TW526589B - Method and apparatus for supplying electricity uniformly to a workpiece - Google Patents

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Shamouil Shamouilian
Ananda H Kumar
Donald J Olgado
Joseph J Stevens
Ricardo Leon
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Description

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五、發明說明（） 發明領域· 本發明係與提供電性接觸而施加電能於金屬沉積系 統中之基板有關’特別是-種在電鍍系統中均勻施加電流 於工件上之方法及設備。 發明背景： 次四分之一微米與多層金屬化係為下一世代極大型 積體電路I重要技術。形成這些内連線特徵的可靠方式使 得電路密度增加、改善極大型積體電路之接受度並改善個 別處理晶圓之品質。當電路密度增加時，介層t、接:及 其他特徵之寬度，特徵間介電層材料的寬度會隨之減小。 然而，介私層的咼度大致上維持不變，因此特徵之深寬比 (亦即高度或深度除以其寬度)會增加。目前許多傳統沉積 製程（例如物理氣相沉積法PVD與化學氣相沉積法cVD) 難以提供深寬比4/1以上（特別是1/10以上）之均勻特徵， 因此形成深寬比4/1(或以上）之無空洞奈米尺寸特徵的努 力不斷地在進行中。 電鍍製程（先前受限於積體電路設計中電路板上之導 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線）被用來填滿介層窗及接點❶通常可以數種技術來電鍍 金屬。一種方式係涉及先沉積一阻障層於晶圓之特徵表面 上方，沉積導電金屬晶種層於此阻障層上，然後沉積導電 金屬（例如銅）於晶種層上方以填滿結構/特徵，最後使這些 沉積膜層平坦化（例如以化學機械研磨法）以定義出導體内 連線特徵。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐 526589 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 鑲嵌製程包含以金屬導電層填滿絕緣材料溝槽之製 程’然後姓刻金屬導電層之表面以形成表面平坦絕緣導體 於絕緣材料中。鑲嵌與雙重鑲嵌製程（製造銅導線於矽晶 圓上之上述應用）之效果與成功主要係視所沉積銅層的均 勻性而定，其效果亦視以化學機械研磨法移除部份銅層而 定。 在電鐘製程中，沉積一金屬層係施電能至晶種層，然 後將晶圓電鍍面曝露於一含欲鍍金屬之電鍍液中。後續沉 積之金屬層則黏附於此晶種層（以及一均勻層）上以均勻地 生成此金屬層。有數種原因阻礙了金屬電鍍於具有高深寬 比奈米尺寸特徵之晶圓上，這些阻礙包含晶圓電鍍面之功 率及電流密度之不均勻分俾。 在一金屬沉積系統中，有數個原因可能會導致金屬層 沉積不均句。其一主要原因係與不同接點56上之材料變 動有關之製程時間的不均勻。因此，每個接點會生成獨一 且不可預測S幾何輪廓與密度，因此若曝露於相同電壓時 會產生變化且不可預測之電阻值。此不同接點％之變化 電阻值會導致晶圓上之電流密度分佈不均勾。4匕接點之變 化電阻值會改變電場並且接點/晶種層界面之接點電阻值 會隨晶圓4"文變，如此會導致同一設備中不同的晶圓上 會有不一致的電鍍分佈。 ^施加電流至晶種層之電源供應電路包含複數個接觸 環上上之接點56。在一電鍍設備之範例中，以單一電源供 應器施加電流至一電性連結於所有的金屬接點56的接 第3頁 -------；---.---裝·1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一SJ.- -線 526589 A7 B7____ 五、發明說明（） 點。不同接點的電氣特性可能會不同，特別是在長時間使 用之後。這些具有高電阻的金屬接點會供給晶種層較少的 電流。若每一金屬接點所受的電壓相同，則依據歐姆定律 可知具有較大電阻的接點會有較大的電流流過。施於晶圓 電鏡面之晶種層之不均勻功率分佈及電流密度會導致接 點有不同的電流。不均勻功率分佈及電流密度的不均等會 導致晶種層上沉積不均勻的金屬。 因此亟需一種可提供均勻電流至數個接點及晶圓上 晶種層之設備。此種設備必須提供電鍍槽中晶圓表面大致 上均勻的功率分佈以沉積可靠及一致的導電金屬層於曰 圓上。 ------J——.——裝·· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明目的及概述： 本發明提供一種供應基板電能之方法與設備。在一實 施例中，此设備包含數個接點、一電流感測器及一電流調 整器。