TW480568B - A device for treating substrates and a method for the same - Google Patents

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480568 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1) [發明技術領域] 本發明係提供一種基板處理裝置及基板處理方法，特 別係指防止在氣密封閉的處理室內施行處理的基板，產 生氧化或污染的技術，譬如在半導體裝置的製造程序中 ，可有效的使用於對半導體晶圓所施行的氧化層形成處 理、擴散處理、退火處理、以及沉積處理等方面。 [技術背景] 按，在半導體裝置的製造程序中，在施行半導體晶圓 (以下稱「晶圓」）的氧化層形成處理或擴散處理、退火 處理及沉積處理時，廣泛的採用批式縱向熱壁型基板處 理裝置。 譬如，供施行氧化層形成處理、擴散處理及退火處理 等熱處理的批式縱向熱壁型基板處理裝置（以下稱「熱處 理裝置」），係具備有形成供晶圓搬入的處理室並以縱向 配置的處理管路、將氣體灌入處理室內的氣體灌入口、 將處理室真空排氣的排氣管、以及舖設於處理管路外側 俾供加熱處理室的加熱器。將複數片晶圓，利用晶舟同 心排列，保持此狀態，由處理室下端的爐口搬入，並利 用加熱器加熱處理室，而對晶圓施行氧化層形成處理、 擴散處理及退火處理等熱處理。 在習知熱處理裝置中，在搬入於處理室之前、與由處 理室搬出後，承載於晶舟上的晶圓，將接觸大氣，並因 大氣中所含的氧或水氣而被氧化，導致在晶圓上產生不 必要的氧化層，造成氧化層沉積處理、擴散處理、及退 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^β Γ 良 480568 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2) 火處理等處理精確度上的降低等問題。 在此有提案在處理管路下方，形成供晶舟待機之預備 室的腔室，並使該預備室處於非活性氣體環境的熱處理 裝置。在該熱處理裝置中，藉由在搬入處理事前與由處 理室搬出後，將承載於預備室中呈待機狀晶舟上的晶圓 ，置於非活性氣體環境中，而不致因大氣中的氧或水份 ，產生氧化現象，故可防止在晶圓上形成不必要的氧化 層，而造成處理精確度降低的不良情形發生。 惟，在具備形成非活性氣體環境之預備室的熱處理裝 置中，因爲裝設有將晶舟待機的預備室，區隔爲處理室 與預備室的閘閥，導致在閘閥進行開閉操作時將產生塵 埃，同時亦將導致製造成本或處理成本的增加等問題。 [(發明開示] 緣是，本發明之目的，在於提供一種可防止塵埃產生 與成本增加，同時可提高處理精確度的基板處理裝置及 方法。 本發明之第1態樣，係提供一種基板處理裝置，乃具備 有：處理管路、晶舟、腔室、密封法蘭、及密封蓋者； 其中，該處理管路係形成下端具有爐口的處理室者；該 晶舟係出入於該處理室，供將基板搬出入於處理室者； 該腔室係配設於該處理管路下方，並形成供該晶舟呈待 機狀之預備室者；該密封法蘭係配設於該處理室與該預 備室之間，並開設有供該晶舟通過的開口者；該密封蓋 係以可自由掀起與蓋合方式，配設於該密封法蘭之該處 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I--------------裝—II----^訂-----— I! (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480568 A7 B7____ 五、發明說明（3) 理室端上，並連接於該密封法蘭，而將該開口予以氣密 封閉者。 最好該氣體限定裝置係至少由該基板移動裝置與該腔 室的側壁所構成者。 藉由本發明第1態樣的基板處理裝置，在晶舟於預備室 中呈待機狀態時，因爲利用密封蓋蓋在密封法蘭上，而 使開口呈關閉狀態，所以便可使預備室形成非活性氣體 環境。反之，當晶舟由預備室搬入處理室時，藉由晶舟 將密封蓋掀起，而使密封蓋自動離開密封法蘭。換句話 說，在利用密封蓋所產生的密封法蘭開口的開閉上，便 不再需要驅動裝置。所以，不致產生因驅動裝置造成的 塵埃問題，同時亦不致因驅動裝置關係而造成製造成本 或處理成本上增加等不良問題。 本發明之第2態樣，係提供一種基板處理方法，乃使用 具備有：處理管路、晶舟、腔室、密封法蘭、及密封蓋 之基板處理裝置，而處理基板的步驟者；其中，該處理 管路係形成下端具有爐口的處理室者；該晶舟係出入於 該處理室，供將該基板搬出入於處理室者；該腔室係配 設於該處理管路下方，並形成供該晶舟呈待機狀之預備 室者；該密封法蘭係配設於該處理室與該預備室之間， 並開設有供該晶舟通過的開口者；該密封蓋係以可自由 掀起與蓋合方式，配設於該密封法蘭之該處理室端上， 並連接於該密封法蘭，而將該開口予以氣密封閉者。 本發明之第3態樣，係提供一種電子裝置的製造方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------裝--------，'訂—-------線 (請先閱讀背面之注咅3事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480568 A7 ______ _________________ B7 五、發明說明（4) 法，乃使用具備有：處理管路、晶舟、腔室、密封法蘭、 及密封蓋之基板處理裝置，而處理基板的步驟者；其中 ，該處理管路係形成下端具有爐口的處理室者；該晶舟 係出入於該處理室，供將該基板搬出入於處理室者；該 腔室係配設於該處理管路下方，並形成供該晶舟呈待機 狀之預備室者；該密封法蘭係配設於該處理室與該預備 室之間，並開設有供該晶舟通過的開口者；該密封蓋係 以可自由掀起與蓋合方式，配設於該密封法蘭之該處理 室端上，並連接於該密封法蘭，而將該開口予以氣密封 閉者。藉由此種製造方法所製造的電子裝置，可舉例如 半導體裝置、液晶顯示裝置等。 [圖式簡單說明] 第1圖係本發明一實施態樣之熱處理裝置的前視剖面 示意圖。 第2圖係採用第1圖所示熱處理裝置之基板處理中的前 視剖面示意圖。 第3圖係密封蓋，第3A圖係立體示意圖，第3B圖係正 視圖，第3C圖係平面圖。 第4圖係本發明其他實施態樣之熱處理裝置的前視剖 面示意圖。 [發明實施較佳態樣] 以下，請參閱圖示，針對本發明一實施態樣進行詳細 說明。 在本實施態樣中，相關本發明的基板處理裝置’係供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------------5 訂--v------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480568 A7 __B7 五、發明說明（5) 施行氧化層形成處理、擴散處理、以及退火處理等熱處 理之批式縱向熱壁型基板處理裝置（以下稱「熱處理裝 置」）的結構者。該基板係供在晶圓上施行氧化層形成 處理、擴散處理、以及退火處理等熱處理時所採用的基 板。 請參閱第1圖所示，熱處理裝置1係具備有縱向處理管 路3 ’其中心線呈垂直狀的縱向配置而由機體框（僅圖示 其中一部分）2所支撐。該處理管路3係採用石英玻璃，且 下端具開口之一體成形的圓筒狀者。處理管路3的管中空 部處形成供維持同心狀排列之複數片晶圓搬入用的處理 室4。處理管路3下端開口形成供屬被處理基板之晶圓的 爐口 5。所以，將處理管路3的內徑，設定爲大於所處理 晶圓的最大外徑。 在處理管路3下端與集流腔7上端面間，夾接密封環6。 藉由集流腔7以熱處理裝置1的機體框2支撐方式，而使 處理管路3呈垂直支撐狀態。 在集流腔7側壁其中一部份開設有連通於處理室4並將 該處理室4真空排氣至特定真空度的排氣口 8。在集流腔7 側壁上，且對向於排氣口 8的位置處，插入氣體灌入管9 。該氣體灌入管9的插入端，延伸至處理室4上端處。氣 體灌入管9係連接於氣體供給源或非活性氣體供給源（二 者均未圖示）。經由氣體灌入管9灌入處理室4中的氣體， 利用排氣口 8進行排氣。 在處理管路3外面，設有同心圓之圍繞處理管路3周圍 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480568 A7 __ B7 五、發明說明（） 的加熱單元1 0。加熱單元1 0係對整體處理室4內進行均 勻加熱處理。加熱單元1 0由熱處理裝置1的機體框2支撐 ，而形成垂直配置狀態。 在處理管路3正下方位置處，配置約略等於處理管路3 外徑之圓盤狀的蓋體1 1。