TW476051B - Process for the manufacture of components on glass substrates that have to be sealed, such as flat display screens of the plasma-panel type - Google Patents

Process for the manufacture of components on glass substrates that have to be sealed, such as flat display screens of the plasma-panel type Download PDF

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Description

47605|公告本 五、發明說明(1) 本發明係關於製造破璃基材上必須密封之組件,諸如 電漿面板型或場發射顯示(亦稱FED)裝置之平面顯示屏。 在此等用途中,組件是由彼此必須密封的二玻璃基材 組合所製成。尺寸必須等於顯示屏作業面積的基材,對角 線可超過100cm。構成組件之基本要素。選用玻璃做基材 有多項理由。 第一,基材形成顯示屏之可目視部份時,為顯示屏具 有適當光學和機械性能所不可或缺。 其次’在上述組件製造中涉及的各種步驛,有些情況 下使基材暴露於6 0 0 °C程度的高溫。所以,必須確保基材 一方面可耐此等溫度,另方面在製造步驟後可符合精密的 原有維度。 目前只有礦物玻璃能夠以廉價方式符合此等特殊要 求。 此外’上述玻璃基材上組件之製造,涉及接續重疊層 之沉積’以形成結構元件或產生積層。尤其是必須將二層 或多層不同材料加以重疊。在此情況下,各種重疊材料往 往不具有相同的熱膨脹係數。接著,重疊層在暴露於高溫 時’會受到高度機械應力。在二層間的介面有剪力作用的 此等應力’在層間會產生龜裂或細裂紋,極易減少組件效 能或使用壽命。 為更加瞭解組件製造中基材所遭受的應力,可參照第 1至5圖考量由二玻璃基材製成彩色電漿面板(pp)之例。 圖示PP為具有矩陣結構之AC型。其操作即基於二面對
第5頁 五、發明說明' " ---- 層間之光放電,各層覆以一層氧化鎂“。’該層覆 之笛07破璃基材上之一排電極。此種面板詳載於本申請人 之第97/〇7181專利申請案。 於營Ϊ第1圖所示,/基材呈玻璃瓷磚2, 3形,其面積相當 66田、、屏的顯示寬鬲比,加上包括連接件和基材密封機構 的σ邊部份(第2至5圖)。此等基材2,3彼此對立,相面對 體面(内面)間稍微分離,在結合成一體時,可容納放電氣 旨在形成ΡΡ前面(相對於觀看者)的第一基材2,帶有 的八^[平行電極Yl-Ys,構成列電極。此等電極埋入厚層5 Λ、貝材料内。此層本身覆蓋薄介質層5 1 ’例如氧化鐫 ,旨在暴露於放電氣體。 、 的八ΐ =基材3帶有第二排平行電極X广χ5,也是埋入厚層β 於放雷Α料内,介質材料本身覆蓋薄介質層61,旨在暴露 成行電Ϊ體。此等電極置設垂直於第一排電極Y1-Ys,並構 基材3又含有障壁7,在薄層上,沿二相鄰行電極 5:的各中間軸線置設一障壁。 的嶙irf Γη3表面在障壁7中間,覆蓋直接沉積在薄層上 —同形士’ 。各碟條容納在二相鄰障壁7之間。諸磷條 8,9,?之重複例如紅、,綠、藍之三種接續相鄰條 向與d9材1〇包含磷材料内凹陷面積Ep「Epn ’在垂直方 土材2的第一排電極之各電極Yi-Ys對齊。此等面
