TW322582B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW322582B TW322582B TW085109401A TW85109401A TW322582B TW 322582 B TW322582 B TW 322582B TW 085109401 A TW085109401 A TW 085109401A TW 85109401 A TW85109401 A TW 85109401A TW 322582 B TW322582 B TW 322582B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- hole
- patent application
- item
- conductive
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 55
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims 4
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920004142 LEXAN™ Polymers 0.000 description 2
- 239000004418 Lexan Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229920004738 ULTEM® Polymers 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002215 polytrimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
'82S22582 A7 經濟部t央標準局員工j消費合作社印製 B7 五、發明説明(1 ) 發明背景 某些技術可製造比電解質電容更簡潔,同時提供有利之 熱及電氣特性之電容。例如,Fisher等人於1.994年3月18曰 註册之申請案编號08/214,508號之"低外形電容及低外形整 合之電容/熱延器",非晶形氫化碳介電物質(經常稱爲"鑽 石形碳"(DLC))曾於通用電氣研發中心使用,以製造具有 比通常購得之電容高能量儲存密度電位之多層片電容,此 係由於可使用非常薄之薄膜之DLC高介電強度。另一多層 電容製造技術敘述於J.L. Davidson等人於SPIE 871册,間 隙構造,粉末及粉末條理308之】’多層DLC(鑽石形碳)電容 構 _, "(1988)中。 多層DLC電容一般係藉由在電極層及DLC介電層二者上 形成圖案,製成類似圖1中所示之構造。當DLC在電漿沈 積過程中使用模板遮蔽成圖案時,厚度之均勻性由於遮蔽 之形狀導致之電漿破壞而降低。此種降低造成DLC之厚度 其外板厚度遠比界定圖案之中間厚50%。若厚度之變化發 生於電容之活化區中,則減少設備之電容及電壓之衰退。 爲防止此種損害,形成圖案之面積經常放大,因此活化區 位於DLC層之中心部份。 至於電容之外形本身隨多層(其可包含數百層)增加,在 〆·· 基材上舖設金屬及DLC模板遮蔽扁平物之能力變得困難, 且當材料在遮蔽下面時,圖形之界定縮小。當_'層之數目增 加時,電容容量因此降低。 當濺射金屬面邊緣用於使電極層偶合時,邊緣在垂直圖 -4- --------二衣------1T------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29?公釐) 經濟部中央標準局員旱消費合作社印製 322582 at __-----— Β7 五、發明説明(2 ) 案之DLC堆積上僅具有5G%間距範固(即金屬厚度縮減5叫 ’此低間距範圍影響金屬之電阻,增加電容之分散値。 發明概要 间產率製程對於提供實質上具有均勻厚度之dlc層之多 層DLC電容係需要的。 本發1爲使多層電容之交互電極邊緣相連之構造與方法 。此包谷係使用非晶形氫化碳(通稱作鑽石形碳或dlc)當 作介電材料及導電材料當作電極層(電容板)製成。電極層 可使用模板遮蔽形成圖形,因此_DLC介電層可沈積。施用 全部之電容電極及介電層後,經過電極層形成孔洞(較好 以雷射燒蝕),以曝露交互電極層之邊緣。金屬邊緣再經清 潔且進一步曝露。電極層可藉由在孔中提供電導物質相連 。較佳之具體例中,導電物質係藉由在金屬種子層濺射於 孔中’且以導電不流動之物質,如銀環氧或焊料充填孔洞 塗佈。 附圖之簡要敛述 相信新賴之本發明特點係以附註申請項中之特點列明。 然而’本發明自身組織及操作方法二者,伴随其另一目的 及優點參考下列敘述及配合之附圖可進一步了解,其中相 同之數目代表相同之組件,其中· 圖1爲傳統多層電容之側剖面圖。 圖2爲製造本發明多層電容之起始步驟之側刮面圖。 圖3爲類似圖2之圖,更顯示電容層中之二孔。 圖4爲類似圖3之圖,更進一步顯示使電容電極層之曝 *-: __ -5- S張尺度適用中) Μ規格(2!οχϋ公釐] ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘裝· 訂 經濟部中央標準局員f消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(3 ) 露部份變寬後之孔。 圖5爲類似圖4之圖,更進一步顯示孔中與電極層之交 互層偶合之導電物質。 發明較佳具體例之敘述 圖1爲上述類型之一般多層電容之剖面圖。基材1支撑電 極層2、4及6及DLC介電層3、5及7。側緣8偶合電極層2及 6,且側緣9提供電極層4之連接。圖1之具體例具有有關形 成圖形之電極及DLC介電層之上述限制。 圖2爲製造本發明多層電容之起始步驟之側剖面圖。此 處揭示之本發明係關於使用金辱·•沈積製程及介電沈積製程 ,依序施於基材1 0上。例如,其一具體例中,電容係在 平坦之靜止或移動表面上製造,另一具體例中,電容製造 之定位器(未顯示)包含使基材材料之織物自組合滚筒上之 供給滾筒通至輸出滚筒,且又一具體例中,電容製造定位 器(未顯示)包含以基材圍繞部份滾筒之滾筒。電容製程包 含電極沈積及介電沈積設備(未顯示)。 基材10可包括聚酿亞胺膜,如Kapton聚酷亞胺(Kapton爲 E.I. duPont de Nemours & Co.)之商標。較好基材之厚度約 0.5至5密耳。其他可用之基材膜包含聚酯膜,聚醚醯亞胺 如Ultem聚酸SI亞胺(Ultem爲通用電氣公司之商標),聚竣 〆·· 酸g旨如Lexan聚碳酸g旨(Lexan爲通用電氣公司之商標),聚 四氟乙晞如Teflon聚四氟乙稀(Teflon爲E:I. duPont de Nemours & Co_之商標),聚丙稀,聚對苯二酸丙二g旨,及 聚乙烯。 -6 - --------^------1T------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙诙尺度適用中國國家標注(CNS ) A4規格(210X29?公釐) 經濟部中央標隼局員消費合作社印製 322582 λ7 Β7五、發明説明(4 ) 較佳具體例中,基材物質對形成平滑,無缺點之塗佈且 使多層膜接著係適當的,且此基材電容製造步驟與應用之 過程中具有機械與熱安定性。 重複交互沈積電極層(如所示之電極層12、16、20及24) 與絕緣層(所示如介電層14、18、22及26)之製程,直到達 到每單位面積需要之電容爲止。簡易起見,僅顯示以三層 介電層14、18及22分隔四層電極層,且以外介電層26覆蓋 。希望地是在眞實應用中使用許多額外之電極及介電層。 電容之活化區為電極層間覆蓋之區域。 介電層包括氫化之非晶形碳^稱爲DLC。介電層之厚度 係以電容所需之電壓衰減評等指示,且一般爲4微米或更 低之厚度。 電極層可包括導電層如,銘,欽,翻I,錄,銅,路,金 ,銀,銘,不錄鋼,氮化鈇及其組合。電極層一般係以蒸 發,濺射,其他形式之物理蒸氣沈積,電鍍,或雷射或電 漿協助之CVD。電極層之厚度一般在250至1500埃之間。 圖3爲類似圖2之圖,更進一步顯示電容層中之二孔洞28 。塗佈介電及電極層後,經過電容層形成孔28。電極層形 成圖案,因此孔洞可以電極層之交互層截斷配置。雖然二 孔同僅簡單的顯示,但若需要可形成額外之孔洞,各孔洞 〆· 均中斷交互之電極層。 其一具體例中,孔洞可使用準分子(excimer}雷射形成。 經過電極與介電層形成孔洞之另一方法包含,例如,使用 機械切割設備,如刀片或鋸子。"孔洞"一詞意指任何形 -7- --------赢------、訂------j- — (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) ’其使電極與介電層 Β22582 五、發明説明(5 狀之包圍切割’切片,及其他之開 曝露。 圖4係類似圖3之圖,更進—步地顯示圖3之孔28介電部 份已變寬進-步使電容電極層12、16、2〇及24之邊 32曝露後之孔洞30。雖然並不需使孔洞變寬,但其使 與電極層焊接非常有用。其—具體例中,可使用氧氣電衆 蚀刻技術,進-步藉DLC層之後蚀刻使邊緣部㈣曝露。 若使用準分子雷射切除形成孔技術特別有用 ,因爲此蚀刻可同時清除切除形成之灰。 圖5係與圖4類似之圖,更進二_步顯示使電極層12、16、 20及24之父互邊緣部份32偶合之孔3〇中之導電物質μ。 較好導電物質34係藉由施與接著促進,導電晶種層,接 著提供不流動之填料物質如銀環氧樹脂或烊料製成。其_ 具體例中,0曰《種層經模板遮蔽賤射,主入不流動之物質 。若使用不流動物質當作導電物質S4,物質注入後,硬化 月1J外加之銘36可方便的附著於電容設備中,而不需使用 額外之接著步驟。 电谷導線36可包括可忍受使用電容之環境之導電物質, 如銅,金或鋁。若電容導線附著於固態形式之導電物質34 上,導電接著可維持鋁固著,且在使用之末端使用之環境 中維持導電。 … 若邊緣部份不再以圖4討論之方式曝露,則计使用如"金 屬噴鍍M ’彳于到足夠厚之晶種層,使與電極層之邊緣表面 接觸。若在特殊用途中需要亦可使用金屬噴鍍技術,以去 -8 - ^^用中關家標準21GX297l¥) ! |丨^ .一:裝------訂------^ (請先"讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標準局員Μ.消費合作社印裂 322582 A7 B7 五、發明説明(6 ) 除以不流動物質充填底下金屬層之步驟。 實例 本發明藉使用五種約3微米厚之空白沈積DLC層及五種 包括1000 A以100A鉬塗佈之鋁之形成圖案電極層試驗。 與電容之所有電極層相連之邊緣係藉由在60毫焦耳及30赫 之下使用10次來回之準分子雷射切割孔洞。使用02電漿蝕 刻,以清除雷射層且進一步使電極層之邊緣部份曝露。 對於電極邊緣部份連接,濺射一層厚度約1000 A之鈦, 且在欽上賤射一層厚度約3000 A之銅。Ablestik Electronic Materials and Adhesives之商標冬Ablebond 84-1LMIS之銀環 氧化物再注入孔中。自-6(TC至150°C之100次熱循環後, 電介面沒損害。 另一成功之試驗中,電極層包含厚度爲1000 A之鉬,而 沒有鋁之底層,且使用CF4/02電漿蝕刻,進一步地使電極 層邊緣部份曝露。 雖然此處已説明及敘述本發明之特定較佳特點,但對熟 習本技術者將可發生許多的改質及改變。因此,需了解附 註之申請項將涵蓋本發明眞實精神中之所有此種改質及改變 ---------Ά衣------’玎------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!OX 297公釐)
Claims (1)
- ABCD 322582 |- X、申請專利範圍 1-1多層電容,其包括: 基材; 與許多介電層交互置於基材上之 電層包括非曰形蔚Ad w夕金屬包極層,各d I栝非日日形風化碳,電極層 旦其中5山H 士 久电層可當作電容, 層;及h有H各孔润截斷電接層之各別交J 。導電物質,聰孔洞中,以使電極層之各別交互層偶名 2.根據申請專利範圍第丄項之電容,其中各電極層包括愈 有據I:專利範圍第1項之電容,其中各電極層至少具 、伸入各別孔洞之一之邊緣部份。 根據申請專利範圍第i項之電容, 塗伟孔洞表面之導電層。 其中…物質包括 5_根據申請專利範圍第4項之電容,其 ,π . 導電層包括塗 怖孔洞表面之鈦層及塗佈鈦層之銅層a 6. 根據申請專利範圍第5項之電容,其中之導電物質尚包 括孔洞中之導電填料物質。 7. 根據申請專利範圍第6項之電容,其中之填料物 銀環氧樹脂及焊料。 G 8. —種多層電容,其包括: (a) 基材; (b) 具許多介電層交互置於基材上之許多電核層·, 各電極層包括金屬; 10- 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4現格(210X29?公釐) ^-^-- , * J (請先閲讀背备之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 322582申請專利範圍 :介電層包括非晶形氫化碳; 電極層與介電層中至少具有二孔洞,各孔洞截 電極層之各別交互層; 各電極層至少具有一延伸入孔洞之各別之一之邊 緣部份; 及 一(c)導%物質,置於各孔洞中,用於使電極層之各 又互層偶合。 9·根據中請專利範圍第8項之電容,其中導電物質包括塗 佈孔洞表面之導電層’及充導孔洞之導電填料物質。 ,種製造多層電容之方法,真包括之步驟爲: 使許多金屬電極層與許多介電層交互沈積於基材上,各 電極層包括非晶形氫化碳; 、在包極與介電層中形成至少二孔洞,各孔洞截斷電極層 之各別交互層;及 在各孔洞中提供導電物質,用於使電極層之個別交互層 偶合。 