FR2527039A1 - Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique - Google Patents

Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique Download PDF

Info

Publication number
FR2527039A1
FR2527039A1 FR8208489A FR8208489A FR2527039A1 FR 2527039 A1 FR2527039 A1 FR 2527039A1 FR 8208489 A FR8208489 A FR 8208489A FR 8208489 A FR8208489 A FR 8208489A FR 2527039 A1 FR2527039 A1 FR 2527039A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
layer
deposited
pins
varistor
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8208489A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2527039B1 (fr
Inventor
Christian Val
Val Christian
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
INFORMATIQUE MILITAIRE SPAT AERO
INF MILIT SPATIALE AERONAUT
Original Assignee
INFORMATIQUE MILITAIRE SPAT AERO
INF MILIT SPATIALE AERONAUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by INFORMATIQUE MILITAIRE SPAT AERO, INF MILIT SPATIALE AERONAUT filed Critical INFORMATIQUE MILITAIRE SPAT AERO
Priority to FR8208489A priority Critical patent/FR2527039A1/fr
Priority to US06/571,554 priority patent/US4559579A/en
Priority to PCT/FR1983/000091 priority patent/WO1983004157A1/fr
Priority to JP58501559A priority patent/JPS59500845A/ja
Priority to EP83901382A priority patent/EP0108098A1/fr
Publication of FR2527039A1 publication Critical patent/FR2527039A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2527039B1 publication Critical patent/FR2527039B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0039Galvanic coupling of ground layer on printed circuit board [PCB] to conductive casing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/647Resistive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/167Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3447Lead-in-hole components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

L'INVENTION A POUR OBJET UN DISPOSITIF DE PROTECTION D'UN COMPOSANT ETOU D'UN CIRCUIT ELECTRONIQUE, INTEGRE AU SUPPORT DE CE DERNIER, CONTRE LES PERTURBATIONS (TENSIONS) ENGENDREES PAR UN CHAMP ELECTROMAGNETIQUE EXTERIEUR. IL COMPORTE PRINCIPALEMENT DES MOYENS DE LIAISON ELECTRIQUE (CADRE) DONT LA CONDUCTIVITE AUGMENTE FORTEMENT SOUS L'EFFET DU CHAMP EXTERIEUR, ENTRE CHACUNE DES CONNEXIONS DE SORTIE 11-14 DU DISPOSITIF A PROTEGER C, CES MOYENS DE LIAISON ELECTRIQUE ETANT CONSTITUES PAR UNE VARISTANCE V ET UNE ELECTRODE E RELIEE A LA MASSE 13 DU DISPOSITIF. APPLICATION NOTAMMENT A LA PROTECTION DE BOITIERS DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES, CARTES ET CONNECTEURS DE CARTES, CONTRE LES EFFETS DE L'ONDE EMP.