m 第6頁 積、S明ί明⑶ 士 暴♦二通孔’使薄介質層在第一和第二電極排間的交叉點 <放電氣體。可以產生放電電池,相當於這點。 1々因此\在圖不實施例中,由第一列電極γι與行電極χι 成5 ^ ^ ’形成一列電池,各電池在物理上是由一通孔形 孔Ε 一電池Cl位在第一通孔Ερ!,第二電池C2位在第二通 P2,依此類推,直至圖示第五通孔Eps,在物理上形成 於终Ϊ池C5第、第二、第三通孔ΕΡι、Ep2、Ep3分別位 ^色磷條8、紅色磷條9和藍色磷條丨〇。因此,相當於三 喱不同色的單色電池,三種之間形成三色電池。 來障壁7有二項功能。一方面用來限制光放電至所產生 γ ζ、之電池,尤其是防止放電藉離子化效應傳播至列電極 螢I3:因而防止電極間的串擾現象。另方面,障壁7構成 :九屏,使光從一電池相對於鄰邊電池向列電極輻射 避免串擾效應,由顏色缺乏飽和可以證明。 、 障壁7在圖示實施例中有隔開基材2, 3的功能。在此情 $下,障壁高度Η1,把瓷磚間的分開固定,瓷碑2帶有 電極YrY3,支承在障壁頂面。 田按照其他設計,基材2,3間的空間並非利用障壁,而 是由分佈於至少一基材表面的隔體元件所固定。此等隔體 元件(亦稱隔體)特別可清出障壁上方的空間,以供電池 圍的離子化更佳分佈。 知參見第2至5圖說明二基材之幾何形狀和密封。 第2圖為簡化平面圖,當pp在組合階段時,表示第一 基材2重疊在第二基材3上。
476051 五、發明說明(4) 各基材3和2的行電極X!,Χ2, χ3等及列電極I γ γ等, 延伸稍微超出後者邊緣,形成連接區域以1,1心和^3¥&, 有電子驅動電路之輸出(圖上未示)。電子驅動電路1把選2擇 性點引所必要的各種電壓(1〇〇至15〇伏特的程度)輪送至電 極’在列和行電極間的交叉點維持或熄滅光放電。 弟一基材2包括一 Q域Ya!,Ya2’以供連接電極I γ Υ3 等至垂直於此等電極方向之各對立邊緣。各連接區域Y&1 或Ya£包含二行中有一行電極延長,與另一連接區域或 Yai*含延長輪流。 同理,第二基材3包括二區域Xai,Xa2,以供電極Χι,χ2, X3等連接至垂直於此等電極方向之各對立邊緣。此基材之 各連接區域Xa!或Xaz包含二列中有一列電極延長,與另一 連接區域Xa2或Xa!所包含的延長輪流。 為了方便連接,第一和第二基材2, 3的各寬高比稍微 不同,故各有邊緣(分別為2a和3a)未被另一基材所覆蓋。 對指定基材而言,此等邊緣2a,3a位在二對立邊,此基材 的電極由此伸出。 第一和第二基材2,3利用玻璃線1 4繞基材重搭區域的 周緣密封(第3圖)。在實施例中,玻璃線1 4是定著在第一 基材2上。密封劑相對於此基材的周緣,沿對此基材2的列 電極Y!,Y2, Y3平行的二邊,並在位於沿另二對立邊的邊緣 2 a内側。 須知為了明晰起見,邊緣2a和3a的寬度以高度誇大的 方式圖示;現實上,邊緣寬度只有數毫米而已,而基材之
第8頁 476051 五、發明說明(5) 一側達數十公分。 弟4圖為端視圖’表不漆w 密封劑厚度相當於二基材n封劑14相對於二基材2,3插入 $之間隔,是由障壁的高度決 定。在此圖中 基材 劑典型厚度約100微米,寬\間€隔^度放大以求清晰,密封 為使密封劑1 4周緣内的_ ^ 抽真空起見,基材之一(即可Γ基材間所容納放電空間可以 16。管16形成放電空間之進ψ’旨在形成PP的後面)含有管 點,在密封劑1 4周緣内側,機構。所以位在基材上的一 入基材的洞孔所形成,1外:在電極排外側。管是由貫穿 奶嘴。抽真空和充填低壓^開口伸出一段玻璃管,形成 嘴封閉。 €氣體後,將開口熔化,把奶 第5圖以更精密比例尺矣一 之造型。 衣不密封劑14與第二基材3接觸 由前述可知,在生產知 方面^ AL去在生產和叙合結束時,正確操作PP, 方面在基材上重疊元件(電極 丁 方面在密封成一體的第一和第 對準精確度。 障壁 、通孔 之間; 磷)之間,另 需要極南度的 ^ ^ . 、結構愈複雜,其清晰度愈高,則此項對準
:二 ^ 舉例而言’上述類型之PP具有螢光屏之電視 ^同比相田於對角線1 0 7 cm,5 6 0線的水平清晰度需要前述 元件相對對準精密性在30ppm程度,即〇· 003 %。 在玻璃基材上製造各種重疊元件以及玻璃基材的密封 涉及锻燒步驟,傳統上必須在高溫進行。然而,在如此
第9頁 4V6U51 五、發明說明(6) 性 溫度,玻璃基材會變形,有損此精密 一般而言’在厚介質層5, 6沉積時,基材2, 3 -人煆燒操作。此等厚層5,6埋設利用金屬化步驟預〜 在各基材上之電極X广1或Υι-Υ3。典型上用於此等諸居儿積 質材料,是硼矽酸鉛等礦物質。沉積在基材上時,=之介 璃料的形式懸浮於粘合劑内,得以液相沉積。此項坡 按照各種技術進行,諸如絹印、旋塗沉積或旋鑄等/可 一旦此層沉積後,基材2,3經煅燒步驟,旨在焊 合劑,將玻璃料熔化。所以,煅燒溫度必須至少等於」在 的熔點,以硼矽酸鉛介質情況而言為58〇t:。 〈)]質 至少有一基材進行第二煅燒步驟,以穩定 特定隔體。 主i丨以及 障壁典型上利用母質的接續液相沉積,形成於薄介 層上。此母質包含光敏性樹脂,和無機填料,諸如礦物玻 璃,此填料形成障壁的材料。通常此材料需在5〇(rc區域 之溫度大大燒結。此層可利用各種技術沉積,諸如喷灑、 蒸發或旋塗沉積。 障壁圖髮是利用照相平版印刷技術形成,接續施加於 母質之各累積層’直至獲得所需障壁高度。
一旦進行過此等操作,接續層即在48〇t_55(rc左右 的溫度锻燒。此項煅燒步驟之目的在於消除光敏性枯合劑 之殘跡,並將形成障壁的燒結粒炼化。 帶有障壁的基材3是在障壁間已沉積磷條後,進行第 三次煅燒。三種發光色各由分層彼此單獨沉積的特定磷而
476051 五、發明說明(7) 得。各磷層的條圖型是由照相平版印刷技術製成。锻燒之 目的在於燒掉光敏性粘合劑,並穩定磷層。典型是在4〇〇 °C - 5 1 0 °C之溫度進行。 二基材2, 3付之第四次煅燒,是在此等基材間的氣體 放電空間密封時進行。 、 基材 熟化 45〇〇( 在‘案技術中,是利用至少一基材3周緣沉積的玻璃 $線達成,如上述參見第3至5圖之說明。習用上,此糊是 ,3塌秒酸錯玻璃。玻璃可呈可玻璃化或反玻璃化之形式 所用技術而定。玻璃糊一般是利用注射筒沉積。當二 已結合在一起,整體即經煅燒步驟,目的在將玻璃糊 ’將基材固定成一定的組態。 、此密封步驟之煅燒在密封玻璃的熔點進行,在4 2 0 °C - :之間。 增焯二 ’在目前電漿面板之大部份製法中,可看到如下 心步騍: h在接近580 °C的溫度煅燒介質層; 2·在48 0 °C -5 5 0 °C溫度範圍煅燒障壁(視情況連同隔 體); 3·在4〇〇°C -510°c溫度範圍煅燒磷; 4·在接近450 °C的溫度煅燒PP密封用玻璃糊線。 ,以土材2,3 —旦密封後,即進行通過管丨6的抽真空操作 毫巴&去放電空間内拘限的空氣。其次,將低壓(50〇 — 800 。管1氣體混合物引進此空間内,使其可得電漿放電條件 6再利用熔化以封閉玻璃奶嘴,加以密封- Μ
Ι·Β 476051 五、發明說明(8) 每次高溫锻燒都造成基材變形,故精密性的損失在全 部製造步驟中一直累進。因此,宜降低煅燒溫度,雖然只 一步驟亦無妨。 習用玻璃基材都是鈉鈣玻璃製成,其玻璃化溫度Tg大 約5 2 0 °C。此種玻璃若未預先加以穩定,則在6 0 0 °C左右溫 度煅燒操作中,會大約密實化,其量在40 0-6 0 Oppm。 玻璃可在用做基材之前,在約580 °C初期煅燒,而在 某點穩定。然而,儘管此項初期穩定化,玻璃在4 8 0 °C和 更高溫度锻燒步驟中,有變形的傾向。 近來’已可得組成份與鈉鈣玻璃不同之玻璃,於煅燒 步驟後可維持更好的初期容許度。