忆根據申請專利範圍第1〇項之方法,其中形成孔洞之步 驟包括使用包括機械切割設備或準分子雷射之裝置。 12·根據申請專利範圍第10項之方法,其中形成孔洞之步 驟包含首先形成起始孔洞,第二再藉由使起始孔洞之介 電層部份變寬,而使電極層之選擇邊緣部份曝:露。 13‘根據申請專利範圍第丨2項之方法,其中進一步曝露選 擇邊緣那汾之步驟包括將電漿蝕刻施於起始孔洞中。 -11 - 衣紙乐尺度適用中国國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) f請先閎讀背面之注意事項再填寫本貫) ’袭· 訂 輕濟部中夬榡準局員工消費合作衽印製 322582 AS B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 κ根據申請專利範圍第12項之方法,其中提供導電物質 之步驟包括以導電層塗佈孔洞之表面。 15·根據申請專利範圍第1 4項之方法,其中提供導電物質 之步驟尚包括在塗佈孔洞表面後,將導電填料物質注入 孔洞之中。 16.根據申請專利範圍第丨5項之方法,尚包含在填料物質 注入孔洞中之後,放置電容導線使與填料物質相鄰,且 藉由使填料物質變硬來附著導線。 Π. —種製造多層電容之方法,其包括之步驟爲· 使許多電極層與許多介電層立互置於基材上,各介電層 包括非晶形氫化碳; - 在屯極及介電層中形成至少二孔洞,各孔洞截斷電極層 之各別交互層; 藉由使孔洞之介電層部份變寬,進一步地使電極層之選 擇邊緣部份變寬;及 將導電填料物質注入孔洞中,用於使電極層之個別交 層偶合。 18·根據申請專利範圍第1 7項之方法,尚包含在注入導 填料物質之步驟前,以導電層塗佈孔洞之表面。 根據申請專利範圍第18項之方法,其中以導電層塗 同表面之步驟·包括在孔洞之表面藏射鈥層,接著在 層上濺射鋼層, .· 且其中將導電層注入孔洞中之步驟包括注入含 樹脂及焊料之物質。 互 電 佈 鈦 (請先閣讀背面之注意事項苒填寫本頁) -装. 良
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/519,274 US5774326A (en) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | Multilayer capacitors using amorphous hydrogenated carbon |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW322582B true TW322582B (zh) | 1997-12-11 |
Family
ID=24067591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW085109401A TW322582B (zh) | 1995-08-25 | 1996-08-03 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5774326A (zh) |
DE (1) | DE19632720A1 (zh) |
TW (1) | TW322582B (zh) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5736448A (en) * | 1995-12-04 | 1998-04-07 | General Electric Company | Fabrication method for thin film capacitors |
US5731948A (en) * | 1996-04-04 | 1998-03-24 | Sigma Labs Inc. | High energy density capacitor |
US6088215A (en) * | 1997-11-03 | 2000-07-11 | Motorola, Inc. | Capacitor and method of manufacture |
US6270831B2 (en) * | 1998-04-30 | 2001-08-07 | Medquest Products, Inc. | Method and apparatus for providing a conductive, amorphous non-stick coating |
US6252760B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-06-26 | Sun Microsystems, Inc. | Discrete silicon capacitor |
US6242282B1 (en) | 1999-10-04 | 2001-06-05 | General Electric Company | Circuit chip package and fabrication method |
US6327134B1 (en) * | 1999-10-18 | 2001-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer capacitor, wiring board, and high-frequency circuit |
JP3489728B2 (ja) * | 1999-10-18 | 2004-01-26 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、配線基板および高周波回路 |
KR100465140B1 (ko) * | 1999-11-02 | 2005-01-13 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층 콘덴서 |
US6414850B1 (en) * | 2000-01-11 | 2002-07-02 | Cisco Technology, Inc. | Method and apparatus for decoupling ball grid array devices |
US6657136B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-12-02 | Cisco Technology, Inc. | Termination board for mounting on circuit board |
US6459561B1 (en) * | 2001-06-12 | 2002-10-01 | Avx Corporation | Low inductance grid array capacitor |
