TW522531B - Semiconductor device, method of manufacturing the device and mehtod of mounting the device - Google Patents

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TW522531B
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semiconductor
semiconductor device
semiconductor element
reinforcing member
manufacturing
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TW090125113A
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Tadashi Maeda
Mitsuru Ozono
Tadahiko Sakai
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Description

五、發明説明（】） ϋ愈領域 黏接於該 置以及這 —本發明涉及具有半導體元件和利用黏接材料 %件的電極形成面的背面的增强構件的半導體裝 種半導體裝置的製造方法。 a技術. 安裝於電子設備的半導妒奘 干命體衣置疋在晶片狀態下形成雷 路圖案的半導體元件上 战兒 連接引線框条的引脚（pin)或金屬 凸起（bump)’經過用樹脂等封裝元件的封裝工序製成的。 隨著近來的電子設傷的小型化，半導體裝置也實施小型 化，努力减小半導體元件的厚度。 薄型化的半導體元件强度差，在進行處理時容易受到 外力的破壞。因此以往使用薄型化的半導體元件的半導體 裝置通常採用㈣半導體元件進行增强用的樹脂層封裝的a 結構。 在薄半導體元件表面形成樹脂層的工序中，樹脂層硬 化收縮容易導致半導體元件彎曲和或産生裂紋等。半導體 元件越4這存在問題越是顯著，對於1 〇〇 # m以下的極 濤的半導體元件，甚至進行樹脂封裝也是困難的。 登上月内容 本發明的半導體裝置，具備：有形成外部連接用的電 極的電極形成面的半導體元件、以及利用樹脂黏接劑黏接 於電極形成面的背面的增强構件。樹脂黏接劑在允許半導 體7L件的變形的狀態下將半導體元件與增强材料黏接加以 黏接。 本紙張尺度適财關緖準（⑽）M規格⑵QX297公爱) 五、發明説明（2 ) 這種半導體裝置的製造方法命八 元件的半導體W的背㈣薄的^ 7成多個半導體 在削薄工序之後的半導體 1過·黏接材料 以及將黏接了增强構件的半;::"妾增强一 ^ 導體元件單乂心序。體^及增强材料分割爲半 這種半導體裝置的另一製 體 導 的 在 半導體元件的半導體晶片的_成7:沿著形成多個 的邊界形成切割(dlcing)槽的工序开:=:彳到半導體元件 =1;面上黏，的工序、將黏貼薄片的半 豆 Ί/# ’將半導體晶片削薄爲背面達到切割槽 =分:爲:導體元件單元的工序、通過樹脂黏接劑在 接增强材料的工序、以及將薄片從所 2_成面上除去之後，將增强材料分割爲半導 早兀的工序。 丁 個 曰曰 在 這種半導«置的又-種製造方法包含：將形成多 半導體元件的半導體晶片的背面削薄的工序、將半導體 片分割爲半導體元件單元的4、錢通騎脂黏接^ 半導體7L件的背面黏接增强材料的工序。 這種半導體裝置的薄型半導體元件處理容易，安 的可靠性高。 、