此等玻璃有較高之玻璃 化溫度Tg,在大約580 °C -620 °C範圍。也需要預煅燒以便 加以穩定,即可更佳符合維度穩定性容許度。其維度即可 或夕或少保持一疋’偏差在lOppjn以下至3〇ρριη。然而,此 等玻璃一般不用於平板螢光屏等組件,因為成本仍然太 高。 針對此等問題’本發明之一目的,在於防止玻璃基材 上所形成組件之結構元件或層内有形成龜裂或細裂紋之虞 ,尤其是在例如AC電漿面板之情況下,在厚介質層上形成 的氧化鎂薄介質層。 ' 為此目的’本發明提供平板螢光屏等組件之製法,此 種組件包括第一和第二基材,彼此利用密封劑加以密封, 此法可在實質上低於前案技藝所用溫度,將基材密封。 按照本發明,此項密封溫度降低可藉使用環氧型或聚
第12頁 476051
五、發明說明(9) 丁酸乙稀=(PVB)型材料為密封劑,並在第一和第二基材 定位後’令密封劑經2 0 0 °C至3 0 0 °C間之處理溫度而得。 易έ之,本發明可相對於使用玻璃製密封劑進行的習 知密封技術降溫15〇 —25〇〇c,故需在450 °c左右的溫度溶 化0 如此降溫從而對層沉積元件,尤其是以電漿面板而言 ,有關形成放電表面之無機介質材料(例如Mg〇)薄層,其 龜裂或細裂紋有重大影響。 蓋因由於玻璃、厚介質和Mg〇間的熱膨脹係數不同, 在溫度到達約400 °C時,薄MgO層會發生龜裂。因此,鑑於 本發明,低溫密封可遠離此限度。 此外’習用鈉鈣玻璃在本發明密封步驟用的熟化溫度 或多或少保持穩定。此項熟化亦為最關鍵步驟之一,因其 容易影響到第一和第二基材的相對位置。 ^ ’不需相對應放棄使用鈉辦玻璃做為基材。 最好使用聚丁酸乙烯酯(PVB)材料A’因為此材料在處 理溫度以上時,稍會除氣。 本發明使用環氧或PVB做為密封劑在後述第一次分析 甲更形意外,因為此等材料一般表 ,氽 敬衣現可滲透水蒸氣。如今 如以雷Γ Γ T 染到密封的空間’例 操作降格。 罨轧體之空間,故使組件的 然而,本申請人意外發現姑袓 材料之此項固有渗透性,不
476051 五、發明說明(10) 會導致玻璃基材密封品質的損失。 密封劑相對於寬度宜很薄,此寬度定義是内、外邊間 的分離。以此造型,密封劑暴露段對密封劑從一邊到另一 邊的距離之比小,有利於不透性。此比可為1 : η,η為2 0或 以上,以3 0以上為佳,甚至4 0以上更好。 在密封步驟中宜對密封劑施壓,此壓力可等於或大於 lkg/cm2,甚至大於 2kg/cm2。 若製造組件時,第一和第二基材間之空間需經此空間 之進出機構(諸如基材之一上所設管)抽氣,則此機構亦可 利用環氧或聚丁酸乙烯酯質的有機材料密封。 須知使用本發明有機材料製密封劑,亦可使用有機材 料形成組件之結構層或元件。接著,此等結構層或元件可 利用只需在較低溫度熱處理(像密封劑熟化步驟)之技術製 成。 所以,在密封劑和至少一基材之間,可介置至少一層 有機材料。所以,密封劑可直接或間接靠近至少一層有機 材料,例如覆蓋電漿面板基材之介質層。 此外,按照實施本發明之較佳模式,當至少一基材需 要沉積一層介質,則其製造步驟是,沉積薄層有機材料, 其穩定化溫度在基材變形溫度以下者。 符合此項要件的介質材料當中,可資一提者有聚苯基 喹噚啉(PPQ)或聚醯亞胺(PI )。此等材料在3 0 0 °C -40 0 °C間 之溫度經2 0 - 6 0分鐘期間即告穩定。因此,基材在此介質 層穩定步驟中,其原有維度不會有明顯劣化。此等介質材
第14頁 (ιι) —---- 科層可成層沉澱,m+ o 佳。 予度在3 —20微米間,以5至15微米為 如此所得介質屑 加著色劑,視用 θ /、有透明的天然外觀。於介質材料可 層(或若干介質’、而=。舉例而言,可得白色外觀的介質 效率。此白色外觀可;情況下,爛提高 再者,可於卜、、彳用在;ί質材料添加氧化鈦而得。 保持介質層的透=:=f料加包括玻璃微粒的填料,以 況特別有用。 。光敏性材料曝光操作時,此種情 t使用喷灑或噴搶沉藉I ^ μ i ^ 元件mi造亦包含生產至少-基材所帶隆起特點戈 什諸如電漿面板情況之憨特點或 式是,涉及以不需在4nn t μ 實施本發明之最佳模 件。 需在400 c以上煅燒之技術生產此等元杲 為此此等元件可用諸如聚醯亞胺等有德Μαι 材料可為光敏性。 兑胺等有機材料。此等 盆顏多ί 5機化合物可充填至少一種礦物添加劑,以 /、顏色和/或蠕變強度。如此劑Μ改變 高度應力…’一障壁在二ΐ::ί 括玻璃微粒:便:ίϊί: 添加包 層的良好透明性。 先#作中,保持 第15頁 五、發明說明(12) ------ 本發明亦涉及顯示元件,例如電 元件,包括第一和第二基材,彼此場發射顯示 其特徵為’密封劑係由環氧或聚丁酸::2齊加以密封’ 者。 ^乙烯酯型材料製成 本發明進一步優點和特徵,由下 一 制性實施例之說明,即可更為明白。附圖附圖所不非限 第1圖已如上述,是具有矩陣結槿· 漿面板之一般圖; 。構的已知AC型彩色電 第2圖為第一圖所示電漿面板的_ 化平面圖; 妁一基材相對位置之簡 第3圖為第2圖所示基材之一的簡化 劑之位置; 4 卞甶圖,表不密封 第4圖為第2圖所示二基材之端視圖; 第5圖為第4圖所示密封劑周圍一部份之放大圖。 色雷i ί:製法所舉實施例是在參照第1至5圖所:a:型彩 m思即不再重贅,以求簡潔;唯有本發明各項要旨專 屬之差異加以說明。 製法開始步驟是製造基材2, 3。此等基材呈光學品質 ^ ^,此品質程度的鈉鈣玻璃竟磚形式。以對電視寬高比 為對角線104CmiPP生產而言,竟磚厚度在3ιηιη程度。 在所舉實施例中,製造PP操作組無一需在400 t_440 =以上溫度的煅燒步驟。因此,玻璃基材2,3不受到容易 &成從其原來維度重大變形的應力。此外,此實施例的基 好、明說明(13) - :=旨在加以穩定的初步熱處㉟,雖然此種處理在本發 明靶圍仍然可以設想在内 成排電極Xl,X2,xa等和YhY2,、等先沉積在各基材3和2 的表面二—ί面。Ϊ?可接至電子驅動電路輸出的突出端 (參見第2和3圖),亦在此操作中製成。 此=電極之沉積方法已知。例如可用照相平板印刷沉 積法。:極有積層結構,包括二不同金屬,例如鉻_銅_鉻 序列。f列:各層分別以冷法沉積。然而,亦可設想電極 之製法是=積單層銘或銀,視情況接著是煅燒步驟。
俟金屬化層沉積後’基材經煅燒,旨在使電極穩定在 玻璃表面上。此煅燒步驟通常在較低溫度進行,不損及基 材初期之幾何形狀精密性。 、 其/人,進灯在各基材2, 3上沉積介質層5, 6之步驟。此 等介質層覆蓋於基材的整個作業表面,並埋設電極排。 為了利用較低溫度的熟化步驟穩定此等諸層,係由沉 積成薄層的有機材料製成。層厚特別視相對介質常數^ ^ 而定。厚度通常在2-20微米範圍,大多數情況在5 — 12微米 之間,相對介質常數ε r在2和4之間。
此材 料 可 為 聚 苯 基 喹 Pf 琳 (PPQ)或聚醯亞胺(PI)族。 然 而,可 為 此 S 的 構 想 使 用 可 沉積成薄層之任何有機材 料 〇 在實 施 例 中 有 機 材 料 層 為1酿亞胺,具有如下特 性 • 一 對 可 見 光 線 透 明 5
第17頁 476051
—厚度在5-12微米間,事實上相對介質常數£^在2 和4之間; 一對於厚度5微米之層,電壓強度大於400V ; 一與基材的玻璃膨脹係數有相容性。 有機材料的沉積是在液相中使用已知技術:絹印法、 浸塗法或輥塗法。液相包含適用溶劑内的有機材料填料。 可進一步含有光敏劑,以便可以照相凹版處理。 如此所得薄層先在溫度1 00 t:左右乾燥,例如利用埶 風刀為之。 … 其次,層在發生於溫度30 0 °C和400。(:間的穩定步驟令 在基材上熟化。此穩定化步驟期間約2 〇至6 〇分鐘。 、可視需要於母質有機材料添加著色劑,賦予介質層深 色或白色,或有色外觀。因此,於有機材料加氧化鈦^$ 白色介質層,用於提高PP的亮度效率。 在實施例中’二基材2,3各分別在介質層5,6上沉積 化鎂(MgO)的薄表面層51,61(第}圖)。此等表面層51,“利 用冷技術,諸如噴灑或喷搶沉積法,沉積至厚度在〇 5 " 左右。氧化鎂具有化學安定性和次要發射係;合 與放電虱體介面的角色,在電漿放電中可充分耐受電弧斑 介質材料層一旦沉積後 中,此等障壁只存在於第二 障壁是利照相凹版在光 該項材料可為聚醯亞胺。 即製造障壁。在所述實施例 材3 〇 性有機母質材料層上製造。
476051 五、發明說明(15) 在實施例中,層用液相是由加聚醯亞胺的溶劑所製成 。此液相有充分光敏性,得以使用照相凹版技術,不論是 因為聚酿亞胺和/或溶劑的固有性能’或藉添加光敏劑。 可滿足此功能的聚醯亞胺光敏性有機化合物市上有售。 必要時,有機材料可充填礦物添加劑,以便在面板抽 真空階段(此時壓力可達約1 〇6巴斯克,即1 〇kg/cm2),俾改 進其顏色或其蠕變強度。亦可添加包括玻璃微粒的填料, 以便在光敏性材料曝光操作中,保持層之良好透明性。
上述液相是沉積在第二基材3的介質7上,以形成厚度 在2〇微米程度之層。此層可用介質層所用同樣沉積技術^ 成:利用頌印法 '浸塗法等沉積。 此有機層再使用溫度約100 °C的風刀乾燥。 相平板印刷光罩,此光罩具 壁圖盤相當。層可由光罩透 ,使其抵抗顯像。此層即用 把表面乾燥。 ,其高度相當於有機材料層 其次’在有機層上放置照 有長形孔圖型,與要印刷的障 示的部份,以紫外線輻射曝光 加碳酸塩的水顯像,再用風刀 即得障壁影像的浮雕圖型 的厚度,約20微米。 為達成障壁所需高度,意即1 0 0微米程度,所有上、+、 =驟,從液相中沉積有機材料層到曝光後 a
重複多H欠重複就增加層的高度或厚度。了視q 以便:!ί i數,可改變絹印光罩的垂直位置或其深度 便顧及現有沉積層在瓷磚上的成長。 照相平板印刷周期後,所得障壁結構在熟化步驟中
第19頁 476051 五、發明說明(16) 於基材變形溫度的相對低溫熟化。典型上,此項熟化在 300 °C:40(TC的溫度進行約2〇-6〇分鐘時間。 右有機材料合用,亦可設想使用光處理,例如對紫外 線曝光’以穩定障壁結構。此項處理可以取代或補充上述 熟化。 一_旦製成障壁’即利用照相平板印刷沉積磷層。在第 1H所示PP令’此等層形成條狀,各佔有相鄰障壁7間的面 積。接續條形成相鄰三條一組的重複圖型,三條各分別具 有綠、紅、藍之發光色。 “相當於發光色(例如綠色)之一的磷,製成液狀,包括 光敏性樹脂和懸浮中的磷材料細粒。 此液體使用障壁7沉積的同樣技術,以層狀分散於基 材3整個内表面。 層乾燥後,在基材3内面放置照相平板印刷光罩,從 起&障壁7間I面每第三條才#光,*他二條和障 _、邛則罩住。在曝光條上,光罩亦隱蔽相當於磷内通孔 面〜H f :部份。透過光罩施加紫外線輻射,使曝光表 面造成光敏化。 層經顯像以除去令都去_ 士 ^ ^ ^ 于、紊王0丨未曝先部份,因此,在二相鄰障 壁間每第三位置,留下同樣發 你作州丨早 甘仏―本口缉rU像發先色的介質磷條9〇 材3的、入面% ^入重盾複止此等操作’各新層在液相内沉積於基 :二置 原先沉積的磷條。對於光敏化步驟,使 η = :放在與前次使用偏差1條之處,以形成不 同顏色接續條的圖型。 ^ W卜
476051 五、發明說明(π) 在三種磷沉積步驟後,在38〇°C-44(TC間的溫度煅燒 ,所用溫度以不超過420 °C為佳。 其次,進行第一和第二基材2,3的組合和密封步驟。 β製程從製造密封劑14開始。按照本發明,此項密封劑 疋由環氧或聚丁酸乙烯醋型材料製成,得以在2〇(rc*3〇〇 C:的較低溫度處理。此種材料市上有售,尤其是用做機 動車窗積層玻璃板之中間層。 密封劑14的形狀和位置,實質上如同上述參照第3、5 ,所述。尤其是障壁也有隔體功能時,以其高度所固定的 捃封劑1 4厚度,在1 〇 〇微米程度。密封劑丨4寬度(第5圖内 邊14a和外邊14b間之距離)在數毫米之譜,例如在特定情 況為5mm。所以,須知密封劑寬度約比其厚度多大約5q 倍。 、、、、 密封劑14可用各種技術沉積於基材之一(或視需要於 二基材)上。 ' 可以環乳或P V B可撓性膜的形式切成密封劑形狀,以 製成密封劑14,意即以框架形式限定所要密封的^體空間 之周緣(第3圖)。在此情況下,薄膜可以熱式或冷式沉"積曰 在基材之一,直接在介質表面5或6上。薄膜厚度可比'其 材所需分離稍大,因薄膜可能因基材所施壓力而壓縮。土 亦可構想製造糊狀的密封劑(環氧或PVB)材料/使°其 可用注射筒(或使用類似技術)直接沉積在基材之_(或二 者)上面。利用接受此層的基材和施加此層的頭部門相對 移動,即形式一層密封材料,例如利用機器人手臂。相對
476051 五、發明說明(18) — 移動可以程式規割,谱诚I从 一遵循基材的周緣(第3至5圖)。 在此情況下,亦可將密封材料 壓力加:壓縮,以呈現正確高度。“起過;度,利用 ’、人一基材2,3重疊’密封劑14爽在中門 到2 0 0 °C - 3 0 0 °C間汊洚从老诚 α ^ ^ 干間。整體受 而固定於其度的處 的在使密封材料定型, :土材的接觸表面。此項處理期間約3 0至6 〇分铲。 在此操作中對密封劑施壓約2_4kg/cin2。 至6〇刀鐘。 真空製程繼續在密封劑14内冑,把二基材間所含的空間抽 溫度空第3至5圖)’在18rc和25rc間之 ,諸氣:作為期數“,使用各種手段加速抽真空 俨得i: ί ϊ Ϊ所用材料不論是環氧或PVB ’均可滿意抵 擋付住在此溫度之抽真空操作。 ^ 1抽真空和空間充填放電氣體後,將管1 6密封。管i 6 崔=、,疋藉沉積密封劑所用材料,即某些 把管封閉為之。在此情況下 形成奶嘴的管内為管塞。管密封材料在2 0 0 °c 一 , 皿又’例如使用熱風喷射,進行局部熱處理,加以 穩定。 在提供的實施例内,可資一提的是,為進行製程的各 種步驟(沉積厚介質、障壁、磷和密封劑),所 之穩定化溫度保持在400…rc以下。如今,由於溫度-在要 440 C以下’鈉鈣玻璃在數小時期間内不會變化維度。鈉
476051 五、發明說明 鈣玻璃即 法,或需 本發 ,或是各 基材上沉 術,仍在 引言中說 得以降低 介質層或 必須視為 (19) 使在未 要類似 明並非 種製造 積介質 本發明 過,本 處理溫 障壁之 本發明 穩定情況 容許度的 限於提供 步驟所用 層或製造 範圍内, 發明旨在 度,而有 材料’可 提供基材 下,可與AC型彩色電漿面板之製 其他組件完全相容。 之實施例,無論是所述組件類型 材料和製程之選擇。其中須知就 障壁之相關技術,可換成習用技 即使所需溫度超過上述。蓋因在 先於基材之密封劑穩定步驟中, 助於減少基材變形的效應。選擇 以降低此等元件穩定時的溫度, 穩定性額外改進之隨意要旨。
第23頁 476051 圖式簡單說明 第1圖已如上述,是具有矩陣結構的已知AC型彩色電 漿面板之一般圖; 第2圖為第一圖所示電漿面板的二基材相對位置之簡 化平面圖; 第3圖為第2圖所示基材之一的簡化平面圖,表示密封 劑之位置; 第4圖為第2圖所示二基材之端視圖; 第5圖為第4圖所示密封劑周圍一部份之放大圖。
第24頁

Claims (1)

  1. 476051 p-- • 一_公管幕丨__ 六、申讀專利範圍 f 1 · 一種組件之製法,組件包括第一和第二玻璃基材( 2, 3),利用密封劑(14)彼此密封,其特徵為,密封劑(14) 使用琢氧或聚丁酸乙浠醋(PVB)型材料,而在第一和第二 基材(2, 3)定位後,密封劑(14)經2〇(rc和3〇(rc間之處理 溫度者。 2 ·如申請專利範圍第1項之製法,其中密封劑(丨4)係 使用聚丁酸乙烯酯(PVB)者。
    3 ·如申請專利範圍第1項之製法,其中在密封步驟中 對密封劑(14)施壓等於或大於lkg/cm2,而以大於2kg/cffl2 為佳者。 4.如申請專利範圍第!項之製法,其中密封劑(14)形 成薄層,此密封劑厚度相對於其寬度(其定義為密封劑内 、外邊(Ha’Ub)間之分離)為1:n,其中11在2〇或以上程度 ,以3 0以上為佳,而以4 0以上更佳者。 其中基材(2,3)係由 5 ·如申請專利範圍第1項之製法 納#5玻璃製成者。
    b·如甲μ專利範圍第1項之製法,其中又包含將第 和第二基材(2,3)間所含空間,經由進出此空間的機構 (16),抽氣之步驟,在抽氣後,此進出機構即利用環章 聚丁酸乙、烯酯質之有機材料加以密封者。 7. 如申請專利範圍第丨項之製法,i (2,3)上製成至少一層(5,6,7)有機材料者。 基 8. 如申請專利範圍第7項之製法,其中在至少一夷 (2, 3)上沉積至少一介質層(5 6)有機材料者。 土
    第25頁 4/DUM 六、申請專利範圍 一 ------- 6)上請專利範圍第8項之製法,其中在該介質層(5, 氧化鎮(Μ^οΓ/技術,沉積薄層(51,61)介質材料,例如 和至1ΚΙ ΐ專利範圍第1項之製法,其中在密封劑(14) 基材(2, 3)之間,介置至少一層有機材料者。 (2,3 ) ·上^申凊專利範圍第1項之製法,其中在至少一基材 (PPQU :積至少一層介質(5, 6),係藉選自聚苯基喹噚啉 a iik亞胺(pi)之材料’沉積成薄層之步錄製成 申請專利範圍第11項之製法,其中介質層(5,6) 乐在3 0 0 C和4 〇 〇。(:間之溫度穩定者。 / 13·如申請專利範圍第丨丨項之製法,其中介質層(5,6) 形成厚度在3-20微米範圍,而以5-15微米為佳者。 併如申請專利範圍第21項之製法,其中於旨在形成介 貝層C 5,6)的材料,添加例如氧化鈦等著色劑者。 1 5·如申請專利範圍第丨丨項之製法,其中於旨在形成介 質層(5, 6)的材料,添加包栝玻璃微粒之填料者。y 16·如申請專利範圍第1項之製法,其中又包含製造至 少一基材(3)所帶隆起元件,例如電漿面板之障 等70件係由不需在40 (TC以上煅燒之材料製成者。 17·如申請專利範圍第16項之製法,其中該製 件(7 )所用材料係聚醯亞胺者。 隆起 1 8·如申請專利範圍第丨6項之製法,1 一 件(7)所用絲姐、長Λ 25 1 接造:隆起元 牛⑺所用材枓’添加至少一種礦物添加劑,卩改變其顏
    476051 六、申請專利範圍 色和/或螺變強度者。 1 9.如申請專利範圍第1 6項之製法,其中構成隆起元件 (7 )之材料,添加包括玻璃微粒之填料者。 20. 如申請專利範圍第1項之製法,用來製造電漿面板 者。 21. —種電漿面板,包括第一和第二基材(2, 3),利用 密封劑(1 4)加以密封,其特徵為,密封劑係由環氧或聚丁 酸乙烯酯(PVB)型材料製成者。
    第27頁
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