TW503143B

TW503143B - Method and apparatus for drilling printed wiring boards

Info

Publication number: TW503143B
Application number: TW090124550A
Authority: TW
Inventors: Yasuhiko Kita; Kunio Arai; Kazuhisa Ishii
Original assignee: Hitachi Via Mechanics Ltd
Priority date: 2000-10-06
Filing date: 2001-10-04
Publication date: 2002-09-21
Also published as: DE10149559B4; US6531677B2; DE10149559A1; US20020040893A1

Description

503143 Α7 Β7 五、發明説明（1 ) 〔發明技術背景〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明關於利用雷射光來進行印刷電路板之鑽孔方法及設備，進一步言之，其有關於鑽設肓通孔來連接上傳導層和下傳導層。〔發明背景〕圖1 7爲以雷射光鑽孔之傳統光學系統槪示圖，在此雷射鑽孔系統中，從雷射頭1發出的雷射光束2被準直儀 3準直和放大或縮小，之後塑成適當直徑來鑽設孔口 4。塑形後的雷射光束2由一角鏡5和一機製頭z內的一鏡子 1 4反射，之後由一對檢流器鏡1 5 a，1 5 b反射到一 f — Θ透鏡16。雷射光束2由檢流器鏡15a ，15b 定位，且經由f - 0透鏡垂直入射到一機製面。機製是在 f - 0透鏡尺寸界定的各機製區1 8進行，且該區係由一 X — Y表（未示出）從18，到18N依序移動。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖1 8 a顯示準直儀3和孔口 4，此圖中下方圖形顯示雷射光能（縱座標）和雷射光束內部徑向位置（橫座標 )之關係。由於在雷射頭1輸出窗口的空間能量分布一般爲高斯分布，通過準直儀3的雷射光束空間能量分布亦爲高斯分布。雷射光束大小可由準直儀3放大而加以變化（放大率或縮小率），亦即，當放大不多，雷射光束直徑變小，而空間能量分布呈現圖1 8 a中所示之高能量（或功率）密度之a >分布（虛線），當放大很多時，雷射光束傳導層直徑變大，而空間能量分布呈現圖1 8 a中所示之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(21〇Χ297公釐1 :4_ 503143 A7 B7 五、發明説明（2 ) 低能量（或功率）密度之b ’分布（虛線）。進一步言之，若孔口 4徑大，一機製通孔底部（亦即一內傳導層之表面）可能會受損，因爲能量集中在中心，因此利用一適當孔口 4來切掉光束中央部分來做成能量分布相當均勻之A /分布（實線）或B /分布（實線）’以避免損傷。之後將孔口 4從光徑移除而得之全空間能量分布稱爲C /分布。另一方面，圖1 8 b所示者爲在光徑中使用一光束均勻器3 0時之能量分布’空間能量分布經過光束均勻器 3 0塑形成一矩形，被準直儀3縮小或放大（a分布（實線）或b‘分布（實線））’之後以一孔口 4切割製做爲高度均勻（圖1 8 b中之A分布（實線）或B分布（實線） )。之後，這些矩形分布稱爲 > 頂帽狀〃分布，將孔口 4 從光徑移去之後所得之利用光束均勻器3 0之全空間能量分布稱爲C分布。不同的商用光學產品可做爲光束均勻器 3 0，諸如消球差透鏡系統或繞射光學系統。印刷電路板典型構造爲一含玻璃基板（F R - 4 )，其爲一基板，上面輪替疊置一層或多層導體和一層或多層含樹脂之玻璃纖維，而其表層爲一傳導層；另一典型構造爲R C C基板，其爲一基板，上面輪替疊置一層或多層導體和一層和多層樹脂，而其表層爲一傳導層；又一典型構造爲樹脂直接層，其傳導層包覆一層樹脂，樹脂主要是用環氧基樹脂或聚亞醯胺，有時亦可以陶瓷材料取代玻璃纖維來強化樹脂層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） -5- 503143 A7 B7 _ 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 下述之以波長爲1 0 . 6/zm之二氧化碳（C〇2)雷射來鑽孔之方法爲已知。1982年4月出版之IPC Technical Review第1 2 — 1 5頁、'用於I B Μ新大型積體封裝設計〃一文中揭示一種稱爲C 0 2樹脂直接法〃之方法.，其在樹脂直接基板的樹脂層形成一肓通孔。日本公開案58 — 64097JP Α1和美國專利 5，0 1 0，2 3 2號揭示在以化學蝕刻或鑽孔形成一窗口之後以C 〇 2雷射在一含玻璃基板的樹脂層內形成一肓通孔之方法。此外，曰本公開案01 — 266983JP Α1揭示在一片上面輪替疊層多層傳導層和多層樹脂層的基板上鑽設穿透孔或盲通孔之方法，其爲以能有效移除金屬之紫 .外線（U V )雷射光經由圓形加工在一傳導層形成一窗口以及利用C 〇 2雷射光鑽-樹脂層之重覆的程序。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然而，已知爲在C 0 2雷射鑽孔後會在通孔底部殘留一層厚度t。爲〇 · 2〜3 //m之薄殘留樹脂層（俗稱污痕（ smear))，換言之，在傳導層上。另外，吾人發現厚度t 不會改變，即使C 〇 2雷射脈衝的能量密度或射撃次數有所不同。以下爲吾人對殘留物成因之推測。C 〇 2鑽孔法爲利用樹脂層熱分解，其溫度隨著吸收紅外線光而上升。因此，由於（內）傳導層（例如銅）之熱傳導率比樹脂層大上一千倍，當樹脂層變薄，熱能開始流入內傳導層。因此，樹脂層溫度無法上升到樹脂殘留層之分解溫度，因而留下一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羞1 ~一 — 一 503143 A7 B7 五、發明説明（4 ) 層〇 · 2〜3/zm之殘留層。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 當有此殘留層’不可避免地須以一化學去污程序來除去殘留層，步驟包括空調、淸洗、煮沸、冷卻、淸洗、膨脹、淸洗、氧化去污、淸洗、中和、淸洗、乾燥等等。在此.化學去污程序中，通孔直徑小於1 〇〇 # m者之可加濕性低’亦即去污液很難深入通孔，程序之可靠性因而減低。此外’以C 〇 2雷射鑽設大於1 〇 # m之通孔常常有問題 ’因爲通孔側面亦被去污液切掉3〜5 // m，雖然去污程序之目的在去除底部之殘留層。另一方面，1987年11月出版的IPC Technical Review 第 16 — 20 頁、、Excimer 雷射：電子工業之曙光技術〃一文中揭示一種、、U V樹脂直接法〃，其爲以U V雷射在樹脂直接基板的樹脂層形成一肓通孔之方法’而且己經證實爲可行。美國專利5，593,606號揭示僅以U V雷射在一片上面疊置傳導層和樹脂層的基板上形成一通孔之方法。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製與C 〇 2雷射法不同的是通孔底部不會有殘留層，然而，若吾人使用足夠能量得到可行加工速度，傳導層表面也會被過多的能量刮到，而原本形成粗糙以便穩固電鍍之表面熔化且分解成平坦表面。進一步言之，當吾人使用波長被一非線性光學元件和類似物轉換的一波長轉換型U V雷射，它很容易傷及底部傳導層的表面，因爲很難在加工中改變脈衝能量，而且樹脂層厚度變化與6 5 // m厚的樹脂層相比之下大約2 0 // m。另外，若樹脂層的能量吸收係本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7- 503143 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 數低，到達通孔底部之光能增加，在傳導層上方貯存之光能增加。由是，由於在通孔底部之樹脂被貯存的光能分解和蒸發，而在底緣的樹脂層被蒸發能剝除。這些損傷可藉由降低光脈衝能量而避免，但加工速度降低，因爲脈衝射擊次數必須增加。當吾人以U V雷射加工含玻璃基板，不僅傳導層表面被過多能量刮傷，通孔側壁也會被刮成圓筒狀，而玻璃纖維突出。以下爲吾人對過多能量之推測。在紫外（u V )光範圍中波長爲3 5 5 n m的能量吸收係數如下：環氧基樹脂爲3 0〜8 0%，銅爲大於7 0〜7 5%，玻璃大約2 0 %。熱傳導係數如下：環氧基樹脂爲〇 . 8〜〇 . 85 Wm — iK — 1，銅爲 1，玻璃爲 1 · 〇4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製〜1 · 〇 9 W m _ 1 K — 1。這些數據顯示材料之間有很大的差異，因此，所施加的雷射能約有8 0 %因反射或繞射而貯存在通孔內’通孔的樹脂側壁被刮成圓筒狀，玻璃纖維突出，尤其是脈衝週期小於3 . 3 m s (脈衝重覆率高於 3 k Η z )，加工可靠性減低。另外，由於雷射加工能量在鑽傳導層（即使是樹脂層不包含玻璃纖維之R C C基板之傳導層）時每平方公分高於3焦耳，上述紫外線光材質差異使其難以控制熱狀況，傳導層底面受損，因此很難得到通孔實用品質。此外，由於U V雷射光束的能量空間分布爲a >分布或C 7分布，如圖1 8 a所示，底部產生粗糙，移除殘留本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 503143 A7 B7 五、發明説明（6 ) 層所需時間更久或是傳導層底面部分受損。 ------：---K---丨 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 避免傳導層底面受損之方法揭示於例如日冕出版有限公司於1 9 9 9年出版的、、sono-ouyoh雷射剝離〃一書中 ’其示出藉由將加工雷射光能量設定成高於樹脂層分解能量臨界値且低於傳導層分解能量臨界値之一種選擇性樹脂鈾刻法。在此之分解能量臨界値爲開始剝離程序必須的施加雷射光能量強度，其爲以雷射光分解、熔化或蒸發之程序。施加雷射光的能量密度爲施加能源密度和脈衝寬度（稱爲變量）之積。另一方面，日本專利案2983481號揭示在寬區中從通孔底部和附近去除殘留物或污痕之淸理方法，其以一光束均勻裝置使一 excimer雷射光束在一線性或矩形分布中寬地均勻。然而，當將此法應用在表層爲樹脂層的樹脂直接基板時，樹脂層會受損。〔發明槪述〕經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因此本發明的第一個目的在於提供一種印刷電路板之鑽孔方法，它不用化學去污程序，而是以雷射光選擇性地蝕去殘留層，其係藉由量測及使用樹脂和傳導器之分解能量臨界値之真正差異而達成。本發明的第二個目的在於提供一種表層爲樹脂之基板鑽孔方法，其不致於損傷表面。本發明的第三個目的在於提供一適當系統來鑽通孔和本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 9麵 503143 A7 B7 五、發明説明（7 ) 殘留層，其係藉由改變雷射能量密度和波長。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 吾人發現達成第一項目的時，與標的傳導層接觸之樹脂層鑽孔留下儘可能均勻之殘留層，鑽孔是用能量密度高於傳導層分解能量臨界値且空間能量分布爲頂帽狀的第一 U V雷射光束，而殘留層之移除是用能量密度低於傳導層分解能量臨界値且高於樹脂層分解能量臨界値的第二U V 雷射光束。吾人從經驗發現材料在波長爲3 5 5 n m時之分解能量臨界値如下：環氧基樹脂爲0 · 3〜0 . 5 J / c m 2，銅爲0 · 8〜1 . OJ/cm2，而玻璃爲5〜6 J / c m 2。利用吾人發現的環氧基樹脂與銅在分解能量臨界値之小差異，本發明藉由以能量密度低於傳導層分解能 .量臨界値且高於樹脂層分解能量臨界値的第二U V雷射光束來選擇性地蝕去殘留層而得以成功地露出標的傳導層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，殘留層厚度在此方法中應被頂帽狀第一紫外線 (U V )雷射光束均勻化。當結合頂帽狀第一 U V雷射加工以及第二U V雷射加工（能量密度低於傳導層分解能量臨界値且高於樹脂層分解能量臨界値），本發明之使用爲最佳。爲達到第二個目的，第二U V雷射光束之空間能量分布爲頂帽狀，且光束直徑與被第一雷射光束在樹脂層形成的通孔直徑一致，以免損及樹脂層表面。用於第一目的的另一方法爲依序以能量密度高於傳導層分解能量臨界値的第一 u V雷射光束在傳導層形成一孔 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐) 503143 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，以C 0 2雷射光束加工樹脂層，以及以能量密度低於傳導層分解能量臨界値且高於樹脂層分解能量臨界値的第二u V雷射來去除污痕。在此實施例中，依據上述吾人之實驗，由於使用c 〇 2雷射會自動殘留污痕（樹脂層殘留部），其很容易設定加工參數，因爲不需控制殘留層厚度。另外，樹脂層側壁不會如同U V雷射加工般被刮成圓筒狀。爲達到第三個目的，至少準備二條雷射路徑，以路徑中的均勻器單元使空間能量分布爲頂帽型，且直徑和能量密度的調整是個別的。若以例如一音光偏轉器使路徑從一雷射頭切換，對於節省空間而言甚佳。此外，若路徑對齊一基板表面附近的一共同軸線，加工時間縮短’因爲台基板工作不需在改變路徑時移動。〔圖式簡介〕圖1爲本發明的雷射機製系統槪示圖。圖2a爲UV雷射光束能量分布圖以及因而在一 R C C基板上形成一孔之延伸程序。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖2 b爲圖2 a中程序之檢流器鏡動作以及U V雷射脈衝時序圖。圖3 a爲U V雷射光束能量分布圖以及因而在一樹脂直接基板上形成一孔之延伸程序。圖3 b爲用於圖3 a程序之檢流器鏡動作及U V雷射脈衝時序圖。圖4爲本發明另一機製系統槪示圖。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ ) 503143 A7 B7 五、發明説明（9 ) 圖5 a爲U V雷射光束能量分布以及利用圓形加工在含玻璃基板的傳導層鑽孔槪示圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5 b爲C 〇 2雷射光束能量分布以及利用脈衝重覆加工在含玻璃基板的樹脂層鑽孔槪示圖。圖5 c爲ϋ V雷射光束能量分布以及含玻璃基板殘留層去除程序。圖6 a爲用於圖5 a程序之檢流器鏡動作以及C 〇 2雷射脈衝時序圖。圖6 b爲用於圖5 b中程序之檢流器鏡動作以及C 〇 2 雷射脈衝時序圖。

圖6 c爲用於圖5 c中程序之檢流器鏡動作以及U V 雷射脈衝時序圖。圖7 a爲U V雷射光束能量分布以及利用圓形加工在 R C C基板傳導層鑽孔槪示圖。圖7 b爲C 〇 2雷射光束能量分布以及利用脈衝重覆加工在R C C基板樹脂層鑽孔槪示圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖7 c爲UV雷射光束能量分布以及RC C基板殘留層去除程序槪示圖。圖8 a爲用於圖7 a中程序的檢流器鏡動作以及u v 雷射脈衝時序圖。圖8 b爲用於圖7 b中程序之檢流器鏡動作以及c 0 2 雷射脈衝時序圖。圖8 c爲用於圖7 c中程序之檢流器鏡動作以及U V 雷射脈衝正時圖。本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 503143 A7 B7 五、發明説明（10 ) 圖9 a爲C 〇2雷射光束能量分布以及在含玻璃樹脂直接基板樹脂層鑽孔槪示圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖9 b爲用於圖9 a中程序之檢流器鏡動作以及C 〇 2 雷射脈衝時序圖。圖9 c爲U V雷射光束能量分布以及含玻璃樹脂直接基板殘留層去除程序槪示圖。圖9 d爲用於圖9 c中程序之檢流器鏡動作以及U V 雷射脈衝時序圖。圖1 0 a爲C 〇 2雷射光束能量分布以及在樹脂直接基板樹脂層鑽孔槪示圖。圖1 0 b爲用於圖1 〇 a中程序之檢流器鏡動作以及 C 〇 2雷射脈衝時序圖。圖1 0 c爲UV雷射光束能量分布以及含樹脂直接基板殘留層去除程序槪示圖。圖1 0 d爲用於圖1 0 c中程序之檢流器鏡動作以及 U V雷射脈衝時序圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖1 1 a爲UV雷射光束能量分布以及在樹脂直接基板樹脂層鑽孔槪示圖。圖1 1 b爲用於圖1 1 a中程序之檢流器鏡動作以及 ϋ V雷射脈衝時序圖。圖1 1 c爲U V雷射光束能量分布以及樹脂直接基板殘留層去除程序槪示圖。圖1 1 d爲用於圖1 1 c中程序之檢流器鏡動作以及 U V雷射脈衝時序圖。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 503143 A7 B7 五、發明説明（1i ) 圖1 2爲本發明又一雷射機製系統槪示圖。圖1 3 a爲UV雷射光束能量分布圖以及在RCC基板鑽孔之延伸程序。圖1 3 b爲用於圖1 3 a中程序之檢流器鏡動作以及 U V雷射脈衝時序圖。圖1 4 a爲UV雷射光束能量分布圖以及在樹脂直接基板鑽孔之延伸程序。圖1 4 b爲用於圖1 4 a中程序之檢流器鏡動作以及 U V雷射脈衝時序圖。圖1 5爲本發明再一雷射機製系統槪示圖。圖1 6爲本發明更一雷射機製系統槪示圖。圖1 7爲以雷射光鑽孔之傳統光學系統。圖1 8 a爲準直儀3及孔口 4的效應槪示圖。‘ 圖1 8 b爲在光徑中使用一光束均勻器3 0時之空間能量分布槪7K圖。主要元件對照 I----L----- C請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 雷射頭 2 雷射光束 3 準直儀 4 孔口 5 角鏡 14 m 15a 檢流器鏡本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 14- 503143 A7 B7 五、發明説明（12 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15b 檢流器鏡 16 f 一 0透鏡 18 機製區 30 光束均勻器 2i. 偏轉雷射光束 3, 準直儀 4i 孔口 5i 角鏡 10 偏振光束結合器 5k 角鏡 2k 透射雷射光束 30k 光束均勻器 3k 準直儀 6 音光偏轉器 11 半波板 22 樹脂層 21 傳導層 24 內傳導層 30i 光束均与單元 Zi 機製頭二氧化碳雷射頭 2, 光束 3 j 準直儀 4〕孔口 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 15- 503143 A7 B7 五、發明説明（13 ) 5. 角鏡 Z, 機製頭 Zk 機製頭 12 角鏡 Z 機製頭 23 纖維經濟部智慧財產局員工消費合作社印製〔較佳實施例詳述〕 (設備實施例1 ) 圖1所示者爲本發明雷射機製系統之光學系統槪示圖 ’一偏振Q切換四氧化釔釩雷射頭做爲紫外線（u V )雷射頭1 ，其波長藉由非線性光學元件L B〇（L i B 3〇5 )轉換成第三諧波（3 5 5 n m )且重覆頻率範圍爲1 〇 - 1 0 0 k H z。雷射頭置放方式使雷射光束2電場向量平行於圖紙（P偏振）。沿雷射光束2光徑設有一音光偏轉器6，音光偏轉器一般有結合一壓電元件之音光元件，且藉由施加R F電壓給壓電元件而產生的超音波波前利用 Bragg繞射使入射光偏轉。雷射光束2方向利用音光偏轉器 6從直向2 k到偏轉方向2 i，偏轉的雷射光束2 i被光束均勻器單元3 0 ,均勻而有頂帽型空間能量分布，被一準直儀3 i準直和放大或縮小，且以一孔口 4 i塑成用於機製之適當直徑，之後，雷射光束2 i被一角鏡5 i反射，而偏振被一半波板1 1轉動，使雷射光束2 i電場向量垂直圖紙（ S偏振）。接著，雷射光束2 i被一偏振光束結合器1 〇， ---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -16- 503143 A7 B7 五、發明説明（14 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 反射，偏振光束結合器1 0爲反向操作偏振光束分裂器，其透射P偏振光並反射S偏振光。之後，雷射光束2 i被一角鏡5k反射且進入一機製頭Z，機製頭Z包含二檢流器鏡以及一 f 一 Θ透鏡，如圖1 7所示.。最後，雷射光束2 I被檢流器鏡定位、被：f - 0透鏡聚光、且垂直入射到要機製的基板表面。在此例中，雷射光束（2 i和2 k )在經過偏振光束結合器1 0之後沿一共同光徑前進。適合機製之空間能量分布A i和B k可藉由調整準直儀 3 i和3 k之放大率Μ ^和M k而得，同時孔口直徑保持不變 (見圖1 8 b )。此外，藉由將孔口 4 i從光徑移去，吾人可得C i分布全輸出。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此爲有用於機製之雙光徑且其個別能量分布設定實質上獨立之非常簡化的設備實施例，因此設備變得很小巧。此外，經由一偏轉器（例如音光式）透射之光線輸入一卸光器（beam dumper)並在一傳統系統中卸成熱，但在本設備實施例中有效率地利用。另外，由於雙光徑的雷射光束在通過角鏡5 k之後沿共同光徑前進，後續以雷射光束機製不需平台移動，由是機製時間可縮短。在此實施例中，若吾人使用音光偏轉器使通過音光偏轉器6的入射光偏轉9 0 ° ，半波板1 1可不用，因爲不需要偏振旋轉。 (機製實施例1 ) 圖2 a所示者爲ϋ V雷射光束能量分布圖以及以設備 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 503143 A7 B7 五、發明説明（15 ) 實施例1在一 RC C基板鑽孔之延伸程序’而圖2 a爲用於圖2 a中程序之檢流器鏡動作以及U V雷射脈衝時序圖

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T W E 在此，雷射光束2 i和2 k物理性質界定如下： “脈衝能量（=E P。a X ( d A a / d。a / M a ) E P Q a :雷射頭脈衝能量輸出 d A a :孔口直徑 d〇a :進入3 0 a刖之雷射光束2 a直在 M a :準直儀放大率 3 :脈衝寬度 3 :尖峰輸出功率（ = Epa/Tpa) :能量密度（=E P a d S a :機製點直徑 / { ;r ( d s a / 2 t——·—— m In ϋϋ ml ml sm In In (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) ,tr

L ·· f :d A a X { (La/fa)— ll 0透鏡與工件之間距離 (基板）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

T T E N V

P P f 一 0透鏡之焦距 :脈衝週期 ::檢流器鏡定位週期 :分解能量臨界値 :脈衝射撃次數 :材料移除量其中下標a爲雷射光束和k之間之區別本紙張尺度適用中周國家標準（CNS〉A4規格（210X 297公釐） 18 503143 A 7 B7 五、發明説明（16 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2 a中，標號2 1爲銅製外傳導（金屬）層（厚度爲9 /zm)，標號2 2爲環氧基樹脂製之絕緣層（厚度爲 50/zm)，標號24爲銅製內傳導（金屬）層，符號t 爲以第一雷射光束2 i加工後之絕緣層殘餘厚度。首先，藉由施加R F電壓以音光偏轉器偏轉得到第一雷射光束2 1，在此步驟中，使用第一雷射光束2 ^之分解能臨界値E s i 應爲0 · 8〜1 · 0 J / c m 2，等於外傳導層2 1 ( 0 · 8〜1 · 0 J / c m 2 )分解能量臨界値，高於樹脂層 22分解能量臨界値（0.3〜0.5J/cm2)。依據吾人實驗，由於有效率地移除傳導層所需之雷射光束2 i能量密度等於或高於約3 . 0 J / c m 2，其需要強烈聚光。因此，雷射光束2 i使用C i能量分布，以得到 .強且寬之光束。當脈衝寬度T p !爲2 5 n s，脈衝週期 Tppi爲〇 · 03ms (頻率爲30kHz)，尖峰踰出 WPi爲2 · 4〜4 · OkW，脈衝能量EPi爲〇 . 〇6〜經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 · 1 0 m J ，且機製點直徑d s ,爲4 0 // m，吾人得到脈衝能量密度E d s i爲4 _ 8〜8 · 0 J / c m 2，吾人得以雷射光束去除幾乎整個傳導層2 1和樹脂層厚度，此外需要在光束點圓形定位之多脈衝加工（圓形加工或鑽孔，如圖2 a箭頭所示）以在厚度9 /zm之傳導層形成直徑爲 1 0 0 μ m之窗口，因爲機製光束點小於該窗口，此時，所需脈衝射擊總次數N i爲1 0 0，在此，樹脂層殘留厚度 t較佳爲5〜1 〇 // m，由於第一雷射光束2 Λ的空間能量分布爲頂帽型，殘留厚度實質上均勻。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) _ 19: " ~ 503143 A7 _ B7 五、發明説明（17 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 樹脂層2 2殘留厚度t係由第二雷射光束2 k移除，其係藉由切掉音光偏轉器6的R F電壓而得，移除孔底部樹脂層殘留厚度所需之UV雷射光束2k能量密度大於0.3 〜〇 . 5 J/cm2 (實際上等於或大於〇 · 5 J/cm2 ).。頂帽型B k分布被採用以去除內傳導層表面上形成的氧化層，以增進樹脂層剝離強度，並實質上不損及內傳導層。此外，若第二雷射光束2 k的脈衝能量E ’ P k高於分解能量臨界値E s k (其等於樹脂層分解能量臨界値）且低於內傳導層2 4分解能量臨界値，內傳導層2 4並無損傷。因此採用2 5 n s之脈衝寬度T p k，脈衝週期T p p k爲 0 . 0 3 m s (頻率爲3 0kHz)，尖峰輸出WPk爲 2 . 3〜3 . 6kW，且脈衝能量Epk爲〇 . 〇6〜經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 . 09mJ ，而採用機製點直徑dSk爲12 0//m，其大於窗口直徑1 0 0 // m。由是，吾人可得脈衝能量密度 EdSk爲〇 · 5〜0 · 8 J/cm2。在此狀況下，樹脂層殘留厚度可被移除，因爲能量密度高於環氧基樹脂層實際上所需的分解能量臨界値0 · 5〜0 · 8 J / c m 2，且內傳導層無損，因爲能量密度低於內傳導層材料的銅之分解能量臨界値0 · 8〜1 · 0 J / c m 2。此實施例中之樹脂層移除速度約爲每脈衝0 . 5 // m，而所需脈衝數目n k爲 3 0 〇圖2 b爲此法時序圖，其中可看出以第一雷射光束2 i 進行機製時減弱的第二雷射光束2 k與第一雷射光束2 i結合，因爲音光裝置之繞射效率並非1 0 0 %。然而.，由於 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 503143 A7 B7 五、發明説明（18 ) 減弱的第二雷射光束量低於樹脂分解能量臨界値，以第一雷射光束2 i機製時並無衰減。依據此實施例，傳導層與樹脂層之間沿通孔底部邊緣並無去層。此外，在有些場合，稍有分解細屑殘留在傳導層的通孔底部，然而並不會造成問題，因爲可在雷射光束機製後進行的電鍍程序第一步驟（即化學鈾刻）來將內傳導層表面上的細屑連同氧化層或類似物一起除去。 (機製實施例2 ) 圖3 a所示者爲U V雷射光束能量分布圖以及以設備實施例1在樹脂直接基板（其進入材料爲環氧基樹脂）鑽孔之延伸程序，而圖3 b爲用於圖3 a中程序之檢流器鏡動作以及U V雷射脈衝時序圖。圖3 a中，標號2 2爲環氧基樹脂製絕緣層（厚度爲5 0 // m )，標號2 4爲銅製內傳導（金屬）層，而符號t爲以第一雷射光束2 i加工後之絕緣層殘餘厚度。在此，使用第一雷射光束2 i的分解能量臨界値爲環氧基樹脂層2 2的分解能量臨界値，亦即 0 · 3 〜0 - SJ/cm2。在此實施例中，狀況幾乎與機製實施例1完全相同，除了以下差異。由於去除樹脂層所需雷射光束2 i能量密度低於$除傳導層所需者’其爲A i能量分布。當脈衝寬度TPi· 2 5 ns ，脈衝週期Τρρϊ爲〇 .OSnis (頻率爲3〇kHz )，尖峰輸出Wpi爲1 . 〇〜1 . 6kW，脈衝能量Epi 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------：---— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503143 A7 B7 五、發明説明（19 ) 爲0·025〜0·〇4〇mJ ，而且機製點直徑dsi爲 5 0 // m，吾人可得脈衝能量密度E d s i爲1 · 3〜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 . 0 J/cm2，以雷射光束移除樹脂層整個厚度。所需總數N i爲1 0 〇 ’樹脂層較佳殘餘厚度t爲5〜1 0 # m 。.由於第一雷射光束2 i空間能量分布爲頂帽型，殘留厚度實質上均勻。樹脂層2 2殘留層厚度t以具頂帽型分布的第二雷射光束2 k去除，採用的脈衝寬度T p k爲2 5 n s ，脈衝週期丁"^爲0 · 〇3ms (頻率爲3 0 k Η ζ )，而尖峰輸出研^,爲0 · 4〜0 · 6kW。此實施例中，與機製實施例1不同的是，比窗口直徑大之機製點直徑d s k 1 2 0 // m係設爲5 0 # m，其與第一雷射孔徑相同，以防止其他部分之損傷，由是，脈衝能量減爲〇 · 〇 1 0〜 0 . 〇16mJ，而脈衝能量密度EdSk變爲〇 . 5〜〇 . 8 J / c m 2，此實施例中之樹脂層去除速度約爲每脈衝0 . 5 // m，所需脈衝數N k爲1 5。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (設備實施例2 ) 圖4爲本發明以設備實施例2做爲另一雷射機製系統槪示圖，其中可在以U V雷射鑽一窗口後以C 〇 2雷射去除樹脂層。從U V雷射頭1 i射出的u V雷射光朿2 i通過一光束均勻器單元3 0 i，之後光束2 i直徑被準直儀3 i放大或縮小，且被孔口 4 i塑成用於機製之適當直徑，且雷射光束2 i被角鏡5 i反射進入機製頭Z i，之後雷射光束2 i -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 503143 A7 _ B7 ____ 五、發明説明（20 ) 被定位、聚光且垂直入射到要被機製頭Z i機製的基板表面〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 從C 〇 2雷射頭1 ;射出之C 〇 2雷射光束2』通過一光束均勻器單元3 0 ,，之後光束2」直徑被準直儀3 3』放大或縮小，被孔口 4 ^塑成用於機製之適當直徑’且雷射光束2 ^被角鏡5 ^反射進入機製頭Z』，之後雷射光束2』被定位、聚光且垂直入射到要被機製頭Z i機製的基板表面。從U V雷射頭1 k射出的U V雷射光束2 k通過光束均勻器單元3 〇k，之後光束2k直徑被準直儀3k放大或縮小，被孔口 4 k塑成用於機製之適當直徑，且雷射光束2 k 被角鏡5 k反射進入機製頭Z k，之後雷射光束2 k被定位、聚光且垂直入射到要被機製頭Z i機製的基板表面。藉由分別調整光束均勻器單元3 0 i，3 0』，3 0 k ，雷射光束2 i，2 i，2 k之空間能量分布可從高斯分布均勻成頂帽型.。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，藉由改變孔徑d a i，d μ和d a k，機製光束在工件表面上的直徑d s i，d s j和d s k可分別改變，同時其能量密度保持不變。另外，可藉由分別改變準直儀3 i，3 j，和3 k可得到不同.空間能量分布A i，B i，A j，B ^，A k和B k，同時孔徑d A i，d A j和d A k保持不變。此外，藉由將孔口從光徑上移除，可分別得到空間能量分布C i，C j和 C k完全輸出。另外，各機製頭Z ,，Z j和Z k可連續進行機製，且本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（BOX297公釐） ^ 雇 503143 A7 B7 五、發明説明（21 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 各機製範圍足以機製一塊印刷電路板上的整個區域。之後，機製頭可線性地安排在雷射光束機製設備，機製頭機製軸線之間的距離L , ^，L ^ k最小化，且各機製頭可對工作台上的同一印刷電路板加工。 (機製實施例3 ) 圖5a，5b和5c爲UV和C〇2雷射光束能量分布圖以及利用設備實施例2在含玻璃基板上鑽孔槪示圖。圖 6 a ，6 b和6 c爲分別用於圖5 a，5 b和5 c之檢流器鏡動作以及U V和C 〇 2雷射脈衝時序圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製外傳導層2 1 (厚度爲9 // m )以脈衝能量E p i高於分解能量臨界値E s i的雷射光束2 i移除，如圖5 a所示。在此使用的雷射光束2 i爲C ,分布，脈衝寬度T p i爲 30ns，脈衝週期丁？^爲0 . 04ms (頻率爲2 5 kHz)，尖峰輸出WPi爲4kW，脈衝能量EPi爲 0 · 1 2 m J ，機製點直徑d s i爲6 0 // m，且脈衝能量密度EdSi爲4 J /cm2。在這些狀況下，吾人得到實際需要不低於3 J / c m 2 (經驗得知）以移除傳導層之能量密度。另外需要形成直徑1 0 0 # m的窗口之圓形加工，因爲機製光束點小於窗口，此時所需脈衝射撃總次數N i爲 8 0 — 如圖5 b中所示，含玻璃纖維2 3的樹脂層2 2幾乎整個厚度（厚度爲5 0 //m)被C 〇 2雷射光束2 j去除，其爲C^·分布，脈衝寬度T p 爲1 0 // s，尖峰輸出w p』本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 503143 A7 ____B7 五、發明説明（22 ) 爲8 0 0 W，脈衝能量E P j爲8 m J ，機製點直徑d s j爲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 150//m(大於窗口直徑100/zm)，且脈衝能量密度E d s j爲4 5 J / c m 2，脈衝數爲3。在這些狀況下，樹脂層厚度幾乎整個被去除，但孔底部殘留了厚度t。爲 0. · 1〜3//m之樹脂層污痕。如圖5 c所示，污痕是由雷射光束2k去除，其爲Bk 分布，脈衝寬度Tpk爲3 0ns，脈衝週期Tppk爲 0 . 0 4 m s (頻率爲2 5 kHz)，尖峰輸出Wpk爲4 k W，脈衝能量E p k爲〇 · 1 2 m J，機製點直徑d s k爲 1 5 0 // m (大於窗口直徑1 〇〇 // m )，且脈衝能量密度E d s k爲〇 . 7 J / c m 2。樹脂層去除速度約爲每脈衝 0 · 5//m，而所需脈衝數目爲5。利用此機製實施例3，傳導層和含玻璃纖維的樹脂層可最有效率地機製。另外，到達通孔底部的U V雷射光束之總能量約爲0 · 5 5 m J (〜0 . 1 2 m J X 1 0次X ( 01ΟΟ/0Ϊ5Ο)2)，比僅利用第二雷射光束機製整個樹脂層所需的總能量6 m J (〜0 · 1 2 X 5 0次）的經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 %還少。因此，孔底部無損，且傳導層與樹脂層之間在底緣處並無去層發生，即使樹脂層材料對u v雷射有低吸收率。另外，利用C 〇 2雷射光束2 i機製後的殘留厚度 (污痕厚度）並未改變，即使樹脂層厚度改變。因此’此實施例的機製可靠度增加。 (機製實施例4 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 25 - 503143 A 7 _—_ B7 _ 五、發明説明（23 ) 圖7a，7b和7c爲UV和C 〇2雷射光束能量分布以及以設備實施例2在R C C基板上鑽孔槪示圖。圖8 a (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ’ 8 b和8 c爲分別用於圖7 a ，7 b和7 c中程序的檢流器鏡動作以及U V和C 〇 2雷射脈衝時序圖。外傳導層2 1被機製，如圖7 a所示，如同圖5所示之機製實施例3。如圖7 b所示，樹脂層2 2整個厚度幾乎全由C 〇2雷射光束2 j移除，其爲Bj分布，脈衝寬度

T p〗爲.1 〇 m s，尖峰輸出W ^爲5 0 0 W，脈衝能量E p』爲5 m J ，其低於機製實施例3中之値，因爲樹脂層分解能量臨界値低於含玻璃纖維的樹脂層之分解能量臨界値〇吾人使用的機製點直徑d s j爲1 5 0 // m，其低於窗口直徑1 0 0 /i m，由是所得到的脈衝能量密度E d s j爲 3 〇 J / c m 2，其比經驗得到的去除樹脂層實際所需能量密度低限1 0 J / c m 2高。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在這些狀況下，樹脂層整個厚度幾乎全由1〜2次雷射光束2 k射擊去除，雖然孔底部殘留厚度t。爲〇 . 1〜 3 // m之污痕，污痕之去除如圖7 c所示，如同圖5 c所示之機製實施例3。 (機製實施例5 ) 圖9 a和9 c爲C〇2和UV雷射光束能量分布圖以及以設備實施例2在含玻璃的樹脂直接（F R - 4 )基板的樹脂層上鑽孔槪示圖。圖9 b和9 d爲分別用於圖9 a和 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 503143 A7 ____B7 _ 五、發明説明（24 ) 9 c中程序的檢流器鏡動作以及C 0 2和U V雷射脈衝時序圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在機製無外傳導層的F R - 4基板時，含玻璃纖維2 3的外樹脂層2 2機製如圖9 a所示，如同圖5 b所示之機製實施例3，除了孔之入口直徑是由雷射光束2 i空間能量分布和樹脂層分解能量臨界値E s j決定。孔底部樹脂層 2 2殘留厚度（污痕厚度）以雷射光束2k去除，如圖9 c 所示，如同圖5 c所示之機製實施例3。 (機製實施例6 ) 圖1 0 a和1 0 c爲C〇2和UV雷射光束能量分布圖以及以設備實施例2在樹脂直接基板的樹脂層鑽孔槪示圖。圖1 0 b和1 0 d爲分別用於圖1 0 a和1 〇 d中程序的檢流器動作以及C 0 2和II V雷射脈衝時序圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在機製無任何外傳導層的樹脂直接基板時，外樹脂層 2 2被機製如圖1 〇 a所示，如同圖7 b所示之機製實施例4，除了孔之入口直徑是由雷射光束2 j空間能量分布以及樹脂層分解能量臨界値E s j決定。孔底部的樹脂層 2 2殘留厚度（污痕厚度）以雷射光束2 k去除，如圖1 0 c所示.，如同圖7 c所示之機製實施例4。 (機製實施例7 ) 圖1 1 a和1 1 c爲UV雷射能量分布圖以及以設備實施例2在樹脂基板或F R - 4基板的樹脂層鑽孔槪示圖本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公_ 27 - " 503143 A7 _ B7 五、發明説明（25 ) 。圖1 1 b和1 1 d爲用於圖1 1 a和1 1 c程序的檢流器鏡動作以及U V雷射脈衝時序圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在機製無任何外傳導層的樹脂直接基板時，外樹脂層 2 2係以B i分布的第一 UV雷射光束機製，如圖1 1 3所示.，而非C 〇 2雷射光束2 i。脈衝能量E P i調節成殘留厚度t爲5〜1 〇 ’其係考量樹脂層材料和厚度變化。底部殘留厚度係以雷射光束2 k去除，如圖1 1 c所示。 (設備實施例3 ) 圖12爲本發明第三設備實施例之另一雷射機製系統，其中與圖4相同的元件以相同標號標記。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製標號1 0爲沿雷射光束2 i光徑設置的偏振光束結合器 ’標號1 1爲沿雷射光束2 k光徑設置的半波板，而標號 1 2爲角鏡。角鏡1 2爲雷射光束2 k反射到與透射通過偏振結合器1 0的雷射光束2 i沿同一路徑前進。另外，從雷射頭1 i和1 k發出的U V雷射光束方向及初始光徑平行地對齊。由是，在偏振光束結合器1 0之後的共同光徑同時或輪替地獲得B i分布雷射光束2 i之P偏振P i以及Bk* 布雷射光束2 k之S偏振Sk。亦即，可經由共同機製頭 Z i和路徑提供具不同能量密度、功率密度和點直徑之光束。此外，藉由將半波板1 1和角鏡1 2從光徑去除，雷射光束2 i和雷射光束2 k可同時且獨立地進行機製，如圖4 所示設備實施例2。另一方面，若雷射頭1 i和2 i放置方式使得雷射光束 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（ 210X297公釐） -28- 503143 A7 B7 五、發明説明（26 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 i的電向量方向平行於圖紙且雷射光束2 k的電向量垂直於圖紙，沒有半波板1 1時，雷射光束2 i和2 k偏振方向分別變成P偏振和S偏振。 (.機製實施例8 ) 圖1 3 a爲U V雷射光束能量分布圖以及以設備實施例3在R C C基板上鑽孔之延伸程序。圖1 3 b爲用於圖 1 3 a程序的檢流器鏡動作及U V雷射脈衝時序圖。傳導層以及幾乎整個樹脂層被C i分布雷射光束2 i和 Bk分布雷射光束2k之組合雷射光束去除，雷射光束2 i 之能量密度足以移除傳導層和樹脂層，而雷射光束2 k之能量密度足以去除樹脂層，但不足以損及傳導層。孔底部殘留了厚度爲1 0 // m之樹脂層，之後此殘留厚度被單雷射光束2 k接連地移除。如此形成盲通孔但不損及孔底部，且孔之品質提升。另外，將檢流器鏡定位之後的總脈衝週期 0 . 0 1 2秒（2 5 k Η z及3 0 0次射撃）並無改變，因爲係以組合雷射光束同時機製。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (機製實施例9 ) 圖.1 4 a爲U V雷射光束能量分布圖以及以設備實施例在樹脂直接層基板（樹脂厚度爲4 0 // m )上鑽孔之延伸程序。圖1 4 b爲用於圖1 4 a程序之檢流器鏡動作以及U V雷射脈衝時序圖。幾乎整個樹脂層係以A i分布雷射光束2 i和B k分布 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X29<7公釐） 503143 A7 B7 五、發明説明（27 ) 雷射光束2 k的組合雷射光束去除，雷射光束2 i能量密度足以去除樹脂層，而雷射光束2 k能量密度足以去樹脂層但不足以損及傳導層。孔底部的樹脂層殘留厚度爲1 〇 # m ，之後殘留厚度係以單雷射光束2.k接連地去除。樹脂層被移除，但藉由選擇殘留厚度，樹脂層之移除不受樹脂層厚度變化影響。結果形成盲通孔但不損及孔底部’且孔之品質提升。另外，在將檢流器鏡定位之後的總脈衝週期變成 0 . 0 0 1秒（4 0 k Η z和4 0次射擊）’因爲係以組合雷射光束同時機製。單雷射光束2 k的總脈衝週期爲 0 · 0 0 2秒（4 0 k Η Z和8 0次射擊）。 (設備實施例4 ) 圖1 5爲本發明第四設備實施例之又一雷射機製系統槪示圖，其中與圖4和1 2中相同之元件以相同標號標記〇雷射頭1 i放置方式使雷射光束2電向量方向平行於圖紙，由是雷射光束2之偏振變成P偏振’標號6 a和6 b 爲沿雷射光束2光徑設置的音光偏轉器，標號8爲卸掉第 0階繞射光（透射光）之卸光器。與圖4設備實施例2的雷射光束2 i和2 k比較，雷射光束2 :和2 k能量密度減少約1 5 %，因爲在音光偏轉器 6 a和6 b中有能量損失。然而，由於特性諸如空間能量分布並未改變，可藉由調整雷射頭輸出而得到大致上與圖 4設備實施例2相同之機製能力。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

X 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 30- 503143 A7 _B7__ 五、發明説明（28 ) (機製實施例1 0 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以設備實施例4機製含玻璃基板時採用以下步驟，首先，以C i分布且能量密度足以去除傳導層之雷射光束2 ^ 去除外傳導層，之後以A j分布雷射光束2 i去除樹脂層，接著以B k分布雷射光束2 k去除孔底部殘留污痕層，以形成~~^盲通孔。在此實施例中’將檢流益I疋位之後的最長總脈衝週期在移除傳導層期間爲〇 . ο 〇 1 2秒，移除樹脂層的總脈衝週期爲0 · 0 0 3秒，而去除污痕層的總脈衝週期爲0 . 0 0 0 4秒。因此，進行污痕層之去除是在用於傳導層去除之檢流器鏡動作期間，使得與以圖4中設備實施例2的實質機製時間相比並未增加。結果，僅一雷射頭1 i做圖4中雷射頭1 i和1 k之工作、設備成本可降低。 (設備實施例5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖1 6爲本發明第四設備實施例之更一雷射機製系統槪示圖，其中與圖4，1 2和1 5中元件相同之元件以相同標號標示。除了設備實施例4 ;設有一半波板1 1、一角鏡1 2 、和一偏振光束結合器1 0將雷射光束2 i和2 k共軸地導至機製區。藉由將半波板1 1和角鏡1 2從雷射光束2 k光徑移除，雷射光束2 i和2 k (虛線）被個別地用來進行機製，如本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 503143 A7 ____ B7 五、發明説明（29 ) 同設備實施例4。 (機製實施例1 1 ) 以設備實施例5機製樹脂直接基板（樹脂層厚度爲 4 0 // m )之進行方式如同設備實施例3，結果，孔品質之改進如同設備實施例3。另外，雖然在檢流器鏡定位之後雷射光束2 i和2 k於個別週期射擊，藉由增加雷射頭輸出，總脈衝週期保持0 . 0 0 1秒（4 0 k Η z和4 0次射擊）。將半波板1 1和角鏡1 2從光徑移除之後’雷射光束機製功能可等同於設備實施例3，由是，設備實施例3功能可由單雷射頭達成，結果，設備成本可降低° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐）

Claims

503143 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1·一種形成一盲通孔以露出上面輪替層設一或多層傳導層和一或多層樹脂層的一印刷電路板的一內傳導層之方法，包括：施加一第一 U V雷射光束及/或一紅外線雷射光束以鑽盲孔，直到到達接觸該內傳導層之樹脂層的殘留層，以及施加能量密度高於該樹脂層分解能量臨界値且低於該內傳導層分解能量臨界値的一第二u V雷射光束來去除該殘留層。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中採用具有頂帽型空間能量分布且能量密度高於該傳導層及該樹脂層分解能量臨界値的該第一 U V雷射光束來機製，直到到達與該內傳導層接觸的該樹脂層之該殘留層。 3 .如申請專利範圍第2項之方法，其中該印刷電路板的第一表面層爲一樹脂層，該第二U V雷射光束有頂帽型空間能量分布且光束直徑與該第一雷射光束形成之孔徑相同。 ‘. 4 . 一種雷射機製一印刷電路板之設備，包括：一雷射頭，一光學偏轉器，用來切換從該雷射頭發出的雷射光束之光徑，數光學元件，其沿著該等光徑設置，以個別地調整該等雷射光束的能量密度、空間能量分布、以及光束直徑。 5 · —種使用申請專利範圍第4項的設備之方法’包本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503143 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2 括：利用該光學偏轉器使從該U V雷射頭發出的雷射光偏轉而製出一第一UV雷射光束，以該等光學元件聚光來調整該第一 U V雷射光束使其具有高能量密度，使從該U V雷射頭發出的雷射光束透射通過該光學偏轉器而製出一第二UV雷射光束，以該等光學元件使該第二U V雷射光束擴張而將該第二U V雷射光束具有低能量密度，以及在調整這些參數之後使該等雷射光束沿該共同光徑行進。 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中係以能量密度高於該傳導層分解能量密度的該第一 U V雷射光束來移除一或多層傳導層，一或多層樹脂係以該紅外線雷射移除，以及該等程序重覆直到到達與該內傳導層接觸之該樹脂層之該殘留層。 . 7 .如申請專利範圍第6項之方法，其中該第一及第二U V雷射光束係從一 ϋ V雷射頭得到，以及該等雷射光束之能量密度、空間能量分布、光束直徑係個別地調整到分別適合去除一傳導層和該殘留層。 8 . —種雷射機製一印刷電路板之設備，.包括：一雷射頭， . 一第一及一第二雷射光束，其係藉由切換從該雷射頭本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ' ^— ------~ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 503143 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 發出的雷射光束光徑而得，另一雷射頭，· 數光學元件，其係沿該等光徑設置以個別地調整能量密度、空間能量分布和光束直徑 9 .如申請專利範圍第8項之設備，其中係以一光學偏轉器來切換該第一及第二雷射光束。 1 0 .如申請專利範圍第8項之設備，其中在調整能量密度、空間能量分布和光束直徑之後，該第一及第二雷射光束沿一共同光徑行進。 ---------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35-