CN216249197U - 一种折叠屏触控传感结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种折叠屏触控传感结构。包括层叠设置的第一导电层、隔离层和第二导电层；所述第一导电层为纳米银层，所述隔离层的厚度为第一导电层厚度的20％‑50％。本实用新型通过在第一导电层(即纳米银层)和第二导电层之间设置隔离层，同时限定隔离层的厚度为纳米银层的厚度的20％‑50％，纳米银层伸出的纳米银线穿过隔离层，与第二导电层之间连接形成导体，相邻纳米银线之间由于隔离层的隔离作用保持间距，银离子不会在相邻纳米银线之间发生迁移，避免发生短路情况；隔离层在本申请限定的范围时，可避免隔离层较薄时无法起到隔离效果，避免隔离层较厚时在第一导电层和第二导电层之间产生绝缘效果，导致纳米银线无法伸出隔离层与第二导电层形成连接。

Description

一种折叠屏触控传感结构

技术领域

本实用新型涉及显示屏制造领域，具体涉及一种折叠屏触控传感结构。

背景技术

折叠屏手机与传统智能手机相比，折叠屏手机可提升近50％的显示面积，同时增加了屏幕的数量，用户可选择单屏或者多屏组合使用；在折叠状态下，折叠屏手机体积较小，可满足用户日常单手握持和便于携带的需求。

目前折叠屏手机的技术难点在于可折叠的触控传感结构的设计，传统智能手机触控面板多采用ITO薄膜导电，但ITO薄膜在折叠后电阻率会上升。由于纳米银层具有较小的弯曲半径，且在弯曲时电阻变化率较小，应用于折叠屏手机等具有曲面显示的设备更具有优势，因此，越来越多的厂家采用纳米银层作为可折叠触控传感结构中的导电层。

但随之而来的问题是：一、纳米银层作为导电层时，银离子的性质比较活泼，在高温高湿情况下，特别是通入交流电的情况下，纳米银线上容易长出晶体枝，发生银离子迁移，导致蚀刻后的线路短路；二、当纳米银层和铜层作为触控传感结构的导电层时，由于银和铜之间的匹配度不好会导致铜出现透光现象；三、纳米银层的耐UV性能差：由于纳米银层中存在大量的纳米银线团簇，而每一根纳米银线实际上都是分散的独立纳米结构，而直径往往只有几十纳米或者几纳米，使得其在紫外光照射下必然产生等离子驻波谐振效应(Plasmon Resonance)，从而发生对紫外光的高度吸收，并转化为热能，导致出现Ag->Ag+变质反应以及纳米银层导电膜内高分子介质材料的化学键断裂，最终导致产品失效。

综上所述，急需一种折叠屏触控传感结构以解决现有技术中存在的问题。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种折叠屏触控传感结构，以解决可折叠触控结构中采用纳米银层作为导电层时易发生银离子迁移的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种折叠屏触控传感结构，包括层叠设置的第一导电层、隔离层和第二导电层；所述第一导电层为纳米银层，所述隔离层的厚度为第一导电层厚度的20％-50％。