US6477034B1 (en) * | 2001-10-03 | 2002-11-05 | Intel Corporation | Interposer substrate with low inductance capacitive paths |
DE60239391D1 (de) * | 2002-06-07 | 2011-04-21 | St Microelectronics Srl | rgungsringes mit großem parasitärem Widerstand |
JP3882718B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2007-02-21 | 株式会社村田製作所 | 薄膜積層電子部品の製造方法 |
DE10313891A1 (de) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
US7081650B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-07-25 | Intel Corporation | Interposer with signal and power supply through vias |
US8569142B2 (en) * | 2003-11-28 | 2013-10-29 | Blackberry Limited | Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate and method of manufacturing the same |
WO2006029388A2 (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-16 | Nanodynamics, Inc. | Method and apparatus for fabricating low-k dielectrics, conducting films, and strain-controlling conformable silica-carbon materials |
US20070015373A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | General Electric Company | Semiconductor device and method of processing a semiconductor substrate |
KR100764741B1 (ko) * | 2006-06-08 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 형성 방법 |
JP5444944B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2014-03-19 | Tdk株式会社 | 活物質及び活物質の製造方法 |
US20110052473A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Tdk Corporation | Method of manufacturing active material |
JP5482062B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-04-23 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法 |
JP5158061B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2013-03-06 | Tdk株式会社 | 薄膜コンデンサ |
US8717773B2 (en) * | 2011-03-04 | 2014-05-06 | General Electric Company | Multi-plate board embedded capacitor and methods for fabricating the same |
KR101548771B1 (ko) * | 2011-06-23 | 2015-09-01 | 삼성전기주식회사 | 칩 타입 적층 커패시터 |
CN103946937B (zh) | 2011-11-16 | 2017-03-15 | M·A·斯图尔特 | 高能量密度存储装置 |
US9396880B2 (en) | 2011-11-16 | 2016-07-19 | Martin A. Stuart | High energy density storage device |
US9076600B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-07-07 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
US9030800B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-05-12 | Tdk Corporation | Thin film capacitor |
JP6454107B2 (ja) * | 2014-09-05 | 2019-01-16 | 太陽誘電株式会社 | 薄膜キャパシタ |
JP6520085B2 (ja) | 2014-12-05 | 2019-05-29 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ |
EP3081921B1 (en) | 2015-04-16 | 2019-08-14 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Spectrometer calibration method |
DE102018122563B4 (de) | 2017-09-29 | 2022-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Halbleitervorrichtung mit einem integrierten kondensator und verfahren zum herstellen von dieser |
US10741488B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device with integrated capacitor and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3184661A (en) * | 1962-10-18 | 1965-05-18 | Vitramon Inc | Terminal means for electrical components |