EtMMJL 第1A〜1D圖是本發明實施形態i的半導體裝置的製造 方法的工序說明圖。 第2A〜2C圖是實施形態丨的半導體裝置的製造方法的 522531 A7 B7 五、發明説明（3 ) 工序說明圖。 第3圖是實施形態1的半導體裝置的立體圖。 (請先閲讀e面之注意事項再填寫本頁) 第4A〜4C圖是實施形態1的半導體裝置的安裝方法的 說明圖。 第5A〜5D圖是本發明實施形態2的半導體裝置的製造 方法的工序說明圖。 第6 A〜6D圖是實施形態2的半導體裝置的製造方法的 工序說明圖。 第7A〜7C圖是本發明實施形態3的半導體裝置的製造 方法的工序說明圖。 第8 A〜8D圖是實施形態3的半導體裝置的製造方法的 工序說明圖。 第9A〜9B圖是實施形態3的半導體裝置的安裝方法的 說明圖。 第10A〜10D圖是本發明實施形態4的半導體裝置的製 造方法的工序說明圖。 第11A〜11C圖是實施形態4的半導體裝置的製造方法 的工序說明圖。 第12圖是實施形態4的半導體裝置的立體圖。 第13A〜13C圖是實施形態4的半導體裝置的安裝方法 的說明圖。 第14A〜14D圖是本發明實施形態5的半導體裝置的製 造方法的工序說明圖。 第15 A〜1 5D圖是實施形態5的半導體裝置的製造方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 522531 A7 B7 五、發明説明（4 ) 的工序說明圖。 第16A〜16C圖是本發明實施形態6的半導體裝置的製 造方法的工序說明圖。 第17A〜17D圖是實施形態6的半導體裝置的製造方法 的工序說明圖。 第18 A〜18B圖是實施形態6的半導體裝置的安裝方法 的說明圖。 具體實施形熊 實施形態1 第1A〜1D圖以及第2A〜2C圖是實施形態1的半導體 裝置的製造方法的工序說明圖。第3圖是半導體裝置的立體 圖。第4A〜4C圖是半導體裝置的安裝方法的說明圖。而 且，第1A〜1D圖以及第2A〜2C圖按照工序順序表示半導 體裝置的製造方法。 在第1A圖中，形成多個半導體元件的半導體晶片丄上 表面形成作爲外部連接電極的凸起2。如第1β圖所示，半 導體晶片1的上表面的凸起形成面（電極形成面）上黏貼著 =片3,在利用薄片3增强的狀態下對晶片w電極形成面的 月面進仃削薄加工。借助於使用砂輪的研磨裝置、使用幹 刻飿農置的齡、或利用藥液的化學反應的刻㉞，對背面 進行削薄加工，以此將半導體晶片1的厚度削薄到約50微 米。 /妾著，在削薄了的半導體晶片i的背面黏貼緩衝板4。 如弟ic圖所示，在樹脂、陶究或金屬等材料形成板狀的緩 本紙張尺度票準(CNS) A4規格—----^ (請先閲讀e面之注意事項再填窝本頁) -訂- 五、發明説明（5 ) 衝板4的上表面塗布黏接劑5。黏接劑5是低彈性係數的樹脂 +接材料使肖在彈性材料等在黏接狀態的彈性係、數小， 使用小外力就很好容易使其伸縮的材料。 接著在黏接劑5的塗布面上黏貼削薄的半導體晶片卜 緩衝板4在各半導體元件被分割形成半導體裝置的狀態下 作爲半導體裝置搬運(handling)用的料部起仙，同時也 作爲在外力作用和衝擊時保護半導體元件的增强構件起作 用。爲此緩衝板4具有顯示出比半導體元件的彎曲剛性大的 彎曲剛性的足够的厚度。然後，如第1D圖所示，在黏貼半 導體晶片1之後的緩衝板4的下纟面黏貼在切割（心㈣工 序中起支持作用的薄片6，從電極形成面上剝離薄片3。 接著，由薄片6支持的緩衝板4及半導體晶片丨被傳送到 刀d序在"亥工序中，如第2A圖所示，對緩衝板4及半 導體晶片1進行以+同的切割寬度分割的2級切割，即半導 體晶片1以切割寬度Μ分割後分割爲單片半導體元件1，，緩 衝板4以比Μ小的切割寬度咖割成爲單片的緩衝咖叫叫 構件4，。然後，將用黏接劑5黏接在半導體元件i，上的緩衝 構件4’從薄片6上剝離下來，以完成第2β圖所示的單片半導 體裝置7。半導體裝置7具備形成作爲外部連接電極用的凸 起2的半導體元件丨，、利用黏接劑5黏接於半導體元件1，的 電極形成面的背面上的作爲增强構件的緩衝構件4，。緩衝 構件4’的尺寸B2比半導體元件i，的尺寸β1Α，其外圍端部 比半導體元件Γ的外圍端部更向外側突出。黏接劑5由於是 低彈性係數的樹脂黏接材料，所以在允許半導體元件丨，變