此電流感測器附於每一接點上以感測其電流。電流 調整器因應於電流感測器之訊號而控制施於每一接點2 的電流。 ‘ 在另一實施例中，一隆起環繞著每一接點的周圍形 以形成一接點密封物。此隆起可藉—可定義於均句膜層、 外表面的隆起物之厚導電層形成；或者是，此隆起可 一膜層形成之》 另 第4頁 訂 線 本紙張尺度翻中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮了 526589 A7 B7 五、發明說明（ 圖式簡單說明： 藉由以下之詳細說明與伴隨圖示厚將可輕易地了解 本發明之教導，其中： 第1圖係本發明之一喷泉板的簡化側視剖面圖； 第2圖係本發明用於第1圖之電源供應器的一實施例示意 rg! · 圖， 第3圖係本發明個別導體具有第2圖之回授部份242的示 意圖， 第4圖係本發明晶圓固定剖面圖； 第5圖係第4圖之部份410的展開圖； 第6圖（包含第6A圖至第61圖）係接觸基板製程之一實施 例的剖面圖；及 第7圖係隆起之實施例的俯視圖。 為便於了解，本發明使用相同圖號以標示圖中的相同 元件。 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖號對照說明： 10 噴泉板 12 電解容器 13 開口 14 晶圓支撐件 14 晶圓支撐件 16 陽極 20 接觸環 21 封閉室 22 電源供應器 48 晶圓 54 晶圓電鐘面 56 接點 204 控制器 206 電源供應器 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526589 A7 B7 五、發明說明（） 210 中央處理單元 212 記憶體 214 輸出/入電路 216 支援電路 218 系統匯流排 250 電流調整器 400 晶圓支撐件 410 部份 424 環狀支撐元件 424 環狀支撐元件 425 扣件 460 聚醯亞胺層 462 導電層 470 隆起 606 絡-銅-路賤鍵層 608 光罩 612 PSPI 層 614 導電線路層 616 導電線路層 652 接點 654 隆起 704 功率導體 706 可變電阻 708 功率導體 710 電流感測器 712 功率導體 714 控制導體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明詳細說明： 在下列說明之後热悉該項技藝者可清楚地察覺本發 明之教導可用於任何金屬沈積，例如電鍍。 1.組成結構 一喷泉板10至少包含一電解容器12、一陽極16、一 電源供應器2 2、一接觸環2 0、複數個接點5 6及一晶圓支 撐件1 4。此喷泉板1 0包含一沈積金屬於基板（例如一晶圓） 上之電解液。一晶圓48固定於此晶圓支撐件1 4上然後浸 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526589 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 入容器12之電解液中以沈積金屬於其上。以電鍍法將電 解液所含之銅沈積出一銅層於晶圓48之一區域上（典型上 已預先披覆一銅晶種層）。第2圖係描述本發明電源供應 器22之一實施例，其感測並控制加至第丨圖所示嘴泉板 1 0之接點56上之電流。即使本發明所揭示係噴泉板1 〇 , 本發明卻曰在涵蓋任何至少包含沉積金屬於晶圓或其他 基板上之接點5 6的製程反應室。 在第1圖中’接點56係電性耦合於電源供應器22。 任何接觸基板上所沉積之晶種層的接點結構均為本發明 此揭所指之”接點”，例如接點至少包含接觸桿、接觸針以 及其他已知的接點結構。此噴泉板1 〇包含一電解容器 12 ’觸及晶圓支撐件14之晶圓48可經一開口 ！ 3置於其 中。陽極16係置於靠近此噴泉板1 〇之底部。接觸環2〇 係用以維持晶圓之定位以由接觸環2〇中之接點56施以電 流。此晶圓支撐件1 4以開口 1 3之邊緣支撐以形成一含電 解液之封閉室2 1。此圓形接觸環20可電性接觸晶圓電鍍 面54上之晶種層。此晶種層之部份包含一最好是位於晶 圓4 8周圍之晶種層接觸部。晶種層之所在位置可與接點 56形成有效接觸。一電解液之輸入源及輸出源（均未顯示） 連結於電解容器1 2以個別地供給及汲取電解液至（自）電 解容器12中。 典型上此接點5 6係以含導電物質（例如Is、飲、鉑、 金、銅或銀）之材料或合金所形成的。位於接觸環20内部 之部份接點5 6係用以使晶圓4 8上產生之電場（及機械結 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i^T· •線· 526589 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 合效應）最小。