TW514948B - Tailored spacer wall coatings - Google Patents

Description

[14^48 五、發明說明（1) 發明領域 本發明係有關於平面& . _ _ 曲”、、員不器，更有關於一種組合於平 面顯不态的間隙壁塗層。”太恭 έ 主曰本發明係揭露一種經調整的間隙 壁面塗層以降低二次電子放射。 發明背景 在些平面顯不器中，背板通常以間隙壁（spacer)與 面板組合起來。在高電壓的應用了，如：背板與面板間以 間隙壁分隔約卜2毫米。在本發明中，高電壓係指陽極對 陰極的電位高於一千伏特（kil〇v〇lt)。在一實施例中，組 合的間隙壁（spacer assembly)包含許多細片或彼此間隔 5 0 U米的獨立壁狀構造。細片以水平平行條列，而每細片 延伸長度為平面顯示器之寬度。細片中的間距根據背板、 面板與細片中間的強度而定。所使用的細片數目需符合物 理上應力的需求。組合間隙壁的詳細說明可參見審查中之 美國序列號08/683789專利申請案，由Spindt等人所提出 之’1平面顯示器的間隙壁構造與其製造方法”（Spacer Structure for Flat Panel Display and Method for

Operating Same)，Spindt等人之申請案在1 996年7月18曰 送件申請，同時併入本案之背景參考。 在一般的平面顯示器中，間隙壁必須具備一連串的特 性與性質要求。更明確而言，間隙壁必須具有足夠的強度 以承受壓合背板與面板間互相擠壓的大氣壓力。另外，間 隙壁中的每列細片必須保持同樣高度，以使每列細片可以 確切的對準各列的畫素。此外，間隙壁中的每列細片必須

!012-3701-?F-ptd 第6頁 5 丨14948 五、發明說明（2) 非常平坦，以確保組合的間隙壁可以在背板與面板之間形 成穩定均一的支撐。 組合的間隙壁必須具有良好的穩定性，更明確而言， 組合的間隙壁必須在電子射出下不會產生嚴重的降解。而 組合的間隙壁另一項要求則是不能顯著的造成平面顯示器 中的真空環境的污染或者易受管中影響而造成污染。 此外，組合的間隙壁需具有一二次電子發射係數 (Secondary Electron Emission C〇efficient，SEEC)保 持在約1左右。SEEC係指：一表面放射出的電子數/每個入 射到該表面的電子。由於諸多因素，接近1的理想值在一 f組合的間隙壁中不易達成。例如，照射間隙壁的電子能 =可此因為組合的間隙壁長度（陽極到陰極）不均而不同。 :=丄彳里擊罪近陰極的間隙壁的電子的能量會明顯的小於 撞擊靠近陽極的間隙壁的電子。由於撞擊的電子的能量不 均’、習知的間隙壁之二次電子發射係數會隨著靠近陰極的 $隙壁部分與陽極的間隙壁間部分接近程度不同而改變。 因此，需要一種組合的間隙壁，當此間隙壁處於 器的操作電壓下時，此間隙壁之二次電子發射係數：：不 1 °更進一步需要一種可滿足上述需要的間隙壁，、 嚴重降解…卜，同時需要-種不會導致 ^=為的真空環境顯著污染的間隙壁，或者 度在可容許的污染範圍内。 出的鈿 發明簡述 本發明提供一種組合的間隙壁，當此間隙壁處於 、面

514948 五、發明說明（3) 样員示為的操作電壓下時，此間隙壁之二次電子發射係數接 近1 本發明進一步提供一種可滿足上述需要的間隙壁， 並且在電子撞擊下不會嚴喩降解。本發明尚提供一種可以 滿足上述條件，並同時不會造成平面顯示器内的真空環境 顯著污染的間隙壁，或者釋出污染在可容許的範圍内。。 在一實施例中，本發明包含一種間隙壁構造，其具有 一特=的二次電子發射係數函數值。包含有此間隙壁構造 之材料調整至當處於平面顯示器的操作電壓下時，組合之 間隙壁的二次電子發射係數可接近1。 在另一實施例中，在間隙壁上塗佈至少一部份的塗犀 =電=材料乃選擇自可以使間隙壁在平面顯示“ 紅作電&下呤，二次電子發射係數可接近丨者。 女一if一實施例中，本發明包含一種間隙壁結構，其且 有寸疋之一次電子發射係數函數。該間隙壁進一二 一塗層材料覆蓋於該間隙壁結構的至少一;含 隙壁構造之材料盥含嗲fM t + u U 卩伤上。έ 4間 π 了寸>、3 β堂層材料之材料兩者合 間隙壁，其在平面顯干哭沾Ρ 衣成一 π 丁回賴不杰的刼作電壓下二 係數可接近1。 一 -人電子發射 本毛明之上述與其他目的及優點 例佐以圖式的詳細說明後 =乂下具體貫施 與實施。 1知5亥技術之人士可輕易瞭解 圖式說明 下列圖式併入說明書或 明之實施例，並與發明說二&木=伤，說明本發 η 起解釋本發明之原理。 1012-3701-FF-ptd

第8頁 514948 五、發明說明（4) 第1圖所示為根據本發明之一實施例之間隙壁側面示 意圖，該間隙壁上部分覆蓋著一塗層材料。 第2A-圖所示為根據本發明之實施例，比較第1圖之 間隙壁之二次電子發射係數函數（d )、撞擊電子能量與間 隙壁高度。 第3圖所示為根據本發明之實施例中一種組合的間隙 壁側面示意圖，其中間隙壁上一部分覆蓋有不同厚度的塗 層材料。 第4圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其中該間隙壁之第一部份覆蓋第一塗層材料， 而第二部分上覆蓋第二塗層材料。 . 第5圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其中該間隙壁之第一部份覆蓋第一塗層材料， 而第二部分上覆蓋第二塗層材料，而該間隙壁完全被覆 蓋。 第6圖所示為根據本發明實施例製作一間隙壁之第一 部份覆蓋第一塗層材料，而第二部分上覆蓋第二塗層材料 的步驟流程圖。 第7圖所示為根據本發明實施例之具有場發射顯示裝 置之示範電腦系統示意圖。 第8圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該支持結 構包含純A 12 03摻加於鈽氧化物中。 第9圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側

1012-3701-FF-ptd 第9頁 514948 五、發明說明（5) 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該塗層材 料包含一成層材料。 第1 0圖所示為根據本~發明實施例之一組合的間隙壁側 面不意圖’其支持結構上具有一塗層材料5其中該塗層材 料包含多成分的過渡金屬氧化物材料。 第1 1圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該塗層材 料包含硼氮化物材料。 第1 2圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該支持結 構之材料選擇自硼化物、碳化物與氮化物材料所組成之族 群中。 第1 3圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該塗層材 料之材料選擇自硼化物、碳化物與氮化物材料所組成之族 群中。 第1 4圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該支持結 構之材料包含一種釋氧材料。 第1 5圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該塗層材 料包含一種釋氧材料。 第1 6圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該塗層材

1 0 1 2-370 1-??.pid 第10頁 514948 五、發明說明（6) 料包含含有金屬之粒子。 第1 7圖所示為根據本發明實施例之第1 6圖中含金屬粒 子之剖面'圖。 第1 8圖所示為根據本發明實施例之第1 6圖中沸石型含 金屬粒子之剖面圖。 第1 9圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上具有一塗層材料，其中該塗層材 料包含摻有鑭系元素的鈽氧化物。 第2 0圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構包含一種根據一選擇準則選擇的材 料，該準則考慮到材料生成時的自由能。 第2 1圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上沈積一層塗層材料，該塗層材料 中包含一種根據一選擇準則選擇的材料，該準則考慮到材 料的生成自由能。 第2 2圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上沈積一層塗層材料，該塗層材料 中包含TiAIN。 第2 3圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上沈積一層塗層材料，該塗層材料 中包含Nd2 03。 第2 4圖所示為根據本發明實施例之一組合的間隙壁側 面示意圖，其支持結構上沈積一層塗層材料，該塗層材料 包含一材料選擇自由〇2 03 1(12 03、—2 03 411〇或(：1'2 03 -111〇所

1012-3701-FF-ptd 第11頁 514948

第2 5圖所示為 面示意圖，其支持：：明實施例之 '组合的間 t丄、 符、、、α構上沈積一層塗®从土丨 ]卩永壁制 包含二 ===， 面示意圖，其支持結構J;::J = 合的間隙 包含雙層成層材料。 材枓1塗層材^ 将別呪明的是，本發明說明中的圖式除非 ，並非依實物繪製。 μ非特別註明者 圖式標號說明 1 0 0〜組合之間隙壁； 104〜塗層材料； 1 0 8〜陽極； 202〜二次電子發射係數 2 0 4〜曲線； 1 0 2〜間隙壁結構； 1 〇 6〜陰極； 2 0 0〜組合之間隙壁； 函數（d )圖； 2 0 6〜曲線； 3 0 0〜組合之間隙壁； 3 0 4〜塗層材料區域； 4 0 2〜第一塗層材料； 5 0 0〜組合之間隙壁； 504〜第二塗層材料； 7 0 0〜示範電腦系統； 704〜中央處理單元； 7 0 8〜唯讀記憶體； 712〜數字與字母輸入裝 3 0 2〜塗層材料； 4 0 0〜組合之間隙壁； 4 0 4〜弟一塗層材料； 5 0 2〜苐一塗層材料； 6 0 0〜6 0 6〜製作方法流程； 7 0 2〜匯流排； 70 6〜隨機存取記憶體； 7 1 0〜資料儲存裝置； ;7 1 4〜場發射顯示裝置；

