TW527496B - Liquid crystal display device and its manufacturing method - Google Patents

Liquid crystal display device and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TW527496B
TW527496B TW090110034A TW90110034A TW527496B TW 527496 B TW527496 B TW 527496B TW 090110034 A TW090110034 A TW 090110034A TW 90110034 A TW90110034 A TW 90110034A TW 527496 B TW527496 B TW 527496B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
crystal display
display device
film
Prior art date
Application number
TW090110034A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihiro Yoshida
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW527496B publication Critical patent/TW527496B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

527496 A7 ____B7 五、發明説明彳() (發明的背景) 本發明有關於液晶顯示裝置及其製造方法,特別是在 於覆罩轉換(switching)元件之絕緣層上備有接觸孔( contact hole)之液晶顯示裝置,及其製造方法。 近年來以電腦爲中心之資訊機器領域及電視爲中心之 影像機器領域中,開發有輕量,小型高精細之液晶顯示裝 置。 現在通常所使用之液晶顯示裝置乃其多數係由具有複 數之電極之二片玻璃基板及挾持於其間之液晶層所構成。 例如彩色型有源矩陣型液晶顯示裝置乃,該第1基板之矩 陣陣列基板係具備有,由:非晶形矽及多晶矽爲半導體層 之薄膜電晶體等之轉換元件,及連接於它之畫素電極,掃 瞄線訊號線。另一方面在於第2基板之面向基板係具備有 ,含有三原色之著色層之彩色濾光片,以及面向電極。而 此二枚基板係介著將基板間之距離保持於一定之用之間隔 件而藉由形成於基板之周邊之接著劑所固定。 近年來由於爲了提高基板之貼合精皮之緩和及開口率 ,實施在於矩陣陣列基板之轉換元件與畫素電極之間,配 置由彩色濾光片層或透明樹脂所構成之絕緣層。此時爲了 電氣的連接轉換元件與畫素電極起見,須要在絕緣層上形 成接觸孔。 惟由於有接觸孔之存在而有發生下述之缺點之可能性 ,即在接觸孔之凹處內部附著塵埃而降低液晶顯示裝置之 可靠性,又爲了使液晶指向之用之指向膜之印刷性劣化, 本紙張尺度適用中酬家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~一 I------^--Mm|丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527496 A7 B7 五、發明説明2() 而有發生顯示之不均一之可能性也有。 (發明之槪說) 本發明乃爲了解決上述問題所創作,其目的係提供顯 示品位良好,且可靠性高之液晶顯示裝置及該液晶顯示裝 置之製造方法。 本發明乃提供一種液晶顯示裝置,主要乃具備有,具 有第1基板、及形成於上述第1基板上之轉換元件,及覆 罩上述轉換元件地被形成之層間絕緣膜,形成於上述層間 絕緣膜上,介著形成於上述層間絕緣膜之接觸孔而連接於 上述轉換元件之畫素電極,及覆罩上述畫素電極地被形成 之指向膜,及形成於上述指向膜之下面之間隔件,而成之 陣列基板,及面向配置於上述陣列基板之面向基板,及 配置於上述陣列基板與上述面向基板之間之液晶組成 物而成之液晶顯示裝置中。 其特徵爲: ' 在於對應於上述接觸孔之領域內之上述畫素電極與上 述指向膜之層間,配置有由與上述間隔件同一材料所形成 之平坦化層者。 又,本發明乃提供一種液晶顯示裝置之製造方法,主 要係在於第1基板與第2基板之間挾持液晶層之液晶顯示 裝置之製造方法中, 其特徵爲,具有下述之製程: 在於上述第1基板上,形成轉換元件之製程’及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 5 - .-I— — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 4. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527496 A7 ____B7 五、發明説明3() 覆罩上述轉換元件而對應於上述轉換元件之一部份地 形成具有接觸孔之層間絕緣膜之製程,及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在於上述層間絕緣膜上,形成介著上述接觸孔連接於 上述轉換元件之畫素電極之製程,及 於上述層間絕緣膜上或上述畫素電極上形成間隔件, 同時在於對應於接觸孔之領域內形成平坦化層之製程,及 形成上述平坦化層之後,形成指向膜之製程,及 將上述指向膜予以摩擦處理之製程者。 