的狀態下將半導體元件】，黏接於緩衝構件4，。 圖所示，和已有的樹脂封裝型電子零件—樣，緩 立4的上表面印著作爲識別信息的零件代碼在角茨 挪成有規定安裝時的方向的極性符號9。亦即緩衝構件；; =與切體元件Γ的黏接面的背面爲印刷識別信息的面。 ，、後將單片的半導體裝置7上下翻轉，以緩衝構件4,爲上 表面側’進行將其收容於向自動安裝機提供電子零件用的 傳送帶的裝帶處理。這樣就可以利用電子零件安裝裝置安 裝半導體裝置7。 使用厚度爲5 0微米的矽板代替半導體元件丨，製作半導 體裝置的模型，進行心米高度落下的試驗。試驗結果是， 矽板上凡全沒有發生裂紋等損傷。以此可以確認，實施形 恶1的半導體裝置即使是與通常的電子零件—樣處理也完 王/又有問喊。而且由於具有通過黏接劑5在半導體元件1， 上安裝緩衝構件4’的簡單的結構，所以半導體裝置7能够使 用已有的樹脂封裝方法難於處理的極薄的半導體元件。 下面參照第4A〜4C圖對半導體裝置7的安裝進行說 明。如第4A圖所示，半導體裝置7利用安裝頭1〇吸附支持 於緩衝構件4’的上表面，利用使安裝頭1〇移動的方法，處 於基板11的上方。而在將半導體裝置7的凸起2與基板"的 黾極12對好位置的狀態下，使安裝頭丨〇下降，使半導體元 件Γ的凸起2落在電極12上。 然後，對基板11進行加熱，用軟焊方法將凸起2與電極 12加以連接。如上所述，在將半導體裝置7安裝於基板η 五、發明説明（7 ) 時的搬運中，安裝頭1G支持作爲支持部的緩衝構件4，。還 有’凸起2與電極12也可以利用導電性樹脂黏接劑連接。 半導體裝置7安裝於基板丨丨上形成的安裝組件中，利用 將半導體裝置7的凸起2連接於作爲工件的基板丨丨的電極12 上的方法，將半導體裝置7固定於基板。如第化圖所 示，安裝之後在受到某種外力而發生撓曲變形的情况下， 半導體it件1，薄，容4撓曲，而且黏接劑5使料是低彈性 係數的容易變形的材料，因&，對於基板n的撓曲變形， 只有半導體元件1，和黏接劑5的黏接層跟著變形。 而且在實施形態1的半導體裝置中，採用1〇〇微米以下 的極溥的半導體元件，以此可以使由於半導體元件1，與基 板11的熱膨脹絲的差引起的，在凸起2發生的應力减小。 已有的帶有凸起的電子零件（半導體裝置）中使用厚半導體 元件’因此發生於凸起的應力過A，村能發生斷線。J 此有必要在帶有凸起的電子零件與基板之間採用未充滿 (underfiU)的樹脂等予以增强。在極薄的半導體元件丨，的情 况下’安裝後沒有實施充填未充滿的樹脂等增强處理，半 導體裝置與基板的連接部的應力就得到緩和。從而，這種 半導體裝置具有只是利用黏接劑5將半導體元件^，與緩衝 構件4’加以連接的簡單形態的封裝結構，能够確保安裝後 的可靠性。 實施形態2 第5A〜5D圖和第6A〜6D圖是實施形態2的半導體裝 置的製造方法的工序說明圖。按照工序依序表示出製造方 五 、發明説明（ 法。 一圖中，在形成多個半導體元件的半導體晶片i 斑L化成外4連接用的凸起2。半導體晶片1的下表面 :二：溥片6。如第5B圖所示’在以薄片6支持的狀態下， 體晶片1進行切割（dieing)，在半導體元件1，的邊界 一成刀aj奴1 a。接著從晶片1上剝離薄片6，在各半導體 牛—的凸起形成面上黏貼减薄工序用的增强用薄片3。在 a用:片3增强的狀態下，將半導體元件！，的凸起形成面的 月面—起减薄。半導體元件Γ减薄到約5G微米厚，同時利 用切割槽la分離爲_個個元件。 接著如第5D圖所示，半導體元件^，與緩衝板4-起黏 貼。即在與實施形態卜樣的緩衝板4的上表面塗布黏接劑 5°黏接劑5的材料與實施形態1所示的材料相同。然後在塗 布黏接劑5的面上黏貼减薄的半導體元们，。接著如第6A 圖所不，在黏貼半導體元件之後的緩衝板4的下表面上黏貼 在切割(―)工序中起支持作用的薄片6，在薄片6支持的 緩衝板^上進行切割。在這襄，去除半導體元件ι，的凸起形 成面的薄片3之後，如第6B圖所示，缓衝板4被切割爲寬度 b2’比半導體元件】’的切割寬度m還窄，得到單片的緩衝 構件4，。然後從薄片6上一個個剝下利用黏接劑續半導體 元件1’黏接的緩衝構件4,，如第6C圖所示，得到與實施形 態1相同的單片的半導縣[7。對半㈣裝置7與實施形態 1 一樣實施裝帶處理。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210><297公1)