514948 五、發明說明（8) 71 6〜游標控制器； 8 0 0〜組合之間隙壁； 8 0 2〜間隙壁結構； 80 6〜陰極； 8 0 8〜陽極； 9 0 0〜組合之間隙壁； 9 0 2〜間隙壁結構； 90 4〜塗層材料； 1 0 0 0〜組合之間隙壁； 1 0 0 2〜支持結構； 1 0 04〜塗層材料； 11 0 0〜組合之間隙壁； 11 0 2〜支持結構； 1 i 0 4〜塗層材料； 1 2 0 0〜組合之間隙壁； 1 2 0 2〜間隙壁結構； 1 2 0 6〜陰極； 1 2 0 8〜陽極； 1 3 0 0〜組合之間隙壁； 1 3 0 2〜間隙壁結構； 1 304〜塗層材料； 1 4 0 0〜組合之間隙壁； 1 4 0 2〜間隙壁結構； 1 5 0 0〜組合之間隙壁； 1 5 0 2〜間隙壁結構； 1 5 04〜塗層材料； 1 6 0 0〜組合之間隙壁； 1 6 0 2〜間隙壁結構； 1 604〜含金屬粒子； 1 7 0 2〜絕緣材料； 1 7 0 4〜金屬核心材料， 1 8 0 0〜》弗石結構; 1802〜方納石籠； 1 804〜通道； 1 9 0 0〜組合之間隙壁； 1 9 02〜間隙壁結構； i 904〜塗層材料； 2 0 0 0〜組合之間隙壁； 2002〜間隙壁結構； 2 1 0 0〜組合之間隙壁； 2104〜塗層材料； 2 2 0 0〜組合之間隙壁； 2202〜間隙壁結構； 2 2 0 4〜塗層材料； 2 3 0 0〜組合之間隙壁； 23 02〜間隙壁結構； 2304〜塗層材料； 2 4 0 0〜組合之間隙壁；

1012-3701-PF.ptd 第13頁 五、發明說明（9) 2 4 Ο 4〜塗層材料； 25 02〜間隙壁結構； 2 6 0 〇〜組合之間隙壁 2604〜塗層材料。 2 4 0 2〜間隙壁結構； 2 5 0 0〜組合之間隙壁 2 5 0 4〜塗層材料； 2 6 0 2〜間隙壁結構； 詳細實施例說明 本發明將以下列較佳實施 明。本發明結合較佳實施例加以】：：並：佐：圖式說 制本發明。相反的，本發明涵蓋基於-=2 =貫施例限 之精神與範疇下所做的變化 ^ *申请專利範圍 的詳細說明中，許多的牯一 f 5動外，在以下本發明 J 丁 〇干夕的特定細節依順床句, 發明的瞭解。然而熟習該領域的人士盔I ，以協助對本 節而可完成本發明。另夕卜 ；須依】此等特定細 與電路無須詳細說明，以避明J程序、成份 :隹’、、、以下δ兄明針對於間隙壁’二卜 多種的支持結構，其中間隙 =月门枚適用於其他 (Dost) ^ + /丨皁二、、、σ構包括，但不限於杆柱 P〇S'、十子形(cr〇sS)、釘栓(pin)、片 壁-詞乃用以Λ 似者。然而，本發明中，間隙 用以包括，但不限於，上述多種形式的支持結 1 Λ n ^所示為根據本發明實施例組合的間隙壁 間隙辟纟士嫌^9圖。本實施例中，組合的間隙壁1〇0包含一 I 1' Γ. 'Ί ，其上有部分覆蓋一塗層104。在第1圖的 二，例中，間隙壁結構102包含一複合材料。更明確地， 在本發明中間隙壁結構102包含約3G %的氧化鉻物（㈣

514948 五、發明說明（ίο) m 氧化銘叫〇3)並添加少量的鈦⑺）。雖然在 本實施：：間隙壁結構1〇2包含上述混合物， 用於含有其他組成或其他混合比例」般 間隙壁結構102的長度（由险朽w叙 5〇微米。 π*以由险極到&極）約1.25毫米，寬約 h第一塗層材料104塗佈於間隙壁結構1 02 上之一口P刀。在本發明中，塗層材料1〇4

Ti。再者’在本實施例中，塗層材料m塗佈在2二= 構1 0 2上的厚度約為數百埃。在太菸 > 材料Π4的厚度可以變化。在二\月:範圍内，該塗層 ^ ^ 在弟1圖中顯不，本發明膏施例 ::塗層材料104塗佈在間隙壁結構1〇2 :、 ，^，放射顯示器裝置之陰咖轉合的：〜 直。另外，在本貫施例中，塗層材料1〇4並 壁結細嫩場放射顯示器裝置之陽極1〇8的佈位置門，在 f實施例中，塗層材料104包含㈣與約嶋n，而太J %例亦適用於滿足上述條件之不同塗層材料。另外， 1圖，雖然塗層材料104塗佈於間隙壁結構102的較低如第 2，本發明亦適用於塗層材料104塗佈於間隙壁 其他部分之組合。 再的 參見第2A至2C圖，比較第！圖之組合之間隙壁 & 電子發射係數函數（d)、撞擊電子能量與間隙壁高声了 = 習知的場發射顯示裝置中，電子受到一增加的電位^"推-， 自陰極106加速至陽極1〇8。更明確而言，在場發射 狀 置的陰極106附近的電壓約〇keV。因此，在本發明中 电

514948 五、發明說明（11) 壓在靠近組合之間隙壁100的下層約為〇keV。該電壓在靠 近％發射顯示裝置的陽極1 〇 8處逐漸增加為6keV。因此， 在本發明中，在組合之虻隙壁丨00的頂端電壓約在讣…左 右。此逐漸增加的電壓顯示於第2B圖中，其顯示載陰極 1 〇 6與陽極1 〇 8間的電壓值。本發明中，撞擊組合的間隙壁 1 〇 〇的電子所具有的能量約等於該點的電位能。因此，根 據第2 B圖與第2 A圖之比較的結果，在本發明中，塗層材料 1 04由間隙壁結構丨〇2的底部延伸至約電子撞擊組合的間隙 壁1〇〇的能量約為3keV的位置。 參見第2C圖，所示為二次電子發射係數函數（d)圖2〇2 。在第2C圖中之圖202，曲線204代表第1圖與第2A圖中露 出的間隙壁1 〇 2的二次電子發射係數函數在〇與6 keV間。曲 線2 0 6代表弟1圖與弟2 A圖中的塗層材料1 〇 4的二次電子發 射係數函數在〇與6keV間。為了使組合的間隙壁丨〇〇保持，， 電性上不可視"（如：不會反射穿過背板上一列電極（陰極 106)到面板上晝素磷光體（陽極108)的電子），二次電子發 射係數函數需保持在1或接近1。如第2圖中之曲線2 〇 4所 示’在入射電子能量約於〇與小於3 k e V時，露出的間隙壁 結構102的二次電子發射係數函數則遠大於h 〇。然而，在 入射電子能量大於3至6keV時，露出的間隙壁結構1〇2的二 次電子發射係數函數則相當接近1 · 〇。相反的，如第2C圖 曲線206所示’在入射電子能量約介於〇與小於3時，第 1與第2A圖中之塗層材料1 〇4二次電子發射係數函數則相當 接近1 · 0。然而，在入射電子能量大於3至6 k e V時，塗層材

1012-3701-?F-ptd 第16頁 五、發明說明（12) 一 料 1 04 - ^ 電子發射係數函數則相當遠 α此，本發明實施例為了補償 擊· 的變化，因此在間隙壁結構1〇2ΐΐ=Γ隙壁 ς曰材料1 04並使得間隙壁結構丨 、歧低部分塗佈 露出，'。因I組合的間隙壁二=，分未塗佈或" 菸射彳έ叙 竿乂下方的部分的-Α ^ ^射係數函數在丨.0或接近丨〇 1刀的一次電子 所致）。因此，本發明實施例中的电：=壁結構102 數個_次電子發射係數函數。 丄υυ具有複 m 02 j, ^ # ^ ^ # ,4104 α ^ ^ p； 子發射係數函數。 土1 υ u的一次電 一除了藉由調整二次電子發射係數函數接近所兩 ，錯以達成組合的間隙壁100為”電性上不而之10 明更包含其他數項優點。例如：由於未特別 ’本發 荷，本發明避免了習知間隙壁為了放出多餘的i t的電 的複雜、#以製造的昂貴電極或其他裝置。因此可‘上：日用 可簡易並廉價的製造。3外’由於本發明實施例 ：： 之間隙壁100減低了電荷的聚積，需從間隙壁上排掉的電σ 荷也減少。因此，大型的間隙壁結構102(與塗層材料ι〇4) 電阻率規格可以顯著放寬。此種規格與要求的放寬可使間 隙壁結構1 0 2與塗層材料1 0 4的成本降低，因此，本發明可 降低製造成本。由於充電（charging)情況減少，使得間隙 壁材料的電阻率增加而減低壁間的溢漏電流，提高了 ^發 射顯示器的效率。 门 ^ 同時，根據本發明製造組合的間隙壁具有以下於點··

1012-3701-PF-ptd 第17頁 514948 五、發明說明（13) 俱不顯者改受本發明的優 而顯著的降低成本而不嚴 例如··在第2A圖實施例中，間隙璧結構1 02上之塗層材料 1 0 4的塗佈位置可以稍微加強， 點。因此，製造上可以較-為簡易 重影響品質。 另外的一項優點是，組合的間隙壁1 0 0具有高穩定性 。除了調整二次電子放射係數轟數爻全部範圍均接近1 · 0 外，由於間隙壁結構與塗層材料等所用的材料，當置於電 子撞擊下，組合的間隙壁1 〇 Q也不會嚴重的降解。例如， 當受到電子撞擊，塗層材料較間隙璧結構更不穩定時，第 2A圖中的配置也不會在操作中快速的降解，這是由於更多 的電子會撞擊間隙壁的上層未爹佈的部分。另外則是對塗 佈層的穩定度需求的放寬。 不會降解 ς 1。〇不會顯著的導致場發射顯示裝置中的：的， 。另外，本實施例中包含組合間隙壁二2的>可染 壁結構102中的Cr2〇3、Al2〇3^Ti| 的材私（如：間隙 )，可以輕易的在場發射顯示哭穷、^曰f料104中的Cr2〇3 的碳。實際上，在一實施例中可去除或洗掉污染 f Cr2〇3塗層者更不容易集結碳。隹J山覆蓋的間隙壁與具 非電子也撞擊該表面。而萨 =、、Ό ^未必是有害的，除 的位置，此部分較少心 =在間_較 組合。同時，本面，也因此得； 的材：：必：場發射顯示器密封間隙壁10。 =此，本發明之實施例不會^ g有害地集結碳。 產生有關於碳的污染。 成白知的未塗層間隙壁

