TW495808B

TW495808B - Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus

Info

Publication number: TW495808B
Application number: TW090102076A
Authority: TW
Inventors: Masaaki Hiroki; Noriko Ishimaru; Shunpei Yamazaki
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2000-02-04
Filing date: 2001-02-01
Publication date: 2002-07-21
Also published as: EP1122801A3; JP4987159B2; JP2016033920A; JP2017208348A; US20010023661A1; EP1122801A2; JP2011175986A; JP2012160461A; JP2014167924A; JP5138105B2; JP2012152737A; JP5138106B2; US7279194B2; JP2012038739A; JP2013033753A; EP1122801B1

Description

495808 A7 — B7 五、發明說明（1) 發明領域本發明有關一種自發光裝置，其中以冷光（E L )性自發光有機材料構成之£ L元件包夾在一陽極及一陰極，並有關製造電子設備之方法，電子設備具有自發光裝置爲顯示部（顯示螢幕）°注意，上述自發光裝置亦稱爲〇LE'D-(有機性自發光二極體）。近年顯示裝置使用E L元件爲自發光元件日漸普遍，係使用自發光有機材料之E L現象（稱爲自發光裝置及 EL顯示裝置）。自發光裝置本身會發光，有潛力成爲電子設備之顯示部，因爲不需背光源，如液晶顯示裝置，而且視角廣。有兩類自發光裝置，一爲被動式（簡單矩陣式），一爲主動式（主動矩陣式），發展甚快，主動矩陣式自發光裝置目前用於聚光燈。並有硏究低分子有機E L材料及高分子E L材料（聚合物）作爲E L層之有機性E L材料，可謂E L元件之心臟，因爲聚合物有機E L材料之操作輕易及熱阻性，其硏究較低分子E L材料多。當溶有聚合物有機E L材料之溶液塗佈時，產生問題如排放部之液體切除，起因排放部中表面張力或溶液黏性，或是排放部中產生液體塊。注意，本說明書中，有機 E L材料融入溶劑E L層施加液體均稱爲施加液體。施力口液體包含聚合物有機E L材料融入溶劑之溶液，亦包含聚合物有機E L材料與單合物有機E L材料一起融入溶劑之溶液。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· ^1 ϋ ϋ ·ϋ ϋ ϋ ei_i^· *ϋ ϋ ^1 .1·· ·ϋ i·— n i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 B7 五、發明說明（2) 此外，有些有機材料發出磷光或螢光，磷光係三基式發光，而螢光係單機是發光。就本發明之自發光裝置，可使用發光磷光或螢光之E L材料。此外，可用旋轉器之施加方法控制施加液體之膜厚。若使用庳轉施加法，將用溼蝕刻程序包夾，對於有機E L 材料並·不·適合。發明槪述本發明有鑑於以上問題，提供有效形成膜之機構，其中解決聚合物製有機E L材料直線形狀施加形成膜後之蝕刻問題，亦解決排防時排放部中液體塊及液體切除之問題。此外，本發明一目的亦.提供自發光裝置，及製造自發光裝置之方法，係使用形成膜之機構。本發明另一目的提供以自發光裝置爲顯不部之電子設備。爲達以上目的，用於直線形施加之施加液體之黏性係根據製造時有機E L材料稀釋之規定控制，並控制施加之膜厚均勻。此外，根據本發明，供形成E L層之施加液體施加後，解決液體切除之缺點及液體塊之問題，此時用包含一頭部及一噴嘴之薄膜形成設備來塗佈施加液體。注意，本發明之頭部有一超音波震盪器，將超音波震盪提供頭部。頭部具有噴嘴而接收超音波時噴嘴亦收到超音波。當欲形成E L層之施加液體充滿噴嘴，超音波震盪器提供噴嘴之超音波震盪亦提供至施加液體。注意，超音波本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ▼裝--------訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 B7 五、發明說明（3) 震盪器提供超音波震盪時提供施加液體一壓力’施加液體由噴嘴排出而根據所加壓力至適當位置’施加液體因毛細 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 管作用及液體重量由噴嘴排出。此外，噴嘴之梢部有一接觸元件，可根據上有E L層之基片之一列所接處之接觸元件，沿接觸元件提供施加液體至一·圖·素行。全說明書中，可用噴嘴材料以外之材料形成接觸元件，並可局部改善噴嘴之梢部以接觸一列。根據情況，噴嘴可直接接觸一列，供作接觸元件。注意’較佳使用絕緣材料爲接觸元件材料。注意，噴嘴接至頭部，接合部附近之噴嘴內徑不同於噴嘴梢部之內徑，施加液體經由梢部受壓排出噴嘴。內徑之尺寸等級中，接合部附近之噴嘴內徑大於噴嘴梢不之內徑。如此令排出施加液體之噴嘴梢部內徑較小，可增加液體施加位置之控制性。此外，噴嘴梢部（噴嘴具較小內徑之部份）有一加熱器，以加熱器加熱噴嘴之梢部，亦對施加液體加熱。以加熱器對施加液體加熱，可除去噴嘴梢部之施加液體塊及切除。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明之薄膜形成設備如圖1 A至1 C所示，茲說明使用薄膜形成設備製造自發光裝置之方法。圖1 A顯示實施本發明時，7Γ共軛聚合物構成有機 EL材料之模型成狀態。圖1A中，110爲一基片，圖素部1 1 1，源極側驅動電路1 1 2，閘極側驅動電路 1 1 3，係T F T形成在基片1 1 〇上。接至源極側驅動本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 A7 B7 五、發明說明（4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電路1 1 2之縮數閘線及接至閘極側驅動電路1 1 /3之多數閘線爲15，，圖素內形成TFT及電器連接至TFT 之EL元件。圖素以矩陣方式安排在圖素部1 1 1內。注意，本例所示爲同一時間形成紅色、綠色及藍色 E L層爲條紋狀之方法。條紋狀包含長細矩形，其中長寬比大或·等·於2，或細長橢圓形，其長寬比大或等於2。數字1 1 4 a爲發紅光有機E L元件與溶劑之混合物 (之後稱紅E L層施加液體），1 1 4 b爲發綠光有機 E L元件與溶劑之混合物（之後稱綠E L層施加液體）， 1 1 4 c爲發藍光有機E L元件與溶劑之混合物（之後稱藍E L層施加液體）。有機E L材料中，有一方法直接融入聚合有機E L材料至溶劑再施加，另一方法將單聚合物融入溶劑再於模形成後熱聚合化，本發明兩者均可用。本施加例將聚合有機E L材料融入溶劑。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明由薄膜形成設備分開排出紅E L層施加液體 1 1 4 a ，綠E L層施加液體1 1 4 b及藍E L層施加液體1 1 4 c ，並依箭頭方向施加。換言之，條紋形E l層 (嚴格而言爲E L層先驅）同時形成爲發紅光圖素行，發濾光圖素行擊發藍光圖素行。注意，圖素行係指由一列1 2 1隔開之一行圖素，該列1 2 1形成在源極線上。換言之，沿源線極序列排列之多數圖素稱爲圖素行。雖然本處說明形成一列1 2 1在源極獻上，亦可形成在閘極線上。如此，沿閘極線序列排列之多數圖素稱爲圖素行。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 495808 A7 B7 五、發明說明（5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖素部1 1 1可視爲多數圖素行之集合，以多數源極線或多數閘極線上之列分隔成條紋狀。如此，圖素部 1 1 1係由紅光條紋E L層圖素行、綠光條紋E L層圖素行及藍光條紋E L層圖素行構成。此外，上述條紋列形成在多數源極線上或多數閘極線上’因·此圖素不可有效視爲多數圖素行之集合，並以多數源極線或多數閘極線分割，圖1 B顯示薄膜形成設備之頭部（亦稱排放部），實施圖1 A顯示之施加程序。數字1 1 5爲薄膜形成設備之頭部，連接有紅色噴嘴 116a ，綠色噴嘴116b及藍色噴嘴116c。各噴嘴內分別放有紅E L層施加液體1 1 4 a ，綠E L層施加液體1 1 4b及藍EL層施加液體1 1 4 c。施加液體亦界壓力排至圖素部1 1 1上。注意，施加液體排出至隔開噴嘴1 16a ，1 16b及1 16 (:之一平板（未示）及一管線1 1 7，利用管線1 1 7所儲存之鈍氣。沿一頁之垂直方向掃描頭部1 1 5而完成圖1A所示施加程序。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製注意，紅E L層施加液體1 1 4 a ，綠E L層施加液體1 1 4 b及藍E L層施加液體1 1 4 c分別放入紅噴嘴 1 1 6 a，綠噴嘴1 1 6 b及藍噴嘴1 1 6 c，但施加液體不限於此顏色。可用一噴嘴配備這些顏色，或使用多數噴嘴。此外，一超音波震盪器1 2 2接至頭部1 1 5以提供超音波震盪使施加液體輕易排放。此係接至外部超音波震 =-5" 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7_ 五、發明說明（6) 盪電源。 / 注意，超音波震盪器位置不限於圖1 B位置，亦可用一超音波震盪器接至各噴嘴。噴嘴114a，114b及114c分別有加熱器 123a ， 123b及123c。加熱器可調節施加液體溫度以·良·好排出施加液體。若成爲加熱器部分有電阻材料，可因此控制加熱器之電壓。控制電壓調整加熱器之溫度，可使用之電阻材料可提供電阻，各施加液體中達成適當溫度。注意，電阻材料可接觸噴嘴，當噴嘴爲半導體材料時，電阻材料可摻入噴嘴本身。電阻材料可爲銅、鐵、鋁、鎢、鉅、鎳、磷、硼、砷及銻。因此可控制排放液體溫度。就加熱器，可用各噴嘴之加熱器提供測溫部，偵測各施加液體溫度之電路，並回饋所測溫度資料而轉成電子資訊。本說明書提到掃描頭部，亦可用X - y枱垂直或水平移動一基片。圖1 c之1 1 8爲排放部，顯示附近之放大圖。基片 1 1 0上之圖素部1 1 1爲多數圖素之集合，由多數 TF T 1 1 9 a至1 1 9 c及多數圖素電極1 2 0 a至 •1 2 0 c構加。壓力送至噴嘴1 1 6 a至1 1 6 c，施加液體1 1 4 a至1 1 4 c因此排出。注意，以樹脂材料在圖素間形成列1 2 1 ，防止相鄰圖素間施加液體混合。將此結構之列寬度縮小（以光触解本'紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