优选的，所述第一导电层的厚度为20nm-30nm，所述隔离层的厚度为10nm-20nm。

优选的，所述隔离层为氮化硅层、二氧化硅层、IM膜层或光阻干膜层中的一种。

优选的，所述第二导电层为铜层或银层，所述第二导电层的厚度为100nm-500nm。

优选的，所述第二导电层远离隔离层的一侧设有保护层。

优选的，所述保护层为干膜层，所述保护层的厚度为3μm-10μm。

优选的，所述第一导电层远离隔离层的一侧设有硬涂层；所述硬涂层的厚度为0.1μm-1μm。

优选的，所述硬涂层远离隔离层的一侧设有基材层。

优选的，所述基材层为CPI层、COP层、TPU层、UTG层、PET层或PI层中的一种，所述基材层的厚度为12μm-100μm。

优选的，所述基材层两侧的膜层对称设置。

应用本实用新型的技术方案，具有以下有益效果：

本实用新型中，通过在第一导电层(即纳米银层)和第二导电层之间设置隔离层，同时限定隔离层的厚度为纳米银层的厚度的20％-50％，纳米银层伸出的纳米银线穿过隔离层，与第二导电层之间连接形成导体，相邻纳米银线之间由于隔离层的隔离作用，使相邻纳米银线保持间距，银离子不会在相邻纳米银线之间发生迁移，避免发生短路情况；隔离层在本申请限定的范围时，可避免隔离层较薄时无法起到隔离效果，避免隔离层较厚时在第一导电层和第二导电层之间产生绝缘效果，导致纳米银线无法伸出隔离层与第二导电层形成连接。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是本申请实施例1中一种折叠屏触控传感结构的结构示意图；

图2是本申请实施例1中基材层、硬涂层、第二导电层、隔离层和第一导电层连接结构的细节放大图；

图3是本申请实施例1中通过一种折叠屏触控传感结构的制作方法得到的产品；

其中，1、第一导电层，1.1、纳米银线，2、隔离层，3、第二导电层，4、保护层，5、硬涂层，6、基材层。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

实施例1：

参见图1至图3，一种折叠屏触控传感结构，本实施例应用于折叠屏触控传感结构的制作。

一种折叠屏触控传感结构，包括层叠设置的第一导电层1、隔离层2和第二导电层3；所述第一导电层1为纳米银层，所述隔离层2的厚度为第一导电层1厚度的20％-50％。参见图1，纳米银层伸出的纳米银线1.1穿过隔离层2，与第二导电层3之间连接形成导体，相邻纳米银线1.1之间由于隔离层2的隔离作用，使相邻纳米银线1.1保持间距，银离子不会在相邻纳米银线1.1之间发生迁移，避免发生短路情况。当隔离层2的厚度小于第一导电层1厚度的20％时，无法对纳米银层上生出的纳米银线1.1起到有效的隔离作用，当隔离层2的厚度大于第一导电层1的厚度的50％时，隔离层2过厚会产生绝缘效果，导致纳米银线1.1无法伸出隔离层2与第二导电层3形成连接。

本实施例中，所述第一导电层1的厚度为20nm-30nm，所述隔离层2的厚度为10nm-20nm。当第一导电层1(即纳米银层)变厚时，隔离层2也随之变厚，以保证隔离层2能有效防止银离子在相邻纳米银线1.1之间发生迁移。

所述隔离层2为氮化硅层、二氧化硅层、IM膜层或光阻干膜层中的一种。本实施例中，隔离层2为氮化硅层，通过镀膜制备并进行厚度控制。由光学镀膜制作的Si₃N₄(氮化硅层)；有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力。同时氮化硅经过热处理后厚度降低，折射率升高，适合用于制作减反射材料，且附着力好，根据材料的特性，适合用在纳米银层上制作惰性材料隔离层2，起到抗UV、防银离子迁移和隔离第一导电层1与第二导电层3的作用。

所述第二导电层3为铜层或银层，所述第二导电层3的厚度为100nm-500nm。本实施例中，第二导电层3为银层，通过在隔离层2上印刷导电银浆制成。

参见图1，所述第二导电层3远离隔离层2的一侧设有保护层4，用于保护线路区域，起到防腐蚀的作用。本实施例中，所述保护层4为透明干膜层，所述保护层4的厚度为3μm-10μm。

所述第一导电层1远离隔离层2的一侧设有硬涂层5；所述硬涂层5的厚度为0.1μm-1μm，用以实现防刮效果。

所述硬涂层5远离隔离层2的一侧设有基材层6，作为各膜层结构制备的基材；所述基材层6为CPI(塑胶类无色聚酰亚胺)层、COP(环烯烃聚合物)层、TPU(热可塑性聚氨基甲酸酯)层、UTG(超薄玻璃)层、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)层或PI(聚酰亚胺)层中的一种，所述基材层6的厚度为12μm-100μm。

