TW507496B - Flexible circuits with static discharge protection and process for manufacture - Google Patents

Description

了、考曲電路為开^ 士、 ^ 聚合體材料。〗電；可彎曲電介質基材上的電路，例如 主要表面m路可具有-個以上的導電層，以及二 曲=，例如’絕緣層、膠層、壓縮層、凝以額外的 :在許多量大的情況下，可彎曲電路：：：：裝报有 衣這方法效率有關的成本優點。“、與所採用 、，、…从亍另關的成本優點。 征^國專利第4, 9 14, 551號揭露以可彎曲電介皙鉍4丄 =路。美國專利第4,231，154號揭露所， ⑽號揭露在Λ要/'Λ可I·曲電路。美國專_，_, ^913號揭露-多層可彎曲電路n:: 一 作用金屬化穿孔，一般被視為導孔（Vias)，才 以增強 業 :ΐ二;:：曲：路。所有這些參考揭露各種觀點的可$ 電路但無-提及利用類鑽碳或具有類鑽碳特二：: 以=該靜電荷耗散特徵和可彎曲電路效能的優點的材· 業界已週知各種類型的可彎曲電路。一 a 種電路内的主要差異源自該裝置的許多設；“，：

第5頁 507496 五 。發明說明（2) 該電路是與用於製造該電路之處理方法的條件和限制連於 在一起。一般而言，該可彎曲電路將某種（積體電路，微％ 處理裔等）半導體裝置連接至另一可彎曲電路、一硬式電 ，，或一裝置之元件。與該電路連接項目有關的設/因夸 但不限於，來自要被連接之半導體裝置的輸入和輪 出U /0 )引線數目；用於將該可彎曲電路相互連接至另—則 $路或裝置的該裝置和方法；該完成品所需的大小和™ ϊ；電路會被組裝和使用的該環境條件；以及兮雷 制的該資料傳輸率。所有這些設計 J =所受 的設備將至少部份地決定電路設計參數。電路 ° 4 $數包括是否用於將該可彎曲電路电路 在置為一球腳陣列（BGA)，銲墊的陣列，痞一 員 在，疋在一側或二侧皆有；若該材料需為化學性^ :疋 必需適於使用及組裝。 早下疋否他們 具佈、類鑽碳薄膜及其使用。這些塗佈和薄膜 擦4ΐί:的特性，包括高硬度’光學清晰⑨，低摩 蒸汽浸透高電介質系.數，高化學穩定性，低氣體和 制許多ϋ = ΐ它特性°此外’彳改良類鑽碳的成分以和 中。夕块些特性的測量值。類鑽碳的傳統特性展示於下^ 類鑽碳之傳統特性 密度，g/cm3 … 1. 6-3. 〇 507496 五、發明說明（3) 硬度，Vickers，kg/mm2 2 0 0 0-9 0 0 0 楊氏模數（Young’ s Modulus)，Gpa 1 00-200 電介質常數 8-12(在45MHz和20 GHz 間） 電子電阻係數，〇hms/cm 激磁相關係數 105 -1015 • 001-0· 5(在200 和 1 0 0 0 n m 間） 1 〇 m 1.8-2.4 〇.8-3. 0 eV 400-1000 反射指數（Index of Refraction)® 光學能階距

熱傳導性@ 25 C，W/m-K 透過使用碳化氮或碳來源的方法可形.成和沉積類鑽碳塗 佈和薄膜。碳來源沉積方法包括離子束濺鍍沉積、直流電 磁電管濺鍍沉積、脈衝陰極電弧沉積、雷射鑽（燒）孔 (Laser Ablation)沉積和離子束輔助碳蒸鍍。碳0化氫來源 沉積方法包括離子束、微波電漿、導向電漿放電、各種類 型的電聚輔助化學沉積方;^、無線電頻率電毁沉積、陰極 電弧沉積等。美國專利第4,698,25 6號、第4,4〇〇41〇號、 第4’383’728 號、第4’504,41 0 !虎、第4,746,538 號、第 5:=43Λ和土第7,707,409號揭露用於產生類鑽碳薄膜和 塗佈的已知方法。 鑽石和類鑽碳薄膜目前已用 括眼鏡，半導體裝置，鑽孔和 需要一個以上的類鑽碳所提供 於許多應用中。這些應用包 機器工具，飲料容器和許多 的特性的其它應用。美國專

五、發明說明（4)

利第5，5 0 8，〇 7 1號揣雪 ,A 的抗摩損鑽石塗佈揭V二狀内部表面，具有-歸 高的溫度中，因I益I化學氣相沉積（cvd)發生於非常 (polyimide)的聚合體^用於許/例如聚亞胺薄膜 度時可能退化。此外，土化與V亥基材在上升的鑽石成形溫 出一非常硬的、脆的且强:瑕1相沉積鑽石的多晶體性質指 該術語"類鑽碳: = 小的塗佈。 體的鑽石鍵預先；制：：：非晶體材'料’特別是那些四面 露以可彎曲；ί = Π料。美國專利第4,576,964號揭 塗佈附；於：：基材製成的障礙薄⑮，具有非結晶性碳 明的肼遼鉍田、杲國專利第5,5 0 8, 0 92號揭露以光學透 SI;?用阻抗塗佈的基材，包括-母體基材，-二 im—類鑽碳或其它低摩擦材料的上層塗饰。美國 ’ ，367號揭露類鑽碳的使用以電絕緣在半導體 佈以：：二ί國專利第4,80 9,87 6號揭露利用類鑽碳塗 二；和蒸汽滲透該容器的聚合體製飲料容器。 例如=用☆可彎曲電路中的聚合體薄膜通常為電絕緣 ,現出產生靜電放電（在此後被視為靜電荷）的傾 二&了' 2不文欲迎的理由很多。例如灰塵粒子等的污染 =㈢文到砰電荷吸引。由於與所累積的靜電荷放電有關的 =流，也已知靜電荷會損害各種類型的電子裝置，例如半 T體裝置。例士η，現在在許多硬碟中已使用可彎曲電路以 提供該致動器手臂和該頭部組裝間的電子連接。在將該可 3曲電路組裝至該頭部組裝期間的靜電荷快速耗散（在此 507496 五、發明說明（5) 後被視為靜電放電）為失敗的主要來 放電有關的相當小量電流摧毁在磁碟捲之一。可以與靜電 因而，所需要的是一種可彎曲電路社的碩寫頭。 控制地和可靠地從該電路表面耗散，可讓靜電荷可 對連接至該電路的電子元件的損害的可U減少靜電放電 發明之簡要說明 月b丨生。 據此，在本發明一具體實例内，一 被樣式化以定義複數個有彼此間隔的ίί包括一導電層: 電荷耗散層，接觸並且延伸於二電兀件；以及一靜 間。該靜電荷耗散層之表面電阻係 2導電元件之 約1 X 1〇1«歐姆/公分之間。該 ^力1 X 105和大 中所選出的材料所製成，包括類鑽：耗:文層係由下列各物 三氟化硼、碳化矽和二氧化矽等·。人虱化矽、氮化硼、 ，靜電荷耗散材料為非常情性的材料，— 數=X 1〇5和i x 1〇1。歐姆/公分 =偏

面電阻係數在！ X 106和！ χ H 碳的一薄的薄膜富含碳材祖盔 對a刀之間。例如類鑽 料。已發現在Ρ較偏好的靜電荷耗散材 法適當步驟的期間沉積於-可彎曲 電荷耗散。雖缺類鑽炉曰改良可.考曲電路表面的靜 和：㈣較偏好的材料，也可使用表面電阻係二= 類鑽妷相較的其它材料。 将〖生了與 了二曲電路包括一載子，例如 和在該載子上的-導電層。將該導電層樣式化以數

五、發明說明（6) 個導電元件 統方法及任 曲電路而言 為該導電層 另一具體 基材，具有 導電元件的 形的靜電荷 且延伸於複 散層的表面 間。 < =ΐ路徑、銲墊和引線。可以許多耳 何;罝的傳統材料來形成該導電元件。 :2薄膜為一較佳的電介質基材， 季乂佳的材料。 —可弯曲電路，包括-可" 旻數個二間分離的導電元件置於直上。 ::::包括一焊接部份和一布線部份 ίίΐϊ成於複數個該導電元件暴露备 ^個忒V電元件的布線部份之間。該棄 電阻係數在1 χ 105和1 X 1〇1。歐姆/公 括以驟步提供一方法供製·造-印則 形成一轉φ；丨貝基材上形成複數個導電元辦 ϋπ;層接觸和延伸在任兩個導電元1 xV歐V/:::;:耗散層的表面電嶋 曲2發明1富含碳的材料層沉積於可彎曲電路 二法包括方法，例如射頻(二= 包括：；=，陰極電弧沉積。較偏好的沉 以下相沉積和脈衝陰極電弧沉積。 術虽在此使用時具有所定義的意義. 路很子二7曲電路载… ? #用仁南未有蜍電疋件形成於其上的封 同的傳 對可彎 並且銅 <電介質 至少該 〇 —— 4-fi 丨表面並 I電荷耗 分之 路，包 ，並且 間的至 1 05 和 1 和可彎、 氣相沉 積方法 f曲電 L在業 1 ^術語〃類鑽碳’’和”富含碳的薄膜〃為同義的 五、發明說明（7) 界可替換使用，並且代表主要包括並長範圍原子^ m > ^^ 1 986 ^Ed. J. M〇rt ^ j〇anne >crc

Press ， Boca Raton ， FL 的垂妝 3. 該術語"捲帶晶粒自動接電入:沉積薄膜中所揭裹 合V為同義的並且代表自—動電 捲帶晶粒 4. 該術語1刻”和”研磨":f和組裝方法。 料所用的機械的、化學的和光：的:士包指 帝1+應r陡、π / τ 尤予的方法，包括化學 田5 J :，仙川心 如Λ元件，I代表在—導電層内樣式化的 如 銲球墊，銲墊和路徑。 特6陸該Π’面靜：荷耗散材料'’代表該材料具有-般 表面電阻係數係支援來自該材·料層表面的 ΛΞΓ二共:導的電層靜電荷耗散層與形成 材8的；：語"暴露的表面"代表導電元件未接觸該電 分述，在此所述的所有比率，部分 刀比白疋依重量來敘述。 附圖之簡要敘述 ,Γ一為上示電路載子具體實例之橫斷面圖，該電與 匕括一靜電何耗散層形成於一電介質基材上。 圖2為圖示_電路具體實例之橫斷面土 數個導電元件置於圖1所示浐該電路e ^的碳薄 ί的。 自動接 移除材 蝕刻、 特色例 的絕緣 靜電放 於該電 介質基 ，和百 ^載子 ，括複 五、發明說明（8) 圖3為圖示一電路 複數對導電元件，每、體針^且之右片段平面圖’該電路包括 於其上。 母一對皆具有—層靜電荷耗散塗佈形成 為沿著圖3該線4-4所取的橫斷面圖。 裝：第為一圖/和電第路具^之橫斷面圖，…包括被封 圖6為本^發明該"^/層^的複數個導電元件。 圖7為Γ; 體貫例之第一片段透視圖。 視Ξ 不有利地點所取的圖5該裝置之第二片段透 體C本’χ明，其含氣體室移除的該沉積裝置的另-具 篮κ例片段透視圖。 視ΐ& $ μ μ點所取的518故具體實例之第二透 發明之詳細敘述 電路載子和電路 如t發明之可，彎曲電路和載子是那些包括一電介質基 —，:-導電層’位在該電介f基材上，將其樣式化以 數個導電元件；卩及至少一靜電荷耗散層，形成在 二V電=件上並且延伸於二個該導電元件 少一部 t。遠靜電荷耗散層是由一高度惰性的材料所势成，表面 電：係數在1 X 1〇5和1 x 1〇1。歐姆/公分之間。該靜電荷 耗散層接觸該可彎曲電路二導電元件 導電元件的表面和該可彎曲電路介J基材來 的、、生控制且可預測的靜電荷耗散。

第12頁 五、發明說明（9) 圖1圖不可曾曲雷 材2，具有第一主要5子1之具體貫例’包括-電介質基 基材2是由例如，心！和第二主要表面2b。該電介質 該電介質基材2的第Λ i / 9列如類鑽碳’形成於 弟 主要表面2a上。該電介皙其好 一般從1密耳到1 〇密耳。 貝土材2厗度 200埃到3 0 00垃，、， 忒静電何耗政層3的厚度一般從 000埃亚且最好是從20 0埃到50 0埃。 建摄3之具體貫例圖示於圖2中。使用圖1的電路載子1 電，10 ’並且該電路包括-導電層12，置；；二

數個導/電何耗散層3上。將該導電層12樣式化以包括複 數個導電元件14 ’例如，路徑、銲塾和鮮球塾。I括I 電Ϊ:!荷Ϊ”3為一般絕緣材料，·真有相當低的表面 兮，雷—紅富含碳的材料，例> 類鑽石炭，為適於 j電何耗政層3的材料。可將類鑽碳層製成表面電阻係 以促進靜電荷耗散，但又高到足以避 在遠導電元件14間的信號串音。 久

一電路20之另一具體實例圖示於圖3和4中。該電路“包括 電介質基材22以及複數個置於該電介質基材22上的 :件24。每一個導電元件24的一部份包括一帛接部份 a。一布線部份24b。一共形的靜電荷耗散層u包覆並且 延伸於二個導電元件24的暴露的表面24c —個部份以上。 該靜電荷耗散層24形成於該布線部份24b上。為了最佳化 焊接效能，該靜電荷耗散層24並不形成於該焊接部^24a 上將該共形的靜電荷耗散層2 3樣式化，以致於在二鄰接

第13頁

507496 五、發明說明（ίο) 組的導電元件24之間建立一間斷25，如圖3。 圖5圖示電路3 0之進一步具體實例。該電路3〇包括一電 介質基材32，以及第一靜電荷耗散層33a，形成於該電介 質基材32的第一主要表面32a上。複數個導電元件34形成 於該第一靜電荷耗散層33a上。一共形的第二靜電荷耗散 層33b包覆並且延伸於二個以上的鄰接導電元件34之間。 有用的靜電荷耗散材料包括類鑽碳、氮化矽（siHc〇ne =_、氮化n nitride)、三氟化_〇r〇n wlde)、碳化石夕(silicone carbide)、二 DS: rr1 — )等。最好’該靜電荷耗散層為類鑽碳 (DLO。也被週知^的薄膜富含碳塗佈 人 括二種類型的碳_碳鍵，三貫厌土怖包 (SP3)，而以四面體的鍵最姑^執’土 ^(SP2)和四面體鑽鍵 鑽石的特性，例如I鍵硬二 水蒸汽和氧無法透過的，並且具=石；並且是 很低。 對於乾圍很廣的波長光學穿透性也 已發現減低靜電荷耗散層的厚度 數。減低該靜電荷耗散層厚度的=亥表面電阻係 •彎曲電路的彎曲能力增加，而卜是該載子或可 造成損害。然而，對於在以度皮=該載子或 耗政層而έ ，類鑽碳一般機械的、熱 圍内的靜電荷 物理的特徵’例如表面導電性、彎曲、、：、光學的和 又、表面硬度、熱 五、發明說明（11) ：介質常數、磨擦電阻、光學透射率、渗透性、 H疋性、焊接強度及其它特性是較不相關.的 某些情形下是可忽視的。 AI牡 J發明電路可包括以任何各種已知的沉積 =沉積’離子束錢鍍，射頻(RF)化學氣相沉積衝二 顯鑽碳[已發展出以沉積此層的，包括那些使用 、、-二=、、、成為合金的固態碳或氣體的碳化氫來源之一。該 :」r ί Γ*能是批次沉積或連續沉積，雖然對於製造效； 而吕較偏好連續沉積。 衣、双半 八ί】f碳來源形成的類鑽碳層的表面電阻係數特徵是十 =來源時，為了維持偏好的表面電.阻係數J 用 #用一 導致一成本很高且不可靠的方法。 有關Ξ Γ 合金的碳來源降低與表面電阻係數姓果^ 的合金材料包括例如，·、紹、=準。適合 =材料的每—個皆為傳導性很高的:份^導電金屬。 ，源增強類鑽碳結果層的該導 ^ 乂的碳合金 減輕對這些材料方法參數的小地，但能 阻係數水準。 侍邊所偏好的表面電 直流電磁電管濺鍍沉積和脈衝陰極 較偏好的沉積方法，其中 ，儿積均為應用上 τ黏者力為重要的條件。在此二 507496 五、發明說明（12) 法中，固態碳目標或固態碳合金目標的粒子被 速朝向該基材。在將材料+早 . 亚且加 材上之後黏著力增強，=2f^pingem加）至該基 相沉積的方法有關，以與例如射頻(RF)化學氣 法達成。 以離子束濺鍍和脈衝陰極電弧沉積方 對於交叉網（c r 0 ς ς w。kL t (wld"eb)應用中，二重要條件的較寬網 化學氣相沉積方法。=例°射頻(RF)化學氣相沉積的 充滿氣體或氣體(基汽)、、β::相:?積方法中’電漿形成於 物，的室内。一美枯典物，例如一碳化氫氣體混合 於該基材表面上：這：類：=電，，以致於-層材料形成 該已沉積的塗佈提供f i的方法的該氣相沉積觀點對於 偏好將脈衝的交叉網（cross web)厚度。 度為重要條件的庫用中^用於厫格控制材料沉積層的厚 場。在如本發=與-，之間形成-脈衝電 轉的鼓，具有—例如垂'"置之具體貫例中，該電極為一迴 的粒子沉積於該網上。路載子*或電路的網。從該目標來 電磁電管賤鍍，x在脈衝=f連續的能量沉積方法例如直流 生命週期和大小接=極電弧沉積方法内該脈衝電場的 沉積層的厚度。/、70王可控制的方法變數以控制該材料 弧沉積方法：：：(n成類鑽碳層的方法包括脈衝陰極電 的沉積裝置執行 =學氣相沉積方法。使用如下所述 執仃脈衝陰極電弧沉積方法和射頻（RF)化學

第16頁

氣相沉積方法。雖然該方 同，該沉積裝置結構上的觀二：：該方法的其它觀點不 法。 規…，占白適於此二類型的沉積方 如本發明之方法提供一姑 並且提供基材的差別塗備^破攻小化的薄的DLC塗佈， 佈，以改良效率、減少浪 〇二至刃…差別塗 種寬度上，在㈣重量°㈣鑽碳塗佈可成形於各 (cross web)變化。有關適予人^上^具有很少或無交叉網 如下。 有關適合的方法及其裝置之細節教導

電路載子和電路材料 :亥電"貝基材农好為貫質上可完全捲曲的可彎曲聚合體 的薄膜材料。其它有用的有機聚合物包.括聚亞胺薄膜（ polyunide)，包含改良的聚亞胺薄膜（p〇lyimide^?|j如多 元酯醯亞胺（polyester imides)和聚醯亞胺酯

(poly-imide-esters)、矽膠醯亞胺（p〇iysii〇xane imides)和poly amide、聚曱基丙烯酸 (polymethylmethacrylate)、多元 g旨例如聚（乙烯-二乙 酯）poly(ethylene terephthalate)、聚碳酸酯 (polycarbonates)、聚四氟乙烯 (polytetrafluoroethylenes)及其混合物。該聚亞胺薄膜 (po 1 y i m i de)為較偏好的聚合體薄膜，具有特別偏好聚亞 胺薄膜（polyimide)聚合物，是從聚酯酸（pyromellitic &(：1(1)的二曱針（&11117(11^(16)和4,4聯苯胺_1 (d i ami nodi phenyl ether)中所製成，可自 Ε· I · DuPont

第17頁 五、發明說明（14) de Nemours and c〇n]pan 。其變化包括Kapton® H r于”商口口名％為Kapton® ,, _ H 、KaPton® E和Kapton®V , among others。另一聚亞胺薄among

DuPont公司取得，盆朽口、先驅物也可從 、、 ，、陶口口名％ 為 P y r a 1 i η ®。 該導電層一般是從你丨‘. Μ Φ + ^ /如錫、金、銀、銅、鉻等的導電金 屬中料成。此層的厚度和沉積十分所 類型電路或電子封裝。 貝吓悔灯的a特疋 沉積裝置 本發明之沉積裝置血補& 一 & & > ^ 、 ”傳統石反塗佈方法和裝置不同，i中 加速是由施加至不同元件的電流所造成中 而非=碳塗佈的形成發生在該基材和該裝置兩者， 而非貫質僅在該基材上而已。 … ^ 埒iiL?6和7，適於在電介質基材上形成-靜電荷耗 ^日的本电明>儿積裝置之具體實例，一般指11〇 =積裝置⑽執行許多沉積方法，包括濺鑛沉積，： ’、^ )化干氣相〉儿積和脈衝陰極電弧沉積。 Λ /儿積衣置110包括一供電漿生成和離子加速的普通元 ^該沉積裝置110包括一支擇結構112; 一機殼114，包 二有個以上的門1 1 8的前面板1 1 6 ;側牆1 2 0和一後面 ^ ，疋義一内部的室124，該室内被區分成一個以上的 二，:一豉126係可迴轉地附加在該室124内。複數個迴轉 J係可迴轉地附加在該室丨24内並且一般被視為丨28。用 :可迴轉地驅動鼓126、附加在該室124内的可迴轉惰輪滾 5 3 2以及真空唧筒丨3 4的驅動機制丨3 7係流暢地連接至該

第18頁 五、發明說明（15) 室 124。 支撐結構11 2為先前技術中已知的任何裝置，以較偏好 的架構支樓機殼114，在本案例中為垂直右上的方式。如 圖6和7所示，機设Π4可為隔成二部份的機殼，如以下較 詳細敘述的。在此具體實例中，支撐結構ιΐ2包括交叉支 撐1 40附著至該隔成二部份機殼的每—側以支撐裝置 2丨月確地°兒，父叉支撐140包括兩個輪子142和用於分 的：ΐΐί撐裝置110的可調式腳架144。在圖示於圖6和7 =具體實例中’交叉支撐14〇經由附著支撐146附著至機 =14的母一側。明確地說，交叉支撐14〇經由附著支撐 114另側牆12°之一，亦即該底部側牆，而在機殼 另-：的交叉支撐14〇透過附著 <撐.146連接至後面板 ^ f ^ ^ 411 ° ^ ^ ^ ^ 31 #140 ^ =父又：147。這可提供額外的結構上的增強。 體i自！j為具有能排空、限制在排空之後所導入的氣 制環产的Γ Γ體的電漿生成、離子加速和薄膜沉積的已控 1U具兄有夕二可裝置。在圖6和7所示的該具體實例中，機殼 122:、詨外:二ί括前面板116、4個側牆120和該後面板 1 20和後面；诎弘阳产^皿 乂至1 24表示。側牆 何適人的方—被緊固在一起，以在先前技術中已知的任 的；；足以讓室124排空、限制用於電浆生成 120和該後而水4 離子加速和薄膜沉積的方式將該侧牆 鎖緊ΛΛ能=^4嚴密焊接。前面板116並非固定地 月匕 至4，以載入和卸下基材材料並且以 507496 五、發明說明（16) = 匕6被分成二個面板，經由_5。(或 相4的連接裝置）連接至側牆丨2〇之—， :這：門焊接至側牆12。的邊緣，最好經：一：空鎖緊 一 〇型垓）的使用。鎖定機制152選擇性地將門” 118焊接至侧牆12〇，並且可為能以一種 ’ 方式將門118焊接在牆12〇上，儲存用於=，124排工的 電漿生成、離子加速和薄膜沉積的任何機.:。、的抓奴 圖:：室124，由一分隔牆154分成二間隔156和158。在 Ϊ :者的一：道或洞16°提供間隔之間的流體或基材通 适。或纟，该室可為只有一個間隔或三個以上 =和7的機殼114，包括複數個具有高廢的觀察埠⑽， 二：：聚士體板164可焊接地涵蓋痒162.，以允許 =Λ薄可膜Λ積方」去。機殼114也包括複數個感測器埠 八Π牛牛固定住各種感測器（例如，溫度、磨力 iV可二 犧，提供導管連 班立依所而將汰體ν入室124，以提供有助於薄膜沉精 也包括°即筒埠17°和m ’可讓氣體和液 體以唧同灌入或從室1 24中排空。 "可sir即、筒134為懸吊在側120之一，最好是在該底部 (如Λ )。°即筒134可為，例如，一渦輪分子哪筒，产 連接至機殼114内的該已控制環境。可使用其它唧 I室歹8如/且散唯即;東真空°即筒（CRY〇PUMP)，排空較低 Ϊίι拉 持其中的運作壓力。滑動閥173位在沿著此 /；，L 的位置上，並且可選擇性地交叉或阻隔於唧筒 第20頁 五、發明說明（17) 134和機殼114内部之間的流 筒埠162四週移動的， ：動閥173疋可在唧 流體溝通方面可完全打^卩同車162在對於與唧筒134的 圖畀Γ 部份打開或關閉。 Θ6的妓126最好為一圓筒 面182和二個平坦的尾踹电$ 18U具有一輪狀表 料製成，並且最好為種表Λ184。該電極可以任何導電材 鋼、銀、鉻或一個以上前从例如，㉝、銅、鐵、不鏽 極為鋁，因為製造容 7 口金取好，该電 鼓i 2 6更可建構成包括產出和低成本。 的導電區域；卩及非導電二布的，可讓-電場向外滲透 制薄膜塗佈至該電極的非緣j J電場滲透並且因而限 電非導電性的材料份的絕緣區域。該 如，聚四氟乙稀Palyt^aff “ ’h例·如一聚合體（例 術者中之-皆能相Γ r ylene)。熟於先前技 -小：此電非導電性目的以便僅提供 的各種具體實例T 一導電區域的該基材的寬度， 環狀表_:底1=^ 材料。此外，批& + 坌筛以電子非導電性的或絕緣 上的絕：：料暗處保護186和188覆蓋在環狀表面182 。、、 ；、 亚且在某些具體實例中涵蓋底部#而1只4 生Ϊ Ϊ : : I斗限制該電極的表面區域，沿著此區域可能發 離子轟擊而變i :5 ί。ί: 為該絕緣材料有時可因該 韓4而支侍π穢，暗處保護186和188可覆蓋部份或全 ^7496 五、發明說明（18) _ 4的絕緣材料。該暗處俘嗜彳s 成，但不作為導雷却蒦和188可以例如銘的金屬製 « X Θ ，因為他們是透過一 ϋ + 不）與該電極分離。這可讓兮雷將、、，e緣材枓（未顯 圖8和9圖示鼓126的另一具體實例，盆域 、、巴緣環185和187，附加至#126的产壯二中支126包括一對 I# ^ . 至妓126的壤狀表面182。在箪此目 :二絕緣，87為-個也覆蓋底部表面 2將具體貫例為一平板或帶狀物的支撐穿置1 9 4豎门 的各部份。一旦固著至:^:4可協助支撐鼓126 187 - μ显+ ^ + 衣狀表面182，該對絕緣環185和 87疋義一暴鉻的電極部份，具體實例為通道19〇。 以ΪΪ何情況下，除了該基材接觸該電極處，電極180是 =方式被絕緣材料覆蓋住所有的區·域。此定義一8〇可疋盘 的if電極部份。該電極的剩餘部份為-姦’、^ ^田供給5亥電極電力並且該電極對於該因 ^的電漿變得負偏壓時，此相當厚的絕緣材料會避免 厌缚膑沉積在它所覆蓋的表面上。結果，限制了該未覆蓋 區域（亦即，未以絕緣材料覆蓋的通道19〇)的沉積，該區 域較偏好以相當薄的基材材料覆蓋。 、 仍=考圖8和9，鼓126係可迴轉地附加至後面板122，經 由真工‘引（ferr〇fluidic feedthr〇ugh)和迴轉聯结 (曾或一約當機制）附加在後面板i 22内的一個孔内。該^空 V引（ferrofluidic feedthrough)和迴轉的聯結，在迴轉 的鼓1 26迴轉而仍保持真空鎖緊的期間，提供從標準冷卻 劑流體導管和電線分別至中空冷卻劑通道和該導電電極的 第22頁 507496 五、發明說明（19) 分離的流體和電連接。在薄膜沉積期間，該迴轉的聯結也 提供該必要的力ϊ以迴轉該鼓，該力量是從任何驅動裝置 例如一無刷的直流電補助馬達所供應。然而，將鼓丨26連 接至後面板1 2 2和該導管及電線可能透過任何能供廡此一 連接並且不限於一真空導引（ferrofluidic feedt/hrT〇ugh) 和一迴轉聯結的方法來執行。此一真空導引 (ferrofluidic feedthrough)和迴轉的聯結的節例 a 一 2 英叶（約5公分）内徑中空的軸心導引，由Ferrofm2 Co. (Nashua，NH)所製 ° 圖6的鼓126是由如圖7的驅動組合丨37迴轉地驅動，該组 合可為能將迴轉動作平移至鼓126的任何機械和/或電子系 統。在圖7所圖示的該具體實例中’驅-動組合137包括馬達 133，在驅動滑輪131内具有驅動軸心終止機械地連接至被 驅動的滑輪139，該滑輪嚴密地連接至鼓126。皮帶135 (或相等結構）將迴轉的動作從驅動滑輪丨31 的滑輪139。 勒 該複數個捲輪機制128可迴轉地附加至後面板122。該 =輪=28包括一基材捲輪機制，具有一對 = 28Α和128B ;並且’在某些具體實例中，也可包括一 輪機制，具有一對空間網線軸128(：和128〇 ;以及遮 f =輪機制，具有一對遮罩網線軸128E和128F，其中^ 的，遞送和一緊線器線軸。如從圖9中可明顯看出 機制1?7^母;個緊線器線軸128B、128D和128F包括—驅動 ，機械地連接在其上，例如下述的標準馬達，用 五、發明說明（20) 於供應在沉積期間内能依 力量。此外’在選擇具體者而，擇性地迴轉該捲輪的迴轉 1 2 8 C和1 2 8 E包括一拉緊器， ，每一個遞送線軸1 2 8 A， 或一驅動機制129。 用於將拉緊力供應至該網和/ 每一個捲輪機制包括—遞 是在相同或不同的間隔内，_ ϋ —緊線器線軸，彼此可能 該電極所在的相同間隔。々二序可能是在或可能不是在該 一軸桿和一從每—個尾端二軸為一標準結構，具有 定義一凹槽，其中—柚且以狀地延伸的金屬環（邊緣）， 網’被包裹在裡面或被纏繞？匕案：中為-基材或 可迴轉的軸，可鎖緊地延伸線軸Μ地附加至一 動的情況下，該軸係機械地J 在線軸要被驅 -種可迴轉的方式經由二情況下，該線軸僅以 包括—拉緊㈣㈣免鬆;叙5至後面板122,並且可 圖9的)薄膜，儿積裝置J J 〇也包括惰輪滾筒1 3 2，可迴轉地 2在该；及” i 34 ’流體地連接至該室。該情輪滾 同V引该基材從該沉積遞送基材線軸128人至在鼓126上的 通道1 9 0，並且從通道1 9 〇至基材緊線器線軸1 2 8 B。此外， 在使用空間網和遮罩網之處，惰輪滾筒丨3 2導引這些網和 該基材分別從沉積遞送基材線軸丨28A和沉積遮罩網線軸 128E到通道190，以及從通道190到緊線器基材線軸128B和 緊線恭遮罩網線轴1 2 8 F。 薄膜沉積裝置11 〇尚包括溫控系統，用於經由圖8的真空 第24頁 507496

第25頁 507496 五、發明說明（22) 分子（buckminsterfullerenes)，氰化物，（CH3)4 化合物 (tetramethylsilane)和鹵化（halogenated)含碳氣體例如 氟化碳，氯化碳，和氟氯化碳也可能有用。對於快速的富 含碳的（DLC)塗佈包括苯，甲基環戊二烯，丁二稀，戊二 烯聚合（pentadiene)，苯乙烯，奈，和甘菊藍（azulene) 而言’碳化氫特別有用。可使用具低離子化電位，亦即1 〇 電子電位（eV)或更少，的氣體，並且最好用於在此方法中 富含碳塗佈的連續沉積。 薄膜沉積裝置11 〇也包括一電源，經由圖8的電子終端 130電子地連接至電極18〇。可能在裝置11〇上提供該電 源，或替代性地在一單獨系統上提供並且經由電子終端電 子地連接至該電極（如圖7所示）。在任澍情況下，該電源 來源為任何能供應充足電力的發電或傳輪系統。 是可能有許多種電源，例如無線電頻率（RF)功率。盎線 電頻率功率為一較偏好的功率類型，因為在一適當地^構 的有，電極上，該頻率可高到足以形成—自我偏壓，但不 ^於高到足以在該所產生的電漿内產生持續波，這對離子 :積^而言是無效率的。射頻（RF)功率可放大供大量塗佈 日出士（見^^罔或基材，快速的網速度）。當使用射頻（rf)功率 :，在電極上的負偏壓為一負的自我偏壓，亦即，不恭 :早獨的電源以感應該在該電極上的負： 射頻(RF)功帛，剩餘的討論將集中於此。因為車又偏好 該射頻（RF )功率來源以頻率範圍在〇. 流加入電極180，最好是13.56 MHz或任 〇 1到5 0 Μ Η z内將電 何整數的（例如，

^υ/496 、發明說明（23) + ’ 2 ’或2倍數。此射頻（RF)功率，當供應至電極18() 在該至内從該碳化氫氣體中產生一富含碳的電漿。該 射頻（RF)功率來源可為一射頻（RF)產生器，例如一13· 56 z振盈w 連接至該電極，經由一網路將該電源供應器 的阻抗與該傳輸線的阻抗匹配（通常為50歐姆阻抗），以便 、由同轴傳輸線有效率地傳輸射頻（R F )功率。 一旦將射頻（RF)功率應用至該電極，會產生電漿。在一 射頻(RF)!漿中，該有電電極相對於該電漿將變成負偏壓 地。此，壓一般是在5 0 0到1 4 0 0伏特的範圍内。此偏壓造 成ί該富含碳的電漿内的離子加速朝向電極18〇。如以下 較詳細欽述的’加速離子在與電極180接觸的該基材上形 成該富含碳的塗佈。 一 沉積方法 在運 當作遞 為在圖 南的間 面，支 之後充 在纏 可提供 然圖示 地，若 位於遞 f上偏好沉積於其上的基材完整線軸被插入該軸 运線轴1 2 8 A °經由較低的門11 8進入這些線軸，因 "亥線轴位於較低的間隔1 5 8内，而沉積產生於較 隔1 5 6内。此外，一空的線軸被緊固於該基材對 f線轴’如線軸128B，以便在沉積發生於該基材上 當該緊線器綠轴。 繞或不纏纟A ^ 、心期間，若偏好一空間網以緩衝該基材， 空間網遞谈4 ^ 於β ^ ^和/或緊線器線軸如線軸128C和128D(雖 他Γ内。亥特定位置的線軸位置並不重要）。類似 ^式或者部分方式的薄膜沉積，一遮罩網可 ^ V ?、如線軸128E，上並且定位一空的線軸做為

第27頁 五、發明說明（24) 一緊線器線軸例如線軸128F。 在所有具有和不且古甘 發生沉積的該基材&有彳基材或網的該線轴皆定位之後，需 被織成或者另外έ (山何遮罩網，以其行經該電極四週） -般未經由該系系：被f至該緊線器捲輪。空間網 通道190内的ί極]8ίΓ之後提供。該基材特殊地纏繞在 充分拉緊兮笑。、四週，因而覆蓋該暴露的電極部份。 時與該電=起=持與該1極接觸’並且當該電極迴轉 =:極。:移可:觸 牢地ίί。4基材U膜沉積定位並且較低的門m -較偏好的基材類型為一可彎曲網。—般範例包括 ，Λ元酯，聚醯胺，聚亞胺薄膜(polyimide): 1= ’聚氨基甲酸乙醋，或聚烯烴)網 ； 一表面的網’包括—可詩定義-個以上電子電路的今属 化，佈（请參考，例如，美國專利第5,227,〇〇8號，有問 二溥：:述）。當使用如後者類型的網 ; 明之该方法和襄置可將一富含碳的塗佈(例如，_DLC本； 佈Λ加山至該網整個長度的一表面。因而，透過平均塗佈 一虽3妷的材料可保護該網或任何塗如 子電路，的材料。 ，、上例如一電 排空室124以移除所有空氣和其它雜質。一旦一人 體，最好為一氣體，被唧筒灌入該已排空的室，該

第28頁 507496 五、發明說明（25) ' -- 可開始薄膜沉積處理。 激發該射頻（RF)功率來源，以提供一射頻（RF)電場至電 極180。此射頻（RF)電場使得該含碳材料變得離子化，導 致具有離子在其内之富含碳的電漿的形成。雖然也可使用 其它的射頻（RF )來源和頻率範圍來產生，仍特 MHz的振盪器。 、 $ > 一旦已產生該電漿，透過以射頻（RF )功率持續加電流至 ，電極而在電極1 80上產生一負的直流偏壓。此偏壓使得 離子加速朝向電極180的非絕緣電極部份19〇(剩餘的該電 極為絕緣的或被遮蔽的）。該離子轟擊該基材長度與電極 180的通道19〇接觸的部份，造成濃密的碳，導致在基材該 長度上有一薄的類鑽碳薄膜沉積。 … 為了連續沉積，驅動該緊線器線軸以便拉起該基材及任 何經由該較高間隔154的遮罩網並且覆蓋在電極18〇之上， 以便沉積發生於與輪狀通道1 9 〇接觸的任何未遮罩的基材 邛伤（不然，該遮罩網會接收該碳薄膜）。因而經由該較高 的間隔連續地拉該基材，而一連續的射頻（RF)場置於該電 極上’並且在該室内出現足夠的含碳氣體。結果在一伸長 的基材上產生一連續的富含碳的塗佈，並且實質上僅在該 基材。碳薄膜沉積既不發生在該電極已絕緣的部份，沉積 也不發生在該室内的其它地方，因為僅該電極被偏壓。此 外’因為遠電極的未絕緣部份（亦即，輪狀通道1 9 〇 )幾乎 或整個被該基材覆蓋，除了在該基材上之外任何地方很少 或幾乎沒有沉積。這消除了經常清潔該室和其零件並且由

第29頁 507496 五、發明說明（26) 於石厌阻基而替換該電極的需要。在該已絕緣的部份發生污 穢的情況下，可提供暗處保護186和188以避免或減少污 穢。暗處保護186和188可為任何外形，大小和材料有助於 減少可能的污穢。在圖示於圖6内的該具體實例中，暗處 保護186和188為貼近在鼓126外及其上該絕緣的金屬環。 由於在暗處保護186和188接觸鼓126處的區域内覆蓋鼓 126的該絕緣材料，暗處保護186和188不會偏壓。^此像 環狀的具體實例中該暗處保護186和188尚包括標帶 (tabs)，其每一個尾端以非輪狀的方式從鼓126延伸出。

這些標帶（tabs)可協助將該基材對準在通道19〇内。 最好，在整個過程中，該溫控系統經由電極18〇用唧筒 打入流體，將該電極保持在偏好的溫度。一般而言，這涉 及到以上述之冷卻劑來冷卻該電極，雖然在某些&況下 能偏好將該電極加熱。此外，因為該基材與電極直接接 觸，經由此冷卻系統管理從該電漿至該基材的熱傳導，因 而使得對溫度敏感的薄膜例如聚乙烯二乙酿 、 (polyethyleneterephthalate)，聚二酸二乙醋 (Polyethylene naphtha late)等得以塗佈。在完成誃沉牙 處理之後，可從將線軸支撐在牆上的軸心處將=移 可使用低離子化電位氣體以獲得極高的沉積^而仍維辛 在該薄碳薄膜内的好的特性。透過使用低離子化電位氣 體：要非常快速的沉積是可能的，並且能產生低的^ 佈薄膜應力。與在先前的DLC塗佈内所報導的1到1〇 Gpa白 DLC薄膜應力做比較，該Dlc塗佈薄膜應力為〇· 4 Gpa或更

507496

低。在該基材上大量沉積的比 沉積率高數倍以上。最小沉積發生：的 何地方，並且，結果，產生 于r ”基材上的任 轟擊=得沉積幾乎是整個的，而非離子=和=:: m此外，與先前技術中-般個位數字的良ί做 二：可传到很高的氣體輸入至薄膜輸出轉換良率(多革達 此方法的其它益處和優點包括塗 寬度並非為限制因子，因A1 I +右的寬度。基材 四週，而非來自一來自在該室内的基相 ^ , , 末源特疋區域。通常不考慮基材寬度纪 活，如本叙明之該方法可將基材 ， 比率為約1.5到6米/分。使用茈方本厗度至夕0.2#m， η Π1 ,,, Q 刀使用此方法’可輕易產生範圍在 内的塗佈厚度’雖然較厚(亦即，最高到約 1 0 // m)和較溽的塗佈皆可能。

整體而言，大大 電極而非一來源電 生該電漿並本也變 朝向其本身而轟擊 用於使該沉積的塗 性。 簡化了電漿生成和 極和一目標電極。 得負偏壓，因而加 與其本身接觸的基 佈濃密，這會增強 離子加速。僅使用一 4有電的電極不但產 速在該電漿内的離子 材。此直流電偏壓也 富含碳的塗佈的特 電路製造方法 一層類鑽膜沉積在其上的步驟，該方 f至/ A万决可用於與各種已知 製造如本發明之可彎曲電路和載子 %吟々Vi執丁之方法，包括

507496

的程序例如金屬濺鍍、鍍膜阻抗 露、顯影、蝕刻和鍍膜連結。此 用所需而加以變化。 積層塑膠板、阻抗暴 程序的順序可依該特別應 一種方法，用於製造一可彎曲電路或載子 種附加方法，步驟的一般順序如下述。 百先’將一共形的類鑽碳層沉積於_ 如’聚亞胺薄膜(polyimide)側。 的能二 種=’例如將一捲曲的聚合物層黏著焊接至銅，上由各 銅泊或其相等物上塗佈液體聚亞胺薄膜（p〇lyimide)。」 =言，該基材包括厚度在25微米和125微米之間的 肢溥膜層，而該銅層從i到5微米厚不等。 Λ σ 其’執彳于以絡和銅的種 polyimide)薄膜。光阻材料 底’並且可能為具負值的或 滾筒的標準積層塑膠板技巧 銅側的基材的兩側製成積層 3 5到5 0微米不等。然後將在 外線光線等，經由一遮罩或 露的部份。然後以適當的溶 顯像’在水樣的阻抗的情況 如’〇· 5-1. 5%碳酸鈉或碳酸 的兩側得到所要的樣式。然 步鍍膜至所要的電路厚度。 的類鑽碳層沉積在該銅層之 一般視為— 籽層濺鍍該涤亞胺薄膜（ ，可能是水樣的或溶劑的基 正值光阻材料，然後使二 4\\\ ’在具一有聚合體薄膜側和一 塑膠板。該光阻材料的厚度從 兩側上的該光阻材料暴露於紫 光學工具，交叉焊接該阻抗暴 劑將該光阻材料未暴露的部份 下為施加稀釋的水漾溶液，例 鉀溶液’直到在該積層塑膠板 後為積層塑膠板的銅側被進一 若想要的話，也可將一個以上

第32頁

507496 五、發明說明（29) 然後將該積層塑膠板放置在 間的濃縮鹽基浴，蝕刻該聚人二二，、力50 °C和約120 t之 抗覆蓋的部份。這合A露兮^私f馭未被該交又焊接的阻 k曰恭路β原始薄銅層 該阻抗在2-5%鹼性金屬氫氧化物 二區域。然後 到約80 °C，較偏好從約2〇 t到侧/雜，豈度從約20 °C 的二側。接著，蝕刻以不合傷 二剝離該積層塑膠板 例如，可從E： U + u .曰J忒♦合體薄膜的蝕刻劑， 1夕" J ^Mectrochemicals，lnr 晋；μ ^ 而在相對側有類鑽塗佈於一聚胺 在：側有銅電路， 面，以芬紅,、 永兑版涛膜（polyimide)表 接下來曰^冗積於内層之間或個別特色的類鑽碳層。 條。疋轉換和審視步驟，其中該基材被切割成較小 * - 佈在：ί ϊ ΐ附加處理中’較偏好使用非常硬的類鑽碳塗 兮魅楊〜在早期的積層塑膠板和濺鍍步驟中傾向於破裂， ==¼可能在該亮銅鑛膜步驟之後，以上述該方法剩 的乂 =沉積於該基材的聚亞胺薄膜（polyimide)側。、 板i:!為消去方法的另一類型方法中，使用標準積層塑膠 將水樣可加工處理的光阻材料在具有聚合體薄膜 二σ 一厚銅侧的基材的兩側上製成積層塑膠板。在此方法 所使用的該基材包括丨2微米到丨2 5微米厚的聚合體薄臈 層’該鋼層從12到40微米厚（在該附加處理中，該銅屏、 1 - 5微米厚）。 曰為 ^後將在兩侧上的該光阻材料暴露於紫外線光線等，經 由一適合的遮罩，交叉焊接該阻抗暴露的部份。然後以二 五、發明說明（30) 液Π影像㈣，直到在該薄板的兩側皆獲 件，並Γΐ:異，刻該厚銅層以定義複數個導電元 然後將額： 該銅側上的第 ：7 J光阻材料製成積層塑膠板覆蓋在 幅射來源，以便保二美二士 f以大ί的暴露交又焊接至一 免於進一步勒’、二:路的β合體薄膜表面（在該銅側上）

該交又焊接的：抗ί ΐ=t體薄膜(在該薄膜側上)未被 之間的:農纩= 域以溫度在約70 °c和約12〇 °C 間至ί 一二ί鑽ί形成在其上並且延伸於二個導電元件之 ΐ覆蓋;二’將較偏·好形成-共形的村 :復二：亥整個電路基材’包括該導電元件。在 ;偏好形成一共形的材料層僅覆蓋住部：的i 如類鑽碳的靜電荷耗散層係經由一適當的遮罩沉積1例 後5 5:ΐ:5可旎包括其它步驟，例如在該蝕刻浴前 後將6亥涛膜汉在熱水中’洗濯步驟等。也可使用酸 钱刻刖中性=’、並且網清洗步驟也可用於鍍膜步驟之: 為了產生完成的可彎曲電路、用於"ΤΑβΠ (捲帶晶 ^ 接合)方法的相互連接焊接捲帶、微可彎曲電路等自動 入和處理更多的層。根據傳統方法，該銅鍍膜可以π 或鎳來鍍膜，供後續的焊錫程序等。在一共形的靜 立 散層形成於該導電元件之上的情況下，該共形的靜電g

第34頁 3U7496 五、發明說明（31) 散層是在該最終的鍍膜步驟之後才形成^ 用於將該可彎曲電路與該印刷電路板 =裝置可能選自連接該塾或其它連接/包m連 〜錫、熱壓縮焊接、電線焊接、内再流 統裝置。 守深坪接4的任何傳 從載子形成的可彎曲電路及本發 構裝，晶片量封裝，單一和複數金屬： = = 陣列 中很有用。可將此電路和封裝設計成供任何電子】^袭 用’包括但不限於錄音裝置、列印裝置； 置，投影機、照相機、電腦、資料儲存裝置等^媒體裝 利為解釋性的，1且不意圖限制僅以該申請專 利耗圍早獨表示的本發明範嗜。 … 範例 範例1 在一 50微米的Kapton⑨（聚亞胺薄膜（p〇lyimide))網上， 以射頻（&RFj氣相沉積方法使用在此所述之該裝置來連續沉 積類鑽，薄膜。在此方法中，該聚亞胺薄膜（p〇lyimide) 網被包裹在一激冷鼓（外徑15·24公分X ι5·24公分長）的 四週’而供應一無線電頻率（RF)功率（在13· 56 Mhz頻率） 至其上。該射頻（RF)功率用於啟動和維持丁烯氣體 (butene)電漿，該電漿用於沉積該類鑽碳薄膜。在包裹該 鼓的该基材網上出現一穩定狀態的直流電自我偏壓電壓。 已準備一連串在以下沉積條件下產生該指定表面電阻係數 的樣本。

第35頁 507496 五、發明說明（32) 丁烯(Butene) 流率（seem) 氮(Nitrogen) 流率(seem) 氬(Argon) 流率(seem) 射頻(RF) 功率(watts) 壓力 (mTorr) 網速度 (fpm) 表面電阻係數 (ohms/cm) 50 0 200 1200 20 2 lxlO7 20 20 460 1000 35 5 4 xlO8 100 100 0 1000 15 30 2χ1010 100 100 100 1000 20 30 4 xlO10 範例2 在一 50微米Kapton®(聚亞胺薄膜（polyimide))網上，以 脈衝陰極電弧沉積方法使用在此所述的該沉積裝置來連續 沉積類鑽碳薄膜。於一固體碳合金目標（5-7%銅）和一迴轉 電極之間建立一電場。該電極為有聚韮胺薄膜（ polyimide)網包裹於四週的激冷鼓。該脈衝電場在該目標 和該基材之間建立一對應的脈衝電弧，導致一層類鑽碳形 成於該基材上。已準備一連串在以下沉積條件下產生該指 定表面電阻係數的樣本。 頻率(Hz) 壓力(mTorr) 速度（ipm) 電阻係數(〇hms/cm) 5 20 9 6 x l〇6 5 10 13 4 x l〇7 5 30 35 6 χ 1〇8 5 50 45 6xl〇9 5 60 55 5xl〇l° 10 40 15 2χ1〇7 20 40 1 ·Ι u . IB lt .. 45 8 χ 1〇7

第36頁 507496 五、發明說明（33) 範例3 在一 50微米的Kapt〇n®(聚亞胺薄膜（polyimide))網上， 以直，電磁電管濺鍍沉積方法使用在此所述的該沉積襞 來連續沉積類鑽碳薄膜。於一固體石墨目標和一迴轉電極 之2建立一電場。該電極為有聚亞胺薄膜（p〇lyimide)網 包最於四週的激冷鼓。該脈衝電場在該目標和該基材之間 建立一對應的脈衝電弧，導致一層類鑽碳形成於該基材 上。已準備一連串在以下沉積條件下產生該指定表面電阻 係數的樣本。 功率 (Watts) 壓力 (mTorr) 電壓(V) 氬流 (seem) 速度 (φιη) ‘ 電阻係數 ^ (ohms/cm) 2000 13.2 768 150 4 4xl010 4000 7.6 890 150 4 2xl09 4000 9.5 864 200 4 5xl08 4000 14.6 865 170 8 3x 107 5000 16.9 825 200 8 8x10"

507496 圖式簡單說明 第38頁

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 I 一電路，包括： 一電介質基材； 式化：ί ί、- f Γ ί電介質基材的表面上，將該導電層樣 一丘疋義禝數個有空間分離的導電元件；及 導電元私何耗散層，接觸並且延伸於二個以上的該 U5和1 χ 1ηιί，該靜電荷耗散層的表面電阻係數在1 X 出的材二製成歐姆並且係由下列各物中所^ 蝴、碳化石夕和二氧化ΪΪ 、氮化蝴、三氣化 的電荷耗散層 的層 =:=:該靜電荷耗散層 4矣=請專利範圍第w之電路.中該 且係數在1 X 106和1 "。8歐姆/公分之Ϊ層 且居度在2 0 0埃和5 〇 〇埃之間。 亚 5山如申明專利範圍第J項之電路，纟中該靜電 是由類鑽碳所製成。 耗政層 6女t申明專利範圍第1項之電路，，中該導電元件勹虹 二一焊接部份’並且其中該靜電荷耗散層ΐί 於δ亥布線。卩份曝露的表面上。 少成 層7樣圍路’ ”Γ;’!電荷耗散 間的溝。疋義位於其中且延伸於二鄰接導電元件之

   第39頁 507496 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第1項之電路，其中該靜電荷耗散層 直接置於該電介質基材上。 9. 如申請專利範圍第1項之電路，其中該靜電荷耗散層 是由包括高導電性合金的材料所製成，該材料係由包括 銅，鋁，鈦，鎳和鉻等的材料中所選出。 I 0.如申請專利範圍第1項之電路，其中該電介質基材 為一可彎曲的聚合體材料，係從聚亞胺薄膜和多元酯中所 選出。 II · 一電子包裝，包括如申請，專利範圍第1項之電路，

   其中該可彎曲電介質基材包括複數個孔穴延伸於其間，並 且其中該導電元件的每一個包括一焊接部份和一布線部 份。 ^

   第40頁