(請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) I J 495808 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 b/ 五、發明說明（7 ) 析度決定），圖素部之堆積水準增加’解析影像更高。較佳施加液體黏性爲1 X 1 〇 - 3至3 X 1 0 — 2 p a · s。可用丙烯酸、聚醯胺及聚醯亞胺作爲形成列1 2 1之樹脂材料。若事先以碳或黑色素使樹脂材料變黑’可用列 1 2 1爲樹脂間遮光膜。可.用_感應器，利用噴嘴116a，116b及 1 1 6 c反光，保持施加面與噴嘴間等距。噴嘴梢可連接感應器，亦可爲別處。準備噴嘴1 1 6 a至1 1 6 c間距之調整機構，回應圖素間距，可對應任何圖素間距之自發光裝置。由噴嘴1 1 6 a至1 1 6 c排出之施加液體1 1 4 a 至114c因此分別蓋住圖素電極120a至120c。施加液體1 1 4 a至1 1 4 c容納之有機溶劑在施加液體 1 1 4 a至1 1 4 cJt&加後真空受熱處理（燒烤）而蒸發。有機溶劑在有機E L材料之玻璃轉換溫度（T g )以下揮發。E L層之膜厚由有機E L材料之黏性決定。較佳爲 lxl〇 3 至 5x10 2Pa*S(尤佳爲 ixio-3 至 2 X 1 0 - 2 P a )。若有機E L材料內有雜質，會使£ l層劣化，減少發光效率，故應盡可能減少有機E L材料之雜暂。溶劑及有機E L材料應精煉，其混合之環境淸潔以降低雜質。較佳重複蒸飽、昇華、過濾、結晶、沈殿、層析或析濾、以精練溶劑或有機E L材料。較佳減少如金屬元素或鹼金屬元素至O.lppm (尤佳、 u比綺υ·uippm) 丨—Vi------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8) 〇根據圖1利用薄膜形成設備，應注意施加含有有機 E L·材料之施加液體時之大氣。尤其應在淸潔室或充有氮氣之手套盒進行上述有機E L材料膜形成步驟。根據上述薄膜形成設備，可用高效率形成聚合有機 E L材料構成之E L層。此外，e L材料可成爲條紋形，一圖素行中沒有中斷，直通率極高。圖式簡要說明圖1 A至1 C爲本發明有機E L材料施加程序；圖2顯示一圖素部截面；圖3 A及3 B分別爲一圖素部頂面結構及結構；圖4A至4 E顯示自發光裝置製程；圖5 A至5 D顯示自發光裝置製程；圖6 A至6 C顯示自發光裝置製程；圖7顯示一取樣電路之元件結構；圖8爲自發光裝置外觀；圖9爲自發光裝置電路方塊圖；圖1 Ο A及1 〇 B顯示主動矩陣式自發光裝置截面；圖1 1 A至1 1 c爲自發光裝置之圖素部截面；圖1 2爲圖素部之頂面結構；圖1 3 A至1 3 C顯示本發明有機E L材料施加程序本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱Γ ；---;v----------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 A7 ______B7 五、發明說明（9) 圖1 4A至1 4 C顯示本發明有機e L材料施加程序 > 圖1 5 A至1 5 B顯示本發明有機e L材料施加程序圖1 6A及1 6 B爲圖素部放大圖；圖· 1.7爲被動式自發光裝置之截面；圖1 8A至1 8 F顯示特定電子設備；圖1 9A至1 9 B顯示特定電子設備；及圖2 0A及2 0B顯示一薄膜成形設備。元件對照表 110:基片 111:圖素部 1 1 2 :源極側驅動電路 1 1 3 :閘極側驅動電路 1 1 4 a :紅E L層施加液體 1 1 4 b :綠E L層施加液體

1 1 4 c :藍E L層施加液體 1 2 1 :歹！J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

5 6 r—H r-H IX 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

2 3 2 2 r-H IX a c c 0 0 5 2 2 2 r—I IX lx

2 r-H 器管嘴盪極極. 入噴震器電電吸色波熱素素嘴體部綠音加圖圖噴液頭：超..........片 ϋ 基

a c a c b 3 a 66330566 11222222 一—l 1± I rH IX 1± IX

C 嘴嘴極噴噴器器電色色熱熱素紅藍加加圖嘴噴 • · 管管 b 入入 5 吸吸 2 體體 1 液液膜基膜緣絕 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（10)

2 0 1 :開關 T F T 1 4 :汲區 1 5 c : L D D 區 1 8 :閘絕緣膜 2 0 :第一間層絕緣膜 2 2 :，汲-線 3 2 :汲區 3 5 :閘電極 3 7 :汲線 3 9 :第二間層絕緣膜 4 2 : E L 層 4 4 :保護電極 3 0 1 :基膜 3 0 3 :保護膜 306，307 :半導體膜 3 1 0 :半導體膜 3 1 3，3 1 4 :閘電極 3 1 6 :雜質區 3 2 1 : η雜質區 3 3 2 :蝕罩 3 3 5，3 3 6 :雜質區 3 3 8 :第一間層絕緣膜 3 4 1，3 4 2 :源線 3 4 5 :汲線 1 3 :源區 15a，15b:LDD 區 1 7 a，1 7 b :通道形成區 19a ， 19b:閘電極 2 1 :源線 3 1 :源區 3 4 :通道形成區 3 6 :源線 3 8 :第一被動膜 4 0 :圖素電極 4 3 :陰極 4 5 :第二被動膜 3 0 2 :結晶矽膜 304a，304b:蝕罩 308，309 :半導體膜 3 1 1，3 1 2 :閘電極 3 1 5 :閘電極 319，320 : η雜質區 3 2 5 :雜質區 333，334 ··雜質區 3 3 7 :閘線 3 3 9，3 4 0 ··源線 3 4 3，3 4 4 :汲線 3 4 6 :第一被動膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------- —訂---------, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 A7 B7 --V------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（11) 347::第二被動膜

3 4 9 :歹！J 3 5 1 :陰極 3 5 3 :第二被動膜 3 5 6 :汲區 3 5 8·:…通道形成區 901b : LDD 區 6 0 1 :玻璃基片 6 0 3 :聞側驅動電路

6 0 5 :開關 T F T 6 0 7 :源線 6〇9 :電源線 6 1 2，6 1 3 ··接線 8 0 1 :源側驅動電路 803:高度推移器 8 0 5 :取樣電路 8 0 7 :閘側驅動電路 809:高度推移器 8 1 1 :閘側驅動電路 1 1〇2 :架構材料 1 1 0 4 :密封材料