此晶圓48係固著並位於柱狀電解容器12(其 軸向地符合晶圓4 8之形狀）之上方。此喷泉板1 0運作時 電解液會垂直地衝擊晶圓48之晶圓電鍍面54。 運作時，晶圓48與陽極1 6相互影響而作為陰極並可 被視為其上具有金屬可控膜層之工件。典型上此接觸環2〇 至少包含複數個金屬製或半金屬製之接點56。若此接點 5 6曝露於電解液中，則此晶種層會累積電鍍沉積物。接點 5 6上之沉積物會改變其物理、電氣及化學特性並最後使接 觸環20之電氣效能變差。此效能變差會因不均勻電流分 佈而導致晶圓上電鍍不均勻。 第2圖係描述本發明伴隨喷泉板1 〇之電源供應器22 的實施例。此實施例提供一可供給電源至個別接點之電源 設計，其中即使每一接點5 6之電阻相異，不同接點之電 流仍為平衡。即使是在接點5 6具有相同電阻之例子中， 此電源供應器22提供晶種層一更為均勻之電流密度（及電 流密度之應用）。含回授部份242之個別導體使每一接點 56個別地連接至一控制器204。每一含回授部份242之個 別導體感測施於其個別接點5 6之電流，並提供表示電流 之輸入至控制器204。此控制器依據所感測之電流來使不 同接點5 6間（如果有需要）之電流平衡如下。 第3圖係詳細顯示伴隨電源供應器206及控制器204 之含回授部份242的個別導體的實施例。此含回授部份 242的個別導體至少包含功率導體702、704及714、一可 變電阻706、一電流感測器7 1 0、控制導體7 1 2及7 1 4。此 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -------r —·— ------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526589 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 功率導體702由電源供應器206供給足夠的電流至控制器 204以滿足控制器204與噴泉板1〇之電氣及電子需求。功 率導體704及708(其中隔有可變電阻706)自控制器204 提供控制之電功率至喷泉板1 0之接點5 6。此電流感測器 7 1 0判定流經功率導體708之電流然後將此訊息（最好是以 數位形式）傳回控制器204。 此控制器204之電流調節器部份720提供一控制訊號 至可變電阻706。此可變電阻706之反應係若此接點個別 地接收較其他接點更多或更少的電流則增加或減少其電 阻值以控制施於控制器5 6之電流。伴隨不同個別回授部 份242之可變電阻706必須以整體方式運作。然後幾乎相 同的電流會自含回授部份242之個別導體施於其各自的接 點5 6 〇 在一實施例中，施於每一個別接點56之電流會因流 至個別接點之電流超過施於噴泉板之特定接點（其接收最 少電流）的電流量而減少。此電流減少可能肇因於增加可 變電阻706之一適當電阻值（由控制器204決定）。此控制 器2 0 4連續地運作使得可變電阻7 0 6之相關電阻值準位連 續地調整施於接點之電流。 在另一實施例中，控制器204施於相較其他接點接收 較少電流之接點5 6的電流可藉由增加電流調節器（未顯示） 所施之電流來接收更多電流；或者是，控制器2 〇 4可減少 施於較其他接點5 6接收更多電流之接點5 6的電流。任何 依據施於接點5 6之感測電流來改變施於不同接點5 6之電 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 請 先 閲 讀 背 之 注 項 再 填
訂 線 526589 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 流（以平衡多個接點間之電流）的技術均為本發明之範疇所 包含。 運作上此控制器204可視為包含電流感測部份及電流 凋節4丨刀等兩部份。圖中並未對此兩部份之個別分開描述 因其運作為有相關性並牽涉許多相同設備。此控制器至少 包含一中央處理單元（CPU)21〇、一記憶體212、輸出/入電 路214、電路部份216、系統匯流排218。此控制器204 之形式可為一個人電腦、一微電腦、一網路電腦、一主機、 一械處理器或是任何其他已知的電腦種類（其運作為該項 技藝已知故簡化而不予詳述）。 此中央處理單元2 1 0執行控制器204之處理及運算功 月匕此中央處理早元210最好為Intel Corporation、Texas
Instrument或Advanced Micro Device以及其他該項技藝所 知悉所製造之種類。此記憶體2 1 2包含儲存、讀取、程式、 運算域、系統參數及其他控制電源供應器22之必要參數 的隨機存取記憶體（RAM)及唯讀記憶體（R〇M)。系統匯流 排218於中央處理單元210、記憶體212、支援電路216 與輸出/入電路214間傳輸數位資訊。此系統匯流排21 8 亦於中央處理單元210、記憶體212、輸出/入電路214、 支挺電路216(蔭流排218連結於噴泉板1〇)。 此輸出/入電路214提供一於控制器204之每一組成 元件間傳輸數位資訊之界面。此輸出/入電路214亦提供控 制器204之每一組成元件與噴泉板1 〇之不同部份間之界 面。此支援電路216至少包含所有其他的使用者界面部份 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 — ^ — — — — --I---^ · 11--I 111 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526589 A7 B7 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (例如顯示器或鍵盤）、系統裝置及伴隨控制器204之附加 裝置。在以數位裝置說明控制器204之同時，本發明之範 疇亦包含執行類似功能之類比裝置。如第2圖所示之電流 調整器控制由電源供應器206供給陽極1 6之電流。 此控制器204與接點56間之交互連結可以涉及於適 當晶圓上單一或多層薄膜佈線方式的已知製造技術來達 成。 2 ·晶圓接點之製造 現在描述第2圖所用之接觸環20的製作過程實施 例。此製作實施例提供接點56，其提供比較流入個別接點 之電流的必要線路結構。此實施例提供可使下述不同接點 56間之電流再平衡的電氣接點。 此佈線網狀物與此接點5 6可製成一金屬網狀物。較 佳之金屬係長條狀且廣泛用於電氣接點之銅-鈹合金，因 其具有高彈性係數、良好的塑性及相對高的導電性。此製 造方法之範例說明於包含第6A圖至第61圖之第6圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第6A圖中，此接觸環20(最好是由鈹所製成）係去 毛邊並電鍍一層厚5微米之鎳。在第6B圖中，15-20微米 之聚醯亞胺層604包覆接觸環2〇之側面及邊緣。雖然聚 酿亞胺係為熟知的介電層，但任何其他可以下述方式應用 之介電層均為本發明之範疇所涵蓋。然後此晶圓於攝氏 300度至400度中固化。 在第6C圖中，一鉻_銅_鉻濺鍍層6〇6形成於接觸環 第”頁 I紙張尺度適时@國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f )-' '""""' 526589 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 20之上表面上。較薄之鉻層係作為保護層以避免對銅層有 不良影響。此銅層係作為導電層且外部鉻層係作為另一保 護層。移除此兩鉻保護層亦為本發明之範疇。第6C圖之 鉻-銅-鉻濺鍍層606包含約為200埃之鉻層、約為10-25 微米之銅層及約為200埃之鉻層。此10-25微米之銅層較 既存之技術為厚，且如第5圖所示提供一 470隆起。 在第6D圖中，接著形成一光阻（未顯示）於晶圓上以 開始選擇性地移除此鉻-銅-鉻濺破層 606。然後對此光阻 進行軟烤。此光阻可依需求為正光阻或是負光阻。然後以 光罩608將此光阻曝光以定義出第一線路層。在第6E圖 中’以一負蚀刻層（其一實施例包含高硫酸铵鹽ammonium persulfatee)移除鉻-銅-鉻濺鍍層 606未被光阻保護之部 份。此負蝕刻層（亦可使用其他蝕刻技術，以電漿蝕刻、 反應性離子蝕刻、液態蝕刻或其他適當技術）因而回復成 聚醯亞胺層。 在第6F圖中，接著形成光阻性聚醯亞胺層（PSPI)612 並進行軟烤。然後將此PSPI層曝光、顯影及固化。此係 為一介電材料。然後於第6F圖中視需要重複第6C圖之步 驟以形成導電線路層614、616於後續聚醯亞胺層間。在 第6G圖中，光阻性聚醯亞胺層於618中移除之部份，在 第6F圖中，若有需要於曝光及處理部份時提供下方膜層 介層窗。此多層可提供第6G圖之多層導體結構。 在第6H圖中，以雷射刻出一貫穿此多層至（但不限定） 第6B圖之聚醯亞胺層604的接觸孔650。此步驟使接點 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） --------^---.——裝•丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 526589 五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 56延伸至此聚醯亞胺層604。在第61圖中，以電鍍形成 接點56(最好是由鉑所形成）於第6H圖之接觸孔650中。 第6A圖至第6G圖所述之方法的好處在於形成之隆 起645環繞每一接點56。當如第4圖及第5圖壓縮時，此 隆起645會封住接點56而與第1圖之電解容器12的封閉 皇2 1所含的電解液隔離。在本發明之一實施例中，在路_ 銅-鉻濺鍍層606中披覆厚的（25微米）銅特徵可如第6C圖 所示形成此隆起645。此隆起645環繞接點56如第7圖所 示。此表面型態可提供可壓縮之隆起或是屏障654(因鉻_ 銅-鉻濺鍍層之厚度相較於周圍表面為突起）。當此隆起接 觸並被壓縮緊貼於基板48時，環繞於接點652之突起及 可壓縮之隆起或屏障延使接點56”截斷，，於電鍍液。第7圖 之接點652的俯視圖顯示此昇起之可壓縮隆起或屏障延伸 於環島702及内島704之上方。此可壓縮之隆起654可藉 由上述薄膜製程而具有高度重製性。接點56密封隔絕於 電鍍液可使電鍍液所含之金屬不會附著於接點56。此接點 密封亦可延長電鍍液之壽命因為電鍍液不會與接點56之 才瞭產生化學反應。此接點密封隔絕於電鍍液使得不同電 氣接點56間之電性均等及可預測，因為接點可維持其= 有材料及組態更久。在本發明之另一實施例中，此隆起'Μ# 具有一額外環繞於接點56周圍之聚醯亞胺層。此另一實 施例並不使用較厚的鉻-銅-鉻濺鍍層606。 第4圖及第5圖係顯示另一實施例中搭配電解容器u 之晶圓支撐件400的更細部。此晶圓支撐件4〇〇支撐著晶 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明說明（） 圓48使得晶圓電鍍面54曝露於容器12所定義之封閉室 21所含的電解液中。此接觸環20(如第4圖及第5圖之剖 面）藉一塑膠或其他抗腐蝕材料製成之絕緣扣件425(例％ 螺栓或螺絲）貼附於一環狀支撐元件424。第1圖之晶圓支 撐件14係由環狀支撐元件424之表面426所支撐。複數 個接點56被接觸環20之周圍所隔離並施電能於晶圓電艘 面54上之晶種層（未顯示）上。 第5圖係第4圖之部份410元件的展開圖。介電聚酿 亞胺層4 6 0結構性地支撐接點5 6。有數個導電層4 6 2置於 此介電聚酿亞胺層462中。接點56施加電流於晶圓電鍍 面54上之晶種層。隆起470(在一實施例中其外層是由介 电1酿亞胺層4 6 0所組成）佔滿壤繞接點5 6周圍之晶圓電 鍍面54。此隆起限制了電解液由反應室422流至接點56。 使接點5 6不曝露於電解液之限制延長了接觸環與電解液 的實際壽命。 施於接觸環20背面之壓力足以使環繞接點652之隆 起654平坦。變平坦之隆起654可使每一接點％建立穩 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 固的電性連結。接觸裱20被施以足夠的力量來使環繞接 觸孔650之隆起654平坦，並藉以使緊貼接點接觸環2〇 之652偏斜。此力量可形成緊密的封閉而限制接觸環2〇 之接點56與晶圓電鍍面54之上晶種層間的流體通道。 包含接點56與隆起之接觸環2〇的結構在其他實施例 中可作為具有聚醯亞胺之彈性電路層間介電層，如以已知 電路製造方法形成。此彈性電路之一範例見於1999年3 第14頁
526589 A7 五、發明說明（） 月12日核發予Kholodenko筝乂、 〒人 < 美國專利第5,885,469 號中，且此專利已讓渡於本發明 j <所有權人。此彈性電路 可藉膠合或是適當扣件附著於雷蚀 、私鍍設備之剛體上（且可固 化於一壓力銷中）。在後面的情況φ 旧，疋中，不昂貴的彈性電路 可作為電鍍槽中一可置換的接觸+牧 安觸私路。通常聚醯亞胺可良 好地抵抗酸性之電鍍溶液，其他聚人彡 儿來合物介電材料亦可取代 聚醯亞胺。 雖然不同含有本發明之教導的實施例已經詳細地說 明’但熟悉該項技藝者仍可輕易地推得這些教導所含之不 同實施例。 -----------,---裝 ------訂---------線--.^9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第15頁 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐）

Claims (1)

  1. 526589 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 1. 一種供應基板電流之設備，至少包含： 複數個接點； 一電流感測器，附於每一該複數個接點；及 一電流調整器，因應於該電流感測器來控制施於每 一該複數個接點之電流。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，更包含一控制器， 以判定每一該複數個接點間之不均句電流。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之設備，其中上述電流調整 器之運作因應於上述控制器。 4. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述電流調整 器確保該複數個接點有類似之電流準位。 5. 如申清專利範圍第1項所述之設備，更包含一電源供應 器供應上述接點電流。