TW503452B - Electro-static chucking mechanism and surface processing apparatus - Google Patents

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靜電卡持技術已廣泛地應用以自動支持定位一物品， 且不會使其受損。尤其是，不同種類的表面處理裝置使用 靜電卡持技術以支持一基底成為在某一位置上的物品。靜 電卡持機構通常包括其上卡持物品的一ESC台。該ESCs 大體上包括一本體，固定於本體上的一絕緣塊，以及備置 在絕緣塊内的一對卡持電極。靜電藉由施加於卡持電極的 電壓而產生在絕緣塊上，以卡持住物品。 此種靜電卡持機構有時具有在物品及E S C台之間的熱 交換功能。譬如，表面處理機構常採用的構造體為一加熱 器備置在ESC台内，或冷卻劑通過ESC台而循環，以在處 理時控制物品之溫度於一特定範圍内。為控制物品之溫 度，加熱器通常係以負反饋控制。冷卻劑維持在一特定低 的溫度下。 在此溫度控制下，所產生的問題是當ESC台及物品之 間熱交換不足時，溫度控制的精確性或效率會下降。尤其 是，在表面處理裝置中，物品有時會在一處理室内的真空 環境下處理。微小的間隙存在ESC台以及物品之間，因為 那些界面並非完全為偏平的。通過間隙的熱交換十分小， 因為它們係在真空壓力下。因此，ESC台及物品之間熱交 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ：---_ii I -------l·--------^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4

五、發明說明（2 ) 換效率較在室溫的狀況下為低。 為解決此問題，一種表面處理裝置採用的構造體中， 熱交換氣體注入在ESC台以及物品之間。為卡持表面的 ESC台之表面具有一淺的凹面。此處，本文中所謂的、卡 持表面係指物品被夾住之面的表面。物品無法總是卡持 在卡持表面的整個區上。凹面之開口以被卡持物品關閉。 ESC台具有一氣體注入槽，熱交換氣體通過他而注入凹面 中。 在上述ESC機構中，凹面的深度最好十分小。在凹面 上，熱交換氣體分子須在凹面底部以及物品之間行進，以 作熱父換。若凹面較深，氣體分子必須行進地較久，因此 相互對撞之擴散的可能性較高，而使得熱交換效率下降。 另一方面，熱交換氣體自氣體注入槽之出口注入凹面 中，而該注入槽備置在凹面底上。熱交換氣體沿著平行於 卡持表面的方向擴散，以填充凹面。A 了均句地以熱交換 氣體填充，熱交換氣體沿著擴散方向的傳導須要足夠的 高。然而，當凹面較淺，熱交換氣體之傳導會減少。因此， 熱父換氣體無法均勻地擴散，而使得在凹面上的壓力沿著 平灯於卡持表面變得不均勾。如此導致物品之溫度沿著這 一方向便#不均勻。此通常表示以表面處理裝置處理的物 品不夠均勻。 發明之摘要 本發明之目的為解決上述的問題。 為達成此目的，本發明備置以靜電卡持一物品於一卡 A7 A7五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 持表面上的—Esc機構，其包括具有表面為卡持表面的-絕緣塊的一台，以及備置於絕緣塊上的一卡持表面。一溫 度控制器備置在台上以控制物品的溫度。備置施加電壓至 卡持電極的一卡持電源使物品被卡持住。卡持表面具有凹 面，其開口以卡持物品關閉。備置注入熱交換氣趙至凹面 中的一熱交換氣體注入系統。該凹面包括一熱交換凹面， 用以促進在增加之M力下台及物品之間的熱交換，以及一 氣體擴散凹面，用以使注入的氣體擴散至熱交換凹面。氣 體擴散凹面較熱交換凹面為深。 除完成上述目的之外，本發明亦備置一表面處理裝 置，其包括一物品的一表面在其中處理的一處理室，以及 具有相同性質的靜電卡持機構。 圖式之簡要說明 第1圖為顯示本發明之實施例的一靜電機構的一前橫 截面圖； 第2圖為如第1圖中所示的ESC台2的平面圖； 第3圖為第2圖中沿A-A線的一側橫截面圖，其顯示在 ESC台2之卡持表面上的凹面-凸面構形； 第4圖為第2圖中沿B-B線的一側橫戴面圖，其顯示在 ESC台2之卡持表 面上的凹面·凸面構形； 第5圖為第2圖中沿C-C線的一側橫截面圖，其顯示在 ESC台2之卡持表 面上的凹面-凸面構形； 第6圖為顯示在主要本體21内冷卻孔穴200的構形之橫 截面圖；

-11! , r---· 11 -------線！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 503452 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 第7圖為依據本發明之表面處理裝置的一實施例的概 略前橫截面圖。 較佳實施例之詳細說明 本發明之較佳實施例將在下文中說明。 第1圖中所示的ESC機構包括表面為卡持表面的_ ESC台2，以及施加電壓使得物品可卡持住的一卡持電源 3。ESC台2大體上包括一本體21，固定於本體21的一絕緣 塊22，以及一對備置在絕緣塊22上的卡持電極23 , 23。 本體以如不銹鋼或鋁的金屬製成。絕緣塊以如銘之絕 緣物質製成，以包括銦，或低熔點金屬或合金的易炼合金 插在本體21以及絕緣塊22之間。薄片29藉由填充氣體於本 體21及絕緣塊22之間的間隙而強化熱傳遞。卡持電極23， 23為平行卡持表面而備置的板。最好卡持電極23，23的構 形及組合與ESC台2的中心對稱地共軸。 此實施例之特徵在於ESC台2的卡持表面之構形。此 點將配合第1至5圖加以說明。雖然ESC台的卡持表面在第 1圖所示的為扁平的，但實際上它為凹面-凸面構形。第2 圖為此構形的平面圖。第3，4，5圖詳細地顯示卡持表面 之側橫截面構形。第3圖為沿第2圖中的線A-A之橫截面。 第4圖為沿第2圖中的線B-B之橫截面圖。第5圖為第2圖中 的線C-C之橫截面圖。絕緣塊22的上表面對應於卡持表 面。如第1圖所示，絕緣塊22整體地向上突出。物品9卡持 在突出部之頂上。因此，突出部的頂表面為卡持表面。 如第2圖所示，卡持表面的平面圖整體為圓形的。物 — — — — — — — — · I I I l· I I I — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7

503452 五、發明說明（5 ) 品9亦為圓形的，其半徑與卡持表面之半徑相同。絕緣塊22 沿著圓形卡持表面的輪廓具有一周邊的凸面24。該凸面24 以下稱為、、邊界凸面"。在邊界凸面24内形成許多小的柱 狀凸面25。各凸面25以下簡稱為a柱形凸面，如第3圖所 示’邊界凸面24之頂表面以及各柱形凸面25的頂表面同 南。當卡持住時，物品9與兩個頂表面接觸。因此，在此 實施例中，卡持表面由邊界凸面24之頂表面以及各柱形凸 面25之頂表面構成。當物品9卡持住時，以邊界凸面24及 柱形凸面25形成的凹面26被物品9關閉。 以邊界凸面24以及柱形凸面25形成的凹面26用以促進 ESC台2及物品9之間的熱交換。此凹面26以下稱為、、熱交 換凹面”。此實施例之特徵為除熱交換凹面26之外備置另 一凹面27，使得熱交換氣體可足夠地擴散，以均勻地注入 熱交換凹面26中。凹面27以下稱為、、氣體擴散凹面#。 如第2圖所示，氣體擴散凹面27由自ESC台2之中間放 射出的似輻輪狀壕溝271，其在ESC台2的週邊，且與ESC台 2共軸。各壕溝271以下稱為、、週邊部〃。最外面的週邊部272 備置在邊界凸面24之内一點的位置。 如第3至5圖中所示，氣體擴散凹面27較熱交換凹面26 為深。一氣體注入槽20備置成使其出口在氣體擴散凹面27 之底上。氣體注入槽20垂直於卡持表面加長。在此實施例 中，氣體注入槽20分成四個，具有四個出口。如第2圖所 示’四個出口以90度定位在第二個外週邊部272上。如第2， 4圖所示，氣體注入槽2〇之出口的直徑稍大於氣體擴散凹 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------I ----^--II ^«ί — 1 — n--線-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503452 A7

五、發明說明（6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 面27之寬度。 如第1圖所示，ESC機構包括一熱交換注入系統4。熱 乂換注入系統4包括連接氣體注入槽2〇之入口的一氣體注 入管41，連接於氣體注入管41的一氣體彈（未顯示），一閥 42，一流量控制器（未顯示）以及備置在氣體注入管〇上 的一過濾器（未顯示），以及其他元件。在此實施例中氦 作為熱交換氣體。 ESC台2包括控制物品9之溫度，冷卻物品9的一溫度控 制器5。溫度控制器5循環通過在ESC台2内的一子L穴内的冷 部劑。孔穴200備置本體21。如第6圖所示，孔穴2〇〇為蛇 形，使得ESC台可均勻地冷卻。孔穴2〇〇之一端為冷卻劑入 口 201，而孔穴的另一端為冷卻劑出口 2〇2。一冷卻劑注入 管52連接冷卻劑入口 2〇1，而一冷卻劑排出管53連接冷卻 劑出口 202。備置一循環器54使自冷卻劑出口 2〇2流出的冷 卻劑在冷卻劑溫度下降至特定溫度後通過冷卻注入管52注 入冷部劑入口 201中。由於冷卻的冷卻劑通過孔穴2〇〇而流 動，ESC台整體維持在一特定低溫下。結果，物品亦冷卻。 接下來說明此實施例的ESC機構。首先，物品g置於ESC 台2上。物品9之中心軸以及ESCs2之中心軸相互為對應 的。在此實施例中，絕緣塊22的突出部的輪廓以及物品9 之輪廓相互對應。邊界凸面24之内部空間以物品9關閉， 以形成關閉的空間。、、關閉空間夕意指除氣體注入槽2〇之 出口外空間大體上無任何開口。 其次，卡持電源3被操作，以施加電壓至卡持電極23 , 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------— — — — — — — — — ^ — — — ^» — — — — — 1 — C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 503452

五、發明說明（7 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23。結果，靜電感應於卡持表面上，以靜電卡持住物品9。 卡持物品9由於溫度控制器5已先操作而冷卻。此外，氣體 注入系統4被操作以注入熱交換氣體至凹面％，27中。結 果，物品9由於凹面26，27上的壓力增加而足夠地冷卻。 在自ESC台2上移開物品9時，卡持電源3的操作在氣體 /主入系統4之操作停止後停下。然後，物品9自ESC台2上 移開。若卡持表面上的剩餘電荷造成問題，相對地偏動之 電壓即施加於卡持電極23，23，以促進剩餘電荷的消失。 在上述實施例之ESC機構中，物品9的溫度可十分均 勻地維持，而不會減少熱交換效率，因為除氣體交換凹面 26外另備置氣體擴散凹面27。若僅有熱交換凹面26，熱交 換氣體之傳導會變得十分小，使得熱交換凹面26上的壓力 因為熱交換氣體未均勻地供應於熱交換凹面26中而變得不 均勻。因此，物品9的溫度亦會變得不均勻。為解決此問 題，熱交換凹面26可較深，亦即，邊界凸面24以及柱形凸 面25之南度可較高。然而，若熱交換凹面％製造成較深， 熱交換氣體分子須移動較深的距離，使得熱交換足夠地較 低。 相反地，在此實施例中，熱交換氣體先抵達氣體擴散 凹面27。然後，熱交換氣體注入在氣體擴散凹面27中擴散 的熱交換凹面26中。由於氣體擴散凹面27較熱交換凹面26 深度為深，在氣體擴散凹面27中的傳導較在熱交換凹面26 中為高。因此，熱交換氣體足夠地注入熱交換凹面26中， 以足夠地增加在熱交換凹面26中的壓力。此即為何以物品 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ；il· . ----r------------ 線丨♦ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503452 • A7 + B7 五、發明說明（8 ) 9之溫度可在未足夠地減少熱交換的狀況下維持高均勻的 原因。 接下來將利用第3，4圖說明熱交換凹面26以及氣體擴 散凹面27的尺寸。邊界凸面24及柱形凸面25的高度h最好 大約為1至20//m。當高度h超過20//m時，如前述，熱交 換氣體分子須為交換而移動更長的距離，因而減少熱交換 的效率。當高度h低於Ι/zm時，在熱交換凹面26中的傳導 ► 減少很多，使得物品9之溫度失去均勻。具體地說，在熱 交換凹面26中的壓力在靠近氣體擴散凹面27的一區上較 高’而由於氣體分子的缺乏在遠離氣體擴散凹面27的一區 上較低。因此，物品9的溫度亦變成不均勻。 為得到足夠的卡持力量，須考慮邊界凸面24以及柱形 凸面25之頂表面的面積。當卡持時與esc台2接觸的物品9 區以下稱為、、接觸區”面對ESC台2的物品9之整個表面區 以下稱為、、整個面對區〃接觸區與面對區之比例以下稱為 丨 、、區域比例”。一般而言，該區比例最好在3%至2〇%之間。 在此實施例中，當邊界凸面24之頂表面區為S1時，各柱形 凸面的頂表面區為S2，而整個面對區為S3，柱形凸面25之 數量為η，而區比例在R={(si+S2 · n)/S3} · 100中最好是3% 至 20%。 若區比例R很小，整個卡持力量會因為在其上感應電 荷的表面區減少而變弱。若區比例在熱交換凹面26中的壓 力為熱交換增加的狀況下低於3%時，須要以十分高的電壓 卡持物品9。此點不實際且困難。另一方面，區比例r增加 本紙張尺度適中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） --------I----裝-----^----訂·！--I--線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___-_B7______ 五、發明說明（9 ) 至超過20%，熱交換凹面26會太小，因而由於高壓力的熱 交換凹面26而失去改良的熱交換效率。 氣體擴散凹面27之尺寸對於獲得足夠的熱交換效率亦 有影響。若氣體擴散凹面27之尺寸顯著地加大，無法獲得 足夠的熱交換，因為增加氣體擴散效率的空間會犧牲熱交 換效率。有關於此，當沿著卡持表面的氣體擴散凹面27之 區，以下簡稱為、、橫截面區"，為S4時，S4最好為對應物 品9之底面的區S3之卡持表面的整個區的30%或小於30%。 橫截面區S4的面積為八個放射部份271加上三個週邊部份 272的量。 相反地，若橫截面區S4太小，無法藉由增加傳導而獲 得均勻氣體注入的效果。一般而言，氣體之傳導與垂直於 擴散方向的橫截面區成正比。在此實施例中，較小的橫截 面區S4表示氣體擴散通路之寬度很窄，因而使得傳導力減 少。由於此點’橫截面區S4最好為卡持表面的整個區的5% 或大於5%。若S4超過卡持表面之整個區的30%熱交換效率 會下降很多，因為此意謂著熱交換凹面26的區製造得太小 了。因此，S4最好為卡持表面的整個區30%或小於3〇%。卡 持表面的整個區S為： S=S1+S2 · n+S4+S5=S3 在第3圖中以、、d〃代表的氣體擴散凹面27之深度最好 是50至1000 //m。若深度d低於50//m，溫度均勻的效果無 法足夠地獲得，因為在氣體擴散凹面27中的傳導無法較熱 交換凹面26足夠地高。若深度d高於looo# m，傳導會顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ---^----------------r---訂-----r -----線-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 503452 A7

五、發明說明（1〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 著地增加。此在過度高的傳導下，很難使熱交換凹面26中 的壓力足夠的高，因而熱交換效率的問題無法足夠地改 良。 在上述ESC機構的操作中，熱交換氣體最好限制在凹 面26，27内。若熱交換氣體如此未限制，即表示物品9會 因為熱父換氣體的壓力自卡持表面向上浮動。若產生此浮 動，物品9之卡持即無法穩定。此外，熱交換的效率會因 為ESC台2以及物品9之熱接觸不足而下降。因此，最好熱 交換氣體注入儘量地遠，但不漏出凹面26，27之外，或控 制熱交換氣體，如此氣體可限制成不會發生洩漏的問題。 此外，本發明的表面處理裝置之實施例將使用第7圖 加以說明。第7圖為本發明之實施例的一表面處理裝置的 概略前橫截面圖。此表面處理裝置實施例包括上述的Esc 機構。雖然上述ESC機構可用於不同種類的表面處理裝置， 下文中以蝕刻裝置作為一例。因此，第7圖中所示的裝置 為餘刻裝置。 具體地說，第7圖中所示的裝置大體上包括一處理室 1，其包括一汲取系統11以及一處理氣體注入系統12，支 持物品9於處理室1中的ESC機構，以及用以在處理室1中產 生電漿以蝕刻物品9之一電源系統6。 處理室1為氣密真空室，一負重固鎖室（未顯示）與 其連接，而中間置放一閘門閥（未顯示）。汲取系統11可 以一渦輪-分子泵或擴散泵汲取處理室下降至一特定的真 空壓力。處理氣體注入系統12包括一闊121以及一流量控 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — ^ — — — ^* — — — — 1 — I — ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 503452 A7 11 五、發明說明（ 制器122。處理氣體注入系統12以一特定的流速注入譬如 具有蝕刻效果的四氟化物之氟化物。 ESC機構之構造大體上如上述。ESC台2氣密地關閉 至於隔絕元件13中間的處理室1之一開口。在此實施例中， 起模針7備置在ESC台2内，以容納及通過物品9。各起模 針7直立地配置在與ESC機構共軸的一週邊上以相同程度 分開。在此實施例中，ESC台2的構造不複雜，而各起模 針7備置在各氣體注入槽2〇中。因此，起模針7有4個。 各起模針7之底部備置水平配置之一底板71 ^ 一線性 作動之機構72備置底板71。線性作動之機構72被操作以一 起向上舉起四個起模針7 ^氣體注入槽2〇具有一側孔，通 過匕熱父換氣體注入系統4注入熱交換氣體。如機械封口 的一密封元件73備置在氣體注入槽20的底開口上，以允許 起模針7之向下的動作。 電力供應系統6大體上包括備置在處理室1中的一處理 電極61，支持處理電極61的一支持器62，一處理電源幻以 及其他元件。處理電極61為短的圓筒形元件，其備置成與 ESC台2共軸。支持器62氣密地穿過中間置放一隔絕元件14 的處理室1。處理電極61常用來作為均勻地注入處理氣體 之元件。許多氣體流出孔均勻地形成於處理電極61之底 上。處理氣體注入系統12經由支持器注入處理氣體至處 電極61。在暫時儲存在處理電極61中之後，處理氣體自 氣體流出孔611均勻地流出。 一高頻率電源用來作為處理電源63。此處，LF (低 i_i mmmme I ϋ I ϋ ϋ IUI ·ϋ 1* ϋ ϋ I ϋ n ϋ ^1 _1 I 一 δ* · i ·ϋ —ΐ I ·1 ϋ I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 部 理 各 14 503452 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12) 頻）以及UHF(超高頻）之間的頻率界定成hf(高頻）。當HF 電源施加HF電壓至處理電極61時，HF以處理氣體輸出起 動，以產生電漿。譬如，當處理氣體為氟化物氣體時，氟 化物根或離子產生於電漿中。此根或離子抵達物品9，以 蝕刻物品9之表面。 此實施例採用一元件以施加自行偏動之電壓至物品9 以作有效的蝕刻。具體而言，卡持電源3連接於卡持電極 1 23，23以卡持住物品9。除此之外，一自行偏動的HF電源 8連接於以金屬製成的本體21。當HF場經由本體21藉由自 我偏動HF電源8而施加時，為負直流電的自行偏動電壓經 由電漿及HF場的相互反應而施加於物品。在電漿中的離 子被抽出，並加速至物品9。結果，可執行如反應離子蝕 刻之南效率钱刻。 在姓刻時，物品9可能會在電漿過度加熱時遭受熱之 破壞。譬如，若物品9為一半導體晶圓，已形成在物品9上 的一元件或電路會被熱破壞，而造成故障。為避免此問題， ESC機構在钱刻時冷卻物品9至一特定溫度。如上述，ESC 機構循環溫度控制冷卻劑，以冷卻通過ESC台2之物品9。 在此冷卻中，由於ESC台2之卡持表面除熱交換凹面26之 外另備置氣體擴散凹面27,不僅有效地冷卻物品9,且可 使物品之溫度十分均勻地維持。因此，可增進蝕刻處理之 均勻度。 雖然此實施例運用溫度控制器冷卻物品9，亦可使用 加熱物品9的另一種溫度控制器。在此實例中，一電阻加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） — — — — —— — — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 503452 A7 ~~~ ---^ _ 五、發明說明（13 ) 熱1§或燈加熱器備置ESC台2。雖然此實施例為雙電極或 ESC機構，亦可使用單電極。即使使用單電極，由於電漿 作為一相對電極，物品9可卡持住。此外，亦可使用備置 數個雙電極的多-雙-電極。物品9甚至在電漿以物品9上的 空間中產生時，可藉由以卡持電極施加1117電壓而卡持住。

雖然姓刻技術如上述作為表面處理，但本發明可作為 薄膜沈積處理如濺鍍及化學霧化沈積（CVD)，表面去中性 化處理，如表面氧化及表面氮化，以及碳酸鈉處理。除了 半導體晶圓之外，物品9可為液晶顯示器或電漿顯示器的 基底，以及用於如磁頭的磁性裝置之基底。本發明之ESC 機構可包括分析儀，即在以靜電卡持時為分析物品的一儀 器〇 ^ 7 — "----------r---訂 - - --------線-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 503452 - A7 B7 五、發明說明（14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件標號對照 1 處理室 42 閥 2 ESC台 52 注入管 3 電源 53 排出管 4 注入系統 54 循環器 5 控制器 61 電極 6 系統 62 支持器 7 起模針 63 電源 8 電源 71 底板 9 物品 72 機構 11 汲取系統 73 密封元件 12 注入系統 121 閥 13 隔絕元件 122 控制器 14 隔絕元件 200 孔穴 20 槽 201 入口 21 本體 202 出口 22 絕緣塊 271 壕溝 23 電極 272 外週邊部 24 凸面 611 25 凸面 d 深度 26 凹面 h 高度 27 凹面 29 薄片 41 注入管 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17

Claims (1)

1. 申請專利範圍 1 · 一種以靜電卡持一物σ於 κ ^ 物印於一卡持表面上的靜電卡持機 構，其包括： ^八具有表面為卡持表面的一絕緣塊，以及備 置在該絕緣塊上的一卡持電極； 備置於該台上的一溫度控制器，其用以控制該物品 之溫度； 再 一卡持電源’其施加電壓於卡持電極，使該物品被 卡持住； 其中： 該卡持表面具有凹面，而其開口以該卡持物品關 閉； 訂 一熱交換氣體注入系統，其注入熱交換氣體至該凹 面中； 線 該凹面包括在增加的壓力下用以促進熱交換的一熱 交換凹面，以及用以使該注入氣體擴散至熱交換凹面的 一氣體擴散凹面，而 該注入擴散凹面較熱交換凹面深。 經*濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2·如申請專利範圍第1項的靜電卡持機構，其中： 該氣體擴散凹面形成與該台之中心共軸。 3·如申請專利範圍第1項的靜電卡持機構，其中： 該熱交換凹面之深度在1至20//m的範圍内。 4·如申請專利範圍第1項的靜電卡持機構，其中： 與该卡持物品接觸的該卡持表面區占面對該台之物 品的表面區之3%至20%。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 18 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 5·如申請專利範圍第1項的靜電卡持機構，其中： 該沿著卡持表面的氣體擴散凹面之橫截面區占面對 該台之表面區的5%至30%。 6·如申請專利範圍第1項的靜電卡持機構，其中： 氣體擴散凹面之深度在5〇至1000“^的範圍内。 7·—種以靜電卡持一物品於一卡持表面上的靜電卡持機 構，其包括： 一台，其具有表面為卡持表面的一絕緣塊，以及備 置在該絕緣塊上的—^持電極； 備置於該台上的一溫度控制器，其用以控制該物品 之溫度； 一卡持電源，其施加電壓於卡持電極，使該物品被 卡持住； 其中： 該卡持表面具有開口以該卡持物品關閉的一凹面； 該台具有與該凹面相通的一氣體注入槽； 備置通過該氣體注入槽注入熱交換氣體至該凹面中 的一軋體注入系統，以增加該凹面上的壓力； 備置用以容納及通過該物品於該氣體注入槽中的一 起模針。 _ 、 8.—種表面處理裝置，其包括： 在其中處理物品表面的一處理室，以及 用以在該處理室中的-卡持表面上以靜電卡持該物 品的一靜電卡持機構； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4· (21GX297公羡） ---------^------、玎------ii (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中： 該機構包括具有'絕緣塊的—台，其表面為卡持表 面’且-卡持f極備置在該絕緣塊上； —溫度控制器備置於該台上，以控制物品之溫度； 備置施加電壓於該卡持電極的―卡持㈣，使得該 物品被卡持住； 該卡持表面具有開口以卡持物品關閉的凹面； 備置注入熱交換氣體於該凹面中的一熱交換氣體注 入系統； 該凹面包括在增加壓力下促進熱交換的一熱交換凹 面以及使該注入氣體擴散至該熱交換凹面的一氣體擴 散凹面；且 該氣體擴散凹面較該熱交換凹面為深。 9.如申請專利範圍第8項的表面處理裝置，其中： 該氣體擴散凹面形成與該台之中心共軸。 10.如申請專利範圍第8項的表面處理裝置，其中： 該熱交換凹面之深度在1至20//m的範圍内。 11 ·如申請專利範圍第8項的表面處理裝置，其中·· 與該卡持物品接觸的該卡持表面區占面對該台之物 品的表面區之3%至20%。 12·如申請專利範圍第8項向的表面處理裝置，其中： 該沿著卡持表面的氣體擴散凹面之橫戴面區占面對 該台之表面區的5%至30%。 13·如申請專利範圍第8向的表面處理裝置，其中： 請 先 閲 讀 背 之 注 項 再 填 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) a4規格（210 X 297公釐） 20 A8 B8 C8 D8 面 申請專利範圍 氣體擴散凹面之深度在5〇至1〇〇〇//111的範圍内。 H·—種表面處理裝置，其包括： 在其中處理物品表面的一處理室，以及 用以在該處理室中的一卡持表面上以靜電卡持該物 品的一靜電卡持機構； 其中： 該機構包括具有一絕緣塊的一台，其表面為卡持表 且一卡持電極備置在該絕緣塊上； 一溫度控制器備置於該台上，以控制物品之溫度； 備置加加電壓於該卡持電極的--^持電源，使得該 物品被卡持住； 該卡持表面具有開口以卡持物品關閉的凹面； 該台具有與該凹面相通的一氣體注入槽； 備置通過該氣體注入槽注入熱交換氣體至該凹面中 的一氣體注入系統，以增加該凹面上的壓力； 用以容納及通過該物品的一起模針備置在該氣體注 入槽中。 ---------t------、玎------線 (‘請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 紙 本 準 標 家 國 國 中 用 適 A4 釐 一公 7 9 2 21