1 8 0 2 :歹丨J 1 8 0 6 :架速電極 1 8 0 8 :加熱器 3 4 8 :圖素電極乂 3 5 0 : E L 層 3 5 2 :保護電極 3 5 5 ·•源區 3 5 7 : L D D 區 901a ·· LDD 區 9 0 2 :閘絕緣膜 6 0 2 :圖素電極 6 0 4 :源側驅動電路 6 0 6聞線 6 0 8 :電源控制T F T 6 1 0 : E L元件 6 1 4 :接線 802:移位寄存器 8 0 4 :緩衝器 8 0 6 :圖素部 808:移位寄存器 8 1 0 :緩衝器 1 1 0 1 :蓋材料 1 1 0 3 :塡充材料 1 8 0 1 :基片 1 8 0 5 :噴嘴 1 8 0 7 :控制電極 1809:超音波震盪器本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 A7 B7 五、發明說明（12) 1 3 0 1 :基片 1 3 0 3 :歹!1 1 3 0 6 :保護電極 1 3 0 8 :塡充材料 1 3 1 0 :架構材料 2 0 0 · 1·:架構 2 0 0 3 :顯示部 2 1 0 2 :顯示部 2 1 0 4 :操作開關 2 1 0 6 :影像接收部 2 2 0 2 :信號線 2 2〇4 :顯示部 2206··自發光裝置 1 3 0 2 :陽極 1 3 0 5 :陰極 1 3 0 7 :容納材料 1 3 0 9 :密封材料 1 3 1 1 :異向導電膜 2 0 0 2 :支承枱 2 1 0 1 :主機 2103:聲音輸出部 2 1 0 5 :電池 2 2 0 1 :主機 2 2 0 3 :頭帶 2 2 0 5 :光學系統 2 3 0 1 :主機 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

部部體收出媒部接部輸部部錄示機像示構盤音示線示記顯主影顯架鍵聲顯天顯

β· 咅 m系 m芗 7/ m令 m令開部部開部輸開開作示影作機示機音作機作操顯攝操主顯主聲操主操本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（13) 2 7 0 4 :操作開關人較佳實施例詳細說明以圖2及圖3 A及3 B說明本發明實施例。圖2爲使用本發明薄膜形成設備製成自發光裝置之1 5部。圖3 A 爲圖素·部_頂面圖，圖3 B爲圖素部電路。實際上圖素部（影像顯不部）中圖素爲矩陣安排，成多數條紋形。注意，沿圖3A之A-A’切下截面即圖2。圖2及圖3A及 3 B使用相同符號，互爲參考。圖3 A頂面所示二圖素結構相同。數字11爲一基片，12爲絕緣膜，成爲圖2基底（之後稱基膜）。基片11可爲玻璃、玻璃陶瓷、石英、矽、陶瓷、金屬或塑膠。雖然基膜1 2適合基片含移動離子，或使用導電基片，但石英基片時並不需要。基膜1 2可爲含矽絕緣膜，含矽絕緣膜係指氧化矽膜，氮化矽膜或氮氧化矽膜，含一定比例砂、氧及氮。基膜1 2之散熱效果可散去TFT熱，防止TF 丁及 E L元件劣化。習知散熱材料即可。圖素內有二TFT。20 1爲一開關TFT，由n通道TFT形成。2 0 2爲電流控制TFT，以ρ通道 T F T形成。本發明不必限制開關T F T爲η通道T F T或電流控制TFT爲ρ通道TFT，可用ρ通道TFT形成開關本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11·---V------— ί ! i 訂·------11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 ____ B7 五、發明說明（14) 丁 F T，用η通道T F T形成電流控制T F T。或二者用 η通道TFT，或用η通道TFT。開關TFT20 1有：一主動層，包含源區，汲區14，LDD區153至15行，高濃度雜質區16 ，及通道形成區1 7 a及1 7 b ; —聞絕緣膜1 8 ;閘電極 1 9 a.及· 1 9 b，第一間層絕緣膜2 〇、源線2 1及汲線 2 2° 如圖3 A及3 B，此雙閘結構中，以不同材料（電阻與閘電極1 9 a及1 9 b不同）閘線2 1 1電氣連接至閘電極1 9 a及1 9 b。此外，可用單閘結構或多閘結構（主動層具二以上串聯通道形成區），如三閘結構。多閘結構可降低關閉電流，本發明使用多閘結構之開關元件 2 0 1，其關閉電流低。主動層由含結晶結構之半導體形成。即以單晶半導體膜、多晶半導體膜或微晶半導體膜作主動層。可用含砂絕緣膜作閘絕緣膜1 8，所有導電膜可用閘電極、源線及汲線。此外，形成開關TFT20 1中LDD區1 5 a至 1 5 d包夾閘絕緣膜1 8，而與閘電極1 9 a及1 9 b重疊。有效降低關閉電流値。通道形成區與LDD區之間形成偏離區（其半導體層組成與通道形成區相同，未提供閘電壓），可再降低關閉電流。若多閘結構有二以上閘電極，通道形成區間之高濃度雜質區可降低關閉電流。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ·---V—--------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 A7 B7 五、發明說明（15) 電流控制T F T 2 0 2具有：一主動層，含源區3 1 、汲區3 2及通道形成區3 4 ;閘絕緣膜1 8 ;閘電極；第一間層絕緣膜2 6 ;源線3 6 ;及汲線。閘電極3 5爲單閘結構，可用多閘結構。如圖2，開關T F T 2 0 1之汲極電連接至電流控制丁 F T· 2- 0 2閘極。即電流控制T F T閘電極3 5經汲線 (連接線）2 2電連接電流控制T F T 2 0 2之閘電極。源線3 6接至電源供應線2 1 2。電流控制T F 丁 2 0 2可控制進入E L元件2 0 3之電流，考慮E L元件劣化，不宜有過多電流。應設計長邊之通道長度（L)，使電流控制TFT202沒有過量電流，每圖素電流量宜0 · 5至2//A (1至1 · 5//A尤佳）。開關TFT201中LDD區長度（寬度）在〇 · 5 至 0 · 35//m，通常 2 · 0 至 2 · 5//m。如圖3 A及3 B，包含電流控制T F T 3 5 0 3之閘電極3 5之線3 6在3 5 0 4區所指之區與電流控制 T F T之汲線3 7重疊，乃包夾絕緣膜。此時在3 5 0 4 之區形成貯存電容。所用電容亦可爲半導體膜3 5 2 0電連接至電源供應線2 1 2 ;絕緣膜（未示）在同一層上作爲閘絕緣膜；又電源供應線2 1 2作爲貯存電容。貯存電容3 5 0 4可貯存送至電流控制 TFT3 5 0 3閘電極3 5之電壓。爲增電流流過之量，可使控制電源T F T 2 0 2主動本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 B7 五、發明說明（16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 層（尤其通道形成區）較厚（由50至1 〇〇nm ’尤 60至80nm)。反之，爲使開關丁 FT20 1之關閉電流小，應使主動層（尤係通道形成區）薄（2 0至5 0 nm，尤 25 至 4〇nm)。 3 8表示第一被動膜，厚度介於1 0 nm至1 #m ( 尤係2 ·0· 0至5 0 0 n m之間）。含矽絕緣膜（宜使用氮氧化砂膜或氮化矽膜）爲被動膜材料。第二間層絕緣膜（亦稱位準膜）3 9在第一被動膜 3 8上，形狀可蓋住各TFT，並執行TFT之高度位準。宜用有機樹脂膜爲第二間層絕緣膜3 9 ，如使用聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸及BCB (苯並環丁烯）。亦可用無機膜，只要有足夠位準。對T F T高度位準極重要，係利用第二間層絕緣膜 3 9。稍後形成之EL層極薄，因此有此發光瑕庇。故在形成圖素電極前應調整位準，而形成E L爲一水平平面。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 40爲圖素電極（相當EL元件陽極），爲透明導電膜。第二間層絕緣膜3 9及第一被動膜3 8打開一接孔後，圖素電極4 0接至開口部中電流控制T F T 2 0 2之汲線3 7。本例以銦鍚氧化合之化合物導電薄膜作爲圖素電極。可加少量鎵。亦可用銦鋅氧化物。形成圖素電極後以樹脂材料形成列4 1 a吸4 1 b。可對1至2 //m厚丙烯酸或聚亞醯胺定圖案形成列4 1 a 及4 1 b。本例中，列沿源線2 1形成，可沿閘線3 5形本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 A7 Β7___ 五、發明說明（17) 成。 . 如圖1 ’接著以薄膜形成設備形成E L層4 2。雖圖中只要一圖素，係同時形成對應紅、綠、藍之發光層。聚合物材料作爲EL層，可爲PPV (聚對苯乙燒）、 PVK (聚乙烯咔唑及聚螢烷）。注·意-，有各種PPV有機EL#f4，如 (詳見 Shenk，H.，Becker，H.，Gelsen，〇·, Kuige，E.，

Kreuder’ W.’及Spreitzer，H.，發光—極體之聚合物，歐洲顯示器會刊，1999，33 - 37頁）。〔化學式1〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — «ϋ I ϋ ϋ Βϋ I ·ϋ 一•口 V 讎 ΜΜ ΜΜ W a··· ΗΜ < ’ 、

RO Ο R

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 χ 297公釐） υδ

、發明說明（1δ)

聚合物有機E L材料可溶入溶劑作〔化學式 J份人拾Μ作爲聚合物再施加，

亦可彳谷入溶劑作爲單合物，施加後聚八A 施加俊水口化。若以單合物施加，先形成聚合物先驅，在真空受熱聚合成聚合物。就特定E L層，紅發光E 1層可用氰基聚苯乙烯，聚苯撐亞乙燦爲綠發光EL層，聚苯撐亞乙烯或聚烷基苯爲 Μη*光材料。厚度介於3 〇至1 5 0 nm (宜4 〇至1 〇〇 n m )。上述爲本發明有機E L材料例，不限於此。依圖1方法施加有機E L材料與溶劑混合物，將溶劑揮發形成e l 層。只要揮發溶劑時E L層之玻璃轉換溫度不超過，可用所有有機E L材料。特定溶劑可用甲苯、二甲苯、氯仿、二氯甲烷、茴香醚、氯仿、二氯苯、7-丁基丙酯、丁基溶纖劑、二氯3 烷、N -甲基一 2 —吡咯烷酮、環己酮、二噁烷及四氫螢院形成E L材料4 2時有氣或氧，使E L層4 2劣化 — IV — —,!----•裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^2T=- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 ____B7 五、發明說明（19) 故宜在鈍氣中形成膜，如氮或氬，極少氫及氧。施加程序所用溶劑可作爲處理大氣，因可控制施加液體之蒸發速度。在適當大氣中形成發光層，可在充有鈍氣之潔淨室設置圖1薄膜形成設備。形成E L層4 2後，接著形成一遮蔽導電膜製陰極 4 3、，一保護電極4 4、及第二被動膜4 5。本例以 MgAg導電膜爲陰極、以A 1導電膜爲保護電極44。以l〇nm至l//m (尤爲200至500nm)原氮化矽膜爲第二被動膜4 5。 E L層不耐熱，在低溫形成陰極4 3及第二被動膜 45 (由室溫120°C)。以電漿CVD，真空蒸發及溶液施加（旋覆）爲膜沈積法。如此完成主動矩陣基片，再形成相對主動矩陣基片之相對基片，本例爲玻璃基片。亦可用塑膠或陶瓷製成。以密封劑（未示）接合主動矩陣基片與相對基片，形成氣密空間（未示），內塡充氬。亦可放乾燥劑或抗氧化劑於內。實施例1 本例以圖4 A至6 C說明，係同時製造圖素部及圖素部周圍之驅動電路部T F T之方法。注意，爲簡化說明，以C Μ 0 S電路爲基本驅動電路。如圖4Α，在玻璃基片3 0 0上形成3 0 0 nm厚基膜30 1。實施例1之基膜爲lOOnm氮氧化矽膜與本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —’—---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 A7 _____B7_ 五、發明說明（20) 2 0 0 nm氮氧化砂膜豐成。接觸玻璃基片3 0 0之膜中氮濃度宜1 0至2 5w t %。可直接提供一元素在碳基片上，而不提供基膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以習知沈積片形成5 0 nm厚非晶砂膜（未示）在基膜3 0 1上。不須限定爲非晶矽膜，只要含非晶結構飲半導體膜包含微晶半導體膜）即可。亦可用如非晶矽鍺膜之化合半導體膜。膜厚2 0至1 0 0 nm。以習知法結晶非晶矽膜，成晶矽膜（亦稱多晶矽膜） 3 0 2。結晶法如電爐熱結晶、雷射回火結晶及紅外燈回火結晶。本例爲X e C 1準分子雷射結晶。注意本例使用線形脈衝式準分子雷射，但可爲矩形，亦可用連續發射氬雷射及連續準分子雷射。本例以結晶矽膜爲T F T主動層，非晶矽膜亦可。可用非晶矽膜形成開關T F T之主動層中，須降低關閉電流 ’以結晶矽膜爲電流控制T F T之主動層。非晶矽膜中電流不易’不易有關閉電流，利用非晶矽膜電流不易及結晶矽膜電流容易之優點。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如圖4 B ’保護膜3 0 3以厚1 3 0 n m氧化矽膜形成在結晶矽膜3 0 2上。厚度可介於1 〇〇至2 0 0 nm (尤130至170nm)。只要含矽之絕緣膜即可。形成保護膜3 0 3，加入雜質時結晶矽膜時未直接接觸電漿，可精確控制雜質濃度。蝕罩3 0 4 a及3 0 4b然後形成在保護膜3 0 3上 ’經由保護膜3 0 3加入η導電性之雜質元素（稱η雜質本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 495808 A7 21 五、發明說明（21) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 元素）。週期表1 5族之元素爲η雜質元素，通常用磷或砷。使用電漿摻入法，以電漿活化Ρ Η 3，不分開質量，加入磷濃度爲1 X 1 018原子/cm3。亦可用質量分開法之離子植入法。劑量調整使η雜質區3 0 5中η雜質元素濃度爲2 X 10ie 至 5Χ1019 原子/cm3 (通常 5Χ1017 至 5 X1018 原子/cm3)。如圖4c，除去保護膜303，鈾罩304a及 304b ，對加入之週期表15族元素活化。以準分子雷射完成活化，可用脈衝式準分子雷射或連續式準分子雷射，均不限之。加入雜質活化後，其能量水準不致使結晶矽膜融化。雷射照射時可用保護膜3 0 3。雷射活化雜質時，亦可熱處理活化。以基片爲熱阻，熱處理等級爲4 5 0至5 5 0 °C。具η雜質區3 0 5端部之邊界部，其中未加入n雜質元素，在η雜質區3 0 5周界。稍後完成TFT時， L D D區與通道形成區連接良好。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如圖4 E，形成閘絕緣膜3 1 0，蓋住主動層3 0 6 至309。閘絕緣膜310應含矽，厚10至200nm ，宜5 0至1 5 0 n m。可用單層或多層結構，本例爲 1 1 0 nm厚氮氧化砂膜。之後，形成2 0 0至4 0 0 n m厚導電膜，定圖案成閘電極3 1 1至3 1 5。令閘電極3 1 1至3 1 5分別端部漸縮。本例之閘電極及電連接至閘電極之線（閘線）係本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（22) 不同材料。閘線之電阻低於閘電極。閘電極材料可精加工 ’鬧線電阻低但不宜精加工。也可用相同材料形成。聞電極可爲單層導電膜，就閘電極可形成二或多層以上’使用習知材料。較佳材料可精加工，其定圖案線寬爲 2 // m以下。脫·元、素可鉅、鈦、鉬、鎢、鉻及矽，上述元素之氮化物膜（如氧化鉅膜、氮化鎢膜或氮化鈦膜），或上述元素之合金膜（例如Mo— W合金、Mo — Ta合金），或其矽化膜（如矽化鎢膜、矽化鈦膜）。可爲單或多層膜。本例如用5 0 nm厚Ta N膜與3 5 0 nm厚Ta膜之多層膜。使用濺鍍法。以Xe、 Ne爲濺鍍氣體，可防止膜剝離。形成閘電極3 1 2與η雜質區3 0 5重疊，雜質區分別包夾閘絕緣膜3 1 0。重疊部與閘電極重疊成L D D區。閘電極3 1 3及31 4截面成二電極，實係電氣連接。以閘電極3 1 1至3 1 5爲罩，對齊地加入η雜質元素（磷），如圖5Α。磷加入雜質區316至323，濃度爲雜質區3 0 5之1/10至1/2 (通常1/4至 1/3)。濃度 1Χ1016 至 5Χ1018 原子/ cm3( 通常3X1017至3xl018)較佳。接著形成餽罩3 2 4 a至3 2 4 d，形狀蓋住聞電極，如圖5 0，並加入η雜質元素（磷），雜質區3 2 5至 3 2 9含高濃度磷，以ΡΗ 3完成離子植入，使該區磷濃度爲1 X 1 02°至1 X 1 021原子/ cm3 (通常2x .W---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25 - 495808 A7 B7 五、發明說明（23) 102 ◦至 5x1 〇21 原子/ cm3)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) η通道TFT之源區或汲區形成，在開關TFT中，保留以圖5A方法形成η雜質區3 1 9至3 2 1部分。其餘區對應圖2中開關TFT20 1之LDD區1 5 a至 1 5 d。接-著，如圖5 c，除去蝕罩324a至324d，形成一新蝕罩3 3 2。再加入P雜質元素（硼）形成高濃度硼之雜質區3 3 3及3 3 6 °以B2H6離子植入在雜質區 3 3 3至3 3 6形成硼濃度由3 X 1 02°至3 X 1 021原子/ cm3 (通常 5X102° 至 lxlO21 原子 / cm3 )° 磷已加入雜質區333及336 ’濃度爲lxl02° 至1 X 1 021原子/cm3硼加入濃度爲磷之至少三憶，故已形成之η雜質區轉成P雜質區。除去蝕罩3 3 2後，對主動層分別濃度加入之η及ρ 雜質元素活化。可用爐回火、雷射回火或燈回火爲活化方式。本例在電爐氮氣中5 5 0 °C熱處理4小時。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此時，由周圍大氣儘量除去氧。即使小量氧引起閘電極氧化，將使電阻增加，不易與其歐姆接觸，故活化時氧濃度大lppm以下，尤0 · lppm。活化完成後，如圖5 D形成3 Ο 0 n m厚閘線3 3 7 。其材料以A 1或C u之金屬膜爲主成分（5 0至1 0 0 % )。如圖3所示閘線2 1 1，安排閘線3 3 7供開關 TFT之閘電極1 9 a及1 9b連接（相當圖4E之閘電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 B7 五、發明說明（24) 極 3 1 3 及 3 1 4 )。上述結構允許閘線電阻明顯下降，形成大面積之影像顯示部（圖素部）。尤其，本發明圖素結構有利1 0吋以尺對角線之自發光裝置（或3 0吋以上）。如圖6 A接著形成第一間層施加液體。以含矽單層絕緣膜爲·之·，但可用含二種以上矽之絕緣膜組合之多層膜。膜厚介於400nm至1 · 5//m。本例爲800nm厚氧化矽膜與2 0 0 nm厚氮氧化矽膜之多層膜。在含氫3至1 0 0%環境3 0 0至4 5 Ot：熱處理1 至1 2小時，完成氫化。如此係以熱活化氫將半導體膜之懸鍵氫化。亦可用電漿氫化。在形成第一間層絕緣膜3 3 8中亦可插入氫化程序。形成2 0 0 n m厚氮氧化矽膜後可進行氫化，再形成其餘 800nm厚氧化矽膜。接著，在第一間層絕緣膜3 3 8及閘絕緣膜3 1 0中形成接孔，並形成源線3 3 9至3 4 2及汲線3 4 3至 3 4 5。本例電極爲三層多層膜，以濺鍍法連續形成 100nm厚鈦膜，300nm厚含鈦之鋁膜，及150 nm厚鈦膜。可用其他導電膜。再形成5 0至5 0 0 nm厚（通常2 〇〇至3 0 0 nm)第一被動膜346。本例以30〇nm厚氮氧化矽膜爲第一被動膜3 4 6。可由氮化矽膜取代。在形成氮氧化矽膜之前可用含氫氣體，如H2或NH3 ，完成電漿處理。如此活化之氫供至第一間層絕緣膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） iiiip--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 B7____ 五、發明說明（25) 338，並以熱處理改善第一被動膜346品質。伺時，加至第一間層絕緣膜3 3 8之氫擴散至下側，活化層有效氫化。如圖6 B，形成有機樹脂之第二間層絕緣膜3 4 7。就有機樹脂，可使用聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸或苯並環丁烯。·因第二間層絕緣膜3 4 7用於整平，以丙烯酸膜較佳。形成足夠厚度整平成T F T形成之階梯部。厚度爲1 至 5/^m (尤 2 至 4//m)。之後，在第二間層絕緣膜3 4 7與第一被動膜3 4 6 中形成接孔，形成一圖素電極3 4 8與汲線3 4 5電氣連接。本例形成1 1 0 n m厚之銦錫氧化物（I T〇）爲圖素電極並定圖案。可用透明導電膜，其中2 — 2 0%之 Ζ η〇與氧化銦膜配合。圖素電極爲E L元件之陽極。如圖6 C，形成樹脂材料列3 4 9。對1至2 # m厚丙烯酸膜或聚醯亞胺膜定圖案形成列3 4 9。如圖3，列 3 4 9在圖素間爲條紋形。實施例1中，列3 4 9沿源線 3 4 1形成，可沿閘線3 3 7形成。接著以圖1薄膜沈積設備之膜沈積程序形成E L層 350。成爲EL層350之有機EL材料溶入氯仿、二氯甲烷、二甲苯、甲苯、四氫螢烷及N甲基2吡咯烷酮，然後施加。之後熱處理使溶劑揮發。因此形成有機E L材料之膜（E L層）。實施例1僅說明一圖素。但此時係同時形成紅發光層、綠發光層及藍發光層。實施例1中，以氰基聚苯乙烯形本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _况- --·---、---------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 哪8〇8

五、發明說明（26) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成紅E L層’聚苯乙嫌爲線e L層，聚烷基苯爲藍e L層。各EL層厚50nm。此外使用1 ，2 -二氯甲院爲溶劑’在8 0至1 5 0°C熱板熱處理1至5分而揮發。 E L層3 5 0可爲習知材料。基於驅動電壓，應爲有機材料。本例爲單層E L層3 5 0，必要時可爲四層結構 ’包含·電·子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層、電洞注入靥、電子停止層或電洞元素層。本例以MgAg電極爲 E L元件3 5 1陰極，但可用其他習知材料。形成E L層3 5 0後，以真空沈積法形成陰極（ MgAg電極）351°EL層350厚度爲80至 2〇〇nm (通常1〇〇至12〇nm)，陰極351厚度爲 180 至 300nm (通常 200 至 250nm)。保護電極3 5 2在陰極3 5 1上，可用含A 1主成分之導電層爲保護電極。利用真空沈積法以罩形成保護電極 3 5 2。最後，形成3 0 0 nm厚之氮氧化矽膜之第二被動膜 3 5 3。保護電極3 5 2保護EL層防水。形成第二被動膜3 5 3可提高EL元件可靠度。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本例如圖6 c ，η通道TFT2 0 5之主動層包含源區355、汲區356、 LDD區357及通道形成區 358、 LDD區357與閘電極312重疊，之間有閘絕緣膜3 1 0。 L D D僅在汲區側，不致降低運轉速度。此η通道 T F Τ 2 0 5中，不須注意關閉電流値，應注意運轉速度 τ 29 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 A7 B7 五、發明說明（27) 。較佳L D D區3 5 7完全重疊閘電極，使電阻最小。即除去所謂偏離情形。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此完成圖6 C結構之主動矩陣基片。形成例3 4 9 後，可用形成膜程序之薄膜沈積設備之多室法（或直線法 )，直到形成被動膜353，連續且不接觸大氣。本·例主動矩陣基片中，最佳結構T F T非僅在圖素部 ’亦在驅動電路部，可靠性高，運轉性能提升。 T F T之結構減少熱載子注入，以不降低其運轉速度，作爲驅動電路部之CMOS電路η通道TFT2 0 5。驅動電路有一移位寄位器、一緩衝器、一高度推移器及一取樣電路。若爲數位驅動，可包含訊號轉換電路，如 D / Α轉換器。驅動電路中，取樣電路較獨特，其中通道形成區雙向有大電流。源區與汲區角色互換。必須使關閉電流小，因此，所使用T F T功能在取樣電路中開關T F T與電流控制丁 F T間之中間水準。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因此，形成取樣電路之η通道TFT中，安排TFT 結構如圖7。其中，L D D區9 0 1 a及9 0 1 b經鬧絕緣膜9 0 2重疊閘電極9 0 3。如此可減少電流流過因熱載子注入而劣化。若用T F T於取樣電路，L D D區間置通道形成區9 0 4於其間’與電流控制T F T不同。注意，使用漏氣性低之保護材料，如玻璃、石英或塑料、在圖6 C完成後另外再封裝，故不會接觸大氣。密封材料內成爲鈍氣環境，再放入乾燥劑在密封材料內。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 A7 B7 五、發明說明（2δ) 以密封增加氣密性後，接上連接器（如軟印刷電路， F P c )，以連接基片上元件或電路之輸出端子及外部信 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 號端子，成爲成品，如此成品則爲自發光裝置（或E L模組）。參考圖8說明主動矩陣式自發光裝置。本例主動矩陣 E L顯·示·器包含圖素部6 0 2，閘側驅動電路6 0 3及源側驅動電路604，形成在玻璃基片60 1上。圖素部之開關T F Τ 6 0 5爲η通道T F Τ，置於連接閘側驅動電路6 〇 3之閘線6 0 6與連接源側驅動電路6 0 4之源線 6 0 7之交叉點。開關T F Τ 6 0 5之汲極接至電流控制 6 0 8之閘極。電流控制T F Τ 6 0 8之源極接至電源線6 0 9。實施例1中地線亦提供至電源線6 0 9。E L元件6 1 0接至電流控制TFT6 0 8之汲極。一定電壓（3至1 2V ’尤3至5V)送至EL元件610陽極。 E P C 6 1 1有接線6 1 2及6 1 3供傳送信號至驅動電路部及接線6 1 4接至電源線6 0 9，作爲外部輸出入端子。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖8顯示圖9自發光裝置之電路結構。本例之自發光裝置具有源側驅動電路8 〇 1，閘側驅動電路（A ) 807 ’閘側驅動電路（B) 811及圖素部806。本文中驅動電路爲源側與閘側驅動電路之法稱。源側驅動電路8 0 1有移位寄存器8 0 2，高度推移器8 0 3 ’緩衝器8 0 4及取樣電路（取樣及保護電路）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7

五、發明說明（A 825。閘側驅動電路（A) 8 〇 7具移位寄{立器8 Q 8 ’高度推移器8 Ο 9及緩衝器8丄〇。闊側驅動電路（b )8 1 1具相同結構。移位寄存器8 0 2及8 0 8之驅動電壓分別爲5至 16V (通常10V)，圖“之2〇5所指結構適合 C M O S-電路之η通道T F T。此外，就高度推移器8 0 3及8 〇 9及緩衝器8 q 4 及8 10，類似移位寄存器，CM〇s電路包含圖“之 η通道T F T 2 0 5。閘線可爲多閘結構，如雙閘或三閘，提高電路可靠度。因源區與汲區反置，須減少〇 F F電流，取樣電路適用含圖7之η通道TFT2 0 8之CMOS電路。圖素部8 0 6之圖素結構如圖2。以圖4 A至6 C製法完成前述結構之τ F T。但僅顯示圖素部與驅動電路結構，若使用本例，可形成驅動電路外之邏輯電路，如信號驅動電路，D / A轉換電路運算放大電路，g修正電路，且可考慮形成記憶部或微處理器〇使用圖1 Ο A及1 〇 B說明實施例1之E L模組，並包含密封材料，必要時可引用圖8及9符號。圖1 Ο A顯示圖8狀態提供密封結構之頂視國。如虛線所不，6 0 2爲圖素部，6 0 3爲閘側驅動電路， 6 0 4爲源側驅動電路。本發明密封結構中，以塡充材料 (未示），蓋材料1101，密封材料（未示）及架構材本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1! ——僉--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（3〇) 料1 1 0 2加入圖8狀態、。圖1 0B爲圖1 〇A沿線A — A之截面。圖1 0A及 1 0 B使用相同數字於相同元件。如圖1 0 B ’圖素部6 〇 2與閘側驅動電路6 〇 3在基片6 0 1上。圖素部6 〇 2由多數圖素形成，包含電流控制T· F· T 2 0 2及與電流控制τ F T 2 0 2電氣連接之圖素電極3 4 8。以c Μ〇S電路形成閘側驅動電路 603 ’ CMOS電路爲η通道TFT205及ρ通道 TFT206之互補。圖素電極3 4 8爲E L元件之陽極。圖素電極3 4 8 二端有列349 ’ EL層350及陰極351在列349 內列。保護電極3 5 2及第二被動膜3 5 3再形成於頂上。E L元件亦可爲反向結構，以圖素電極爲陰極。實施例1中’保護電極3 5 2爲所有圖素之共同接線 ’經連接線6 1 2電連接至F p c 6 1 1。以第二被動膜 3 5 3蓋住圖素部6 0 2及閘側驅動電路6 0 3所有元件。可省略第二被動膜3 5 3，但可提供此膜遮蔽各元件。接著提供塡充材料1 1 〇 3蓋住E L元件。塡充材料 1 1 0 3亦爲容納材料1 1 〇 1之黏劑。塡充材料 1 103可用PVC，環氧樹脂、矽樹脂、PvB或 E V A。欲保持吸收效果，塡充材料丄丄〇 3內可放乾燥劑（未示）。乾燥劑可摻入塡充材料，或封入其內。實施例1中’容納材料爲玻璃、塑料及陶瓷。可事先摻入氧化鋇至塡充材料1 1 〇 3。 ·—·---------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808

五、發明說明（31) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以塡充材料1 Π n Q禾l· A + / 1 1 〇 3黏口谷納材料工工〇工後，再接上架構：料1 1 〇 2蓋側塡充材料1 1 0 3側面（露出面以岔封材料（黏劑）黏上架構材料1 1 0 2。此時以略車乙樹月曰爲密太寸材料工工〇 4。只要E l層熱阻性允許，可用熱乾樹脂。宣使用不透氧及水分之密封材料。乾燥劑可摻入·密封材料i 1 〇 4。塡充E L元件，利用塡充材料1 1 0 3，可由外側完全切除E L兀件，防止造成氧化之水分及氧進入。製成極可靠之自發光裝置。實施例1形成三種條紋形E L層，在垂直或水平向同時發紅、藍或綠光，亦可將E L層在縱向分成爲數。上述例使用圖1之薄膜形成設備形成紅發光E L層，綠發光E L層及藍發光e L層，使用圖1之薄膜形成設備僅須形成紅、綠及藍E L層至少之一。實施例2 以圖1 1 A至1 1 C說明圖2中圖素部接觸結構之製法。注意，圖1 1 A至1 1 C數字對應圖2數字，根據實施例1 ，如圖1 1 A取得E L元件結構之圖素電極（陽極 )4 0 ° 以丙烯酸接著塡入圖素電極上接觸部1 9 0 0，如圖 1 1 B形成接孔保護部1 9 0 1。以旋覆法形成丙烯酸膜，以飩罩蝕刻後如圖1 1 B形成接孔保護部。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ·---；---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -34 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 B7_ 五、發明說明（32) 接孔保護部1 9 0 1厚0 · 1至1 # rn，尤佳〇 · 1 至0 · 5//m，更佳0 · 1至0 · 3//Π1，由截面看係由圖素電極突出之部分（圖1 1 B之符號D a所指部分）。形成接孔保護部1 9 0 1後形成E L層4 2，再形成陰極 4 3，如圖1 1 C。使用實施例1類似方法製造E L層 4 2及陰極4 3。宜使用有機樹脂在接孔保護部1 〇 9 1中’如聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸及BCB。使用有機樹脂之黏性定爲1 〇 — 3至1 〇 — 1 P a · S。使用圖1 1 C結構，以接孔階梯部解決圖素電極4 0 與切下EL層42而成之陰極43間短路問題。圖1 2顯示圖1 1 A至1 1 C之圖素部頂面，由頂面所見實施例2 之接孔保護部，符合圖1 2之數字1 9 0 1所指位置。實施例2結構可自由黏合實施例1結構。實施例3 實施例1之壓力施加法中，本發明對施加液體加壓而由各噴嘴排出施加液體至圖素部而成E L層。實施例3中，利用毛細管力之自來水筆式施加，其中各噴嘴由軟細管構成，以接觸元件接觸圖素部一列，將施加液體排出至圖素部。如圖1 3A，以TFT在基片1 1 0上形成圖素部 1 1 1，源側驅動電路1 1 2及閘側驅動電路1 1 3，以列1 2 1分割圖素部1 1 1成像形。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —,---·---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 A7 B7 五、發明說明（33) 由有機E L材料形成一膜’形成圖1 3之薄膜形成設備，作爲EL層。頭部124連接紅色用噴嘴125a ，綠色用噴嘴1 2 5b及藍色用1 2 5 c。一管形部連接至噴嘴之頭，全文中如此係指接觸元件。連接紅色用噴嘴 125a ，綠色用噴嘴125b及藍色用噴嘴125c之接觸元·件、分別稱爲接觸元件1 2 9 a ’接觸元件1 2 9 b 及接觸元件1 2 9 c。接觸元件爲半導體材料，如矽、鍺’或鐵、銅、鋁或不銹鋼金屬材料，或橡膠、鐵氟龍、玻璃或塑料。接觸元件一端接觸列後，噴嘴內施加液體以毛細管力注入。噴嘴內側分別充滿紅E L層施加液體1 1 4 a ’綠E L層施加液體1 1 4b及藍EL層施加液體1 14c。可用噴嘴同時施加紅施加液體1 1 4 a、綠施加液體1 1 4 b及藍施加液體1 1 4 c。超音波震盪器1 2 2接至頭部1 2 4 ’加熱器 123a ，123b及123c分別接至噴嘴125a ， 1 2 5 b及1 2 5 c。超音波震盪器及加熱器有利施加液體施加。實施例3中，施加液體沿列2 1施加，不會偏移。此外，施加液體根據頭部1 2 4移動沿符號“ a ”方向施加外，施加液體因毛細管作用散出在施加面，均勻而有效率。重複使施加液體施加至圖素部，以熱處理蒸發溶劑，形成有機E L材料。可使用實施例3製造實施例1說明之自發光裝置。定本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------線巍經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 一 _B7 --—------ 五、發明說明（34) 圖案形成條狀列1 2 1 ，電氣控制頭部1 2 4操作。可形成矩陣形之列1 2 1，將施加液體施加至圖素部。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 關於自來水筆施加例，圖1 4A至1 4 C顯示改變噴嘴部結構，改善圖3所示施加方法。噴嘴125a ’ 125b及125c各連接至一頭部 1 2 7 ·’各噴嘴爲一管及軟粒小接觸元件構成，類似圖 1 3所不。但接觸兀件位置未接觸列。液體吸入管 126a ， 126b及126c分別連接噴嘴，如圖工4 。即液體吸入管126a ， 126b及126c分別連接各接觸元件外側，成爲雙組。圖1 4 C說明液體吸入管之功能。圖χ 4 c爲圖 14B之數字128放大圖。當接觸圖素電極，或接觸必須施加之圖素部面積中已施加之施加液體時，施加液體1 1 4 a藉毛細管力排出。此外，依箭頭“ b ”方向之壓力，及施加液體重量，輔助施加液體由噴嘴1 2 5 a排出。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製施加液體排出瞬間因表面張力於箭頭“ c ”方向散出，液體切除不良。故形成液體吸入管1 2 6 a吸收箭頭“ c ”方向之散出施加液體。留於排放部之過量施加液體以液體吸入管1 2 6 a之吸收力除去，改善不良之液體切除，控制排出時施加液體大小，可有效防止液體塞住排放部。在噴嘴管外側頭部增加沾溼性，使吸收液體輕易進入液體吸入管。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 B7___ 五、發明說明（35) 實施例3中，由各液體吸入管吸入之施加液體在連接頭部1 2 7回收。以一泵（未示）連接頭部1 2 7外側而吸入頭部回收之施加液體。實施例4 實施例4中圖1 5 A及1 5 B顯示施加液體加至圖素部之電沈積式施加，其中E L層施加液體成電荷粒子，形成EL層時以電壓控制。圖1 5A爲實施例4模型圖，圖 1 5 B爲實施例4之例。圖1 5 A及1 5 B中施加液體依箭頭“ k ”施加。一列1 802形成在圖1 5A之基片1 80 1上。有機E L材料再溶入溶劑，爲E L層之施加液體。實施例4 中，氰基對苯乙烯爲紅光E L層，聚對苯乙烯爲綠光E L 層；聚烷基苯爲藍光E L層，有機材料，甲苯及N甲基2 吡咯烷酮爲溶劑。乙醇或邊界活化劑可結合溶劑之有機E L材料，以增加可溶性。對噴嘴1 8 0 4中E L層施加液體提供超音波震盪或熱，由噴嘴輕易排出霧狀粒子。電壓加至噴嘴1 8 0 4及 'V._____-- 取出電極1805 ，以取出電極1805由噴嘴1804 取出霧狀粒子。可用高導電溶劑製成施加液體，輕易取出作爲電荷粒子之E L施加液體。以加速電極1 8 0 6在取出方向加速由取出電極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -38 - —)---^---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A7 B7 __ 五、發明說明（36) 1 8 0 5取出之霧狀粒子（由噴嘴1 8 0 4朝基片 1 8 0 1方向）。以控制電極1 8 0 7控制電荷粒子流，最後電沈積在基片1 8 0 1上圖素部。實施例4以取出電極1 8 0 5由噴嘴1 8 0 4取出電荷粒子，以加速電極1 8 0 6及控制電極1 8 0 7修正電荷粒子·而電沈積至基片之圖素，但非必須有三電極，至少一或二即可。在噴嘴1 8 0 4中形成加熱器1 8 0 8及超音波震盪器1809 ，以加熱器1808加熱及以超音波震盪器提供超音波震盪，有利由噴嘴1 8 0 4取出有機E L材料。實施例5 圖1 0 A方向觀察本發明主動矩陣式自發光裝置，圖素部形成於垂直方向，亦可形成於水平方向。當形成垂直向圖素部時，如圖1 6 A安排，當形成水平向圖素部時如圖1 6 B安排。圖16A中，140 1表示依垂直向條形.安排之列， 1402爲發紅光EL層，1402b爲發綠光EL層。發藍光（未示）EL層可靠近綠光EL層1402b。列 1 4 0 1形成在源線上，經由絕緣膜，沿著源線。此處E L層指有機E L材料層，如E L層，電荷注入層及電荷傳送層，有利產生光。單E L層例之外，多層膜將電極注入層及E L層疊合，稱爲E L層。虛線所示圖素1 4 0 3間彼此距離D定爲E L層膜厚本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) _ 39 一 --，---‘---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（37) t 5倍以上（1 0倍以上尤佳）。此係D < 5 t時圖素間串訊。若D太大，解析影像不局，較佳5 t <5<50 t <l〇t<D35t尤佳）。圖16B中，1404爲水平向成條形之列， 1405a爲發紅光之EL層，1405c爲發綠光之 E L層、。列1 4 0 4經由絕緣膜形成在閘線上，沿著閘線〇虛線所示圖素1 4 0 6間彼此距離爲E L層5倍（ 1〇倍以上）以上尤佳。較佳爲5t<D<50t (1〇 t<D<35t尤佳）。實施例5結構可與實施例1至3任一組合。可電氣控制形成E L層之施加液體而控制施加位置。實施例5可自由組合實施例1至4而實施。實施例6 說明被動式（簡單矩陣式）自發光裝置，以圖1 7說明。其中，1301爲塑料基片，1306爲透明導電膜之陽極，以蒸發法形成銦及鋅氧化物爲透明導電膜。雖圖 1 7未示，多數陽極以條紋安排於與頁面垂直之方向。形成列1 3 0 3充塡條形陽極1 3 0 2間之空間。列 1 3 0 3沿陽極形成，方向垂直頁面。利用圖1薄膜形成設備之方法由聚合物有機E L材料形成EL層。1304a係紅光EL層，1304b係綠光EL層，1304c係藍光EL層。所用有機EL層類本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公愛） -40 - --·---·---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（38) 似實施例1。E L層沿列1 3 0 2所成之槽形成’依垂直負面方向安排爲條形。雖圖1 7未示，多數陰極及多數保護電極具平行之縱向，安排爲與陽極1 3 0 2正交之條形。陰極1 3 0 5爲 MgAg，保護電極1 3 0 6爲鋁合金膜，均以蒸發法形成。一接線伸至連接F P C之部分，提供一定電壓至保護電極1306 (未示）。形成保護電極1 3 0 6後（未示），以氮化矽膜爲被動膜。 E L元件形成在基片1 3 0 1上。下側電極爲透明陽極’ EL層1304a至1304c之光射至基底（基片 1301) °EL元件可反置，下側電極爲遮光陰極。伽此EL層1 304a至1 304c之光射至上表面（基片 1 3 0 1對側）。接著，準備陶瓷基片作爲容納材料1 3 〇 7。如此在實施例6之結構可遮光，就反置E L元件結構可用塑料或玻璃基片。較佳爲透明容納材料。準備容納材料1 3 0 7後，以塡充材料1 3 〇 8接合容納材料1 3 0 7 (加入氧化鋇爲乾燥劑）。架構材料 1 3 1 0再接上，利用紫外線硬化樹脂爲密封材料。以不銹鋼爲架構材料。最後經由異向導電膜1 3 1 1接上 FPC1312，完成被動式自發光裝置。上述結構可與實施例1至6自由組合。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線{ 495808 A7 B7 五、發明說明（39) 實施例7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以本發明製造主動矩陣式自發光裝置，以矽基片（矽晶圓）爲基片，開關元件又電流控制元件在圖素部中，以習知I C及LS I之MOSFET製法完成ϋ動電路部中驅動元件。可·形成變異極少之電路，即使用MOSFET，完成 I C及L S I所及，尤適合以電流値執行灰階顯示之類比驅動主動矩陣式自發光裝置。矽基片爲遮光性，須使用之結構中，E L層之光照至基片對側。實施例7之自發光裝置類似圖1 〇 Α及1 〇 Β ，差別爲以Μ〇S F E T取代形成圖素部6 0 2及驅動電路部603之TFT。可自由與實施例1 一 6組合完成結構。實施例8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明自發光裝置爲自發光式，較液晶顯示器可顯示良好顯示畫面。其視角廣。故自發光裝置可應用於各式電子裝置。如觀看大螢幕之電視節目，本發明自發光裝置可作爲3 0吋以上（通常4 0吋以上）E L顯示器之顯示部 (自發光裝置放入視框之顯示器）。E L顯示器可供顯示資訊，用於個人電腦，接收電視或廣告。且本發明自發光裝置可作爲其他電子裝置之顯示部。此類電子裝置如攝影機、數位相機、目鏡顯示器、汽車導航器、再生聲音裝置、筆記電腦、遊戲機、攜帶式資本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495808 _____Β7 _ 五、發明說明（4〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訊機、包含記錄媒體之影像再生裝置（記錄媒體如c D、 LD、DVD、並有顯示器）。攜帶式資訊機尤適合el 顯示器，因爲需要寬視角。圖1 8A至1 9 F顯示各例。圖18A之EL顯示器含架構2001、支承枱 2002及顯示部2003。本發明適用顯示部200 3 。不須背光。故其厚度薄於液晶顯示器。圖18B之攝影機有主機2101、顯示部2102 、聲音輸入部2103、操作開關2104、電池 2 1 0 5、又影像接收部2 1 〇 6。本發明自發光裝置可作爲顯示部2 1 0 2。圖1 8 C爲頭載式E L顯示器右半部，包含主機 2 2 0 1、訊號線2 2 0 2、頭帶2 2 0 3、顯示部 2204、光學系統2205及自發光裝置2206。本發明應用於自發光裝置2206。圖1 8 D爲包含記錄媒體之影像再生裝置（dvd再生裝置，包含主機2301，記錄媒體（DVD) 2302、操作開關2303、顯示部（a) 2304及經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另一顯不部（b) 2305。顯示部（a)主要供顯示影像、顯不部（b )供顯示文字。本發明自發光裝置均可應用。此影像再生裝置可爲遊戲機。圖18E爲攜帶式電腦、包含主機240 1、攝影部 2 4 0 2、影像接收部2 4 0 3、操作開關2 4 0 4及顯示部2405。本發明自發光裝置可應用之。圖18F爲個人電腦，包含主機2501 ，架構本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 495808 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 B7 五、發明說明（41) 2502，顯示器2503及鍵盤2504。本發明自發光裝置可作爲顯示部2503。未來若E L材料發光更亮，本發明E L裝置可用於前投影或背投影器，其中以鏡頭放大輸出影像之光而投射。上述電子裝置適用通訊顯示，尤可顯示移動畫面（如網際網路或有線電視）。其顯示反應速度甚快。但若圖素間外廓不明，整件移動畫面則不能淸晰顯示。但本發明自發光裝置可使圖素間外廓明晰，尤適用本發明E L裝置於電子裝置。發光之自發光裝置部分耗功率，故顯示資訊時，發光部愈小愈好。因此’若E L顯示器應用於顯示文字，如攜帶式資訊機，尤係行動電話，可驅動E L顯示器，以發光部形成文字，但未發光部即背景。參考圖19A爲行動電話，包含主機260 1、聲音輸出部26 0 2、聲音輸入部2603、顯示部2604 、操作開關及天線2 6 0 6。本發明之自發光裝置作爲顯示部2 6 0 4。在暗色背景顯示白點文字，可降低行動電話之消耗。圖1 9 B爲聲音再生裝置，即車輛音響，包含主機 2 7 0 1，顯示部2 7 0 2及操作開關2 7 0 3， 2 7 04。本發明之自發光裝置作爲顯示部2702。本發明可應用於安裝式車輛音響，亦可用於設定式音響。顯示部2 7 0 2在黑色背景上顯示白花文字。如上述，本發明有各式變化，自發光裝置之結構可自 -44 - 丨丨ν!Ί——t--------訂---------線拳 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 A7 B7 五、發明說明（42) 由結合圖1至7之結構。如上述，本發明有各式變化，利用自發光裝置之結構中自由組合實施例1至7，完成本例之電子裝置。實施例9 所示結構中，薄膜形成設備中噴嘴頭部有超音波震盪器’形成超音波震盪器，以超音波震盪較好完成噴嘴頭部之切除。就磁限材料，因磁場使拉長或收縮改變（亦稱磁限）現象’如鎳、鉻、鈷或鋁與鐵混合，壓電材料中於施加電壓時位移與力產生，如B a T i 〇3及 Pb (Zr ，Ti)〇3)作爲超音波震盪材料。超音波震盪器1 2 2在薄膜形成設備頭部中，如圖 2 0 A，以超音波震盪傳送至噴嘴梢，該處超音波震盪幅度最大。使用結構中，直接超音波震盪1 3 2接觸噴嘴，如圖2 0 B ’超苜波震盪有效由連接震盪板1 3 2之超音波震盪器1 3 1傳至噴嘴梢部。實施例9可自由與實施例1至8之結構。本發明實施’完成有機E L材料膜形成時液體切除及阻塞避免。本發明有各式形成有機E L之方法。可對應形成膜’提高使用聚合有機E L材料之自發光裝置自通率。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線{ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Claims

495808 A8 B8 C8 D8

六、申請專利範圍第90102076號專利申請案中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年3月修正 1 . 一種薄膜形成設備，包含：一頭部，具有一超音波震盪器；及一噴嘴，裝有供形成E L層之施加液體。 2 . —種薄膜形成設備，包含：一頭部，具有一超音波震盪器；及一噴嘴，裝有供形成E L層之施加液體，其中噴嘴有一加熱器。 3 .如申請專利範圍第2項之薄膜形成設備，其中.噴嘴有一大內徑部及一小內徑部，該加熱器在小內徑部中。 4 ·如申請專利範圍第2項之薄膜形成設備，其中噴嘴之小內徑部有一接觸元件。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之薄膜形成設備，其中噴嘴中之施加液體由超音波震盪加壓，再由噴嘴噴出。. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 · —種製造自發光裝置之方法，包含步驟爲：形成至少一第一電極於一 i片上；對噴嘴裝入供形成E L層之施加·液體丨 . 根據提供超音波震盪器或熱量提供施加液體至圖素行以形成該E L層於該第一電極上；及形成至少一第二電極於該EL層上， · 其中每一該第一電極及第二電極爲陽極或陰極。本紙張财關家網L ( CNS ) ( 210X297公釐) -:- 495808 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 .如申請專利範圍第6項之製造自發光裝置之方法，其中·’ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 噴嘴有一大內徑部及一小內徑部；小內徑有一加熱器；及加熱器提供熱至充滿噴嘴之施加液體。 8 . —種製造自發光裝置之方法，包含步驟爲：形成至少一第一電極於一基片上；使用超音波震盪器提供超音波震盪至一頭部之一噴嘴，使用超音波震盪器提供超音波震盪至充滿噴嘴之施加液體以提供施加液體至一圖素行而形成一 E L層該該第一電極上；及形成至少一第二電極於該E L層上，其中每一該第一電極及第二電極爲陽極或陰極。 9 .如申請專利範圍第8項之製造自發光裝置之方法，其中噴嘴之加熱器提供熱至充滿噴嘴之施加液體。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇 ·如申請專利範圍第6或8項之製造自發光裝置之方法，其中根據加壓由噴嘴噴出施加液體，然後施加。 _ 1 1 ·如申請專利範圍第^ 6或8項之製造自發光裝置之方法，其中根據毛細管力、施加液體重量或壓力由噴嘴噴出施加液體，然後施加。 1 2 .如申請專利範圍第6或8項之製造自發光裝置之方法，其中根據接觸一列之接觸元件提供充滿噴嘴之施加液體。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495808 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 3 . —種薄膜形成設備，包含：一噴嘴，裝有供形成E L層之施加液體；一頭部，具有一超音波震盪器以形成施加液體之粒子 9 一第一電極，供施加電壓至粒子以形成電荷粒子；至少一電極，供施加電壓至電荷粒子。 1 4 · 一種薄膜形成設備，包含：一噴嘴，裝有供形成E L層之施加液體；一加熱器及一超音波震盪器，以形成施加液體之粒子一第一電極，供施加電壓至粒子以形成電荷粒子；至少一電極，供施加電壓至電荷粒子。 15·—種製造自發光裝置之方法，包含步驟爲：藉由提供超音波震盪或熱至施加液體以形成施加液體之粒子於一噴嘴中；施加電壓至粒子以形成電荷粒子；施加電壓至電荷粒子以加速電荷粒子；施加電壓至加速的電荷粒子以控制加速的電荷粒子流〇 1 6 ·如申請專利範圍第1 3項之薄膜形成設備，其中施加液體包括至少一高導電溶劑。 1 7 ·如申請專利範圍第1 4項之薄膜形成設備，其中施加液體包括至少一高導電溶劑。 · 1 8 ·如申請專利範圍第1 5項之製造自發光裝置之本適用中關家標準（CNS ) ( 210X297公釐)ΓΤ]'： Μ · 裝訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 495808 A8 B8 C8 D8申請專利範圍方法，其中施加液體包括至少一高導電溶劑。 1 9 ·如申請專利範圍第1 6項之薄膜形成設_ 中高導電溶劑爲甲苯或N甲基2吡咯烷酮。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 7項之薄膜形成設備中高導電溶劑爲甲苯或N甲基2吡咯烷酮。 2 1 ·如申請專利範圍第1 8項之薄膜形成設備中高導電溶劑爲甲苯或N甲基2吡咯烷酮。 22 · —種薄膜形成設備，包含：至少三個個別裝有供形成E L層之紅色施加液體、綠色施加液體及藍色施加液體的噴嘴；及一頭部，具有一超音波震盪器；其中每一該三個噴嘴各具有一加熱器。其其其 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝· 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -4 -