1012-370卜PF.ptd 第18頁 514948 五、發明說明（14) 考第3圖」所示為根據本發明之另-組合的間隙壁 同第1與2A圖中所示’在本實施例中，組合的 应2Α Λ 貫施例中，間隙壁結構102包含實施例第1 田If 述之材料'然而’本發明的間隙壁仍然可以採 用^他的成份或組成比例。另外，本發明實施例中，塗層 材=302包含CrJ3 ’然而’本發明實施例亦可以使用不同 的塗層村料。 —再參見第3圖，間隙壁結構1 0 2上的塗層材料3 〇 2的厚 度不一致。在本實施例中，塗層材料3 〇 2的厚度不一致是 為了對應電子可能撞擊組合的間隙壁3〇〇的能量，例如塗 2材枓30 2的二次電子放射係數函數與間隙壁結構1〇2的二 一人2 Γ放射係數函數之組合，以提供組合之間隙壁3 0 〇之 =次電子放射係數函數值達到i · 〇或接近i · 〇。更明確而 ° ¥塗層材料3 〇 2沈積足夠厚度時，所得之二次電子放 射係數函數值即為塗層材料3 0 2之值。相反的，當沒有塗 層材料3 0 2存在時，二次電子放射係數函數則為間隙壁結 構102之值。然而，當塗層材料3〇2相當薄時（如··區域 304 )’二次電子放射係數函數會包含部分塗層材料3〇2之 二次電子放射係數函數之值與部分間隙壁結構丨〇2二次電 子放射係數函數之值。因此，本發明之實施例考慮到電子 撞擊的能量由靠近陰極丨〇6的區域約0keV開始增加到靠近 陽極108的區域之約6keV。本發明實施例中調整塗層3〇2的 异度’以使塗層材料3 0 2的二次電子放射係數函數之值與

第19頁 Μ 1012-3701-PF.ptd 514948

間隙土二構1 〇 2的二次電子放射係數函數之值的組合可以 達到一 t電子放射係數函數之總值為1 · 〇或接近1 · 〇。因 此，本發明實施例製造二組合的間隙壁，其具有複數個位 置可，變，其有關的二次電子放射係數函數值。 =見第4圖，所示為組合之間隙壁4〇〇的側面示意圖。 在本實施例中，間隙壁結構102在第一部分覆蓋第一塗層 材’同時在第二部分覆蓋第2塗層材料404。在第4圖 之貝施例中’間隙壁結構1 〇 2包含實施例第1、2 A與第3圖 中所述之相同材料。然而，本發明的間隙壁仍然可以採用 ，他的成份或其他的組成比例。另外，本發明實施例中， 第一塗層材料4〇4包含以…，然而，本發明實施例亦可以 使用不同的塗層材料。如第4圖所示，第一塗層材料4 〇 2只 暴&於^里$氣子能量介於2 - 4 k e V的範圍中。因此，經由選 擇在此電位範圍中，二次電子放射係數函數值為1()或接 近h 0的材料（如：N屯〇3)，本發明的實施例將二次電子放 射係數函數值調整所需的數值範圍。亦即，本發明實施例 具$ —塗層材料404沈積於陰極丨〇6附近區域，在暴露於低 能量（如：〇-2keV)時，其二次電子放射係數函數值為i Q 或接近ι·ο。本發明之實施例接著使用一塗層材料4〇2沈積 於間隙壁結構1 〇 2中央區域，在暴露於中能量範圍（如： 2 4^ke/) ，其二次電子放射係數函數值為丨· 〇或接近1 · 〇 。最後，本發明之實施例具有靠近陽極1〇8區域之裸露的 間隙壁結構1 02，在暴露於較高能量（如：4-6keV)時，其 一-人電子放射係數函數值為1 · 〇或接近丨· 〇。本發明實施例

第20頁 514948 五、發明說明（16) 亦可改變第一與第二塗層之位置、厚度與材料，使得組合 的間隙壁40 0的各部分均具有所需的二次電子放射係數函口 數值。另外，本發明實施例亦可使用兩種以上的塗層材料 以達到所需之二次電子放射係數函數值。 參見第5圖’所示為組合之間隙壁5〇〇之側面示意圖， 該間隙表面上的第一部份覆蓋有第一塗層材料5〇2而第二 部分覆蓋有第二塗層材料504。在第5圖的實施例中，間 壁^構1 02全部被覆蓋。在本實施例中，間隙壁結構1〇2包 含實施例第1、2A、3與4圖中所述之材料。然而，本發明 的間隙壁仍然可以採用其他的成份或其他的組成比例。另 外，本發明實施例中，塗層材料5〇2包含以以，然而本 發明實施，亦可以使用不同的塗層材料。另外，本發明實 施例中，第二塗層材料5〇4包含C4，然而，本發、 例亦可以使用不同的塗層材料。士。第5圖所示，第一塗芦 材料502只暴露於撞擊電子能量介於3_6keV 此，經由選擇在此雷伤r R “ ^ 為1。或接近i.。的.中二人I:放㈣ ^ ^ 可科（如· Nd2〇3 )，本發明的實施例將二 二人笔子放射係數函數值調整至所需的數值範圍。亦即，本 ，明實施例具有—塗層材料504沈積於陰極106附近區域， 於低能量(如：〇_3keV)時，其二次電子放射係數函 梅1上1或接近U。然後’本發明之實施例具有靠近陽 極^0.8區域之稞士露的間隙壁結構1〇2，在暴露於較高能量 3 6keV)^·，其二次電子放射係數函數值為1. 〇或接 ^ . 0。在本貫施例中，沒有間隙壁結構丨〇2裸露在外。本

514948

發明實施例亦可改變第一與第二塗層之位置、厚度與材 料，以沿著組合的間隙壁500得到所需的二次電子放射係 數函數值。另外，本發明實施例亦可使用兩種以上的涂 材料以達到所需之二次電子放射係數函數值。 土曰 參見第6圖，所示為本發明中組合的間隙壁之製造流 程圖600。如第6圖中所示，在步驟6〇2中，本發明^ =

供一間隙壁。在本實施例中，該間隙壁（如：第丨、2、3 4與5圖中之間隙壁結構102)包含多材料之組合。更明'確而 言，本發明間隙壁結構102包含約3〇%的氧化鉻物 )、約70%的氧化鋁（A^3)並添加少量的鈦（Ti)。雖铁 本實施例中間隙壁結構102包含上述混合物，本發明^適 用於含有其他成分或其他組成比例之間隙壁。一 古， 間隙壁結構1 02的長度（由陰極到陽極）約丨· 25毫米'寬°約 5 0微米。 ' 接著，在步驟6 0 4 (如：第1圖中之塗層材 壁表面。在一實施例中 本實施例中，塗層材料 百埃。在本發明的範圍 此外，本發明亦可 位置。亦即，本發明可 壁接合於場發射顯示裝 覆蓋於間隙壁接合於場 接著參考步驟606 丨 土 /百們个r 碑）4)覆蓋於步驟6〇2提供之間隙 涂^層材料包含Cr2 03。再者，在 向佈在間隙壁結構下的厚度約為數 該塗層材料的厚度可以變化。 改變間隙壁結構1 0 2上的塗層材料

2，例如，將塗層材料覆蓋於間隙 $之陰極位置，及/或塗層材料不 毛射顯不裝置之陽極位置。 ，本發明實施例覆蓋第二塗層材料

1012-3701-?F-ptd 第22頁 514948 五、發明說明（18) (如·第4圖中塗層材料4〇4)於組合的間 例中，第二塗層材料重疊於第一塗層材料上 1 :施 塗層材料402 )。經由上述步驟，本實施例可將的 至期望之數值…，本發：實施：； ^ m ^ .4'各 土曰材枓）沈積於場發射顯示器 陰極附近區域，在暴露於低能量（如：〇_3kev) 复。。之 電子放射係數函數值為U或接近1G。然後，m2 靠近場發射器之陽極區域之另一塗層材料（如貫 弟一i層材枓），在暴露於較高能量（如：3_6ke 二次電子放射係數函數值為10或接近1〇。本發明者其 亦可改變第-與第二塗層之位置、厚度與 乂：:列 合的間隙壁500得到戶斤需的二：欠電子放射係數函數值。者級 參見第7圖，所示為根據本發明實施例中之一 電腦糸統700。第圖中的系統僅為參考用，本生 在數種電腦#、統中進行，包括個人電m丄 二 糸統、個人數位助理、電話(如：行動電話）、車内^電知 、，二-般用it之網路電腦系、统、嵌入式電腦系統，及^ 式电腦糸、统。另外’如以下將提及的詳細說明， 700的兀件屬於，如：一客戶端電腦及/或一耦厶二二 ::的中間裝置。另外，第7圖中的電腦系統二腦系 有電腦可讀取的媒介例> :軟碟、光碟或 ：衣置 種電腦可讀取的媒介為了避免複雜， 、4者。此 的電腦系統70。中。避免㈣亚未顯不於第7圖中 第7圖中的系統700包含一位址，資料匯流排7〇2用以處 χ4+^48 五、發明說明（19) 理f訊與指示、一中央處理單元7〇4耦合於匯流排7〇2以處 理貢料與指示。中央處理單元704可以，例如：一 80X86家 =的微處理器或其他種類^的處理單元。系統7〇〇同時包含 貝料儲存的功能’例如一電腦可使用的揮發性記憶體7 06 ’如·隨機存取記憶體（RAM)，耦合於匯流排7〇2以儲存對 中央$理單元7〇4的資料與指示、一電腦可使用的非揮發 性兄憶體708 ’如：唯讀記憶體（ROM)，耦合於匯流排702 存對中央處理單元7 〇 4的靜態資料與指示、一資料儲 子衣置7_1〇(如：磁性或光學碟片或裝置）耦合於匯流排702 存二料與指示，本發明之系統7〇〇同時包含一選用的 之字與字母輸入裝置712包含數字與字母及功能鍵，耦合 ^ 4匯流排702以進行中央處理單元7()4的資料及指令的溝 1。、細統m同時可選用一游標控制裝置714搞合於匯流排 以進^丁使用者對中央處理單元7 〇4的資料及指令的溝 =二，貫施例的系統700同時包含一場發射裝置716耦合於 匯流排70 2以顯示資訊。 I 參考第7圖，選用的游標控制器7 1 4可使得電腦使用 -維:2:装置716的顯示螢幕上給予-可見的符號(游標） 的動態訊號。習知的游標控制裝置716如：軌跡 上的觸控板、控制桿或在數字與字母輸入裝置7 12 m以” 一特定方向或取代方式之指示訊號。 的ί擇則是游標經由數字與字母輸入裝置71 2上 按鍵指令輸入以控制或啟動游標。本發 明亦可以其他方式控制游標，例如：以聲音控制。

