TW478040B - Method for producing a thin membrane and membrane structure so obtained - Google Patents

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478040 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 技術領域 本發明是關於一種產生薄膜的方法以及以該法獲得 之膜結構。此膜可以一或多種材料組成，特別是單晶材料。 其可以自我-支撐或固定於一支撐基材上俾使所得結構物 具硬度。 這種類型的膜提供多種優點。例如，言及製造柔性 基材，其可能使用本發明的膜或任何其它需要薄膜的應用 (玻璃上或塑膠基材上的矽膜）。柔性基材意指一種結構 物，其可以接受由結構物黏著於其上所產生的應力，以及 其可以是藉由混雜遙晶術沈積於此基材表面上的一層。 先前技術 FR-A-2 681 472敘述一種用以在半導體材料中製造 一薄膜之方法。此文件揭露，將一稀事氣趙或氫氣植入一 位在半導體材料内之基材中，能夠在一接近於植入離子之 平均穿透深度的深度處產生微室或微泡，稱“微板趙 (platelets)’’。假如此基材透過其植入的表面被置於與一強 化元件緊密接觸，以及假如在一足夠溫度進行熱處理下， 在微室或微板體之間會發生交互作用而導致半導體基材分 離成兩個部分：一個是黏著於強化元件的半導艘薄層，第 二個是半導體基材的剩餘部分。分離發生在微室或微板體 存在的位址。熱處理致使植入所形成之微室或微板體之間 的交互作用導致薄膜從基材的剩餘部分分離。因此，薄膜 從起始基材移轉至一作為此薄膜之支撐件的強化元件。 此方法除半導體材料外亦可用於在固態材料中薄膜 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------r---訂··-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^〇4〇 A7 __B7__ 五、發明說明（2) 的製造（導體或介電材料），不管結晶與否。 由前所引述之FR-A-2 681 472 (對應於美國專利第 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5,374,564號）以及FR-A-2 767,416中所述方法可知，在同 " 質材料中移轉一薄層或製造同質或異質多層於一亦被稱為 ， 強化元件之機械性支持物上是可能的。此移轉可利用熱處 理而有利地進行。然而，此熱處理可能會伴隨著機械性分 離或完全被其取代，例如藉由以個別或組合方式來施加張 力和/或剪力和/或撓性力。此方法係述於fr_a_2 748 851 已有顯示’假如植入的離子位於足以在完整基材之 上產生碎裂的深度’且在植入表面無局部隆起產生，則可 在不需強化元件下使用此技術。在此方面，可以參考？1^ A-2 73 8,671 (對應於美國專利第5,714,395號）。在這個案 件中，微室區域需位在一相對於植入表面的最小深度以達 成碎裂，如此薄膜可能具足夠的硬度。要得到硬度亦可透 過使用一或多層沈積於伴隨碎裂的薄層上。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合· 作 社- 印 製 以上引述之文件敘述數種能夠得到薄層材料的方 法。此薄層可能是同質的，包含微電子或光電子組成物之 全部或部分，或甚至是異質的。異質的意思是指，其可以 由多種互相堆疊的元件構成。這些層的堆疊一般是藉由磊 晶成長獲得。隨著磊晶成長，不同層之間產生相容性的問 題。這些相容性的問題例如可能與廣泛不同的篩孔參數相 關，而導致於至少一層中產生混亂。在這情況下，會有一 些結構物無法獲得。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 478040 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 前述文件FR-A-2 73 8 671也指出，植入必須於一能量 下進行，藉此在離子穿透的深度至少相等於使膜堅硬的最 小深度下。據指出，對於矽而言，最小穿透深度係位在5 μπι 甚至4 μπι之等級。此相當於一為約500 keV之植入能量。 金剛砂是比矽更堅硬的材料，該薄膜的最小可能厚度是1 μπι。所以，使用此方法可獲得薄膜或薄層其厚度大於提 供薄層某種堅硬程度所需之最小厚度。