Description

DISPOSITIF DE PROTECTION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE
CONTRE LES TENSIONS ENGENDREES PAR UN CHAMP ELECTROMAGNETIQUE
La présente invention a pour objet un dispositif de protection
d'un composant et/ou d'un circuit électronique contre les pertur-.
bations (tensions) engendrées par un champ électromagnétique exté-
rieur, tel que l'onde dite EMP due à une désintégration atomique ou nucléaire.
Ainsi qu'il est connu, la présence d'un champ électro-
magnétique provoque dans des composants ou des circuits électro-
niques l'apparition de tensions qui, lorsque le champ est très intense, peuvent entraîner le claquage et la destruction des composants Une protection contre ces tensions parasites est donc nécessaire et elle est d'autant plus difficile à réaliser que le champ en question est susceptible d'apparaître brutalement, avec un temps de montée
faible, pouvant atteindre dans certains cas la dizaine de nano-
secondes, ce qui est par exemple le cas de l'onde EMP sus-
mentionnée.
Il est connu de tenter de réaliser une telle protection en enfermant le circuit ou le composant à protéger dans un blindage ou
une cage de Faraday Toutefois, cette protection s'avère insuffi-
sante du fait que ces composants ou circuits ont nécessairement des connexions électriques avec l'extérieur, qui forment antenne en présence d'un champ extérieur et permettent l'arrivée de charges
parasites dans l'élément à protéger.
La présente invention a pour objet un dispositif de protection permettant d'éviter les inconvénients ci-dessus et, ce, en drainant les charges parasites vers l'extérieur au niveau de chacune des
connexions de l'élément protégé.
Plus précisément, l'invention a pour objet un dispositif de
protection d'un dispositif électronique contre un champ électro-
magnétique extérieur, comportant: des moyens de liaison électrique,-
dont la conductivité augmente sous l'effet du champ électro-
-2 magnétique extérieur, entre chacune des connexions de sortie du dispositif électronique et une évacuation et/ou un réservoir des
charges créées par le champ.
D'autres objets, caractéristiques et résultats de l'invention
ressortiront de la description suivante, donnée à titre d'exemple non
limitatif et illustrée par les dessins annexés qui représentent: la figure 1,-un premier mode de réalisation du dispositif selon l'invention, appliqué à la protection d'un composant électronique; la figure 2, un deuxième mode de réalisation du -dispositif selon l'invention adapté à un boîtier de type "chip carrier"; la figure 2 a, une vue en coupe partielle de la figure précédente; la figure 3, un troisième mode de réalisation du dispositif selon l'invention, également adapté à un boîtier de type "chip carrier"; les figures 4, a b et ci trois modes de réalisation du dispositif selon l'invention appliqué à la protection d'un circuit électronique monté sur une carte; les figures 5, a b et c, trois modes de réalisation du dispositif selon l'invention appliqué à un connecteur pour cartes portant des
circuits électroniques.
Sur ces différentes figures, d'une part les mêmes références se rapportent aux mêmes éléments et, d'autre part, les dimensions réelles de ces éléments n'ont pas été respectées pour la clarté du
dessin.
Sur la figure 1, on a donc représenté un composant électro-
nique C muni par exemple de quatre plots de connexion ( 1, 2, 3 et 4) qui sont reliés chacun classiquement par un fil conducteur ( 10) à des conducteurs, par exemple constitués par les pistes de l'embase du boîtier B (céramique ou plastique) qui porte le composant, repérés respectivement 11, 12, 13 et 14 Dans cet exemple, c'est la connexion 3 et lapiste 13 qui constituent la masse de l'ensemble du dispositif.
Selon l'invention, il est prévu un cadre enfermant le compo-
sant, à proximité de celui-ci, constitué par une couche V d'un matériau var-istance recouverte d'une électrode conductrice E, par exemple de largeur un peu inférieure à celle de la couche V; ce cadre V est déposé sur le support B et sur les conducteurs Il à 14.
L'électrode E est reliée à la piste 13 par une languette 15.
Ainsi qu'il est connu, un matériau varistance qui est constitué en général d'oxyde de zinc dopé (par des oxydes de bismuth, cobalt, chrome, molybdène, antimoine, etc) présente une résistance non
linéaire: il n'est pas électriquement conducteur lorsque la diffé-
rence de potentiel qui lui est appliquée ne dépasse pas une certaine tension de seuil (VC), et il le devient après ce seuil Ce phénomène