依本發明時由於有平坦化層而使接觸孔被平坦化而可 能防止塵埃之附著於接觸孔內,同時提高指向膜之印刷性 也成爲可能,因此可達到提供顯示品位良好,且可靠性高 之液晶顯示裝置之目的。 (合宜之實施形態之詳細說明) 下面參照附圖詳細的說明有關本發明之液晶顯示裝置 ,以及此液晶顯示裝置之製造方法之一實施形態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔第1實施形態〕 第1圖係本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置之斷 面圖。第2圖係適用於第1圖所示之液晶顯示裝置之矩陣 陣列基板2 3上之電極構成等之上面圖。爲了容易了解起 見省略其構成要素之一部份者。 如第1圖所示,液晶顯示裝置5 0乃在於第1基板( 玻璃基板)1 0與第2基板(玻璃基板)1 2之間挾持液 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)' 527496 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明4() 晶層1 4而構成。 矩陣陣列基板2 3乃,由在於第1基板(玻璃基板) 1 0上形成轉換元件之薄膜電晶體2 7等所構成。又面向 基板4 1即在玻璃基板1 2上形成面向電極3 8等所構成 〇 下面說明矩陣陣列基板2 3之詳細構成。 在於透明的玻璃基板1 0之一主面上形成氧化矽( S i〇x)之底塗膜1 6。又,底塗膜1 6上形成上鉬· 鎢(Μ 〇 · W )等之源極電極1 8及漏極2 0。該源極電 極1 8乃與第2圖所示之訊號線1 7成一體且由此訊號線 1 7突出狀地被形成。 再者,在於源極電極1 8與漏極電極2 0之間,形成 有,用於形成通道領域之非晶形矽(a — S i )之半導體 層2 2。在此半導體層2 2之中央部份疊層有氮化矽(S i N X )之閘極絕緣層2 4。 在此閘極絕緣層2 4上,形成有鋁/鉬(A 1 / Μ 〇 )等之閘極電極2 6。此閘極電極2 6乃與第2圖所示之 掃瞄線2 5成一體地且從此掃瞄線2 5突出狀地被形成。 結果可以形成轉換元件之正交錯型(stugger type)之薄 膜電晶體2 7。這些薄膜電晶體2 7乃由用於保護薄膜電 晶體2 7之氮化矽膜2 8所覆罩。 又在包含此氮化矽膜2 8之全面上,形成由丙烯酣基 系樹脂所成之丙烯酚基系樹脂絕緣層3 〇。此丙烯|分基系 樹脂絕緣層3 0將成爲由第1之絕緣材料所形成之絕緣層 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 7 ——-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 訂 ^1. 527496 A7 B7 五、發明説明5() 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於丙烯酚基系樹脂絕緣層3 0上,配置有由I T〇(I ndium Tin Oxide)等之透明導電材料所形成之畫素電極 3 2,而此畫素電極3 2乃介著形成於丙烯酚基系樹脂絕 緣層3 0之接觸孔3 4而電氣的連接於漏極電極2 0。 接觸孔3 4係藉由有機系樹脂所形成之平坦層3 6而 大致上被埋塡,在畫素電極3 2上,配置有與平坦化層 3 6同一材料所形成之間隔件4 7。 接著說明面向基板4 1之詳細的構成。 面向基板4 1乃,具備有:配置於做爲第2基板之透 明之玻璃基板12之一主面上之紅色、綠色、藍色之彩色 濾光片3 5,及配置於這些彩色濾光片3 5上,以資被覆 這些彩色濾光片3 5而使之平坦化之平坦化保護膜3 7, 及配置於這些平坦化保護膜3 7上之由I T〇等之透明導 電性金屬所形成之透明之面向電極3 8而構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 矩陣陣列基板2 3及面向基板4 1乃,分別具備有配 置於所面向之面之,由聚亞酰胺(polyimide)所形成之指 向膜3 9、4 0。又,於矩陣陣列基板2 3及面向基板 41上,備有接著於這些指向膜39、40之相反面之偏 光板4 2、4 4。 又,矩陣陣列基板2 3與面向基板4 1乃,周圍被接 著後被粘貼成一起,液晶層1 4係挾持於矩陣陣列基板2 3及面向基板4 1之間之狀態地被封密。 下面參照第3圖乃至第6圖地說明此液晶顯示裝置之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8- 527496 A7 B7 五、發明説明6() 製造過程(製程)。 (1 )如第 3 圖所示,以 CVD(Chemical Vapor De (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) po si to η)法在於玻璃基板1 0上,形成氧化矽之底塗膜 16° 又在底塗膜1 6上,以濺射法(Spattering)等形成 Μ〇W膜等經圖樣形成(Patterning)以資形成源極電極1 8 及漏極電極2 0,又同時形成訊號線1 7 ° 接著藉由電漿(Plasma) CVD法等疊積由非晶形· 石夕(a - S i )等所成之半導體,而後施予圖樣形成,以 資形成半導體層2 2。 