施例所製造的鈽基研磨材 料的繞射圖案。在第1圖中加上當作是主尖峰的氧化鈽型 結晶（（111)面），而能夠比較強地顯示當做是Ln〇F的是u 的化合物的LaOF的尖峰。根據該氧化鈽相（111)的尖峰位
528796 五、發明說明（13) 置（2 Θ )所顯示的繞射角，而求得氧化鈽的晶格常數 〇·546nm 。
接著，以與第1實施例相同的氧化稀土為原料，然後 用和第1實施例相同的方法將其粉碎、乾燥，然後變化氟 化銨溶液的添加量以及燒烤溫度，而製造出5種類的鈽基 研磨材料。然後，關於該等的研磨材料，則如同第1實施 例，算出進行X光繞射分析的晶格常數。該結果如表1所 7\s 〇 表1 試料 氟濃度(％) 燒烤溫度（°c) 晶格常數（nm) 第1實施例 5.2 920 0.546 第2實施例 5.0 970 0.547 第3實施例 8.2 850 0.549 第4實施例 4.2 810 0.552 第5實施例 4.7 810 0.553 第6實施例 1.1 900 0.558 比較例Ί 當作是針對第1實施例的比較例，和第1實施例同樣地 以氧化稀土為原料’而製造不同晶格常數的飾基研磨材 料’然後再進行X光繞射分析。和第1實施例同樣地將氧化
2169-4508-PF(N).ptd 第18頁 528796 五、發明說明（14) 稀土粉碎後，添加4 · 5升的1 m ο 1 /升的氟化錄溶液’然後進 行9 9 0 °C的燒烤，而得到鈽基研磨材料。該鈽基研磨材料 的氟含有量是7.8%。 然後，關於比較例1，和第1〜第6實施例同樣地測定X 光繞射圖案，而得到如第2圖的圖案。經由該比較例1的X 光繞射圖案，和第1圖同樣地，加上氧化鈽、La OF的尖 峰，當作是稀土類氟化物的氟化鑭（LaF3)的尖峰也被觀察 著。然後，求得氧化鈽相的晶格常數是〇. 543nm。 比較例2〜4 接著’變化氟化銨溶液的添加量以及燒烤溫度，而製 造出3種類的鈽基研磨材料。然後，關於該等的研磨材 料’算出進行X光繞射分析的晶格常數。該結果如表2所 示。 表2 試料 氟濃度（％) 燒烤温度（°c) 蟲梅常數（nm) 比較例1 7.8 990 0.543 比較例2 ---------------------- 5.0 77 0 0.562 比較例3 0.1 900 0.555 比較例4 13.2 850 0.547 使用以上的關於第1〜第6實施例以及比較例1〜比較例4 的錦基研磨材料，而進行玻璃材料的研磨，然後進行比較 評價研磨值的測定以及研磨面的狀態。首先，使各研磨材
2169-4508-PF(N).ptd 第19頁 528796 五、發明說明（15) 料分散於水中而形成1 5重量％的研磨材料研磨劑。在研磨 試驗中，要以攪拌機經常地攪拌，而使該研磨材料研磨劑 不要沉澱。 玻璃材料的研磨係使用當作是試驗裝置的高速研磨 機，使用聚氨酯（polyurethane)製的研磨墊來研磨當作是 被研磨材料的65mm 0的硼矽酸系玻璃（borosi 1 icate， BK7)。研磨條件係以5升/分的速度來供給研磨劑濃度15重 量％的研磨材料研磨劑，且對於研磨面則設定 2· 9MPa(30kg/cm2)而以3000rpm的研磨機的回轉速度來進
打1分鐘的研磨製程。研磨後的玻璃材料則以純水洗淨， 並在無塵％境下而使其乾燥。 在該 的玻璃的 後將該重 磨面的表 磨材料粒 價。具體 的玻璃表 面。此時 附點數， 表3戶斤示（
評價試驗中的研磨值的測定方式是測定研磨前名 ^量，而求得由於研磨所造成的重量減少量，秀 量$少量換算成厚度而表示成研磨值。還有，积 面，成的評價，是以研磨表面是否有傷痕以及石 子，否殘留在研磨面上來當作是基準，而進行言 11 兒將3 〇萬濁光（1 u X)的鹵素燈照射在研磨後 面上’然後進行用透視法及反射法來觀察玻璃$ 、，於傷痕的評價係經由傷痕的數量和尺寸來贫 、從1 0 〇點滿點的減點方式來評價。該結果則如