étant dû à un effet de champ, la commutation entre l'état conduc-
teur et l'état non conducteur est très rapide (elle peut être égale ou inférieure à 1 ns) Un tel matériau peut être déposé de toute façon connue: par exemple sérigraphie sur le support B du composant C
lorsque celui-ci est en céramique ou encore déposé, par pulvéri-
sation cathodique par exemple, lorsque ce support est plastique.
Le fonctionnement d'un tel dispositif est le suivant: en l'ab-
sence de tout champ électromagnétique extérieur, les signaux passent des pistes 11-14 aux plots 1-4 du composant C sans être perturbés par le cadre V ni l'électrode E, puisque le matériau varistance n'est pas conducteur et donc que l'électrode E se trouve isolée des pistes 11, 12 et 14 Lorsque un champ électromagnétique est appliqué sur le dispositif, si son intensité par rapport au seuil Vc du matériau varistance est suffisante, il rend ce dernier conducteur, ce qui a pour effet de relier les pistes 11, 12, 13 et 14 entre elles (et à la masse) par l'intermédiaire de l'électrode E Il en résulte que les charges électriques créées par le champ extérieur n'entrent pas dans le composant C mais sont drainées vers la masse du dispositif,
réalisant ainsi la fonction de protection recherchée.
Ainsi qu'il est connu également, la tension de seuil Vc d'une varistance est fonction de l'épaisseur de celle-ci et peut donc être choisie en fonction des intensités auxquelles on peut s'attendre pour les champs électromagnétiques perturbateurs, lorsqu'elles sont connues Dans tous les cas, le seuil V doit être supérieur à la plus élevée des tensions de travail du composant C; pour constituer une protection efficace, il est clair que cette tension V doit toutefois être inférieure à la tension de claquage du composant et, de
préférence, aussi proche que possible de sa tension de travail.
Toutefois, des considérations technologiques de tolérance de fabri-
cation sur l'épaisseur de la couche constituant la varistance peuvent conduire à choisir Vc de l'ordre de deux à trois fois la tension de
travail la plus élevée du composant.
A titre d'exemple, pour une tension de travail de 12 volts, la valeur choisie pour VC peut être de l'ordre de 30 volts, qui est une tension' inférieure à la tension de claquage de la plupart des
composants électroniques actuels.
Il ressort de ce qui précède qu'un avantage du dispositif de protection selon l'invention est que, outre le fait de permettre une protection efficace, il est susceptible d'être intégré sur le support
du composant.
La figure 2 montre, vu de dessus, un mode de réalisation pratique du dispositif selon l'invention dans un boîtier de type "chip carrier" On rappelle qu'un tel boîtier se caractérise essentiellement par l'absence de broches de connexion, qui sont remplacées par des
dépôts métalliques.
On a schématisé sur la figure 2 le composant C et quelques uns de ses plots de connexion ( 1 et 3), fixés sur le substrat d'un boîtier "chip carrier" répéré CC; le substrat porte un certain nombre de conducteurs sous forme de dépôts métalliques tels que Il et 13, qui se prolongent jusqu'à la périphérie du substrat au droit de demi-trous ( 20); ainsi qu'il est connu, les dépôts conducteurs se prolongent à l'intérieur de ces demi-trous sur la tranche du boîtier et s'achèvent sur le dessous du boîtier o ils constituent les connexions de sortie
de ce dernier.
Ainsi qu'il apparaît sur la figure 2 a, qui est une vue en coupe partielle réalisée selon l'axe XX de la figure 2, les métallisations
2527039.
telles que 11 et la métallisation de masse 13 sont déposées direc-
tement sur le substrat CC Les métallisations Il sont recouvertes par la couche de matériau varistance V qui entoure le composant C, sauf au niveau de la connexion de masse 13 L'électrode E recouvre la couche V et se prolonge sur la piste de masse 13, réalisant ainsi la
connexion électrique entre les éléments E et 13.
Le fonctionnement du dispositif selon l'invention est identique
à ce qui est décrit ci-dessus pour la figure 1.
La figure 3 représente un autre mode de réalisation du dispositif selon l'invention, également adapté à un boîtier de type -"chip carrier" mais comportant en outre une capacité intégrée dans
le substrat du boîtier.
Sur cette figure, on retrouve le substrat CC d'un boîtier "chip carrier", vu de dessus, présentant des métallisations ( 11, 13, 16)
réparties à sa périphérie, ainsi que le cadre de matériau varis-
tance V et l'électrode E Parmi les métallisations, on retrouve la métallisation 13 reliée à la masse, deux métallisations telles que 11,
reliées au composant qui n'est ici pas représenté, et une métalli-
sation 16 qui n'est reliée ni au composant ni à l'extérieur du
dispositif mais qui sert de connexion entre l'électrode E par l'inter-
médiaire de la languette 15 et une métallisation 22 déposée sur l'une
des faces du substrat CC; la métallisation 22 forme l'une des arma-
tures d'un condensateur dont le diélectrique est formé par le substrat CC et l'autre armature par une métallisation 21 déposée sur
l'autre face du substrat; la métallisation 21 est reliée à la conne-
xion de masse 13.
Ainsi qu'il apparaît, par rapport au mode de réalisation de la figure 2, une capacité (d'armature 21 et 22) a été interposée entre
l'électrode E et la connexion de masse 13.
Ce mode de réalisation a pour avantage de permettre par la capacité ainsi interposée de stocker sur place au moins une fraction des charges créées par le champ électromagnétique extérieur, afin d'éviter un trop grand transfert de charges vers la masse qui est à son tour susceptible de créer des perturbations, par exemple une
tension parasite par induction selfique.
Il est à noter qu'il est connu d'intégrer des capacités sur le substrat d'un bottier du type "chip carrier", ce qui est notamment décrit dans les demandes de brevet N O 79-11852, 80-18927 et 80- 26076, toutes trois au nom de THOMSON-CSF La capacité de stockage précédente peut être ou non confondue avec les capacités
de découplage décrites dans les demandes de brevet sus-
mentionnées. Les figures 4, a b et c, représentent trois modes de réalisation du dispositif selon l'invention, appliqués à la protection d'un ou plusieurs circuits électroniques montés sur une même carte (circuit
imprimé ou céramique).
Sur la figure 4 a, on a représenté l'extrémité d'une carte S supportant un ou plusieurs composants ou circuits électroniques (non représentés), vue à son extrémité de connexion, c'est-à-dire celle o elle se termine par des pistes conductrices destinées à coopérer avec d'autres cartes par l'intermédiaire de connecteurs Ces pistes sont par exemple de deux sortes, d'une part deux pistes de masse repérées respectivement 31 et 32 situées aux deux extrémités de la carte S et, d'autre part, des pistes 33 assurant l'alimentation et les entrées-sorties de signaux des différents circuits et composants portés par la carte S. Selon l'invention, cette carte S porte en outre une couche en forme de bande de matériau varistance repérée VS, constituée et déposée sur l'extrémité des pistes 33 avantageusement de la même manière que le cadre V des figures précédentes, et recouverte par une électrode ES qui est en contact électrique avec la ou, en
l'occurence, les pistes ( 31 et 32) reliées à la masse du dispositif.
Selon que la carte S est en céramique ou est un circuit -imprimé, le matériau varistance V 5 peut être déposé par sérigraphie ou pulvérisation cathodique, etc. Le fonctionnement de ce dispositif de protection situé au niveau de la carte S est identique à ce qui a été décrit pour un
composant seul précédemment, à savoir que lorsqu'un champ élec-
tromagnétique extérieur perturbateur est d'une intensité suffisante, le matériau constituant la couche V devient conducteur et les
charges créées à l'extérieur de la carte et arrivant par les conne-
xions 33 se trouvent, par l'intermédiaire de l'électrode Es alors en contact électrique avec elles, évacuées vers la masse par les connexions 31 et 32, ne peuvent donc pas atteindre les circuits
portés par la carte, assurant ainsi la protection recherchée.
Il est à noter que ce dispositif de protection décrit figure 4 a peut être utilisé cumulativement avec des dispositifs de protection tels que décrits dans les figures précédentes au niveau de chacun des
composants ou circuits électroniques utilisés sur la carte.
La figure 4 b représente une variante de réalisation du dispo-
sitif de protection d'une carte électronique.
Sur cette figure, on retrouve la carte S, une connexion de masse 32 et des connexions d'entrée-sortie de différents circuits repérées 33 Cette carte porte en outre une plaquette allongée 34, recouvrant sensiblement tout le bord de la carte S, interposée sur les connexions 32 et 33 Cette plaquette 34 est de préférence en
céramique et porte la couche varistance Vs et l'électrode Es, dépo-
sées de préférence par sérigraphie sur la plaquette 34, ainsi que des
électrodes 36 et 35 assurant la continuité électrique sur la pla-
quette 34 entre respectivement les pistes 32 et 33 de la carte S Les connexions sont par exemple réalisées sur la figure 4 b par des fils de connexion soudés 37 ou, comme représenté sur la figure 4 c, par des demitrous brasés 38 du type des demi-trous des bottiers "chip carrier". Cette variante, aussi bien dans sa version de la figure 4 b que celle de la figure 4 c, permet, du fait de l'interposition d'une plaquette 34 en céramique, de déposer le matériau varistance V 5 par une technique de sérigraphie lorsque la carte S est une carte de
circuit imprimé qui est incompatible avec cette technique.
Dans une variante' de réalisation non représentée, il est
2527039;
possible d'interposer une capacité entre l'électrode Es et la masse,
dans le même but que précédemment.
Les figures 5, a b et c, représentent trois modes de réalisation du dispositif selon l'invention appliqués à un connecteur de carte portant des circuits ou composants électroniques. Sur la figure Sa, on a représenté en coupe un connecteur par ses broches de connexion 51 émergeant par des trous ménagés dans une embase isolante CT Sur une même face de l'embase CT, entre chaque paire de broches 51, on a déposé une métallisation E Ci en contact électrique avec une brasure 53 la réunissant à une broche 51
située à droite sur le schéma; cette métallisation E Cl est partiel-
lement recouverte par une couche de matériau varistance Vc lui-
même recouvert par une électrode EC 2 qui est sans contact élec-
trique avec l'électrode Eci mais réunie à une autre broche 51, sur le schéma située à gauche du même élément de l'embase CT, par une
brasure 54.
Le fonctionnement de ce dispositif est analogue aux dispositifs précédents, à savoir que le matériau varistance VC est choisi et dimensionné de telle sorte qu'il soit isolant en l'absence de champ
électromagnétique extérieur de perturbation: de la sorte, les diffé-
rentes broches 51 sont sans contact électrique les unes avec les autres, de façon classique En présence de champs perturbateurs, le matériau varistance VC devient conducteur et il apparaît que deux broches 51 successives sont en contact électrique par l'intermédiaire
successivement de la brasure 54, d'une première couche conduc-
trice EC 2, du matériau varistance Vc devenu conducteur, d'une deuxième couche EC 1 et enfin d'une seconde brasure 53 Il apparaît
comme précédemment que les charges créées par le champ pertur-
bateur n'ont donc pas la possibilité de franchir le connecteur mais sont évacuées par exemple vers une des broches 51 reliées à la masse. Comme précédemment également, ce dispositif de protection au niveau du connecteur peut être utilisé cumulativement avec une protection au niveau de la carte et une protection au niveau du
circuit ou composant lui-même.
La figure 5 b représente une variante de réalisation de la
figure 5 a.
Sur cette figure, on retrouve le connecteur représenté par ses broches de connexion 51 et son embase isolante CT Entre deux
broches successives 51 sont déposées sur une même face de l'iso-
lant CT deux métallisations EC 3 et EC 4 sans contact électrique mais situées au même niveau Sur les électrodes EC 3 Y EC 4 et entre elles est disposée une couche de matériau varistance Vc La liaison électrique avec les broches 51 est réalisée par deux brasures 54 et 53 reliant respectivement les électrodes E 03 et E 04 à leurs
broches 51 respectives.
Le fonctionnement est identique à ce qui a été décrit précé-
demment La seule différence est d'ordre technologique: en effet, les électrodes EC 3 et EC 4 peuvent être déposées en une même
opération, l'espace entre elles étant réalisé par gravure laser.
La figure 5 c représente un autre mode de réalisation du
dispositif selon l'invention appliqué à un connecteur de carte de.
circuit électronique qui comporte l'intégration d'une capacité, de
façon analogue à ce qui a été décrit sur la figure 3.
Sur cette figure, on retrouve les broches de connexion 51 ainsi que l'embase isolante CT et, à titre d'exemple, les électrodes E 03
et EC 4 et le matériau varistance Vc tel que décrit figure 5 b.
Toutefois, l'autre face de la couche isolante CT comporte de plus une électrode repérée 55 s'étendant par exemple sur toute la surface comprise entre deux broches 51; en outre, les brasures faisant la liaison électrique avec les broches de connexion 51 sont légèrement modifiées: en effet, une broche 51 est soit reliée de part et d'autre aux métallisations 55, soit aux métallisations situées sur l'autre
face, EC 3 ou EC 4.
En fonctionnement, il apparaît que le matériau CT isolant et les électrodes 55, EC 3 et EC 4 forment une capacité dont le rôle est
analogue à ce qui a été décrit figure 3.

Claims (8)

REVENDICATIONS
1 Dispositif de protection d'un dispositif électronique contre un champ électromagnétique extérieur, caractérisé par le fait qu'il comporte des moyens *de liaison électrique, dont la conductivité augmente sous l'effet du champ électromagnétique extérieur, entre chacune des connexions de sortie-du dispositif électronique et une
évacuation et/ou un réservoir des charges créées par le champ.
2 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait
que les moyens de liaison électrique comportent un matériau varis-
tance.
3 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, le
dispositif à protéger étant un composant électronique comportant des plots de connexion, placé sur un support comportant des pistes conductrices reliées aux plots précédents, le dispositif de protection étant caractérisé par le fait que les moyens de liaison électrique sont en forme de cadre, placé autour du composant, et qu'ils comportent une couche de matériau varistance, déposée sur le support et sur les pistes qu'elle croise, et une électrode déposée sur
la couche varistance, reliée à la masse du dispositif.
4 Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, le dispositif
à protéger étant une carte portant au moins un composant électro-
nique et des pistes conductrices, le dispositif de protection étant caractérisé par le fait que les moyens de liaison électrique sont en forme de bande, placée vers l'extrémité de la carte destinée à coopérer avec un connecteur, et qu'ils comportent une couche de matériau varistance, déposée sur le support et sur les pistes qu'elle croise, et une électrode déposée sur la couche varistance, reliée à la
masse du dispositif.
Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, le dispositif
à protéger étant une carte portant au moins un composant électro nique et des pistes conductrices, le dispositif de protection étant Il caractérisé par le fait qu'il comporte une plaquette portant des pistes conductrices, interposée sur les pistes de la carte vers
l'extrémité de cette dernière destinée à coopérer avec un connec-
teur, les moyens de liaison électrique comportant une couche en forme de bande de matériau varistance, déposée sur la plaquette et ses pistes qu'elle croise, et une électrode déposée sur la couche
varistance, reliée à la masse du dispositif.
6 Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, le dispositif
à protéger étant une carte placée dans un connecteur, le connecteur comportant une embase isolante traversée par des broches de connexion, l'une au moins de ces broches étant reliée à la masse, le dispositif de protection étant caractérisé par le fait que les moyens de liaison électrique comportent une première couche conductrice, déposée sur une fraction de la surface de l'embase et en contact électrique avec les broches de connexion, une couche de matériau varistance déposée sur la première couche conductrice et sur les parties laissées libres de cette même surface de l'embase, et une deuxième couche conductrice déposée sur la couche varistance, en contact électrique avec les broches de connexion, les contacts électriques entre les première et deuxième couches conductrices et les broches étant réalisés de telle sorte que le contact électrique
entre les broches ne soit possible qu'à travers la couche varistance.
7 Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, le dispositif
à protéger étant une carte placée dans un connecteur, le connecteur comportant une ernbase isolante traversée par des broches de connexion, l'une au moins de ces broches étant reliée à la masse, le dispositif de protection étant-caractérisé par le fait que les moyens de liaison électrique comportent une première couche conductrice, déposée sur une fraction de la surface de l'embase et en contact électrique avec les broches de connexion, une deuxième couche conductrice, déposée sur les parties laissées libres de cette même surface de l'embase, mais sans contact avec la première couche, et une couche de matériau varistance déposée sur les première et deuxième couches conductrices, les contacts électriques entre les première et deuxième couches conductrices et les broches étant réalisés de telle sorte que le contact électrique entre les broches ne
soit possible qu'à travers la couche varistance.
8 Dispositif selon l'une des revendications 3, 4, 5, 6 et 7,
caractérisé par le fait que l'électrode ou la couche conductrice des moyens de liaison qui est reliée à la masse l'est par l'intermédiaire
d'une capacité.
9 Dispositif selon les revendications 3 et 8, caractérisé par le
fait que la capacité est formée par le support du composant et deux
métallisations placées de part et d'autre de ce dernier.
FR8208489A 1982-05-14 1982-05-14 Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique Granted FR2527039A1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8208489A FR2527039A1 (fr) 1982-05-14 1982-05-14 Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique
US06/571,554 US4559579A (en) 1982-05-14 1983-05-10 Device for the protection of an electronic component and/or circuit against the disturbances (voltages) generated by an external electromagnetic field
PCT/FR1983/000091 WO1983004157A1 (fr) 1982-05-14 1983-05-10 Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique
JP58501559A JPS59500845A (ja) 1982-05-14 1983-05-10 外部電磁界に対して電子デバイスを保護するデバイス
EP83901382A EP0108098A1 (fr) 1982-05-14 1983-05-10 Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8208489A FR2527039A1 (fr) 1982-05-14 1982-05-14 Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2527039A1 true FR2527039A1 (fr) 1983-11-18
FR2527039B1 FR2527039B1 (fr) 1985-02-08

Family

ID=9274065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8208489A Granted FR2527039A1 (fr) 1982-05-14 1982-05-14 Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4559579A (fr)
EP (1) EP0108098A1 (fr)
JP (1) JPS59500845A (fr)
FR (1) FR2527039A1 (fr)
WO (1) WO1983004157A1 (fr)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0384644A1 (fr) * 1989-02-21 1990-08-29 TATSUTA ELECTRIC WIRE & CABLE CO., LTD. Plaque de circuit imprimé
EP0385689A1 (fr) * 1989-02-27 1990-09-05 Nintendo Co. Limited Plaque de circuit imprimé capable d'éviter des interférences électromagnétiques
US5043526A (en) * 1986-03-13 1991-08-27 Nintendo Company Ltd. Printed circuit board capable of preventing electromagnetic interference
FR2726941A1 (fr) * 1986-01-28 1996-05-15 Cimsa Cintra Dispositif integre de protection par varistance d'un composant electronique contre les effets d'un champ electro-magnetique ou de charges statiques
US8359740B2 (en) 2008-12-19 2013-01-29 3D Plus Process for the wafer-scale fabrication of electronic modules for surface mounting

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6068721A (ja) * 1983-09-22 1985-04-19 Fujitsu Ltd Ecl回路
ES8900238A1 (es) * 1985-03-29 1989-04-01 Raychem Ltd Un conectador electrico para conectar una pluralidad de lineas electricas.
FR2591801B1 (fr) * 1985-12-17 1988-10-14 Inf Milit Spatiale Aeronaut Boitier d'encapsulation d'un circuit electronique
GB8827627D0 (en) * 1988-11-25 1989-05-17 Smiths Industries Plc Electrical protection assemblies
US5107458A (en) * 1989-01-06 1992-04-21 Science Applications International Corporation Bubble memory peripheral system tolerant to transient ionizing radiation
US4947235A (en) * 1989-02-21 1990-08-07 Delco Electronics Corporation Integrated circuit shield
GB2233821A (en) * 1989-07-11 1991-01-16 Oxley Dev Co Ltd Ceramic package including a semiconductor chip
US5004317A (en) * 1990-01-03 1991-04-02 International Business Machines Corp. Wire bond connection system with cancellation of mutual coupling
US5008770A (en) * 1990-02-20 1991-04-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Filter pin integrated circuit socket kit
US5265273A (en) * 1990-03-02 1993-11-23 Motorola, Inc. EMI shield for a display
US5089929A (en) * 1990-03-08 1992-02-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Retrofit integrated circuit terminal protection device
FR2688629A1 (fr) * 1992-03-10 1993-09-17 Thomson Csf Procede et dispositif d'encapsulation en trois dimensions de pastilles semi-conductrices.
FR2709020B1 (fr) * 1993-08-13 1995-09-08 Thomson Csf Procédé d'interconnexion de pastilles semi-conductrices en trois dimensions, et composant en résultant.
FR2719967B1 (fr) * 1994-05-10 1996-06-07 Thomson Csf Interconnexion en trois dimensions de boîtiers de composants électroniques utilisant des circuits imprimés.
AUPM690494A0 (en) * 1994-07-18 1994-08-11 Magellan Corporation (Australia) Pty Ltd Attenuator
US5869869A (en) * 1996-01-31 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Microelectronic device with thin film electrostatic discharge protection structure
KR100219080B1 (ko) * 1996-08-09 1999-09-01 김영환 반도체 장치의 패키지용 리드프레임 및 반도체 장치
US5796570A (en) * 1996-09-19 1998-08-18 National Semiconductor Corporation Electrostatic discharge protection package
US5773876A (en) * 1996-11-06 1998-06-30 National Semiconductor Corporation Lead frame with electrostatic discharge protection
US6078068A (en) * 1998-07-15 2000-06-20 Adaptec, Inc. Electrostatic discharge protection bus/die edge seal
US6549114B2 (en) * 1998-08-20 2003-04-15 Littelfuse, Inc. Protection of electrical devices with voltage variable materials
US6316734B1 (en) * 2000-03-07 2001-11-13 3M Innovative Properties Company Flexible circuits with static discharge protection and process for manufacture
US7034652B2 (en) * 2001-07-10 2006-04-25 Littlefuse, Inc. Electrostatic discharge multifunction resistor
JP4237615B2 (ja) * 2001-07-10 2009-03-11 リッテルフューズ,インコーポレイティド ネットワーク装置用の静電放電装置
US7202770B2 (en) 2002-04-08 2007-04-10 Littelfuse, Inc. Voltage variable material for direct application and devices employing same
US7132922B2 (en) 2002-04-08 2006-11-07 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same
US7183891B2 (en) 2002-04-08 2007-02-27 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
FR2875672B1 (fr) * 2004-09-21 2007-05-11 3D Plus Sa Sa Dispositif electronique avec repartiteur de chaleur integre
FR2894070B1 (fr) * 2005-11-30 2008-04-11 3D Plus Sa Sa Module electronique 3d
FR2895568B1 (fr) * 2005-12-23 2008-02-08 3D Plus Sa Sa Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
FR2905198B1 (fr) * 2006-08-22 2008-10-17 3D Plus Sa Sa Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
US7952848B2 (en) * 2008-04-04 2011-05-31 Littelfuse, Inc. Incorporating electrostatic protection into miniature connectors
FR2943176B1 (fr) 2009-03-10 2011-08-05 3D Plus Procede de positionnement des puces lors de la fabrication d'une plaque reconstituee

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2150324A2 (fr) * 1971-07-22 1973-04-06 Gen Electric
US3916366A (en) * 1974-10-25 1975-10-28 Dale Electronics Thick film varistor and method of making the same
EP0031283A2 (fr) * 1979-12-21 1981-07-01 Lignes Telegraphiques Et Telephoniques L.T.T. Circuit de protection d'un circuit de commutation
EP0045891A2 (fr) * 1980-08-13 1982-02-17 Chomerics, Inc. Dispositif de protection contre les surtensions pour haute puissance

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3743897A (en) * 1971-08-05 1973-07-03 Gen Electric Hybrid circuit arrangement with metal oxide varistor shunt
US3742420A (en) * 1971-10-21 1973-06-26 J Harnden Protective electrical feed through assemblies for enclosures for electrical devices
US3743996A (en) * 1971-10-21 1973-07-03 Gen Electric Protective pads for electrical devices
US3896480A (en) * 1971-10-22 1975-07-22 Gen Electric Semiconductor device with housing of varistor material
US3976811A (en) * 1975-03-03 1976-08-24 General Electric Company Voltage responsive switches and methods of making
JPS56158478A (en) * 1980-05-10 1981-12-07 Toshiba Corp Semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2150324A2 (fr) * 1971-07-22 1973-04-06 Gen Electric
US3916366A (en) * 1974-10-25 1975-10-28 Dale Electronics Thick film varistor and method of making the same
EP0031283A2 (fr) * 1979-12-21 1981-07-01 Lignes Telegraphiques Et Telephoniques L.T.T. Circuit de protection d'un circuit de commutation
EP0045891A2 (fr) * 1980-08-13 1982-02-17 Chomerics, Inc. Dispositif de protection contre les surtensions pour haute puissance

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2726941A1 (fr) * 1986-01-28 1996-05-15 Cimsa Cintra Dispositif integre de protection par varistance d'un composant electronique contre les effets d'un champ electro-magnetique ou de charges statiques
US5043526A (en) * 1986-03-13 1991-08-27 Nintendo Company Ltd. Printed circuit board capable of preventing electromagnetic interference
EP0384644A1 (fr) * 1989-02-21 1990-08-29 TATSUTA ELECTRIC WIRE & CABLE CO., LTD. Plaque de circuit imprimé
US5341274A (en) * 1989-02-21 1994-08-23 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Printed circuit board with enhanced EMI suppression
EP0385689A1 (fr) * 1989-02-27 1990-09-05 Nintendo Co. Limited Plaque de circuit imprimé capable d'éviter des interférences électromagnétiques
US8359740B2 (en) 2008-12-19 2013-01-29 3D Plus Process for the wafer-scale fabrication of electronic modules for surface mounting

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59500845A (ja) 1984-05-10
WO1983004157A1 (fr) 1983-11-24
FR2527039B1 (fr) 1985-02-08
US4559579A (en) 1985-12-17
EP0108098A1 (fr) 1984-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2527039A1 (fr) Dispositif de protection d'un dispositif electronique contre les tensions engendrees par un champ electromagnetique
EP0228953B1 (fr) Boîtier d'encapsulation d'un circuit électronique
EP0133125B1 (fr) Boîtier de composant électronique muni d'un condensateur
EP0310463A1 (fr) Boîtier pour circuit intégré de haute densité
FR2524712A1 (fr) Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation
FR2700416A1 (fr) Dispositif à semiconducteurs comportant un élément semiconducteur sur un élément de montage.
FR2529013A1 (fr) Circuit a haute frequence et dispositif semi-conducteur pour equiper un tel circuit
EP0688158B1 (fr) Dispositif de protection d'un dispositif électronique sensible aux rayonnements électromagnétiques
EP0198624A1 (fr) Dispositif de protection contre les surtensions
FR2465343A1 (fr) Dispositif suppresseur destine a limiter la transmission de pointes de tension elevees et rapides entre deux lignes electriques
EP0166634B1 (fr) Dispositif de répartition de potentiel électrique, et boîtier de composant électronique incorporant un tel dispositif
FR2726941A1 (fr) Dispositif integre de protection par varistance d'un composant electronique contre les effets d'un champ electro-magnetique ou de charges statiques
FR2513032A1 (fr) Dispositif de protection integre contre les surtensions d'un circuit electronique, et circuit electronique protege par ce dispositif
EP0346206A1 (fr) Connecteur actif pour carte de circuits imprimés
EP0554195B1 (fr) Composant de protection semiconducteur auto-protégé
FR2535110A1 (fr) Procede d'encapsulation d'un composant semi-conducteur dans un circuit electronique realise sur substrat et application aux circuits integres rapides
FR2620275A1 (fr) Boitier pour le montage en surface d'un composant fonctionnant en hyperfrequences
FR2529386A1 (fr) Boitier de circuit electronique comportant un condensateur
US4860155A (en) Overvoltage protection device
FR2564244A1 (fr) Structure de montage pour circuits integres rapides
EP1372237B1 (fr) Dispositif électrique comprenant deux supports et une borne de connexion reliée à un condensateur série et à un limiteur de tension
FR2472272A1 (fr) Composant hybride de protection et circuit l'incorporant
EP0374007B1 (fr) Dispositif d'encapsulation hermétique pour composants électroniques
FR2717901A1 (fr) Dispositif de détection de courant.
FR2738398A1 (fr) Panneau dephaseur a diodes et son application a une lentille hyperfrequence et une antenne a balayage electronique

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse