KR20070044586A - 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스 - Google Patents

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KR20070044586A
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Abstract

본 발명은 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명은 전자 방출 유닛이 제공되는 제1 기판과, 발광 유닛이 제공되는 제2 기판 사이에 배치되어 제1 기판과 제2 기판의 간격을 유지시키는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서, 모체와, 이 모체의 측면에 형성되는 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층은 상기 전자 방출 유닛 또는 발광 유닛에 접촉하는 부위의 두께가 적어도 상기 모체의 중심부에 형성되는 부위의 두께보다 두껍게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서를 제공한다.
전자 방출, 스페이서, 모체, 코팅층, 가변

Description

스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스 {SPACER AND ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE HAVING THE SPACER}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스 중 스페이서, 집속 전극 및 제2 절연층의 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 스페이서, 집속 전극 및 제2 절연층의 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 스페이서, 집속 전극 및 제2 절연층의 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 스페이서, 집속 전극 및 제2 절연층의 확대 단면도이다.
본 발명은 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로 서, 보다 상세하게 진공 용기를 구성하는 두 기판 사이에 배치되어 기판의 간격을 유지시키는 스페이서의 코팅층에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류될 수 있다.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; 이하 'FEA'라 함)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; 이하 'SCE'라 함)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; 이하 'MIM'이라 함)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; 이하 'MIS'라 함)형 등이 알려져 있다.
상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때, 금속이나 반도체로부터 공급되는 전자가 터널링(tunneling) 현상에 의하여 절연층을 통과하여 상부 금속에 도달하고, 도달한 전자 중 상부 금속의 일함수(work function) 이상의 에너지를 가지는 전자가 상부 전극으로부터 방출되는 원리를 이용한다.
상기 SCE형 전자 방출 소자는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
상기 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.
즉, 통상의 전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 더불어 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하여 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 화소별 전자 방출의 온/오프와 전자 방출량을 제어한다. 그리고 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 한다.
상기 전자 방출 표시 디바이스는 진공 용기 내부에 다수의 스페이서를 구비한다. 이 스페이서는 제1 기판과 제2 기판의 간격을 일정하게 유지시키며, 진공 용기의 내, 외부 압력 차이에 의한 기판의 변형과 파손을 방지하는 역할을 한다.
한편, 스페이서는 전자의 흐름이 지속적으로 발생하는 진공의 내부 공간에 노출되어 전자 방출부에서 방출되는 전자들과 충돌하게 되며, 이러한 지속적인 전자들의 충돌은 스페이서를 양(+) 또는 음(-) 전하로 대전(charging)시킨다. 이와 같이 대전된 스페이서는 전자 방출부에서 방출되는 전자들의 경로를 왜곡시켜 전자 방출 표시 디바이스의 색 재현율 및 휘도를 떨어트린다.
상기와 같은 스페이서의 대전 현상을 방지하기 위해 종래 스페이서에 코팅층을 부가하고, 이 코팅층을 전극과 접촉시켜 스페이서에 대전된 전하를 외부로 통전시키는 기술이 개시된바 있으나, 이러한 코팅층은 통상 1 ㎛ 이내의 두께를 가지므로 두께가 너무 얇아 전극과의 전기적 접촉이 잘 이루어지지 않는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 스페이서의 측면에 형성되는 코팅층의 두께를 가변시켜 통전 효율을 최대화할 수 있는 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스를 제공함에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 전자 방출 유닛이 제공되는 제1 기판과, 발광 유닛이 제공되는 제2 기판 사이에 배치되어 제1 기판과 제2 기판의 간격을 유지시키는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서, 모체와, 이 모체의 측면에 형성되는 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층은 상기 전자 방출 유닛 또는 발광 유닛에 접촉하는 부위의 두께가 적어도 상기 모체의 중심부에 형성되는 부위의 두께보다 두껍게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서를 제공한다.
또한, 상기 코팅층은 상기 발광 유닛에 접촉하는 상부 코팅층과, 상기 전자 방출 유닛에 접촉하는 하부 코팅층 및 상기 상부 코팅층과 하부 코팅층을 연속적으 로 연결하는 중심부 코팅층으로 이루어진다. 여기서, 상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 두께는 상기 중심부 코팅층과의 연결부에서 상기 모체의 일 단부로 갈수록 점진적으로 두껍게 형성될 수 있다.
또한, 상기 모체는 실질적으로 일정한 두께를 가지며 형성되고, 상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 두께가 가변될 수 있다.
또한, 상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 두께 증가율은 일정하거나 증가할 수 있다.
또한, 상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층이 형성되는 부위의 모체 두께는 그 일 단부로 갈수록 점진적으로 얇게 형성될 수 있다. 이때, 상기 스페이서의 전체적인 두께는 일정하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 모체의 두께 감소율은 일정하거나 증가할 수 있다.
또한, 상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층과 상기 중심부 코팅층은 하기 조건을 만족할 수 있다.
T2 / T1 ＜ 5
여기서, T1은 상기 중심부 코팅층의 두께를 말하고, T2는 상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 최대 두께를 말한다.
또한, 상기 코팅층은 크롬 옥사이드(Cr2O3), 타이타늄 나이트라이드(TiN), 지르코늄 옥사이드(ZrO2) 및 다이아몬드상 탄소(DLC)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 스페이서를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다. 보다 구체적으로 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 서로 대향 배치되어 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛과, 상기 제2 기판에 제공되는 발광 유닛과, 상기 전자 방출 유닛과 상기 발광 유닛 사이에 배치되는 스페이서를 포함하며, 상기 스페이서는 모체와, 이 모체의 측면에 형성되는 코팅층으로 이루어지고, 상기 코팅층은 상기 전자 방출 유닛 또는 발광 유닛에 접촉하는 부위의 두께가 적어도 상기 모체의 중심부에 형성되는 부위의 두께보다 두껍게 형성된다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스 중 스페이서, 집속 전극 및 제2 절연층의 확대 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.
이 기판들 중 제1 기판(2)에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되는 전자 방출 유닛이 제공되고, 이 전자 방출 유닛은 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스를 구성한다. 전자 방출 디바이스는 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공되는 발광 유닛과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.
먼저 전자 방출 유닛에 대해 살펴보면, 제1 기판(2) 위에는 전자 방출부(6)와, 이 전자 방출부(6)의 전자 방출량을 제어하는 구동 전극이 형성된다. 여기서, 구동 전극은 캐소드 전극(8)과 게이트 전극(10)으로 구성될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(8)은 제1 기판(2)의 일 방향(도 1에서 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있고, 캐소드 전극(8) 상부에는 제1 기판(2) 전체를 덮는 제1 절연층(12)이 형성된다. 이 제1 절연층(12) 위에는 게이트 전극(10)이 캐소드 전극(8)과 직교하는 방향(도 1에서 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있다.
본 실시예에서 캐소드 전극(8)과 게이트 전극(10)의 교차 영역마다 캐소드 전극(6) 위로 하나 이상의 전자 방출부(6)가 형성되고, 제1 절연층(12)과 게이트 전극(10)에는 각 전자 방출부(6)에 대응하는 개구부(122, 102)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(6)가 노출되도록 한다.
도면에서는 전자 방출부들(6)이 원형으로 형성되고, 캐소드 전극들(8)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였으나, 전자 방출부(6)의 평면 형상, 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않는다.
전자 방출부(6)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가 령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(6)로 사용 바람직한 물질로는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 플러렌(C60), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있다.
한편, 상기에서는 제1 절연층(12)을 사이에 두고 게이트 전극(10)이 캐소드 전극(8) 상부에 위치하는 구조를 설명하였으나, 그 반대의 경우, 즉 캐소드 전극이 게이트 전극의 상부에 위치하는 구조도 가능하다. 이 구조에서는 전자 방출부가 캐소드 전극의 일측면과 접촉하며 절연층 위에 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 집속 전극을 더욱 포함할 수 있으며, 집속 전극(16)은 제2 절연층(14)을 사이에 두고 게이트 전극(10) 상부에 형성된다.
제2 절연층(14)과 집속 전극(16) 역시 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(6)가 노출되도록 하는 각각의 개구부(142, 162)를 형성하는데, 상기 개구부(142, 162)는 일례로 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역당 하나씩 형성될 수 있다. 집속 전극(16)은 제2 절연층(14) 위에서 제1 기판(2) 전체에 형성되거나, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.
다음으로 발광 유닛에 대해 살펴보면, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(18)과 더불어 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(20)이 형성되고, 형광층(18)과 흑색층(20) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어지는 애노드 전극(22)이 형성된다.
애노드 전극(22)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 전자가속 전극으로 기능하며, 형광층(18)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.
한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극은 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 형성하는 구조도 가능하다.
그리고 제1 기판(2)의 전자 방출 유닛과 제2 기판(4)의 발광 유닛 사이에는 스페이서들(24)이 배치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 간격을 일정하게 유지시킨다. 스페이서들(24)은 형광층(18)을 침범하지 않도록 흑색층(20)에 대응하여 위치한다.
본 발명의 실시예에서 스페이서(24)는 모체(26)와 이 모체(26)의 측면에 형성되면서 그 두께가 가변되는 코팅층(28)으로 구성된다.
모체(26)는 세라믹 또는 유리(glass)로 이루어질 수 있으며, 원기둥형, 사각 기둥형, 벽체형 등 다양하게 형성될 수 있다. 도면에서는 일례로 벽체형 모체를 도시하였다.
코팅층(28)은 도 2에 도시된 바와 같이, 애노드 전극(22)에 접촉하는 상부 코팅층(282)과, 집속 전극(16)에 접촉하는 하부 코팅층(284) 및 상부 코팅층(282)과 하부 코팅층(284)을 연속적으로 연결하는 중심부 코팅층(286)으로 이루어진다.
도 3에 도시된 바와 같이, 하부 코팅층(284)은 그 두께가 중심부 코팅층 (286)과의 연결부에서 모체의 일 단부 즉, 집속 전극(16)과의 접촉부로 갈수록 점진적으로 두꺼워진다. 즉, 하부 코팅층(284)은 적어도 중심부 코팅층(286)의 두께보다 두껍게 형성되어 집속 전극(16)과의 접촉 면적을 늘려 코팅층의 접촉 저항을 감소시킨다.
상부 코팅층(282)도 하부 코팅층(284)과 마찬가지로 중심부 코팅층(286)과의 연결부에서 애노드 전극(22)과의 접촉부로 갈수록 점진적으로 두껍게 형성될 수 있으며, 후술할 하부 코팅층의 두께 변화율 및 재질도 동일하게 적용될 수 있다.
하부 코팅층(284)의 최대 두께(T2)는 중심부 코팅층(286)의 두께(T1)보다 최대 5배까지 크게 형성될 수 있다. (T2 / T1 ＜ 5) 하부 코팅층(284)의 최대 두께가 중심부 코팅층(286)의 두께보다 5배 이상이 되면, 공정상 어려움이 있고, 스페이서 로딩시 하부 코팅층(284)이 깨질 수 있기 때문이다.
그리고, 하부 코팅층(284)은 크롬 옥사이드(Cr2O3), 타이타늄 나이트라이드(TiN), 지르코늄 옥사이드(ZrO2), 다이아몬드상 탄소(DLC) 및 이들의 조합 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 하부 코팅층(284)의 두께는 두께 증가율이 일정하도록 가변될 수 있다. 즉, 하부 코팅층(284)의 단면 형상이 선형적으로 가변될 수 있다.
이와 같이, 코팅층(28)은 모체(26)의 측면에 형성되면서 애노드 전극(22)과 집속 전극(16)에 접촉하고, 집속 전극(16)과 애노드 전극(22) 간에 코팅층(28)을 통한 미세 전류의 흐름이 형성된다. 이때, 상부 코팅층(282)과 하부 코팅층(284)의 두께가 집속 전극(16) 및 애노드 전극(22)측으로 갈수록 점진적으로 두꺼워지므로 코팅층의 저항은 감소하게 되고, 이에 따라 코팅층을 통한 전류의 흐름은 원할하게 형성된다.
상기와 같은 코팅층은 e-beam 증착, 스퍼터, 도금 등의 방법으로 형성될 수 있으며, 이때 별도의 마스크를 이용하여 코팅층의 두께가 가변되게 형성시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 스페이서, 집속 전극 및 제2 절연층의 확대 단면도로서, 하부 코팅층(288)의 두께 증가율이 증가하여 그 단면 형상이 곡선을 이루는 모습을 보여준다.
상기 실시예에서는 모체(26)의 두께가 일정하게 형성되면서 하부 코팅층(284, 288)이 가변되는 경우에 대해서 살펴보았으나, 본 발명은 모체의 두께를 가변시켜 하부 코팅층의 두께를 변화시키는 경우에도 적용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 스페이서, 집속 전극 및 제2 절연층의 확대 단면도이고, 도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 스페이서, 집속 전극 및 제2 절연층의 확대 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 스페이서(30)는 하부에 그 두께가 일 단부로 갈수록 점전적으로 얇아지는 모체(32)와, 모체(32)의 측면에 형성되면서 전체적인 스페이서 두께(T3)를 일정하게 형성하는 코팅층(34)을 구비한다. 이에 따라, 모체(32)의 하부에 형성되는 하부 코팅층(342)의 두께는 모체(32) 두께의 감소율만큼 증가하게 된다. 모체(32)의 두께는 도시된 바와 같이, 그 두께 감소율이 일정하게 형성되어 그 단면 형상이 선형적으로 가변될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 모체(36)의 두께 감소율은 증가하여 모체의 하부 단면 형상은 곡선을 이룰 수 있다.
한편, 상기에서는 FEA형 전자 방출 소자들로 이루어진 전자 방출 표시 디바이스에 대해 설명하였으나, 본 발명은 FEA형 구조에 한정되지 않고 그 이외의 다른 전자 방출 소자 즉 SCE형, MIM형 및 MIS형 전자 방출 소자 등에도 적용 가능하다.
또한, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서는 가변되는 코팅층을 구비함으로써, 코팅층과 집속 전극 또는 애노드 전극과의 접촉 면적을 증가시켜 각 전극과의 전기적 접촉 불량을 최소화하며, 이에 따라 스페이서의 통전 효율을 향상시켜 이차전자 등을 코팅층을 통하여 외부로 원활하게 방전(discharging)시킬 수 있다.

Claims (16)

  1. 전자 방출 유닛이 제공되는 제1 기판과, 발광 유닛이 제공되는 제2 기판 사이에 배치되어 제1 기판과 제2 기판의 간격을 유지시키는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서에 있어서,
    상기 스페이서는 모체와, 이 모체의 측면에 형성되는 코팅층을 포함하고,
    상기 코팅층은 상기 전자 방출 유닛 또는 발광 유닛에 접촉하는 부위의 두께가 적어도 상기 모체의 중심부에 형성되는 부위의 두께보다 두껍게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 코팅층은 상기 발광 유닛에 접촉하는 상부 코팅층과, 상기 전자 방출 유닛에 접촉하는 하부 코팅층 및 상기 상부 코팅층과 하부 코팅층을 연속적으로 연결하는 중심부 코팅층으로 이루어지고,
    상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 두께가 상기 중심부 코팅층과의 연결부에서 상기 모체의 일 단부로 갈수록 점진적으로 두껍게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서.
  3. 서로 대향 배치되어 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과;
    상기 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛과;
    상기 제2 기판에 제공되는 발광 유닛과;
    상기 전자 방출 유닛과 상기 발광 유닛 사이에 배치되는 스페이서를 포함하며,
    상기 스페이서는 모체와, 이 모체의 측면에 형성되는 코팅층으로 이루어지고,
    상기 코팅층은 상기 전자 방출 유닛 또는 발광 유닛에 접촉하는 부위의 두께가 적어도 상기 모체의 중심부에 형성되는 부위의 두께보다 두껍게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 코팅층은 상기 발광 유닛에 접촉하는 상부 코팅층과, 상기 전자 방출 유닛에 접촉하는 하부 코팅층 및 상기 상부 코팅층과 하부 코팅층을 연속적으로 연결하는 중심부 코팅층으로 이루어지고,
    상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 두께가 상기 중심부 코팅층과의 연결부에서 상기 모체의 일 단부로 갈수록 점진적으로 두껍게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스용 스페이서.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 모체는 실질적으로 일정한 두께를 가지며 형성되고,
    상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 두께가 가변되는 전자 방출 표시 디바 이스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 두께 증가율이 일정한 전자 방출 표시 디바이스.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 두께 증가율이 증가하는 전자 방출 표시 디바이스.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층이 형성되는 부위의 모체 두께가 그 일 단부로 갈수록 점진적으로 얇게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 스페이서의 두께가 일정하게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 모체의 두께 감소율이 일정한 전자 방출 표시 디바이스.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 모체의 두께 감소율이 증가하는 전자 방출 표시 디바이스.
  12. 제4항에 있어서,
    상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층과 상기 중심부 코팅층이 하기 조건을 만족하는 전자 방출 표시 디바이스.
    T2 / T1 ＜ 5
    여기서, T1은 상기 중심부 코팅층의 두께를 말하고, T2는 상기 상부 코팅층 또는 하부 코팅층의 최대 두께를 말한다.
  13. 제4항에 있어서,
    상기 코팅층은 크롬 옥사이드(Cr2O3), 타이타늄 나이트라이드(TiN), 지르코늄 옥사이드(ZrO2) 및 다이아몬드상 탄소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  14. 제3항에 있어서,
    상기 전자 방출 유닛은,
    상기 제1 기판 위에 서로 절연되어 위치하는 캐소드 전극 및 게이트 전극과;
    상기 캐소드 전극과 연결되는 전자 방출부; 및
    절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 및 게이트 전극 상부에 형성되는 집속 전극을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 스페이서가 상기 집속 전극 위에 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 플러렌(C60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100092216A (ko) * 2009-02-12 2010-08-20 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP2011175878A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Canon Inc 発光基板とその製造方法、及び該発光基板を用いた表示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5726529A (en) * 1996-05-28 1998-03-10 Motorola Spacer for a field emission display
US6506087B1 (en) * 1998-05-01 2003-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Method and manufacturing an image forming apparatus having improved spacers
JP3073491B2 (ja) * 1998-06-24 2000-08-07 キヤノン株式会社 電子線装置とこれを用いた画像形成装置及び電子線装置で用いる部材の製造方法
JP4115051B2 (ja) * 1998-10-07 2008-07-09 キヤノン株式会社 電子線装置
KR100435018B1 (ko) * 1999-01-28 2004-06-09 캐논 가부시끼가이샤 전자빔 장치
JP2000251708A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Canon Inc 電子線装置用スペーサの製造方法、電子線装置用スペーサ、及び該スペーサを備えた電子線装置
US6861798B1 (en) * 1999-02-26 2005-03-01 Candescent Technologies Corporation Tailored spacer wall coatings for reduced secondary electron emission
KR100381437B1 (ko) * 2000-12-29 2003-04-26 엘지전자 주식회사 전계 방출형 표시 소자의 스페이서 접합 방법
US6791255B1 (en) * 2002-09-04 2004-09-14 Candescent Intellectual Property Services, Inc. High coefficient of thermal expansion spacer structure materials
JP2004228084A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Samsung Sdi Co Ltd 電界放出素子
JP2005026176A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Sony Corp 表示装置
KR20050034313A (ko) * 2003-10-09 2005-04-14 삼성에스디아이 주식회사 전계 방출 표시장치 및 그의 제조 방법

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