該蓋體1 1利用由推進螺絲構件 所構成的升降梯1 2，而進行垂直方向的升降動作。在蓋 體1 y勺中心線上，承載屬被處理基板之晶圓20的晶舟2 1 ，<_直狀支撐著。 -每21係具備有上下一對的端板22, 23、架設於端板22 ，23間並垂直方向配設的複數根支撐元件24。在各支撐元 件長度方向上，分別開設有等間隔配置且相互閒在 同一平面呈開口狀的複數條支撐溝槽25，俾供在該等支 撐溝槽25間插入晶圓20，藉此使複數片晶圓20保持水平 狀且相互間中心點對齊的排列狀態。在晶舟21上端的端 板22上面，凸設有接觸後述密封蓋的接合部26。晶舟21 下端的端板23下，則形成絕熱蓋體27。 在處理管路3下端設有承載保護腔室（以下稱「腔室」） 1 3。腔室1 3在處理管路3下方空間中，形成供晶舟21呈 待機狀態的預備室1 4。在腔室1 3的其中一側壁上，開設有 晶圓出入口 1 5。該晶圓出入口 1 5係透過密封環1 6，並利 用閘閥1 7而呈可開閉狀態。在腔室1 3側壁上端，則插入 供將如氮氣等非活性氣體灌入預備室1 4中的氣體灌入管 1 8。在腔室1 3底壁上’開設有供將預備室1 4進行真空排 氣的排氣口 1 9。該排氣口 1 9則連接於如真空泵等真空排 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480568 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 ___ 五、發明說明（7) 氣裝置（未圖不）上。 本實施態樣中，在腔室1 3頂板壁面上，與集流腔7下 面之間，夾設中央部位處具開口 3 1的密封法蘭30。在密 封法蘭30上下面，分別夾設密封環32,32。密封法蘭30 係採用石英材質所形成的，並利用環的內徑形成開口 3 1 。密封法蘭30開口 3 1的內徑，係略大於晶舟2 1外徑，俾 供晶舟21得以通過。密封法蘭3 0的開口 3 1中心，係與處 理管路3與蓋體11的中心呈一致狀態。在密封法蘭30下 面，與蓋體11之間，設置包圍開口 3 1的密封環3 3，俾形 成密封狀態。 在密封法蘭30上面靠處理室4端處，夾設密封環34，並 使密封蓋35可自由進行掀起與蓋合動作。密封蓋35係當 密封法蘭30上面夾置密封環34，而呈接合狀態時，便將 密封法蘭30的開口 3 1予以封閉。 請參閱第3圖所示，密封蓋35係具備有均使用石英材 質所形成的密封元件36、肋元件37、與絕緣構件38。密 封元件36係外徑略大於密封法蘭30的開口 3 1內徑，但 略小於處理室4內徑的圓盤狀體，並利用在密封法蘭30 上夾置密封環34，而接合蓋住，俾將密封法蘭30的開口 31進行密封狀態的封閉。肋元件37係長度略等於密封元 件36外徑的二根正方體角柱，呈十字交叉組合，並以同 心軸配置溶接於密封元件36上。絕緣構件38係外徑略小 於密封元件36外徑的圓形狀板，並以同心軸配置溶接於 助元件37上面。在此狀態下，肋元件37便形成密封元件 -9- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) "" ' ---------------裝--------Γ訂--，-------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 480568 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8) 3 6與絕緣構件3 8的機械強度補強元件。 其次，藉由對上述結構之熱處理裝置作用的說明，以 下便針對本發明一實施態樣的晶圓熱處理方法，與在晶 圓沉積氧化層的狀況進行說明。 請參閱第1圖所示，將複數片晶圓20，利用晶圓移載 裝置（未圖示），由晶圓出入口 1 5搬入，並插入承載於晶 舟21的支撐溝槽25上。此時，因爲閘閥17將晶圓出入口 15呈開啓狀態，所以使預備室14的壓力略大於大氣壓， 俾防止大氣流入。此外，因爲需要防止預備室14的環境 氣體，外洩於處理室4中，所以必須利用密封蓋35將密 封法蘭30的開口 3 1呈密封狀態的封閉，俾使處理室4的 壓力維持高於預備室14壓力的狀態。將屬非活性氣體的 氮氣（N2)，由氣體灌入管18灌入預備室14中，同時亦將 非活性氣體的氮氣（N2)，由氣體灌入管9灌入處理室4 中。 