堅硬的薄層是指其 機械特性於第二步驟中（相當於熱和/或機械處理）足夠避 免膨脹、微板體或微板體爆裂的發生，如此第二步驟的應 用足夠以達成表面之脫離。然而，在這個方法中，根據所 需膜的機械本質，使用商業上標準有用的植入法是不可能 獲得自我-支撐的薄膜，也就是說使用最大的植入能量2〇〇 keV。例如，使用這樣的能量不可能獲得具4 4讯厚度的矽 薄層。 假如需要使用標準植入法（能量小於200 keV)移轉薄 膜於一傳統支撐物之上，則會產生另一個問題，也就是說 一支推物其沒有足夠的硬度去獲得強化作用。例如，不可 能移轉單晶的矽薄層於具撓性支撐物上，像是使用在FR-A-2 725 074中所揭示之沒有把手式中間支撐的塑膠支推 物。然而，要成為有利用性的方法，即要能克服把手式支 撐物的需求且能夠直接移轉薄膜至最後的支撐物上。 本發明的揭露内容 本發明對於上述問題提供一種解決方案。此解決方 案係令兩個基材經由其植入表面互相固定，植入作用係被 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----：------------Γ---:訂·ΓΙ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 莓· 478040 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 進行成基材裂開現象係發生在植入區域内。然後可能獲得 由兩個薄層連結形成的膜。在膜與支撐物之間沒有黏著力 (強或弱）的情況下，此膜可被移轉於任何種類的支撐物上 (半導體、金屬、塑膠、陶瓷）。 因此，本發明的標的是一種用以產生薄膜的方法， 其特徵在於包括下列步驟： - 通過第一基材的一表面以及第二基材的一表面 而植入氣鱧物質，該氣體物質能在此等基材上產生微室， 而於每個基材中劃分出一座落在此等微室與植入表面之間 的薄層’該等微室在植入後會造成該薄膜從其基材上分離; - 將第一基材組合至第二基材上，以使得該等植 入表面互相面對； • 令各個薄層從其基材分離，該等薄層仍然組合 在一起而提供該薄膜。 氣體物質意指諸如氩或稀有氣體等元素，該氣體物質係呈 其原子型式（如H)或其分子型式（如h2)或其離子型式（如 H+、H+2···)或其同位素型式（如氘）或同位素以及離子型式。 植入意指任何用以嵌入先前定義的物質之方式，其 等可被單獨地或是合併地使用，諸如離子砲擊、擴散等。 根據不同的具體例，步驟的引導如下： * 植入第一基材以及第二基材， " 透過植入的表面將第一基材組合至第二基材上， - 以同時或連續方式分離每一個薄層。 根據第二個具體例，步驟的引導如下· -----丨丨！ ！-裝ill·— —訂-！ •線 (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁)

Α7 五 、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 植入第一基材， • 將第一基材之植入表面組合至欲隨後植入之第 二基材表面上， ~ 令該薄層自第一基材上分離開’該層仍然結合 於第二基材上， • 透過自第一基材分離來的薄層植入第二基材， • 令薄層自第二基材上分離開，該層仍然組合於 第一基材之薄層上，從而提供該薄膜。 在兩個基材中，在植入與兩基材併合之前提供一預 備步驟，該預備步驟係由下列所構成：在一與欲於基材内 形成之薄層的厚度相對應的深度下，在欲植入之基材中製 成一包含物質’該包含物形成後績將植入之氣體物質的捕 集體’例如藉由離子植入或擴散。包含物之層可以使用薄 層沈積技術形成。其可由產生線或產生顆粒接合組成。 在單晶材料之基材中，該氣體物質的平均植入深度 是決定於相對於植入方向的單晶材料之晶體網絡的排列。 對於一給定之能量而言，假如使用離子管道或植入物種， 可達到較大的氣體物質穿過之平均深度。為此目的，其足 夠進行平行於晶體方向或平面（只含單晶的材料）的植入。 以相反的方式，在給定的能量下以傾斜植入進行時，可能 會減少植人的深度。在本案中，材料之晶想轴蚊向成離 子在材料中沒有偏好的穿越方向。 任擇地，植入係透過第一基材的表面和/或第二基材 表面來進行，從而製成完全或部分的至少一電子和/或光 表紙張尺度適用中國ii^iCNS)A4規格⑽χ撕公爱 i ί l· — I— t I — — — — — — {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478040 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 電子和/或光學組成分和/或微系統。