f: (請先閲讀t-面之注意事項再填寫本頁) 訂| 4: 11 522531 A7 明説明（9 ) "'-- 實施形態3 第7A〜7C圖和第8A〜8D圖是本發明實施形態3的半 導體裝置的製造方法的卫序說明圖。第9Α#σ9Β圖是實施形 態3的半導體裝置的安裝方法說明圖。還有，第7a〜7c圖 和第8A〜8D圖以工序爲順序表示半導體裝置的製造方法。 在第7A圖中，在與實施形態i、2一樣的半導體晶片】 上表面形成外部連接用的凸起2。接著，如第则所示， 在半導體晶片1的上表面的電極形成面上㈣薄片3，在以 薄片3增强的狀態下，對半導體晶&的下表面進行减薄加 工’將半導體晶片1减薄到約5 〇微米厚。 然後在半導體晶片1的下表面黏貼切割工序中起支持 作用的薄片6,去除在减薄時用於增强的薄片3。接著，將 利用薄片6支持的半導體晶片丨送到切割工序，在這裏，如 第7C圖所示加工出切割槽la，將半導體晶片ι分割爲一個 個半導體元件1，。職，分割的各半導體元件1，從薄以上 剝離下來，如第8A圖所示，一片片取出。 接著·，將半導體元件丨，黏貼到緩衝盒14中。本發明實 施形態3中使用的增强材料是如第8β圖所示具備設置於周 圍的突起14a和形成與半導體元件丨，黏接的部分的凹部丨4b 的緩衝盒14。凹部14b内，在與半導體元件丨，對應的部分塗 布一貝知形恶1相同材料的黏接劑5。然後如第圖所示， | 在凹部14b安置半導體元件丨，，利用黏接劑5黏接在緩衝盒 14中。以此完成半導體裝置15的製作。在這裏，在與半導 體凡件Γ黏接的狀態下，緩衝盒14的突起14a的端部不比半 木“⑵㈣糊-~~一 -12 -
if! (請先閲讀免面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 522531 五、發明説明（10 ) 導體元件1’的凸起的前端高。 彳貝施^/心1 2一樣，緩衝盒14起著半導體裝置μ搬 運時的支持部的作用，同時也有作爲增强構件在外力作用 和衝擊的情况下保護半導體元件丄，的作用。在本實施形態 3，緩衝益14還保護半導體元件丨’的側面，進一步提高半導 體裝置15的可靠性。然後，如第8〇圖所示，將半導體裝置 15上下倒置，進行裝帶處理。這樣就可以利用電子零件安 裝裝置進行半導體裝置15的安裝。 下面參照第9A和9B圖對半導體裝置15的安裝進行說 明。如第9A圖所示，半導體裝置15利用安裝頭1〇吸附緩衝 盒14的上表面得到支持，利用安裝頭1〇的移動，處於基板 11上方。在貝她形恶3，在基板11的上表面的電極丨2周圍（與 緩衝盒14的突起i4a對應的位置）預先塗布黏接劑“。然 後，在使半導體裝置15的凸起2與基板π的電極12對準位置 的狀態下，使安裝頭10下降，使半導體元件丨，的凸起2落在 電極12上。以此使緩衝盒14的突起14a與基板η上表面的黏 接劑16接觸。然後將基板1丨加熱，如第9Β圖所示將凸起2 軟焊連接於電極12上，同時利用黏接劑16將緩衝盒14固定 在基板11上。如上所述，在實施形態3也是，在半導體裝置 15的搬運中作爲支持部的緩衝盒14利用安裝頭1 〇支持。 在將半導體裝置15安裝於基板U構成的安裝組件中， 利用將半導體裝置15的凸起2連接於作爲工件的基板丨丨的 電極12上的方法，將缓衝盒14的周圍連接於基板丨丨上，以 此將半導體裝置15固定於基板11上。