藉此使預備室14形成充滿氮氣環境狀態，當晶圓20裝 塡於晶舟21上時，便不致因與大氣接觸而遭受大氣中的 氧或水氣氧化，確實避免在晶圓20上形成不必要的氧化 層。 請參閱第2圖所示，當在晶舟21上裝塡特定片數的晶圓 20，且由閘閥1 7將晶圓出入口 1 5封閉時，便利用升降梯 12將晶舟21上升，而搬入處理管路3的處理室4中。此情 況下，因爲晶舟21與密封蓋35下方呈相對向狀態，所以 晶舟21的接合部26，使與密封蓋35的密封元件36下面接 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---I ------------裝-------J ^ --------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 480568 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 合，且隨晶舟21的上升，便將密封蓋35由密封法蘭30上 掀起，然後便將密封蓋35往上推擠。 當晶舟21將密封蓋35往上推擠，並由密封法蘭30上掀 起時，預備室1 4的壓力，便調整呈在處理室4壓力以上 的壓力狀態，密封蓋35便藉由處理室4的壓力，解除壓 接於密封法蘭30上的狀態。將預備室1 4壓力調整爲處理 室4壓力以上之壓力狀態的方法，有如將處理室4的氮氣 ，由排氣口 8適度的排出，或增加將氮氣灌入預備室1 4 之氣體灌入管18與排氣口 19的灌入量。藉由預備室14與 處理室4間的壓差，因爲即便預備室1 4的氮氣流入處理 室4中的話，亦屬非活性氣體，所以對處理室4中的擴散 處理並不致造成任何影響。 當晶舟21到達上限點位置時，蓋體1 1便隨夾設於密封 法蘭30下面的密封環33，而呈閉合狀態，俾將密封法蘭 30的開口 3 1予以呈密封狀態的封閉。所以，處理室4與預 備室14間的流體便形成阻絕狀態。在此狀態下，密封蓋 35便利用晶舟21而上舉於處理室4上端。 處理室4利用蓋體11而形成氣密的封閉狀態，且處理室 4則利用排氣口 8進行真空排氣至特定真空度，並利用加 熱單元10將整體均勻加熱至特定溫度（ 800〜1200°C )。 將處理氣體的高純度氧氣（〇2 )，利用氣體灌入管9以特定 流量供給於處理室4中，而在晶圓20上形成優良品質的氧 化層。此時，利用將預備室1 4的壓力，維持高於處理室4 的壓力，蓋體11便可藉由壓力差，而呈強力按壓於密封 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — I!-----------裝-------：J 訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480568 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3 法蘭30上的狀態，俾使處理室4的氣密維持極佳的狀態。 然後，當經過預設的處理時間後，便如第1圖所示般， 將支撐晶舟2 1的蓋體11，利用升降梯1 2的下降動作，使 蓋體11由密封法蘭30下面掀起，而將開口 3 1開啓，同時 將晶舟21由處理室4搬出於預備室14中。在蓋體11由密 封法蘭30下面掀起時，若預備室14壓力，高於處理室4 壓力的話，將使蓋體11無法由密封法蘭30下面掀起。換 句話說，晶舟21無法雖升降梯12的下降而下降。 在本實施態樣中，將預備室1 4壓力與處理室4壓力，調 麟 整爲均衡狀態，俾藉由預備室14與處理室4^連的壓差，解 除蓋體11押接於密封法蘭30上的狀態。_^將預備室1 4 壓力與處理室4壓力，調整爲均衡狀態的方;法，有如將氮 氣由氣體灌入管9灌入處理室4中的方式:丨_將預備室14 的氮氣由排氣口 1 9排泄出的方式。熱處理裝置1再由密封 法蘭30上掀起後，若將預備室14壓力調整爲略高於處理 室4壓力的話，便可避免處理室4的環境氣體外洩於預備 室1 4中。 當晶舟21到達下限點位置時，密封蓋35的密封元件36 下面，便利用夾設於密封法蘭30下面的密封環34，而呈 蓋合狀態，俾將密封法蘭30的開口 3 1呈密封狀態的封閉 ，所以處理室4與預備室14便形成流體阻絕狀態。