TW518658B - Exposure method, method of production of density filter, and exposure apparatus - Google Patents

Description

518658 A7 B7 五、發明說明（i ) [發明所屬之技術領域] 本發明係關於以微影技術來製造半導體集積電路、液 晶顯示元件、薄膜磁頭、其他之微元件、或是光罩等之際 所使用之曝光方法、曝光裝置以及該曝光方法、曝光裝置 所使用之濃度濾光片的製造方法。 [習知技術] 在微元件之製程之一的光微影製程中，係使用著對於 曝光對象之基板(塗佈有光阻劑之半導體晶圓、玻璃板，或 是稱爲閘板之光通過性之基板等)進行光罩或光柵之圖案像 之投影曝光的曝光裝置。最近，爲了滿足伴隨基板之大型 化所需之曝光區域的大面積化，乃開發出縫合(stitching)型 之曝光裝置，其將基板之曝光區域分割成複數之單位區域( 以下有時也稱爲照射區域），而對於各照射區域依序投影曝 光出對應之圖案像。 於上述曝光裝置中，由於投影光學系統之像差、光罩 或基板之定位誤差等，有時會在各照射區域之縫合部分發 生未整合之情形，是以一個照射區域之圖案像的一部分會 與鄰接之另一照射區域之圖案像的一部分重疊來曝光。於 對應之圖案像的重合部，曝光量會較重合部以外的部分來 得多，於是例如形成於基板上之圖案的該重合部，其線寬( 線或是間隔之寬度)會因應於光阻劑之特性而變窄或變寬。 是以，讓成爲各照射區域之重合部的部分之曝光量分 布以愈往外側愈小的方式做梯度設定，使得該重合部之曝 光量在經過2次曝光後，以整體上來看會與該重合部以外 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（>) 的部分之曝光量相等，藉以防止該重合部之線寬變化。 作爲實現照射區域之重合部的該梯度式曝光量分布的 技術，已知有於光柵本身之對應於該重合部的部分形成衰 光部來限定通過光量呈梯度分布。惟，就光柵本身形成衰 光部一事而言，會造成光柵之製程數、成本的增加，使得 微元件等之製造成本上升。 是以，已開發出的方法，有將濃度濾光片(於玻璃板上 形成與上述相同之衰光部)設置於與光柵之圖案形成面大致 共軛的位置之方法；或是在與光柵之圖案形成面呈大致共 軛的位置，相對於光路設置一具有可進退之遮光板（遮簾) 的遮簾機構，而在對於基板進行曝光處理中讓該遮光板進 入或退出之方法；藉由該等方法，來實現上述之梯度般的 曝光量分布。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ------------_裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面，於上述以往之曝光裝置中，用以讓重合部 之曝光量與重合部以外之部分的曝光量相等而所使用之濃 度濾光片，係以下述之方法來製造。亦即，使用用以量測 曝光量的曝光量感測器(設於載置著基板的平台上），讓該 曝光量感測器於基板面內移動來進行重合部附近之曝光量 分布的量測。接著，依據曝光量感測器的量測結果，設計 濃度濾光片之通過光量分布（亦即，衰光部之通過率分布) 的梯度，使得重合部之曝光量與重合部以外之部分的曝光 量相等。 若以上述設計之濃度濾光片來梯度式地限制重合部之 曝光量，讓圖案像之一部分重合來曝光，只要能按照所設 4 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 x 297公叙） 518658 Α7 Β7 五、發明說明（>?) 計之曝光量來進行曝光，則可使得重合部之曝光量與重合 部以外之部分的曝光量一致，而使得形成於重合部之圖案 的線寬與形成於重合部以外之部分之圖案的線寬相等。惟 ，以實際所進行之曝光來看，會產生重合部之線寬變細、 間距之寬度過寬的現象。一般認爲該現象是基於以下之原 因所發生的。 第1，可能是由於曝光裝置所具備之投影光學系統內 之多重反射；基板與投影光學系統之間、基板與光柵之間 、或是光柵與基板之間之多重反射；這些原因所發生之光 斑(flare)(迷光）的影響。亦即，當有光斑產生的情況，重合 部以外之部分所受光斑的影響雖爲一定，但重合部則由於 經過複數次之曝光，會受到光斑的影響達2次或4次，於 是重合部之曝光量會較重合部以外之部分的曝光量來得多 。從而，結果上由於重合部之曝光量多於重合部以外之部 分的曝光量Λ，其線寬會變細，間距寬度則是變寬。 第2，塗佈於基板上之光阻劑，具有一旦受到曝光則 曝光部分之光學通過率會變高的特性。從而，若於重合部 受到2次或4次的曝光，由於通過光阻劑以基板表面所反 射之光量會增加，結果會較所設計之曝光量受到更多量之 曝光。是以，結果上由於重合部之曝光量多於重合部以外 之部分的曝光量，其線寬會變細，間距寬度則是變寬。 第3，可能是受到濃度濾光片之設計上的誤差所致。 如前所述，爲了讓重合部之曝光量與重合部以外之曝光量 相同而採用之濃度濾光片，如上述般係藉由曝光量感測器 5

_本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2W χ 297公H ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一al 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（w ) _ _ ^ Ar 來量測重合部附近之曝光量分布’讓曝光量分布以愈往外 側愈小的方式做梯度設定。該曝光量感測器，具備光電感 測器以及設於該光電感測器之受光面上的狹縫板’而僅有 通過形成於狹縫板之狹縫的曝光用光爲光電感測器所量測 ，藉此量測曝光量。狹縫一般係對於蒸鍍有鉻(Cr)之石英 基板施以圖案化處理所形成者。使用該狹縫之時’曝光用 光之量測時曝光用光會由狹縫板所反射，該反射光則會由 投影光學系統、光柵所反射而發生光斑現象。一般而言’ 於曝光用光之波長區域中，鉻表面之反射率會較塗佈有光 阻劑之基板表面的反射率爲高，故使用曝光量感測器來量 測曝光量之空間分布時所產生之光斑量會較實際曝光時所 產生之光斑量來得多。從而，曝光量感測器會較實際之曝 光光量量測到更多量之曝光用光，並依據該量測結果來製 作濃度濾光片。由於如此所製作之濃度濾光片實際上並不 能使得重合部之曝光量與重合部以外之部分的曝光量相等 Λ ，故使用該濃度濾光片進行曝光之情形，將會使得形成於 重合部之線寬與形成於重合部以外之部分的線寬不同。 又，當重合部之線寬與重合部以外之部分的線寬爲互 異而形成時，也有不變更濃度濾光片之特性，而是準備一 光柵(將形成於光柵之圖案當中，形成爲相當於重合部部分 之圖案的線寬加以調整)來進行曝光的方式。亦即，爲了讓 重合部與重合部以外之部分的線寬相等，並不變更含有濃 度濾光片之曝光裝置的構成，而是調整光柵之相當於該重 合部之部分的圖案線寬。惟此種方法，必須從龐大的光柵 6 -----------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（5 ) 資料中選取對應之圖案的一部分，對該部分之線寬進行微 調，其作業將極爲繁雜。又，在上述之說明中，對於重合 部以及重合部以外之部分而言，係以轉印至基板上之圖案 的線寬相等爲前提，但當圖案之線寬不同時，即使重合部 以及重合部以外之部分當中的一者與線寬之設計値一致， 惟另一者之線寬不同於設計値，於是仍然會發生與上述完 全相同的問題。 [發明之簡單說明] 是以，本發明之目的，係針對感應物體上之週邊部有 部分重疊之複數的區域分別進行圖案轉印的情形下，使得 形成於該週邊部之重疊的重合部與該重合部以外之部分的 圖案線寬、間距之均一性提昇，亦即讓重合部與重合部以 外之部分之個別圖案的線寬、間距大致一致於既定値，謀 求在各區域內乃至複數之區域的全面之圖案（轉印像）的線 寬等之均一性或其控制精度之提昇，以形成高精度之圖案 〇 本發明之另一目的，係針對感應物體上之週邊部有部 分重疊之複數的區域分別以能束來曝光之際，使得在各區 域或是複數之區域的全面之曝光量分布的均一化，或是讓 各區域或複數之區域的各點之曝光量大致一致於所對應之 目標値，謀求在各區域內乃至複數之區域的全面之曝光量 之控制精度之提昇。本發明之進一步的目的，可由以下之 說明來瞭解。 依據本發明之第1側面，係提供一種曝光方法，其爲 7 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂.· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 _____ B7___ 五、發明說明（b ) --------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中，經由前述設 定裝置(設定成使得前述週邊部之能量成爲既定之第1分布 )照射前述能束，然後量測對應於前述感應物體上之前述週 邊部之部分的曝光量分布，依據前述量測之曝光量分布， 來決定在前述週邊部之曝光量成爲目標値的第2分布。 對於週邊部呈部分重疊之複數的區域進行曝光之時， 由於係以成爲第1分布之能量來照射能束，且量測此時之 週邊部的曝光量分布，依據實際所量測得到之曝光量分布 來決定曝光量可成爲目標値的第2分布，故於曝光時即使 有光斑等之影響，仍可將該週邊部重合著的重合部與該重 合部以外之部分的曝光量設定成大致相同。例如，當進行 重合部以及重合部以外之部分的線寬、間距爲相同之圖案 的轉印時，可提升形成於重合部之圖案與形成於重合部以 外之部分的圖案之線寬、間距之均一性，其結果可高精度 地形成細微的圖案。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時，前述第1分布亦可依據：經由前述設定裝置檢 測前述能束所得之在配置前述感應物體之既定面上之能量 或其累積値的分布，來進行設定。又，前述第1分布亦能 以理論方式來設定。此處所謂之以理論方式來設定，係指 以幾何學的方式設定第1分布使其成爲例如傾斜直線的衰 減率分布，亦包含依據既知之光學特性來修正上述以幾何 學的方式設定之分布。例如修正將能束照射於圖案之照明 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（Ί) 光學系統的光學特性（畸變、像面彎曲等），或是修正自設 定裝置所具之濃度濾光片之衰減部（以點狀物等構成）發生 超過照明系統之開口數(NA)的繞射光而導致之誤差° 當前述第1分布依據配置著前述感應物體之既定面上 之能量或其累積値的分布來進行設定之情形中’量測前述 曝光量分布之光檢測裝置係於遮光板設置光檢'測部所構成 之時，亦可將前述遮光板之表面的反射率設定成與前述感 應物體之表面的反射率大致相同。又，亦可將前述遮光板 之大小設定成與前述能束之照射區域爲同等程度以上。藉 此，由於在量測能量或其累積値之分布之際，可消除遮光 板之反射所造成之影響，以接近實際上感應物體受到曝光 時之狀態來量測能量或其累積値，乃能以更高之精度使得 重合部之曝光量相等於重合部以外之曝光量。 又，於本說明書中之光檢測裝置之光檢測部’只要至 少包含受光4面即可。具體而言，例如將光檢測部設於基板 移動用之基板平台上時，除可將光檢測部之所有的構成部 分設於該基板平台上，亦可將光檢測部之構成部分當中至 少受光面設於該基板平台上，而將其餘的部分設於該基板 平台以外。 又，當前述第1分布依據配置著前述感應物體之既定 面上之能量或其累積値的分布來進行設定之情形中，量測 前述曝光量分布之光檢測裝置係於遮光板設置光檢測部所 構成之時，亦可依據相當於因前述遮光板之表面的反射率 與前述感應物體之表面的反射率的不同所產生、以及/或是 9 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " -------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 518658 A7 B7 五、發明說明（X) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因前述遮光板之大小與前述能束之照射區域的不同所產生 之該光檢測部之檢測値的差異之値，來修正前述光檢測部 之檢測値、求出前述曝光量分布。藉此，由於考量到計算 曝光量分布之際之反射率以及/或是遮光板之大小的差異來 進行修正，即使未能將遮光板之反射率、大小設定成與感 應物體相同，仍能以更高之精度讓重合部之曝光量相等於 重合部以外之曝光量。 前述第2分布亦可係參照前述週邊部之因多重曝光造 成其光學特性的變化而決定。所謂多重曝光造成之光學特 性的變化，意指例如因曝光造成基板上之光阻劑的通過率 變動。又，前述設定裝置可包含濃度濾光片(具有將前述週 邊部之能量規定成前述第1分布之前述能束的衰減部），依 據前述決定之第2分布來調整前述衰減部之衰減特性，經 由前述調整過之濃度濾光片以前述能束對於前述複數之區 域分別進疔曝光。衰減特性的調整能以例如濃度濾光片的 交換、液晶元件等所提供之通過率分布的變更、以及濃度 濾光片之再加工等來進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，在上述曝光方法中，亦能以前述能束對感應物體 進行多重曝光然後量測前述曝光量分布。此時在該感應物 體中係包含與轉印圖案之「前述感應物體」相同以及與其 不同之其他的感應物體。又，此時所謂曝光量分布的量測 ，係包含：僅以曝光來量測曝光量分布；以及除了由照度 差異感測器所進行之曝光量分布的量測、尙補償因多重曝 光造成光阻劑之通過率變動等而引起之曝光量的誤差；之 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) 任一情況。 作爲前述設定裝置，可使用包含濃度濾光片（具有將前 述能束之能量緩緩地減少的衰減部）之物。此時’亦可不依 據前述決定之第2分布來變化前述週邊部重合著之第1重 合部的寬度，而是相對於形成有待轉印之圖案的光罩變更 前述濃度濾光片之位置，來變化前述衰減部的像重合著之 第2重合部的寬度，藉以調整該第1重合部之曝光量。前 述第1重合部之曝光量的調整，若不進行濃度濾光片之交 換等而僅以變更其位置來進行時，係包含採用該濃度濾光 片之交換、以及其位置變更之兩者來進行的情況。當利用 濃度濾光片之交換、以及其位置變更之兩者來進行前述曝 光量之調整時，作爲前述濃度瀘光片可使用其衰減特性依 據前述所決定之第2分布所設定者。舉例來說，可依據對 於能束進行光電檢測所得之曝光量分布來設定濃度濾光片 之衰減特性，而利用此濃度濾光片，以變更濃度濾光片之 位置來抵銷殘存之曝光量的誤差(例如，因多重曝光造成光 阻劑之光學特性的變動等所發生之誤差）。又，藉由變更前 述濃度濾光片所規定之前述能束的分布與待轉印圖案之相 對位置，可調整前述週邊部呈重合之重合部的曝光量。此 時，前述待轉印之圖案可採用往重合部方向（接合方向）放 大之圖案。藉此’僅需變更光罩與濃度濾光片之相對位置 ’即可輕易地§周整重合部之曝光量。又，由於僅變更光罩 與濃度濾光片之相對位置，故不需花費時間來處理，其結 果可提升生產性。 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •-------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·