第20頁 528796 五、發明說明（16) 表3 試料 氟濃度 晶格常數 研磨評價 研磨值 (%) ㈣ 透視 反射 (_ 第1實施例 5.2 0.546 100 97 ----— 35.7 第2實施例 5.0 0.547 100 97 34.6 第3實施例 8.2 0.549 100 98 32.1 第4實施例 4.2 0.552 100 97 27.2 第5實施例 4.7 0.553 100 95.5 26.0 第6實施例 1.1 0.558 100 100 20.2 比較例1 7.8 0.543 80 傷多 39.5 比較例2 5.0 0.562 100 93 —--- 14.4 比較例3 0.1 0.555 100 95 16.0 比較例4 13.2 0.547 75 傷多 33.4 由以上的結果得知，研磨值是隨著晶袼常數的增加而 減少’在晶格常數0. 558nm(第6實施例）以上的研磨材料B 無法得到2 5 // m以上的研磨值。還有，晶袼常數 ”疋 0· 546nm(第1實施例）的研磨材料的研磨值最古 狀態也良好。 取-，研磨面的 對於此，關於比較例1以及比較例2的研磨材 是哪一個的氟含有量是在〇· 5〜10重量％的範圍内料’無論 比較例1的晶格常數是0· 543nm的話是比較小，。隹是， 雖然研磨值
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最高但是卻有傷痕的發生 /2nm的活是比較大，雖然傷痕的發生很少但^ :到十分的研磨值。另一方面，關於比較例3以=法 的研磨材料，雖然無論是哪一個的晶格常數是在較例4 嘯有量高的研磨材= 上述般的第卜第6實施例和比較例丨〜4之 :為是由於La〇F的量所造成，而影響到研磨值的j:;、疋j 例中ΐϊ :11的X光繞射分析中是觀察氟化鑭’而在比較 有殘遠鼠化鑭，因此氟化鑭被認為是傷痕發生 因。 文 發明的效果 旦經由本發明的申請專利範圍第1項，形成氟元素含有 量〇·5〜1〇重量％，再加上晶格常數是〇·544〜〇·56〇ηιη的範 ^ ’而具有高切削性的一種鈽基研磨材料，而且能夠形成 咼精度的研磨面。 ^ 還有，經由本發明的申請專利範圍第2項，經由測定 氧化鈽相的晶格常數而能夠以短的時間來有效率地進行鈽 基研磨材料的研磨特性的評價及品質管理。特別是，對於 原料和製造條件是未知的鈽基研磨材料的場合，或是對於 原料和製造條件是已知的和即使是從習知變更而試做新的 研磨材料的場合時，本發明的評價方法都能適用，而能夠
2169-4508-PF(N).ptd 第22頁 528796 五 、發明說明（18) 間早地預測和評價錦基研磨材料的研磨特性 產業上的利用可能性： :據本發明的鈽基研磨材料，因為具有高切削 破成高精度的研磨面’所以當然能夠使用在種種的 邮螭材枓的研磨上，特別是適用於電氣•電子機器中的二 明硬碟等的磁性紀錄媒體用玻璃、液晶顯示（LCD)用的玻 璃基板。還有，鈽基研磨材料的評價方法，最適用於在製 本發明的錦基研磨材料時的研磨特性的評價及品質管 理。 、 、
2169-4508-PF(N).ptd 第23頁 528796 圖式簡單說明 第1圖係顯示第1實施例的鈽基研磨材料的X光繞射 圖。 第2圖係顯示比較例的鈽基研磨材料的X光繞射圖。 2169-4508-PF(N).ptd 第24頁

Claims (1)

  1. 528796 卜公告象1_ _ 六、申請專利範圍 1 · 一種鈽基研磨材料’含有氧化鈽40重量％以上（全稀 土類氧化物比），包括： 氟元素0 · 5〜1 0重量％，相對於鈽基研磨材料而以原子 重量換算而得；以及 研磨粒子，經由粉末X光繞射法而被測定晶格常數是 0· 544〜0· 5 6 0nm範圍的結晶所構成。 2 · —種飾基研磨材料的評價方法，包括： 採用當作是評價對象的一鈽基研磨材料； 以粉末X光繞射法分析該鈽基研磨材料； 在被顯示於下述範圍的各領域的最大尖峰中，至少求 得1個的最大尖峰的繞射角（6» );以及 經由該繞射角而計算構成研磨粒子的結晶的晶格常數 之過程； 其中該範圍包括： (a) 2 Θ 二、° 〜。 (b) 2 0 二B ° ±3.0° (c) 2 0 二C ° ± 3· 0 ° (d) 2 <9 =D ° ± 3· 0 0 其中，當A!、A2、C、D係以粉末X光繞射法中所使用的 X光的波長；I ( nm)表示時，則以下列式子表示： A| — 3 6 0 τ • π χ sin^Cl. 1 27 1 74 χ λ ) A2 ~ 3 6 0 τ 7rxsin-1(3.245569x λ ) B=36(U π χ sin'1(1.843583x λ ) C = 3 6 0 + ^xsin'1(2.588335x λ )
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    2169-4508-PF(N).ptd 第26頁
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