在這一安裝組件中， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 13 522531 A7 ------- B7___ 五、發明説明（„ ) 也允許半導體元件丨’變形，能够得到與實施形態丨、2所示 的半導體元件相同的效果。 又如第9B圖所示，在實施形態3，安裝後半導體裝置 15的半導體元件1’由於其上表面和周圍完全密閉，可以防 止水分或異物混入元件丨，與電極12的連接部，提高了安裝 後的元件的可靠性。 實施形態4 第10A〜10D圖和第11A〜llc圖是本發明實施形態斗 的半導體裝置的製造方法的工序說明圖。第12圖是該半導 體裝置的立體圖。第13A〜13C圖是該半導體裝置的安裝方 法說明圖。還有，第10A〜1〇D圖和第UA〜nc圖以工序 爲順序表示半導體裝置的製造方法。 在第1〇Α圖中，形成多個半導體元件的半導體晶片丄上 表面形成作爲外部連接電極的凸部2。如第1〇B圖所示，半 導體晶片1的上表面的凸部形成面（電極形成面）上黏貼著 薄片3，在利用薄片3增强的狀態下對電極形成面的背面進 行削薄加工。也可以借助於使用砂輪的研磨裝置、使用幹 刻#裝置的刻I虫、或利用藥液的化學反應的刻钱對晶片^ 進行削薄加工。以此將半導體晶片1的厚度削薄到約5〇微 米。 接著，在削薄了的半導體晶片丨的背面黏貼緩衝板4。 如第10C圖所示，在樹脂、陶竞或金屬等材料形成板狀的 緩衝板4的上表面，塗布黏接劑5〇於與半導體晶片i的半導 體元件的區域對應的位置。黏接劑5〇只塗布於與各半導體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(210X297公G~~ '~ -- -14 -
f: (請先閲讀t面之注意事項再填寫本頁) 、一W— 12 522531 五、發明説明（ 元件中央部對應的位置 樹脂黏接材料。 使用比緩衝板4的彈性係數小的 =板4在分割爲各半導體元件形成半導體裝置的狀 也、起+導體裝置搬運用的支持部的作用 =在外力作用和衝擊的情况下保護半導體元二: ^因此要求緩衝板4具有比半導體元件 :緩衝板具有充分大的厚度。然後，如第贈圖所示^ 4貼者+導體晶片1的緩衝板4的下表面黏接切割工序中用 於增强㈣片6,而將薄片3從電極形成面上剝離。 切判：將：用薄片6增强的緩衝板4及半導體晶片1送到 L 在這裏’如第UA圖所示，以不同的寬度對缓 1二丰導體晶片1進行2級切割。即對半導體晶片1以切 度刀割形成單片的半導體元件1，，對緩衝板4以_ 狹窄的切割寬⑽分割形成單片的緩衝構件4，。 = = 與半㈣元们，純的緩衝構件 心専片6上剝離下來，如第nB圖所示，以此得到單片的 ㈣裝置30。半導體裝置轉有形成作爲外部連接 極的凸部2的半導體元件工，和利用黏接劑5〇黏接於半導體 兀件1’的電極形成面的背面上的、作爲搬運用的支持部的 ㈣構件4’。缓衝構件4，的尺寸扣比半導體元们，的尺寸 則大’其外圍端部比半導體元件！，的外圍端部更向外側突 出月^衝構件4，’只有半導體元们，的中央部由黏接劑 B W妾著。半導體元件Γ的外端部相對於緩衝構件4, 疋自由的’即使因爲熱膨脹導致半導體元们，和緩衝構件 準(CNS) Α4規格 1^10Χ297公釐)
.......— (請先間歡面之注意事項再填寫本頁) 15 、發明説明（13 ) 4的尺寸發生變化，半導體裝置3〇也不會有變化。 如第12圖所示，和已有的樹脂封裝型電子零件一樣， 緩衝構件4’的上表面印有作爲識別信息的零件代碼8,角上 形成規定安裝時的方向的極性記號9。亦即緩衝構件4，的與 半‘體元件Γ的連接面的背面爲識別信息的印刷面。其 後，單片的半導體裝置30上下倒置，以緩衝構件4，爲上面， 支持於提供電子零件的傳送帶上，這時對其進行裝帶處 理。這樣，半導體裝置3〇就可以利用電子零件安裝裝置進 行安裝。 以使用厚度爲50微米的矽片的半導體裝置的模型代替 半導體元件1，進行從i米高度落下的試驗。其結果是，矽片 上完全沒有發生裂紋等損傷。以此可以確認，實施形態4 的半導體裝置即使是與通常的電子零件一樣處理也完全沒 有問題。而且由於半導體裝置3〇具有通過黏接劑5〇在半導 體兀件Γ的中央部安裝緩衝構件4，的簡單的結構，所以能 够使用已有的樹脂封裝方法難於處理的極薄的半導體= 件。 ^ 下面簽照第13A〜13圖對半導體裝置3〇的安裝進行說 明°如第13八圖所示’半導體裝置3〇利用安裝頭1〇吸附緩 衝構件4’的上表面得到支持，利用安裝頭1〇的移動，處於 基板11上方。然後，在使半導體裝置3〇的凸起2與基板Η 的電極12對準位置的狀態下，使安裝頭1〇下降，使半導體 元件Γ的凸起2落在電極12上。 然後將基板11加熱，將凸起2軟焊連接於電極12上。 522531 A7 ------------ B7__ 五、發明説明（—一 ~ - 上所述半導體裝置30在裝到基板11上的搬運中支持以安 衣頭10爲支持部的緩衝構件4，。還有，凸起2與電極U也可 以利用導電性樹脂黏接劑連接。 “半導體裝置3〇安裝於基板11上形成的安裝組件利用將 半導體裝置30的凸起2連接於作爲工件的基的電極12 上，以此將半導體裝置30固定於基板丨丨上。如第圖所 不，安裝之後基板丨丨在受到某種外力而發生撓曲變形的情 况下，半導體元件1，薄，容易撓曲，因此，對於基板11的 I曲受开^ /、有半導體元件1 ’跟著變形。這時由於半導體 元件1 /、有其中央部與緩衝構件4 ’局部連接，所以能够不 受緩衝構件4’的阻礙而變形。 而且在實施形態4的半導體裝置中，採用1〇〇微米以下 的極薄的半導體元件，以此可以使由於半導體元件丨，與基 板11的熱膨脹係數的差引起的，在凸起2發生的應力减小。 已有的帶有凸起的電子零件（半導體裝置）中使用厚半導體 元件，因此發生於凸起的應力過大，凸起與電極有可能斷 開。因此有必要在帶有凸起的電子零件與基板之間採用未 充滿（underfill)的樹脂等予以增强。在實施形態4中，半導 體元件Γ極薄，因此安裝後沒有充填未充滿的樹脂等予以 增强，半導體裝置與基板的連接部的應力緩和。而且，利 用只是用黏接劑5 0將半導體元件1，與緩衝構件4，加以連接 的簡單形態的封裝結構，能够確保安裝後的可靠性。 實施形態5 第14A〜14D圖和第15A〜第15D圖是本發明實施形態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐) ' -— -17 -
t…： (請先閲讀東面之注意事項再填窝本頁) f 522531 A7 -------B7 ....... ....... —--------- ----- — 五、發明説明（15 ) 5的半導體裝置的製造方法的工序說明圖，以工序爲順序表 示製造方法。 實施形態5基本上與實施形態2相同，用黏接劑黏貼緩 衝板4與半導體元件丨，的工序不同。如第UD圖所示，半導 體疋件Γ和緩衝板4 一起黏貼。也就是說，在緩衝板4的上 表面與半導體元件丨，的區域對應的位置上塗布黏接劑％。 在這裏，黏接劑50只塗布於與半導體元件中央部對應的位 置上。黏接劑50使用的彈性係數比緩衝板4小的材料。然後 在塗布黏接劑50的面上黏貼削薄了的半導體元件丨，。 以後經過與實施形態2相同的工序，得到半導體裝置 30。 ^ 實施形態6 第16Α〜16C圖和第17Α〜17D圖是本發明實施形態6 的半導體裝置的製造方法的工序說明圖，以工序爲順序表 示製造方法。第18Α和18Β圖是半導體裝置的安裝方法說明 圖。 實施形態6基本上與實施形態3相同，用黏接劑黏貼半 V體元件Γ和緩衝盒14的工序不同。凹部14b中黏接劑5〇 只塗布於與半導體元件1，中央部對應的部分。然後，如第 17C圖所示，在凹部14b安置半導體元件丨，，利用黏接劑兄 黏接在緩衝盒14和半導體元件1 ’。得到半導體裝置3 $。在 這裏，在與半導體元件〗，黏接的狀態下，緩衝盒“的突起 14a的端部不比半導體元件丨，的凸起的前端高。 和貝轭形恶4一樣，緩衝盒η起著半導體裝置35搬運時 ------------.__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X297公釐) ---^ -18 -
C請β閱讀I面之注意事項再填寫本頁) -訂— 522531 A7
522531 A7 B7 五、發明説明（17 ) 半導體元件相同的效果。 又如第18B圖所示，在實施形態6，安裝後半導體裝置 35的半導體元件Γ由於其上表面和周圍完全密閉，可以防 止水分或異物混入半導體元件Γ和電極12的連接部，提高 了安裝後的可靠性。 元件標號對照 1.. .半導體晶片 10.· .安裝頭 1，· ..半導體元件 11.. .基板 2.. .凸起 12.. .電極 3.. .薄片 14a. ..突起 4·· .緩衝板 14b. ,..凹部 4，· ..緩衝構件 14.. .緩衝盒 5·· .黏接劑 15.. .半導體裝 置 6 .· .薄片 16.. .黏接劑 7·· .半導體裝置 30.. .半導體裝 置 8·. .零件代碼 35.. .半導體裝 置 9.. .極性符號 50.. .黏接劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請'先閲讀—面之注意事項再填寫本頁) 訂| 20

Claims (1)

  1. ^^031
    •一種半導體裝置，其特徵在於，具備 具有形成電極的電極形成面的半導體元件、 ------------------—— (請t閲讀t面之注意事項再填寫本頁；ί 黏接於所述半導體元件的所述電極形成面的背面 的增强構件、以及 將所述半導體元件在允許其變形的狀態下黏接於 所述增强材料上的黏接劑。 、 2·根據中請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在 T，所述黏接劑是低彈性係數的樹脂黏接材料，所述半 ;體元件將整個所述背面黏接於所述增强材料上。 3_根據巾請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在 、τ· ;所述黏接劑只將所述半導體元件的所述背面的中央 邛分黏接於所述增强部件上。 根據申巧專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在 :所述增强構件的彎折剛性比所述半導體元件的彎折 剛性大。 5·㈣巾請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在 6於，所述增强構件的外形比所述半導體元件的外形大。 6·根據巾請專利範圍第5項所述的半導體裝置，其特徵在 於，所述增强構件包含 連接半導體元件的凹部、以及 形成於所述凹部的周圍的凸部。 7·根據申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在 於，所述增强構件作爲搬運時的支持部起作用。 ’根據中請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在 T紙張尺度適用雇29騎）-:—一 21 522531