接著藉由C V D等絕緣膜之堆積,藉由濺射法之 A 1 /Μ ◦膜等之形成後,以圖樣形成而形成閘極絕緣層 2 4及閘極電極2 6。又,此時同時地亦形成掃瞄線2 5 〇 再者,對於半導體層2 2將磷(Ρ )予以滲雜( dopping),將半導體層2 2之一部份形成爲n+ — a — S i 之後,藉由雷射退火(Laser-annealing)等使所滲雜之磷予 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以活性化。 而後藉由C V D等來疊積氮化矽,施予圖樣形成做成 氮化矽膜2 8。 (2 )接著如第4圖所示,塗佈丙烯酚基系樹脂,施 予圖樣形成以資形成丙烯酚基系絕緣層3 0 (絕緣層形成 製程),而由此圖樣之形成之同時亦在於丙烯酚基系樹脂 絕緣層3 0上形成接觸孔3 4。 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) 527496 A7 B7 五、發明説明7() 接著藉由濺射法等形成I T 0,施予圖樣形成以資形 成畫素電極3 2,畫素電極形成製程)。此時畫素電極 3 2乃介著接觸孔3 4而電氣的連接於漏極電極2 0。 由上述而形成矩陣陣列基板2 3。 (3 )接著如第5圖所示,藉由旋轉噴塗(Spin Coat )而形成感光性樹脂層4 6,(平坦化層形成前期製程) 。在此時對於接觸孔3 4內亦塡充感光性樹脂層4 6。 (4 )接著如第6圖所示,在於接觸孔3 4內形成平 坦化層3 6之同時,於畫素電極3 2上形成間隔件4 7 ( 平坦化層形成後期製程)。 此時首先爲了形成間隔件4 7使用感光遮蔽罩而藉紫 外線而使感光性樹脂層4 6曝光。感光遮蔽罩乃具有對於 欲形成間隔件4 7之處所照射紫外線,而其他處即不照射 紫外線之遮蔽罩之圖樣。 完成曝光之感光性樹脂乃經由顯像液之顯像而可以形 成間隔件4 7及平坦化層3 6。 間隔件4 7乃藉由經紫外線所曝光之感光性樹脂之不 容易溶解於顯像液而得於形成者。 在於接觸孔3 4內之感光性樹脂之留存狀態之控制係 利用,在於接觸孔3 4之內外之感光性樹脂層4 6之厚度 之不同也。 詳述之,藉旋轉塗佈法而在於基板上塗佈某種膜時’ 首先將液體材料滴下於基板上’然後使基板旋轉由而在於 基板表面上形成均一之膜。惟如果在基板上有凹處時’液 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-1〇 _ Γ4Ι — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527496 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明8() 體材料容易滯留於該處,所以在於基板上之凹處係被其他 處容易形成厚膜。此厚膜之不同乃由凹處之形狀,液體材 料之粘性,基板之旋轉速度等之條件所決定。 如上所述,在於接觸孔3 4之內外地感光性樹脂層 4 6之厚度有所不同,所以調整對於顯像液之浸漬時間就 可以去除接觸孔3 4外之感光性樹脂層4 6 (扣除間隔件 4 7),而得於留存接觸孔3 4內之感光性樹脂層4 6也 〇 第7圖係表示對於顯像液之浸漬時間與感光性樹脂層 4 6之膜厚之變化之關係之例示圖。 曲線A相當於接觸孔3 4之外部之感光性樹脂層之膜 厚,曲線B係相當於接觸孔3 4之內部之感光性樹脂層之 膜厚。 浸漬於顯像液以前,接觸孔3 4內外之膜厚係分別爲 6 · 5 // m、及5 · 5 // m。曲線A、B之傾斜相等,所 以可以知道在於接觸孔3 4之內外地感光性樹脂層4 6之 飩刻速度相等之事實。 此結果,在於點C而接觸孔3 4外即被去除感光性樹 脂層4 6,並且在於接觸孔3 4內會留存感光性樹脂層 4 6。 在於接觸孔3 4內而感光性樹脂層4 6之完全地被去 除係到達D點以後者,換言之自C點(處理時間6 0秒) 至C點(處理時間約7 2秒)之間控制浸漬時間由而可以 控制接觸孔3 4內之感光性樹脂層4 6之留存狀態。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) -11 - 527496 A7 B7 五、發明説明9() 如上所述地在於接觸孔3 4內形成平坦化層3 4。 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) (5 )接著在於面向於矩陣陣列基板2 3及面向基板 4 1之面上形成聚亞酰胺膜(指向膜3 9、40),而於 相反側之面,接著偏光板4 2、4 4,而在於矩陣陣列基 板2 3及面向基板4 1間封入液晶層1 4而形成液晶顯示 裝置5 0。 〔第2實施形態〕 第2實施形態乃在下述之點而與上述之第1實施形態 有所差異。 (1 )以使用遮蔽罩之圖樣形成而實施平坦化層3 6 之形成。(第1實施形態係利用接觸孔3 4內之樹脂層之 厚度之差異來形成者)。 (2 )在於矩陣陣列基板2 3上形成彩色濾光片。( 第1實施形態乃在於面向基板上形成彩色濾光片)。並且 在於本實施形態中此彩色濾光片將成爲本實施形態中以第 1絕緣材料所構成之絕緣層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 換言之,本實施形態乃與第1圖及第2圖所示之第1 實施形態有所不同,在於面向基板4 1上沒有彩色濾光片 3 5,替代地在於矩陣陣列基板2 3上之丙烯酚基系樹脂 絕緣層3 0係以彩色濾光片3 5所形成係所不同之處。 