所述基材层6两侧的膜层对称设置，如图1所示，采用双面制程工艺制备，得到的双面触控传感结构效率是单面触控传感结构的两倍。

一种折叠屏触控传感结构的制作方法如下：

步骤一：制备基材层6，在基材层6的上下表面涂布硬涂层5，在硬涂层5上涂布第一导电层1(即纳米银层)；

步骤二：在第一导电层1上通过光学镀膜制备隔离层2(即氮化硅层)；

步骤三：依次进行干膜压膜、干膜曝光和干膜显影；

步骤四：在隔离层2上通过印刷导电银浆制备第二导电层3，镭射银线路；

步骤五：在第二导电层3上制备保护层4，通过干膜压膜和干膜显影得到最终的折叠屏触控传感结构，如图3所示。

实施例2：

本实施例与实施例1的区别在于，隔离层2为二氧化硅层，二氧化硅层具有介电性能稳定、耐潮性好的特点；二氧化硅层通过光学镀膜工艺进行制备。

实施例3：

本实施例与实施例1的区别在于，隔离层2为光阻干膜层，具有良好的绝缘性和光学折射率，通过干膜贴附或光阻涂布制备。

实施例4：

本实施例与实施例1的区别在于，隔离层2为IM膜(消影膜)层，能够增加透过率，减少反射率，使折叠屏具有更好的视觉效果，同时可以减少纳米银层蚀刻区和非蚀刻区的视觉反差，使线路不明显。

实施例5：

本实施例与实施例1的区别在于，第二导电层3为铜层，隔离层2的设置可以对纳米银层和铜层进行分隔，避免因铜与银不匹配而发生铜层透光现象。

本实施例的折叠屏触控传感结构的制作方法如下：

步骤一：制备基材层6，在基材层6的上下表面涂布硬涂层5，在硬涂层5上涂布第一导电层1(即纳米银层)；

步骤二：在第一导电层1上通过光学镀膜制备隔离层2(即氮化硅层)；

步骤三：在隔离层2上电镀第二导电层3(即铜层)；

步骤四：依次进行干膜压膜、干膜曝光和干膜显影；

步骤五：蚀刻第二导电层3(铜层)和第一导电层1(纳米银层)；

步骤六：在第二导电层3上制备保护层4，通过干膜压膜和干膜显影得到最终的折叠屏触控传感结构。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，包括层叠设置的第一导电层(1)、隔离层(2)和第二导电层(3)；所述第一导电层(1)为纳米银层，所述隔离层(2)的厚度为第一导电层(1)厚度的20％-50％。

2.根据权利要求1所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述第一导电层(1)的厚度为20nm-30nm，所述隔离层(2)的厚度为10nm-20nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述隔离层(2)为氮化硅层、二氧化硅层、IM膜层或光阻干膜层中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述第二导电层(3)为铜层或银层，所述第二导电层(3)的厚度为100nm-500nm。

5.根据权利要求1所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述第二导电层(3)远离隔离层(2)的一侧设有保护层(4)。

6.根据权利要求5所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述保护层(4)为干膜层，所述保护层(4)的厚度为3μm-10μm。

7.根据权利要求1所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述第一导电层(1)远离隔离层(2)的一侧设有硬涂层(5)；所述硬涂层(5)的厚度为0.1μm-1μm。

8.根据权利要求7所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述硬涂层(5)远离隔离层(2)的一侧设有基材层(6)。

9.根据权利要求8所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述基材层(6)为CPI层、COP层、TPU层、UTG层、PET层或PI层中的一种，所述基材层(6)的厚度为12μm-100μm。

10.根据权利要求8所述的一种折叠屏触控传感结构，其特征在于，所述基材层(6)两侧的膜层对称设置。

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