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6·如申請專利範圍第5項所述之設備，更包含複數個個別 導體’該別導體之至少一個使上述電源供應器連結至上 述複數個接點。 7·如申請專利範圍第6項所述之設備，其中上述電流調整 器更至少包含複數個可變電阻，至少一個可變電阻連結 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 526589 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 至每一上述該別導體以控制施於上述複數個接點之電 流。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之設備，其中上述電流調整 器更至少包含一電流控制裝置，調整每一上述該別導體 之電流。 9·如申請專利範圍第1項所述之設備，更包含一隆起環繞 上述接點形成。 1〇·—種施加電流於基板之方法’至少包含： 提供複數個接點； 感測施於每一該複數個接點之電流；且 因應於電流感測器而控制施於每一該複數個接點之 電流。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中上述控制電 流之步驟更包含使施於每一該複數個接點之電流平 衡。 1 2.如申清專利範圍第1 〇項所述之方法’其中上述控制電 流之步驟更包含改變施電流於接點之導體的阻抗。 1 3 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之方法，其中上述控制電 第17頁 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------:---------裝： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本 1 訂： --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526589 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 泥芡步驟更包含改變施加電流於接點之導體的電流準 位。 1 4· 一種形成接觸環之方法，至少包含： 提供一基板； 沉積至少一導電層於該基板上；且 沉積一至少鄰接該導電層之絕緣層於該基板上。 15·如申請專利範圍第14項所述之方法，更至少包含使一 接點電性連結於至少一個上述導電層。 16·如申請專利範圍第14項所述之方法，其中上述至少一 個導電層之厚度足以在上述絕緣層沉積後在中上述絕 緣層中定義一隆起。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之方法，更至少包含使一 接點電性連結於至少一個上述導電層，其中上述隆起於 上述接點之周圍延伸。 1 8. —種使晶圓與一電源供應器電性連結之接觸環，至少包 含： 一導電層； 一絕緣層，沉積於該導電層上方； 一接點，電性連結於該導電層並延伸穿過該絕緣層 第18頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本 l·. •裝 ’» · •線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 526589 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 至一外表面；及 一隆起’形成於該外表面上且於上述接點之周圍延 伸〇 19·如申請專利範圍第18項所述之接觸環，其中上述絕緣 層係一均勻膜層，且上述導電層具有足夠的大小來形成 上述隆起於上述絕緣層上。 2 0.如申請專利範圍第18項所述之接觸環，其中上述隆起 係以沉積於上述絕緣層上之附加膜層來形成。 21. —種施加電流於基板上之設備，至少包含： 一金屬沉積系統，至少包含一沉積室、一陽極及一 陰極，該陽極至少包含： 複數個接點； 一電流感測器，附於每一該複數個接點上； 一電流調整器，因應於該電流感測器而控制施於每 一該複數個接點之電流。 22·如申請專利範圍第21項所述之設備，其中上述金屬沉 積系統係一電鍍裝置。 23 .如申請專利範圍第2 1項所述之設備，更至少包含一隆 起形成於外表面上且於上述接點之周圍延伸。 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------1---?-----裝· · 赢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本V ·
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