.P 518658 A7 五、發明說明（β ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，作爲前述設定裝置，使用包含濃度濾光片（具有將 前述能束之能量緩緩地減少的衰減部)者之時’並不依據前 述決定之第2分布來變化前述週邊部重合著之第1重合部 的寬度，而是變更自前述濃度濾光片到形成有待轉印之圖 案的光罩之光學系統的光學特性，來變化前述衰減部的像 重合著之第2重合部的寬度，藉以調整該第1重合部之曝 光量。前述第1重合部之曝光量的調整，係包含採用：不 進行濃度濾光片之交換等而僅以變更光學系統之光學特性 來進行之情況；以及，同時進行濃度濾光片之交換等與變 更光學系統之光學特性之兩者之情況。當利用濃度濾光片 之交換等、以及光學系統之光學特性之變更這兩者來進行 前述曝光量之調整時，作爲前述濃度濾光片可使用其衰減 特性依據前述所決定之第2分布所設定者。舉例來說’可 依據對於能束進行光電檢測所得之曝光量分布來設定濃度 濾光片之衰彳咸特性，而利用此濃度瀘光片’以變更濃度濾 光片之位置來抵銷殘存之曝光量的誤差(例如’因多重曝光 造成光阻劑之光學特性的變動等所發生之誤差）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，可變更自前述濃度濾光片到待轉印圖案之光學系 統的光學特性(例如倍率），來變化由該濃度濾光片所規定 之前述能束的分布與待轉印圖案之相對關係，藉以調整前 述週邊部呈重合之重合部之曝光量。藉此，由於僅需變更 光學系統之倍率即可輕易地調整重合部之曝光量’故不需 進一步花費時間在光學系統之調整上(倍率變更等），其結 果可提升生產性。 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（\丨） 又，於本專利申請說明書中，有關「變化濃度濾光片 之衰減部的像呈重合之第2重合部的寬度」之記載中之「 衰減部的像」，意指沒有介於曝光用光之光路上的遮光物( 例如遮簾或光罩等之遮光帶等)之情況下的衰減部的像。 依據本發明之第2側面，係提供一種曝光方法’其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中，係經由前述 設定裝置照射前述能束，並將光檢測裝置(具有光檢測部與 遮光板，該光檢測部與遮光板可量測對應於前述感應物體 上之前述週邊部之部分的曝光量分布)之該遮光板的表面的 反射率設定成大致相等於前述感應物體之表面的反射率。 此時，可依據前述所測定之曝光量分布與前述週邊部之因 多重曝光所造成之光學特性的變化來設定前述週邊部之曝 光量。 " 依據本發明之第3側面，係提供一種曝光方法，其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中，係經由前述 設定裝置照射前述能束，並將光檢測裝置(具有光檢測部與 遮光板，該光檢測部與遮光板可量測對應於前述感應物體 上之前述週邊部之部分的曝光量分布）之該遮光板的大小 設定成爲前述能束之照射區域的同等程度以上。此時，可 依據前述所測定之曝光量分布與前述週邊部之因多重曝光 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（V1/) 所造成之光學特性的變化來設定前述週邊部之曝光量。 依據本發明之第4側面，係提供一種曝光方法，其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中，係經由前述 設定裝置照射前述能束，同時以光檢測裝置(具有光檢測部 與遮光板，該光檢測部與遮光板係用以量測對應於前述感 應物體上之前述週邊部之部分的曝光量分布)來檢測前述能 束，依據有關前述遮光板之反射率與前述感應物體之反射 率差異的資訊、以及前述檢測結果，設定前述週邊部之曝 光量。此時，可依據前述反射率之差異來修正前述光檢測 部之檢測値來求出前述曝光量分布。在此情況下，以同時 考慮週邊部之因多重曝光所造成之光學特性的變化來設定 曝光量爲佳。 依據本發明之第5側面，係提供一種曝光方法，其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中’係經由前述 設定裝置照射前述能束，同時以光檢測裝置(具有光檢測部 與遮光板，該光檢測部與遮光板係用以量測對應於前述感 應物體上之前述週邊部之部分的曝光量分布)來檢測前述能 束，依據有關前述遮光板之大小與前述能束之照射區域的 資訊、以及前述檢測結果，設定前述週邊部之曝光量。此 時，可依據前述遮光板的大小與前述能束之照射區域的差 14 -------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（Λ) ------------^裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 異來修正前述光檢測部之檢測値來求出前述曝光量分布。 在此情況下，以同時考慮週邊部之因多重曝光所造成之光 學特性的變化來設定曝光量爲佳。 依據本發明之第6側面，係提供一種曝光方法’其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中’係經由前述 設定裝置(設定成使得前述週邊部之曝光量成爲既定之第1 分布），以前述能束對測試用感應物體進行測試曝光’然後 量測在前述測試用感應物體上所形成之前述週邊部呈重合 之重合部的圖案像之形狀，決定第2分布以使得前述量測 之圖案像的形狀成爲目標値，接著以成爲前述決定之第2 分布的方式來設定前述設定裝置，然後進行正式曝光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明之第7側面，係提供一種曝光方法’其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中，前述設定裝 置包含濃度濾光片’該濃度瀘光片具有可緩緩地減少前述 能束之能量的衰減部；並不改變前述週邊部重合著之第1 重合部的寬度，而是變更前述濃度濾光片對於待轉印之圖 案的位置，來變化前述衰減部的像重合著之第2重合部的 的寬度，藉以調整該第1重合部之曝光量。此時，前述待 轉印之圖案可使用往重合部放大之圖案。又，可將前述第 1重合部之寬度設定成較前述濃度濾光片之衰減部的寬度 15 尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（A) 爲大。 依據本發明之第8側面，係提供一種曝光方法，其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中，前述設定裝 置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可緩緩地減少前述 能束之能量的衰減部；藉由變化前述濃度濾光片所規定之 前述能束的分布以及待轉印之圖案的相對位置，來調整在 前述週邊部重合著之重合部之曝光量。此時，前述待轉印 之圖案可使用往重合部放大之圖案。 依據本發明之第9側面，係提供一種曝光方法，其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中’前述設定裝 置包含濃度、濾光片，該濃度濾光片具有可緩緩地減少前述 能束之能量的衰減部；並不變化前述週邊部重合著之第1 重合部的寬度，而是變更自前述濃度濾光片到待轉印之® 案之光學系統的光學特性，來變化前述衰減部的像重合著 之第2重合部的的寬度，藉以調整該第1重合部之曝光量 〇 依據本發明之第10側面，係提供一種曝光方法’其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中’前述設定裝 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7

五、發明說明（vO 置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可緩緩地減少前述 能束之能量的衰減部；藉由變更自前述濃度濾光片到待轉 印之圖案之光學系統的光學特性，來變化該濃度濾光片所 規定之前述能束的分布以及待轉印之圖案的相對位置，來 調整在前述週邊部重合著之重合部之曝光量。 依據本發明之第11側面，係提供一種曝光方法，其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，乃經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中，前述設定裝 置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可緩緩地減少前述 能束之能量的衰減部；藉由交換前述濃度濾光片，來調整 前述週邊部重合著之重合部之曝光量。 依據本發明之第12側面，係提供一種曝光方法，其爲 了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別 轉印圖案，7¾經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的 設定裝置，以能束來曝光前述各區域；其中，係依據前述 週邊部之多重曝光所造成之光學特性的變化來設定前述週 邊部的曝光量。 於前述第1〜第12之側面的曝光方法中，係將由轉印 用圖案放大所成之圖案分割成複數之母圖案，並爲了將個 別母圖案之由投影光學系統所成之縮小像轉印到感應物體 上之週邊部呈部分重疊之複數的區域上，乃經由可緩緩地 減少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前 述各區域。 17 ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ^. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（…） 依據本發明之第I3側面，係提供一種使用前述第1〜 第12側面之曝光方法所製造之光罩。由於以高精度來調整 重合部之曝光量，所以在形成例如重合部與重合部以外之 部分的線寬爲相等之圖案之時，形成於重合部之圖案的線 寬與形成於重合部以外之部分的圖案的線寬之差異小，可 製造出極爲精緻的大面積的光罩。 依據本發明之第14側面，係提供一種濃度濾光片之製 造方法，係用以製造在曝光裝置(爲了對於感應物體上之週 邊部呈部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由濃度 濾光片（具有可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量），以能 束來曝光前述各區域）中所使用之濃度濾光片；其中，係經 由測試用濃度濾光片（具有設定成使得前述週邊部之曝光量 成爲既定之第1分布之衰減部），以前述能束來曝光感應物 體，且量測對應於前述感應物體上之前述週邊部的部分之 曝光量分布〜依據前述量測之曝光量分布，決定第2分布 以使得前述週邊部之曝光量成爲目標値，然後以成爲前述 決定之第2分布的方式來形成前述衰減部。此時，前述濃 度濾光片之衰減部的衰減特性，可藉由調整構成該濃度濾 光片之透明基板的表面上所形成之遮光點的密度分布來設 定。 又，依據本發明之第15側面，係提供一種濃度濾光片 之製造方法，係用以製造在曝光裝置(爲了對於感應物體上 之週邊部呈部分重疊之複數的區域分別轉印圖案’乃經由 濃度濾光片（具有可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量）， 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（η ) 以能束來曝光前述各區域）中所使用之濃度濾光片；其中’ 係經由濃度濾光片（具有設定成使得前述週邊部之曝光量成 爲既定之第1分布之衰減部），以前述能束來曝光測試用感 應物體，量測在前述測試用感應物體上所形成之前述週邊 部呈重合之重合部之圖案像的形狀，然後決定第2分布以 使得前述量測之圖案像的形狀成爲目標値；接著以成爲前 述決定之第2分布的方式來形成前述衰減部。此時，前述 濃度濾光片之衰減部的衰減特性，可藉由調整構成該濃度 濾光片之透明基板的表面上所形成之遮光點的密度分布來 設定。 依據本發明之第16側面，係提供一種曝光裝置，其使 用前述本發明之第14側面或第15側面之濃度濾光片之製 造方法所製造者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -----------^-裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明之第17側面，係提供一種曝光裝置之製造 方法，係對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數之區 域分別以能束來曝光；其中，係經由可緩緩地減少在前述 週邊部之曝光量的濃度濾光片來照射前述能束’量測對應 於前述感應物體上之前述週邊部的部分之曝光量分布’依 據有關前述量測之曝光量分布與前述濃度濾光片之衰減特 性的資訊，以使得前述週邊部之曝光量分布成爲目標値的 方式來製作濃度濾光片（形成有前述能束的衰減部）。此時 ，前者之濃度濾光片（照射能束之濃度濾光片）與後者之濃 度濾光片(製作出之濃度濾光片)可爲相同亦可爲不同。 依據本發明之第18側面，係提供一種曝光裝置之製造 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（d) 方法，其對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數之區 域分別以能束來曝光；其中，係經由可緩緩地減少在前述 週邊部之曝光量的濃度濾光片來照射前述能束’同時以光 檢測裝置(具有光檢測部與遮光板，該光檢測部與遮光板係 用以量測對應於前述感應物體上之前述週邊部之部分的曝 光量分布)來檢測前述能束，依據有關前述遮光板之反射率 與前述感應物體之反射率差異的資訊、以及前述濃度濾光 片之衰減特性的資訊，以使得前述週邊部之曝光量分布成 爲目標値的方式來製作濃度濾光片(形成有前述能束的衰減 部）。 依據本發明之第19側面，係提供一種曝光裝置之製造 方法，其對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數之區 域分別以能束來曝光；其中，係經由可緩緩地減少在前述 週邊部之曝光量的濃度濾光片來照射前述能束’同時以光 檢測裝置(焉有光檢測部與遮光板，該光檢測部與遮光板係 用以量測對應於前述感應物體上之前述週邊部之部分的曝 光量分布)來檢測前述能束，依據有關前述遮光板之大小與 前述能束之照射區域之大小之差異的資訊、關於前述濃度 濾光片之衰減特性的資訊、以及前述檢測結果，以使得前 述週邊部之曝光量分布成爲目標値的方式來製作濃度濾光 片(形成有前述能束的衰減部）。 依據本發明之第20側面，係提供一種曝光裝置之製造 方法，其對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數之區 域分別以能束來曝光；其中，爲了緩緩地減少前述週邊部 20 ------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（i ) 之曝光量，乃依據前述週邊部之多重曝光所造成之光學特 性的變化，以使得前述週邊部之曝光量分布成爲目標値的 方式來製作濃度濾光片(形成有前述能束的衰減部）。 依據本發明之第21側面，係提供一種曝光裝置，係對 於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數之區域分別以能 束來曝光；其中，具備可緩緩地減少前述週邊部之曝光量 的設定裝置；前述設定裝置係包含濃度濾光片，該濃度濾 光片具有可緩緩地減少前述能束之能量的衰減部；並不改 變前述週邊部重合著之第1重合部的寬度，而是變更前述 濃度濾光片對於待轉印之圖案的位置，來變化前述衰減部 的像重合著之第2重合部的的寬度，藉以調整該第1重合 部之曝光量。 依據本發明之第22側面，係提供一種曝光裝置，其對 於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數之區域分別以能 束來曝光广其中，具備可緩緩地減少前述週邊部之曝光量 的設定裝置；前述設定裝置係包含濃度濾光片，該濃度濾 光片具有可緩緩地減少前述能束之能量的衰減部；藉由變 化前述濃度濾光片所規定之前述能束的分布以及待轉印之 圖案的相對位置，來調整在前述週邊部重合著之重合部之 曝光量。 依據本發明之第23側面，係提供一種曝光裝置，其對 於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數之區域分別以能 束來曝光；其中’具備可緩緩地減少前述週邊部之曝光量 的設定裝置；前述設定裝置係包含濃度濾光片，該濃度濾 21 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） ------------W,裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·- 518658 A7

五、發明說明（/ ) 光片具有可緩緩地減少前述能束之能量的衰減部；並不變 化前述週邊部重合著之第1重合部的寬度’而是變更自前 述濃度濾光片到待轉印之圖案之光學系統的光學特性’來 變化前述衰減部的像重合著之第2重合部的的寬度’藉以 調整該第1重合部之曝光量。 依據本發明之第24側面’係提供一種曝光裝置’其對 於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數之區域分別以能 束來曝光；其中’具備可緩緩地減少前述週邊部之曝光量 的設定裝置；前述設定裝置係包含濃度濾光片’該濃度濾 光片具有可緩緩地減少前述能束之能量的衰減部；係變更 自前述濃度濾光片到待轉印之圖案之光學系統的光學特性 ，來變化由該濃度濾光片所規定之前述能束的分布與待轉 印之圖案的相對位置，藉以調整前述週邊部重合著之重合 部的曝光量。 [圖式之簡單說明] 圖1所示係本發明之實施形態之曝光裝置的槪略構成 圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2A所示係濃度濾光片之構成的上面圖；圖2B所示 係於濃度濾光片所形成之標記之一例之圖。 圖3A〜圖31所示係濃度濾光片之衰光部之構成圖。 圖4所示係將主光柵之母圖案的縮小像投影至基板上 之情況的要部立體圖。 圖5A以及圖5B所示係照度分布檢測感測器之構成圖 〇 22 - -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（Μ ) 圖6係用以說明以主光柵來製造光柵(工作光柵)之際 之製程圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7所示係光柵之對準機構之立體圖。 圖8A〜圖8D所示係重合部以及重合部以外之部分的 曝光量分布之一例之圖。 圖9所示係相距於適宜曝光量之曝光量的偏差量與線 寬誤差的關係例之圖。 圖10所示係第1曝光量分布之調整方法之流程圖。 圖11A〜圖11C係用以說明第2曝光量分布之調整方 法之圖。 圖12A〜圖12C係用以說明第2曝光量分布之調整方 法之圖。 圖13A〜圖13C係用以說明第2曝光量分布之調整方 法之圖。 圖14λ〜圖14C係用以說明第2曝光量分布之調整方 法之圖。 圖15所示係形成梯度分布之設定裝置的另一例之圖。 [發明之詳細說明] 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 以下，參照圖式說明本發明之實施形態。圖1所示係 本發明之實施形態之曝光裝置的槪略構成圖，該曝光裝置 係一種步進重複方式之縫合型投影曝光裝置。又，於以下 之說明中，係設定圖1中所示之ΧΥΖ直角座標系，參照該 ΧΥΖ直角座標系來說明各構件之位置關係。ΧΥΖ直角座標 系之X軸與Ζ軸係設定成平行於紙面方向’ Υ軸係設定成 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（) 垂直於紙面方向。圖中之XYZ座標系，實際上χγ平面係 設定成平行於水平面之面，Z軸係設定成垂直向上之方向 〇 於圖1中，來自光源100的光(此處係定爲ArF準分子 雷射)之紫外脈衝光IL·(以下稱爲曝光用光IL)係通過其與照 明光學系統1之間的光束匹配單元(BMU)(包含有用以進行 光路之位置匹配的可動鏡等）1〇1，經由管路102而射入作 爲光哀減器之可變哀光器103。 主控制系統9爲了控制對於基板4上之光阻劑的曝光 量，乃藉由與光源100之間的通訊，來控制發光之開始與 停止、振盪頻率、以及由脈衝能量所決定之輸出，同時以 階段或連續的方式調整可變衰光器103對於曝光用光IL之 衰光率。 通過可變衰光器103之曝光用光IL在經過沿著既定之 光軸所配置之透鏡系統104、105所構成之整光光學系統後 ，乃射入光學積分器（組(LOT)積分器或是複眼透鏡等，於 該圖中則爲複眼透鏡）1〇6。又，爲了提高照度分布之均一 性，複眼透鏡106係串聯的方式配置成2段。 於複眼透鏡106之射出面係配置著開口光闌系統107 。於開口光闌系統107中係以切換自如的方式配置著通常 照明用之圓形的開口光闌、具有複數之偏心小開口所成之 變形照明用之開口光闌、帶狀(zonal)照明用之開口光闌等 。自複眼透鏡106所射出而通過開口光闌系統107之既定 的開口光闌後的曝光用光IL係射入通過率高且反射率低的 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 518658 A7 B7 五、發明說明（·力） 分束器108。以分束器108所反射之光係射入由光電檢測 器所構成之積分感測器109，積分感測器1〇9之檢測訊號 係經過未圖示之訊號線而供給至主控制系統9。 分束器108之通過率以及反射率係事先經過高精度的 量測，而記錄於主控制系統9內之記憶體中，主控制系統 9則依據積分感測器109之檢測訊號間接地監測曝光用光 IL對於投影光學系統3之入射光量。 通過分束器108之曝光用光IL係射入光柵遮簾機構 Π0中。光柵遮簾機構110具備4片之可動式遮簾(遮光板 )111(A〜D)及其驅動機構。藉由將該等4片之遮簾111分別 設定於適當之位置，可在投影光學系統3之視野內的大致 中央形成矩形狀之照明視野區域。 藉由光柵遮簾機構110之遮簾111整光成矩形狀之曝 光用光IL，係射入載置於濾光器平台FS上之濃度濾光片 巧。濃度濾光片Fj(此處係設定爲F1〜F9之九片)基本上係 構成爲圖2A所示之情形。圖2A所示係濃度濾光片Fj之 構成之一例的上面圖。該濃度濾光片Fj係例如於石英玻璃 或是摻雜有氟之石英玻璃等之光通過性基板上具有：蒸鍍 了鉻等之遮光性材料的遮光部121、未蒸鍍該遮光性材料 之透光部122、以及一邊變化該遮光性材料之存在機率一 邊蒸鍍遮光性材料所成之衰光部(衰減部）123。衰光部123 係以點狀方式蒸鍍有遮光性材料，該點狀的大小係呈設置 在顧1所示之濃度濾光片Fj的位置之狀態，在本例中係設 定成具有在濃度濾光片Fj與光罩一光柵Ri之間所配置之 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言 Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（外） 複數的光學元件（112〜116)的光學系統之解析極限以下。該 點狀物係以隨著自內側(透光部122側)往外側(遮光部121 側)移動使得衰光率呈傾斜直線般提高的方式來增加其存在 機率所形成。另外，該點狀物亦可隨著自內側往外側移動 使得衰光率呈曲線般提高的方式來增加其存在機率所形成 〇 又，點狀物之配置方法，與其在同一通過率部讓點狀 物以同一間距p來配置，不如對於p加入在各個點狀物發 生亂數R(具有高斯分布)所成之P+R配置。其理由在於， 隨著點狀物的配置會產生繞射光，有時會超過照明系統之 開口數(NA)而發生光無法到達感光基板之現象，從而設計 通過率所造成之誤差變大。 又，點狀物之大小以完全相同爲佳。其理由在於，若 使用複數種之點大小，則當前述之繞射造成設計通過率所 導致之誤差發生之時，該誤差會變得複雜、即通過率修正 會變得複雜。 另一方面，爲了減少點狀物形狀誤差，濃度濾光片之 描繪以高加速EB描繪機來描繪爲佳，又，爲了可易於測 定出程序所造成之形狀誤差，點狀物的形狀以設定成長方 形(正方形）爲佳。當存在著形狀誤差之時，只要該誤差量 得以量測出，則易於進行通過率修正，此爲優點所在。 於遮光部121係形成有複數之對準用之標記 124A，124B，124C， 124D 。 該等 之標記 124A，124B，124C，124D可如圖2A所示，將濃度濾光片Fj 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518658 A7 五、發明說明（< ) 之遮光部121的一部分去除，形成矩形狀或其他形狀之開 口（光通過部）124A，124B，124C，124D以作爲標記。又，亦 可使用圖2B所不之標記。圖2B所示係於濃度濾光片Fj 所形成之標記之一例的上面圖。在圖2B中，係採用由複 數之狹縫狀之開口所構成之狹縫標記125。該狹縫標記125 ，爲了量測X方向與Y方向之位置，乃讓形成於Y方向之 狹縫與配置在X方向之標記要素組合、讓形成於X方向之 狹縫與配置在Y方向之標記要素組合。濃度濾光片Fj之位 置與投影倍率，係依據量測標記124A，124B，124C，124D之 位置資訊的結果來調整。又，濃度濾光片Fj之Z方向之位 置以及Z方向擺動(tilt)量，例如可使用設置於試料台5之 至少一部份之以攝像元件來檢測濃度濾光片Fj之標記的裝 置等，讓濃度瀘光片F|移動於光軸方向，在複數Z位置量 測標記124A，124B，124C，124D或標記125，將訊號強度或 訊號對比爲请大之Z位置定爲最佳焦距，來對該最佳焦距 位置(投影光學系統3之物體面或像面，亦即與主光柵Ri 之圖案形成面或是基板4之表面呈共軛之位置)設置濃度'濾 光片Fj ;在本例中係於離開該最佳焦距位置某特定量之位 置來設置濃度濾光片。 又，設於濃度濾光片之標記的數量並不限定爲4個’ 亦可依照濃度濾光片之設定精度等而至少設置1個。再者 ，在本例中雖以與照明光學系統之光軸呈中心大致一致的 方式來配置濃度濾光片，惟對於濃度濾光片設置複數之標 記時，則以相關於該中心呈非點對稱的方式來配置複數之 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ^ ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（>) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 標記，或是將該複數之標記配置成點對稱’但另外形成識 別圖案爲佳。其理由在於，於照明光學系統內配置濃度濾 光片，量測能量分布之後將該濃度濾光片取出予以修正而 進行再設定之時’因結果上是考量照明光學系統之光學特 性（畸變等）來進行濃度濾光片的修正之故’若旋轉該濃度 濾光片再設定時，前面的修正會變得沒有意義’所以應讓 濃度濾光片能在原來的狀態下進行再設定。 於本實施形態中，於濾光片平台FS之側方配置著呈 架子狀之濾光片館16a，該濾光片館16a具有在Z方向依 序配置之L個(L爲自然數)支撐板17a ’於支撐板17a載置 著濃度濾光片F1，…，FL °濾光片館16a可藉由滑動裝置 18a在Z方向移動自如地受到支撐’在濾光片平台FS與濾 光片館16a之間配置著載承件19a(具備旋轉自如之可在Z 方向的既定範圍內移動之機械臂）。主控制系統9透過滑動 裝置18a柬調整濾光片館16a在Z方向之位置後，乃控制 載承件19a的動作，使得所需之濃度瀘光片F1〜FL可在濾 光片館16a中之既定的支撐板17a與濾光片平台FS之間傳 遞。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 濃度濾光片Fj之遮光部121、透光部122、以及衰光 部123在保持於濾光片平台FS的狀態下’依據相對於主 光柵Ri之圖案形成面之共軛之面與該濃度濾光片Fj之沿 著光軸方向的距離（尺寸），於該圖案形成面上事先修正形 成爲適切的形狀。又，在本例中由於濃度濾光片Fj係離開 其共鞭面所配置，亦即由於在主光柵Ri之圖案形成面上衰 28 _本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明) --------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光部123內之點狀物係成爲散焦像，故依據與其共軛面的 距離（間隔），點狀物大小亦可不設定成前述解析極限以下 。再者，除了讓濃度濾光片Fj離開其共軛面來配置，亦可 採用與之組合，在主光柵Ri之圖案形成面上讓衰光部123 內之點狀物像不鮮明來構成(例如，讓配置於濃度濾光片Fj 與主光柵Ri之間的擴散板微動），此時點狀物大小無須設 定在前述解析極限以下。又，後面會詳述’主光柵Ri係複 數之主光柵R1〜RN之任一者，分別爲分割圖6之母圖案 36所得之母圖案P1〜PN所形成之光柵。 ¼ 在本實施形態，濃度濾光片Fj係如圖3A〜圖31所示 般，設置著9片之F1〜F9。圖3A〜圖31所示係本發明之實 施形態之曝光裝置所具備之濃度濾光片之構成圖。該等濃 度濾光片彼此之衰光部123之形狀或位置不同，針對進行 曝光處理之照射區域的4邊，依據鄰接之照射區域之間是 否有圖案像 >重疊部分(重合部)(以下亦稱爲畫面接合部)來 選擇使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦即，當照射區域配置爲P(行）Xq(列）之情形，針對 照射區域（1，1)係使用圖3A之濃度濾光片，針對照射區域 (1，2〜q-Ι)係使用圖3B之濃度濾光片，針對照射區域（l，q)係 使用圖3C之濃度濾光片，針對照射區域(2〜q-l，l)係使用圖 3D之濃度濾光片，針對照射區域（2〜p-l，2〜q-Ι)係使用圖 3E之濃度濾光片，針對照射區域(2〜p-l，q)係使用圖3F之 濃度濾光片，針對照射區域(p，l)係使用圖3G之濃度濾光 片，針對照射區域(P，2〜q-Ι)係使用圖3H之濃度濾光片， 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 518658 A7 B7 五、發明說明（>?) 針對照射區域(p，q)係使用圖31之濃度濾光片。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，作爲濃度濾光片Fj，並不限定於上述9種類，亦 可依照照射區域形狀、照射區域配置’採用具有其他形狀 的衰光部123之物。濃度濾光片Fj雖可與主光栅Ri呈1 對1的對應，惟使用同一之濃度濾光片Fj對於複數之主光 栅Ri進行曝光，可刪減濃度濾光片巧之數量，爲高效率 的一種做法。 只要可將濃度濾光片巧做90度或180度之旋轉來使 用，則只要準備例如圖3A、圖3B以及圖3E之3種類的 濃度濾光片Fj即可，至於其他的濃度濾光片則不再需要， 屬有效率的做法。再者，只要將濃度濾光片Fj設定爲圖 3E所示之1種類，對光柵遮簾機構110之4片遮簾111的 位置做選擇性的設，又，利用主光柵Ri之遮光帶，將衰光 部123之4邊當中一邊或複數邊以對應之遮簾111來遮蔽 ，即能以單一之濃度濾光片來實現圖3A〜圖31所示之濃度 濾光片、甚至是其他之濃度濾光片的機能，爲高效率的一 種做法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，作爲濃度濾光片Fj，除了可使用於上述之玻璃基 板上藉鉻等之遮光性材料來形成衰光部或遮光部所得之物 ，尙可使用依所需情況而利用液晶元件等變更衰光部或遮 光部之位置、衰光部之衰光特性所得之物，此時，將不再 需要準備複數之濃度濾光片，且可彈性地對應於所製造之 工作光柵（微元件）之規格上的各種要求，爲高效率的一種 做法。 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 雞 一 518658 A7 B7 五、發明說明（) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 濾光片平台FS可讓所保持之濃度濾光片Fj在χγ平 面內往旋轉方向以及並行方向微動或移動。藉由雷射干涉 儀(未予圖示)來量測濾光片平台FS之X座標、Y座標、以 及旋轉角，以該量測値以及來自主控制系統9的控制資訊 來控制濾光片平台FS之動作。又，以上所說明之濃度濾 光片Fj之衰光部123的設定方法以及濃度濾光片Fj之製 造方法將詳述於後。 通過了濃度濾光片Fj之曝光用光IL於經過反射鏡 112、聚光透鏡系統113、成像用透鏡系統114、反射鏡 115、以及主聚光透鏡系統116之後，乃於主光柵Ri之電 路圖案區域上，以同樣的強度分布來照射出與遮簾111之 矩形狀的開口部相似之照明區域。亦即，藉由聚光透鏡系 統113、成像用透鏡系統114、以及主聚光透鏡系統116之 合成系統讓遮簾Π1之開口部的配置面與主光柵Ri之圖案 形成面成爲共軛狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本實施形態中，於光柵平台2之側方配置著呈架子 狀之光柵館16b，該光柵館16b具有在Z方向依序配置之 N個(N爲自然數)支撐板17b，於支撐板17b載置著主光柵 R1，...，RN。光栅館16b可藉由滑動裝置18b在Z方向移動 自如地受到支撐，在光柵平台2與光柵館16b之間配置著 載承件19b(具備旋轉自如之可在Z方向的既定範圍內移動 之機械臂）。主控制系統9透過滑動裝置18b來調整光柵館 16b在Z方向之位置後，乃控制載承件19b的動作，使得 所需之主光柵F1〜FL可在光柵館16b中之既定的支撐板 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------------—___________ B7_____ 五、發明說明U〇 )

Hb與光柵平台2之間傳遞。 主光柵Ri之照明區域內之圖案像係經過投影光學系統 3以縮小倍率1/α(α爲例如5或4等)投影於工作光柵用之 基板(闊板)4之表面。圖4所示係主光柵之母圖案的縮小像 投影於基板上之情形的要部立體圖。又，於圖4中，與圖 1所示之曝光裝置所具備之構件爲相同之構件的情況係附 以相同的符號。於圖1與圖4中，基板4係石英玻璃等之 光通過性基板，其表面之圖案區域係形成有鉻或是矽化鉬 等之光罩材料的薄膜，又由兩個2度空間標記所構成之對 準標記24Α，24Β係以挾持該圖案區域25的方式來形成。 該等之對準標記24Α,24Β係藉由電子束描繪裝置、雷 射光描繪裝置、投影曝光裝置（步進器、掃描器）等，於進 行圖案之轉印前預先形成者。又，於基板4之表面塗佈有 光阻劑來覆蓋光罩材料。 光栅平治2係讓所保持之主光柵Ri在χγ平面內移動 於旋轉方向與並行方向。以未予圖示之雷射干涉儀來量測 光柵平台2之X座標、γ座標、以及旋轉角，依據該量測 値以及來自主控制系統之控制資訊來控制光柵平台2之動 作。 另一方面，爲了避免因基板之變形造成之位偏，在本 例中基板4係於以3支之銷所構成之保持台上未吸附或受 到微吸附，該基板保持台係固定於試料台5上，試料台5 係固定於基板平台6上。試料台5係以自動對焦的方式來 控制基板4之聚焦位置(光軸AX方向之位置)以及傾斜角 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