甚至於被隱蔽的區 域，植入可能是有作用的。 根據另一具體例，假如每一薄層的分離是以連續方 法完成，在薄層的第-個分離完成之後，完全或部分的至 少-個電子和/或光電子和/或光學組成分和/或微系統係在 藉由此第一分離而暴露出之薄層上完成。例如，於一薄層 上製造的組成物是一 DRAM記憶體。假如存有一個表面形 態，此表面可以於接觸之前被平坦化。 第一基材與第二基材之組合係使用一選自於藉由分 子黏著的結合方法、藉由一黏著性基材之結合方法或使用 一中間化合物等技術。 此第一基材組合於第二基材之上的製造亦可以藉由 嵌入一個中間層。中間層的存在可以變化膜的表面硬度以 及移轉條件。特別地，其可變化連接的條件和/或機械碎 裂條件。 有利地，獲得該薄層的分離係以熱處理和/或施予機 械力。在所有案件中，移轉的條件顯然依據植入條件（劑 量、能量、施予晶圓的熱時間表）以及在取代區域上結構 所致的應力。機械力可包括張力和/或剪力和/或撓性力。 機械力可以垂直於和/或乎行於層的平面施予〃其可限制 於一點或一區域或適用於對織或非對稱型的不同位置。例 如熱能量的供給可以使用雷射束。機械力能量供給可以使 用超音波。 假如薄層的分離意指熱處理的應用，後者可以在控 -9 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------Μ Λ immw I i_l ϋ · i_i 訂·1 -------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁' 478040 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明說明（7) 制壓力下施予（如氣體或機械壓力）。在熱處理或分離時減 低壓力會促進分離。此方法下，其可能於較低劑量的植入 氣體和/或較低熱處理下獲得分離。較低熱處理意指回火 係在較低溫度和/或較短的時間下進行。假如壓力增加， 在分離出現時碎裂的狀態會被變化以及分離會被延遲。這 延遲可旎是有利於在碎裂後產生較少的粗糙表面，但是也 有可能在形成的微板體於大氣壓下達到回火之狀態下獲得 碎裂。 有關應用方面，在從至少一個基材分離之後，此膜 可以被固定於最後或目前的支樓物。 本發明之另一目的是使用上述方法所獲得的膜。此 結構可以包含一攜帶此膜的支撐物，此支樓物所用材料可 以在半導體材料、塑膠材料、陶瓷材料以及透明的材料之 間選擇。 其中一個薄層可以用矽和其它第III-V族半導體材料 如 GaAs 〇 此膜亦包含被插入於兩個薄層之間的中間層。例如， 兩個薄層是Si，而中間層是Si02、Si3N4或與數種材料和/ 或多重薄層所構成之組合。根據另一例子，兩個薄層用半 導體材料而中間層用導體材料如鈀。 — 根據另一不同的具體例，其> 中一層是用Si，另一層 是用Ge，此薄層係經摻雜，以使得該結構形成一個光電 動勢電池。 ， 圖式之簡要說明 • 10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • MmMm n n 1 ϋ ·1 ϋ n I 1 · 1 ϋ ft— ϋ Bi el ^rJ· ϋ ϋ -言 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 泰· 478040 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（8) 讀取下列的說明，會比較 優點和特殊的態樣，其係配合圖犬：發明以及明白其它 參考來說明，其中： 圖式和非_限制性的例子為 • 第1圖至第4圖說明士 & ;支撐膜的不同步驟， 乂本發明方法獲得-自趙· -帛1代表第-個結構，其包含—㈣本發明之 薄膜的支持物， 广_帛6圖代表第二個結構’其包含一搞帶本發明之 >專膜的支持物。 本發明之具體例的詳細說明。 使用於產生薄層#基材可以是固·態或已經含一或多 個藉由如磊晶沈積的薄層。 對於每個基材，氣體物質可以在不同能量和劑量下 進行。也可使用不同氣體物質傳導。 藉由透過分子任擇地黏著與存在不同功能的中間層 之結合可使基材固定於另一個上。其可能選擇因為其電子 的和/或光學的和/或機械的和/或溫度的特性。其可能是絕 緣的或導電的。其機械特性的選擇是如結構硬度以及能夠 減少所需厚度。 薄層與其基材之分離可以同時或連續的方法完成。 分離可以於熱處理和/或機械力同時施予或於任擇地熱處 理之後完成。假如熱處理的目的是去獲得分離，這必須使 用與所有其它熱處理相關的熱處理步驟來進行回火（植 入，鍵結··）。假如是使用機械力來分離，且假如晶圓在植 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） Μ---------t---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478040

