TW488190B - Surface-treated copper foil, method of producing the surface-treated copper foil, and copper-clad laminate employing the surface-treated copper foil - Google Patents

Description

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技術領域： 本發明係有關於實施防鏽處理的表面處理 面處理銅箔之製造方法以及使用此表 ^ 壓板n 1囬慝理銅泊之錄銅層 習知技術： 以往’表面處理銅簿係作為在電&、電子產業的領域 η吏用於印刷電路板製造上之基礎材料而—直被廣泛地使 =者^般而言，電解銅㈣與麵_環氧基材 二丄聚醯亞胺等的高分子絕緣基材，，此加以广 黏合製成鍍銅層壓板，而使用於印刷電路板之^ 如特開平4-31 8997所揭露，將鋅-銅-錫的、三元人 作31ί ί f鹽層作為防鏽層所形成的表面處理銅，俜 板用銅猪而為習知者優異的印刷電路 銅泪電路的印刷電路板浸潰於 2成 定時間…對於在所黏合的銅箱與基:經-有多少的鹽酸溶液進入並侵蝕加以定量呼估:到底 潰前與鹽酸浸潰後的銅箱電路之各別剝離強产:酸浸 離強度的劣化率並作成評估值者。 又換异此剝 此印刷電路板用銅箔的耐鹽酸性，一 :刷電路板的電路寬度越是 ：“二用於 刷電路板的銅箱4才ί =大值，則溶液容易進入印 ,、基材之間的界面’變得容易侵蝕鋼箱與

五 發明說明（2) 中 λ 接口界面，此為意味著在印刷電路板 中’曝露於各種酸性溶 板 變得較高。 合履之釔果，銅箔電路剝離 j，來，在電子、電動儀器的輕 :二納於其内部的印刷電路板也被要求4: 路的寬度也變得更為細微工= 要二路板材料的銅羯’具更良好的耐鹽酸性就 鋼箱諸發明者試驗性地製造於上述的文獻 來，確=;!丨，寬度的銅箱電路進行耐鹽酸性 申所揭露的内容同樣的結果。然而 箱C候’耐鹽酸性的評估，以具有… 般的情形，雖於該說明書 行坪估载^不瞭解詳情，但推測係以1 mm寬度 材鱼匈i ί i，如以下所述的公開公報等所見到 鹽酸表面利用有機錢偶合劑加以處 Z獲付改善的技巧亦嘗試使用著。 以=而，，對揭露於前述的公報而試驗性地製造 ，製成0· 2 mm寬度銅箔電路，以進行耐鹽 對於:可明白幾乎有1 5%以上的劣化率。最近，-銅苇=名的耐鹽酸性試驗，若沒有使用〇 · 2 mm寬 微;匕Ϊ路作評估的肖，無法確保隨著近年來銅绪 度銅=元成的製品之品質穩定性。例如，即使使 X 自電路所測定的耐鹽酸性劣化率為3· 〇%左右 2169.3715-PF.ptd

第5頁 的製程 的危險性 潮流之 小化，所 ，對於係 持續受到 所揭露的 試驗看 ，在這些 見度的銅 中並未明 電路來進 的，將基 理，使耐 的銅猪加 酸性試 -般認為 度左右的 電路的細 用1 mm寬 ，但若製 488190

五、發明說明（3) 成〇· 2 mm寬度銅箔電路，則顯示出超過1〇%的、 情況之不同，也有發生顯示20%以上之值的产劣化率’依 使用如習知的1 mm寬度銅箔電路的試驗方法'形曰。亦即， 作為精細寬度用銅箔的品質保證。 '’是無法達到 力一 板的狀態，在金屬的銅箔的表面所形成防^鍍鋼層壓 機材料的各種基材之間，係有機矽烷偶合劑所】=及係有 處。然而，有關於銅箔的有機矽烷偶合劑 ，、位之 關的研.究並不怎麼徹底。以往也可看 用等相 機矽烷偶合劑的銅箔之申請案。 戏項有關於使用有

命，特公昭60_1 5654號、特公平2 —^㈣彳號 路於銅泊表面形成鋅或鋅合金層，於哕錄赤儿 J面形成鉻酸鹽層，而於此鉻酸鹽層之金層的 合層的銅箱。參考全部的說明書並加以判：成：機：燒偶 =，其特徵在於：於形成鉻酸鹽層；^ 〇月 j進行有機梦烧偶合劑處理其 顯示出穩定式Ϊ”製成銅落’此銅箱卻無法

因，則作為納Μ的阽性旎，右無法掌控某種特定的要 J 為銅泊的性能品質，尤苴立 吸濕性的偏差會變大。 尤/、而，主思到耐鹽酸性及耐 亚且 如特公平2 - 1 7 9 5 0號所 合劑所處理的柄，使用以有機石夕烧偶 未被特別提良耐鹽酸性 '然而，有關耐濕性並 化、印刷電ίΐ 在印刷電路板的構成電路之細微 Ρ刷電路板的多層化、半導體套裝設備等領域，在係

488190 五、發明說明（4) _____ 使用耐濕性不良的 離現象的去層壓作^、°二壓板之多層印刷電路板的層間剝 面’顯然產:7 μ郎、半導體套裝設備的壓力鍋特性等方 展玍了問喊’且為—大門 從以上的情形，由銅：的問通 鹽層所形成的防鏽層，二=二70合金層與此表面的絡酸 鏽層之上，斟+ 士，、； i而有機石夕烧偶合劑層則形成於此防 防鏽層的組合方式、 活，則考慮有機矽烷偶合劑與 鐳層之表面：態：及乾=2偶合劑作吸附處理時的防 所使用的有機侧d::般認為’為了能使 行。 展最大效果的研究並未加以施 圖面的簡單說明： 第1圖係表示表面處理銅箔立 第2圖係表示經由加執的銅箔之；：面圖。 第3圖及第4圖係表…用於 面處理機之概略的示意剖面圖。 里銅泊之製造的表 符號說明 1〜表面處理銅箔； 2整片銅層（箔）； 3〜表面處理機； 5〜細微銅粒； 6〜粗化處理製程； 7〜陽極電極； 8〜被覆電鍍層；

488190 五、發明說明（5) 1 2〜乾燥處理設備； 13〜電熱器； 1 4〜水洗槽； 1 5極細微銅粒。 發明概述：

社有鑑於^ ’有關本發明的諸位發明者，經精心研究的 =果’係以提供一種良好的銅箔為目標，其中使用於具有 辛〜銅一錫的三元合金防鏽層與電解鉻酸鹽防鏽層的銅箔 2機矽炫偶a劑，而展現最大的效果，藉此，將品質之 化降至最小限度，以致〇.2 mm寬度銅落電路的耐鹽 二相：穩定，並可作成10%以下之值的表面處理 體ΐ衡m ϊ:了在耐濕性及耐熱性方面相當優異的整 。“表面處理銅箱，考慮到亦能夠 =予土好的耐鹽酸性及耐濕性。因此，可知銅猪的偶 口蜊處理珂的防鏽層之狀態最為重要，並且，其 機矽烷偶合劑的處理時機以及其後的乾燥條件是二^重要 的，因而諸位本件發明者得以施行以下的發明。

申請專利範圍第！項’係對於㈣的表面實施粗化處 理與防鏽處理的表面處理銅箔。該防鏽處理係，於銅箔表 面形成辞一銅一錫的三元合金電鍍層，而於該三元入金電 鑛層的表面形成電解鉻酸鹽層，並於該電解鉻&趟二的上 面形成有機矽烷偶合劑吸附層’藉由將電解鋼$: ^. 度設為105。〇 2 0 0 1的範圍，並加以乾燥2〜6秒梦而^^^

五、發明說明（6) 刷電路板用的表面處理銅箔。 ，此，申請專利範圍第2項，係對於銅 粗化處理與防鏽處 面處理 貫 細微銅粒於析出箱的Ϊ面析出，為防止二係： 進行被覆電锻，再微銅粒析 之*的脫洛1 鑛處理係，於銅羯表面形成鋅—銅—锡而， 層’而於該三元合金電鍍層的表面形成 ：臨電鍍 於該電解鉻酸鹽層的上面形成有機鹽層’ ί 由將電解銅箱本體的溫度設為1〇5°c〜2二偶 以乾：2申6秒鐘而得到印刷電路板用的表並加 此申請專利範圍第1項所述的表面處理二f銅泊。 利範圍第2項所述的表面處理銅f|之不與申請專 著於基材時的銷之細微銅粒的形狀上，门且點係，在成為黏 第1圖所示。第1 (a)圖係表示如申請專^不同之處，如 表面處理銅箱的示意剖面結構。於整專乂二圍第1項所述的 鍍條件以形成細微鋼粒，為舛二的表面利用燒 行被覆電鑛。此處所謂"被覆電鑛，|，；=的脫落而進 銅析出者。相對於此，如 系以均勻電鍍條件使 第2項所述的表面處理銅落之干二j =的如申請專利範圍 專利範圍第1項所述的表面處理。係’於如申請 有广步使細小的極細微銅粒附被復電鍍之上面， 之間，或有稱之為「鬚電 沾株形成之點（於該業者 形成，一般係使用於含砷=4 _二形）。此極細微銅粒之 層及有機矽烷偶合劑吸附層2 =载再者，第1圖省略防鏽 2169-3715-PF.ptd 第9頁 五、發明說明（7) 如申請專利範圍第2項所述 粗化處理，則賦予了細微凹凸的表面形 而；墟:Γ :和Ϊ有機材料的基材之間的黏合性。因 !::; 範圍第1項所述的表面處理銅猪和 以上基材之間的黏合性。 〜/白不 作為如申請專利範圚筮T TS 上 造方法，最好採用如申靖專上所述的表面處理銅箱之製

法係，對於在mi的表面形所成？工處二箱之製造方 理，使有機石夕烧偶合C面，施行防鏽處 印刷電路板用銅箱之= = = =’並加以乾燥的 行辞-銅-錫的三元合金電^法，纟中防鏽處理係，進 鑛，於電解鉻酸鹽電鍍後著施行電解鉻酸鹽電 機矽烷偶合劑吸附上去，將：：：表面加以乾燥’再使有 mot：的範圍，於此高羯本體的溫度設為105 得到表面處理銅箔。 衣兄中，持續乾燥2〜6秒鐘而 如申請專利範圍第6

法係，對於在銅猪的表面开所；^的表/處理銅笛之製造方 理，使有機矽烷偶合劑吸附：f化處理面’進行防鏽處 印刷電路板用銅箱的表面處理：：處：：，並加以乾燥的 行鋅一銅一錫的三元合金雷j方法，其中防鏽處理係，進 鍍，並未對於實施該電解=臨接著施行電解鉻酸鹽電 而使有機矽烷偶合劑吸附^ =嚴電鍍後的表面加以乾燥， 溫度設為11 〇 °c〜2 ο 〇 °c的r m ，其後，將電解銅箔本體的 已園，於此而溫環境中，持續乾

燦2〜6秒鐘而得到表面處理納 此申請專利範圍第5項邀=° 製造方法之不同點係，作、弟b項所述的表面處理銅箔之 電鍍完成後，使銅箔表面梦=鏽處理所進行的電解鉻酸鹽 附處理，或是未加以乾燥/軚以施行有機矽烷偶合劑之吸 點。以下邊顯示數據邊加：該:及：處理，有此不同 乾燥而使有機矽烷偶合劑 但利用後者的「未加以 得到的表面處理銅箔之方、予以乾燥之製造方法」所 相當穩定的。 '’作為有關耐鹽酸性的品質是 其次， 箔之製造方 製造方法。 於在銅箔的 碎烧偶合劑 表面處理方 析出箔的表 鑛’使極細 錫的三元合 鉻酸鹽電鑛 上去，將電 於此高溫環 箔。 作為如 法，最 如申請 表面形 吸附於 法，其 面析出 微銅粒 金電鍍 後使銅 解銅箔 境中， 甲請專 好採用 專利範 成粗化 粗化處 中粗化 ，為防 析出附 ’接著 箱表面 本體的 持續乾 利範圍第2項所述的表面處理銅 如申請專利範圍第7及8項所述之 圍第7項所述之製造方法係，對 處理面，實施防鏽處理，使有機 理面，並加以乾燥的電解銅箔的 處理面的形成係，使細微銅粒於 止細微銅粒的脫落而進行被覆電 著；而防鏽處理係實施鋅一銅一 進行電解絡酸鹽電錢，並於電解 乾燥，再使有機矽烷偶合劑吸附 溫度設為1 0 5 °C〜1 8 0 °C的範圍， 燥2〜6秒鐘而得到表面處理銅 於,:ί，如申請專利範圍第8項所述的製造方法係，對 ；5 4的表面形成粗化處理面，實施防鏽處理，使有機

五、發明說明（9) 石夕烧偶合劑吸附於粗化處理面， 表面處輝古土 ^ ^ 並加以乾燥的電解銅箔的 衣®處理方法，其中粗化處理面 析出箱的表面析出，為防止細微使細微銅粒於 鐘，使極細微銅粒析出附著；而防2脫洛而進行被覆電 錫的三元合金電鍍，接著進行 2理係貫施鋅―銅― 進行該電解鉻酸鹽電鍍後的表^^電鍵’並未對於 烷偶合劑吸附上去，力以乾燥，再使成有機矽 11〇。〇2〇0。〇的範圍’於此高溫電产解立銅箱本體的溫度設為 而得到表面處理銅荡。、 /皿长纟兄中’持續乾燥2〜6秒鐘 此申請專利範圍第7項與第 製造方法的不同點係，作 、斤述的表面處理銅箔之 電鍍完成後，使銅箱表面^ 1錄處理所實施的電解鉻酸鹽 附處理，或是未加以^燥^燥以施行有機矽烷偶合劑之吸 點，與中請專利範圍項17，行該吸附處理，對於此不同 然而，與申請專利範圍第g和第6項之間的關係是相同的。 於，申請專利範圍第5項及，及第6項的根本不同點係在 附著形成細微銅粒的製程第6項的粗化處理面之形成，係 落而進行被覆電鍍的製相對於為了防止細微銅粒的脫 利範圍第7項及第8項^二’由此製程所完成者，如申請專 在於包含前述被覆電錢的If辰面處理銅箔之製造方法係， 粒析出附著的製程之點氣&完成後，進一步使極細微銅 但利用後者的「未加以 1下，邊顯示數據邊加以說明， 以乾燥之製造方法」所^燥而使有機矽烷偶合劑吸附再予 為有關耐鹽酸性的品質了到的表面處理銅箔之方法，係作 、丨更為穩定而與上述相同。

488190 五、發明說明（ίο) 以下’有關如申請專利範圍笛 方法’主要是邊敘述邊對於有關m項所述的製造 加以說明。只要未特別表示的，，月的表面處理銅箔 同的内容。有關本件發明的表處理，程的條件等為共 旋轉陰極與沿著該旋轉陰極二作成鼓形的 間，而使銅電解液流過其間，利的^險極之 :薄膜’剝取並使用所得到的此整片陰 得到者。並且整片銅層，也可 2為表面處理所 狀，得到所謂的壓延銅箔。以上及以^坠延法製成箔 整片銅層（箱）僅稱為「銅的情為j: ’有對於此 解，而有分別使用的時機。」u為使祝明易於瞭 在此依序對表面處理製程加以說明。 :明的表面處理銅，—般係使用面件 置。將卷成卷筒形的整片銅箱由單向拉出來== 置適宜水洗處理槽的表面處理製•，該整片銅“：：:己 面化處理抻、一槽人：整片銅層的表面形成細微銅粒的粗 样以乃仏3 ♦二70 δ防鏽處理槽、電解鉻酸鹽防鏽處理 θ呈=理Π等各種裝置，而成為表面處理銅猪。 :示’，拉出的整卷銅箱，係一邊蛇行移動於表二圖機 ^丄一邊使用連續通過各槽内及製程等的裝置， 將各別製程加以分離的抵式方法。 1也叮為 所謂酸洗處理槽，係進行整片銅羯的所謂酸洗處理之

第13頁 488190 五、發明說明（11) 製其目的在於··實施完全去除附於載箔的油脂成分之 脫月曰處，以及使用金屬箔時的表面酸化覆膜去除。利用使 整片銅箔通過此酸洗處理槽，以謀求整片銅箔的清潔化， 1以下製程之均勻電極沈積等。此酸洗處理可使用鹽 fee系命液、硫酸系溶液、硫酸一過氧化氫系溶液等各種溶 3笺不：Ϊ加以特別限定。因此，有關於此溶液濃液和液 /JnL &又生產線的特性加以調整就夠了。 微鋼ί ί ί理Ϊ成後’通過水洗槽的整片銅猪，進入使細 電解溶液，雖益特泊之上的製程。於此，所用的銅 處的電解條件用：二::；了務使銅的微粒析出’此 細微銅粒析出附著的銳:φ u 。因而，一般而言，在使 形成整片銅箱時的溶液；所：用的溶液濃度，比起用於 度為較低。此燒鍍條為了易於作成燒鑛條件，濃 特性而加以決定者i、例、，’〔;；特別限定，係考量生產線的 濃度為銅5〜20克/公并 右使用硫酸銅系溶液，則配成 要的添加劑氮雜#菲、〜20〇克/公升、其他因應需 °c、電流密度1〇〜5〇 4、膠、硫脲等）、液溫15〜40 A/dm2的條杜楚 為了防止細微鋼粒的=牛荨。 為防止已附著析出的 f而進行的被覆電鍍製程，係 了覆蓋細微銅粒而使鋼的脫落，以平滑電鍍條件為 微銅粒析出的情况， ^出的製程。因而，比起使細 電鍍條件，並無特別限 f高濃度的銅電解液。此平滑 定者。例如，若使用硫酸銅U,生產線的特性而加以決 系/谷液，則配成濃度為銅 2169-3715-PF.ptd 第14頁 五、發明說明（12) __________ 50〜80克/公升、硫酸 密度10〜50 A/dm2的條件等〇。克/公升、液溫4〇~5(TC、電流 理銅箔之申&專=^相當於申請專利範圍第2項的表面處 形乾圍第7項及第8項所述的製造方法之情 係使用^础Γ k 5粒的形成。此極細微銅粒的形成，一般 係使用含砷的銅電解饬 ^ ^ , 奴 個例子，則為硫酸銅李、、容;牛西出，情形的電解條件之一 硫酸100克/公升、石申15克，二：成，度為銅10克/公升、 A/dm2等。 T · 5克/么升、液溫38 °C、電流密度30 與變：：：ί於近年來的環境問題興起，❿亟欲排除對於 較高的有害元素之活動高漲起來。因此， 件υ的細微銅粒之形成’雖如前述使料，作如 利範圍第9項所述’使用了添加9_苯基W以取代 一占，電解液。9-苯基吖啶係於銅電解之處，與砷一樣地 凡成相同的任務，而能夠達成所析出的細微銅粒之整粒 均勻電極沈積。添加9-苯基吖啶用以形成極細微銅 的銅電解液，而作為此種電解液，可配成濃度為銅5〜1〇 /公升、硫酸100〜120克/公升、9_苯基吖啶5〇〜3〇〇m克/公兄 升、液溫30〜40 T：、電流密度20〜40 A/dm2等完成極為 的電解作業之範圍。 4 其次，防鏽處理槽係，為了在鍍銅層壓板及印刷電 板的製造過程中不致引起故障，用以防止電解銅绪層的 面產生酸化腐蝕的情形之製程。有關本件發明的防^處理 488190 五、發明說明（13) 鉻酸鹽電鍍等之製程 例如，實施鋅一銅一錫的三元合金組成的電鍍時，可 使用焦填酸系電鑛浴等。構成該等浴的溶液係由於其在長 期穩定性以及電流穩定性方面相當優異。試舉一例，如採 用展度為鋅2〜20克/公升、銅1〜15克/公升、錫〇·5〜3克/公 升、焦磷酸鉀70〜350克/公升、液溫3〇〜6〇〇c、ph9〜10、電 流密度3〜8 A/dm2、電解時間5〜1 5秒等的條件。 以使用此處所示的條件，將鋅—銅一錫的三元合金的 電鑛層之組成，如申請專利範圍第3項所述的三元合金電 鍍的合金組成，最好配成鋅2〇〜66.9重量％、鈉30〜78重量 ^ 錫〇·1〜2重里％。對於此組成範圍的鋅一銅一錫的三元 合金電鍍，使有機矽烷偶合劑吸附上去，利用以下所述的 乾燥條件來加以乾燥係為了使耐鹽酸性改羔炱最佳狀態而 能夠判斷其效果。並且，此範圍的鋅—銅二錫的三元合金 電，，係最能夠穩定地電鍍於銅箔表面的範園，即使考慮 到製品的產率，也是相當理想的範圍。 於鋅-銅—錫的三元合金電鍍，形成電 Α; 7克/公升、液溫30，°c，1(Μ2、電流密度5〜8 m解時間5〜15秒等的條件較佳。传為了均句地覆 盍電解銅、治的表面之範圍條件。 係爲 因此，如申請專利範圍第5項 走神鈿炫夕 製造方法，係將形成電解鉻酸鹽；a的表面/ 、’σ /

次乾燥，再進行有機矽烷偶合劑^整片銅箔μ I W的吸附處理。此時，於表

2169-3715-PF.ptd 第16頁 488190 五、發明說明（14) 面處理機内 燥製程。對 箔之製造方 整片銅箔的 附處理。 此時有 噴霧法等， 與包含有機 法，皆可任 作為有 可對烯烴官 燒、氨基官 種加以選擇 用於鋼箔與 以及印刷電 相當重要的 更具體 璃四通一樣 三甲氧基矽 氧基丙基三 院、環氧 基石夕垸、f N —3 —((氨基 燒、咪唆石夕 機矽烷偶合 並未特別限 矽烷偶合劑 意加以採用 機矽烷偶合 能性矽焼、 能性矽烷以 使用。在此 基材之間的 路板之後的 劑的吸 定方法 的溶液 〇 劑，如 環氧官 及鼠硫 所列舉 黏接面 特性， ，形成電解鉻酸鹽層，欢1 , 7八冼之後，推彳子一次齡 此，如申請專利範圍第6馆私佼進仃 乾 ..禾b項所述的表面處理銅 法係，形成電解鉻酸鹽層， ..,. /日’水洗之後，並未將 表面加以乾燥，直接進彳 $仃有機矽烷偶合劑的吸 附方法係浸潰法、喷淋法、 。配合製程設計，能使銅箔 進行最均勻地接觸吸附的方 申請專利範圍第4項所述， 能性石夕烷、丙烯基官能性矽 基官能性矽烷等之中的任一 的有機矽烷偶合劑，即使使 ’對於完成稍後的餘刻工程 不致產生不良的影響，這是 H i與在印刷電路板所使用於預先灌注的玻 Γ 1:，！：此偶合劑為中心，可使用乙烯基 曱氣其基苯基二甲氧基矽烷、^―甲基丙烯 丙基；：燒甲I環氧丙氧基丙基三甲氧基石夕 κ & 土一甲乳基矽烷、r -氨基丙基三乙氧 丙氡if乙^基）7 —氨基丙基三甲氧基矽烷、 烷、:隐丁氧基）丙基―3 —氨基丙基三甲氧基矽 凡〜秦矽烷、r -氫硫基丙基三曱氧基矽烷 獨190 五、發明說明（15) 等。 這些有機矽烷偶合劑係 為溶濟的水令，採用室溫左公升溶於作 3 ::和在銅箱的防鏽處理 / rr:因此’本來應依製程的處理速度等ΐ=ΐ;者 慢，對-般的商業基準而言偶；f的吸附速度較 且，即使是超過15克/公升以 V ’吸附亦不均勻。並 變得特別'决，耐鹽酸性等的 /辰:’吸附速度也不會 善，並不符經濟。 的性此貝亦不會特別有所改 因此，在最後進行的乾燥， 促進了吸附的有機石夕炫偶合劑盘分，而且 之間的縮合反應，且亦必須將縮土面的〇Η基 全蒸發。另—方 σ的結果所產生的水分完 將與構成基材的樹脂、心=溫度’在與基材接合時’ 破壞或分解的溫度f ^ ^石夕燒偶合劑的官能基加以 合劑和基材樹”之溫f。參與有機… 箔與基材之間的黏合性合為此=，右破壞或分解，則銅 附之效果無法達到最大^二，土於有機矽烷偶合劑的吸 所使用的玻離材：金㊁：二有：：矽烷偶合劑相較於一般 快，吸附於表層的有機石;烷偶人2 :等’熱傳導速度較 的環境溫度、來自埶 ^ Μ亦極易受到由於乾燥時 自熱源的輕射熱之影響。因而，如鼓風 2169-3715-PF.ptd 第18頁 五、發明說明（16) (1 Γ b 1 a s t)方式，在極短時間内，〜 溫，銅箱本體的溫度升高的情形，決：：：鋼箱喷氣的風 u注意。以往，僅考慮乾㈣ f 2條件須特別加 t行乾燥’而本件發明自始：终俜或鼓風溫度以 ^目的，於2〜6秒的範圍内通過加埶濟自本體的溫度之控制 。因此，乾燥方法，無& U '现、乾^燥程度較 J特別限制。能夠將箱本體的溫度控制2 =法，並 ΐ二i件發明所述，對於乾燥時間與乾匕 是基於銅羯的厚度之不同，度不同的情形，或 ;產生些微差異，在此範圍；銅：ί體=度之上昇速度 才呆作條件。 依裂σσ類別以決定實際的 於乾燥條件中，電解鉻 對整片鋼箱乾燥以進行有機矽溫度’由於 對整片銅箱作乾燥處理而進：：二处理的情形’與未 形’這兩種情況有所不同係，由：劑處理的情 t有機石夕烷偶合劑層與基材黏接側的的粗化面側 3解’有機侧合劑能夠充未受破壞或 圍，這兩種情況有所不同之故。疋於銅泊表面的溫度範 亦即’如申請專利範圍第5 在將整片銅箱作一次乾燥狀、‘述=造方 合劑的處理並再度乾燥的情形，;仃有機矽烷偶 中所供給的熱量，大多肖& 乾燥製程的高溫環境 μ , ^ 用於有機石夕烷偶合劑於堂紐力々放邮 層上的縮合反應。對此，在；=電解鉻酸鹽 寻利乾圍第β項及第8項 ΗΌΟ 丄 7V7 五、發明說明（17) 所述的製造方法製造時 洗，並未實施乾燥而形出，形成電解鉻酸鹽層後，進行水 乾燥。因而，若相較^有機矽烷偶合劑層，其後再進行 燥，塗布有機矽烷偶合2 f電解鉻酸鹽層之後作一次乾 多餘的水分會殘留於二^予以乾燥的技巧，則乾燥時， 銅箔溫度係，由於從严二、面。因此，一般認為乾燥時的 蒸發水分的熱量變兄溫度㈣達的熱量之中’所用於 右，與有機矽烷偶合劑二f $境溫度提南至2〇〇°C左 熱量並不會產生。，：能，破壞或分解有關的多餘 劑與基材相結合側的官r:5: 3貫：3機石夕烧偶合 面處理銅箱的品質穩定：基谢壞，而此夠改善作為表 在此所保證者，係、乾燥時間固定為4秒，對於改變乾 燥溫度時的有關本件發明之申請專利範圍第βΓί2項的 3:二厚*的銅:::以製造，並使用這種銅箔來製造FR-4鍍 ::ί ΐ: ί ί.2 _寬度電路’將實施其剝離強度的評 估、、、cr果表示於第1〜第4表。

488190 五、發明說明（18) 表1 項目 乾燥 箔溫度 剝離試驗結果（0.2 mm寬度電路） t態 公斤/公分 焊接後 公斤/公分 耐鹽駿性 劣化荜（％) 耐濕性 劣化率（°/〇 80 1.87 1.86 27.5 26.7 100 1.86 1.86 20.4 19.6 105 1.88 1.86 7.6 8.8 110 1.87 1.86 T4 9.1 120 1.87 1.86 7.8 8.7 130 1.86 1.85 7.0 8.1 140 1.88 1.87 6/7 7.8 150 1.87 1.86 7.0 7.4 160 1.87 1.86 6.3 6.7 170 1.86 1.85 6.5 6.6 180 1.86 1.85 6.1 6.5 190 1.87 1.86 10.2 9.8 200 1.88 1.86 11.6 14.8 210 1.87 1.86 15.8 14.3 220 1.86 1.85 21.9 24.3 使 用銅箔··係如申請專利範圍第1項所述的銅箔， 以如申請專利範圍第5項所述的製造方 法所製造的表面處理銅箔（無極細微銅 粒的形成，於一次乾燥後進行有機碎烧 偶合劑處理）。 常 態：於製成FR-4的鍍銅層壓板之後，以0· 2 mm寬度電路所測定的剝離強度。 焊 接 後：於246 °C的釺焊浴中，使浮置20秒鐘 後，靜置至室溫所測定的剝離強度。 耐鹽酸性劣化率：將製成FR-4的鍍銅層壓板之後的0. 2 mm

2169-3715-PF.ptd 第21頁 488190 五、發明說明（19) 寬度電路，於鹽酸：水=1 :1、室溫下 浸潰1小時，取出後，水洗、乾燥後直 接測定剝離強度，由常態的剝離強度算 出劣化了多少％。 耐濕性劣化率 ：將製成FR-4的鍍銅層壓板之後的0. 2 mm 寬度電路，於沸騰的離子交換水（純水 ^ )中浸潰2小時，取出後，乾燥，直接 測定剝離強度，由常態的剝離強度算出 劣化了多少％。 表2 項 目 乾燥 箔溫度 剥離試驗結果（0.2 mm寬度電路） t態 公斤/公分 焊接後 公斤/公分 耐鹽酸性 劣化孪（％) 耐濕性 劣化孛（°/〇 80 1.86 1.85 19.6 24.5 100 1.86 1.85 17.5 20.0 105 1.87 1.86 14.5 15.9 110 1.86 1.85 6.8 8.2 120 1.87 1.86 6.4 7.6 130 1.86 1.85 6.1 8.5 140 1.88 1.87 5.9 8.1 150 1.86 1.85 6.0 Ί.2 160 1.86 1.85 5.5 7.4 170 1.87 1.86 5.2 Ί ·9 180 1.86 1.85 4.3 6.6 190 1.86 1.85 4.5 6.4 200 1.87 1.85 4.5 6.3 210 1.87 1.86 12.6 13.8 220 1.88 1.87 17.8 19.7

2169-3715-PF.ptd 第22頁 488190 五、發明說明（20) 使用銅 箔 常 態 焊 接 後 耐鹽酸性劣化率 耐濕性劣化率 ram :係：Πί利範圍第1項所述的銅猪， 以如申請專利範圍第6項所述的製造方 法所製造的表面處理銅笔 、 』/白C無極細微銅 粒的形成’未加以乾條而 ,人祀知而進行有機矽烷 偶合劑處理）。 •於製成FR-4的鑛銅層壓板之後，以〇 2 mm寬度電路所測定的剝離強度。 · :於24 6 °C的釺焊浴中，使浮置2〇秒鐘 後’靜置至室溫所測定的剝離強度。 :將製成FR-4的鑛銅層壓板之後的〇 2 mm寬度電路，於鹽酸：水=1 :丨、室溫 下浸潰1小時，取出後，水洗、乾燥後 直接測定剝離強度，由常態的剝離強度 算出劣化了多少％。 :將製成FR-4的鑛銅層壓板之後的Q.2 m 寬度電路，於沸騰的離子交換水（純水 )中浸潰2小時，取出後，乾燥，直接 測定剝離強度，由常態的剝離強度算出 劣化了多少％。

2169-3715-PF.ptd 第23頁 488190 五、發明說明（21) 表3

焊接後公斤/公分 耐濕性劣化孛(%) 離試驗結果（0.2 mm宽度電路） t 4^1 i-fc. 厂 ·~一·…丨， I 耐鹽鲅性 劣化率（％ )

使用鋼 箱 常 態 ^ 才妾 後 耐鹽酸性劣化$ 係如申請專利範圍第2項所述的銅箱， 乂如申請專利範圍第7項所述的製造方 $所製造的表面處理銅箱（有極細微 =形成ϋ乾燥後進行有機偶合劑處理）。 ^ 於製成FR-4的鍍銅層壓板之後，以〇 mm寬度電路所測定的剝離強度。· 2 =246 C的釺焊浴中，使浮置2〇秒鐘 靜置至至溫所測定的剥離強度。 冬製成FR-4的鍍銅層壓板之後的〇又

2169-3715-PF.ptd 第24頁 488190 五、發明說明（22) 寬度電路，於鹽酸：水=1 :1、室溫下 浸潰1小時，取出後，水洗、乾燥後直 接測定剝離強度，由常態的剝離強度算 出劣化了多少％。 耐濕性劣化率 ：將製成FR-4的鍍銅層壓板之後的0. 2 mm 寬度電路，於沸騰的離子交換水（純水 )中浸潰2小時，取出後，乾燥，直接 測定剝離強度，由常態的剝離強度算出 劣化了多少％。 表4 項 目 乾燥 箔溫度 剝離試驗結果（0.2 mm寬度電路） t態 公斤/公分 焊接後 公斤/公分 耐鹽酸性 劣化牟（％) 耐滿性 劣化率（％ ) 80 1.88 1.87 25.7 25.9 100 1.87 1.87 23.5 23.4 105 1.89 1.88 18.4 20.9 110 1.88 1.87 3.1 5.8 120 1.88 1.87 2.8 5.6 130 1.89 1.87 1.5 6.2 140 1.89 1.88 1.4 5.3 150 1.88 1.86 1.1 5.4 160 1.87 1.86 0.0 5.0 170 1.88 1.87 0.0 5.4 180 1.88 1.87 0.0 5.0 190 1.89 1·87 0.8 4.0 200 1.89 1.88 1.0 4.8 210 1.88 1·87 16.9 17.6 220 1.88 1.87 19.7 21.8

2169-3715-PF.ptd 第25頁 488190

使用銅 箔 常 態 焊 接 後 财鹽酸性劣化率 耐濕性劣化率 利範圍第2項所述的銅箱， 以如申請專利範圍第8項所述的製 法所製造的表面處理納$ Γ . 里銅泊（有極細微銅 粒的形成’未加以乾择 乂田人 ^ 礼各而.進行有機矽烷 偶合劑處理）。 於製成FR-4的鍍銅層壓板之後，以〇 2 _寬度電路所測定的剝離強度。· 於246 C的釺焊浴中，使浮置2〇秒鐘 後，靜置至室溫所測定的剝離強度。 將製成FR-4的鍍銅層壓板之後的〇.2 _ 寬度電路，於鹽酸··水=i :丨、室溫下 浸潰1小時，取出後，水洗、乾燥後直 接測定剝離強度，由常態的剝離強度算 出劣化了多少％。 將I成FR-4的鑛銅層壓板之後的〇 2 mm 寬度電路，於沸騰的離子交換水（純水 )中浸潰2小時，取出後，乾燥，直接 測疋剝離強度’由常態的剝離強度算出 劣化了多少％。 # 有關於以上表1至表4所述的内容之共同處係，有關常 悲的剝離強度、焊接後的剝離強度，每一項試樣都未見較 大的差異。然而，有關於耐鹽酸性及耐濕性，係劣化率發

五、發明說明（24) 生變化的溫度決定性地存在著，可確認適當的乾燥溫度 帶。在此適當的乾燥溫度範圍所製造的表面處理銅=二顯 示出未曾有過的極為穩定的耐鹽酸性劣化率及耐吸濕性劣 化率。耐鹽酸性劣化率係，製成試驗用電路，由直接^測定 的常態剝離強度，表示在記錄於各表中的鹽酸處理後會產 生什麼樣程度的剝離強度之劣化，而以[耐鹽酸性劣化率] =([常態剝離強度]一[鹽酸處理後的剝離強度]) 離強度]的計算式算出|。耐濕性劣化率係，製成試驗。用 電路，由直接測定的常態剝離強度，纟示在記錄於各表中 的吸濕處理後會產生什麼樣程度的剝離強度之劣化，而以 [而劣化率]=(常態剝離強度]—[吸濕處理後的剝離 強度])/[常態剝離強度]的計算式算出者。因而，若這些 j化率具越小I ’則作為表面處理銅箔，可 異的性能品質。 a it 亚且，由表1與表2、表3與表4的各別比較看來，可知 ^電解鉻酸鹽處理後的整片_落表面加以㈣ 後的整片銅猪表面作4:;理=·’對，解鉻酸鹽處理 優異的情況。 兩者在耐鹽酸性及财濕性方面展現 由此表1與表2、表3座矣 到的是，施行-次乾燥以、進 比較=更可瞭解 之適當的溫度範圍係，箱本==夕烧偶合劑處理的情形 溫度）於1〇5 Ό〜180 t的範圍内的乾+燥溫度（於表中稱為箱 ^門’耐鹽酸性及耐濕性是相當 488190 發明說明（25) 良好的。相對於此’未施行乾燥就進行有機石夕烧偶合劑處 理的情形’於110 C〜180 C的範圍内顯示出良好的耐鹽酸 性及耐濕性能，與進行乾燥的情形相較，可設定在稍高的 溫度範圍。一般$忍為右低於各別的下限值的猪溫度，則开^ 成有機矽烷偶合劑未充分固定於銅箔表面的狀態，對於^ 基材的黏合性有所減損；若超過各別箱溫度的上限值之溫 度’則有機矽烷偶合劑與基材相結合的官能基會被破壞2 分解，造成和基材的黏合性受損之結果，而使耐鹽酸性及 耐濕性的劣化率之值惡化。 更進一步由表1與表3、表2與表4的各別比較看來，可 知於粗化處理時，進行被覆電鍍之後，採用使極細微銅粒 附者形成的表面處理銅箱的方法，在耐鹽酸性及^ :為相當優異。-般認為此係利用具有表面處理銅箱U 的結果。 放果的改善，和基材的黏合性也會獲致改善 以上係 明有關的表 性試驗也能 及耐熱性等 異的此種銅 良好的情形 耐鹽酸性及 進行這些試 銅箔，以0 .： 有關於耐鹽酸性及耐濕性的情形，然與本件發 Ϊί理銅箱係，即使對於被稱為UL試驗的耐熱 非常良好的性能。如此耐鹽酸性、耐濕性 箔，項負，整體均衡都頗為良好而為相當優 /白，一直以來並未能量產。耐鹽酸性及耐渴性 耐：ΐ性：Γί:耐熱性優異，卻不得不犧牲 驗日士 為/、只情。以1 mm寬度銅箔電路來 2二二：Ϊ作為對這些項目的品質取得平衡的 見又電路的試驗卻無法符合目前所要求的

488190 五、發明說明（26) 水平。 因此’在有關本件發明的表面處理銅箔中，對關於利 用上述的方法所製造的表面處理銅箔之耐熱性加以說明。 在此所謂用於評估的UL試驗係，有於關美國的

Underwriters Laboratories INC·此保險機構對其所擁右 的印刷電路板制定一套安全基準，而針對此安全基準 格=設定的試驗；從設定於讥796之15.的黏接強度的項 $基剝下的剝離強度’於153所設定的烘箱溫度 維持〇.4kg/cm以上的剝離強度之試驗。Μ天）^ = 2 在現階段對耐敎性最鼻供里 、 有又W為 奈而考w ^ 蚨為優異的鍍育銅、洛與有關本件發明的 表面處理銅箔之間的耐埶 I月的 j岡了熟性犯之比軏，顯不於第2圖。 j處，使用i mm寬度的銅箔電路來 =路係，由於將電路 =?寬 又到對起因☆耐鹽酸性的基材與銅猪 ^值越容易 滲透的影響，對於初s g 的丨面破蝕刻液 丁 y、初期黏接強度容易產味罢昱，舟 性就難以掌握。並且， /、僅耐熱特 的槲#八心 由於越是精細電路，經由汽、、W :為 ΠΓί所產生的氣體越容易釋放出來，亦 接強度的降低趨勢。如 難从旱握黏 完成加熱的第1 〇天為止，m α 口 、、彳開始加熱時刻至 相料认 ’剝離強度的減少方式有辦 相對於使用於比較用的黃 r Ζ =有所不同。 出平緩降低的曲線，剝離強产H 、σ ”、、苐天，即晝 發明的表面處理銅箔的情二’而使用有關本件 離％疮攸， J谭开^係’至開始加执2天a L „ 離強度降低的程度彳艮少， …大為止，剝 而由弟3天晝出平緩降低的曲 2169-3715-PF.ptd 第29頁 五、發明說明（27) 線’剝離強度逐漸減少。 不論如何，兩種銅箔都跨過叽規 =較測定值本身，對於加熱1〇天後 更銅防鏽羯之該測定值。由這種情形 的表面處理銅箱，可確保非常良好的 並賦與比一般認為對耐熱性最為優里 的耐熱特性’此甚為明顯。 、 如以上所述，製造有關本件發明 用上述的方法所製造的銅箱，由於在 即使在高溫恒濕環境中加以保管之後 耐鹽酸性及耐濕性，因此如申請專利 用如申請專利範圍第丨項至第4項之中 理銅箱之鍍銅層壓板，其品質穩定性 刻處理上確保較高的可靠性。 這裡所謂的鍍銅層壓板係，包括 以及多層基板等所有的層結構的概念 於剛性系的基板，也包括了包含所謂 ，的柔性基板、混合基板等所有的基 貫施例： 格的要求值 的剝離強度 看來，有關 耐鹽酸性及 的黃銅防鏽 。然而， ，則超過 本件發明 耐濕性， 箱具更佳 的表面處理 製妥鍍銅層 ，仍顯示極 範圍第1 0項 銅箔，利 壓板時， 為穩定的 所述，使 任一項所述的表面處 將大為改善，可於蝕 單面基板、 ’且基材材 的TAB〜COB 板0 雙面基板 質並不限 等特殊基 以下，一邊參昭莖1 ^ μ太π η μ i ί二第圖、第3圖與第4圖，一邊對於有 ^ ，自1之製造方法以及使用以此製造 一甘A ^ ⑷v白1來製造鍍銅層壓板，藉由顯 不其評估結果，就發明的竇# y丨 丄， ^ 1幻貝知例加以說明。在此，於整片 銅洎2使用電解銅箔的情形| 1月❿举例加以說明。

488190 五、發明說明（28) 實施例1 : 於本實施例，使用矣 表面處理。整片銅箱2係：理機3二以施行整片銅箱2的 用。因此，在此所使用的表：的理卷』：：態下加以使 被拉出的整片銅箔2係一 機3係顯示於第3圖者， 式。於此，，片銅箔2係匕：？於表面處理機3内的型 ，印刷電路板用電= ;為 u各種槽的順# ’來對製造條件等m連 =參照t對照說明的第1()圖之表面處理鋼v的。亍Λ， 面圖，一邊加以說明。 泊的不思口j 被拉出的電解銅箔2，首先進入酸洗 處理槽4的内部裝滿濃度15〇克/公升、液严3〇曰。在I洗 ㈣，浸潰時間30秒，隨著將附著於整片；箱2 == 分加以去除，同時進行表面酸化覆膜的去除，以淨化曰之。 由酸洗處理槽4出來的整片銅箔2，為了在整片銅箔？ 的表面形成細微銅粒5，而進入粗化處理製程6。於粗化户 理製程6内所進行的處理係，使細微銅粒5析出附著於整$ 銅箔2的單面之製程6A，以及為防止此細微鋼粒5的脫落之 被覆電鍍製程6B，由此二者所構成者。此時，整片銅箱2 本體被極化為陰極，對於所進行的電解處理的製程，配置 適當的陽極電極7。例如，將整片銅箔2的雙面加以粗化， 而製造雙面處理銅箔時，對於整片銅箔2的雙面配置陽極 電極7 λ *" 使細微銅粒5析出附著於整片銅箔2上面的製程6Α，係

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488190 五、發明說明（29) 以硫酸銅溶液，濃度100克/公升硫酸、18克/公升銅、液 溫25°C、電流密度10 A/dm2的燒鍍條件，進行1〇秒鐘電 解。此時，將平板的陽極電極7，相對於形成細微銅粒5的 整片銅β 2的表面’如第3圖中所示作平行配置。

為防止細微銅粒5的脫落之被覆電鍍製程讣，係以硫 酸銅溶液’濃度150克/公升硫酸、65克/公升銅、液溫45 °C、電流密度15 A/dm2的平滑電鍍條件，進行2〇秒鐘電 解，形成被覆電鍍層8。此時，將平板的陽極電極7，相對 於附著形成細微銅粒5的整片銅箔2的表面，如第3圖中所 示作=行配置。基本上，陽極電極7係使用不鏽鋼板。 二元合金防鏽處理槽9，係藉由作為防鏽元素鋅一銅 一錫的三元合金電鍍以進行防鏽處理。於此，如第3圖所 示配置陽極電極8，三元合金防鏽處理槽9係使用焦磷酸 鋅、焦磷酸銅、焦磷酸亞錫作為調整用，以維持處理槽9 内的鋅濃度平衡。此處的電解條件，係使用焦磷酸浴，維 持15克/。公升辞、1〇克/公升銅、3克/公升錫的濃度，設定 液溫4 0 C、電流密度1 5 A/dm2、電解時間8秒。

電解鉻酸鹽防鏽處理槽10，係在三元合金防鏽處理槽 9所形成的鋅防鏽層之上，利用電解形成鉻酸鹽層。此時 的電解條件，係設定鉻酸5·〇克/公升、ΡΗ11·5、液溫35 C電々’L後度8 A/dm2、電解時間5秒。而陽極電極7，如 第3圖中所示，相對於銅箔表面，予以平行配置。 口防鏽處理完成並進行水洗之後，未對銅落表面施行乾 燥，直接在有機矽烷偶合劑處理槽丨丨，於粗化的表面之防

鏽=士面進行有機石夕烷偶合劑的吸附。此時 以離子交換水作為溶劑，添加環氧丙氧基丙基三甲成氧係 Ϊ矽ϊϊίί達5克/公升。因此’經由將此溶液以喷淋方 式贺塗於銅箔表面以實施吸附處理。 完成有機石夕炫偶合劑處理後’最後，電解銅箱2於乾 秌處理设備12藉由電熱器13將箔溫度調整到14〇它的環境 溫度’經4秒鐘通過加熱的爐内’蒸散水分，促進有機矽 ΐ =劑的合反應’而作為完成的表面處理銅猪1係卷 3形狀恶。進行以上製程的電解銅箔之移動速度設為

】R :妒尺：分鐘’各槽的每項製程之間，依需要設置可作約 的水洗槽14來加以洗淨，…前項處理製程 使用此表面處理銅箔1 FR-4之預先灌注2牧以製造 處理銅箱1與基材的接合界 點’其結果顯示於第5表。 強度為0·5公斤/公分。 實施例2 : ’與作為基材的15〇 am厚的 雙面鍍銅層壓板，測定於表面 面之剝離強度。其測定點數為7 再者，ϋ L試驗的1 〇日後之剝離

:本實施例Μ吏用表面處理機3 當面㈣2係在卷妥的卷筒心=使 出的替Κ如在所使用的表面處理機3顯示於第4圖，被 於此，係：種蛇行移動於表面處理機3内的型式 的印刷電If 使用用於公稱厚度為35 _厚的等級; P刷電路板用電解銅羯之製造的製程。以下依照連續

:t種3 Ζ序丄來對製造條件等加以說明，4避免重複 1 ^ ^ ;和貫施例1不同的部分加以說明。再者，指 Π1相同之處的時候，儘可能在第4圖中使用共同 ^ t 在此一邊參照第1 ()圖的表面處理銅箔之 示思剖面圖’一邊加以說明。 此第2貝施例的表面處理製程之流程，基本上與實施 1疋同樣的。不同的是，粗化處理製程6分為3個 P白袄這/點。亦即，由附著形成細微銅粒4的製程6A、被 覆電鑛1 ^6β、附著形成極細微銅粒1 5的製程6C所組成。 因而，在實施例1的被覆電鍍製程6Β與三元合金防鏽處理 槽9之間’插入了附著形成極細微銅粒丨5的製程6C。 於附著形成此極細微銅粒1 5的製程6 C所用的條件，為 硫^銅系溶液’設定濃度為銅1 0克/公升、硫酸1 〇 〇克/公 升、笨基吖啶140毫克/公升、液溫38 t、電流密度3〇 A/dra2。其他各槽及在製程内的條件等係與實施例1相同。 使用此表面處理銅箔1，與作為基材的15〇 厚的 F R 4之預先灌注2牧以製造雙面錢銅層壓板，測定於表面 處理鋼箱1與基材的接合界面之剝離強度。其測定點數為7 點’其結果與實施例1的結果同時顯示於第5表中。再者， 在此所製造的表面處理銅箔的UL試驗的1 〇日後之剝離強产 為〇·δ公斤/公分。 又

2169-3715-PF.ptd 第34頁 488190 五、發明說明（32) 表5 項目 試樣 剝 離試驗結果（0.2 mm寬度電路） 常態 公斤/公分 焊接後 公斤/公分 耐鹽酸性 劣化率（°/〇 耐濕性 劣化孪（〇/〇) 實施例1 1 1.88 1_87 3.8 7.5 2 1.87 1.86 3.6 6.9 3 1.87 1.86 3.7 6.7 4 1.86 1.85 3.4 6.9 5 1.88 1.86 3.7 7.3 6 1.87 1.86 3.8 6.8 7 1.87 1.87 3.5 7.3 實施例2 1 1.89 1.88 0.0 5.6 2 1.89 1.87 0.7 6.0 3 1.88 1.87 0.8 5.5 4 1.88 1.87 0.0 5.0 5 1.88 1_87 0.0 5.3 6 1.88 1.87 0.0 6.0 7 1.88 1.86 0.5 6.1 常 態：製成FR-4的鍍銅層壓板之後，以0· 2 mm 寬度電路所測定的剝離強度。 焊 接 後：於246 °C的釺焊浴中，使浮置20秒鐘 後，靜置至室溫所測定的剝離強度。 耐鹽酸性劣化率··將製成FR-4的鍍銅層壓板之後的0. 2 mm寬度電路，於鹽酸：水=1 : 1、室溫 下浸潰1小時，取出後，水洗、乾燥後 直接測定剝離強度，由常態的剝離強度 算出劣化了多少％。 耐濕性劣化率 ··將製成FR-4的鍍銅層壓板之後的0. 2 mm

2169-3715-PF.ptd 第35頁 五、發明說明（33) )Λ電路，於彿騰的離+交換水(純水 中^漬2小時’取出後，乾燥，直接 ς =剝離強度，由常態的軔離強度算出 另化了多少％。 由顯示於表5的評任处田 例2所得到的表面處=果可知，使用於實施例1及實施 ㈣寬度電路，耐踏生^自所製成的銅笛電路，即使是0. 2 到10%以下之值。、甘另化率及耐濕性劣化率也都能夠達 值，則可獲得極為/好右耐鹽酸性劣化率在5%以下之 施例2相同的方法°、而且，以和實施例1及實 鹽酸性及耐濕性的偏〜差 比以上的製品，並檢查其耐 據。具有如此水:::到偏差極少且穩定的數 路板用銅箱上未曾見過，、:=之㈣’纟習知的印刷電 長足的改善。 而此夠使印刷電路板的品質獲得 發明的效果： 钕列：=Γι;用有關本發明的表面處祕，能夠使 $ f ^ π a I，夠θ加印刷電路板的加工方法之選 擇範圍，製私官理也變得復交屁 異而被產品化，作為印：而特性優 的表面處理銅猪之製牲以使用有關本件發明 衣仏乃次將保持吸附固定於銅箔表面

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Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 1. -種=刷電路板用的表面處理㈣，對於 面貫施粗化處理與防鏽處理的表面處理銅箱； ^ 該防鏽處理係於銅错矣；游4 办表面形成辞一銅一錫的三元合金 成 ^ ^ ^ ^, 金電錢層的表面形成電解鉻酸鹽 層，並於该電解鉻酸鹽居的 a θ 面形成有機石夕烧偶合劑吸附 層，精由將電解銅羯本體的溫度設為105t>20(rc的範 =^加以乾燥2〜6秒鐘所得到的印刷電路板用 理銅箔。 ”2: m:電路板用的表面處理銅箔，於銅箔的表面 實施粗化處理與防鏽處理的表面處理銅箱； X 見〜係使細微銅粒於析出箔的表面析出，為 止細微銅粒的脫落而進行祐s雷4 #… 把订稷覆電鍍，再使極細微銅粒析出 附著之製程； 1 * 該I鏽/係於銅羯表面形成鋅一鋼一錫的三元合金 電鑛層，而於該三元合今雷从本 口兔寬鑛層的表面形成電解鉻酸鹽 層，並於該電解鉻酸鹽層的μ &彡&古 W 欠皿增的上面形成有機矽烷偶合劑吸附 層，猎由將電解銅羯本體的溫度設為105t〜20(rc的範 =士加以乾燥2〜6秒鐘所得到的印刷電路板用的表面處 理銅治。 一 3.如申請專利範圍第丨項所述之表面處理銅箔，1中 。鋅-銅-錫的三元合金電鍍的合金組成係辞2〇 66. 9重量 /〇、銅30〜78重量％、錫〇·卜2重量％。 4.如申請專利範圍第2項所述之表面處理銅箱，盆中 鋅-銅-錫的三元合金電鑛的合金組成係辞2〇 66. 9重量

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   六、申請專利範圍 %、銅30〜78重量％、錫〇·；[〜2重量％。 ^ 5·如申請專利範圍第1、2、3或4項所述之表面處理銅 箱’其中有機矽烷偶合劑係選擇自對於烯烴官能性矽烷、 ^氧官能性矽烷、丙烯基官能性矽烷、氨基官能性矽烷以 及氫硫基官能性矽烷所組成的族群中。 6 · —種表面處理銅箔之製造方法，用以製造如申請專 利範圍第1、3或4項所述之表面處理銅箔，該製造方法係 鋼箱的表面形成粗化處理面，施行防鏽處理，並使有機矽 烧偶合劑吸附於粗化處理面，再加以乾燥的印刷電路板用 銅箔之表面處理方法： 防鏽處理係進行鋅 行電解鉻酸鹽電鍍的製程； 2解鉻酸鹽錢之後’使銅箔表面乾燥，並使有機 〜18:。「二巧吸附上去，將電解銅箔本體的溫度設為105°C C = ’於此高溫環境中’維持2 而侍到表面處理銅箔。 ^ ^ I 一種表面處理銅箔之製造方法， 利範圍第5項所述之表面處理銅羯用如申睛專 表面形成粗化處理面，施行防鏞處理，^方法係銅為的 劑吸附於粗化處理φ，再加以乾燥=有機錢偶合 表面處理方法： P刷電路板用銅箔之 防鏽處理係進行辞一銅一 行電解鉻酸鹽電鍍的製程； 於電解鉻酸鹽電鍍之後， 錫的 凡合金電鍍 接者施 並使有機

   2169-3715-PF.ptd 獨19〇 六、申請專利範圍 — 石夕燒偶合劑吸附上去，將，f銅箱本體的溫度設為1 0 5 °c 〜1 8 〇 °C的範圍，於此高浪J衣境中’維持2〜6秒鐘加以乾燥 而得到表面處理銅箔。 u 8 · —種表面處理銅羯之製造方法，用以製造如申請專 利範圍第1、3或4項所述之表面處理銅箔，該製造方法銅 辖的表面形成粗化處理面’施行防鏽處理，並使有機矽烷 偶合劑吸附於粗化處理面’再加以乾燥的印刷電路板用銅 箱的表面處理方法： ^ 防鏽處理係進行鋅一銅—錫的三元合金電鍍，接著施 行電解鉻酸鹽電鍍的製程； 並未對實施該電解鉻酸鹽電鍍的表面加以乾燥，而使 有機矽烷偶合劑吸附上去，其後將電解銅箔本體的溫度設 為110°C〜2〇(rc的範圍，於此高溫環境中，維持2〜6二=二 以乾燥而得到表面處理銅箔。 9 · 一種表面處理銅猪之製造方法，用以製造如申枝專 利範圍第5項所述之表面處理銅箱’該製造方法銅箱的月表 面形成粗化處理面’施行防鐵處理’並使有機矽烷偶合劑 吸附於粗化處理面，再加以乾燥的印刷電路板用銅 面處理方法： # 防鏽處理係進行鋅一銅一錫的三元合金 行電解鉻酸鹽電鍍的製程； 锻接者施 並未對實施該電解鉻酸鹽電鍍的表面加 1機石夕烧偶合劑吸附上去’其後將電解 ；= 為"。1献的範圍’於此高溫環境中，維持

   2169-3715-PF.ptd 第40頁 4 ⑽ 190 六'申請專利範圍 以乾燥而得到表面處理銅箔。 1 〇 · 一種表面處理銅箔之製造方法，用以製造如申請 專利範圍第2、3或4項所述之表面處理銅箔，該製造方法 係銅箔的表面形成粗化處理面，施行防鏽處理，並使有機 矽烷偶合劑吸附於粗化處理面，再加以乾燥的電解銅箔 表面處理方法： J 粗化處理面之形成係，使細微鋼粒於析出箔的表面 出，為防止細微銅粒的脫落而進行 *杜化 銅粒析出附著； 仃破覆電鍍，並使極細微 防鏽處理係進行鋅一銅—锡的 行電解鉻酸鹽電鍍的製程； 7〇。金兔緞接者施 於電解鉻酸鹽電鍍之後，佶細Μ 石夕侃人十丨 , 麵括表面乾燥，並使有機 石7说偶合劑吸附上去，將電解 义另機 -180 V ^ m ^ - 鮮氣1泊本體的溫度設為105 〇c 1 δ u L的轭圍，於此向溫環谙 ^ 而得到表面處理銅箔。 ，、准持2〜6秒鐘加以乾燥 U •一種表面處理鋼箔之制、生 專利範圍第5項所述之表面處理=〜法，用以製造如申請 的表面形成粗化處理面，施行防^自，該製造方法係銅箔 合劑吸附於粗化處理面，再’，理，並使有機矽烷偶 理方法： 乾燥的電解銅箔的表面處 粗化處理面之形成係，使Λ 出，為防止細微銅粒的脫落而進/鋼粒於析出荡的表面析 銅粒析出附著； 仃破覆電鍍，並使極細微 防鏽處理係進行鋅〜銅— 锡的三元合金電鍍，接著施

   2169-3715-PF.ptd $ 41頁 488190 六、申請專利範圍 行電解鉻酸鹽電鍍的製程； 於電解鉻酸鹽電鍍之後，使銅箔表面乾燥，並使有機 石夕烧偶合劑吸附上去，將電解銅箔本體的溫度設為丨05它 〜1 8 0 C的範圍，於此高溫環境中，維持2〜6秒鐘加以乾燥 而得到表面處理銅箔。 1 2 · —種表面處理銅箔之製造方法，用以製造如申請 專利範圍第2、3或4項所述之表面處理銅箔，其中該製造 方法係銅箔的表面形成粗化處理面，施行防鏞處理，並使 ^機石夕烧偶合劑吸附於粗化處理面，再加以乾燥的電解銅 '冶的表面處理方法·· 粗化處理面之形成係，使細微鋼粒於析出羯的表面析 鋼粒微銅粒的脫落而進行被覆電•，並使極細微 防鏽 行電解鉻 並未 有機矽烷 為 1 1 0 °c 以乾燥而 13 專利範圍 銅箔的表 燒偶合劑 面處理方 處理係進行鋅一鋼一錫的二-人 酸鹽電鑛的製程； s金電鑛，接著施 對貫施該電解鉻酸鹽電鍍的表面 偶合劑吸附上去，1## 乂乾烯，而使 ，的範圍，於此、高 得到表面處理鋼辖。 、、隹持2〜6秒鐘加 =表面處理銅羯之製造方 弟5項所述之表命處理銅猪’复^製造如申請 面形成粗化處理场#"摊、中邊製造方法係 吸附於粗化處理面’：:方鏽處理’並使有機矽 法： 命’再加以乾燥的電解銅箱的表

   /、'申請專利範圍 粗化處理面之來 出’為防止細微鋼粒微鋼粒於析出落的表面析 鋼粒析出附著； 、洛、行被覆電鍍，並使極細微 防鐵處理係進杆粒 行電解鉻酸鹽電鍍的擊程銅一錫的三元合金電鍍，接著施 並未對實施該電G鉻酸 有機矽烷偶合劑吸附P 土 尾鍍的表面加以乾燥，而使 為11 0 °C〜2 0 0 °C的範n ，其後將電解銅箔本體的溫度設 以乾燥而得到表面處理二此高溫環境中維持2〜6秒鐘加 造方圍㈣項所述的表面處理銅猪之製 液而ΐ成者。微銅粒係使用添加9~苯基^的銅電解 、土士15.如豆申^專利範圍第u項所述的表面處理銅箱之製 銅粒係使用添加9-苯基°丫咬的銅電解 液而形成I 液而形成者 17.如申請專利範圍第13項所述的表面處理銅笔之製 ’其中極細微銅粒係使用添加9-笨基吖啶的鋼電解 龙者。 16.如青專利範圍第12項所述的表面處理銅箱之製 造方法，其中極細微銅粒係使用添加9_苯基吖啶的鋼電解 而形成者。 造方法 液而形成I 18· # 1ϋβ 種鍍銅層壓板，使用如申請專利範圍第丨 、3 咬4項所述之表面處理銅箔所製得者。 2 19.〆種鍍銅層壓板，使用如申請專利範圍第5項所述

   2169-3715-PF.Ptd 488190 六、申請專利範圍 之表面處理銅箔所製得者。 第44頁 2169-3715-PF.ptd