518658 五 A7 發明說明（y ，藉此讓基板4之表面對入投影光學系統3之像面。於該 試料台5上固定著照度分布檢測感測器(亦即照度差異感測 器）126來檢測定位用之基準標記構件12以及基板4上之 照度分布。又，基板平台6、基座7上係以例如線性馬達 讓S式料台5(基板句移動於X方向、γ方向來作定位。 藉由試料台5之上部所固定之移動鏡8m以及對向配 置之雷射干涉儀8來量測試料台5之X座標、Y座標、以 及旋轉角，然後將該量測値送往平台控制系統1〇以及主控 制系統9。如圖4所示，移動鏡8m係X軸之移動鏡8mX 以及Y軸之移動鏡8mY的總稱。平台控制系統1〇係依據 前述量測値以及來自主控制系統9之控制資訊來控制基板 平台6之線性馬達等的動作。 其次詳細地說明照度分布檢測感測器126。圖5A與圖 5B所示係照度分布檢測感測器126之構成圖。該照度分布 檢測感測器126係在曝光用光IL經由投影光學系統3進行 照明之狀態下，讓基板平台6移動於基板4之水平面內藉 以量測曝光用光IL之空間分布、亦即曝光用光之強度分布 (照度分布）。如圖5A所示，照度分布檢測感測器Π6係於 具有矩形(於本實施形態爲正方形)狀之開口 54的遮光板55 之下側設置光電感測器56所得之構成，由光電感測器56 所得之檢測訊號係輸出至主控制系統9。又，亦可不在開 口 54之下側設置光電感測器56，而是藉由導光器等將光 引導到其他部分’由光電感測器等來檢測受光量。 遮光板55 —般係於石英等之基板蒸鍍鉻(C〇等之金屬 33 --------------裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（V) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所形成者，惟蒸鍍鉻等之金屬，於遮光板55上所曝光之曝 光用光的反射率高會使得曝光用光之反射量變多。結果由 遮光板55所產生之反射光會由投影光學系統、光柵所反射 而發生光斑現象。該照度分布檢測感測器126係用以量測 基板在受到曝光時之曝光用光的空間分布所設置之物，較 佳係量測實際曝光時之曝光用光的空間分布。惟，於進行 曝光用光之空間分布的量測時，若出現與實際曝光時的狀 況爲不同的狀況、亦即出現曝光用光之反射量變多的情況 ，將無法正確地量測實際曝光時之曝光用光的空間分布。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 是以，在本實施形態，爲了進行儘可能接近於曝光時 之實際曝光用光之空間分布的量測，乃將遮光板55上面之 反射率設定成與基板4之反射率大致同等程度來降低反射 光所造成之影響。於遮光板55之上面係形成有與在曝光用 光之波長區域下之基板4的反射率具同等程度反射率之膜 。爲了實瑭該膜，例如可如圖5B所示，在石英之透明基 板57上蒸鍍鉻58，接著於鉻58上形成氧化鉻之薄膜59， 然後於其上塗佈與在基板4所塗佈之光阻劑爲相同之相同 厚度的光阻劑60。該等遮光板55上面之反射率不僅取決 於其表面所形成之膜的材質，尙可適宜地選擇膜厚、構成( 積層數、各層厚度、各層之材質等)來進行調整。當於基板 4形成反射防止膜等之時，也全盤考量該等條件’來設定 該遮光板55上面之反射率。 一邊讓基板平台6於基板4表面之水平面內移動’一 邊以上述之照度分布檢測感測器126來量測通過形成於遮 34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐了 518658 A7 B7 五、發明說明（Vl ) 光板55之開口 54的曝光用光，藉此，可量測出與實際曝 光時之曝光用光之空間分布爲大致相同的空間分布。 又’於主控制系統9係連接著磁碟裝置等之記憶裝置 11，於記憶裝置11中儲存著曝光資料檔案。於曝光資料檔 案中記錄著主光柵R1〜RN之相互的位置關係、對應於主光 柵R1〜RN之濃度濾光片F1〜FL的對應關係、對準資訊等 〇 本實施形態所提供之曝光裝置係利用複數之主光柵來 進行縫合曝光。該曝光裝置不僅可在製造半導體集積電路 時來使用，亦可於製造光柵之時來使用。此處，槪略地說 明主光柵Ri以及使用該曝光裝置所製造之光柵、亦即工作 光柵的製造方法。 圖6所示係以主光柵Ri來製造光柵(工作光柵)之際之 製程說明圖。圖6中所示之工作光柵34爲最終所製造之光 柵。該工作^光栅34係於石英玻璃等所構成之光通過性之基 板（閘板）的一面以鉻(Cr)、矽化鉬(M〇Si2等）、或是其他之 光罩材料來形成轉印用之原版圖案27而獲致者。又，兩個 對準標記24A，24B係以挾持該原版圖案27的方式來形成 〇 工作光柵34係經由光學式之投影曝光裝置之投影光學 系統，以1//S的縮小倍率來使用。亦即，於圖6中，讓工 作光栅34之原版圖案27的1//3倍縮小像27W曝光於塗佈 有光阻劑之晶圓W上之各照射區域48之後，進行顯像、 蝕刻等，以於各照射區域48形成既定之電路圖案35。 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（4) 於圖6中，首先係設計最後所製造之半導體兀件所具 之層的電路圖案35。電路圖案35係於直交邊之寬度爲 dX，dY的矩形區域內形成各種之線一間距圖案(或獨立圖案 )等。於本實施形態，係將該電路圖案35放大/3倍，於電 腦之圖像資料上做出直交邊之寬度爲A · dX，/5 · dY的矩 形區域所構成之原版圖案27。/3倍係工作光柵34所使用 之投影曝光裝置之縮小倍率（1//5)的倒數。又，於倒轉投影 時係倒轉後放大。 其次，將原版圖案27放大α倍（α爲大於1之整數或 半整數等，作爲一例可舉出4,5,6等），於圖像資料上做出 直交邊之寬度爲α · /5 · dX，α · /3 · dY的矩形區域所構 成之母圖案36，將該母圖案36於縱橫分別分割出α個， 於圖像資料上做出α X α之母圖案Ρ1，Ρ2, Ρ3，···ΡΝ(Ν=α 2) 。圖6中所示係α =5之情形。又，倍率α係於工件光柵34 之製造時所使用之投影曝光裝置之投影倍率(在本例中爲圖 1、4中之投影光學系統3之倍率)的倒數。又，該母圖案 36之分割數未必要一致於自原版圖案27到母圖案36之倍 率α。之後，針對該等之母圖案Pi(i=l〜Ν)分別產生電子束 描繪裝置（或是亦可使用雷射束描繪裝置等）用之描繪資料 ，將該母圖案Pi分別以等倍轉印到作爲母光罩之主光柵Ri 上。 例如，於製造第1片之主光柵R1之時，係於石英玻 璃等之光通過性之基板上形成鉻、或是矽化鉬等之光罩材 料的薄膜，於其上塗佈電子束光阻劑之後，以電子束描繪 36 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐) •-------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（ο 裝置對該電子束光阻劑上描繪出第一回之母圖案Ρ1之等倍 的潛像。之後，進行電子束光阻劑之顯像，然後施以蝕刻 、光阻劑剝離等，以於主光柵R1上之圖案區域20形成母 圖案Ρ1。 此時，於主光柵R1上係以對於母圖案Ρ1呈既定之位 置關係的方式形成由兩個之二維標記所構成之對準標記 21Α，21Β。同樣地，對於其他之主光柵Ri亦藉由電子束描 繪裝置分別形成母圖案Pi以及對準標記21A，21B。該對準 標記21A，21B係對於基板或濃度濾光片進行定位所使用者 〇 如上所述，由於以電子束描繪裝置(或是雷射束描繪裝 置)所描繪之各母圖案Pi係將原版圖案27放大α倍所得之 圖案，故各描繪資料的量相較於進行直交描繪的情形可減 少至1/α 2左右。再者，由於母圖案Pi之最小線寬相較於 原版圖案2?之最小線寬爲α倍(例如5倍或4倍），故能較 以往之使用電子束光阻劑之電子束描繪裝置以短時間來高 精度地描繪各母圖案Pi。又，只要製造一次之Ν片的主光 柵R1〜RN，則往後藉由反覆地使用該等之主光柵即可製造 所需之片數的工作光柵34，故耗費在製造主光柵 的時間將不會太多。利用如此製造出之N片的主光柵Ri， 一邊進行畫面接合(讓彼此之一部分重合)一邊將主光柵Ri 之母圖案Pi的1/α倍的縮小像PIi(i=l〜N)予以轉印’來製 造出工作光柵34。 使用主光柵Ri之工作光柵34之曝光動作的詳細情形 37 ， ------------丨裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（4) 係如下所述。首先，藉由基板平台6之步進移動讓基板4 上之第1個照射區域移動到投影光學系統3之曝光區域(投 影區域）。與此同時，主光柵R1係自光柵館16b經由承載 件19b搬入保持於光柵平台2，且濃度濾光片F1係自濾光 片館16a經由承載件i9a搬入保持於濾光片平台FS。接著 ，於進行主光柵R1與濃度濾光片F1之對準之後，該主光 柵R1之縮小像經由投影光學系統3而轉印至基板4上之 對應照射區域。 當對於基板4上之第1個照射區域完成第1次之主光 柵R1的縮小像的曝光之後，乃藉由基板平台6之步進移 動讓基板4上之下一照射區域移動到投影光學系統3之曝 光區域。與此同時，光柵平台2上之主光柵R1係經由承 載件19搬出到館16，下一轉印對象之主光柵R2則自館 16經由承載件19搬入保持於光柵平台2，且濾光片平台 FS上之濃度濾光片F1係經由承載件19搬出到館16，對 應於下一轉印對象之主光柵R2的濃度瀘光片F2係自館16 經由承載件19搬入保持於濾光片平台FS上。接著，於進 行主光柵R2與濃度濾光片F2之對準等之後，該主光柵 R2之縮小像經由投影光學系統3而轉印至基板4上之對應 的照射區域。 接著，依所需情況適宜地更換濃度濾光片F2〜FN ’以 步進重複方式對於基板4上之剩下的照射區域依序進行對 應之主光栅R3〜RN之縮小像的曝光轉印。 其中，以上述方式將主光柵R1〜RN之縮小像投影曝光 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 — 518658 A7 五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 至基板4上之際，必須以高精度的方式進行鄰接之縮小像 間的畫面接合(縫合）。是以，必須讓各主光柵Ri(i=l〜N)與 基板4上之對應的照射區域(定爲Si)進行高精度之對準。 爲了進行該對準，於本實施形態之投影曝光裝置係具備有 光柵以及基板用之對準機構。 圖7係顯示光柵之對準機構，於該圖7中，在試料台 5上之基板4的附近係固定著光通過性之基準標記構件12 ，於基準標記構件12上沿X方向以既定間隔形成有例如 十字形之1對的基準標記13A，13B。又，於基準標記 13A，13B之底部，係設有以來自曝光用光IL所分出之照明 光來照射投影光學系統3側之基準標記ΠΑ，13Β的照明系 統。於主光柵Ri之對準時，係藉由驅動圖1之基板平台6 ，而如圖7所示般，以使得基準標記構件12上之基準標記 13A，13B的中心大致一致於投影光學系統3之光軸AX的 方式來定位棊準標記13Α，；ΠΒ。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，作爲一例，例如十字型之兩個對準標記21A，21B 係以在X方向挾持主光柵Ri之圖案面(下面）之圖案區域 20的方式來形成。基準標記13A，13B之間隔係設定成與對 準標記21A，21B之藉由投影光學系統3所成之縮小像的間 隔大致相同，如上所述般在基準標記13A，13B的中心大致 一致於光軸AX的狀態下，自基準標記構件12的底面側以 相同於曝光用光IL之波長的照明光來進行照明，藉此，基 準標記13A，13B之由投影光學系統3所得之放大像會分別 形成於主光柵Ri之對準標記21A，21B的附近。 39 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（u) 於該等之對準標記21A，21B的上方配置著將來自投影 光學系統3側之照明光往±X方向反射之鏡子22A，22B ’ 並具備圖像處理方式之對準感測器14A，14B，其以 TTR(through the reticle)的方式來接收由鏡子22A，22B所反 射之照明光。對準感測器14A，14B分別具備成像系統以及 CCD攝影機等之2維的攝像元件，該攝像元件係進行對準 標記21A，21B以及對應之基準標記13A，13B的像之攝像， 將該攝像訊號供給至圖1之對準訊號處理系統15。 對準訊號處理系統15係進行該攝像訊號之圖像處理， 算出對準標記21A，21B相對於基準標記13A，13B的像在X 方向、Y方向的位偏量，將該2組之位偏量供給至主控制 系統9。主控制系統9係以讓該2組之位偏量彼此對稱且 分別限於既定範圍內的方式進行光柵平台2之定位。藉此 ，可相對於基準標記13A，13B來進行對準標記21A，21B、 甚至於主光柵Ri之圖案區域20內之母圖案Pi(參照圖6)的 定位。 換言之，主光柵Ri之母圖案Pi之由投影光學系統3 所得之縮小像的中心（曝光中心）係實質定位於基準標記 13A，13B之中心(接近光軸），母圖案Pi之輪廓(圖案區域2〇 之輪廓)之直交邊係分別設定成平行於X軸以及γ軸。在 此狀態下，圖1之主控制系統9係記憶著由雷射干涉儀8 所量測之試料台5在X方向、γ方向之座標(XF()，YF())，以 結束主光柵Ri之對準動作。之後，可將試料台5上之任意 的點移動到母圖案Pi之曝光中心。 40 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） --------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 518658 A7 B7 五、發明說明（4) 又，如圖1所示，於投影光學系統3之側部係具備有 以偏軸方式來檢測基板4上之標記位置的圖像處理方式之 對準感測器23。對準感測器23係以相對於光阻劑爲非感 光性之寬頻帶的照明光來照明受測標記’以（：(：1)攝影機等 之2維攝像元件來進行受測標記之像的攝像’而將攝像訊 號供給至對準訊號處理系統15。又，對準感測器23之檢 測中心與主光柵Ri之圖案的投影像中心(曝光中心)的間隔( 基準線距)係由基準標記構件12上之既定的基準標記來事 先測出，將其記錄於主控制系統9內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

如圖7所示，於基板4之X方向的端部係形成有例如 十字型之兩個對準標記24A，24B。是以，在主光柵Ri之對 準結束之後，藉由驅動基板平台6，讓圖7之基準標記 13A，13B、以及基板4上之對準標記24A，24B依序移動至 圖1之對準感測器23的檢測區域，分別量測基準標記 13A，13B以及對準標記24A，24B相對於對準感測器23之檢 測中心的位偏量。將該等之量測結果供給至主控制系統9 ，主控制系統9會利用這些量測結果來算出基準標記 13Α，；ΠΒ之中心一致於對準感測器23之檢測中心時的試料 台5之座標(XP〇，YPG)以及對準標記24A，24B之中心一致於 對準感測器23之檢測中心時的試料台5之座標(XPhYp^ 。藉此，乃結束基板4之對準。 由上述結果，乃導出基準標記13A，13B之中心與對準 標記24A，24B之中心在X方向、γ方向的間隔（χιν XP^YPo-YPi)。於是，藉由將圖1之基板平台6相對於主 41 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 _____ B7 五、發明說明) 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光柵Ri之對準時之試料台5的座標(XPQ，YPQ)驅動間隔爲 (XP(r ΧΡι，ΥΡ〇-ΥΡι)之量，貝[]如圖4所示，可使得主光概Ri 之對準標g己24A，24B之中心(基板4之中心)高精度地一^致 於主光柵Ri之對準標記21A，21B之投影像的中心(曝光中 心）。在此狀態下驅動圖1之基板平台6使得試料台5往X 方向、Y方向移動，藉此，可對於基板4上之中心在所需 的位置曝光出主光柵Ri之母圖案Pi的縮小像Pli。 亦即’圖4係顯不讓第i個之主光概Ri的母圖案Pi 經由投影光學系統3縮小轉印於基板4上之狀態，於該圖 4中，以基板4之表面的對準標記24A，24B之中心爲中心 ，以平行於X軸與Y軸之邊所圍成之矩形的圖案區域25 係假想設定於主控制系統9內。圖案區域25之大小係將圖 6之母圖案36縮小成l/α倍的大小，圖案區域25係假定 爲在X方向、Υ方向分別均分爲α個所成的照射區域 Sl，S2，S3，../ SN(N=a2)。照射區域Si(i=l〜Ν)之位置係設定 於若假設圖6之母圖案36經由圖4之投影光學系統3而縮 小投影之情形下之第i個母圖案Pi之縮小像PIi的位置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，進行1片之基板4的曝光之際，不管主光柵Ri之 交換與否，基板4係於以3支之銷所構成之試料台5之上 未吸附或受到微吸附，於曝光時，以避免基板4之位偏的 方式讓基板平台6以超低加速度、超低速度來移動。從而 ，由於在1片之基板4之曝光中，基準標記13A，13B與基 板4之位置關係並未變化，故於主光柵Ri之交換時’只要 讓主光柵Ri相對於基準標記13A，13B進行對位即可’而 42 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明U\ ) 無須檢測出基板4上之對準標記24A，24B之位置。 以上係就主光柵Ri與基板4之對位的情形加以說明， 另外有關主光柵Ri與濃度濾光片之相對的對位也是依據量 測標記124A，124B，124C，124D、狹縫標記125之位置資訊 的結果來進行。就此情形而言，有時會因爲基板平台6之 特性上、搖動(yawing)誤差等之誤差造成基板4發生些許 的旋轉，是以於主光柵Ri與基板4之相對姿勢上出現微小 的偏差。此種誤差可事先量測、或是於實際處理中來量測 ，而藉由控制光柵平台2或是基板平台6，來統合主光柵 Ri與基板4之姿勢進行修正，以抵銷該等誤差。 經由上述之處理後，主控制系統9會讓母圖案Pi之縮 小像投影曝光於基板4上之照射區域Si。於圖4中，在基 板4之圖案區域25內已經曝光過之母圖案的縮小像係以實 線來表示，未曝光之縮小像係以虛線來表示。 如此般，藉由讓圖1之N個之主光柵R1〜RN之母圖 案P1〜PN的縮小像依序曝光於基板4上之對應的照射區域 S1〜SN，各母圖案P1〜PN的縮小像可一邊分別與鄰接之母 圖案的縮小像做畫面接合一邊進行曝光。藉此，圖1之母 圖案36以l/α倍縮小之投影像26會曝光轉印至基板4上 。之後，對於基板4上之光阻劑進行顯像，接著進行蝕刻 、以及將殘餘之光阻圖案加以剝離，使得基板4上之投影 像26成爲圖6所示之原版圖案27，從而完成了工作光柵 34 ° 另一方面，如上述般進行濃度濾光片Fj、主光柵Rj、 43 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裝--- C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} «. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（β) 以及基板4之對位後一邊進行畫面接合一邊曝光之時’係 事先量測重合部附近之曝光量分布，而採用一設計成使得 該重合部之曝光量與該重合部以外之部分的曝光量相等之 濃度濾光片來進行曝光。若採用相關之濃度濾光片巧’ 一 邊進行畫面接合一邊進行曝光，則曝光量分布應成爲圖 8A，圖8B所示之情形。 圖8A〜圖8D所示係重合部與重合部以外之部分的曝 光量分布之一例之圖。於圖8A中，符號E1，E2，E3係表示 於不同之照射區域的曝光用光之分布。曝光用光E1係設 定成於區間p2、曝光用光E2係設定成於區間P2以及P3 、曝光用光E3係設定成於區間P4緩緩地減少曝光量。此 種曝光用光E1〜E3的分布係藉由前述之濃度濾光片Fj來設 定。又，曝光用光E1，E2，E3係設定成，曝光用光E1與曝 光用光E2重合於區間P2，曝光用光E2與曝光用光E3重 合於區間p4。 依照圖8A所示之分布，按照設計讓曝光用光 E1，E2，E3在區間p2與區間p3重合，則成爲重合部之區間 p2，p4之全曝光量的分布會與成爲重合部以外之部分的區間 pl，p3，p5的全曝光量分布相等，而成爲圖8B所示之分布 ESi。惟，於實際之曝光中，因具備曝光裝置之投影光學系 統內的多重反射，或是基板與投影光學系統之間、基板與 光柵之間、光柵與基板之間的多重反射等而發生光斑。若 受到光斑的影響通常曝光量會增加，而成爲圖8C所示之 曝光用光E11，E12，E13。圖8A所示之曝光用光E1，E2，E3 44 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· 518658 A7 B7 五、發明說明（A) 與圖8C所示之曝光用光E11，E12，E13的關係’係曝光用光 E1，E2，E3受到光斑的影響偏移既定量而成爲曝光用光 E11，E12，E13。此處，若發生光斑，則僅進行1次曝光之區 間pl，p3，p5與進行2次或4次之曝光的區間p2，p4受到光 斑影響的程度會不同。是以，若將受到光斑影響的曝光用 光E11，E12，E13重合，則如圖8D所示，會成爲較其他之部 分受到更多之光斑的影響之重合部的區間P2，p4之曝光量 增加的分布ES2。於本實施形態中，爲了讓該區間p2，p4之 曝光量分布相等於區間pl，p3，p5之曝光量分布，乃調整重 合部之曝光量分布。又，在圖8C、圖8D所示之例子中， 雖舉出因光斑之影響而重合部之曝光量增加的情形來說明 ，惟有時重合部之曝光量會較重合部以外之部分的曝光量 來得少。本實施形態之基本的做法，係爲了避免重合部因 光斑的影響而曝光量增加，乃將重合部之曝光量設定成小 於設計値(圖8A所示之曝光用光E1，E2，E3之分布)，結果 可使得重合部之曝光量與重合部以外之部分的曝光量相等 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下，在本實施形態中，係就調整重合部之曝光量分 布的方法來說明，此調整方法可適用於一般之一邊進行畫 面接合一邊進行曝光的情形。在調整曝光量分布之前先求 出曝光量之自適切曝光量所偏差之量以及形成於基板4上 之線寬誤差的關係。圖9所示係相距於適切曝光量之曝光 量的偏差量與線寬誤差之關係的例子。此處，所謂的適切 曝先里’意指爲了於基板4上形成既定之線寬的圖案所需 45 本紙張尺度適財準（CNS)A4規格（21Q x 297公髮） 518658 A7 B7 五、發明說明（4) 之曝光量。於圖9中，橫軸係取相距於適切曝光量之曝光 量的偏差量，縱軸係取所發生之線寬誤差。又，即使曝光 量相同，仍會因所欲形成之圖案(例如密集圖案與獨立圖案 )的種類而出現誤差，故係依照圖案之形狀來進行量測。 於圖9中，賦予符號F1之直線係表示形成獨立間距 圖案之情形的間距寬度之線寬誤差，賦予符號F2之直線係 表示形成線/間距圖案之情形的線之線寬誤差’賦予符號 F3之直線係表示形成獨立線圖案之情形的線寬之線寬誤差 。於圖9所示之例子中，曝光量多的情形則線圖案之線寬 變窄，相反地間距圖案之線寬變寬。用以表示以此所得之 曝光量之偏差量與線寬誤差的關係的資料係記憶於主控制 系統9所具備的記憶體(未予圖示）中。又，用以表示記憶 於記憶體之曝光量之偏差量與線寬誤差的關係的資料並不 是經常使用在以下所說明之調整曝光量分布之際’而是實 際對於基板Λ 4之照射區域進行畫面接合與曝光後’實際測 量實際所形成之圖案的線寬來考量光斑之影響之際而使用 〇 以下，就調整重合部之曝光量分布的第1方法加以說 明。圖10係表不第1曝光量分布之調整方法的流程圖。又 ，爲便於理解起見’圖10所示之處理’僅表示對於設定在 基板4上之複數的照射區域中之鄰接的兩個照射區域一邊 進行畫面接合一邊曝光之情形的動作。又，於圖10所示之 第1方法中，並未改變濃度濾光片巧、主光柵Ri、以及基 板4的相對位置，而是改變濃度濾光片Fj之衰光部I23的 46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • —----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · #· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（〆） 衰光特性來調整曝光量分布。又，此處所說明之情形，在 濾光片館16a方面，係將具有衰光部123(爲彼此之衰光部 的衰光特性不同之矩形狀之物）之複數的濃度濾光片（具有 圖2A所示之構成的濃度濾光片)Fj事先設定好，而將該等 當中之一者裝塡至濾光片平台FS，並適當地設定光柵遮簾 機構110之4片的遮簾111之位置，將衰光部之4邊當中 之一邊或複數邊予以遮蔽。 一旦曝光處理開始進行，主控制系統9會依據所欲形 成之圖案的種類以及線寬來決定全體之曝光量以獲致所設 定之線寬。此時，對於重合部係例如將第1次所進行之曝 光時的曝光量以及第2次所進行之曝光時的曝光量相同地 分配，來求出理論上之曝光量分布（步驟SA1)。又，爲便 於理解起見，於此第1方法中係就重合部之曝光量分布呈 線性增加或減少的情形來舉例說明，惟亦可爲例如呈2次 函數變化之分布或是非線性變化之分布。 接著，主控制系統9獲得由該處理所求出之重合部的 曝光量分布，乃對於滑動裝置18a輸出一自濾光片館16a 搬出該濃度濾光片Fj的控制訊號，而將該濃度濾光片Fj 搬送至濾光片平台FS上（步驟SA2)。裝塡至濾光片平台 FS的濃度濾光片Fj係利用例如前述之檢測裝置(未予圖示) 或是照度分布檢測感測器126(以下僅稱爲照度分布檢測感 測器126)，來檢測該濃度濾光片Fj之標記124A〜124D或 是狹縫標記125，依據該量測結果來相對於主光柵Ri進行 對準。 47 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言

I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（A ) 一旦濃度濾光片Fj之搬送結束，主控制系統9會透過 平台控制系統10來驅動基板平台6，將照度分布檢測感測 器126移動到投影光學系統3之投射位置附近。當照度分 布檢測感測器126之移動結束，主控制系統9會控制光柵 遮簾機構110以及光源1〇〇，開始對於試料台5上照射曝 光用光IL。在曝光用光IL照射於試料台5上的狀態下， 主控制系統9會透過平台控制系統10來驅動基板平台6， 藉由照度分布檢測感測器126來量測照射於試料台5上之 曝光用光IL的空間分布(步驟SA3)。 一旦曝光用光IL之空間分布的量測結束，主控制系統 9會依據步驟SA3之處理所得到之空間分布的量測結果， 進行將步驟SA1所設定之理論上曝光量分布加以修正之處 理（步驟SA4)。此處理係爲了減少於實際之曝光時所發生 之光斑的影響、尤其是進行複數次之曝光的重合部之光斑 的影響所進行之處理。亦即，在步驟SA3中係量測包含光 斑之實際的曝光用光之分布，在步驟SA4中，即使包含光 斑，仍修正理論上所設定之曝光量分布，使得重合部之曝 光量成爲步驟SA1所設定之分布。又，修正後之曝光量分 布係定爲既定之第1分布。 接著，主控制系統9獲得由步驟SA4所修正之曝光量 分布，乃將自濾光片館16a搬出濃度濾光片Fj的控制訊號 輸出至滑動裝置18a，將該濃度濾光片Fj搬送至濾光片平 台FS上(步驟SA5)。裝塡至濾光片平台FS的濃度濾光片 Fj係利用照度分布檢測感測器126，來檢測該濃度濾光片 48 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公董Υ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（β)

Fj之標記124A〜124D或是狹縫標記125，依據該量測結果 來相對於主光柵Ri進行對準。 -------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一旦濃度濾光片Fj之搬送結束，主控制系統9會透過 平台控制系統1〇來驅動基板平台6，讓曝光對象之照射區 域相對於投影光學系統3之投射位置進行對位。之後，依 據曝光之照射區域的重合部之位置，驅動光柵遮簾機構 110之4片遮簾111當中對應之物，將對應於該重合部之 衰光部以外的哀光部予以遮蔽。例如，只要載置於光柵平 台2上之光柵Ri形成有圖6所示之母圖案P1，即可驅動 對應之遮簾Π1來遮蔽衰光部123之4邊當中的下邊與右 邊。其次，主控制系統9會控制光源1〇〇，開始進行曝光 用光IL之照射，對於基板4之已定位之照射區域進行曝光 (步驟SA6)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 就上述處理之曝光量而言，即使發生光斑之情形，仍 與步驟SAl·所求出之理論上之曝光量分布呈大致相同之曝 光量分布。一旦該照射區域之曝光結束，主控制系統9會 控制光柵遮簾機構以及光源100，停止曝光用光IL之 照射，而成爲曝光用光IL無法到達基板4上之狀態後，透 過平台控制系統10來驅動基板平台6，使得照度分布檢測 感測器126移動至投影光學系統3之投射位置附近。 一旦照度分布檢測感測器126之移動結束，主控制系 統9會控制光源100，對試料台5上照射曝光用光IL。在 曝光用光IL照射於試料台5上之狀態下，主控制系統9會 透過平台控制系統10來驅動基板平台6，以照度分布檢測 49 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 ------B7 五、發明說明（d) 感測器126來量測照射於試料台5上之曝光用光IL的空間 分布(步驟SA7)。此曝光用光IL之空間分布的量測，係對 於沿著照射區域之4邊當中對應於重合部部分之邊的方向 之以既定之間距來隔開之複數位置（例如4點位置），分別 在與該邊呈直交之方向來實施。於本實施形態中，係使用 在各位置（本例爲4點位置）之量測結果之平均値。當以此 方式結束曝光用光IL之空間分布的量測後，主控制系統9 會再度控制光柵遮簾機構111以及光源100來停止曝光用 光IL之照射，以使曝光用光IL不再曝光於基板4上。 其次，主控制系統9會依據以照度分布檢測感測器 126所得之曝光用光IL之空間分布，進一步求出進行過曝 光之重合部之曝光量與重合部以外之部分的曝光量相等之 曝光量分布(步驟SA8)。又，此分布係成爲第2分布。 接著，主控制系統9獲得由該處理所求出之曝光量分 布，乃對於滑動裝置18a輸出一自濾光片館16a搬出該濃 Λ 度濾光片Fj的控制訊號，而將該濃度濾光片Fj搬送至濾 光片平台FS上(步驟SA9)。又，於步驟SA9之中，當用以 實現必要之分布的濃度濾光片Fj不存在於濾光片館16a內 之情形，乃對應到製造出具有可實現必要分布之衰光部 123的濃度濾光片之製造。 最後，主控制系統9會透過平台控制系統10來驅動基 板平台6，接著對於投影光學系統3之投影區域定位出進 行曝光之照射區域。其次，依據進行曝光之照射區域的重 合部之位置，驅動光柵遮簾機構11〇之4片遮簾111當中 50 I --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 Α7 Β7 五、發明說明（4) 對應之物，將對應於該重合部之衰光部以外之衰光部予以 遮蔽。例如，只要載置於光柵平台2上之光柵Ri形成有圖 6所示之母圖案P2，則驅動對應之遮簾111來遮蔽衰光部 123之4邊當中的右邊。之後，一邊對於步驟SA6之經過 曝光之照射區域進行畫面接合一邊對已定位之照射區域曝 光(步驟SA10)。此處理係依據於步驟SA7所量測之曝光量 ，以設定成重合部之全曝光量相等於重合部以外之部分的 曝光量的分布，來使得已定位之照射區域曝光。是以，由 於重合部之全曝光量相等於重合部以外之部分的曝光量， 結果所形成之圖案中，於重合部所形成之圖案的線寬與於 重合部以外之部分所形成之圖案的線寬會相同。又，於上 述之第1方法的說明中，雖僅就兩個之照射區域的畫面接 合曝光來說明，惟對於至少三個之照射區域的畫面接合曝 光也是同樣的情形。 又，利，用圖10所說明之處理中，係對於最初進行曝光 之照射區域，以步驟SA1來求出重合部之曝光量分布’然 後將濃度濾光片Fj(用以實現由步驟SA1所求出之重合部 之曝光量分布)搬送至濾光片基板FS上(步驟SA2) ’在未 對於基板4曝光之情形下來量測曝光量分布(步驟SA3) ’ 依據此量測結果修正曝光量分布（步驟SA5) ’然後採用濾 光片(用以實現修正後之曝光量分布)來進行基板4之曝光( 步驟 SA6, SA7)。 另一方面，爲了提昇生產量、也就是提昇單位時間所 能處理之基板的片數，處理製程數量以愈少愈好。爲此’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言 Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658

五、發明說明（^) ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可省略成不進行基板4之曝光而僅量測曝光量之分布的處 理。此時，於圖10中之歩驟SA3〜SA5之處理可省略，而 是進行以下之處理。亦即，藉由濃度濾光片Fj(用以實現以 理論方式所設定之曝光量分布）對於最初之照射區域曝光( 步驟SA2，SA6)。此時，以受到光斑之影響的曝光量來曝光 照射區域。其次’量測對於包含光斑之最初的照射區域進 行曝光之際之曝光量分布（步驟SA7)，依據此量測結果進 行一用以求出重合部之曝光量與重合部以外之曝光量相同 之曝光量分布處理（步驟SA8)，利用可實現該分布之濃度 瀘光片讓鄰接之照射區域藉由畫面接合來曝光（步驟 SA9，SA10)。亦即，對於最初之照射區域進行曝光之際係 在受到光斑之影響的狀態下以較實際爲多之曝光量來曝光 ’而對於鄰接於該照射區域的照射區域進行曝光之際，係 考量先前以較多之曝光量進行曝光之程度來求出曝光量之 分布。又，5於上述處理中，在步驟SA1所設定之分布會成 爲理論上設定之第1分布。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於上述之說明中，雖僅使用圖2A所顯示之濃度濾光 片巧，以光柵遮簾機構110之遮簾111來遮蔽衰光部之一 部分’惟亦可依據曝光之照射區域的位置適宜地交換成圖 3A〜圖31所示之濃度濾光片F1〜F9。當交換濃度濾光片Fj 之情形’係以照度分布檢測感測器126來量測濃度濾光片 Fj之標記124A〜124D或是狹縫標記125，依據該量測結果 將濃度濾光片Fj對準於主光柵Ri。 又，如前述般，當步驟SA9中在濾光片館16a內無具 52 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（<\ ) 有所需之衰光特性的濃度濾光片Fj之情形下’可對應來製 造具備衰光部123(具有使得曝光量成爲所需之分布的衰光 特性)之濃度濾光片。於製造濃度濾光片之時，在步驟SA5 之搬送至濾光片平台FS上之濃度濾光片巧乃作爲測試用 濃度濾光片。又，當省略掉圖10之步驟SA3〜步驟SA5之 處理的情形下，在步驟SA2之搬送至濾光片平台FS上之 濃度濾光片Fj乃作爲測試用濃度濾光片。又此時係製造具 備衰光部123(具有依據照度分布檢測感測器126所量測之 曝光量分布的衰光特性)的濃度濾光片。 除了上述之製造方法以外，亦可例如對於測試用之基 板一邊進行實際之畫面接合一邊曝光，然後測定重合部實 際上所多重形成之圖案的線寬，利用顯示出圖9所示之曝 光量的偏差量與線寬誤差的關係之資料與前述測定結果， 求出重合部之曝光量的偏差量以量測出曝光量分布，製造 出具備衰¥部123(具有依據所得之分布的衰光特性)之濃度 濾光片。又，在變化濃度濾光片之衰光特性的時候，可藉 由調整圖2A之遮光部U3所形成之遮光點的密度分布來 進行。 於上述之處理中，在量測曝光量之分布之際係使用照 度分布檢測感測器Π6。該照度分布檢測感測器126具有 圖5A所示之構成，係設定成相對於曝光用光化之遮光板 55的反射率與基板4之反射率相同程度。從而，由於量測 曝光量分布之時的條件係設定成與實際上基板4受到曝光 之條件大致相同，故在將重合部之曝光量與重合部以外之 53 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（< ) 部分的曝光量設定成相等之際是極適宜的。 又，當照度分布檢測感測器126所具備之遮光板55 的反射率無法設定成與基板4之反射率大致相同的情況， 亦先可預估遮光板55之表面的反射率與基板4之反射率的 差異所造成之影響(例如光電感測器56之輸出的不同），事 先記億於主控制系統9所設置之記億體中，修正光電感測 器56之檢測値來求出曝光量分布。 再者，亦可不以照度分布檢測感測器126來量測曝光 量分布，而是一邊進行照射區域之畫面接合一邊進行曝光 ，測定重合部實際多重形成之圖案的線寬，利用顯示出圖 9所示之曝光量的偏差量與線寬誤差之關係的資料以及上 述測定結果，求出重合部之曝光量的偏差量，藉以量測曝 光量分布。此時，作爲實際形成圖案之基板係使用測試用 之基板。 又，作*爲量測實際所形成之圖案線寬之方法，可例如 量測於基板或測試用基板上所塗佈之光阻劑其形成之潛像 來當作線寬，或是量測對光阻劑進行顯像後所形成之圖案 來當作線寬。再者，也可於顯像後實際對於基板或測試用 基板施以蝕刻處理等之各種處理而後量測所形成之圖案來 當作線寬。 在上述之說明中，用以決定最適之濃度濾光片的曝光 量分布的量測(步驟SA7)雖於實際之曝光處理系列（對於基 板一邊進行畫面接合一邊進行曝光之一連串的處理）中進行 ，惟亦可於實施該等實際之曝光處理系列之前，先以同樣 54 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（〇 ) 的條件來量測曝光量分布而特定出最適之濃度濾光片打’ 在實際之曝光處理系列中則不實施曝光量分布之量測’而 是使用事先特定之濃度瀘光片Fj來進行處理。於此種情況 下，當不具備具有最適之衰光特性的濃度濾光片時，亦可 將已進行過曝光量分布之量測的濃度濾光片Fj予以再加工 後，再度裝塡於濾光片平台上，而再次實施曝光量分布之 量測。再度裝塡濃度濾光片Fj時，係使用照度分布檢測感 測器126來量測濃度瀘光片Fj之標記124A〜124D或是狹 縫標記125，依據該量測結果將濃度濾光片Fj對準於主光 柵Ri。 其次，說明對於受到重合之照射區域之週邊部之重合 部的曝光量分布進行調整的第2方法說明之。在前述之第 1方法中，係在未改變濃度濾光片Fj、主光栅Ri、以及基 板4之相對位置的情形下，改變濃度濾光片Fj之衰光部 1U的衰光_性來調整曝光量分布。 相對於此’以下所說明之第2方法，係藉由改變濃度 濾光片Fj、主光柵Ri、以及基板4之相對位置來調整重合 部之曝光量分布。又，在第2方法中，僅就用以進行重合 部之曝光量調整的技術來說明，至於實際之曝光處理系列 ’係與上述第1方法爲相同之方法，故此處省略其說明。 又，在上述之第1方法中，係以重合部與重合部以外之部 分的曝光量一致之情形爲前提來說明，惟當然可使用該第 2方法實施相同之事，此處，係以讓重合部之曝光量相對 於重合部以外之曝光量積極地不同之情形爲前提來說明。 55 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4^^ (21〇 X 297公t )--- •-----------裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 _______ B7 五、發明說明（砷） 當必須讓重合部與重合部以外之部分的曝光量積極地 變化之情形’可舉出如考慮多重曝光所導致之光學特性的 變化，以相當於該變化之大小來增減重合部之曝光量藉以 加以抵銷的情形。在多重曝光造成光學特性之變化的方面 ，有例如塗佈於基板4上之光阻劑本身之光學特性的變化 所導致之情形。亦即，光阻劑有時一旦受到一次曝光則對 於光之通過率、感度等會變化。此時，於照射區域之重合 部中，由於進行著雙重曝光（多重曝光）之故，一旦第一次 之曝光造成光阻劑之特性變化，則實質上等於是重合部之 曝光量變化了相當於該變化之大小。從而，藉由將重合部 之曝光量相對於該重合部以外之部分的曝光量予以增減相 當於該變化之大小，則可將該變化量予以抵銷。 該變化量可從光阻劑之已知的光學特性上以理論的方 式來求出。又，該變化量可實際上對於基板或測試用基板 一邊進行畫A面接合一邊曝光來形成圖案，然後量測該圖案 之線寬等來求出。上述量測圖案之線寬的方法，例如可量 測於基板或測試用基板上所塗佈之光阻劑其形成之潛像來 當作線寬，或是量測對光阻劑進行顯像後所形成之圖案來 當作線寬。再者，也可於顯像後實際對於基板或測試用基 板施以蝕刻處理等之各種處理而後，量測所形成之圖案來 當作線寬。對於重合部之曝光量增減相當於上述所求出之 光學特性的變化大小的曝光量之具體的方法係說明如下。 又，此第2方法不僅是適用於增減相當於多重曝光所造成 之光學特性的變化大小的曝光量之情形，當然也可適用於 56 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言

518658 A7 B7 五、發明說明（<< ) 因其他的理由而必須調整重合部之曝光量的情形。 圖11A〜圖11C、圖12A〜圖12C、圖13A〜圖13C、圖 14A〜圖14C係用以說明第2曝光量分布之調整方法圖。又 ，於該等之圖中，爲了便於理解起見，僅顯示遮簾、濃度 濾光片、以及主光柵。首先，說明圖11A〜圖11C。該圖係 顯示於第1方法中亦適用之濃度濾光片、遮簾以及主光柵 之相對的位置關係之一般例子。 圖11A所示係將第1照射區域曝光時之濃度濾光片與 主光柵之相對位置之圖，圖11B所示係將鄰接於第1照射 區域之第2照射區域曝光時之濃度濾光片與主光柵之相對 位置之圖，圖11C係顯示在圖11A、圖11B所示之狀態下 進行曝光時之曝光後區域中之曝光量分布之圖。 於圖11A〜圖11C中，與圖1所示之構件爲相同構件 者係賦予同樣的符號。亦即，於圖11A、圖11B中，F1，F2 係濃度濾光^片，111A，111B係遮簾，R1，R2係主光柵。又 ，於圖11A、圖11B中，係圖示著以投影光學系統3之光 軸AX爲中心之濃度濾光片F1，F2、遮簾111A，111B、以及 主光柵Ri，R2，爲便於理解起見並未彎曲光軸而以直線的 方式來表示。又，在圖1中，雖沿著光軸而依序配置著遮 簾111A，111B、濃度濾光片Fj、以及主光柵Ri，惟於圖 11A、圖11B中，爲便於理解起見，乃改變了濃度濾光片 F1，F2以及遮簾111Α，111Β的配置順序來予以圖示。又， 關於主光柵R1，R2，爲了特定形成於主光柵之圖案 的位置，乃賦予對應於圖11A〜圖11C所示之位置的號碼 57 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 ______ B7 五、發明說明（4) 。又，在特定圖案位置之時，以下係以圖案「;[」、圖案「 2」寺來表不。 -----------裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，參照圖11A來說明對於第1照射區域進行曝光 時之情形。於圖11A中，射入濃度濾光片；pi之曝光用光 IL在垂直於光軸AX之面內具有均一的曝光量分布，但一 旦射入濃度濾光片F1，由於在衰光部123受到衰光影響， 於通過濃度濾光片F1之後乃成爲賦予符號pfi之曝光量 分布。又，於圖11A〜圖11C中表示曝光量分布之時，係 取平行於光軸AX之方向爲表示曝光量之軸。 通過濃度瀘光片F1之曝光用光係藉由射入遮簾 111A，111B而調整爲既定之形狀。於圖11A所示之例子係 調整成照明於主光栅R1所形成之圖案「1」到圖案「11」 之形狀。一旦通過遮簾111A，111B之曝光用光射入主光柵 R1，會如賦予符號Iml所示般射出反映於各個圖案形狀的 像。又，談像Iml之曝光量分布係成爲賦予符號PF11者 。亦即，通過透光部122之曝光用光雖成一定之曝光量分 布，但通過衰光部123之曝光用光則成爲自圖案「7」到圖 案^Π」之呈直線式衰減的曝光量分布。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，於圖11B中，係顯示對於第2照射區域進行曝光 之情形。如圖11B所示般，通過濃度濾光片F2之後係成 爲賦予符號PF2之曝光量分布。又，於圖11A與圖ΠΒ中 爲了便於理解起見，係顯示曝光量分布PF1與曝光量分布 PF2呈相同分布之情形。 對於第2照射區域進行曝光時之遮簾111A，111B之位 58 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（<Ί ) 置與對於第1照射區域進行曝光時之遮簾πια,ιιιβ之位 置係配置在不同之位置。亦即，遮簾mA，lllB係將曝光 用光調整成爲照明主光柵R2之圖案「7」到圖案「17」之 形狀。 一旦通過遮簾111A，111B之曝光用光射入主光柵R2 ，會如賦予符號Im2所示般射出反映於各個圖案形狀的像 。又，該像Im2之曝光量分布係成爲賦予符號PF12者。 亦即，通過透光部122之曝光用光雖成一定之曝光量分布 ，但通過衰光部123之曝光用光則成爲自圖案「11」到圖 案「17」之呈直線式衰減的曝光量分布。 圖11A所示之像Iml與圖11B所示之像Im2係以圖 11C所不之位置關係來進彳了畫面接合。亦即，圖案「7」到 圖案「11」之像會重疊，而曝光轉印至重合部(第1重合部 )。以此方式來曝光的話，理論上會如圖11C中賦予符號 PF13般，ή重合部之曝光量與該重合部以外之部分的曝光 量相等。又，於圖11C中，將第1照射區域之曝光位置與 第2照射區域之曝光位置間的距離稱爲步進間距SP1。亦 即，步進間距SP1係對於第1照射區域進行曝光之後移動 到第2照射區域的距離。圖11Α〜圖11C、圖12Α〜圖12C 、圖13Α〜圖13C、以及圖14Α〜圖14C所示的例子，係將 步進間距SP1設定爲21mm(亦即21000/zm)。 又，於本實施形態中，所謂的「重合部」係基板4上 之照射區域的周邊部重疊的部分(第1重合部）、在基板4 上之濃度濾光片Fj的衰光部123的像重疊的部分(第2重 59 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 J^T. 518658 A7 B7 五、發明說明) 合部）、或是於基板4上之主光柵之圖案像重疊的部分，由 於在以上的說明中’彼此爲一致之情形，故並未特別加以 區別。但是在以下的說明中’有時彼此並非一致，故單以 「重合部」來表示之時主要是表示在基板4上之照射區域 的周邊部重疊的部分’爲了加以區別，有時將在基板4上 之濃度濾光片Fj的衰光部^3的像重疊的部分稱爲「衰光 像重合部」，將於基板4上之主光柵之圖案像重疊的部分 稱爲「圖案像重合部」。 其次，參照圖12A〜圖12C、圖13A〜圖13C、以及圖 14A〜圖14C來說明第2曝光量分布之調整方法。以下所說 明之第2方法’係藉由變化濃度濾光片所規定之能束的分 布與待轉印之圖案的相對位置，來調整在照射區域之週邊 部有重疊之重合部的曝光量。更具體地說，係變化濃度濾 光片與主光柵之相對位置，來變化衰光像重合部之寬度， 藉此，來調5整重合部之曝光量。在以下的說明中，係舉出 重合部與哀光像重合部的寬度爲lmm(亦即1000 // m)的例 子來說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •-------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時，應留意若衰光像重合部之寬度變化10//m意味 著曝光量以1%的比例來變化。亦即，100% / 1000 //m = 1% /10/zm。又，以圖12A〜圖12C、圖13A〜圖13C、以及 圖14A〜圖14C說明之中，係移動著主光柵R1，R2，惟此時 應注意基板4亦配合著主光柵R1，R2之移動而移動這點。 此時基板4的移動量係主光柵R1，R2的移動量之1/沒倍（冷 係投影光學系統4之縮小率）。 60 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） '' 518658 A7 B7 五、發明說明（)1) 圖12A〜圖12C所示係減少衰光像重合部之寬度來減 少重合部之曝光量的情形下之濃度濾光片、遮簾、以及主 光栅之相對的位置關係之例子的圖。又，爲便於說明起見 ’以下係說明未改變濃度濾光片F1，F2之位置，而改以變 化遮簾111A，111B以及主光柵R1，R2的位置來改變濃度濾 光片F1，F2與主光柵R1，R2之相對位置的情形，惟亦可不 移動主光柵R1，R2而改變濃度濾光片F1，F2之位置來改變 相對位置。 在此情況下，愈減少重合部之曝光量1%時，僅需將 衰光像重合部之寬度縮減l〇/zm即可。是以，於基板4上 進行第2照射區域之曝光之際，係讓基板4自第1照射區 域之曝光位置步進21000// m+10/z m=21010// m。 又，由圖11A與圖12A之比對可知，係將遮簾111A 與主光柵R1往圖12A中之D1方向移動相當於在主光柵 R1形成之ί圖案程度。是以，主光柵R1之圖案「1」會移 動到圖11Α所示之主光柵R1的圖案「2」的位置。在此情 況下，由於考慮的是將重合部的寬度縮減10//m的情形， 故主光柵R1之移動量換算到基板4上即成爲5//m。亦即 ，若定投影光學系統3之縮小率爲^，則重合部往既定之 方向、亦即圖12A中之D1方向移動5 ·沒即可。於 圖12A中，藉由僅移動遮簾111A，則相對於主光柵R1之 照射區域也會較圖11A之情形來得窄。如圖12A所示，在 此種情形下係形成圖案「1」〜圖案「1〇」之像Im3。 對於第1照射區域曝光之後，如前述般移動基板 61 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------ί裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . m 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（b ) 421010//m，讓第2照射區域對位於曝光位置。又，遮簾 111B與主光柵R2係相對於圖11B所示之位置使得重合部 往既定之方向、亦即圖12B中之D2方向移動5 · /3 // m。 如圖12B所示，在此種情形下係形成圖案「8」〜圖案「17 」之像Im4。 圖12A所示之像Im3與圖12B所示之像Im4係以圖 12C所不之位置關係進行畫面接合。亦即，自圖案「8」到 圖案「1〇」的像係於重合部曝光。亦即，將基板4之步進 間距 SP1 定爲 SPl+SP2=2100〇em +l〇Am=2101〇//m，讓 主光柵R1，R2相較於圖11A〜圖11C所示之情形分別往D1 方向與D2方向移動後進行曝光，如此，則重合部之曝光 量會減少。如圖12C所示，重合部之曝光量分布係成爲分 布 PF23 〇 圖13A〜圖13C所示係增加衰光像重合部之寬度來增 加重合部之^曝光量的情形下之濃度濾光片、遮簾、以及主 光柵之相對的位置關係之例子的圖。又，與圖12A〜圖12C 之情形相同，亦可不移動主光柵R1，R2而改變濃度濾光片 F1，F2之位置來改變相對位置。 在此情況下，愈增加重合部之曝光量1%時，僅需將 重合部之寬度增加10//m即可。是以，於基板4上進行第 2照射區域之曝光之際，係讓基板4自第1照射區域之曝 光位置步進 21000 // m-10 /z m=20990 // m。 又，如圖13A所示，將遮簾111A與遮簾111B以及 主光柵R1往圖中之D3方向移動相當於形成在主光柵R1 62 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 B7 五、發明說明（W ) 之1圖案程度、亦即移動5 · /3 " m。在圖13A中，由於 遮簾111A與遮簾U1B移動著，故相對於主光柵R1之照 射區域與圖11A之情形相同。如圖ΠΑ所示，此時係形成 圖案「1」〜圖案「11」之像Im5。 對於第1照射區域曝光之後，如前述般將基板4移動 20990/zm，讓第2照射區域對位於曝光位置。又，將遮簾 111A，111B與主光柵R2自圖11B所示之位置往沒有重合 部之方向、亦即圖13B中之D4方向移動5·沒//m。如圖 13B所示，在此情況下係形成圖案「7」〜圖案「17」的像 Im6 〇 該等之像Im5與Im6分別與圖11A〜圖11C所示之像 Iml與Im2爲相同之像，不過在曝光量分布以及於基板4 上之成像位置不同。例如，若比較圖13A中之像Im5與圖 11A中之像Iml，像Iml係自圖案「1」的像到圖案「6」 的像呈一定之曝光量分布，而像Im5則是自圖案「1」的 像到圖案「7」的像呈一定之曝光量分布，呈一定之曝光量 分布的部分相較於像Iml多出了 1圖案長度。 又，像Iml係自圖案「7」的像到圖案「11」的像呈 線性般衰減之曝光量分布，在圖案「11」之像的端部，曝 光量係緩緩地變成〇 ;相對於此，像Im5係自圖案「8」的 像到圖案「11」的像呈線性般衰減，具有此分布之區間的 像較像Iml少了 1圖案長度。而且，在圖案「11」之像的 端部，曝光量係由一特定値急驟地變成〇，此點亦與像 Iml不同。 63 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（吖） 圖13A所示之像Im5與圖13B所示之像lm6係以圖 13 C所示之位置關係進彳了畫面接合。亦即，自圖案「7」到 圖案「11」的像係於重合部曝光。亦即，將基板4之步進 間距 SP1 定爲 SPl-SP3=21000 //m -l〇vm=20990/zm，讓 主光柵R1，R2相較於圖11A〜圖11C所示之情形分別往D3 方向與D4方向移動後進行曝光，藉此，重合部之曝光量 會增加。 於圖13C中，由於像Im5之分布PF31與像Im6之分 布PF32之重合部之曝光量增加，故重合部之分布乃成爲 分布PF33。 又，如圖13A與圖13B所示般，之所以藉由遮簾 111A，111B來將濃度濾光片F1，F2之衰光部123的一部分 予以遮光，是因爲在光罩之對應部分不存在著圖案。其結 果，在圖13C中，雖見到衰光像重合部之寬度沒有變化， 但在無遮簾、11A，111B等之遮光物的情形下’衰光像重合 部之寬度係呈現變化（放大）。於本說明書中所謂的「變化 衰光像重合部（第2重合部）之寬度」即是此意思’而和存 在於曝光用光之光路中的遮光物（遮簾、光罩之遮光帶等) 的有無並無關係。 以圖13A〜圖13C所示之方法來增加重合部之曝光量 之時，如圖13A所示，圖案「11」之端部的曝光量分布 PF31呈急驟的變化，且如圖13B所示，圖案「7」之端部 的曝光量分布PF33呈急驟的變化。當出現急驟的變化之 情形下，形成於該部分的圖案之線寬也可能會急驟的變化 64 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 518658 A7 B7 五、發明說明（β) 。以下，說明解決此問題之方法。 圖14A〜圖14C所示係增加衰光像重合部之寬度來增 加重合部之曝光量的情形下之濃度濾光片 '遮簾、以及主 光柵之相對的位置關係之變形例的圖。又，與圖12A〜圖 12C以及圖13A〜圖13C之情形相同，亦可不移動主光柵 R1，R2而改變濃度濾光片F1，F2之位置來改變相對位置。 於圖13A中雖同時移動遮簾111 A與遮簾111B，但與 此不同的是，在圖14A僅將遮簾Π1Α往圖中D3方向移動 。由於未移動遮簾Π1Β，可得到一在圖13A所無法得到 之包含圖案「12」的像所成之像Im7。於此情形下，可獲 得在圖案「12」之端部緩緩地變成0之曝光量分布PF41。 又，於圖13B中雖同時移動遮簾111A與遮簾111B，但與 此不同的是，在圖14B僅將遮簾111B往圖中D4方向移動 。由於未移動遮簾Π1Α，可得到一在圖13B所無法得到 之包含圖案Α「6」的像所成之像Im8，從而可獲得在圖案「 6」之端部緩緩地變成〇之曝光量分布PF42。 圖14A所示之像Im7與圖14B所示之像Im8係以圖 14C所示之位置關係進行畫面接合。亦即，自圖案「6」到 圖案「12」之像係於重合部曝光。亦即，雖基板4之步進 間距SP1與圖13A〜圖13C之情形同樣爲SP1-SP3，而主光 柵R1，R2之移動量也與圖13A〜圖13C之情形同樣，但描 繪於主光柵R1，R2之圖案則是往具有重合部之方向延長、 擴張，於圖14A中並未移動遮簾iiiB、於圖14B中並未 移動遮簾Π1Α ’藉此，來擴展重合部之寬度。此時，重合 65 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2忉x 297公釐） ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： %· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（阱） 部之曝光量的分布會成爲分布PF4，相較於圖14C之曝光 量分布PF33變化較爲平緩，乃可抑制線寬之急驟的變化 〇 又，雖可僅以上述所說明之第2方法來調整重合部之 曝光量，惟亦可採用以上述第1方法所最適化之濃度濾光 片，進一步以該第2方法來調整重合部之曝光量。又’在 圖11A〜圖11C、圖12A〜圖12C、圖13A〜圖13C、圖 14A〜圖14C中，爲便於理解起見係說明進行兩個照射區域 之畫面接合之際的曝光量的調整情形，惟本發明亦可適用 於進行至少三個照射區域之畫面接合的情形、進行二維之 畫面接合的情形。又，進行二維畫面接合之時，預先求出 一維畫面接合部與二維畫面接合部之最適曝光量補充値’ 以該最適補充値之平均値、或是以對於一維或二維畫面接 合部之一者予以加權之平均値來修正爲佳。 又，#以上說明之第2方法中，係變化濃度濾光片 F1，F2、遮簾111A，111B '以及主光栅R1，R2之相對位置來 調整重合部之曝光量，惟此種做法不過是讓濃度濾光片所 形成之具有特定分布的曝光用光對於光柵做相對移動，來 調整曝光量之技術思想具體化的一例。是以，在將此技術 思想加以具體化方面，亦可不變化濃度濾光片F1，F2、遮 簾111A，111B、以及主光柵R1，R2之相對位置，而是改變 由濃度濾光片F1，F2到主光柵R1，R2之光學系統的光學特 性(例如倍率)來實現。此時，係藉由改變圖1中之配置在 濃度濾光片Fj與主光柵R1之間的聚光透鏡113、成像用 66 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂._ % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（β) 透鏡系統114、以及主聚光透鏡系統116所構成之合成系 統的倍率，來變化由遮簾機構11〇所調整過之曝光用光的 大小。此時，可讓通過濃度濾光片Fj所得之具有梯度分布 之曝光用光對於主光柵Rj進行相對移動，其結果，可得到 與令濃度濾光片Fj對於主光柵Ri進行相對移動之時爲同 樣的效果。又，在第2方法中，自收容於濾光片館16a之 濃度濾光片中選出衰光特性高出1%或低1%之濃度濾光片 來使用，也可調整重合部之曝光量。 又，除了調整接合部之曝光量來提昇接合部之線寬精 度，亦可使用低感度光阻劑以及減低照明功率’來延長曝 光時間、減少曝光中之平台振動的影響，來提昇接合部線 寬精度。 另外，於本實施形態中，雖舉出使用濃度濾光片Fj作 爲衰光手段之例子來說明，但在上述第2方法中，亦可使 用例如濃度>慮光片以外之衰光手段。例如，可藉由圖15所 示之遮簾機構BL來達成與濃度濾光片同樣的機能。圖15 所示係形成梯度分布之設定裝置的另一例之圖。 該遮簾機構BL基本上具有與圖1所示之光柵遮簾機 構110同樣的構成，具備4片之可動式遮簾127A〜127D及 其驅動機構（未予圖示）。藉由將該等4片之遮簾 127A〜127D分別設定於適當之位置，則利用各遮簾 127A〜127D之前端緣128A〜128D，可在投影光學系統3之 視野內的大致中央形成矩形狀之照明視野區域。 此照明視野區域基本上係設定成對應於照射區域的大 67 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) "" -------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 518658 A7 B7 五、發明說明（α) 小。於曝光中，藉由讓該等之4片的遮簾127A〜127D當中 的一者或複數以相對於照明光之光路進入或退出的方式在 既定之速度下連續地移動，可呈梯度地設定遮簾 127A〜127D之前端緣128A〜128D所移動經過之區域的通 過光量。 藉由讓遮簾127A〜127D之對應於各照射區域的畫面接 合部之部分進行全體或選擇性的移動，可使得該畫面接合 部之曝光量隨著往外側移動而呈梯度般地減少，藉此，可 實現與濃度濾光片爲同樣的機能。此衰光用遮簾機構BL 在需要各遮簾127A〜127D之驅動機構的方面雖對於濃度濾 光片而言構成略爲複雜化，但在不需如濃度濾光片般依據 照射區域而準備複數之物、無須置換，能以單一之機構來 靈活地對應的方面則有其優點所在。 又，在上述之實施形態中，雖就一利用複數之主光柵 Ri，對於閘fe 4上一邊依序進行圖案之畫面接合一邊轉印 的光柵曝光裝置來說明，惟利用以此方式所製造、或是其 他方法所製造之複數的工作光罩，對於元件基板上一邊依 序進行圖案之畫面接合一邊轉印的這種元件曝光裝置(例如 液晶顯示元件製造用之曝光裝置)亦可同樣地適用。 又，於上述實施形態之投影曝光裝置，雖爲一種對於 各照射區域依序反覆進行一次式曝光的一次式曝光型裝置 ，惟亦可使用對於各照射區域依序反覆進行掃描曝光之掃 描曝光型裝置。此時，若採用濃度濾光片作爲衰光手段時 ，雖能與上述一次式曝光型之曝光裝置同樣’在不受到上 68 本紙張尺度適用中國國^標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • ^^1 --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 518658 A7 B7 五、發明說明（b]) 下左右的限制下進行畫面接合，惟若採用遮簾機構作爲設 定裝置時，在遮簾的姿勢上需要做特別的設定。例如，在 直交於掃描方向的方向進行畫面接合之時，係讓4片之遮 簾當中直交於掃描方向的方向上呈對向的一對遮簾的前端 部之姿勢對於掃描方向呈傾斜之狀態來進行掃描曝光。 再者，於前述之實施形態中，雖利用具有微小開口 54 之照度分布檢測感測器126來檢測曝光用光IL之強度分布 ，惟亦可使用例如線感器(line sensor)或是一維、二維之 CCD等來檢測曝光用光IL，謀求強度分布之量測時間的縮 短。又，在前述之實施形態中，雖於照明光學系統內設置 濃度濾光片Fj，惟亦可例如近接配置於光柵，或是投影光 學系統3在形成光柵圖案之中間像(一次像)之時配置於該 中間像之形成面或其附近。又，若使用組積分器（內面反射 型積分器)來作爲光學積分器106之時，亦可例如在與光柵 之圖案形成面呈共軛配置之組積分器的射出面，近接配置 濃度瀘光片。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -----------.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，於前述之實施形態中，對於基板上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別以曝光用光IL進行曝光之時， 可提升在各區域內乃至該複數之區域的全面之圖案(轉印像 )線寬等的均一性或控制精度，惟本發明未必要達成此目的 ，亦可僅提昇在各區域內乃至該複數之區域的全面之曝光 量的控制精度。亦即，可僅讓各區域內或複數之區域的全 面的曝光量分布均一化，或是讓各區域內或複數之區域的 各點之曝光量大致一致於個別所對應之目標値(適正曝光量 69 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱Γ 518658 A7 B7 五、發明說明（α) )。又，例如由於在基板上之光阻劑的塗佈不均等，造成即 使是同一之基板仍會因位置的不同而有不同的適正曝光量 ，而必須隨著基板上的位置來改變曝光量。是以，即使如 前述之實施形態對於基板上之週邊部有部分重疊的複數之 區域分別以能束來進行曝光之步進•縫合方式，當隨著基 板上之位置適正曝光量不同的情形，亦可將該複數之區域 的曝光量做部分的改變，使得該複數之區域的各點之曝光 量大致一致於分別所對應之適正曝光量。此時，可在一個 區域內讓曝光量有部分的不同、或是在每個區域使得曝光 量不同。 又，在上述之實施形態中，雖照射區域之形狀爲矩形 狀，惟本發明未必爲矩形狀，亦可爲例如5角形、6角形 、其他之多角形。又，各照射區域未必要爲同一形狀，亦 可呈現不同之形狀、大小。再者，進行畫面接合之部分的 形狀，未#要爲長方形，尙可爲鋸齒帶狀、蛇行帶狀、其 他形狀。又，在本說明書中所謂的「畫面接合」，並非僅 指將圖案彼此加以接合，尙包含以既定之位置關係來配置 圖案與圖案之槪念。 亦可將形成於工作光柵34之元件圖案經放大所得之元 件圖案分成一個個要素圖案，例如分成密集圖案與獨立圖 案來形成主光柵，而省略掉在基板4上之母圖案彼此之接 合部，或是做部分之刪減。此時，依據工作光柵之元件圖 案，可將1片之主光柵的母圖案分別轉印到複數之區域上 ，是以可減少在工作光柵之製造上所使用之主光柵的片數 70 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 518658 A7 B7 五、發明說明（q) 。又，亦可將上述放大之圖案以機能區塊單位來區分’例 如將CPU、DRAM、SRAM、A/D轉換器、D/A轉換器分別 定爲1單位，讓至少1個機能區塊分別形成於複數之主光 柵中。 於上述之實施形態中，作爲曝光用照明光係使用波長 爲193nm之ArF準分子雷射光，惟尙可使用例如g線、i 線以及KrF準分子雷射等之遠紫外(DUV)光，以及F2雷射( 波長157nm)、Ar2雷射(波長126nm)等之真空紫外(VUV)光 。以？2雷射爲光源之曝光裝置，例如採用反射折射光學系 統作爲投影光學系統，且在照明光學系統、投影光學系統 中所使用之折射光學構件（透鏡元件）全部都是螢石，且雷 射光源、照明光學系統、以及投影光學系統內之空氣係以 例如氨氣所置換，又在照明光學系統與投影光學系統之間 、以及投影光學系統與基板之間亦以氨氣來塡充。 又，使>用F2雷射之曝光裝置，其光柵、濃度濾光片係 使用由螢石、摻雜有氟之合成石英、氟化鎂、LiF、LaF3、 鋰•鈣•鋁·氟化物(raikafii結晶)或水晶等所製造者。 又，除了準分子雷射以外，尙可使用例如具有波長 248nm、193nm、157nm中任一者之振盪光譜的YAG雷射 等之固體雷射的高諧次波。 又，尙可使用將DFB半導體雷射或光纖雷射所振盪之 紅外區或可見光曲之單一波長雷射，以摻雜有例如餌(或餌 與鏡之兩者)的光纖放大器來放大，然後以非線性光學結晶 進行紫外光之波長轉換所得之高諧次波。 71 本紐尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) --- ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .. 518658 A7 B7 五、發明說明（) 例如’若將單一波長雷射之振盪波長定在 m之範圍內，則可輸出生成波長在189〜199nm之範圍內的 8倍高諧次波 '或是生成波長在之範圍內的10 被高諧次波。尤其是將振盪波長定在1.544〜1.553 /zm之範 圍內’則可得到在193〜194nm之範圍內的8倍高諧次波、 亦即與ArF準分子雷射爲大致同一波長的紫外光，若將振 盪波長定在1.57〜1.58 /zm之範圍內，則可得到在 157〜158nm之範圍內的1〇倍高諧次波、亦即與F2雷射爲 大致同一波長的紫外光。 又，若將振盪波長定在1.03〜之範圍內，則可 輸出生成波長在147〜160nm之範圍內的7倍高諧次波，尤 其是將振盪波長定在1.09〜1.106/zm之範圍內，則可得到 生成波長在157〜158nm之範圍內的7倍高諧次波、亦即與 F2雷射爲大致同一波長的紫外光。又，作爲單一波長振動 雷射，係使>用摻雜有鏡之光纖雷射。又，亦可使用雷射等 離子體光源、或是自SOR所產生之弱X射線區域之例如波 長 13.4nm、或是 11.5nm 之 EUV(ExtremeUltraViolet)光。 投影光學系統不僅是縮小系統，亦可使用等備系統、 或是放大系統(例如液晶顯示器或等離子體顯示器製造用曝 光裝置等）。再者，投影光學系統可使用反射光學系統、折 射光學系統、以及反射折射光學系統之任一種。 再者，本發明不僅是可適用於光罩或半導體元件之製 造上所使用之曝光裝置方面，尙可適用於：將元件圖案轉 印至玻璃板上之曝光裝置、於薄膜磁頭之製造時所使用之 72 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） ^^1 --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 B7 五、發明說明（w) 將元件圖案轉印至陶瓷晶圓上之曝光裝置、於攝像元件 (CCD等）、微機械、以及DNA晶片等之製造時所使用之曝 光裝置等方面。又，本發明所適用之曝光裝置，只要可採 用一對於基板上之週邊部有部分重疊之複數的區域分別以 能束來曝光之步進·縫合方式即可，又可與步進•反覆方 式或步進•掃描方式做切換。亦即，就步進•縫合方式而 言，可將濃度瀘光片配置於曝光用光之光路中，而除此以 外的方式是將濃度濾光片退離光路外，或是進一步在光路 中配置不同於遮簾Π1之視野光闌，來實行基板之曝光。 此時，可與用以保持基板之保持台之交換一同來實行。藉 此，可將光柵製造中所使用之曝光裝置當作元件製造用之 物來使用。 在光罩（工作光柵）之製造以外所使用之曝光裝置，係 將轉印有元件圖案之受曝光基板（元件基板）以真空吸附或 靜電吸附等的方式保持在基板平台6上。另一方面，由於 使用EUV光之曝光裝置係使用反射型光罩，而近接方式之 X射線曝光裝置或是電子束曝光裝置等則是使用通過型光 罩(模板(stencil)光罩、薄膜光罩），故作爲光罩之原版係採 用矽晶圓等。 將複數之透鏡所構成之照明光學系統、投影光學系，統 組裝入曝光裝置本體進fr光學調整，同時將多數的機械元 件所構成之光柵平台、基板平台組裝入曝光裝置本體，連 接配線、配管，進一步進行總體調整(電氣調整、動作確認 等）’藉此，可製造本貫施形態之曝光裝置。又，曝光裝置 73 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： 518658 A7 ^____B7 五、發明說明（γ) 之製造在對於溫度與淸淨度等加以管理之無塵室內進行爲 佳。 半導體元件，係經由以下之步驟所製造者。亦即，用 以進行元件之機能•性能設計的步驟；依據該設計步驟， 藉上述之實施形態的曝光裝置來製造工作光柵之步驟；由 矽材料製造出晶圓之步驟；藉上述之實施形態的曝光裝置 等將光柵之圖案轉印到晶圓上之步驟；元件組裝步驟(包含 切割製程、接合製程、封裝製程），檢查步驟等。 又，本發明並不僅限於上述之各實施形態，亦可在本 發明之範圍內作各種的改變，此是毋庸贅述的。 依據本發明，由於將重疊之複數的區域加以曝光之際 ，係以具有第1分布之能量對感應物體進行曝光，且量測 曝光時之週邊部的曝光量分布，而依據實際量測所得之曝 光量分布來決定讓週邊部之曝光量達目標値之第2分布， 故在重合^以及重合部以外之部分轉印線寬、間距相等之 圖案之情形，即使曝光時有光斑等之影響，仍可讓重合部 與重合部以外之部分的曝光量相同。是以，可讓形成於重 合部之圖案的線寬與重合部以外之部分所形成之圖案的線 寬維持相同，於是可高精度地形成微細的圖案，此爲所具 之效果。亦即，對於基板上之週邊部有部分重疊的複數的 區域分別以能束來曝光時，可提升各區域內或該複數之區 域的全面的圖案（轉印像）的線寬等之均一性或控制精度。 再者，除了此效果以外，亦具有可僅提昇各區域內或該複 數之區域的全面的曝光量之控制精度的效果。 74 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 _ B7 五、發明說明（吶) 又，依據本發明，由於在量測能量大小或其累積値之 分布之際，係去除遮光板之反射所造成之影響，以接近於 實際之感應基板受到曝光之狀態來量測能量大小或其累積 値之分布，或是在計算曝光量分布之時考慮反射率的差異 而進行了修正，所以例如當重合部與重合部以外之部分的 適正曝光量相同時，能以更高之精度使得重合部之曝光量 與重合部以外之曝光量相同，此爲其效果所在。亦即，對 於基板上之週邊部有部分重疊的複數之區域分別以能束來 曝光之時，可在各區域乃至該複數之區域的全面達成曝光 量之均一化，或是可讓各區域或該複數之區域之曝光量分 別與對應之目標値大致一致。 又，依據本發明，具有僅藉由讓濃度濾光片相對於光 罩變更位置、或是僅變更光學系統之倍率，即可輕易地調 整重合部之曝光量的效果。又，由於僅變更濃度濾光片之 位置，故在^處理上不需花時間，其結果可提升生產率，此 爲所能獲致之效果。 本揭示係與2000年2月29日所提出之日本專利申請 第2000- 054962號所包含之主體相關，其所揭示的一切很 淸楚地作爲之參照事項而記載於本發明之說明書中。 [符號說明] 1 照明光學系統 2 光柵平台 3 投影光學系統 4 基板 75 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518658 A7 _B7 五、發明說明（,） 經濟部智慧財產局員X-消費合阼f£印製 5 試料台 6 基板平台 7 基座 8 雷射干涉儀 8m 移動鏡 9 主控制系統 10 平台控制系統 11 記憶裝置 12 基準標記構件 13A，13B 基準標記 14A，14B 對準感測器 15 對準訊號處理系統 16 館 16a 濾光片館 16b J 光柵館 17a，17b 支撐板 18a，18b 滑動裝置 19a，19b 承載件 20 圖案區域 21A，21B 對準標記 22A，22B 鏡子 23 對準感測器 24A，24B 對準標記 25 圖案區域 76 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 _B7 五、發明說明（吵） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 投影像. 27 原版圖案 34 工作光柵 35 電路圖案 36 母圖案 48 照射區域 54 開口 55 遮光板 56 光電感測器 57 透明基板 58 鉻 59 薄膜 60 光阻劑 100 光源 a 101 光束匹配單元 102 管路 103 可變衰光器 104,105 透鏡系統 106 複眼透鏡 107 開口光闌 108 分束器 109 積分感測器 110 光柵遮簾機構 111 遮簾(遮光板） 77 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 518658 A7 _ B7 五、發明說明（一） 112〜116 121 122 123

124A 〜124D 125 126

127A 〜127D

128A 〜128D

AX

IL

Ri

W

FS

Fj ^ 光學元件 遮光部 透光部 衰光部 標記 狹縫標記 照度分布檢測感測器 可動式遮簾 前端緣 光軸 曝光用光 士 Λ1Ζ 孤

王尤W 晶圓 濾光片平台 濃度濾光片 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .% 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 78 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 518658 篮 __S____ 六、申請專利範圍 问等程度以上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6·如申請專利範圍第3項之曝光方法，其中，量測前 述曝光量分布之光檢測裝置係於遮光板設置光檢測部所構 成； 依據相當於因前述遮光板之表面的反射率與前述感應 物體之表面的反射率的不同所產生之該光檢測部之檢測値 的差異之値，來修正前述光檢測部之檢測値、求出前述曝 光量分布。 7.如申請專利範圍第3項之曝光方法，其中，量測前 述曝光量分布之光檢測裝置係於遮光板設置光檢測部所構 成； 依據相當於因前述遮光板之大小與前述能束之照射區 域的不同所產生之前述光檢測部之檢測値的差異之値，來 修正前述光檢測部之檢測値、求出前述曝光量分布。 8·如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，前述第 2分布係參照則述週邊邰之因多重曝光造成其光學特性的 改變而決定。 9.如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，前述設 定裝置包含濃度濾光片(具有將前述週邊部之能量規定成前 述第1分布之前述能束的衰減部），依據前述決定之第2分 布來調整前述衰減部之衰減特性，經由前述調整過之濃度 °濾光片以前述能束對於前述複數之區域分別進行曝光。 10·如申請專利範圍第1項之曝光方法，係以前述能束 對感應物體進行多重曝光然後量測前述曝光量分布。 ? 本紙張尺度制中關家鮮(CNS)A4規格(21G x 297公f) -- 518658 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 11.如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，前述設 定裝置包含濃度濾光片（具有可緩緩地減少前述能束之能量 的衰減部），並不依據前述決定之第2分布來改變前述週邊 部重合著之第1重合部的寬度，而是相對於形成有待轉印 之圖案的光罩變更前述濃度濾光片之位置，來變化前述衰 減部的像重合著之第2重合部的寬度，藉以調整該第1重 合部之曝光量。 12·如申請專利範圍第11項之曝光方法，其中，.前述 濃度濾光片之衰減特性係依據前述決定之第2分布來設定 〇 13·如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，前述設 定裝置包含濃度濾光片(具有可緩緩地減少前述能束之能量 的衰減部），並不依據前述決定之第2分布來改變前述週邊 部重合著之第1重合部的寬度，而是變更自前述濃度濾光 片到形成有待轉印之圖案的光罩之光學系統的光學特性’ 來變化前述衰減部的像重合著之第2重合部的寬度，藉以 調整該第1重合部之曝光量。 14. 如申請專利範圍第13項之曝光方法，其中，其中 ，前述濃度濾光片之衰減特性係依據前述決定之第2分布 來設定。 15. —種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 )部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、\έ 線 A8B8C8D8 518658 六、申請專利範圍 係經由前述設定裝置照射前述能束’並將光檢測裝置( 具有光檢測部與遮光板，該光檢測部與遮光板可量測對應 於前述感應物體上之前述週邊部之部分的曝光量分布)之該 遮光板的表面的反射率設定成大致相等於前述感應物體之 表面的反射率。 16·如申請事利範圍第15項之曝光方法，係依據前述 量測之曝光量分布以及前述週邊部之多重曝光所造成之光 學特性的變化來設定前述週邊部的曝光量。 17. —種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案’乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置’以能束來曝光前述 各區域；其中， 係經由前述設定裝置照射前述能束’並將光檢測裝置（ 具有光檢測部與遮光板’該光檢測部與遮光板可量測對應 於前述感應物體上之前述週邊部之部分的曝光量分布）之 該遮光板的大小設定成爲前述能束之照射區域的同等程度 以上。 18. 如申請專利範圍第Π項之曝光方法，係依據前述 量測之曝光量分布以及前述週邊部之多重曝光所造成之光 學特性的變化來設定前述週邊部的曝光量。 19. 一種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 3部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， _____4______ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、\έ 線 518658 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 係經由前述設定裝置照射前述能束，同時以光檢測裝 置（具有光檢測部與遮光板，該光檢測部與遮光板係用以量 測對應於前述感應物體上之前述週邊部之部分的曝光量分 布)來檢測前述能束，依據有關前述遮光板之反射率與前述 感應物體之反射率差異的資訊、以及前述檢測結果，設定 前述週邊部之曝光量。 20. 如申請專利範圍第19項之曝光方法，係依據前述 反射率的差異來修正前述光檢測部之檢測値、求出前述曝 光量分布。 21. —種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其.中， 係經由前述設定裝置照射前述能束，同時以光檢測裝 置（具有光檢測部與遮光板，該光檢測部與遮光板係用以量 測對應於前述感應物體上之前述週邊部之部分的曝光量分 布)來檢測前述能束，依據有關前述遮光板之大小與前述能 束之照射區域的資訊、以及前述檢測結果，設定前述週邊 部之曝光量。 22. 如申請專利範圍第21項之曝光方法，係依據前述 遮光板之大小與前述能束之照射區域的差異來修正前述光 檢測部之檢測値、求出前述曝光量分布。 23. —種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 518658 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， 係經由前述設定裝置(設定成使得前述週邊部之曝光量 成爲既定之第1分布），以前述能束對測試用感應物體進行 測試曝光； 量測在前述測試用感應物體上所形成之前述週邊部呈 重合之重合部的圖案像之形狀； 決定第2分布以使得前述量測之圖案像的形狀成爲目 標値； 以成爲前述決定之第2分布的方式來設定前述設定裝 置，然後進行正式曝光。 24.—種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， 前述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 緩緩地減少前述能束之能量的衰減部； 並不改變前述週邊部重合著之第1重合部的寬度，而 是變更前述濃度濾光片對於待轉印之圖案的位置，來變化 前述衰減部的像重合著之第2重合部的的寬度，藉以調整 該第1重合部之曝光量。 3 25.如申請專利範圍第24項之曝光方法，其中，前述 待轉印之圖案係使用一往重合部方向放大之圖案。 26.如申請專利範圍第24項之曝光方法，其中，前述 ______5_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 518658 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 第1重合部之寬度係設定成大於前述濃度濾光片之衰減部 的寬度。 27. —種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， 前述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 緩緩地減少前述能束之能量的衰減部； 藉由變化前述濃度濾光片所規定之前述能束的分布以 及待轉印之圖案的相對位置，來調整在前述週邊部重合著 之重合部之曝光量。 28. 如申請專利範圍第27項之曝光方法，其中，前述 待轉印之圖案係使用一往重合部方向放大之圖案。 29·—種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， 前述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 緩緩地減少前述能束之能量的衰減部； 並不變化前述週邊部重合著之第1重合部的寬度，而 是變更自前述濃度濾光片到待轉印之圖案之光學系統的光 1學特性，來變化前述衰減部的像重合著之第2重合部的寬 度’藉以調整該第1重合部之曝光量。 30·—種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 本紙張尺度適用中國國心標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱） 麗D8 518658 六、申請專利範圍 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， 前述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 緩緩地減少前述能束之能量的衰減部； 藉由變更自前述濃度瀘光片到待轉印之圖案之光學系 統的光學特性，來變化該濃度濾光片所規定之前述能束的 分布以及待轉印之圖案的相對位置，來調整在前述週邊部 重合著之重合部之曝光量。 31·—種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， 前述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 緩緩地減少前述能束之能量的衰減部； 藉由交換前述濃度濾光片，來調整前述週邊部重合著 之重合部之曝光量。 32·—種曝光方法，其爲了對於感應物體上之週邊部呈 部分重疊之複數的區域分別轉印圖案，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域；其中， 3 係依據前述週邊部之多重曝光所造成之光學特性的變 化來設定前述週邊部的曝光量。 33.如申請專利範圍第1項之曝光方法，係將由轉印用 ____. ____R ___ ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) m. 訂 線 518658 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 圖案放大所成之圖案分割成複數之母圖案，並爲了將個別 母圖案之由投影光學系統所成之縮小像轉印到感應物體上 之週邊部呈部分重疊之複數的區域上，乃經由可緩緩地減 少在前述週邊部之曝光量的設定裝置，以能束來曝光前述 各區域。 34. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，係用於光罩之 製造上。 35. —種濃度濾光片之製造方法，係用以製造在曝光裝 置(爲了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域 分別轉印圖案，乃經由濃度濾光片（具有可緩緩地減少在前 述週邊部之曝光量），以能束來曝光前述各區域）中所使用 之濃度濾光片； 線 係經由測試用濃度濾光片（具有設定成使得前述週邊部 之曝光量成爲既定之第1分布之衰減部），以前述能束來曝 光感應物體； 量測對應於前述感應物體上之前述週邊部的部分之曝 光量分布； 依據前述量測之曝光量分布，決定第2分布以使得則 述週邊部之曝光量成爲目標値； 以成爲前述決定之第2分布的方式來形成前述衰減部 〇 ) 36.如申請專利範圍第35項之濃度濾光片之製造方法 ，其中，前述濃度濾光片之衰減部的衰減特性，係藉由調I 整構成該濃度濾光片之透明基板的表面上所形成之遮光點 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 518658 篮 SI 六、申請專利範圍 的密度分布來設定。 37. —種濃度濾光片之製造方法’係用以製造在曝光裝 置(爲了對於感應物體上之週邊部呈部分重疊之複數的區域 分別轉印圖案，乃經由濃度濾光片（具有可緩緩地減少在前 述週邊部之曝光量），以能束來曝光前述各區域）中所使用 之濃度濾光片； 係經由濃度濾光片（具有設定成使得前述週邊部之曝光 量成爲既定之第1分布之衰減部），以前述能束來曝光測試 用感應物體； 量測在前述測試用感應物體上所形成之前述週邊部呈 重合之重合部之圖案像的形狀； 決定第2分布以使得前述量測之圖案像的形狀成爲目 標値； 以成爲前述決定之第2分布的方式來形成前述衰減部 〇 38. 如申請專利範圍第37項之濃度濾光片之製造方法 ，其中，前述濃度濾光片之衰減部的衰減特性，係藉由調 整構成該濃度濾光片之透明基板的表面上所形成之遮光點 的密度分布來設定。 39·—種曝光方法，其特徵在於，爲了對於感應物體上 之週邊部呈部分重疊之複數之區域分別轉印圖案，乃使用 〇濃度濾光片將能束照射於圖案上，以將該圖案轉印於感應 物體上；該濃度濾光片具有可緩緩地減少於前述週邊部之 曝光量的衰減部。 ____L0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、\呑 線 518658 as ___S__ 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 40. —種曝光裝置之製造方法，係對於感應物體上之週 邊部呈部分重疊之複數之區域分別以能束來曝光；其中， 係經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的濃度濾 光片來照射前述能束，量測對應於前述感應物體上之前述 週邊部的部分之曝光量分布； 依據有關前述量測之曝光量分布與前述濃度濾光片之 衰減特性的資訊，以使得前述週邊部之曝光量分布成爲目 標値的方式來製作濃度濾光片（形成有前述能束的衰減部) 〇 41. 一種曝光裝置之製造方法，係對於感應物體上之週 邊部呈部分重疊之複數之區域分別以能束來曝光；其中， 係經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的濃度濾 光片來照射前述能束，同時以光檢測裝置(具有光檢測部與 遮光板，該光檢測部與遮光板係用以量測對應於前述感應 物體上之前述週邊部之部分的曝光量分布)來檢測前述能束 ，依據有關前述遮光板之反射率與前述感應物體之反射率 差異的資訊、以及前述濃度濾光片之衰減特性的資訊，以 使得前述週邊部之曝光量分布成爲目標値的方式來製作濃 度濾光片(形成有前述能束的衰減部）。 42·—種曝光裝置之製造方法，係對於感應物體上之週 邊部呈部分重疊之複數之區域分別以能束來曝光；其中， 3 係經由可緩緩地減少在前述週邊部之曝光量的濃度濾 光片來照射前述能束，同時以光檢測裝置（具有光檢測部與 遮光板，該光檢測部與遮光板係用以量測對應於前述感應 _______ 1 1 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） 518658 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 物體上之前述週邊部之部分的曝光量分布)來檢測前述能束 ，依據有關前述遮光板之大小與前述能束之照射區域之大 小之差異的資訊、關於前述濃度濾光片之衰減特性的資訊 、以及前述檢測結果，以使得前述週邊部之曝光量分布成 爲目標値的方式來製作濃度濾光片（形成有前述能束的衰減 部）。 43.—種曝光裝置之製造方法，係對於感應物體上之週 邊部呈部分重疊之複數之區域分別以能束來曝光；其中， 爲了緩緩地減少前述週邊部之曝光量，乃依據前述週 .邊部之多重曝光所造成之光學特性的變化，以使得前述週 邊部之曝光量分布成爲目標値的方式來製作濃度濾光片（形 $有*前述能束的衰減部)。 44·一種曝光裝置，係對於感應物體上之週邊部呈部分 重疊之複數之區域分別以能束來曝光；其中，· 具備可緩緩地減少前述週邊部之曝光量的設定裝置； ftf述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 地減少前述能束之能量的衰減部； [ 並不改變前述週邊部重合著之第1重合部的寬度，而 胃變;^前述濃度濾光片對於待轉印之圖案的位置，來變化 前述參減部的像重合著之第2重合部的寬度，藉以調整該 第1第合部之曝光量。 。 45·—種曝光裝置，係對於感應物體上之週邊部呈部分 熏疊之複數之區域分別以能束來曝光；其中， 異備可緩緩地減少則述週邊部之曝光量的設定裝置； 中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) m 、一 έ 線」 518658 A8 B8 C8 D8 -------- 、申請專利範圍 前述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 糸爰緩地減少前述能束之能量的衰減部； 藉由變化前述濃度濾光片所規定之前述能束的分布以 及待轉印之圖案的相對位置，來調整在前述週邊部重合著 之重合部之曝光量。. 46·—種曝光裝置，係對於感應物體上之週邊部呈部分 重疊之複數之區域分別以能束來曝光；其中， : 具備可緩緩地減少前述週邊部之曝光量的設定裝置； 前述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 緩緩地減少前述能束之能量的衰減部； 並不變化前述週邊部重合著之第1重合部的寬度，而 是變更自前述濃度濾光片到待轉印之圖案之光學系統的光 學特性’來變化前述衰減部的像重合著之第2重合部的寬 度’藉以調整該第1重合部之曝光量。 47·—種曝光裝置，係對於感應物體上之週邊部呈部分 重疊之複數之區域分別以能束來曝光；其中， 具備可緩緩地減少則述週邊部之曝光量的設定裝置； 前述設定裝置包含濃度濾光片，該濃度濾光片具有可 緩緩地減少前述能束之能量的衰減部； 係變更自前述濃度濾光片到待轉印之圖案之光學系統 的光學特性，來變化由該濃度濾光片所規定之前述能束的 分布與待轉印之圖案的相對位置，藉以調整前述週邊部重 合著之重合部的曝光量。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一ά!. 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)