JP2907195B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、ヒートスプレッター付きチップサイ
ズパッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package）を製造す
る際に用いて好適な半導体装置の製造方法に関するもの
である。
方法に関し、特に、ヒートスプレッター付きチップサイ
ズパッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package）を製造す
る際に用いて好適な半導体装置の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造技術の進歩にお
ける微小化と、これに伴う高集積化、高機能化、多端子
化により、半導体チップの接続端子と実装基板の接続端
子との接続についても同様に、微小化、多端子化が要求
されている。
ける微小化と、これに伴う高集積化、高機能化、多端子
化により、半導体チップの接続端子と実装基板の接続端
子との接続についても同様に、微小化、多端子化が要求
されている。
【０００３】半導体チップと実装基板との接続方法に
は、ワイヤボンディング方式、ＴＡＢ方式、フリップチ
ップ方式等が知られているが、多端子を有する半導体チ
ップの高密度実装方式としては、これらの方式の中でも
フリップチップ方式が最も適している。その理由は、こ
の方式では半導体チップの一主面上の全面に接続端子を
設けることができるので、多端子化を容易に進めること
ができるためである。このため、１０数年前から実装方
式の１つとしてフリップチップ方式が検討あるいは実用
化されており、特に大型コンピュータの実装方式として
注目されている。また、最近では、液晶表示部品への実
装も検討されている。
は、ワイヤボンディング方式、ＴＡＢ方式、フリップチ
ップ方式等が知られているが、多端子を有する半導体チ
ップの高密度実装方式としては、これらの方式の中でも
フリップチップ方式が最も適している。その理由は、こ
の方式では半導体チップの一主面上の全面に接続端子を
設けることができるので、多端子化を容易に進めること
ができるためである。このため、１０数年前から実装方
式の１つとしてフリップチップ方式が検討あるいは実用
化されており、特に大型コンピュータの実装方式として
注目されている。また、最近では、液晶表示部品への実
装も検討されている。
【０００４】ところで、従来のフリップチップ方式で
は、セラミック等からなる実装基板に半導体チップをフ
リップチップボンディングを行った後に、電気的特性の
評価を行っている。その理由は、フリップチップボンデ
ィングを実施する前に、チップ状態で最終的な電気的特
性評価を十分に実施することが困難であるからである。
しかしながら、例えば、半導体チップに異常があった場
合、半導体チップの取り外し（リペア）が非常に困難で
あり、また、半導体チップを搭載する基板を再生するこ
とが非常に困難であるという問題点がある。
は、セラミック等からなる実装基板に半導体チップをフ
リップチップボンディングを行った後に、電気的特性の
評価を行っている。その理由は、フリップチップボンデ
ィングを実施する前に、チップ状態で最終的な電気的特
性評価を十分に実施することが困難であるからである。
しかしながら、例えば、半導体チップに異常があった場
合、半導体チップの取り外し（リペア）が非常に困難で
あり、また、半導体チップを搭載する基板を再生するこ
とが非常に困難であるという問題点がある。
【０００５】そこで、上記問題点を解決するためと、半
導体チップの高密度化、実装の容易性等により、パッケ
ージの裏面に外部端子となる半田バンプを格子状に配置
した表面実装型パッケージとしてボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ：Ball Grid Array）が、また、小型化パッケ
ージとしてチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が、それ
ぞれ開発されている。
導体チップの高密度化、実装の容易性等により、パッケ
ージの裏面に外部端子となる半田バンプを格子状に配置