下面說明本實施形態之薄膜電晶體形成後之製造方法 〇 (1 )以旋轉噴塗機(spinner)而全面地噴塗分散了 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~_ 12 - "~^ 527496 A7 B7 五、發明説明4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 紅色之顏料之感光性抗蝕刻,而以9 0 °C乾燥1 〇分鐘, 而後只在於形成紅色之著色層之部份照射紫外線,而在於 外周部(寬1 0 // m )及形成接觸孔3 4之部位(2 0 //mx 2 0 //m)乃介著紫外線之被遮光之感光性遮蔽罩 ,而以曝光量之成爲2 0 〇m J /c m2地將感光性抗鈾刻 劑予以曝光。接著以氫氧化鉀1 w t %水溶液而2 0秒顯 像感光性抗鈾劑。以2 0 0 °C燒成6 0分鐘,由而形成紅 色之著色層。 同樣反複形成綠、藍之著色層,由而形成各著色層之 膜厚爲1 · 5 // m之彩色濾光片3 5。(絕緣層形成製程 ),本例中對於綠之著色材料藍之著色材料分別使用感光 性抗蝕劑。 ,而後以濺射法形成I T〇(膜厚約〇 · 1 // m )之後 藉由光蝕法形成介著接觸孔3 4而電氣的連接於源極電極 18之畫素電極3 2 (畫素電極形成製程)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2 )再,以旋轉噴塗法塗佈感光性之黑色樹脂,實 施於9 0 °C 1 0分鐘之乾燥。(平坦化層形成前期製程) 。而後在於欲形成間隔件4 7之部位(7 // m X 1 5 # m )及顯示領域之外週部(寬3 m m )以及接觸孔3 4之部 位(2 0 // m X 2 0 // m )即介著可照射紫外線之感光遮 蔽罩而以曝光量3 0 Om J /cm2而使黑色樹脂予以曝光 。再以p Η = 1 1 · 5之鹼性水溶液而將黑色樹脂予以顯 像,施予2 0 0 °C來實施6 0分鐘之燒成,以資形成間隔 件 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 13 _ 527496 Α7 Β7 五、發明説明) 4 7及顯示領域外週部之遮光層’同時形成爲了使平坦化 接觸孔3 4之用之平坦化層3 6 (平坦化層形後期製程) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 (3 )如上述所完成之矩陣陣列基板2 3上塗佈指向 膜材料形成指向膜3 9施予摩擦處理。在於形成了面向電 極3 8 (共同電極)之面向基板4 1上也同樣地形成指向 膜4 0之,實施摩擦處理。 接著使用由環氧系之熱硬化性樹脂所成之接著劑粘貼 矩陣陣列基板2 3與面向基板4 1 ,注入液晶組成爲,而 以紫外線硬化樹脂封密注入口。 再在於矩陣陣列基板2 3及面向基板4 1之外面貼合 偏光板4 2,4 4製成液晶顯示裝置。 驅動了所製作成之液晶顯示裝置之結果,沒有由塵埃 之缺點所致之暉點之不良獲得沒有顯示不均所致之高品位 之顯示。 本例中替代於感光性之黑色樹脂使用感光性透明樹脂 亦可以。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明並不侷限於上述實施形態,在本發明之範圍之 內仍可實施種種之擴張或變更者。 (1 )本發明之轉換元件不限於薄膜電晶體,例如二 極體等之二端子元件亦無妨。 (2 )彩色濾光片乃在於矩陣陣列基板,面向基板任 何一方均可’或不設置亦可。 (3 )本發明之基本的想法係在於用於電氣的連接轉 本紙張尺度適用中國國家檩準(CNS ) Α4規格(2ι〇χ297公釐)14 527496 A7 B7 五、發明説明4 ) 換元件與畫素電極之接觸孔內形成使接觸孔平順化之平坦 化層之要件。在於實施形態中,例示了使用感光性樹脂而 施予圖樣形成之方法,利用接觸孔內外之感光性樹脂之厚 度之差異之方法等二種方法,惟平坦化層之形成方法不必 限定於這些。 例如在於接觸孔之凹處內外而蝕刻速度會不同地使用 絕緣性材料及蝕刻液(處理液)之組合亦可以形成平坦化 層。 又,平坦化層之材質亦不限定於有機物,無機物亦無 妨。 如上所述,依本發明之液晶顯示裝置及液晶顯示裝置 之製造方法時,藉由在於接觸孔內形成平坦化層,由而使 基板予以平坦化,因此可以防止接觸孔內之塵埃之附著, 同時可以提高指向膜之印刷性之印刷性。因此可以提供顯 示品位良好而且可靠性高之液晶顯示裝置也。 圖式之簡單說明 第1圖係槪略的表不本發明之一'實施形態之液晶顯不 裝置之構造之斷面圖。 第2圖係槪略的表示適用於第1圖所示之液晶顯示裝 置之矩陣陣列基板之構造之平面圖。 第3圖係槪略的表示第1圖所示之液晶顯示裝置之一 製造過程之斷面圖。 第4圖係槪略的表示第1圖所示之液晶顯示裝置之一 rjml, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -15- 527496 Α7 Β7 五、發明説明β ) 製造過程之斷面圖。 第5圖係槪略的表示第1圖所不之液晶顯示裝置之一 製造過程之斷面圖。 第6圖係槪略的表示第1圖所示之液晶顯示裝置之一 製造過程之斷面圖。 