514948 五、發明說明（20) _______ 參見第8圖，所示為根據本發明之_ — A 隙壁800側面示意圖。在本者 之一貫施例組合之間 含一間隙壁結構802。一 y二:例中，組合之間隙壁800包 由陰極到陽極）約1· 25毫^^隙壁結構802的長度（ 下說明針對於間隙壁，見、·、勺0微米。S外，雖然以 支持結構’其中間隙壁結構心月：樣適用於其他多種的 形=:二柱本二 持。再者，雖然以下說明：：：對土 =種=的支 示裝置的不同實施例，然而 从、本毛明之％發射顯 於其他不同的平面顯示裝、置。4日±的多種實施例同樣適用 乃關於將塗層材料塗佈於間:椹雖然本發明之實施例 發明仍適用於其他組合，盆中之上的整個區域，本 構下的部分區域。 一 層材料只覆蓋於間隙壁結 再參見第8圖，支持、纟士播8ΓΙ9μ — 持結構的不可視上具有重°要的地位，，電子發射係數在支 導致電波的偏斜，造成間隙壁 α間隙壁上的充電會 了達成不充電或極少充電二鱗光體不活化。為 需接近卜在本發明實施例= :次電子放射係數 在一實施例中，測量氧中化鈽支在持 包含氧化飾。 範圍在0.5kV到7kV間之二次電子發顯示器操作電壓 。更明確而言，本發明的間；值約。.75至⑼ 鈽上。在此種實施例中，間隙壁 胃、、、、、2 〇3塗佈於氧化 丨卓土 '纟D構則相當平滑並具有良

514948 五、發明說明（21) 好的強度。例如，本發明實施例之間隙壁8〇2的硬度介於 A込〇3 (莫氏硬度計7度）與氧化鈽（莫氏硬度計6度）間。 參見第9圖，所示為未發明的另一實施例。在太2 例 參見第9圖，所示為未發明的另一實施例。在本實施 中’有一塗層材料904覆蓋於一間隙壁結構902上之一部 分。在本實施例中，塗層材料9〇4覆蓋於間隙壁結構9〇2上 的厚度在埃單位（A )左右。在本發明的範圍内，可調整备 層材料904的厚度範圍。另外，雖然塗層材料9〇4在第9圖< 中覆蓋間隙壁結構902的整個範圍，但本發明亦可調整塗 層材料904覆蓋於間隙壁結構9〇2的特定區域上。 再參考第9圖，同上所述，要在平面顯示器的操作電 ΐ二次電子發射係數值約達1。本實施例提供—種 7枓，此種材料對於高能量入射電子 輕微的散射，•對於低能量的 對 ^ BB r. 人包于造成顯者的散射。 層材料，在本實施例中’塗層材料904包含-成 二二2 Α Λ施例中’該成層材料沈積於平行陶製支持 底面之上。因此’本發明的塗層材料9。4可 係數（如：接近i)。 丨刀仟到更低的二次電子發射 再參考第9圖，在一實施例中，句人A & 層材料為一主厶厘r · 匕各塗層材料904的成 ! f 丰金屬（semimetal)。並且，力姓—本#加 ，包含塗層材料9〇4的成層材料包 、疋貝' · 與其類似物質。 s石墨、MoS2、MoSe2 ί It考第10圖，所示為本發明的另-實施例ίο。0。 圖的貫施例中一支持結構⑽2上塗佈有一塗

514948 五、發明說明（22) 層材料1 0 0 4。在本實施例中，塗層材料1 〇 〇 4中包含一過渡 金屬氧化物成分。此種塗層材料可降低電子脫離深度（入） 。電子脫離深度（electron escape depth, λ)的降低乃由 於幵y成四彳貝氧化物的穩疋溶液，而不規則的排序則可能由 於離子價、傳導帶（conduct ive band)中未佔據的d —state (unoccupied d-state)或離子半徑等因素之一所引起。因 此，本實施例中的塗層材料丨〇 〇 4降低了間隙壁的可視性 (亦即，提高了不可視性）。另外，本實施例塗層材料丨〇 〇 4 滿足所有要求的特性，包括二次電子放射係數低、高電 阻、高熱穩定性、在電子束撞擊下的穩定性高以及對碳氫 化物的抗性高。此外，塗層材料丨〇 〇4降低組合的支持結構 1〇〇〇的二次電子放射係數，然而不會降低該支持結構 的$電性。同時，塗層材料1 004可達到上述性質，而不會 在:度達到50 0艺的處理時降解。塗層材料達到上述 f貝，但在顯示器的操作中，即使延長暴露於電子通過下 二不=解。另外還有一項優點，本實施例之塗層材料 、σ王中所吊造成的氣相化學物質下也不會降解。 再J見第10圖，在一實施例中，塗層材料10 t或四價的過渡金屬氧化物。更明確而言， 二一 中，塗層材料1 0 04包含鈣鈦礦处槿。 在貝L例 aro ，* 丄* 尤、、、口構（Perovski te)組成物： 麗勺：中A «為過渡金屬。在一實施例中，塗層材料 -液夂3 :例如.可在A位置的任何鑭系元素所混合成之 冷液（如：⑽x，Prl-x)Tl〇3)。在另—實施例中，塗層成^

1 0 1 2-370 1-PF.pu 第27頁 五、發明說明（23) __ 料1 004包含一A2B〇4之組合物，· ^ B為過渡金屬。此類塗層材’例如，其中A與 内部的二次電子，主要是·藉由蜀特^的可控制性質是可散射 其損失能量。另外，當降‘ 3 f二次電子離開該固體前使 的四級結構。因此，在一徐二深度（又）時可以發現特定 材料，其原子處於A位置且^知^例中，塗層材料1 004包含 LMa_TlQ3。在本實價數。例如·· 的晶格。La為三價的離子，τ ’、’ La與^可以佔據類似 電場的不規則特性可使電子:a為兩價的離子。而其區域 再參見_圖，i另而:…值。 含-材料，其中混合具有相；：：二全；層材料侧中包 能階（band gap)具有不同 屬，然而該金屬在 ASrTi 7r η \t i的月b $未佔據狀態。其中一個例 Γ 3本實施例中’ 均為4價（4 + )， 靠近傳導·底# ϋ ^有同能量的未佔據d—執域，使得 (randomness)，因此加速電子散射並降低又值。 含-：m°圖’在另一實施例中’塗層材料1004中包 m其中混合不同大小但具有相同晶格位置的金 ^ ^ I 子為塗層材料1 004包含UY(h)Cr〇3。在本 :二歹田，Aa與¥均為3價(3+) ’然而此二者有不同的離子 、二。口此在Y原子附近的晶格存在相對張力而在La原子 附近存在相對的壓縮。如此，能階具有不規則變化的能 力’因此可加速電子散射並降低λ值。 接著參見第11圖，所示為本發明的另一實施例11〇〇 t

料1104 :此：：：：二；2結構1102上塗佈有-塗層材 同時使得支持結構1102為二：性=可：：：充電狀況 範圍石墨結構的碳具有低二4 ^。在I知技術中，發現短 電度限制了 i ϋ八 · ~ ―人黾子放射。然而，石墨的導 G 口；支；結構（如，支持結_)表面：：： 〜智土層和科。為了得到有足 艸腺r 需在15埃左右。製达此^ R厂〕抗力的1層，妷膜厚度約 實施例中的㈣：：f 度的再現性不佳。然而，本 組成之蝴氮化物與碳形成—塗層，此低利^ 子放射與足夠的抗力，因此塗戶 ^ 了二有低人電 本實施例之塗層材料丨丨〇 4的严^丌予以增加。藉此， 真失目;度可以在15埃以上。 再多見弟11圖，本實施例之塗厣 氮化物或者與碳膜合併使用以得到丄：：蜀使用硼 芦材料1104 2:: 射。除此晶體構造外，本塗 層材枓11 04早獨使用硼氮化物或者與碳膜人 到比單獨使用碳膜時更好的抗力。 ':幵.吏用可以侍 例之塗層材料1104(如：單獨使用 一項優點，本實施 说你田、a ^ ^ 早獨使用蝴鼠化物或者與碳膜合 =用）與石墨具有相似的晶體構造，因此許多機械性質 大Γ Li::發明的另-個實施例1200。在 二二V支，、、、口構1 202包含最少—種下列材料··领化 物（b〇rideS)、奴化物（carbides)或氮化物（nitrides)。 和在此種實施例中，材料乃形成主要結構體（如：如燒 衣陶瓮結構體）。此類材料為特定化合物，其中成分包含

514948 五 發明說明（25) 硼石反或氮之—。例如：BN代+ _斤 例，使用硼化物、嫂彳卜)表硼釓化物。根據本實施 =的好處。例如二;；：： =隙壁結構有一些 具有下列特性：（i)此類 本、的”價鍵結強，因此 此類材料具有高融點、（111 j且機械強度高、（η) (i ν)此類材料且有嘗Α 匕頒材料具有高抗氧化性、 階的半導體、及（νΓ此6類材Hgap)j因此表現接近寬能 參見第13圖，所示為本笋明的有二部電阻。 實施例中，支持結構1 302上覆另—貫施例1300。在本 實施例中，間隙壁結構1 302以；；層材料(在-氮化物材料之—）。在 A取v包含硼化物、碳化物或 此材料形成—薄膜。此類 +::;;此種實施例中， 含硼、碳或氮之一。也丨Λ 為特疋化合物，其中成分包 例，使用爛化物、碳或氮化物。根據本實施 特定的好處。例如，此類材料f:為間隙壁結構有-些 具有下列特性…)此類材料貝=鍵广因此 此類材料具有高融點、（iil)】J =機械強度高、（⑴ (iv)此類材料具有寬能階化如^、具有尚抗氧化性、 能階的半導體、以及（v) =ρ) ’因此表現接近寬 ，本實施例之塗層材料13〇;同材槐科高、田有高内部電阻。另外 程的間隙壁結構1 302。此類製^於應用在使用不同製 鍍（Pulsed laser ablatlQn)j^匕括;例如，脈衝雷射蒸 外，大面積時可以利用化學相；貝-5亥材料薄膜。此 ③相沈和、賤鍍甚或是液態處

Μ 4948 五、發明說明（26) 理程序。 一 芩見第1 4圖，所不為本發明的另一實施例〗4 〇 〇。 實施例中，間隙壁結構1 402包含釋氧材料。參見第“ ，在一實施例中，間隙壁結構1 402的釋氧材料包含氧二 ，例如過氯酸鹽、過氧化物與硝酸鹽。選擇此類材料= 要準則為·· 1 )在釋放氧之前與之後高度隔絕，但备卜帝 荷，任何塗層材料通過進入間隙壁結構14〇2時，^电 此咼度隔絕。2)在密封過程的溫度（<4〇{rc)T = σ 3)在電子撞擊下只略微不穩定。4)可以採用濺铲方。 一層該材料的薄膜（約1〇〇埃）。 “、又式沈積 ^ a ' «C104^ ^i1 402 =表面氧損失並且藉由氧化去除：v的·^ 例之釋氧材料在密封過程中 ]万木本貫施 限中，在拉塞福散射電子撞擊；二:旦在燈管中壽命期 特定的例子，KC104在400艺下穩定漸刀解釋出氧氣。如一 再參見第1 4圖，在一實施例中， 具有—低SEEC，其上塗佈有 ς中^隙壁結構1402 氧材料則混合或置於該塗層材^科丄本實施例中的釋 隙壁結構“⑽其尚未塗佈有 ：。；-實施例中，間 隙壁表面之上。氧氣釋放的形式=氧材料則置 非氧氣分子。 式乂氣離子為佳，而 本發明的一個特色在於 失的氧氣，並可產生多餘的補足間隙壁結構1402所損 夕餘的乳氣以'，燃燒”去除間隙壁結構 514948 五、發明說明（27) 1 4 0 2中的碳污染（成為一氧化碳或二氧化碳）。所產生的— 氧化碳或二氧化碳氣體會被顯示器裝置中的吸收劑 (g e 11 e r )排除’殘餘過多的氧氣也同時排除。如本實施例 可局部的產生氧’優於將氧氣灌入顯示器裝置的背景氣體 中。局部氧氣的釋放乃與電子束通過的總量成比例，並大 致上與電子束所造成的損傷（氧氣損失與含碳層形成）相等 。氧活性在氧_子形式時較氧分子更大，氧分子在與間隙 壁結構1 402或污染源反應前，必須先在間隙壁結構14〇2的 表面先裂解。顯示器裝置中的背景氣體中無法留存大量氧 ，主要是因為會導致場發射器的劣化，同時吸收劑負載過 重而降低吸收其他污染源的能力。 參見第15圖，所示為本發明的另一實施例15〇〇。 ^施例：’間隙壁結構15G2上覆蓋—塗層材m5Q4 貫施例中，塗層材料15〇4包含釋氧材料。在一實施例=本 ?層:才料1,504的釋氧材料包含氧化劑，例如過氯酸鹽 氧化物與硝酸鹽。選擇此類材料的〃瓜 ° 氧之前與之後高度隔絕，但當防：以，為：1)在釋放 1 504通過進入間隙壁結構15〇2時，J 2壬何$層材料 2)在密封過程的溫度（<4〇〇。〇下穩定。而此高度隔絕。 不穩定。4)可以用濺鍍方式沈積一 電子^里擊下略微 埃）。 ' 廣该材料的薄膜（約1〇〇 更明確而言’在一實施例中，塗； 氯酸鹽，如KC104於薄層表面上。雜曰 料1 504包含一過 隙壁表面氧損失並且藉由氧化去 不只知例預防間 &表面的污染。本實施例

l〇12-3701-FF-ptd 第32頁 514948

之釋氧材料在密封過程中相當安定，但在燈管中壽命期限 中’在拉基福散射電子撞擊下逐漸分解釋出氧氣。如一特 定的例子，KC104在400 °c下穩定。 再參見第1 5圖，在一實施例中，氧氣釋放的形式以氧 離子為佳’而非氧氣分子。在本實施例中，塗層材料丨5 〇 4 的厚度應選擇在可以釋放足夠氧速率的最小厚度，以防止 改變組合之間隙壁（如一底層之間隙壁結構丨5 〇 2與一塗層 材料1 504 )在顯示器裝置的壽命期間之導電度。 參見第1 6圖，所示為本發明的另一實施例丨6 〇 〇。在本 實施例中，陶製材料或其他絕緣的間隙壁結構丨6〇2較金屬 的間隙壁結構可能會具有較高的二次電子放射係數 (SEECs)，主要是由於缺乏自由電子。本實施例組合之間 隙壁中包含藉由分佈含金屬的粒子以絕緣間隙壁結構 (如·間隙壁結構1 6 0 2 )，如1 6 0 4分佈於間隙壁結構1 β 〇 2 上，因此降低SEEC值。 參見第1 7圖，所示為含金屬粒子1 6 〇 4的側面圖。在本 實施例中，含金屬粒子1 604包含一金屬材料1 704的核心， 外面以一絕緣層1 7 〇 2隔絕電性，因此間隙壁結構丨6 〇 2的電 阻不會顯著的受到間隙壁結構1 60 2上的含金屬粒子1 604存 在的影響。在一實施例中，金屬材料1 7 0 4的核心在粉末冶 金中’直徑約在1 0 0 0 - 1 〇 〇 〇 〇埃間。此外，在一實施例中， 絕緣層1 7 0 2的厚度約為2 0 - 2 0 0埃間。 最少有兩種方法可以製造本實施例中的含金屬粒子 1 6 0 4。在一實施例中，含金屬粒子丨6 〇 4乃將圓球型金屬粉

1012-3701-PF-ptd 第33頁 514948 五、發明說明（29) 末與氧氣或氮氣反應而成。含金屬粒子16〇4的3£：]£(：值即為 絕緣層1 702在低電壓下之值（當電子的穿透深度小於外層 之厚度）。然而，含金屬粒子16〇4的“阢值會接近金屬核 心1704在高電壓下之值（當電子的穿透深度大於外層之厚 度）。能量的躍遷主要取決於外層厚度。因此，為了控制 塗佈含金屬粒子的間隙壁結構的充電情形，必須要控制外 層厚度介於20至200埃間。 再參見第17圖，在一實施例中，含金屬粒子16〇4中的 金属核心材料1 704係選擇自由Si、Al、Ti、Cr、Zr、La、

Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 與Lu所組成之族群中。絕緣層17〇2乃將金屬核材料17〇4與 氧在控制的與時間與溫度下反應。在另一實施例中，含金 屬粒子1 6 0 4中的金屬核心材料1 7 0 4係選擇自由S i、A1、T i 、Cr、Zr、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、 H〇、Er、Tm、Yb與LU所組成之族群中，而絕緣層1 702乃將 金屬核材料1 7 〇 4與氮在控制的與時間與溫度下反應參見第 1 8圖’所示為含金屬粒子的另一實施例。在此實施例中， 自由電子經由將金屬注入多孔基質而引入，適合的基質結 構可以為沸石1 8 0 0，其設計為相連的啞鈴狀。例如：在一 典型的沸石1 800中，有足夠的空間可容納金屬團（1-8原 子）於°亞鈐的兩端頭部區域（方納石籠1802，Sodalite Cage) ’然而在啞鈐結構中間部位置（通道1 804)則無法容 '納金屬原子。因此結構1 800可以將個別的金屬團置於隔離 的區域中。

1012-3701-PF-ptd 第34頁 514948

五、發明說明（30) 另外，本實施例中，可以用其他不同的方法將含金 粒子1 604放置到支持結構1 602上。例如：含金屬粒子16〇4 可以利用浸泡塗佈或喷濺的技術塗佈於支持結構丨6〇2上。 當需要密集的含金屬粒子1 604時，含金屬粒子16〇4先分散 於一膠體溶液中，藉由控制乾燥的過程將其覆蓋於支持結 構1 602上。上述步驟需要配製一溶膠（s〇1)以穩定含金屬 粒子1 604外殼與此溶液間的表面能量。本技術的第二項優 點為，：含金屬粒子1 604的密集聚集，組成一種，，多孔塗佈 ，並且因為此種型態可以降低二次電子發射（$ E E C )。 此外’在一實施例中，考慮到一含金屬粒子丨6〇4至另

含金屬粒子1 6 0 4間的電流電弧（如：大量經過絕緣層的 穿隧電流），因此含金屬粒子16〇4均勻的形成表面塗層， 而並保持粒子間彼此不接觸的範圍。在此種實施例中，含 金屬粒子1 604的沈積密度約為平均的空間略大於含金屬粒 子1 6 0 4的直徑。藉由電泳的技術，可以得到密集的塗層 (> 5 0 %的面積覆蓋含金屬粒子1 6 〇 4 )，而同時仍可防止含 金屬離子的集結或聚積。在本實施例中，產生塗層的溶膠 可以在各含金屬粒子1 6 〇 4上保持一電荷，使得該些粒子以 順序或有規則的空間排列，而又不至於產生不規則或結 塊狀排列。

芩見第1 9圖，所示為本發明另一實施例1 900。Ce02在 真空或低壓下退火（anneal)時會損失氧。另外，電子在低 00 C下撞擊Ce〇2塗佈的支持結構時，同樣導致氧的損 失’並且顯著的降低支持結構的電阻率。

第35頁 1012-3701-PF-ptd 五、發明說明（31)

在本實施例中，+ & Γ A 佈上去的Ce〇2則作為二以增加Ce〇2的電阻率，而塗 中，Ce〇2與鑭系二;I材ϋ、。更明確…在-實施例 支持结橋η〇? ’夕 （Υ或1^寺）一起塗佈，此材料則為在 抑制c:o所有的、ί的塗層材料1 904。爛系離子（Y 等） 氧允也4雜1 ¥電性，只留下離子（金屬取代陰離子盥 虱工，立％離子）作為攜帶電荷者。 系離2施!: ’由於在塗層材料1 904上的鑭 斗旦^ 斤有払帶電荷的位置，則電阻不再對於氧氣 ^:丨掉乳空位濃度及/或氧分壓等因子敏感。因此，本實 也例2供了一種更穩定的用於支持結構的塗層材料19〇4、。 支令^一on實施例Ά〇2與^ 一起塗佈’此材料即為在 雷w ° 2之上的塗層材料1 904。Cr抑制Ce09所有的導 ^ ^二只留下離子（金屬取代陰離子與氧空位陽離子）作為 ;::巧者。由於在塗層材料19〇4上的⑽子補上了所二 ^何的位置，則電阻不再對於氧氣計量、氧空位濃度 氣分壓等因子敏感。因此，本實施例提供一更穩定 W叉待結構的塗層材料1 9 0 4。 立枉i另—實施例中，ce〇2與旧一起塗佈，此材料則為在 ♦陈…構1 902之上的塗層材料1 9〇4。Ni抑制Ce02所有的導 ^ 2 =留下離子（金屬取代陰離子與氧空位陽離子）作為 才崔*電荷者。由於在塗層材料上的Ni離子補上了所有 荷的位置，則電阻不再對於氧氣計量、氧空位濃度 %氧分壓等因子敏感。因此，本實施例提供一更穩定 、克持結構的塗層材料1 9 0 4。

514948 五、發明說明（32) 杏^參見第20圖，所示為本發明的另—實施例2〇〇〇。在本 Λ施例中，一種間隙壁結構2 〇 〇 2的主材料的選擇準則是粑 據生成的自由能（△(；)。當生成的自由能負值越大時，貝/ 此材料之系統越穩定。因此，當Δ(ί増加時，間隙壁鲈 2002的材料的降解也增加。另外，熱退火已知可用H文盖 =隙壁結構2002的穩定性。即使當支持結構議之材料; =穩定的熱力學性質（根據CRC參考手冊（CRC handb〇〇k)、 :的結晶材料資料），其他因子包括動力性質、溫度、對 勿的親和力、高電場' 電子束撞擊與該材“晶的 偏差寺都可能不同程度的增加降解的作用。 u在本實施例中，本實施例中，一種間隙壁結構2〇02的 主材料的選擇準則是根據其穩定性。如果所選擇的材料通 過此第一要求，則間隙壁結構20 0 2的選擇準則是基於電阻 率、電阻的溫度係數（TCR)、熱傳導係數（k)、SEECf。此 處所做的分析乃用於一單氧化物或非氧化物材料上。然而 ，本發明之實施例同樣可以用於兩材料甚或更多的系統。 — 參見第21圖，所示為本發明之另一實施例21〇〇ϊ在本 實施例中，一種間隙壁結構20 02下的塗層材料2 1〇4的選擇 準2是根據生成的自由能（△〇)。當生成的自由能負值越 大則塗層材料2 1 〇 4越穩定。因此，當△ g增加時，塗 層材料2 104的材料的降解也增加。另外，熱退火已知可用 於改善塗層材料2 1〇4的穩定性。即使當支持結構2〇〇2之材 料具有穩定的熱力學性質（基於CRC參考手冊（CRC handbook)中的結晶材料資料），其他因子包括動力性質、

1012-3701-PF-ptd 第37頁 514948

溫度、對碳氫化物的親和力、古+曰 料結晶的偏差等都可能不同=二^、電子束撞擊與該材 在本實施例中，本實的增加降解的作用。 選擇準則是根據其穩定性。如果所=:21°4的材料的 溫度係數⑽、熱傳導係數電阻率、電阻的 =用於一早乳化物或非氧化物材料上。然 只％例同樣可以用於兩材料甚或更多的系統。 熱退火可部分提升穩定性（經由部分結晶），而主材料 在南於退火的溫度下進杆虎& ^ 又Γ、仃庭理（燒結）可以達到形成一間隙 土…構，且同時為沈積塗層材料的更佳方式。 參見第22圖，所示為本發明的另一實施例22〇〇。本實 施例乃有關於控制組合的間隙壁之電阻率’乃藉由使用如 硼化物、奴化物與氮化物作為塗層材料2 2 〇 4，並沈積一 ΠΑ1Ν(或（Ti，Al)N與其他材料）之薄塗層，其沈積一於襯 底之支持結構2 2 0 2上。基質材料，如硼化物、碳化物與氮 化物與T i A 1 N的相對的莫耳濃度決定於其混合物之有效電 阻率。 再參見第2 2圖，硼氮化物具有相當多的良好特性，例 如：高電阻率、機械強度高、在溫度升高下仍可保持結構 上與化學性的完整，同時具有良好的抗氧化能力。在做為 支持結構上，硼氮化物可以達到所需的二次電子發射性質 要求。例如：在IkeV下的SEEC值為1. 8，與習知的支持結 構材料相同或更低。然而，經由測定，棚氣化物形成的溥

514948 五、發明說明（34) 膜的電阻率為1 〇12歐姆•公分（Q · cm)或更高，因此，也高 於此類應用上所需之值。本實施例提供了一種有效的與可 實施的方法以系統性的控制硼氮化物的電阻率，並同時保 持低SEEC值。 ,、 再參見第22圖，在一實施例中，TiAIN或（Ti，Al)N的 /專膜沈積在一爛氮化物層上，而該侧氮化物沈積於支持結 構2202之表面。在另一實施例中，（Ti，Al)N的薄膜沈積在 一蝴氮化物層上，而該硼氮化物沈積於支持結構22〇2之表 面。本實施例中的沈積是在氮氣分壓介於2〇-1 〇〇毫托耳 (mT0rr)下進行。1^]^與（14，人1川均具金屬性質，電阻率 在室溫下介於500-100微歐姆（#Q)間。此薄膜厚度由 300埃不等，而底層的硼氮化物厚度則介於5〇_2〇〇〇埃 雖然本實施例中提出上述尺寸大小，然而本發明仍可採 用其他不同的大小界限。 古 參見第22圖，在上述沈積步驟之後，整個的組成在升 巧的溫度下退火，以加速化學擴散。退火的溫度在5 〇 〇 一 9 0 〇 C之間，同時有氮氣存在。由於硼氮化物與鈦氮化物 的化學性質與結構均相當接近，因此會產生内擴散，可經 由拉塞福背散射光譜實驗確定。根據此擴散的結果，鈦原 ^取代了部分硼氮化物原子。然而，鈦為四價而硼為三 衾;敎與湖在電性結構上的不同則是造成電阻系統性地改 $之主要機制。在混合層中，多餘的可獲得電子也提供了 笔子的轉移途徑，因此降低了電阻率。更進一步的有系統 的改變則是經由仔細的調整混合在硼氮化物中的T i N的量

514948

在另一實施例中’塗層材料22〇4乃製備成TiN與卵的 多層，而非該兩材料的合~金。 在另一貫施例中’支持結構2 2 〇 2乃由陶瓷硼氮化物製 成，而该支持結構2 2 0 2的表面則塗佈一薄層的塗層材料 2 2 0 4鈦氮化物。此τ i N層則在一提高之溫度下退火，已將 T i N擴散至BN層，因此可得到一具有低電阻率的表層。例 如··此表層的電阻率可以從相當高的丨〇12歐姆φ公分降低 許多，降低的程度則視此TiN表層的厚度與退火的溫度而 定。本實施例中的兩種材料均價格低廉同時純度高，因此 本實施例很容易進行製造。 接著參見第2 3圖，所示為本發明的另一實施例2 3 〇 〇。 在本實施例中，襯底的支持結構2302上具有一塗層材 料2304塗佈其上，該塗層材料包含Nd2 03。Nd2 03具有多種性 質可以使此種材料用於絕緣成分，或用於表面塗佈以降低 在真空管應用時的二次電子放射。其最大的SEEC值為 1 · 8，而電阻率大於5· 0 X 1 〇1G歐姆•公分，並且在電子為 1 C / c m2在1 · 5 k V下仍然可以保持高電阻率。另外，本實施 例之Nd2 03 塗層材料23 04 的SEEC值低，在l大氣壓力下為單 原子價（single-valance)，以及化學穩定性（在H2中1100C 下不會有氧損失且只輕微的與濕氣反應）。 參見第24圖，所示為本發明的另一實施例2400。本實 施例中將塗層材料由兩種（binary)增加為三種（ternary )，以改進SEEC值、電阻率與電子束穩定性。更明確而

1012-3701-??.ptd 第40頁

言，在本實施例中，支持結構2402上具有一塗層材料2404 塗佈其上’該塗層材料乃選擇自CqO广、NdA_Mn〇與 - MnO所組成之三種系統中。利用本實施例之三種氧化 物可以經由結構與合金效果降低SEEC值、電阻率最佳化， 以及降低妷氫化物黏附於支持結構2 4 〇 2上。 芩見第25圖，所示為本發明的另一實施例2500。在本 發明中，支持結構250 2上覆蓋有一塗層材料25〇4。在本實 施例中，鱼層材料2 5 〇 4中包含金屬硫化物。更明確而言， 塗層材料2^04包含一金屬硫化物，係選擇自由Μ〇&與^所 組成之私群中。本實施例之塗層材料25〇4 2Seec值與金屬 樣低（δ最大接近1 )。在本實施例中，金屬硫化物乃做 為表面之，層，以降低在真空電子中的二次電子發射。另 外’在一貫施例中’金屬硫化物的塗層乃由氧化物塗層與 Hs S與&之混合物反應而成。 接著參見第26圖，所示為本發明之另一實施例26〇〇。 在本實，例中，支持結構26〇2上具有雙層的塗層材料26〇4 。在本實施例中，一雙層的塗層材料中包含第一層與第二 層其中Α和Β具有不同的電子密度，例如：以2〇3與叫〇3 。經由選擇適當厚度的與B層，本實施例可以得到一多層 塗層的SEEC值低於單獨的塗層A或塗層B。本實施例中的多 層塗層是依照一些既定原則進行，如：在一實施例中，塗 層材料26 04的結構設計為類似光學塗層，以降低鏡片的光 反射。在此，在多層塗層介面上的光反射受到破壞性的干 擾。因此，很少光線（電子）由鏡片（支持結構26〇2)中反射

1012-3701-PFptd 第41頁 514948

五、發明說明（37) 因此在高能量電子撞擊 。在本例中，該塗層如 子密度具有不連續變 一次電子的脫離長度下 (發射）。多層塗層以此方式製造， 下，較低能量的二次電子更易穿透 同單向玻璃，由於多重的介面之電 化，因此可以加強電子散射，使得 降且SEEC值較低。 仍茶見第26圖’在一實施例中，塗層材料26〇4在叫〇3 上包含雙層CrA。CrA不會黏附於碳氫化物，然而在塗層 厚度小於1〇〇埃時’則導電性太強。另一方面，ΜΑ符合 所有電阻率的要求，然而卻容易黏附於碳氫化物與水。因 此，在本貫施例中，CrJ3的薄膜（大約3〇埃）塗佈於一相對 車乂厚的N dg 〇3塗層上（大約1 0 〇埃）。在本實施例中，提供一 種塗層，具有更佳的電阻，對碳氫化物黏附性低，並更耐 的住潮濕。此外，本實施例中，雙塗層26〇4的總厚度足夠 達到降低充電效應的塗層。 上述實施例的另一項優點則是組合的間隙壁具有良妤 的穩定性。此即，本實施例除了可以將組合的間隙壁的所 有範圍之二次電子發射係數函數值調整至接近丨· 〇外，矣且 合的間隙壁置於電子撞擊下也不會嚴重的降解。由於不會 降解’組合的間隙壁不會顯著的污染場發射顯示裝置的^ 空環境。此外’在場發射顯示器密封的過程中，上述多個 實施例中的多種組合間隙壁材料可以先將污染的碳源清除 或清洗。同時，本發明之實施例中之組合的多種間隙壁材 料不會在場發射顯示器密封之後，有害的集結碳污染源、。 因此’許多本發明實施例不會造成跟碳有關的污染。

1012-3701-PF-ptd 第42頁 514948 五、發明說明（38) 因此，本發明提供一種組合的間隙壁，調整其所有範 圍之二次電子發射係數值在平面顯示器操作電壓下至接近 1. 0。本發明進一步提供一種可滿足上述需要的間隙壁， 並且在電子撞擊下不會嚴重降解。本發明尚提供一種可以 滿足上述條件，並同時不會造成平面顯示器的真空環境顯 著污染的間隙壁，或者釋出污染在可容許的範圍内。 以上所述本發明之特定實施例是藉以解說與闡明本發 明，而並非據以限制本發明於所揭露的内容。而根據本發 明所述，可以進行許多修改與變動。本發明所選擇之實施 例乃為了適切的表達本發明之精神與實際應用，因此，熟 習該領域的人士均可根據前述說明之内容，進行其他變化 或更動。因此，本發明範圍限制於申請的專利範圍内或其 均等者。

1012-3701-?F-ptd 第43頁

Claims (1)

1. 7L 案號 90100837 六、申請專利範圍 補充 1. 一種平面顯示器，其舍人一 ' 一背板與一面板間以支持节3 、，且a的間隙壁，適用於 置於平面顯示器操作電壓板與該背板之間的應力，在 提供該組合的間隙壁之二次畲°亥、，且σ的間隙壁调整至可 的間隙壁更包含-間隙發射係數約為1，該組合 2. 如申請專利範圍第i項所述之平， 組合的間隙壁用於一場發射顯示裝置中。-中戎 紐人3.如申°月專利範圍第1項所述之平面顯示器，其中該 、、且a的間隙壁包含於一平 含·· 十面顯不裝置中，該平面裝置更包 一面板；以及 四一背板置放於該面板背面，該面板與該背板在一密封 ，％境下互相連結，因此在該面板與該背板間存在一低壓 區；其中該組合的間隙壁置於該密封的環境下，而盆 應力作用於該密封環境中。 八 Μ 4·如申請專利範圍第1、2或3項所述之平面顯示器， 其中該組合的間隙壁進一步包括··一塗層材料塗 w 隙壁結構上至少一部份。 於違間 5 ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 ^隙壁結構選擇自由壁斷片、杆柱、十字形、釘栓、片μ ^ Τ型物件、間隙壁與支持結構所組成之族群中。 6·如申請專利範圍第丨、2或3項所述之平面顯示器， 其中該間隙壁結構包含鋁塗佈於氧化铈上。 °° 如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 第44頁 l〇12-37〇l-PFi.ptc 514948 年 案號 90100837 六、申請專利範圍 塗層材料包含一成層材料。 8·如申請專利範圍第7項所述之平面顯示器，其中該 成層材料與其基板平面平行於該間隙壁結構之一面。 9·如申請專利範圍第7項所述之平面顯示器，其中該 成層材料為半金屬。 ^ ~ I 〇·如申請專利範圍第7項所述之平面顯示器，其中该 成層材料選擇自由石墨、Μ〇^與MoSeg所組成之族群中。^ II ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中今 塗層材料包含一種具有ΑΒ〇3組成的金屬氧化物，苴中' ^ 為過渡金屬。 一 β 12·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中談 塗層材料包含一種具有〜8〇4組成的金屬氧化物，1 ^ ^ 為過渡金屬。 ，、與β 1 3 ·如申請專利範圍第丨丨項所述之平面顯示器，盆 該過渡金屬Α與Β以交替的價數混合。 八 1 4 ·如申請專利範圍第丨3項所述之平面顯 該塗層材料包含uxBa(1_x)Ti〇3。 丁％其中 1 5 ·如申請專利範圍第11項所述之平面顯示器，其 該過渡金屬A與B具有相同的價數，同時在能階中呈右、一 的能量未佔據組態。 不同 1 6·如申請專利範圍第丨5項所述之平面顯示器，i 該塗層材料包含SrTiJi^yTi%。 w -中 1 7 ·如申請專利範圍第丨丨項所述之平面顯示器，1 該過渡金屬A與B之原子具有不同的尺寸同時在相同的、晶中格

   1012-3701-PFl.ptc 第45頁 514948 案號 90100M7 六、申請專利範圍 位置混合。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述之平面顯示器，其中 該塗層材料包含UxY(i x)Cr〇3。 时" 其中該 • 1 9·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器 塗層材料包含硼氮化物。 其中該 、、2 0 ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器 塗層材料包含硼氮化物與碳之組合。 其中 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之平面顯示器 該硼氮化物沈積厚度大於15埃。 W 其中 爭22·如申請專利範圍第2〇項所述之平面顯示器 該硼氮化物與碳之組合沈積厚度大於15埃。σ 23·、如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 二Λίΐ材料包含最少一種材料選擇自由硼化物、氮化物盥氮 化物所組成之族群中。 ^ 装^ ·如申明專利範圍第1、2或3項所述之平面顯示器， :儿ΐ間隙壁結構包含最少一種材料’選擇自由爛化物、 鼠化物與氮化物所組成之族群中。 + \如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 2:如包含一釋氧材料。 該釋材"°料申^\利化範劑圍第25項戶斤述之平面顯示器’其中 兮炎u如申請專利範圍第25項所述之平面顯示器，其中 破堂層材料選遮ώ 之於群中 、禪自由過氯酸鹽、過氧化物與硝酸鹽所組成 1012-3701-PFl.ptc 第46頁 修正

   案號 90100837 申請專利範圍 > 28·如申請專利範圍第“項所述之 該塗層材料包含KCl〇4。 ·、、、”-，其中 盆中申請專利範圍第1、2或3項所述之平面顯亍秀 其中遠間隙壁結構包含一釋氧材料。 卸頌不益， 兮釋專利範圍第29項所述之平面顯示器，复中 ”亥釋乳材料為一氧化劑。 π其中 嗜門3}辟如利範圍第29項所述之平面顯示器，复中 1 0 ί 土、，、口構選擇自由過氣酸鹽、過氧化物與確酸鴎冉^ 成之族群中。 ”月S夂鹽所組 其中 其中該 其中 32·如申請專利範圍第29項所述之平面 該間隙壁結構包含KCl〇4。 丁裔 、、33·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器， 塗層材料包含一經隔離的含金屬粒子。 > _34·如申請專利範圍第33項所述之平面顯示器，发 汶隔離的含金屬粒子包一有部分被隔 屬核心。 "復盖的金 ▲ _ 35·如申請專利範圍第34項所述之平面顯示器，复 ^隔離層具有一足夠之厚度，該庳度可以在低入射電匕 量或低平面顯示器操作電壓下，電子不會穿透該隔離層月Γ 36·如申請專利範圍第34項所述之平面顯示器，复曰 雜 JS 目士 ^ β 疮 Ί5Γ 、,丄 i "" Τ ，隔離層具有一足夠之厚度，該摩度可以在高入射電子能 置或高平面顯示器操作電壓下，電子會穿透該隔離層。犯 37·如申請專利範圍第34項所述之平面顯示器，复中 該隔離層厚度約為20-20 0埃。 、

   、申請專^ 該金3屬8. b申請專利範圍第34項所述之爭面顯示器’其中核心之直徑約1 0 0 0 - 1 0 0 0 0埃。 兮Λ9· ^申請專利範圍第34項所述之爭面顯示器，其中二、、屬核心選擇自由Si、Al、Ti、cr、Zr、La、Ce、Pr、 Nd、Pm ‘ - T— Yb 與Lu 所組 Pm、sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm 战之族群中。 4〇· 士〇申請專利範圍第34項所述之平面顯器，其中 該搞離層包含選擇自由Si、A1、Ti A、Zf、U、Ce、Pr d P®、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H〇、Er Tm、Yb 與Lu 所 組成之埃群中之材料與氧反應之化合物。一 士 /1.如申請專利範圍第34項所述之平面顯不器，其中 該隔離層包含選擇自由Si、A1、Ti、Cr、Zr、La、Ce、Pr 、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、、Er、Tm、Yb 與1^ 所 組成之族群中之材料與氮反應之化合物。 、42·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器， 塗層材料包含一金屬材料嵌入一多孔基質中。 4 3 ·如申請專利範圍第4 2項所述之平面顯示器 該金屬材料嵌入之該多孔基質為一沸石結構。 ^ 44·如申請專利範圍第33項所述之平面顯示器 5亥隔離的含金屬粒子浸泡塗佈於該間隙壁結構上。 45·如申請專利範圍第33項所述之平面顯示器 邊隔離的含金屬粒子噴灑塗佈於該間隙壁結構上。 46·如申請專利範圍第33項所述之平面顯示器，其中 該隔離的含金屬粒子在塗佈於該間隙壁結構時，係懸浮於 其中該 其中 其中 其中

   1012-3701-PFl.ptc 第48頁 Μ 4948 _案號 90100837 年 六、申請專利範圍 一膠體溶液中。 一 4 7 ·如申請專利範圍第3 3項所述之平面顯示器，其中 該隔離的含金屬粒子塗佈於該間隙壁結構上，而該隔離的 含金屬粒子大體上彼此分開。 48·如申請專利範圍第42項所述之平面顯示器，其中 經該金屬材料嵌入之該多孔基質浸泡塗佈於該間隙壁結構 上。 4 9 ·如申請專利範圍第4 2項所述之平面顯示器，其中 經該金屬材料嵌入之該多孔基質喷灑塗佈於該間隙壁結構 上。 一。50·如申請專利範圍第42項所述之平面顯示器，其中 經該金屬材料嵌入之該多孔基質在塗佈於該間隙壁結構 時，係懸浮於一膠體溶液中。 一 > 5 1.如申請專利範圍第42項所述之平面顯示器，其中 經讀金屬材料嵌入之該多孔基質塗佈於該間隙壁結構上， 而邊金屬材料嵌入之該多孔基質中之相鄰粒子大體上彼此 分開。 5 2 ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 塗層材料包含Ce〇2與鑭系離子一起塗佈，使得在該平面顯 不裝置操作下所產生的與氧有關的因子變化下，該塗層材 料的電阻率仍保持穩定。 、5 3 ·如申请專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 塗層材料包含Ce〇2與cr離子一起塗佈，使得在該平面顯示 裝置操作下所產生的與氧有關的因子變化下，該塗層材料

   1012-3701-PFl.ptc 第49頁

   月 曰 修正 ，〜㈧、ΊΜ ^ /C ° 、、 5 4 ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 塗層材料包含Ce〇2與…離子一起塗佈，使得在該平面顯示 裝置操作下所產生的與氧有關的因子變化下，該塗層材料 的電阻率仍保持穩定。 5 5 ·如申請專利範圍第1、2與3項所述之平面顯示器， 其中該間隙壁結構乃選擇自一種材料，其選擇乃考慮製成 該間隙壁結構材料的△G。 56·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 塗層材料乃選擇自一種材料，其選擇乃考慮製成該塗層材 料的△ G。 5 7 ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 塗層材料包含一 TiN層經熱退火沈積於一硼氮化物層上。 5 8 ·如申請專利範圍第5 7項所述之平面顯示器，其中 該ΤιΝ層沈積於該硼氮化物層上的厚度約為10-300埃。 5 9 ·如申請專利範圍第5 7項所述之平面顯示器，其中 該侧氮化物層的厚度約為50-2000埃。 6 0 ·如申請專利範圍第π項所述之平面顯示器，其中 該T i Ν層在氮氣存在的情況下沈積於該硼氮化物層上。 61·如申請專利範圍第項所述之平面顯示器，其中 該TiN層在氮氣分壓約為2〇_1〇〇毫托耳存在的情況下沈積 於該硼氮化物層上。 6 2 ·如申請專利範圍第5 7項所述之平面顯示器，其中 該TiN層與該硼氮化物層的退火温度約50 0-90 0 °C。

   1012-3701-PFl.ptc 第50頁 514948 __ 案號 90100837 _年 且_修正 ____^ 六、申請專利範圍 6 3 ·如申請專利範圍第6 2項所述之平面顯示器，其中 該T i N層與該硼氮化物層在氮氣存在下的退火溫度約 500-900 〇C。 6 4 ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 塗層材料包含一 TiAl層經熱退火沈積於一硼氮化物層上。 6 5 ·如申請專利範圍第6 &項所述之平面顯示器，其中 該TiAl層沈積於該硼氮化物層上的厚度約為1〇 —300埃。 66·如申請專利範圍第64項所述之平面顯示器，其中 該棚氮化物層的厚度約為5〇_2〇〇〇埃。 67·如申請專利範圍第64項所述之平面顯示器，其中 該TiAl層在氮氣存在的情況下沈積於該硼氮化物層上。 68·如申請專利範圍第67項所述之平面顯示器，其中 該TiAl層在氮氣分壓約為20-100毫托耳存在的情況下沈積 於該硼氮化物層上。 6 9·如申請專利範圍第64項所述之平面顯示器，其中 該TiAl層與該硼氮化物層的退火溫度約500 —90 0 °C。 70·如申請專利範圍第69項所述之平面顯示器，其中 該TiAl層與該硼氮化物層在氮氣存在下的退火溫度約 500-900 〇C 〇 71 ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，其中該 塗層材料包含一 T i N層覆蓋於一硼氮化物層上。 72·如申請專利範圍第71項所述之平面顯示器，其中 該TiN層的厚度約為1〇 —3〇〇埃。 7 3 ·如申請專利範圍第7丨項所述之平面顯示器，其中

   1012-3701-PFl.ptc ^ ^ 第51頁 514948 案號 90100M7

   六、申請專利範圍 该颁氮化物層的厚度約為5 〇 — 2 〇 〇 〇埃。 74. 如申請專利範圍第4項所述之 塗層材料包含一 TlAl層覆蓋於一硼氮化：層員：益 75. 如申請專利範圍第74項所述之平面 該TiAl層的厚度約為1〇-3〇〇埃。 ’w 二^6·如申請專利範圍第74項所述之平面顯示器 該侧氮化物層的厚度約為5 〇 - 2 〇 〇 〇埃。 77·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器 間隙壁結構包含一陶瓷製硼氮化物。 • 78·如申請專利範圍第77項所述之平面顯示器，其中 該塗層材料包含一TiN層經埶退火沈積於一陶瓷製硼氮化 物間隙壁結構。 79·如申請專利範圍第了8項所述之平面顯不器，其中 該TiN層在該陶瓷製硼氮化物間隙璧詰構沈積的厚度約為 10-300 埃。 其中該 其中 其中 其中該 8〇·如申請專利範圍第4項所述之爭面顯示器’其中 塗層材料包含Nd2〇3。 一抑 81.⑹申請專利範圍第*項所述之平：顯=’其中 =材料包含—材料選擇則由心、_ Mm與 CqOdJnO所組成之炷 82如申咬產 群中。 爭面顯示器，其中 # ^ 4 · 士申明專利範圍第4項所述 、日=料包含一金屬硫化物。 肀面顯示器，其t 該金屬访如申請專利範圍第82項戶斤述^族群中。 、'丨L化物選擇自MoS2與fS2所餌成

   Μ 4948 Mlt 901Q0Sri7 六、申請專利範圍 年 8 4 ·如申請專利範圍第8 2項所述之平面顯示器 該金屬硫化物由一氧化物塗層與H2s與H2反應而得 8 5 ·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器 塗層材料由一第一層材料與一第二層材料所組成 第一層材料與該第二層材料具有不同的電子密度 、86·如申請專利範圍第4項所述之平面顯示器，六τ 塗層材料由一包含Cr2〇3的第一層材料與一包含Nd2 03的第 層材料所組成。 87·如申請專利範圍第86項所述之平面顯示器，其中 該包含Ci：2〇3的第一層材料的厚度約3〇埃。 )88·如申請專利範圍第86項所述之平面顯示器，其中 该包含Nd2〇3的第二層材料的厚度約丨〇〇埃。 其中 其中該其中該 其中該 1012-3701-PFl.ptc 第53頁