した表面実装型パッケージとしてボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ：Ball Grid Array）が、また、小型化パッケ
ージとしてチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が、それ
ぞれ開発されている。
【０００６】特に、ＣＳＰは、パッケージの外形寸法が
小さいため、パッケージ内部の配線長を短くすることが
でき、電気的特性も向上させることができる。このＣＳ
Ｐに用いられる基板としては、多層プリント基板が好適
に用いられるが、多層セラミック基板やフィルムキャリ
アテープを用いることもできる。
小さいため、パッケージ内部の配線長を短くすることが
でき、電気的特性も向上させることができる。このＣＳ
Ｐに用いられる基板としては、多層プリント基板が好適
に用いられるが、多層セラミック基板やフィルムキャリ
アテープを用いることもできる。
【０００７】ここで、従来の多層プリント基板を用いた
ＣＳＰの製造方法について図６及び図７に基づき説明す
る。まず、半導体チップ１の上面の所定位置にアルミニ
ウム（Ａｌ）等からなる電極パッド２を形成し（図６
（ａ））、この電極パッド２上にワイヤボンディング等
により金（Ａｕ）等からなるボールバンプ３を形成する
（図６（ｂ））。
ＣＳＰの製造方法について図６及び図７に基づき説明す
る。まず、半導体チップ１の上面の所定位置にアルミニ
ウム（Ａｌ）等からなる電極パッド２を形成し（図６
（ａ））、この電極パッド２上にワイヤボンディング等
により金（Ａｕ）等からなるボールバンプ３を形成する
（図６（ｂ））。
【０００８】次いで、フレーム状の多層プリント基板４
上に形成されたランド５上に、接着剤６を介して半導体
チップ１のボールバンプ３を電気的に接続する。なお、
多層プリント基板４には、切断することにより複数の個
片に分離するためのスリット部７が所定の間隔をおいて
形成されている（図６（ｃ））。次いで、半導体チップ
１と多層プリント基板４との間を樹脂８により封止する
（図６（ｄ））。
上に形成されたランド５上に、接着剤６を介して半導体
チップ１のボールバンプ３を電気的に接続する。なお、
多層プリント基板４には、切断することにより複数の個
片に分離するためのスリット部７が所定の間隔をおいて
形成されている（図６（ｃ））。次いで、半導体チップ
１と多層プリント基板４との間を樹脂８により封止する
（図６（ｄ））。
【０００９】次いで、多層プリント基板４の半導体チッ
プ１と反対側の主面に形成されたランド９に半田球等を
供給して接合し、半田ボール１０とする（図７
（ｅ））。さらに、多層プリント基板４のスリット部７
を金型等を用いて切断することにより個片１１に分離
し、半導体チップ１のボールバンプ３と反対側の主面に
接着剤１２を介してヒートスプレッター１３を接着し
（図７（ｆ））、パッケージの組立が完了する。
プ１と反対側の主面に形成されたランド９に半田球等を
供給して接合し、半田ボール１０とする（図７
（ｅ））。さらに、多層プリント基板４のスリット部７
を金型等を用いて切断することにより個片１１に分離
し、半導体チップ１のボールバンプ３と反対側の主面に
接着剤１２を介してヒートスプレッター１３を接着し
（図７（ｆ））、パッケージの組立が完了する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法の問題点は、一般的に大量生産されているＱＦＰ
やＰＢＧＡ等を生産するための組立設備等を用いること
ができず、ＣＳＰを組立るために特別の組立設備が必要
になるという点である。その理由は、従来のＱＦＰやＰ
ＢＧＡ用の組立設備、例えば、ペレットマウンター、ワ
イヤボンダー、トランスファーモールド等の樹脂モール
ド機、基板切断機等においては、フレーム状のリードフ
レームを用い、このリードフレームを搬送することによ
り各工程を実施する方式を採用しているためである。
造方法の問題点は、一般的に大量生産されているＱＦＰ
やＰＢＧＡ等を生産するための組立設備等を用いること
ができず、ＣＳＰを組立るために特別の組立設備が必要
になるという点である。その理由は、従来のＱＦＰやＰ
ＢＧＡ用の組立設備、例えば、ペレットマウンター、ワ
イヤボンダー、トランスファーモールド等の樹脂モール
ド機、基板切断機等においては、フレーム状のリードフ
レームを用い、このリードフレームを搬送することによ
り各工程を実施する方式を採用しているためである。