第7圖係表不本發明之一*實施形龍之液晶顯不裝置之 一製造過程中之絕緣層之膜厚與顯像像之浸漬時間之關係 之斷面圖。 標號說明 10 玻璃基板(第1基板) 12 玻璃基板(第2基板) 14 液晶層 16 底塗層 17 訊號線 18 源極電極 2 0 漏極電極 22 半導體層 23 矩陣陣列基板 24 閘極絕緣膜 25 掃瞄線 26 閘極電極 27 薄膜電晶體 28 氮化矽膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)_ 16 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527496 A7 B7 五、發明説明4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30 丙 烯 系 樹 脂 絕 緣 層 32 畫 素 電 極 34 接 觸 孔 35 彩 色 濾 光 片 36 平 坦 化 層 37 平 坦 化保 護 膜 38 面 向 電 極 39 指 向 膜 ( 陣 列 基 板 ) 40 指 向 膜 ( 面 向 基 板 ) 41 面 向 基 板 ( 第 2 基 板) 42 偏 光板 ( 陣 列 基 板 ) 44 偏 光 板 ( 面 向 基 板 ) 46 感 光性 樹 脂 層 47 間 隔 件 50 液 晶 顯 示 裝 置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ _

Claims (1)

  1. 527496 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種液晶顯示裝置,主要乃具備有, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有第1基板、及形成於上述第1基板上之轉換元件 ,及覆罩上述轉換元件地被形成之層間絕緣膜,形成於上 述層間絕緣膜上,介著形成於上述層間絕緣膜之接觸孔而 連接於上述轉換元件之畫素電極,及覆罩上述畫素電極地 被形成之指向膜,及形成於上述指向膜之下面之間隔件, 而成之陣列基板,及 面向配置於上述陣列基板之面向基板,及 配置於上述陣列基板與上述面向基板之間之液晶組成 物而成之液晶顯示裝置中。 其特徵爲: 在於對應於上述接觸孔之領域內之上述畫素電極與上 述指向膜之層間,配置有由與上述間隔件同一材料所形成 之平坦化層者。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置,其 中 上述平坦化層係由樹脂所形成者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 ·如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置,其 中 上述平坦化層係黑色者。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置,其 中 上述層間絕緣膜係彩色濾光片者。 5 · —種液晶顯示裝置之製造方法,主要係在於第1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18 - 527496 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 基板與第2基板之間挾持液晶層之液晶顯示裝置之製造方 法中, 其特徵爲,具有下述之製程: 在於上述第1基板上,形成轉換元件之製程,及 覆罩上述轉換元件而對應於上述轉換元件之一部份地 形成具有接觸孔之層間絕緣膜之製程,及 在於上述層間絕緣膜上,形成介著上述接觸孔連接於 上述轉換元件之畫素電極之製程,及 於上述層間絕緣膜上或上述畫素電極上形成間隔件, 同時在於對應於接觸孔之領域內形成平坦化層之製程,及 形成上述平坦化層之後,形成指向膜之製程,及 將上述指向膜予以摩擦處理之製程者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) · 19 -
TW090110034A 2000-04-27 2001-04-26 Liquid crystal display device and its manufacturing method TW527496B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000128356A JP2001311963A (ja) 2000-04-27 2000-04-27 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW527496B true TW527496B (en) 2003-04-11

Family

ID=18637811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090110034A TW527496B (en) 2000-04-27 2001-04-26 Liquid crystal display device and its manufacturing method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6362865B2 (zh)