DE2843581C2 (de) * | 1978-10-05 | 1986-03-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrischer Schichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE2847620C2 (de) * | 1978-11-02 | 1984-10-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur Herstellung von elektrischen Bauelementen, insbesondere Schichtkondensatoren |
DE3028123A1 (de) * | 1980-07-24 | 1982-02-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von schichtkondensatoren |
JP2712166B2 (ja) * | 1987-02-17 | 1998-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
JPH01202806A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサー |
JP2786676B2 (ja) * | 1989-06-13 | 1998-08-13 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法 |
US5576925A (en) * | 1994-12-27 | 1996-11-19 | General Electric Company | Flexible multilayer thin film capacitors |
-
1995
- 1995-08-25 US US08/519,274 patent/US5774326A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-03 TW TW085109401A patent/TW322582B/zh active
- 1996-08-14 DE DE19632720A patent/DE19632720A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19632720A1 (de) | 1997-02-27 |
US5774326A (en) | 1998-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW322582B (zh) | ||
TW558859B (en) | Wire segment based interposer for high frequency electrical connection | |
TW452868B (en) | Semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit board and electronic apparatus | |
TWI303836B (en) | Coil component | |
EP0778619A2 (en) | Structure and fabrication method for thin film capacitors | |
TW312080B (zh) | ||
JPH10150274A (ja) | 可撓性膜層の上に受動素子を集積化するための方法および構造 | |
TW200414835A (en) | Integrated storage plate with embedded passive components and method for fabricating electronic device with the plate | |
JP2005191408A (ja) | コイル導電体とその製造方法およびこれを用いた電子部品 | |
TW200807661A (en) | Circuit board structure having passive component and stack structure thereof | |
JPWO2007007674A1 (ja) | 静電チャック及び静電チャック用の電極シート | |
TW518923B (en) | Manufacturing method of electronic circuit including multilayer circuit board | |
TW526589B (en) | Method and apparatus for supplying electricity uniformly to a workpiece | |
TWI290726B (en) | Method of manufacturing passive devices on a semiconductor substrate | |
TW486799B (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
TW573323B (en) | Method for improving visibility of alignment targets in semiconductor processing | |
WO2000059715A1 (en) | Multi functional electrically and thermally conductive adhesive tape | |
TW444253B (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
JPH04246854A (ja) | 薄膜コンデンサ | |
US3136912A (en) | Method for obtaining a conductor panel | |
CN216249197U (zh) | 一种折叠屏触控传感结构 | |
TW544824B (en) | Method of manufacturing conduction wire in touch panel | |
CN1615549A (zh) | 有机半导体器件及方法 | |
CN108550531A (zh) | 封装基板的制造方法 | |
TW571426B (en) | Manufacturing method of non-optical etched thin film resistor |