    於，在所述增强材料的與所述半導體元件黏接的面的背 面上添加識別信息。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9· 一種半導體裝置的製造方法，是製造包含具有電極形成 面的半導體元件以及增强構件的半導體裝置的方法，其 特徵在於，包含 ^ 將形成多個半導體元件的半導體晶片的電極形成 面的背面削薄的工序、 通過黏接材料在所述半導體晶片的削薄了的背面 黏貼增强構件的工序、以及 將黏接所述增强構件的半導體晶片與增强構件分 割爲一個個所述半導體元件的工序。 訂| 1〇·根據申請專利範圍第9項所述的半導體裝置的製造方 法’其特徵在於，分割所述半導體晶片與增强構件的工 序包含以比所述半導體晶片的切割寬度小的切割寬度 分割所述增强板的工序。 11 ·根據申請專利範圍第9項所述的半導體裝置的製造方 法’其特徵在於，還包含在所述半導體晶片的所述電極 形成面上黏貼薄片的工序，對所述半導體晶片的所述背 面進行削薄的所述工序包含在所述半導體晶片的所述 迅極形成面上黏貼所述薄片的狀態下對所述半導體晶 片的所述背面進行削薄的工序。 12.根據申請專利範圍第9項所述的半導體裝置的製造方 法’其特徵在於，還包含在所述半導體晶片的電極形成 面上形成凸起的工序。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公董） - 22 - 、申睛專利範圍 13:C的製造方法，是製造包含具有電極㈣ 特徵在的方法，其 成面沿著形成多個半導體元件的半導體晶片的電極形 的工/到所述半導體元件的邊界形成切割㈣㈣槽 黏貼ϊ=:切割槽的半導體晶片的電極形成面上 削簿ϋ:將所述半導體晶片的所述電極形成面的背面 導體晶卿爲所述背面達到所 、、子又刀剎爲所述半導體元件單元的工序、 通過點接材料在所述半導體元件的所述電極形成 面的为面黏接增强材料的工序、以及 將所述薄片從所述電極形成面上除去之後，將所述 增强構件分職所述半導體元件單元的工序。 14·根據申請專利範圍第13項所述的半導體裝置的製造方 法’其特徵在於’㈣所述增强構件賴述丄序包含以 比所迷半導體晶片的所述切割槽窄的切割寬度分割所 述增强構件的 工序。 15·-種半導體裝置的製造方法，是製造包含具有電極形成 面的半導體元件以及增强構件的半導體裝置的方法，其 特徵在於， 將形成多個半導體元件的半導體晶片的電極形成 面的背面削薄的工序、 522531
    、申請專利範圍 將所述半導體晶片分割爲所述半導體元件的工 序、以及 通過黏接劑在所述半導體元件的背面黏接增强構 件的工序。 16·根據申請專利範圍第15項所述的半導體裝置的製造方 法’其特徵在於， 還包含在所述半導體晶片的所述電極形成面上黏 貼薄片的工序，對所述半導體晶片的所述背面進行削薄 的所述工序包含對黏貼所述薄片的所述半導體晶片的 所述背面進行削薄的工序。 Π·根據申請專利範圍第15項所述的半導體裝置的製造方 法，其特徵在於，還包含在所述半導體晶片的所述電極 形成面上形成凸起的工序。 18.—種在工件上安裝半導體裝置的安裝方法，所述半導體 I置具備··具有電極形成面的半導體元件、以允許所述 半導體元件變形的狀態黏接於所述半導體元件的所述 電極形成面的背面的增强構件、以及將所述半導體元件 與所述增强構件黏接的黏接劑，其特徵在於，所述方法 包含 支持所述增强構件的 工序、以及 將支持所述增强構件的所述半導體裝置安裝在所 述工件上的工序。· 19·根據申請專利範圍第18項所述的半導體裝置的安裝方 法，其特徵在於， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂| 24 522531 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 所述增强構件具有連接所述半導體元件的凹部和 形成於所述凹部周圍的凸部， (請4?閲讀t-面之注意事項再填寫本頁) 安裝所述半導體元件的所述工序包含將所述凸部 連接於所述工件上的工序。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） 25
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