JP (1) JP2001311963A (zh)
KR (1) KR100427880B1 (zh)
TW (1) TW527496B (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4298131B2 (ja) * 1999-05-14 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
TW459275B (en) * 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4338948B2 (ja) * 2002-08-01 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法
JP4063082B2 (ja) * 2003-01-10 2008-03-19 日本電気株式会社 フレキシブル電子デバイスとその製造方法
JP4283020B2 (ja) * 2003-03-28 2009-06-24 シャープ株式会社 液晶パネルおよびその製造方法
JP4517063B2 (ja) 2003-05-27 2010-08-04 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP4355552B2 (ja) * 2003-10-09 2009-11-04 シャープ株式会社 液晶表示素子の製造方法
TWI247959B (en) * 2004-01-30 2006-01-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display device
KR101009677B1 (ko) * 2004-05-24 2011-01-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR101129435B1 (ko) * 2005-06-15 2012-03-27 삼성전자주식회사 전기습윤 표시패널과 이의 제조 방법
US9176353B2 (en) * 2007-06-29 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8921858B2 (en) * 2007-06-29 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8334537B2 (en) * 2007-07-06 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TWI575293B (zh) 2007-07-20 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP2009049384A (ja) 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8330887B2 (en) * 2007-07-27 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US8101444B2 (en) 2007-08-17 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5395384B2 (ja) * 2007-09-07 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
CN202548486U (zh) * 2012-03-15 2012-11-21 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、液晶显示面板以及液晶显示器
CN102799028B (zh) * 2012-08-16 2014-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
JP6054763B2 (ja) * 2013-02-12 2016-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
TWI582968B (zh) * 2014-08-15 2017-05-11 群創光電股份有限公司 陣列基板結構及接觸結構
KR102515002B1 (ko) * 2015-12-28 2023-03-28 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 디스플레이 패널
CN106681071A (zh) * 2016-12-29 2017-05-17 惠科股份有限公司 液晶显示面板及其制备方法
CN107037653A (zh) * 2017-05-11 2017-08-11 惠科股份有限公司 显示面板及其制备方法、及显示器
CN110161760A (zh) * 2019-05-28 2019-08-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147232A (ja) * 1984-12-20 1986-07-04 Canon Inc 液晶素子
JPH03126921A (ja) 1989-10-12 1991-05-30 Sony Corp 液晶表示装置
TW477907B (en) * 1997-03-07 2002-03-01 Toshiba Corp Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method
JPH10253968A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
TW475078B (en) * 1997-09-30 2002-02-01 Toshiba Corp Liquid crystal display device and production of liquid crystal display device
JP3335578B2 (ja) * 1998-06-30 2002-10-21 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001311963A (ja) 2001-11-09
US6362865B2 (en) 2002-03-26
KR20010098900A (ko) 2001-11-08
US20020008819A1 (en) 2002-01-24
KR100427880B1 (ko) 2004-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW527496B (en) Liquid crystal display device and its manufacturing method
TW523629B (en) Color liquid crystal panels and color liquid crystal visual display units
US7511782B2 (en) Liquid crystal display device and fabrication method having open gate/data pads with transparent conductive layer thereon to an edge thereof
US7531372B2 (en) Method for manufacturing array substrate for liquid crystal display device
US10268082B2 (en) Display panel and method of manufacturing the same, and display device
US7535540B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP3539330B2 (ja) 液晶表示パネル及びその製造方法
US7276445B2 (en) Method for forming pattern using printing method
WO2011080879A1 (ja) アクティブマトリクス基板及びその製造方法
US8120028B2 (en) Active device array substrate, color filter substrate and manufacturing methods thereof
JP2002057317A (ja) アクティブマトリクス基板ならびに表示装置および撮像装置
JP3708593B2 (ja) 液晶表示装置、及びその製造方法
US7894010B2 (en) Liquid crystal display panel and method for fabricating the same
US20090316089A1 (en) Liquid crystal display panel and method for fabricating the same
KR101279509B1 (ko) 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
CN104297977A (zh) 显示基板及其制作方法、液晶面板
JPH0667135A (ja) 液晶表示装置の製造方法
WO2009142089A1 (ja) 表示パネル用の基板、この基板を備える表示パネル、表示パネル用の基板の製造方法および表示パネルの製造方法
JP3987522B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
US6989299B2 (en) Method of fabricating on-chip spacers for a TFT panel
KR20100076822A (ko) 전기영동표시장치 및 그 제조방법
KR100983593B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR100670056B1 (ko) 광시야각 액정 표시 장치용 기판 및 그 제조 방법
JPH04119331A (ja) 薄膜トランジスタとその製造方法
JP2005346100A (ja) Cfオンtftパネル及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees