TW508555B - Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and its driving method - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device, its manufacture and its driving method Download PDF

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Description

4 508555 五、發明說明（1) 本發明係有關於主動矩淡曰 於主動矩陣式液晶顯4;:==裝f ’以及適甩 晶顯示板（Panel)之等$ ί 土動陣式液晶顯示裝置之液 極匯流排線D1-D4互呈垂】=。=極匯流排線㈣與沒 -電晶體!和一顯示像H。上母一交錯處’設置有 共同電極3。 ” 。而母一顯示像素2均連接至一 驅動，=ί陣f ί Γ:不褒置係經如第3圖之驅動信號所 驅$以顯不如第2圖所示之顯示像素陣列 ^(==1，2’3,…）。尤其，閘極匯流 為兩準位，開啟相對應雷曰麟枯 、 - ^ ^ ^ 之皆祖蒱么舍 ^ w。日日體日守’沒極匯流排線D1 -D4上 之貝枓便會寫入相對應顯示像素内。此一 極匯流排線G1-G4上執行，伴液曰gg 一壯”乍曰依序在閘 獲致顯示的目的。 认液日日顯不裝置經由顯示像素 如是’在習知的主動麵瞌彳、、右 匯产挑綠r 1 命、ft把 車式液日日顯示裝置中，就閘極 匯机排線G1-G4與汲極匯流排線!^ _D4間每一 提供驅動汲極匯流排線之一驅動哭。 二 由於驅動汲極匯流排線之mB^ 範圍，諸如-影像涵蓋相當廣泛的頻率 …+ „ 頻率觀圍，故需在相當S的資料 a a rate下操作，成本較高。當顯示像素數目 ^ ’便需要相當數量没極匯流排線驅動器，因而所製造而 付之液晶顯示裝置有就相當昂貴。 為免除上述缺點，如曰本早期公開專利公告 3一38689、6_148680、4-269791 等，揭示下列技術：
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五、發明說明（2) 日本早期公開專利公告號3_38 689之技術，將配合第 4-6圖做一敘述。第4圖是一液晶顯示板之等效電路圖，第 5圖是顯示資料排列圖示，第6圖所示為顯示第5圖之 排列之一時序圖。 、 請參照第4圖’兩列（c〇iumn)顯示像素連接至一汲極 匯流排線D1或D2，而閘極匯流排線^—(^連接至汲極匯流 排線D1或D2上諸電晶體。 如第6圖所示，閘極匯流排線G1、g3、g5、G7之閘極 電位設為高準位，接著再將閘極匯流排線G2、G4、g6、G8 之閘極電位設為高準位，以令排列在匯流排線上之電晶體 開啟導通，而使汲極匯流排線D1或!)2上之資料，得以g二 顯示像素内。 ‘ 馬^ 如第5圖所示，就汲極匯流排線D1而言，資料先寫入 第一顯示像素列上之dll、心1 'ΜΙ、（Η1内，然後Γ再 入第一顯示像素列上之dl2、d22、d32、d42内。在另一: 極匯流排線D2上，亦以相同方法寫入資料。 及 根據此法，一條汲極匯流排線D1或…可驅動兩個顯八 像素列，驅動汲極匯流排線D1或])2所需之驅動器可減不 而能將低產品之製造成本。 ’ 日本早期公開專利公告號6-1 48680之技術，亦利 低汲極匯流排線數、增加閘極匯流排線數，獲致 成本者。 屋品 日本早期公開專利公告號4-26 979 1之技術，將配人 7圖所示液晶顯示裝置等效電路圖做一敘述。 Ό弟
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構成液晶信號側驅動電路之顯示信號電極，且 二;驅：轉換閘_、以及在列單元内做為線記憶體 οτ之ΐ搞雷π Γ顯不信號端VM-VD40連接至複數轉換閘極 it 極匯流排線。每一選擇信號。卜⑽連 接複數轉換閘極QT之閘極電極。 、做為掃瞄侧延伸電極之閘極電壓端％卜％18〇中任一 者被選擇時，一閘極匯流排線亦被選擇。 至選== 排線一者被選擇時，便依序供應選擇信號 至&擇k唬端Φ卜Φ48。當某一選擇信號 !^ = 1二2 3 )被選擇時，對應於4〇列之顯示信 c:r2,i,端 ^ 行此Hi液晶單元“係經驅動轉換閘極QT所驅動。當執 灯此麵作4 8次，顯示資料便寫入斛古 α 單線顯示區。 、更寫人所有液日日早4C内’形成 捭加早期公開專利公告號4 -269791之技術，無須 上；：動器數量…減少…流排 之驅動數置，獲致降低成本的目的。 中，iil本早期公開專利公告號3~38689和6-148680 流排续ΐ降低了汲極匯流排驅動器數量，卻增加了閘極匯 Μ排線上之驅動器數量。 Q和期公開專利公告號4-269791中5轉移閘極 之電容CI :带六阻值、以及在液晶顯示板上做為記憶單元 —谷值等，會隨製程而變異。此一變異導致影
f電壓變動，造成亮度不均勻的現象 端之電容，因保持電荷之時間不同時 岣勻。 而連接至選擇信號 也可能導致亮度不 〜種主動矩陣式液 改善亮度不均勻的 示裝置之製造方法
曰 因此，本發明之一目的，在於提供 曰3顯示裝置’在不增加成本的前提下， 門題，並且提供此一主動矩陣式液晶顯 暨驅動方法。 ’ 晶顯本藉由提供1主動矩陣式洛 有液晶封設於其間之一對基板 '薄膜電曰曰Π U 極、m/s個汲極匯流排線（m#〇s為自 1、/不像素^ 數）、sxn個閑極匯流排、線、以及一控數使仏=然 係設置於基板中之一者，形成具有n=:列= 陣晶二 ;:象素電極係以一對一方式分別連接至薄膜電晶體之源相 :極。，極匯流排線係以3對一方式分別連接至薄膜電？ 係以—對-方式分別連接! L :二 曰體之閘極電極。控制器係於S個晝面中一 :透匕個閘極匯流排線，s個畫面始自第(…個書 面、止於第（sxt + s)個畫面（t為任 ; 實施單一螢幕顯示。 ；以S個重面 上述裝置尚包括間極選擇TFT，具有没極電極、源極 位達接tt電極二該等汲極電極以閘極匯流排線為單 _ 3極端，該等源極電極連揪至該等閘極匯流排 線’該等閘極電極連接至閘極開關線，而每s個畫面後之
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某一晝面將該等閘極電極設定為0N電壓。 該等閘極選擇TFT係與該等薄膜電晶體於相同製葙 同時形成。 〜下 、其中，該等閘極選擇TFT係由非晶矽之一半導體層 構成’具有通道寬度/通道長度不少於3〇〇〇/4。 曰 該等閘極選擇TFT以不少於30V之閘極0N電壓開啟、 不高於-10V之閘極0FF電壓關閉。 、1 該等閑極選擇TFT係由複晶矽之一半導體層所構成。 該4閘極選擇TFT之該等閘極電極，係於空白期 進行切換。 二曰J間内 其中 間拖曳。 某一晝面約略是以1/(5〇 χη)〜ι/(75 Xn)的時
两馒致上述 晶顯示裝置的製 置的製造方法包 體’構成η行xm 成顯示像素電極 體之源極電極； 使m/s為自然數） 體之汲極電極； 方式分別連接至 上述方法尚 閘極端至該等汲 極電極；以及，
目的，本發明藉由提供一種主動矩陣式 造方法來完成。此主動矩陣式液晶顯示 括：於一對基板中之一者上形成薄膜電 列之一矩陣’該等基板間封設有液晶； ，以一對一方式分別連接至該等薄膜電 形成^8個汲極匯流排線（m#s為自然數 、’以s對厂方式分別連接至該等薄膜電盖 以及，形成s X η閘極匯流排線，以一對 每一行該等薄膜電晶體之閘極電極。 包括·以該等閘極匯流排線為單位，速 極電極；連接該等閘極匯流排線至該等 連接閘極開關線至該等閘極電極，該等
J J 五、發明說明（6) __ 極開關線於每s個畫面後之某一金 ⑼ 定為ON電壓。 息面將該寻閘極開關線設 上述方法中，連接該等閘極蠕、 線至該等源極電極、以及連接閑極 接該等閘極匯流排 等步驟，係於相同製程下同時執行開闕線至該等閘極電極 上述方法中，連接該等閘極 線至該等源極電極、以及連接閘 f接該等閘極匯流排 等步驟，包括形成非晶石夕之一半導2 =線至該等閑極電極 寬度/通道長度不少於3000/4。等體層之步驟，具有通道 線至極門連接該等閘極匯流排 等…包括形成複晶線至該等閉極電極 為獲致上述目的，本發明藉由.及 晶顯示袭置的驅動方法爽十^ 9供—種主動矩陣式液 TFT以不少於3〇ν夕μ技⑽凡成此法包括：對於閘極選擇 OFF電壓關閉方α 電壓開啟、以不高於_10V之閘極 电魘關閉方八，驅動該顯示裝置。 白期2 換該等閘極選撕之開極電極，係於空 η)的；某-晝面約略是以〜一]"Μ 顯易;=，下=亡3和其他目的：,特徵、和優點能更明 細說明如下：、牛又佳實^例，並配合所附圖式，作詳 圖式簡單說明：
第10頁 五、發明說明（7) 第1圖係顯示習知主& 自知主動矩陣式 等效電路圖； T八展曰日 第2圖係顯示如何驅動第1 之電路圖； 顯示裝置之一例的 圖主動矩陣式液晶顯示裝置 第3圖所示係用以 备兄明第】1 操作之時序圖； 圖主動矩陣式液晶顯示裝置 ΓΛ 係顯示習知主動矩陣式液晶 顯示裝置另一例之 等效電路圖； 第5圖係顯示第4圖主動矩 料排列電路圖； 旱八液曰曰顯示裝置之顯示資 第6圖所示係用以顯示第5 第7圖所示為習知主動 等效電路圖； 圖顯示資料排列之時序圖； ‘式液晶顯元鞋番 日日职不衣直又一例之 第8圖係顯示根據本發明泰 晶顯示裝置的等效電路圖； 貝鉍例之主動矩陣式液 第9圖所示為第8 gj R 士 圖； 則圖閘極選擇TFT閘極選擇端之平面 第10圖係顯示沿第9圖[X線所截4剖面圖； π:示係用以說明第8圖主動矩陣式液晶顯示褒 置知作之％序圖， 第12A-1 2D圖所示係用以說明第8圖主動矩陣式液晶 示裝置操作之圖示； ％〜 第1 3 A圖係用以說明習知顯不裝置之操作、第1 3 b和 1 3C圖係用以說明第8圖主動矩陣式液晶顯示裝置操作之圖
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示； 第14圖所示係用以說明第8圖主動矩 置操作之電路圖； ％ 第15圖所示為所示係用以說明第8圖主 顯示裝置操作之圖示； 切矩 第1 6 A和1 6 B圖所示係用以 顯示裝置操作之圖示； 液晶顯示裝 陣式液晶 說明第8圖主動矩陣式液晶 第1 7圖所示係用以說明第8圖主 置操作之圖示丨 丨早式液日日顯不裝
第1 8圖係顯示根據本發明第二實施例之主動矩 晶顯示裝置的等效電路圖； / 係用以說明第18圖主動矩陣式液 置#作之時序圖；以及 ， 第20A-2 0D圖係用以說明第18圖主動矩陣式液晶顯示 裝置操作之圖示。 # ' 符號說明： 300〜液晶顯示板；30卜V驅動器；302〜Η驅動器；303〜 控制器；100〜玻璃基板；102〜非晶矽層；1〇3〜汲極電極；
1 0 4〜源極電極；11 4〜閘極絕緣層；以及，11 5〜護層。 實施例： 第一實施例 第8圖係顯示根據本發明第一實施例之主動矩陣式液 晶顯示裝置的等效電路圖，第9圖所示為第8圖閘極選擇 TFT閘極選擇端之平面圖，第1〇圖係顯示沿第9圖^^線所
第12頁 508555 五、發明說明（9) 截之剖面圖，第11 -1 7圖所示係用以說明第8圖主動矩陣式 液晶顯示裝置操作之圖示。 請參照第8圖，一主動矩陣式液晶顯示裝置（下文簡以 顯不裝置稱之）包括一液晶顯示板3〇〇、v驅動器301、Η驅 動器302、以及控制器303。 液晶顯示板300之閘極選擇端VQ〇、vQe與閘極電壓端 VG1、VG2.....VGk連接至V驅動器301，用以產生一閘極 電壓波形。 沒極電壓端VD卜VDm連接至Η驅動器302，兩以產生一 #號電壓波形。外部影像信號IS係輸入至η驅動器3 〇 2。控 制斋3 0 3係用以取得每一電壓波形之時序，連接至ν驅動器 301和Η驅動器302。由顯示裝置之振盪器（未圖示）所產生 一時脈CLK、以及由顯示裝置外部所提供之水平同步信號 Hsync和垂直同步信號Vsync等，均輸入至控制器303。 在液晶顯示板300中，符號Q〇與Qe代表閘極選擇。 兩個奇偶（pari ty)匯流排線LPko與LPke(包括 LPlo LP2o)自母一閘極電壓端VG1-VGk延伸。沒極匯流排 線LDl-LDm自汲極電壓端VDl-VDm延伸。 奇偶匯流排線LPko與LPke係連接至做為閘極選擇^^ 之電晶體Qo與Qe的汲極電極。閘極匯流排線LGko與 LGke(包括LGlo-LG2o)係自電晶體Qo與Qe之源極處延伸。 電晶體Q做為一顯示像素驅動電晶體TFT，係連接於汲極匯 流排線LD1-LDm與閘極匯流排線LGko與LGke之交錯處，電 晶體Q並連接至一顯示像素CLc。
延 晶體Q端之電位，係保持於 第9、10圖係詳細顯示做為閘極選擇^了之電晶體和 508555 五、發明說明（10) 伸閘極選擇開關線LO與Le分別自閘極選擇端VQ〇和VQe 顯示像素CLc在未連接至電 共同電極電位Vcom。
Qe 第9圖中，符號l代表通道長度，w代表通道寬度。每 一電晶體Qo和Qe具有尺寸ff/L。標號1〇2代表非晶矽層， 1 0 3代表汲極電極，1 〇 4代表源極電極。 曰 做為閘極選擇TFT之電晶體如和“係如同第丨〇圖般製 造而得，此圖係係顯示沿第9圖)[—1線所截之剖面圖。尤 其’由Cr所構成之金屬層形成於玻璃基板1〇〇上，經光學 微影術（photolithography)定義出閘極選擇開關線1〇與^ 的圖案。 接著，形成閘極絕緣層114與非晶矽層102，再將汲極 電極103和源極電極1〇4形成於其上方。然後，形成一護層 115，完成此做為閘極選擇TFT之電晶體⑽與“之製作。曰 如第9圖所示，汲極電極103係連接至奇偶匯流排線 LPko與LPke。源極電極1〇4係連接至閘極匯流排線[(^〇與 LGke 〇 構成非晶矽層1 02之非晶矽亦可以是複晶矽 (P〇lysilicon)。雖然做為閘極選擇TFT之電晶體如與“為 反父錯式（inverted staggered)結構，交錯式 (staggered)結構亦可適用。
第14頁 508555 五、發明說明（11) 再第8圖所示之等效電路中，連接至 VGHGk之上閑極匯流排線LGk〇為奇數寫入線U 閘極電壓端v，-VGk之下開極g流排線LGke為偶數寫又 線。然而，若將上閘極匯流排線LGk〇做為偶 入、 閘極匯流排線LGke做為奇數耷^蠄，t γ # 線、下 飞数冩入綠亦可獲致相同的功 上述主動矩陣式液晶顯示裝置之操作，將配合第 11-17圖說明如下。 了化口弟 第11圖所示為時序圖，第12Α-12D圖所示為電壓奇 (voltage parity)和電壓寫入次序，藉此將電壓寫入偶 像素。在第12A-12D圖中，圈選標號代表在某些畫面、 (frame)下像素寫入的次序。 —一 請參照第11圖，用以選擇奇數行上閘極之 VQ0,在奇數晝面内經設定為高電位，在偶數晝面; 定為低電位。用以選擇偶數行上閘極之閘極選擇端， 在偶數畫面内經設定為高電位，在奇數畫面内經設定為低 電位。 - 在閘極匯流排線LGko與LGke上之信號、以及汲極匯流 排線L1M - LDm上之信號VG1和VG2，與習知技術者相同。在’· 各旦面之間’存在一空白期間（bianking peri〇d)，此 k ’某些行上之閘極匯流排線LGk〇與“!^亦設為低電位。
當液晶顯示板啟動時，電壓依序且根據第12A —121)圖 所不之奇偶狀態，寫入每一像素。為方便說明起見，以像 素電極所形成之6x6矩陣，做為一例。
第15頁 508555 五、發明說明（12) 在每一奇數畫面中’奇數行上閘極匯流排線1(^〇與 LGke依序被選擇’而將電壓寫入奇數列上之顯示像素内， 寫入先前畫面之電壓係維持於偶數列上。在每一偶數晝面 中’偶數行上閘極匯流排線LGko與LGke依序被選擇，而將 電壓寫入奇數列上之顯示像素内。寫入先前畫面之電壓 維持於奇數列上。 ' 第1 3 B圖係說明此時及於沒極電壓端之一輸入信號的 貧料順序。第1 3 A圖係顯示先前技術的資料順序。在第一 實施例中，對應於習知技術一晝面資料被視為一個單位來 處理。在奇數畫面中，在奇數列上之資料經輸入至汲極匯 流排線LD卜LDm。在偶數畫面中，在偶數列上之資料經輸 入至汲極匯流排線LD1-LDm。 >此資料之選擇係藉由接收一影像信號來實現，而此影 像信號輸入至Η驅動器302，做為串列資料，並具有習知技 術兩倍的時序週期。此兩倍時序信號係由控制器3〇3内一 邏輯電路所產生。 第13C圖容稍後描述。 根據第一實施例之主動矩陣式液晶顯示裝置，茲將定 性地描述如下。 在貧料寫入時，做為閘極選擇TFT之電晶體Q〇和Qe， 係做為每一行上閘極匯流排線LGk〇與““之輸入側電阻。 因此’做為閘極選擇TFT之電晶體〇〇和“的元件尺寸，必 須能夠使閘極匯流排線LGk〇與“以上信號延遲得以忽略不 計，故使ON電阻大幅減少。
第16頁 根據 於相鄰閘 關閉之閘 像素電極 第14 之等效電 (voltage 電壓端與 液晶顯示 本發明， 極匯流排 極受到行 上電荷漏 圖所示係 路中，電 pulses) 汲極電壓 裝置者。 508555 五、發明說明（13) §做為閘極選擇TFT之電晶體Q〇和Qg的元件尺寸增 加，奇偶閘極線Lqo和LQe之繞線常數（Wiring c〇nstants) 亦增加。然後，施加至奇偶閘極線Lq〇和LQe之信號會被延 遲’而無足夠電壓寫入某些列上之像素電極内。 為能保持此電壓，在奇數晝面時，將做為奇數行電壓 寫入之 回電位彳§號施加至偶數行上做為閘極選擇τ f τ之 電晶體Qe的汲極電極。假若有雜訊施加至做為閘極選擇 TFT之電晶體Qe處，將造成偶數行上像素電極内寫入電荷 的漏失，而有不正常顯示發生。 ' 閘極匯流排線LGko與Lgke互為靠近。由 線LGko與LGke之寄生電容，使得行上康 上應開啟之閘極的不良影響。若保持^ 失太大，將導致不正常顯示的現象。 供電路模擬之等效電路。在第14圖所示 路常數（circuit constant)和電壓脈波 施加至做為閘極選擇TFT電晶體q ^閘極 端，其值近於具有2,400X600像素實際 分別：Γ:0為閑極選擇TFT之電晶體扣和如的通道寬度， 電路二 μ _、2’000_、3,00〇#m '4’OOOem 等 罨路核擬，以檢視寫入特性。 寻進仃
508555 五、發明說明（14) θ做為閘極選擇TFT之電晶體如和“的通道長度設定為$ 疋值。疋義於第KB圖之寫入比例（訂丨以rati〇)，針 =不同情況計算。第16A圖所示為計算結果。明顯可知， 田做、為閘極選擇TFT之電晶體q〇和“的通道寬度為3, 〇〇() # m或以上時，電壓寫入像素電極並無問題發生。 當通逭寬度為3, 000 //m或以上時，經計算奇偶匯流排 ^ pko和LPke之繞線常數約為4〇 # sec。根據如是之繞線 =數，若做為閘極選擇TFT之電晶體如和“以約為““^^之 ，白期間做切換，對於若干線上脈波延遲將不會導致不及 寫入的現象。 ’ 假若做為閘極選擇TFT之電晶體9〇和如具有通道寬度 = 道長度，當電晶削。和QeF@極電位為關 斷狀〜、而所獲致的電壓設定為-20V、- 10V、〇V時。哲17 :所值(half value)一像素之電位變動量的模：結
Ig #關閉晝面下一像素被保持在液晶顯示袈置白色 顯不50/°穿透律的情形之下。 衣罝白色 由第1 7圖明顯可知’做為閘極選擇晶 Qe的=電壓需設定在低於_m。 之電曰曰體Qo和 由上述的計算，若尺寸與做為閘極選擇^了 H $ 體Q〇和如之電壓設定於表一所列值時，根 之電曰曰 液晶顯示裝置便可讀佳方式運作。^以㈣
第18頁 508555 五、發明說明（15) 表一 閘極選擇TFT參數 設計值 W/L 3000M或更高 ON電壓 30V或更高 OFF電壓 •10V或更低 根據第一實施例，閘極匯流排線LGko與Lgke所需驅動 器數不會增加，而用以驅動昂貴汲極匯流排線LD卜LDm得 以減少，故可製造出平價的液晶顯示裝置。 根據第一實施例，兩個像素電極驅動電晶體連接至每 _ 一汲極匯流排線LD1-LDm，而針對每一汲極匯流排線 LDl-LDm備有兩個奇偶匯流排線Lpko和LPke。而顯示裝置 係以交錯驅動方式操作，以每兩個晝面呈現全螢幕顯示。 然而，本發明並不限於此一應用，例如：η個像素電極電 晶體可連接每一汲極匯流排線LDl-LDm，針對每一汲極匯 流排線LD1 -LDin備有η個奇偶匯流排線Lpko和Lpke，因此在 η個畫面内’ n個奇偶匯流排線Lpk〇和Lpke得切換至0N狀 悲’以執行父錯驅動’獲致全螢幕顯示。如是，Η驅動器 302數量可爲i/n。 第一貫施例 第1 8圖係顯示根據本發明第二實施例之主動矩陣式液 晶顯示裝置的等效電路圖。第19圖所示係用以說明第18圖 主動矩陣式液晶顯示裝置操作之時序圖。第20A-20D圖係 用以說明第18圖主動矩陣式液晶顯示裝置操作之圖示。若
鄕555
與第8圖共用的部份係以相同標號為之 奇數列上像素電極係 數列上像素電極係以 在第一實施例中，對於任一行， 以奇偶匯流排線LPk〇上信號寫入，偶 奇偶匯流排線Lpke上信號寫入。 “相較之下，根據第二實施例，奇數列與奇數行上像素 電極係以可偶匯流排線上信號寫入，偶數列與奇數行 上像素電極係以奇偶匯流排線““上信號寫入。/奋數列與 =數行上像素電極係以奇偶匯流排線Lpke上信號寫入，偶 列與偶數行上像素電極係以奇偶匯流排線Lpk〇上信號 入 Λ $% ^
此主動矩陣式液晶顯示裝置液晶顯示裝置之操作，兹 配合第19、20A-20D圖做一描述。第19圖所示為操作時序 圖’第20A-20D圖所示為寫入顯示像素之電壓極性和電壓 寫入順序。第20Α-201)圖中，經圈選之標號表示在某些畫 面内像素之電壓寫入順序。 —
如第20A-20D圖所示，沿時間軸電壓寫入像素電極 時’係以奇數列—偶數列—奇數列—偶數列—…之順序寫 入’則在單一晝面内施加至汲極匯流排線LD卜LDm之電壓 具有相同極性。 在第一實施例中，奇數列與偶數列的資料被選擇，以 晝面為單位如同第13C圖所示輸入資料至汲極電壓端進行 切換。在第二實施例中，奇數列與偶數列的資料被選擇， 並以行為單位進行切換。 此資料選擇方式係以設定一影像信號實現，此影像信
第20頁 508555
號做為輸入至一Η驅動器302之串列資料，具有兩倍於習知 技術之週期，並以線為單位移動接收時序。資料接收 信號是由控制器303内邏輯電路所產生，並輸入至Η驅動哭 因此，除了第一實施例之功效外，根據第二實施例， 相同晝面汲極匯流排線LM-LDm上電壓具有相同極性。如 疋，可以降低功率耗損，改善像素電極寫入特性。 根據第二實施例，兩個像素電極驅動電晶體連接至每 一汲極匯流排線LDl-LDm，而針對每一汲極匯流排線一 LDl_LDm備有兩個奇偶匯流排線Lpko和LPke。而顯示裝置 係以交錯驅動方式操作，以每兩個晝面呈現全螢幕顯示。 然而’本發明並不限於此一應用，例如：η個像素電極電 晶體可連接每一汲極匯流排線LD1-LDm，針對每一汲極匯 流排線LDl-LDra備有η個奇偶匯流排線Lpko和Lpke，因此在 η個晝面内’ η個奇偶匯流排線Lpko和Lpke得切換至on狀 態，以執行交錯驅動，獲致全螢幕顯示。如是，Η驅動器 302數量可為I/η。 第三實施例 第三實施例係與第一實施例和第二實施例相同方式建 構，卻以與第一實施例和第二實施例不同方式操作，將詳 如下述。 第三實施例中，η個像素電極電晶體可連接每一汲極 匯流排線LD1-LDm，針對每一汲極匯流排線LD1-LDm備有η 個奇偶匯流排線Lpko和Lpke，如是，汲極電壓端數便可以
線Lpko和Lpke得 螢幕顯示。 之處’在於：* 術的1 / η。尤 )的時間拖曳。 相週期乘以η， 當驅動器數降 〇 ’然其並非用以 離本發明之精神 明之保護範圍當 J^555 五、發明說明（⑻ 降低至習知技術者的1 /η。 尤其’在η個畫面内’ η個奇偶匯流排 切換至ON狀態，以執行交錯驅動，獲致全 第三實施例不同於第一或第二實施例 個畫面拖矣時間（drawing time)是習知技 其，一個畫面約是以1/(5()Χη^1/(75χη Ρ1迪如是改根據第三實施例，既然畫面反 閃燦郃可降低至與習知技術者同。因此， 低、，亦可獲致閃爍程度之降低 發明广可熟習此技藝者，在= 和靶圍内，當可作更動與潤飾，因此大 視後附之申請專利冑圍所界定者為準:χ

Claims (1)

  1. 508555
    ι· 一種主動矩陣式液晶顯示裝置，包括： 一對基板，具有液晶封設於其間；< 形成具有η 該等薄膜電 薄膜電晶體，設置於該等基板中之一者， 行X m列之一矩陣； 、 顯示像素電極’以-對-方式分別連接至 晶體之源極電極； 數）極； m/s個汲極匯流排線（〇1和3為自然數， ’以s對一方式分別連接至該等薄膜電 使m/s為自然 晶體之汲極電 方式分別連接至每一 s X η個閘極匯流排線，以一對一 行該等薄膜電晶體之閘極電極；以及 -控制器，在s個晝面中一者選擇η個閘極匯流排線， 該s個旦面始自第（s xt + 1)個畫面、止於第（3 幻個晝 面（t為任意正整數），以該等s個畫面實施單一螢幕顯示。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置，尚包括閘極選 擇TFT，具有汲極電極、源極電極、以及閘極電極，該等 沒極電極以閘極匯流排線為單位連接至閘極端，該等源極 電極連揪至該等閘極匯流排線，該等閘極電極連接至閘極 開關線’而每s個畫面後之某一畫面將該等閘極電極設定 為0N電壓。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中，該等閘 極選擇TFT係與該等薄膜電晶體於相同製程下同時形成。 4·如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中，該等閘 極選擇TFT係由非晶矽之一半導體層所構成，具有通道寬
    第23頁 508555 六、申請專利範圍 度/通道長度不少於3000/4。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之裝置，其中，該等閘 極選擇TFT以不少於30V之閘極ON電壓開啟、以不高於-10V 之閘極OFF電壓關閉。 6 ·如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中，該等閘 極選擇T F T係由複晶石夕之一半導體層所構成。 7 ·如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中，該等閘 極選擇TFT之該等閘極電極，係於空白期間内進行切換。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中，某一晝 面約略是以1 /( 5 0 X η )〜1 /( 7 5 X η)的時間拖曳。 9· 一種主動矩陣式液晶顯示裝置的製造方法，包括·· 於一對基板中之一者上形成薄膜電晶體，構成η行X 列之一矩陣，該等基板間封設有液晶； 形成顯不像素電極，以一對一方式分別連接至該等薄 膜電晶體之源極電極； 形成111/3個汲極匯流排線（11]和3為自然數，使m/s為自 =數）、，以S對一方式分別連接至該等薄膜電晶體之汲極電 對一方式分別連接至每 形成s X η閘極匯流排線，以 行該等薄膜電晶體之閘極電極 10.如申請專利範圍第9項所述之方法，尚包括： 電極：“等閘極匯排線為單位’連接閘極端至該等汲極 連接該等閑極匯流排線至該等源極電極；以及 申請專利範圍 連接閘極開關線至該等閘極電極，該等閘極開關線於 壓S。個畫面後之某一畫面將該等問極開關線設定為⑽電 士 A 11 ·如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中，連接 4等間極端、連接該等閘極匯流排線至該等源極電極、以 連接閘極開關線至該等閘極電極等步驟，係於相 下同時執行。 12·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中，連接該 甲5 &、連接該等閘極匯流排線至該等源極電極、以及 、接閘極開關線至該等閘極電極等步驟，包括形成曰 導體層之步驟，具有通道寬度/通道長度不少於03 13·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中， 連i =門ΐϊ該等閘極匯流排線至該等源極電極、以： 之，Γ以等閘極電極等步驟，包括形成複晶發 Η· 一種主動矩陣式液晶顯示裝置的驅動方法， =對於閉極選擇TFT以不少於m之閘 广 """#0FF ^ ^ ^ ^ 15·如申請專利範圍第14項所述之 置 閘極選擇TFT夕pi瑞t n 你队如 云 其中，該等 = 之閘極電極，係於空白期間内進行切換。 .如1凊專利範圍第1 4項所述之方法，、 晝面約略是以i/^xn)〜1/(75Xn)的時間拖^，某一
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