當密封 蓋35蓋合於密封法蘭30上，而將開口 31予以阻塞，使處 理室4呈密封（氣密封）狀態下，將處理室4壓力調整爲略 高於預備室1 4的壓力，便可確實利用密封蓋35維持處理 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — I!----------裝-------；4訂！-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480568 A7 ____ B7 五、發明說明（1 2) 室4的密封狀態。 然後，打開閘閥17，將承載於晶舟21上的晶圓20利用 晶圓移載裝置取出，並由預備室14通過晶圓出入口 15搬 出。此時，因爲預備室14籠罩在氮氣環境中’所以晶舟 2 1由處理室4中搬出後的晶圓20，便不致因接觸大氣中的 氧或水氣而遭受氧化，可達確實避免晶圓20上產生不必 要的氧化層之功效。以下，重複上述動作。 若將利用密封蓋35封閉密封法蘭30的開口 3 1時’以及 將晶舟2 1搬出入時的處理室4壓力與預備室1 4壓間的關 係，以熱處理裝置的當壓處理及減壓處理表示’則如表 1所示。 表1 常 壓 處理 減 壓 處 理 密 封時 處 理 室 大 氣 壓 大 氣 壓 預 備 室 減 壓 減 壓 m 做 出入時 處 理 室 大 氣 壓 大 氣 壓 /減壓 預 備 室 大 氣 壓 大 氣 壓 /減壓 若依照上述實施態樣，便可獲得下述功效。 ---------------裝-------J訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 在晶舟於預備室中待機時，藉由密封蓋蓋合於密封 法蘭上，而將開口封閉，所以處理室與預備室便形成阻 絕狀態，如此便可將預備室形成非活性氣體環境。 2 藉由將預備室形成非活性氣體環境，在晶舟待機 於預備室的期間內，可避免晶圓因接觸大氣中的氧或水 氣而產生氧化的現象，達確實防止在晶圓上產生不必要 氧化層的功效者。結果，除可大幅提昇熱處理裝置的熱 處理精確度外，尙可提昇晶圓所製造出半導體裝置的品 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480568 A7 B7_ 五、發明說明（12) 質與可靠性。 (3)在晶舟由預備室搬入於處理室時，藉由晶舟將密封 上舉起，而使密封蓋由密封法蘭上掀起，俾自動的開啓 開口，如此便可省略密封蓋對密封法蘭開口進行開閉時 所需的驅動裝置。 (4 )藉由省略密封蓋對密封法蘭開口進行開閉時所需的 驅動裝置，便必定可防止隨驅動裝置而產生的塵埃，因 此可避免熱處理裝置的熱處理上，產生異物附著等現象 ，除可大幅提昇熱處理裝置的熱處理精確度外，尙可提 昇晶圓所製造出半導體裝置的品質與可靠性。 (5 )藉由省略密封蓋對密封法蘭開口進行開閉時所需的 驅動裝置，至少可省卻驅動裝置及其控制上所必須的控 制器軟體等，如此便可降低熱處理裝置的製造成本、與 處理成本。 (6) 藉由在密封蓋將密封法蘭的開口封閉時，將預備室 壓力調整爲高於處理室壓力，便可使密封蓋押接於密封 法蘭上，而確實的將預備室與處理室，利用密封蓋予以 阻絕。 (7) 在晶舟將密封蓋由密封法蘭上掀起時，藉由將預備 室壓力調整成處理室壓力以上的壓力狀態，便可利用晶 舟的上升，而將密封蓋輕易的由密封法蘭上掀起。 第4圖所示係本發明另一實施態樣之熱處理裝置的正視 剖面示意圖。 本實施態樣與上述實施態樣之相異點，乃於在加熱單 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------裝-------- 訂 ---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480568 A7 ―― B7 五、發明說明（"） 元1 0頂端，於包夾處理管路3並與密封蓋35相對向位置 處，開設有供屬冷煤的空氣40進行排氣的排氣口 39。該排 氣口 39則連接於如送風機等排氣裝置（未圖示）上，俾形 成流體相流通狀態。 請參閱第4圖所示，在承載晶圓20的晶舟2 1搬入於處 理室4的狀態下，當排氣裝置的排氣力作用於排氣口 39上 時，便可將冷煤的空氣40由加熱單元1 0下端的機體框2 開口，吹向於加熱單元1 0與處理管路3間的空隙，而接觸 加熱單元1 0與處理管路3，於取得熱量後，再由排氣口 39 進行排氣，如此便可將處理室4急速冷卻。 但是，若在加熱單元10頂端上開設排氣口 39的話，於 處理室4中施行熱處理時，因爲在排氣口 39的局部位置上 ，將產生洩熱現象，所以將有損於處理室4中承載於晶舟 21上晶圓20的均熱效果。換句話說，配置於晶舟21上的 晶圓20溫度，較其他位置上的晶圓溫度爲低。 但在本實施態樣中，於處理室4的熱處理中，因爲晶舟 21上呈設置密封蓋35的狀態，所以便可利用密封蓋35的 絕熱作用，抑制因排氣口 39的洩熱現象所產生的不良影 響。換句話說，藉由密封蓋35的熱遮蔽效果’與較大熱 容量的均熱效應等絕熱作用，便可吸收排氣口 39洩熱所 產生的影響，藉此而防止排氣口 39的洩熱’影響到承載 於晶舟21上端的晶圓20。 所以，依照本實施態樣，即便在加熱單兀1 〇上開設排 氣口 39的話，承載於晶舟21上的晶圓20，便與承載於其 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------裝-------J 訂 ---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480568 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 他位置上的晶圓20，進行相同的熱處理，所以晶舟21上 所有晶圓20間便可維持均勻的熱處理。 換言之，即便在加熱單元1 0上開設排氣口 39的話，亦 可利用密封蓋35，確實維持晶圓20間的均勻熱處理。所 以，便可利用在加熱單元1 0上開設排氣口 39，而確實達 加熱單元10的急速昇溫與急速冷卻性能的效果。 此外，本發明並不僅限於上述實施態樣，當然在不 脫離本發明主旨範疇下，可進行任何各種變化。 譬如，密封蓋並不限於由密封元件、肋元件、與絕緣 構件組成，可適當的省略肋元件與絕緣構件。 熱處理裝置並不僅限於使用在氧化層沉積處理上，亦 可使用於擴散處理、退火處理等熱處理上。 本實施態樣中，雖針對批式縱向熱壁型基板處理裝置 的狀況進行說明，惟本發明並不僅限於此，亦可適用於 批式縱向熱壁型CVD裝置等，具備處理室與預備室的基板 處理裝置上。 上述實施態樣，雖就對晶圓施行熱處理的狀況進行說 明，惟本發明亦適用於在晶圓上施行沉積處理上。被處 理基板亦可爲液晶面盤製造用的玻璃基板等。 藉由上述說明得知，本發明確實可達防止塵埃的產生 、與成本的增加情形發生，同時提昇處理精確度的功效。 符號之說明 1 ....熱處理裝置 2 ....機體框 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) --------------裝--------訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480568 A7 _ B7 五、發明說明（15) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 .., ..處理管路 4 .., ..處理室 5·. .·爐口 6 .., ..密封環 7… ..集流腔 8 .., ,.排氣口 9… ,.氣體灌入管 10 .. ...加熱單元 11.. 蓋體 » · · . ΓΤΠ, 12 .. ,..升降梯 13 . _ ,..腔室 14.. ,..預備室 15 .. ,..晶圓出入口 16.. ,..密封環 17 . _ ,..閘閥 18 .. ,..氣體灌入管 19 .. ,..排氣口 20.. ,.·晶圓 21 .. ,·.晶舟 22 .. ,..端板 23 . _ ,..端板 24. · ,..支撐元件 25 .. ,..支撐溝槽 26 . _ ..接合部 -17- ----^----------裝--------^訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 480568 A7 _B7 五、發明說明（16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27 .. ..絕熱蓋體 30.. ..密封法蘭 31 · · .·開口 32.. ..幣封ί哀 33 · · ..密封環 34.. ..密封環 35 .. ..密封蓋 36 · · ..密封元件 37 · · ..肋元件 38.. ..絕緣構件 39 . · ..排氣口 40 ·. ..空氣 -18- --------------裝--------；訂—,-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印？衣 480568 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 . 一種基板處理裝置，其特徵在於具備有：處理管路、 晶舟、腔室、密封法蘭、及密封蓋者；其中， 該處理管路，係形成下端具有爐口的處理室者； 該晶舟，係出入於該處理室，用於將基板搬出入 於處理室者； 該腔室，係配設於該處理管路下方，並形成供該晶 舟呈待機狀之預備室者； 該密封法蘭係配設於該處理室與該預備室之間，並 開設有供該晶舟通過的開口者； 該密封蓋係以可自由掀起與蓋合方式，配設於該密 封法蘭之該處理室端上，並連接於該密封法蘭，而將 該開口予以氣密封閉者。 2 .如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該密封 蓋係具備有：將該密封法蘭開口予以氣密封閉的密封 元件，與補強該密封元件的肋元件。 3 .如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置.，其中在該 處理管路外側上設置有供加熱該處理室的加熱單元， 並使該加熱單元包夾該處理管路，且在與該密封蓋相 對向位置處，開設有供冷煤排氣用的排氣孔。 4 . 一種基板處理方法，其特徵在於使用具備有：處理管 路、晶舟、腔室、密封法蘭、及密封蓋之基板處理裝 置，而處理基板的步驟者；其中， 該處理管路，係形成下端具有爐口的處理室者； -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--------，訂---------綠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480568 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該晶舟係出入於該處理室，供將該基板搬出入於處理 室者； 該腔室，係配設於該處理管路下方，並形成供該晶 舟呈待機狀之預備室者； 該密封法蘭，係配設於該處理室與該預備室之間， 並開設有供該晶舟通過的開口者； 該密封蓋，係以可自由掀起與蓋合方式，配設於該 密封法蘭之該處理室端上，並連接於該密封法蘭，而 將該開口予以氣密封閉者。 5 .如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中該密封 蓋封閉該密封法蘭開口時，將該預備室的壓力，設定 爲低於該處理室的壓力。 6 .如申請專利範圍第4或5項之基板處理方法，當該晶舟 將該密封蓋由該密封法蘭上掀起時，便將該預備室的 壓力，設定爲該處理室壓力以上的壓力。 7 . —種電子裝置的製造方法，其特徵在於使用具備有： 處理管路、晶舟、腔室、密封法蘭、及密封蓋之基板 處理裝置，而處理基板的步驟者；其中， 該處理管路，係形成下端具有爐口的處理室者；該 晶舟係出入於該處理室，供將該基板搬出入於處理室 者； 該腔室，係配設於該處理管路下方，並形成供該晶 舟呈待機狀之預備室者； -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--------訂-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 480568 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該密封法蘭，係配設於該處理室與該預備室之間， 並開設有供該晶舟通過的開口者； 該密封蓋，係以可自由掀起與蓋合方式，配設於該 密封法蘭之該處理室端上，並連接於該密封法蘭，而 將該開口予以氣密封閉者。 ---------------裝--------，訂ir-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）