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9) 入的步驟時已足夠弱的，熱處理可以降低或甚至不存在。 機械分離的進行是藉由以個別或與另一個組合方式來施加 張力、剪力或撓性力。 在完全分離（是指兩個基材）或部分分離（指一個基材） 之後，一種變化的方法係由令該等薄層中之一者接觸攜帶 此膜的支撐物組成。此支撐物可以是中間支撐物，其能夠 進行組合物碎裂的步驟，或其可能是最後的支撐物。使用 中間支撐物是指可能去選擇這些步驟可以進行的表面。 本發明提供很多優點，概要如下。 此提供藉由離子植入方法，使用習知植入物在所指 定的植入能量200 keV操作下獲得自我-支撐膜的機會。 對於所給之膜的厚度而言’當兩個基材在被固定前 植入’使用兩個已植入的基材使其可能減少一半植入的深 度’因此而減少植入所需能量。此能量減少變化了薄膜移 轉時所需最小劑量。已發現當植入能量增加時，最小劑量 可使移轉增加。如以氫離子以及能量90 keV的案件為例， 移轉時劑量的需求被指定為3·5·1016 H+/cm2 ，然而此劑量 被指定為4.5.1016HVcm2於400 keV下（劑量的給予是以 同樣植入來指定，也就是說在植入電流、接觸溫度、任擇 的冷卻的固定狀態下）。簡言之，兩次植入不需雙倍的劑 量。 獲得以至少兩種不同材料製成的薄膜是有可能。所 需要的是將兩種被植入的材料接觸，該等接觸可能以不同 方法元成（藉由分子黏者結合、使用中間化物或甚至使用 •12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----、--II---------Γ---,訂·：-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478040 • A7 B7 五、發明說明（3 黏著劑）。在這些中間化合物之間，金屬化合物可被引述 成一個例子，或絕緣組成物和/或控制應力的化合物，其 以隨後與不同材料層連結的結構出現。所以，以此方法可 能產生具至少兩個單晶層的不同結構，其可任擇地置於絕 緣的邊或傳導薄膜邊。 透過在每個情況可為不同的植入深度之選擇，有可 能製成所選定之結構。伴隨此可能性，可得不對稱膜。須 P 注意的是，分離所需最小劑量是與植入能量和材料有關。 因為有兩個區域（每個基材中之一）包含藉由碎裂導致 基材分離的微室，有可能控制關於另一個的碎裂區《假如 對每個基材，基材在不同狀態下進行植入，有可能從其基 材的一層中獲得第一個分離，然而另一層仍然完整的在基 材上。以此方法可得由兩個薄層形成的膜，其仍完整的在 其中一基材上。然後有可能於因分離而暴露之表面上製造 一或多種組成物之全部或部分。特別包括熱處理可以進行 I 的步驟。隨後，此暴露表面可以被結合於一支撐物以及從 其基材分離而來的另一薄層，其可以使用機械力和/或熱 處理達成。 獲得一非常薄之薄膜的優點在於其可以沈積於任何 在膜與支撐物之間沒有強黏著力存在的支撐物。然後可能 獲得一半-支撐膜，其對於柔性基材應用以及移轉至在熱 擴散係數中具強變化之基材有興趣。 氣體物質可被嵌入或置於一個被選擇用於以不同方 法碎裂的區域。例如可以引述藉由碰撞之離子植入（相當 -13· 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑽X 297公爱） -------i l ^r l! ^ -----r---t---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（12) 此方法，可得一膜，其在氧化層上形成矽薄層，而其本身 置於矽薄層上。此膜可以移轉至任何支撐物上。第6圖是 顯示一個結構，其包含一個支撐物3,如玻璃，在該支撐 物上有膜40結合於其上。此膜40包含第一個置於支撐物3 上之石夕層41、一個氧化層42以及第二個矽層43。 在其它應用上，假如在兩層膜之間需要電子接觸， | 則可以使用中間金屬層，如纪。 在使用一致的基材下，本發明的方法可獲得一膜， 其包含一GaAs層以及一矽層。例如，GaAs基材在劑量 8·1016 R^/cm2 , 200 keV下被植入，而矽在劑量1〇i7 ，H+/cm2 ’ 200 keV下被植入。此兩個基材在清潔之後， 透過他們被植入的表面以分子黏著法互相接合。回火之結 構在250。(：烤箱中30分鐘下獲得。熱處理誘導在GaAs| 材中植入的區域縱向碎裂。在此階段，已經獲得^八5層 移轉至植入的；5夕基材。在35〇。(：回火1小時下所獲得的結 ^構^致在矽基材之植入區域縱向碎裂。得一由矽薄層以 及GaAs薄層構成之薄膜，其可以用做成長基材以形成新 . 材料層。 - 以此方法，亦可使用兩個GaAs基材來獲得一，單獨

GaAs膜。透過本發明之方法，此膜可以移轉至任何種類 之支撐物，甚至於表面狀態在後來以分子黏著法之結合是 不相容的，或假如形成的結構被回火，結構之不同材料之 間的熱擴散係數導致強溫庋應力出現。以此方法其亦可能 使用簡單黏著、低溫焊或銅焊將膜固定至其支樓物上。 -15- 本紙張尺度綱+關家標準（CNS)Ai規格（210 X 297公爱） /叫4〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（1 為了以薄膜吸收大部分的太陽光譜，使用本發明之 方法’有可能產生一個光電動勢電池包含具互補吸收光譜 的兩種材料（Si和Ge)。為了此目的，矽基材以劑量7·1016 H+/cm2和能量2〇〇 keV植入，可預期獲得一18 μπι厚的 薄層。鍺基材以劑量7.1016H+/cm2和能量200 keV植入， 可預期獲得一 1.6 μιη厚的薄層A 。假如需要，Si和Ge基 材事先在表面塗加強料以於進一步的膜上形成隧道接合 面。然後基材藉由分子吸附法透過他們的表面結合在一 起。此結合可以透過導體之中間傳導和/或透明的層，如1〇 nm厚的Pd或AlTi薄膜。 藉由在500°C下回火30分鐘，於矽基材中製造碎裂以 獲得相當的薄膜。矽基材剩餘的部分被移除。為了改善藉 由石夕的光子吸收，磊晶可以任擇地被由薄石夕層上帶出去。 此磊晶可以於液態或氣態下進行。 然後在溫度小於9 3 7 ° C以及結構由碎邊結合至玻璃支 撐物時，在矽這一邊的電池部分碎裂。 例如使用機械力、張力，緒的薄膜從其基材分離然 後獲得一膜。然後一金屬薄層沈積於鍺的薄層以形成包覆 的電池之後面表面電極。 藉由在高能量下（如400 keV)進行氫植入，可得較厚 的矽和鍺層，其在此提供較大的光子吸收。 在此範例中，可適用於以能量200 keV下植入獲得產 生由兩種材料製成較厚的膜和所有較厚的物件。 -16· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ----:丨！ 7--------l·---.訂i — (請先閲讀背面之注意事項再填窵本頁)

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Claims (1)

1. 478040

   A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第89112868號專利申請案申請專利範圍修正本 修正曰期：90年11月 1 · 一種用以製造薄膜（1、40)的方法，其特徵在於包含 下列步驟： - 將氣體種類通過第一基材（10)的表面（12)以及第二 基材（20)的表面（22)’在基材上能夠產生微室（I〗，21)界 限，於每個基材中在微室與植入薄膜間產生一薄層（13, 23)’而在植入後產生的薄膜能夠導致薄膜從其基材上分 離； - 將第一基材（1 〇)組合至第二基材（20)上，藉此植入的 表面（12, 22)互相面對； - 分別令薄層與其基材分離，此薄層（13、23)仍然組 合在一起而提供該薄膜（1、4〇)。 2·如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵 在於此等步驟係以下列順序進行·· - 第一基材（10)和第二基材（20)的植入， - 透過植入表面（12，22)將第一基材組合（1〇)於第二 基材（20)上， 以同時或連續方式分離每一薄層（13、23)。 3.如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵在 於該等步驟係以下列順序進行： - 第一基材的植入， -將第一基材之植入表面組合至欲隨後植入之第二基 材的一表面， 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) •訂丨 t 478040

   六、申請專利範圍 '令該薄層自第一基材上分離，該層仍然組合於第二 基材上， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -透過自第一基材分離的薄層植入第二基材， "令該薄層自第二基材上分離，該層仍然組合於第一 基材之薄膜上，從而提供該薄膜。 4·如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵在 於於植入之前提供一預備步驟，該預備步驟係由下列所構 成·在一與欲於基材内形成之薄層所需的厚度相對應的深 度下，在欲植入之基材中製成一包含物層，該包含物形成 後續植入之氣體物質的捕集體。 5 ·如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵在 〇 於在一單晶材料之基材中，該氣體物質的平均植入深度是 決疋於相對於植入方.向的單晶材料之晶體網絡的排列。 6·如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵 在於植入是透過第一基材和/或第二基材的一表面來進 行，從而製成完全或部分的至少一電子和/或光電子和/或 光學組成分和/或微系統。 7·如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵 在於每一個薄層的分離是連續地完成，在薄層的第一個分 離完成之後，完全或部分的至少一電子和/或光電子和/或 光學組成分和/或微系統係在藉由此第一分離而暴露出之 薄層上完成。 8·如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵 在於該第一基材（10)與第二基材（20)之、组合係使用一選自 ---------18_ 本紙張適用f關家標準（哪）A4規格（2似297公 478040 A8 B8 C8 -—____ D8 六、申請專利範圍 於藉由分子黏著的結合方法、藉由一黏著性基材之結合方 法或使用一中間化合物等技術。 9.如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵 在於該第一基材組合至第二基材之上係以插入中間層（42) 疋成0 10·如申請專利範圍第1項之製造薄膜之方法，其特徵 在於該薄膜（13,23)的分離是以熱處理和/或機械力完成。 11·如申請專利範圍第1〇項之製造薄膜之方法，其特徵 在於該機械力包含張力和/或剪力和/或撓性力。 12.如申請專利範圍第1〇項之製造薄膜之方法，其特徵 在於分離步驟包含使用雷射光束將熱能提供至該等微室。 13·如申請專利範圍第10項之製造薄膜之方法，其特徵 在於分離步驟包含使用超音波將機械能提供至該等微室。 14·如申請專利範圍第10項之製造薄膜之方法，其特 徵在於該分離涉及熱處理的應用，該熱處理是在經控制之 壓力下進行。 '15·如申請專利範圍第丨項之製造薄膜之方法，其特徵 在於從至少一個基材分離之後，此薄膜被固定於一最後或 暫時的支撐物。 16. —種薄膜結構，其特徵在於包含由申請專利範圍第 1-15項中任一項之製造薄膜之方法所製得之薄膜以及一個 攜帶該膜（1、40)的支撐物（2、3)。 17. 如申請專利範圍第16項之薄膜結構，其特徵在於該 支樓物的材料是選自於半導體、塑膠材枓、陶曼材料以及 __ 19 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公爱) '' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 •訂丨 聋 478040 、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 透明的材枓。 18·如申請專利範圍第16或17項之薄膜結構，其特徵 在於該等薄層中之-者是矽，而另-者是第III-V族半導 體材料。 19·如申請專利範圍第16或17項之薄膜結構，其特徵 在於該獏（40)亦含有一位於兩個薄層（41，43)之間的中間 層（42)。 9 2〇·如申請專利範圍第19項之薄膜結構，其特徵在於該 兩個薄層是Si，以及該中間層是Si〇2、Si3N4或與數種材 料和/或多重薄層所構成之組合。 21·如申請專利範圍第19項之薄膜結構，其特徵在 該兩個薄層疋半導體材料，以及該中間材料是導體材料。 22·如申請專利範，圍第21項之薄膜結構，其特徵在於謂 中間層是鈀。 23.如申請專利範圍第16項之薄膜結構，其特徵在於驾 等薄膜中之-者是Si，另—者是Ge，該等薄㈣經掺雜 以使仵該結構形成一光電動勢電池。 於 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 奉 .訂· :線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐）