TW502492B - Electronic circuit unit - Google Patents

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TW502492B
TW502492B TW090110519A TW90110519A TW502492B TW 502492 B TW502492 B TW 502492B TW 090110519 A TW090110519 A TW 090110519A TW 90110519 A TW90110519 A TW 90110519A TW 502492 B TW502492 B TW 502492B
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TW
Taiwan
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electrode
capacitor
circuit unit
semiconductor bare
substrate
Prior art date
Application number
TW090110519A
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English (en)
Inventor
Akiyuki Yoshisato
Akihiko Inoue
Kazuhiko Ueda
Hiroshi Sakuma
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Priority claimed from JP2000294671A external-priority patent/JP2002110891A/ja
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502492 A7 B7 五、發明説明（1 ) 〔技術領域〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係爲有關搭載半導體裸晶片或電容等表面插裝 式之電路單元；特別是關於作爲高周波裝置使用合適之電 路單元。 〔先行技術〕 一般，作爲高周波裝置使用之電路單元係在設於基板 上的導電圖案之焊接區焊接片狀電阻或片狀電容等的各種 電路部件而被構成，不過近年隨著積體電路的發達，而開 發出在基板上以薄膜形成電路元件之小型電路單元。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此種電路單兀中，採用當必要的電路構成例如含有電 晶體及複數個電容時，在基板上以薄膜形成複數個薄膜電 容或配線圖案後，在該基板上搭載電晶體的裸晶片而加以 線接著之手法。此處，薄膜電容係依序積層下部電極與介 電體以及上部電極；下部電極及上部電極係以配線圖案的 一部分所構成。另外，電晶體以導電性接著劑將下面的集 極電極連接到連接區，以導線將上面的射極電極及基極電 極連接到接著導片上，這些連接區及接著導片也是以配線 圖案的一部分所構成。 〔發朋所欲解決之課題〕 然則，近年，晶片部件或電晶體等的電路部件皆小形 化之技術已顯著進步，例如外形尺寸爲0 · 6 X 0 · 3 m m程度的超小形片狀電阻或片狀電容也已實用化。因此 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） 502492 A7 B7 ___ 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，前述過去的電路單元中，使用此種小型的片狀部件或電 晶體等，在部件間間距縮窄的狀態下將這些電路部件插裝 到基板上，則能使電路單元一定程度小型化。不過片狀部 件或電晶體等的電路部件小形化有一定的限度，而且當多 數個電路部件插裝到基板上之際，必須使各電路部件的焊 接部位不致短路，因而縮窄零件間間距有一定限度，這些 情況爲妨礙電路單元更小型化的重要原因。 另外，依據前述過去的電路單元，由於至少複數個電 容以薄膜形成在基板上，因而能一定程度實現小型化，不 過，由於在基板上的有限區域內以薄膜形成複數個電容或 配線圖案等，因而電路單元的更小型化之點尙有改善的處 所。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，當此種的電路單元例如具有增幅電路，介由電 容將該增幅電路用的電晶體之射極接地時，前述過去的技 術，介由配線圖案將薄膜電容的下部電極或上部電極連接 到接著薄片，在此接著導片上以導線接著射極電極，不過 由於夾隔在薄膜電容與接著導片間之配線圖案的電感成分 ，因而恐會造成高周波特性劣化。 本發明鑑於上述的問題，其目的係提供小型化且合適 的高周波特性優越之電路單元。 〔用以解決課題之手段〕 爲了達成上述目的之第1手段：本發明的電路單元具 備：以薄膜形成在氧化鋁基板上之導電圖案、及含有以薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 502492 A7 B7 五、發明説明（3 ) ------------^裝一I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜形成在前述氧化鋁基板上之電容和電阻和電感元件使其 與導電圖案連接之電路元件、及以導線接著在前述導電圖 案之半導體裸晶片等；縮小搭載前述半導體裸晶片之連接 區的面積使其比該半導體裸晶片下方的面積還小。 依據這種構成，利用薄膜技術高精度地形成含有電容 與電阻以及電感元件之電路元件，並且半導體元件由於是 以導線接著裸晶片，因而在氧化鋁基板上高度地插裝必要 的電路部件，就能實現小型化且合適的面插裝形之電路單 元。另外，縮小搭載半導體裸晶片之連接區的面積使其比 該半導體裸晶片下方的面積還小，而能將塗在連接區的膏 狀焊錫或導電糊漿等之導電性接著劑聚集在半導體裸晶片 其外形的內側，且能防止導電性接著劑從半導體裸晶片的 外形漏出而與周圍的導電圖案造成短路。 上述的構成中，使成爲方形之半導體裸晶片的至少2 邊遠離連接區的外形較爲理想。經此方式能將導電性接著 劑聚集在半導體裸晶片其2邊以上的外形內側，且能更有 效防止導電性接著劑的外漏。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，上述的構成中，在連接區的內部設置開口較爲 理想，依據此種連接區，由於能將剩餘的導電性接著劑聚 集在開口內，因而能更確實防止導電性接著劑的外漏。 另外，爲了達成上述目的之第2手段：本發明的電路 單元構成爲在基板形成夾隔介電體積層下部電極及上部電 極而形成之電容，並且在前述基板上搭載半導體裸晶片使 其與前述電容重疊，且前述電容的前述上部電極兼爲連接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 502492 A7 B7 五、發明説明（4 ) 到前述半導體裸晶片的下面電極其連接區的一部分。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據此種構成，由於在半導體裸晶片的搭載空間正下 方形成薄膜電容，因而交疊半導體裸晶片與薄膜電容的部 分而提高基板上的面積效率，能促進電路單元的小型化。 並且由於薄膜電容的上部電極兼爲連接到半導體裸晶片的 下面電極其連接區的一部分，因而減少薄膜電容與半導體 裸晶片之間的引線電感成分，可以防止高周波特性的劣化 〇 進而，爲了達成上述目的之第3手段：本發明的電路 單元構成爲在基板上形成夾隔介電體積層下部電極與上部 電極而形成之電容，並且在前述基板上搭載半導體裸晶片 ，且以導線接著前述電容的前述上部電極與前述半導體裸 晶片的上面電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據此種的構成，由於以薄膜電容的上部電極作爲接 著導片以導線接著半導體裸晶片的上面電極，因而相當於 此接著導片的部分而提升基板上的面積效率，能促進電路 單兀的小型化。並且由於薄膜電容的上部電極兼爲以導線 接著到半導體裸晶片的上面電極之接著導片，因而減少薄 膜電容與半導體裸晶片之間的引線電感成分，可以防止高 周波特性的劣化。 〔實施形態〕 以下，參照圖面說明本發明的第1實施形態。第1圖 係電路單元之斜視圖。第2圖係表示電路構成的配置其氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7- 502492 A7 ______ B7 ___ 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 化鋁基板之平面圖。第3圖係氧化鋁基板之背面圖。第4 圖係表示電路構成之說明圖。第5圖係表示端面電極之斜 視圖。第6圖係端面電極之斷面圖。第7圖係表示半導體 裸晶片與連接區其兩者的關係之說明圖。第8圖係表示電 路單元的製程之說明圖。 本實施形態例爲周波數調諧升壓放大器的適用例；此 周波數調諧型升壓放大器具有爲了提升攜帶型電視機的接 收性能（特別是接收感度及耐妨礙性）而與U H F調諧器 (未圖示）組合使用，具有選擇希望周波數的Τ V訊號， 並且增幅所選擇之Τ V訊號而輸入到U H F調諧器之功能 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖係表示此周波數調諧型升壓放大器（電路單元 .)的外觀；如同圖所示，此周波數調諧型升壓放大器係由 搭載後述的電路構成元件之氧化鋁基板1、及安裝在該氧 化鋁基板1之遮蓋2所構成，形成爲焊接在母基板（未圖 示）之面插裝部件。氧化鋁基板1形成爲方形平面狀，將 大塊基板切割成長條狀的分割片後，將此分割片更加細分 割而取得。遮蓋2係將金屬板彎曲加工成箱形，氧化鋁基 板1上的電路構成元件利用此遮蓋2加以覆蓋。 如第2圖所示，在氧化鋁基板1的表面設置電路構成 元件及連接這些電路構成元件之導電圖案；另外如第3圖 所示，在氧化鋁基板1的背面設置當作背面電極之導電圖 案。本實施形態例之周波數調諧型升壓放大器爲了 Τ V訊 號的選擇和增幅而具有調諧電路及增幅電路，形成爲如同 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) Α4規格(210 X 297公釐） 一^ 502492 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖所示的電路構成；在第2圖所示之各電路構成元件 附註與第4圖的電路圖相對應之圖號。只不過第4圖係表 示電路構成的一例；本發明對於具有除此之外的電路構成 之電路單元也能適用。 如第4圖所示，周波數調諧升壓放大器具有也是調諧 電路及增幅電路的電路構成元件之電容C 1〜C 7、電阻 R1〜R3、電感元件L1〜L3、二極體D1、電晶體 T r 1、導電路S 1和S 2等；這些電路構成元件及連接 此電路構成元件之導電圖案設置在氧化鋁基板1的表面。 此導電圖案例如利用濺射處理等的薄膜技術形成爲C r或 C u ;第2圖中附註圖號P而以斜線部分表示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 簡單說明周波數調諧升壓放大器的電路構成，爲了選 擇及增幅希望周波數的T V訊號，而由電感元件L 2和 L 3及電容C 3和C 4以及二極體D 1所組成之調諧電路 、及電晶體T r 1及其周邊電路元件（電阻R 1〜R 3和 電容C 6 )以及不平衡/平衡轉換元件T所組成之增幅電 路而構成。複數個周波數的T V訊號經由電容C 1輸入到 調諧電路。調諧電路的調諧周波數（共振周波數）經由控 制加諸二極體D 1的負極之電壓（V c t 1 )而可變，所 以使其與所希望T V訊號的周波數一致，而選擇所希望的 Τ V訊號，經由電容C 5輸入到增幅電路中電晶體T r 1 的基極。在於電晶體T r 1的基極，偏壓電壓加諸到基極 偏壓甩分壓電阻R 1、R 2，電晶體T I· 1的集極電流（ ~射極電流）依照射極電阻R 3的電阻値而加以設定。以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 502492 A7 B7 ___ 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電晶體T r 1所增幅之T V訊號從集極輸出；在集極設置 不平衡/平衡轉換元件T。此不平衡/平衡轉換元件丁以 相互結合的一對導電路S 1、S 2所組成之電感元件而被 構成，從導電路S 2的兩端輸出平衡T V訊號，而輸入到 前述過的U H F調諧器。 如第2圖所示，在氧化鋁基板1的端部形成接地用電 極（G N D )及輸入用電極（V c c、V c t 1、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R F i η )以及輸出用電極（R F 〇 u t ):這些利用導 電圖案P的一部分而被構成。接地用電極及輸入用電極以 及輸出用電極只形成在方形狀氧化鋁基板1所相對向之2 個長邊側，在除此之外所相對向之2個短邊側則不形成。 即是在氧化鋁基板1其一者長邊側的兩角落部形成G N D 電極，在這些G N D電極之間形成V c c電極及R F i η 電極以及V c t 1。另外在氧化鋁基板1其他者長邊側的 兩角落部及其近旁的3處所形成GND電極，在這些 G N D電極之間形成2個R F 〇 u t電極。然後，如後述 ，氧化鋁基板1的2個長邊對應於大塊基板切割成長條狀 的分割片時的分割線；氧化鋁基板1的2個短邊對應於該 分割片更加細分割時的分割線。 此外，如第3圖所示，設在氧化鋁基板1的背面之導 電圖案P 1 (背面電極）對應於各別的接地用電極（ GND)及輸入用電極（VCC、Vctl、RFin) 以及輸出用電極（R F o u t );如第5、6圖所示，兩 者介由端面電極3導通。此端面電極3係在A g厚膜層的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210父297公釐1 10- 502492 A7 ___ B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上面依序積層N i基底電鍍層及A u電鍍層；最下層的 A g厚膜層係在以厚膜形成不含玻璃成分之a g糊漿後， 以2 0 〇 °C程度將此燒結成之低溫燒結材料所形成。另外 ，中間層的N i基底電鍍層容易附著A u電鍍層，最上層 的A u電鍍層係當端面電極3焊接到母基板（未圖示）的 焊接區之際，用來防止最下層的A g析出到焊錫中。然而 ，遮蓋2安裝在氧化鋁基板1之電路單元的完成品中，彎 曲形成在遮蓋2側面之腳片2 a焊接到與接地用電極（ G N D )導通之端面電極3，遮蓋2形成爲在氧化鋁基板 1的4個角落接地的狀態。 前述過各電路構成元件當中，電容C 1〜C 7夾隔 S i 0 2等的介電體膜將上部電極積層在下部電極的上面， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .這些電容係利用濺射處理等而以薄膜形成。在上部電極的 表面設置C u層，利用此C u層提高共振電路的Q値。電 容C 1〜C 7的下部電極及上部電極連接到導電圖案，如 第2圖所示，在電容7與V c c電極間的導電圖案P、電 容C7與RFout電極間的導電圖案P、電容C2與 V c t 1電極間的導電圖案P，分別設置放電用的間隔部 (air gap ) G。此間隔部G係以設在相互對向所並排設置 的各別導電圖案P之一對突部而被構成，兩突部的尖端彼 此間隔著一定的間隙而對向著。此情況，導電圖案P及 G N D電極的尺寸精度都利用薄膜技術而提高，因而能縮 窄間隔部G的間隙大小，而能低電壓進行放電。另外，各 電容C1〜C7當中，電容C1及C3〜C5形成爲單純 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐） _ 11瞧 502492 A7 B7 五、發明説明（9 ) 的方形狀，不過電容c 2及C 7形成爲組合2個以上的方 形之異形狀。即是電容c 2爲從1個矩形的一邊使2個矩 形突出之凹形狀，電谷C 7爲3個矩形朝長邊方向偏移所 使其延續之形狀。此兩電容C 2及C 7爲必要較大電容値 之接地用電容，接地電容c 2與C 7成此類的異形狀，能 有效利用氧化鋁基板1上有限的空間，且能高密度插裝所 要容量値之電容。 進而，各電容C 1〜C 7當中，電容C 6由大小不相 同的2個接地甩電容所構成，兩者經由相互分離的一對導 電圖案P而並聯著。即是如第2圖所示，兩接地用電容 C 6的各一者之電極部連接到接地用的導電圖案P，不過 兩接地用電容C 6的各他者電極部介由相互分離的2個導 電圖案P連接到電晶體T r 1的連接區S L。從第4圖能 明白，電容C 6設置在電晶體T r 1的射極與接地之間， 前述連接區S L由於是以導線接著電晶體T r 1的射極電 極之處所，因而電容C 6的容量値依照介由相互分離的導 電圖案P所並聯之2個接地用電容而加以設定。因此，減 少從電晶體T r 1的射極電極夾隔電容C 6至接地之導電 圖案P全體的電感，而提高接地用電容C6之連接區SL 的接地效果；另外由於各接地用電容C 6及各導電圖案P 所形成之寄生振盪周波數提高，因而將此周波數設定爲電 晶體T r 1的動作點周波數以上，所以能消除寄生振動。 電阻R 1〜R 3使用濺射方式等的薄膜技術形成例如 T a S i 0 2等的電阻膜，在該膜表面因應於所需設置 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 502492 A7 B7 五、發明説明（10) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Si〇2等的介電膜。如第2圖所示，3個電阻R1〜R3 當中，電阻R 1及R 2並排設置而以薄膜形成在氧化鋁基 板1上的相互接近之位置，剩餘的電阻R 3以薄膜形成在 遠離電阻R 1及R 2的位置。此樣由於將電阻R 1及R 2 以薄膜形成在接近的位置，因而即使各電阻r 1、r 2的 電阻値與所望値相比對產生參差不齊，也能使電阻R 1、 R2全體的參差不齊比率成爲相同。從第4圖能明白，電 阻R 1及R 2爲電晶體T r 1的基極偏壓用分壓電阻， R 1 / ( R 1 + R 2 ) X V c c的電壓施加到電晶體 T r 1的基極。此處，也是基極偏壓用分壓電阻之電阻 Rl、 R2全體的參差不齊比率如前述過由於隨時都相同 ，因而對電阻R 1、R 2之電阻値不需要調整。此外，電 .阻R 3爲電晶體T r 1的射極電阻，電流從V c c電極流 到電晶體T r 1的集極及射極，進而通過電阻R 3被接地 。此處，各電阻R 1.〜R 3當中，由於也是射極電阻之電 阻R 3所造成有助於電晶體T r 1的增幅度爲最大，因而 只調整電阻R 3而進行輸出調整使電流値成爲一定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而，如第9圖所示，當在電晶體T r 1串聯別的電 晶體T r 2之電路構成時，將也是兩電晶體T r 1、 T ]： 2的基極偏壓用分壓電阻之電阻R 1、r 2、R 4以 薄膜形成在氧化鋁基板1上相互接近的位置，則對電阻 R 1、R 2、R 4之電阻不需要調整。因此，此情況，也 經由只調整也是射極電阻之電阻R 3，就能設定兩電晶體 T r 1、T r 2的電阻値。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " " -13- 502492 A7 B7 五、發明説明（1” (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，電感元件L1〜L3及導電路SI、S2都是 利用濺射方式等的薄膜技術形成爲c r或C u等，而連接 到導電圖案P。在各電感元件L 1〜L 3的表面設置C u 層，利用此C u層提高共振電路的Q値，電感元件L 1及 L 2都形成爲角狀的渦卷形狀，各別的一端以導線接著到 Vc t 1電極或接地用的導電圖案P。電感元件L2爲槪 略設定共振周波數之共振周波數設定用，電感元件L 3連 接到電感元件L 2的他端。電感元件L 3爲用來調整共振 周波數之調整用導電圖；如第2圖中的虛線所示，調整電 感元件L 3加以縮減，因而增加電感元件L 2的卷數而調 整共振周波數。此情況，若調整後的電感元件L 3之導電 寬度與共振周波數設定用的電感元件L 2之導體寬度相同 .，則電感元件L 2及電感元件L 3的特性阻抗不改變。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如前述過，不平衡/平衡轉換元件T以相互結合的一 對導電路S 1、S 2所形成之電感元件所構成，兩導電路 SI、 S2以薄膜形成在氧化鋁基板1上。兩導電路S1 、S 2在氧化鋁基板1上夾隔一定的間隙相互對向形成爲 渦卷狀；一者導電路S 1的兩端連接到電晶體T r 1的集 極電極及與電容7相連接之導電圖案，他者導電路S 2的 兩連接到一對的R F 〇 u t電極。此情況，爲了提高以薄 膜形成之導電路S 1、S 2的尺寸精度，縮窄兩導電路 S 1、S 2之間的間隙就能確保所望的結合度，且能在氧 化鋁基板1上有限的空間內設置小形的不平衡/平衡轉換 元件T。然而，如第1 〇圖所示，將夾隔一定間隙所對向 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 502492 A7 _ B7 ' 五、發明説明（12) 的一對導電路S 1、s 2呈Z字狀形成在氧化鋁基板1上 亦可。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，二極體D 1及電晶體T r 1係將半導體裸晶片 搭載在氧化鋁基板1上所薄膜形成之導電圖案P的連接區 ，將該半導體裸晶片以導引接著到導電圖案P。即是如第 2圖所示，二極體D 1的半導體裸晶片呈角形形狀，設在 其下方之一者電極使用膏狀焊錫或導電糊漿等的導電性接 著劑而固定在連接區；設在半導體裸晶片上面之他者電極 以導線接著劑到導電圖案P的一定部位。另外，電晶體 T r 1的半導體裸晶片也呈角形形狀，設在其下方之集極 電極使用導電性接著劑固定在連接區，基極電極及射極電 極以導線接著到導電圖案P的一定部位。與前述過的端面 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .電極3同樣地，也在連接區上依序積層N i基底電鍍層及 A u電鍍層。此處，如第7 ( a )或7 ( b )圖所示，對 半導體裸晶片的下部面積縮小形成連接區5的面積，經由 採用此種構成，由於在半導體裸晶片4的下方確保導電性 接著劑的聚集部，因而能預先防止導電性接著劑從半導體 裸晶圓4的外形外漏而與周圍的導電圖案P造成短路P之 事故。另外，在連接區5的內部設置開口 5 a ;由於接著 劑聚集在開口 5 a內，因而能更確實防止導電性接著劑的 外漏。 其次，參照第8圖說明上述所構成的電路單元之製造 過程。 首先，如第8 ( a )圖所示，T a s 1〇2等濺射到氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 502492 A7 B7 五、發明説明（13) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化鋁基板1的表面全體後，將此濺射膜蝕刻成所要的形狀 而形成電阻膜6，因而構成相當於電阻R 1〜R 3的部位 。其次，如第8 ( b )圖所示，從電阻膜6之上濺射C r 或C u，將此蝕刻成所要的形狀而形成下部電極7後，如 第8 ( c )圖所示，從下部電極7的上方灑射C r或C u ，將此蝕刻成所要的形狀而形成介電體膜8。其次，如第 8 ( d )圖所示，從介電體膜8的上方濺射C r或C u後 ，將此蝕刻成所要的形狀而形成上部電極9。其結果：以 下部電極7或上部電極9構成相當於導電圖案P及電感元 件L 1〜L 3以及導電路S 1、S 2的部位，以下部電極 7及介電體膜8以及上部電極9的積層體構成相當於電容 C 1〜C 7的部位。其次，在相當於電感元件L 1〜L 3 及導電路C 1〜C 7的部位表面以電鍍或薄膜技術形成 C u層後，如第8 ( e )圖所示，在除了導電圖案P之外 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的部位形成保護膜1 0。其次，如第8 ( f )圖所示，在 氧化鋁基板1的背面全體濺射C r或C u後，將此飩刻成 所要的形狀而形成背面電極1 1，因而構成相當於背面側 的導電圖案P 1的部位。 然而，以上所說明過之第8 ( a )〜8 ( f )圖的過 程，對縱橫刻設有呈格子狀延伸的分割溝之氧化鋁材所形 成的大塊基板進行，以所說明之第8 ( g )〜8 ( j )圖 的過程，對沿著一方向的分割溝切割此大塊基板所形成之 長條狀的分割片進行。 即是將大塊基板切割成長條狀的分割片後，如第8 ( 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 16- 502492 A7 B7 五、發明説明（14) g )圖所示，在也是此分割片的切割面之氧化鋁基板1的 兩端面以厚膜形成A g層1 2，設在氧化鋁基板1的正反 兩面之導電圖案p、P1的接地用電極（GND)與輸入 用電極（Vcc、Vctl、RFin)及輸出用電極（ R F 〇 u t )彼此間以A g層1 2導通。此A g層1 2相 當於前述過端面電極3的A g厚膜層，不含玻璃成分的 A g銀糊所形成之低溫燒結材。然而能對1個長條狀分割 片進行該Ag層12的厚膜形成過程，不過若爲存有若干 間隙疊合複數片分割片的狀態，則能同時對複數片分割片 以厚膜形成A g層1 2，適於大量生產。其次，A g層 1 2及搭載半導體裸晶片之連接區的各表面依序電鍍N i 基底層及A u層後，如第8 ( h )圖所示，利用膏狀焊錫 或導電糊漿等的導電性接著劑將二極體D 1及電晶體 T r 1的半導體裸晶片固定在各連接區上。此情況，如前 述過，由於對半導體裸晶片下方的面積縮小形成連接區的 面積，因而防止導電性接著劑從半導體裸晶片外漏，而不 致造成導電性接著劑與半導體裸晶片周圍的導電圖案短路 。其次，如第8 ( i )圖所示，將各半導體裸晶片以導引 接著到導電圖案P的一定部位後，如第8 ( j )圖所示， 調整也是射極電阻之電阻R 3而加以輸出調整，並且調整 也是調整用導電圖案之電感元件L 3而調整共振周波數。 此情況，共振周波數係在分割成各個的氧化鋁基板1之前 的長條狀分割的狀態下進行調整，由於在各氧化鋁基板1 的角落部設置接地用電極（G N D )，因而接地用電極（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I---------·1-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .1# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 17- 502492 A7 B7 五、發明説明（15) G N D )必須位於設在所相鄰氧化鋁基板1的輸入用電極 (Vcc、Vctl、RFin)與輸出用電極（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) R F 〇 u t )之間，共振周波數的調整不致對所相鄰氧化 鋁基板1的電路造成不良影響。 接著在長條狀分割片的各個氧化鋁基板1安裝遮蓋2 ，將該遮蓋2的腳片2 a焊接到與接地用電極（G N D ) 相導通之端面電極3後，分割片沿著他者的分割溝細分割 成各個的氧化鋁基板1，因而形成如第1圖所示的電路單 元。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據此所構成的上述實施形態例之電路單元，由於在 氧化鋁基板1上以薄膜形成電容c 1〜C 7、電阻R 1〜 R3、電感元件L1〜L3、導電路SI、S2等之電路 .元件以及連接到電路元件之導電圖案P，同時在該氧化鋁 基板1上以導線接著二極體D 1及電晶體T r 1的半導體 裸晶片，且在氧化鋁基板1的側面設置連接到導電圖案的 接地用電極及輸入輸出用電極之端面電極，因而能利用薄 膜技術及半導體元件的導線接著將所必要的電路構成元件 高密度地插裝到氧化鋁基板1上，且能實現適於小型化的 面插裝式之電路單元。另外由於二極體D 1及搭載電晶體 T r 1的半導體裸晶片4之連接區5其兩者的面積縮小形 成使其比該半導體裸晶片4下方的面積還小，因而能將塗 在連接區5之膏狀焊錫或導電糊槳等之導電性接著劑聚集 在半導體裸晶片4外形的內側，且能防止導電性接著劑從 半導體裸晶片4的外形漏出而造成與周圍的導電圖案P短 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 1 502492 A7 B7 五、發明説明（16) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 路。進而由於連接區5在內部具有開口 5 a，因而能將剩 餘的導電性接著劑聚集在該開口 5 a內，所以能更確實防 止導電性接著劑的漏出。 其次，參照圖面說明本發明的第2實施形態。第1 1 圖係本發明的實施形態例其電路單元之重要部位平面圖。 第1 2圖係沿著第1 1圖的A — A線之斷面圖。第1 3圖 係爲沿著第1 1圖的B — B線之斷面圖。第1 4圖係電路 構成之說明圖。 b. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本賨施形態例的電路單元作爲各種的高周波裝置使用 ，此電路單元具備例如插裝第14圖所示的增幅電路之氧 化鋁基板。此增幅電路具有電晶體T r 3等的電路構成元 件及與該元件連接的配線圖案P 2 ;如後述，電容C 8〜 C 1 0及電阻R 4〜R 6及電感元件L 4和配線圖案P 2 經由濺射法或C V D法等的薄膜處理過程而形成在氧化鋁 基板2 1上，電晶體T r 3經由以導線接著裸晶片而搭載 到氧化鋁基板2 1上。只不過第1 4圖係表示電路構成的 一例，本發明也能適用於具有除此之外的電路構成之電路 單元。 如第1 1〜1 3圖所示，經由在氧化鋁基板2 1的表 面依序積層下部電極2 2及介電體2 3以及上部電極2 4 ，因而形成對應於電容C 8〜C 1 0的3個薄膜電容，各 電容C 8〜C 10的下部電極2 2及上部電極2 4連接到 配線圖案P 2。這些構成要件當中，下部電極2 2及上部 電極2 4以及配線圖案P 2都是以薄膜形成T i / C u之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 502492 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7 五、發明説明（17) 導體膜所形成，介電體2 3則爲以薄膜形成S i 0 2等之介 電體膜所形成。另外，在氧化鋁基板2 1的表面，以薄膜 形成對應於電阻R 4〜R 6之T a S i〇2等的電阻膜及對 應於電感元件L 4之T i / C u等的導體膜，此電阻膜及 導體膜的兩端也連接到配線圖案P 2。進而，配線圖案 P 2的一部分爲連接區2 5，在此連接區2 5上搭載電晶 體T r 3的裸晶片。 此處，各電容C8〜C10當中，對應於C9之薄膜 電容的上部電極2 4兼爲連接區2 5的一部分，裸晶片 2 6下面的集極電極263利用導電性接著劑連接到連接 區2 5上。也就是在裸晶片2 6其搭載空間的正下方以薄 膜形成電容C 9，兩者裸晶片2 6與電容C 9平面上交疊 .著。此外，剩餘的電容C 8、C 1 〇爲接地用電容，裸晶 片2 6上面的基極電極2 6 b及射極電極2 6 c分別介由 導線連接到電容C 8、C 1 〇的上部電極2 4。也就是接 地用的兩電容C8、 C10之上部電極24作爲接著導片 ，裸晶片2 6以導線接著。 此樣，上述實施形態例之電路單元，由於在搭載電晶 體T r 3的裸晶片2 6之空間的正下方以薄膜形成電容 C 9，此電容C 9的上部電極2 4兼爲裸晶片2 6的連接 區2 5 —部分，因而只有交疊裸晶片2 6及電容C 9的部 分能提高面積效率，並且能減少裸晶片2 6與電容C 9之 間的引線電感成分而劣化高周波特性。另外，由於接地用 的電容C 8、C 1 0之上部電極2 4作爲接著導片，以導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ ： ""訂 .^ . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20 - 502492 附件1 ··第90110519號專利申請案 中文說明書修正頁 A7民國91年08月02日 B7
%修正補： 五、發明説明（18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線接著裸晶片2 6，因而只有相當於接著導片的部分提高 面積效率，能與前電容C9之面積效率提升部分同時促進 電路單元的小型化，並且能減少裸晶片2 6與電容C 8、 C 1 〇之間的引線電感成分而劣化高周波特性。 〔發明效果〕 本發明以上述過的形態實施，達到以下的效果。 由於在氧化鋁基板上以薄膜形成電容、及電阻、及含 有電感元件之電路元件、及連接到電路元件之導電圖案， 並且將半導體裸晶片以導線接著到導電圖案，縮小搭載半 導體裸晶片之連接區的面積使其比該半導體裸晶片下方的 面積還小，因而不單是能在氧化鋁基板上高密度地插裝所 必要的電路部件，當利用導電性接著劑將半導體裸晶片固 定在連接區之際，可以防止導電性接著劑從半導體裸晶片 的外形漏出而與周圍的導電圖案造成短路，所以可以達到 電路單元的小型化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在半導體裸晶片的搭載空間正下方形成薄膜電容，此 薄膜電容的上部電極，兼作爲半導體裸晶片的連接區一部分 ，薄膜電容的上部電極作爲接著導片，以導線接著半導體 裸晶片，則不單是提高基板上的面積效率且促進電路單元 的小型化，也能減少薄膜電容與半導體裸晶片之間的引線 電感成分，而肪止高爵波特性的劣化。 〔圖面之簡單說明〕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •21 - 502492 Α7 Β7 五、發明説明（19 ) 第1圖係爲本發明的實施形態例其電路單元之斜視圖 圖 面 平 之 板 基 銘 化 氧 的 置 配 成 構 路 電 示 表 爲 係 圖 2 第 圖 〇 面圖 背明 之說 板之 基成 鋁構 化路 氧電 爲爲 係係 圖 圖 3 4 第第 第第第 圖 視。 斜圖 之面 極 電 面極 端電 示面 表端 爲爲 係係 圖 圖 斷 之
A
接 .一彐二 連 與 片 晶 HK 裸 導 半 示 表 爲 係 圖 \1/ B (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖 ~ 明 } 說A 之C 係 8 關第 的 區
程 過 造 製 的 元 單 路 電 示 表 爲 係 圖 J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之說明圖。 第9圖係爲其他電路構成之說明圖。 第1 0圖係爲表示其他電路構成配置的氧化鋁基板之 平面圖。 第1 1圖係爲本發明的實施形態其電路單元之要部平 面圖。 第1 2圖係爲沿著第1 1圖的A - A線之斷面圖。 第1 3圖係爲沿著第1 1圖的B - B線之斷面圖。 第1 4圖係爲電路構成之說明圖。 〔圖號說明〕 .1 :氧化鋁基板 2 :遮蓋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐1 " -22 - 502492 A7 B7 ••彳 今月^ $ 五、發明説明（20 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 :端面電極 4 :半導體裸晶片 5 :連接區 5 a :開口 6 :電阻膜 7 :下部電極 8:介電體膜 9 :上部電極 1 0 :保護膜 1 1 :背面電極 1 2 : A g 層 2 1 :氧化鋁基板 2 2 :下部電極 2 3 :介電體 2 4 :上部電極 2 5 :連接區 2 6 :裸晶片 2 6 a :集極電極 2 6 b :基極電極 2 6 c :射極電極 2 7 :導電性接著劑 2 8 :導線 C1〜C10 :電容 R 1〜R 6 :電阻 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 23- 502492 A7 B7 獅.月V增' 五、發明説明（21
案 體 圖 件晶 電 元電路導 感：電： 電 3 導 2 : Γ : P 區 4 T 2 、接 L ~ s 1 連 ^ 1 、 P : 1—I Γ 一—I 、 L L T s p S (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - 24-

Claims (1)

  1. 502492 A8 B8 S__ 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 1 · 一種電路單元，具備：以薄膜形成在氧化鋁基板 上之導電圖案、及包含有以薄膜形成在前述氧化鋁基板上 使其與導電圖案連接的電容、電阻、電感元件之電路元件 、及以導線接著在前述導電圖案之半導體裸晶片等；其特 徵爲=縮小搭載前述半導體晶片之連接區的面積使其比該 半導體裸晶片下方的面積還小。 2 ·如申請專利範圍第1項之電路單元，其中成爲方 形狀之前述半導體裸晶片的至少2邊與前述焊接區的外形 相互隔離。 3 ·如申請專利範圍第1項之電路單元，其中在前述 連接區的內部設置開口。 4 ·如申請專利範圍第2項之電路單元，其中在前述 連接區的內部設置開口。 5·—種電路單元，其特徵爲： 在基板上形成夾隔感電體積層下部電極及上部電極而 形成之電容，同時在前述基板上搭載半導體裸晶片使其與 前述電容相重疊，且前述電容的前述上部電極兼爲連接到 前述半導體裸晶片的下面電極之連接區一部分。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 . —種電路單元，其特徵爲： 在基板上形成夾隔介電體積層下部電極及上部電極而 形成之電容，同時在前述基板上搭載半導體裸晶片，且則 述電容的前述上部電極與前述半導體裸晶片的上面電極以 導線接著。 7 ·如申請專利範圍第5項之電路單元，其中在前述 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 502492 A8 B8 C8 D8 /、、申清專利範圍 基板上形成夾隔介電體積層下部電極及上部電極而形成之 其他電容，此電容的上部電極與前述半導體裸晶片的上面 電極以導線接著。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 泰· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26-
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