【００１１】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、一般に大量生産されている半導体装置用の
組立設備等をそのまま用いることができ、生産性を向上
させるとともにコストダウンを図ることができる半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
のであって、一般に大量生産されている半導体装置用の
組立設備等をそのまま用いることができ、生産性を向上
させるとともにコストダウンを図ることができる半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な半導体装置の製造方法を提供す
る。すなわち、半導体チップにヒートスプレッターを設
けてなる半導体装置の製造方法であり、ヒートスプレッ
ターに複数の半導体チップを固定する工程と、前記複数
の半導体チップが個々に分離するように前記ヒートスプ
レッターを切断して複数の個片とする工程とを備え、さ
らに、前記半導体チップを固定する工程の前段または後
段のいずれか一方に、前記半導体チップの上面にバンプ
を形成する工程を備えた製造方法である。
に、本発明は次の様な半導体装置の製造方法を提供す
る。すなわち、半導体チップにヒートスプレッターを設
けてなる半導体装置の製造方法であり、ヒートスプレッ
ターに複数の半導体チップを固定する工程と、前記複数
の半導体チップが個々に分離するように前記ヒートスプ
レッターを切断して複数の個片とする工程とを備え、さ
らに、前記半導体チップを固定する工程の前段または後
段のいずれか一方に、前記半導体チップの上面にバンプ
を形成する工程を備えた製造方法である。
【００１３】上記の製造方法において、前記複数の個片
とする工程の前段に、前記半導体チップの少なくとも前
記上面のバンプを除く部分を樹脂封止する工程を備えた
構成としてもよい。
とする工程の前段に、前記半導体チップの少なくとも前
記上面のバンプを除く部分を樹脂封止する工程を備えた
構成としてもよい。
【００１４】また、前記複数の個片とする工程の後段
に、前記複数の個片の各々の半導体チップをその上面に
形成された前記バンプにより基板上に接続する工程と、
前記基板を複数の前記個片が個々に分離するように切断
して複数の部品とする工程とを備えた構成としてもよ
い。また、前記各々の半導体チップをその上面に形成さ
れた前記バンプにより基板上に接続する工程の後段に、
これらの半導体チップ各々と前記基板との間を樹脂封止
する工程を備えた構成としてもよい。さらに、前記樹脂
封止する工程の後段に、前記基板の前記半導体チップと
反対側の主面に半田部を形成する工程を備えた構成とし
てもよい。
に、前記複数の個片の各々の半導体チップをその上面に
形成された前記バンプにより基板上に接続する工程と、
前記基板を複数の前記個片が個々に分離するように切断
して複数の部品とする工程とを備えた構成としてもよ
い。また、前記各々の半導体チップをその上面に形成さ
れた前記バンプにより基板上に接続する工程の後段に、
これらの半導体チップ各々と前記基板との間を樹脂封止
する工程を備えた構成としてもよい。さらに、前記樹脂
封止する工程の後段に、前記基板の前記半導体チップと
反対側の主面に半田部を形成する工程を備えた構成とし
てもよい。
【００１５】本発明の半導体装置の製造方法では、ヒー
トスプレッターに複数の半導体チップを固定する工程
と、前記複数の半導体チップが個々に分離するように前
記ヒートスプレッターを切断して複数の個片とする工程
とを備え、さらに、前記半導体チップを固定する工程の
前段または後段のいずれか一方に、前記半導体チップの
上面にバンプを形成する工程を備えたことにより、従来
のＱＦＰやＰＢＧＡの組立工程に用いられている汎用の
組立設備を用いて、前記フレーム状のヒートスプレッタ
ーを搬送する間に各種の工程を実施することが可能にな
る。これにより、組立設備を従来のＱＦＰやＰＢＧＡと
共用することが可能になり、組立設備の稼働率が向上す
る。また、特別の組立設備を設ける必要が無くなること
から、新たに設備投資をする必要が無くなり、得られた
製品のコストダウンが可能になる。
トスプレッターに複数の半導体チップを固定する工程
と、前記複数の半導体チップが個々に分離するように前
記ヒートスプレッターを切断して複数の個片とする工程
とを備え、さらに、前記半導体チップを固定する工程の
前段または後段のいずれか一方に、前記半導体チップの
上面にバンプを形成する工程を備えたことにより、従来
のＱＦＰやＰＢＧＡの組立工程に用いられている汎用の
組立設備を用いて、前記フレーム状のヒートスプレッタ
ーを搬送する間に各種の工程を実施することが可能にな
る。これにより、組立設備を従来のＱＦＰやＰＢＧＡと
共用することが可能になり、組立設備の稼働率が向上す
る。また、特別の組立設備を設ける必要が無くなること
から、新たに設備投資をする必要が無くなり、得られた
製品のコストダウンが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置の製造方法の
各実施形態について図面に基づき説明する。
各実施形態について図面に基づき説明する。
【００１７】［第１の実施形態］本発明の第１の実施形
態の半導体装置の製造方法について図１に基づき説明す
る。まず、図１（ａ）及び図２に示すフレーム状のヒー
トスプレッター２１を準備する。
態の半導体装置の製造方法について図１に基づき説明す
る。まず、図１（ａ）及び図２に示すフレーム状のヒー
トスプレッター２１を準備する。
【００１８】このフレーム状のヒートスプレッター２１
は、長尺のフレーム２２に複数のヒートスプレッター部
２３、２３、…が一列に形成され、各ヒートスプレッタ
ー部２３はサスペンダー２４、２４、…によりフレーム
２２に接続されている。このフレーム２２の両側部近傍
には、搬送用及び位置決め用の穴２５が所定の間隔をお
いて形成され、フレーム２２とヒートスプレッター部２
３とサスペンダー２４、２４とにより囲まれる空間部は
スリット２６とされている。
は、長尺のフレーム２２に複数のヒートスプレッター部
２３、２３、…が一列に形成され、各ヒートスプレッタ
ー部２３はサスペンダー２４、２４、…によりフレーム
２２に接続されている。このフレーム２２の両側部近傍
には、搬送用及び位置決め用の穴２５が所定の間隔をお
いて形成され、フレーム２２とヒートスプレッター部２
３とサスペンダー２４、２４とにより囲まれる空間部は
スリット２６とされている。
【００１９】次いで、ペレットマウンター等を用いて、
フレーム状のヒートスプレッター２１の各ヒートスプレ
ッター部２３の上に接着剤３１を塗布した後（図１
（ａ））、上面にＡｌ等からなる電極パッド２が形成さ
れた半導体チップ１をヒートスプレッター部２３上にマ
ウントする（図１（ｂ））。
フレーム状のヒートスプレッター２１の各ヒートスプレ
ッター部２３の上に接着剤３１を塗布した後（図１
（ａ））、上面にＡｌ等からなる電極パッド２が形成さ
れた半導体チップ１をヒートスプレッター部２３上にマ
ウントする（図１（ｂ））。
【００２０】次いで、ワイヤボンダー等を用いて、この
電極パッド２上にＡｕ等からなるボールバンプ３を形成
する（図１（ｃ））。そして、トランスファーモールド
法等により、ボールバンプ３の上面以外の少なくとも半
導体チップ１の上面及び側面を樹脂３２で封止し（図１
（ｄ））、外形切断機と金型等を用いて、フレーム状の
ヒートスプレッター２１をスリット２６の部分で切断し
て個片３３に分離し（図１（ｅ））、半導体装置の組立
工程が完了する。
電極パッド２上にＡｕ等からなるボールバンプ３を形成
する（図１（ｃ））。そして、トランスファーモールド
法等により、ボールバンプ３の上面以外の少なくとも半
導体チップ１の上面及び側面を樹脂３２で封止し（図１
（ｄ））、外形切断機と金型等を用いて、フレーム状の
ヒートスプレッター２１をスリット２６の部分で切断し
て個片３３に分離し（図１（ｅ））、半導体装置の組立
工程が完了する。
【００２１】ここで、トランスファーモールド法の替わ
りに、ポッティング法を用いてボールバンプ３の上面以
外の半導体チップ１の上面を樹脂３２で封止しても、個
片３４を得ることができる（図１（ｆ））。また、半導
体チップ１の上面（及び側面）を樹脂３２で封止する必
要が無い場合には、樹脂３２封止を省略することもでき
る。
りに、ポッティング法を用いてボールバンプ３の上面以
外の半導体チップ１の上面を樹脂３２で封止しても、個
片３４を得ることができる（図１（ｆ））。また、半導
体チップ１の上面（及び側面）を樹脂３２で封止する必
要が無い場合には、樹脂３２封止を省略することもでき
る。
【００２２】本実施形態の半導体装置の製造方法によれ
ば、フレーム状のヒートスプレッター２１の各ヒートス
プレッター部２３の上に接着剤３１を介して半導体チッ
プ１をマウントし、その後、フレーム状のヒートスプレ
ッター２１をスリット２６の部分で切断して個片３３に
分離したので、従来のＱＦＰやＰＢＧＡ等の製造設備で
あるペレットマウンターやワイヤボンダーを用いること
ができ、他の半導体装置の製造設備を共用することがで
き、製造設備を有効に活用することができる。したがっ
て、特別の製造設備を新たに投資する必要が無くなり、
製品のコストダウンを図ることができる。
ば、フレーム状のヒートスプレッター２１の各ヒートス
プレッター部２３の上に接着剤３１を介して半導体チッ
プ１をマウントし、その後、フレーム状のヒートスプレ
ッター２１をスリット２６の部分で切断して個片３３に
分離したので、従来のＱＦＰやＰＢＧＡ等の製造設備で
あるペレットマウンターやワイヤボンダーを用いること
ができ、他の半導体装置の製造設備を共用することがで
き、製造設備を有効に活用することができる。したがっ
て、特別の製造設備を新たに投資する必要が無くなり、
製品のコストダウンを図ることができる。
【００２３】なお、本実施形態のフレーム状のヒートス
プレッター２１では、３個のヒートスプレッター部２３
を一列に形成したが、４〜５個のヒートスプレッター部
２３を一列に形成したもの、あるいは複数のヒートスプ
レッター部２３を２行×３列等のマトリックス状に形成
したものでもよい。
プレッター２１では、３個のヒートスプレッター部２３
を一列に形成したが、４〜５個のヒートスプレッター部
２３を一列に形成したもの、あるいは複数のヒートスプ
レッター部２３を２行×３列等のマトリックス状に形成
したものでもよい。
【００２４】また、半導体チップ１の電極パッド２上に
ボールバンプ３を形成する工程の後に、半導体チップ１
をヒートスプレッター部２３上にマウントする工程を実
施してもよい。これは、ウェハー状態で電極パッド２上
に半田や銅等のバンプを形成するウェハーバンピング法
を用いた半導体チップでも、上述した工程（図１（ｃ）
〜図１（ｆ））を適用することができるからである。
ボールバンプ３を形成する工程の後に、半導体チップ１
をヒートスプレッター部２３上にマウントする工程を実
施してもよい。これは、ウェハー状態で電極パッド２上
に半田や銅等のバンプを形成するウェハーバンピング法
を用いた半導体チップでも、上述した工程（図１（ｃ）
〜図１（ｆ））を適用することができるからである。
【００２５】［第２の実施形態］本発明の第２の実施形
態の半導体装置の製造方法について図３及び図４に基づ
き説明する。まず、フレーム状のヒートスプレッター２
１を準備する（図３（ａ））。このフレーム状のヒート
スプレッター２１は、上述した第１の実施形態において
用いたものと同様のものである。
態の半導体装置の製造方法について図３及び図４に基づ
き説明する。まず、フレーム状のヒートスプレッター２
１を準備する（図３（ａ））。このフレーム状のヒート
スプレッター２１は、上述した第１の実施形態において
用いたものと同様のものである。
【００２６】次いで、ペレットマウンター等を用いて、
フレーム状のヒートスプレッター２１の各ヒートスプレ
ッター部２３の上に接着剤３１を塗布し（図３
（ａ））、上面にＡｌ等からなる電極パッド２が形成さ
れた半導体チップ１を各ヒートスプレッター部２３上に
マウントする（図３（ｂ））。次いで、ワイヤボンダー
等を用いて、この電極パッド２上にＡｕ等からなるボー
ルバンプ３を形成する（図３（ｃ））。
フレーム状のヒートスプレッター２１の各ヒートスプレ
ッター部２３の上に接着剤３１を塗布し（図３
（ａ））、上面にＡｌ等からなる電極パッド２が形成さ
れた半導体チップ１を各ヒートスプレッター部２３上に
マウントする（図３（ｂ））。次いで、ワイヤボンダー
等を用いて、この電極パッド２上にＡｕ等からなるボー
ルバンプ３を形成する（図３（ｃ））。
【００２７】次いで、外形切断機と金型等を用いて、フ
レーム状のヒートスプレッター２１をスリット２６の部
分で切断して個片４１に分離する（図３（ｄ））。次い
で、フレーム状の基板４２の各基板部４３のランド４４
上に接着剤４５を塗布し、パターン認識等の位置合わせ
機構を有するフリップチップマウンター等を用いて、各
基板部４３のランド４４に各個片４１のボールバンプ３
を位置合わせした後、接着剤４５により接合する（図３
（ｅ））。
レーム状のヒートスプレッター２１をスリット２６の部
分で切断して個片４１に分離する（図３（ｄ））。次い
で、フレーム状の基板４２の各基板部４３のランド４４
上に接着剤４５を塗布し、パターン認識等の位置合わせ
機構を有するフリップチップマウンター等を用いて、各
基板部４３のランド４４に各個片４１のボールバンプ３
を位置合わせした後、接着剤４５により接合する（図３
（ｅ））。
【００２８】このフレーム状の基板４２は、図５に示す
ように、長尺のフレーム４６に複数の基板部４３、４
３、…が一列に形成され、各基板部４３には複数のラン
ド４４、４４、…が形成され、各基板部４３はサスペン
ダー４７、４７、…によりフレーム４６に接続されてい
る。このフレーム４６の両側部近傍には、搬送用及び位
置決め用の穴４８が所定の間隔をおいて形成され、フレ
ーム４６と基板部４３とサスペンダー４７、４７とによ
り囲まれる空間部はスリット４９とされている。また、
基板部４３は、両面板、多層配線板等、必要に応じて選
択することができる。
ように、長尺のフレーム４６に複数の基板部４３、４
３、…が一列に形成され、各基板部４３には複数のラン
ド４４、４４、…が形成され、各基板部４３はサスペン
ダー４７、４７、…によりフレーム４６に接続されてい
る。このフレーム４６の両側部近傍には、搬送用及び位
置決め用の穴４８が所定の間隔をおいて形成され、フレ
ーム４６と基板部４３とサスペンダー４７、４７とによ
り囲まれる空間部はスリット４９とされている。また、
基板部４３は、両面板、多層配線板等、必要に応じて選
択することができる。
【００２９】次いで、ポッティング法等により、フレー
ム状の基板４２の各基板部４３と半導体チップ１との間
を樹脂５１で封止し（図４（ｆ））、半田ボールマウン
ター等を用いて、フレーム状の基板４２のランド４４と
反対側の主面に設けられたランド５２上に、半田球等を
供給し接合することにより半田ボール（半田部）５３を
形成する（図４（ｇ））。最後に、外形切断機と金型等
を用いて、スリット４９の部分で切断して個々の部品５
４に分離し（図４（ｈ））、半導体装置の組立工程が完
了する。
ム状の基板４２の各基板部４３と半導体チップ１との間
を樹脂５１で封止し（図４（ｆ））、半田ボールマウン
ター等を用いて、フレーム状の基板４２のランド４４と
反対側の主面に設けられたランド５２上に、半田球等を
供給し接合することにより半田ボール（半田部）５３を
形成する（図４（ｇ））。最後に、外形切断機と金型等
を用いて、スリット４９の部分で切断して個々の部品５
４に分離し（図４（ｈ））、半導体装置の組立工程が完
了する。
【００３０】本実施形態の半導体装置の製造方法によれ
ば、フレーム状のヒートスプレッター２１の各ヒートス
プレッター２３の上に接着剤３１を介して半導体チップ
１をマウントし、次いで、フレーム状のヒートスプレッ
ター２１をスリット２６の部分で切断して個片４１に分
離し、次いで、フレーム状の基板４２の各基板部４３に
個片４１を接合し、最後に、スリット４９の部分で切断
して個々の部品５４に分離したので、従来のＱＦＰやＰ
ＢＧＡ等の製造設備であるペレットマウンター、ワイヤ
ボンダー、半田ボールマウンター、外形切断機等を用い
ることができ、他の半導体装置の製造設備を共用するこ
とができ、製造設備を有効に活用することができる。し
たがって、特別の製造設備を新たに投資する必要が無く
なり、製品のコストダウンを図ることができる。
ば、フレーム状のヒートスプレッター２１の各ヒートス
プレッター２３の上に接着剤３１を介して半導体チップ
１をマウントし、次いで、フレーム状のヒートスプレッ
ター２１をスリット２６の部分で切断して個片４１に分
離し、次いで、フレーム状の基板４２の各基板部４３に
個片４１を接合し、最後に、スリット４９の部分で切断
して個々の部品５４に分離したので、従来のＱＦＰやＰ
ＢＧＡ等の製造設備であるペレットマウンター、ワイヤ
ボンダー、半田ボールマウンター、外形切断機等を用い
ることができ、他の半導体装置の製造設備を共用するこ
とができ、製造設備を有効に活用することができる。し
たがって、特別の製造設備を新たに投資する必要が無く
なり、製品のコストダウンを図ることができる。
【００３１】なお、本実施形態のフレーム状の基板４２
では、３個の基板部４３を一列に形成したが、４〜５個
の基板部４３を一列に形成したもの、あるいは複数の基
板部４３を２行×３列等のマトリックス状に形成したも
のでもよい。また、半導体チップ１の電極パッド２上に
ボールバンプ３を形成する工程の後に、半導体チップ１
をヒートスプレッター２３上にマウントする工程を実施
してもよい。
では、３個の基板部４３を一列に形成したが、４〜５個
の基板部４３を一列に形成したもの、あるいは複数の基
板部４３を２行×３列等のマトリックス状に形成したも
のでもよい。また、半導体チップ１の電極パッド２上に
ボールバンプ３を形成する工程の後に、半導体チップ１
をヒートスプレッター２３上にマウントする工程を実施
してもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の半導体装置
の製造方法によれば、ヒートスプレッターに複数の半導
体チップを固定する工程と、前記複数の半導体チップが
個々に分離するように前記ヒートスプレッターを切断し
て複数の個片とする工程とを備え、さらに、前記半導体
チップを固定する工程の前段または後段のいずれか一方
に、前記半導体チップの上面にバンプを形成する工程を
備えたので、従来のＱＦＰやＰＢＧＡの組立工程に用い
られている汎用の組立設備を用いて組立工程を実施する
ことができ、組立設備を従来のＱＦＰやＰＢＧＡと共用
することができ、組立設備の稼働率を向上させることが
できる。また、特別の組立設備を設ける必要が無いの
で、新たに設備投資をする必要が無く、製品のコストダ
ウンを図ることができる。
の製造方法によれば、ヒートスプレッターに複数の半導
体チップを固定する工程と、前記複数の半導体チップが
個々に分離するように前記ヒートスプレッターを切断し
て複数の個片とする工程とを備え、さらに、前記半導体
チップを固定する工程の前段または後段のいずれか一方
に、前記半導体チップの上面にバンプを形成する工程を
備えたので、従来のＱＦＰやＰＢＧＡの組立工程に用い
られている汎用の組立設備を用いて組立工程を実施する
ことができ、組立設備を従来のＱＦＰやＰＢＧＡと共用
することができ、組立設備の稼働率を向上させることが
できる。また、特別の組立設備を設ける必要が無いの
で、新たに設備投資をする必要が無く、製品のコストダ
ウンを図ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造
方法を示す過程図である。
方法を示す過程図である。
【図２】 本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造
方法に用いられるフレーム状のヒートスプレッターを示
す平面図である。
方法に用いられるフレーム状のヒートスプレッターを示
す平面図である。
【図３】 本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造
方法を示す過程図である。
方法を示す過程図である。
【図４】 本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造
方法を示す過程図である。
方法を示す過程図である。
【図５】 本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造
方法に用いられるフレーム状の基板を示す平面図であ
る。
方法に用いられるフレーム状の基板を示す平面図であ
る。
【図６】 従来の多層プリント基板を用いたＣＳＰの製
造方法を示す過程図である。
造方法を示す過程図である。
【図７】 従来の多層プリント基板を用いたＣＳＰの製
造方法を示す過程図である。
造方法を示す過程図である。
１ 半導体チップ ２ 電極パッド ３ ボールバンプ ４ フレーム状の多層プリント基板 ５ ランド ６ 接着剤 ７ スリット部 ８ 樹脂 ９ ランド １０ 半田ボール １１ 個片 １２ 接着剤 １３ ヒートスプレッター ２１ フレーム状のヒートスプレッター ２２ フレーム ２３ ヒートスプレッター部 ２４ サスペンダー ２５ 穴 ２６ スリット ３１ 接着剤 ３２ 樹脂 ３３ 個片 ３４ 個片 ４１ 個片 ４２ フレーム状の基板 ４３ 基板部 ４４ ランド ４５ 接着剤 ４６ フレーム ４７ サスペンダー ４８ 穴 ４９ スリット ５１ 樹脂 ５２ ランド ５３ 半田ボール（半田部） ５４ 部品
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップにヒートスプレッターを設
けてなる半導体装置の製造方法であって、 ヒートスプレッターに複数の半導体チップを固定する工
程と、前記複数の半導体チップが個々に分離するように
前記ヒートスプレッターを切断して複数の個片とする工
程とを備え、 さらに、前記半導体チップを固定する工程の前段または
後段のいずれか一方に、前記半導体チップの上面にバン
プを形成する工程を備え たことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記複数の個片とする工程の前段に、 前記半導体チップの少なくとも前記上面のバンプを除く
部分を樹脂封止する工程を備えたことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記複数の個片とする工程の後段に、 前記複数の個片の各々の半導体チップをその上面に形成
された前記バンプにより基板上に接続する工程と、前記
基板を複数の前記個片が個々に分離するように切断して
複数の部品とする工程とを備えたことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記各々の半導体チップをその上面に形
成された前記バンプにより基板上に接続する工程の後段
に、 これらの半導体チップ各々と前記基板との間を樹脂封止
する工程を備えたことを特徴とする請求項３記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記樹脂封止する工程の後段に、 前記基板の前記半導体チップと反対側の主面に半田部を
形成する工程を備えたことを特徴とする請求項４記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28882797A JP2907195B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28882797A JP2907195B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126856A JPH11126856A (ja) | 1999-05-11 |
| JP2907195B2 true JP2907195B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=17735262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28882797A Expired - Lifetime JP2907195B2 (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2907195B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033411A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Nec Corp | ヒートスプレッダ付き半導体装置及びその製造方法 |
| TW522531B (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device, method of manufacturing the device and mehtod of mounting the device |
| KR100593407B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2006-06-28 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 조립 방법 |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP28882797A patent/JP2907195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11126856A (ja) | 1999-05-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990302 |