TW473625B - Active matrix type liquid crystal display device and method for fabricating the same - Google Patents

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473625 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明之背景 I發明之領域： 本發明係關於一種液晶顯示裝置，特別係關於對靜電電壓 具南耐抗性之主動矩陣型液晶顯示裝置，與製造彼等之方法 〇 2 .相關技藝之敘述： 第7圖係顯示使用薄膜電晶體開關元件（本文以下參明爲 TF T)之主動矩陣型液晶顯示裝置i 〇之結構之實例。 - ’代叫顯 不笨置10包含配置成矩陣之TFTs 2與連接於TFTs 2之没極 電極之圖素電容器1。圖素電容器1包含由圖素電杻所形成 <液晶電容器1 a，一對應電極，與介於圖素電極與對應電極 間之液晶層’與平行於液晶電容器丨a之儲存電容器1 b。儲存 電容器lb之另一端被連接至圖素電容線4，而液晶電容器工& 之另一端被連接至配置在對應基板上之對應電極。閘極訊號 、'泉3被連接至τ F T 2之閘極電極而源極訊號線5被連接至τ ρ τ 2之源極。T F T 2藉提供至閘極訊號線3之數據訊號在介於" 開/關”狀態下開關。當TFT 2被打開時，影像訊號電壓經 由源極訊號線5供給至源極而被施加在圖素電容器1上。 短路環（短路電阻器）6被配置介於提供至閘極訊號線3與源 極訊號線5之每一端7之間。短路環6使訊號線3彼此呈電氣連 接；源極訊號線5彼此呈電氣連接；且使源極訊號線5與閘極 訊號線3彼此相互連接，因此防止τ f τ s 2免於遭受靜電之損 害。靜電係於製造液晶顯示裝置之製程，在組合主動矩陣基 板（在其上具有開關元件之基板）時，特別是於配置供驅動在 -4- 本紙張尺度適用中國國豕樣隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -s 473625 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 主動矩陣基板上之LCD之ICs之製程時所產生。 於上述結構中，當短路環6係由與供製造閘極訊號線3與源 極訊號線5之相同材料所製得時，短路環五之_電阻土低而經由 閘極訊號線3及源極訊號線5輸入至TFT 2内之訊號電壓會受 到β響’會造成顯示品質劣化之問題。爲使經由間極訊號線 3及源極訊號線5施加適當電壓至TFTs 2，|要設定短路環6 足電阻達相當高。以故，例如，日本公開專利申請專書編號 62-65455揭示由n_型非晶質矽製得之短路環6。 然而，當短路環6如傳統之元件一樣由n_型非晶質矽製得 時，對於靜電電壓之耐抗性問題並未得到充分地改善。本發 明人等已詳細地研究此問題，且獲得以下之結果：由化學氣 相况和（C VD )方法所製得之非晶質n + s〗之電阻係數約爲】k Ω^η ’而具有5 〇毫微米厚度之薄膜之面電阻係約2 〇 〇 μ Ω。 因此，當具有約1 〇 〇微米長度之短路環係由非晶質n + s丨製得 寺先·路環6之電阻値（介於相鄰輸入訊號線電阻値間之電阻 )係。數士 Μ Ω。電阻値太高，以致於無法完全將導入面板中 之#電何予以釋放出。結果；靜電電壓之耐抗性即無法充分 地改善。 另外，當非晶質n + Si被利用以製造具有足夠低電阻之短路 環時，具有顯不品質會劣化之問題點。本發明人等已發現此 係以下因素所造成：碑（p)之活化速率低，其係植入非晶質 之-ί以形成非晶質n + S i之不純物。因此，改變製程條件，諸 膜开/成之製程’造1成擬活化之P離子濃度之大改變。結 果；有暮些情況下具有電阻値低於平均値一位數或多位數之 本紙張尺度朗中關家料（CNS ) M規格（2獻297公缓） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

473625 A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ 短路環可能被製成。若短路環之電阻値大低，經由閘極訊號 線或源極訊i線施加sTFTs 2之電壓位準變成低於預期位 準之問題會升南，而造成顯+ Λ ,, 、、风肩不斋缺陷。特別是，當在介於源 接訊號線5之間形成之短路環具有低電阻制，經由源極訊 戒線5與TFTs 2施加於圖素電容器之電#位準會比預期位準 明顯浮動，而造成不均勻之顯示品質。 螢明之概要 本發明之主動矩陣型液晶顯示裝置包含：第一基板，其包 含多條閘極減線，與多條閘極訊號線交錯之多條源極訊號 線，附著而鄰接於多條祕訊號線與多條餘訊號線之每— 交錯點之開關元件，與連接於開關元件之圖素電極；具有對 應電極之第二基板；介於第—與第二基板間之液晶層，'其中 至少多條閘極訊號線相互以由微晶質n + s i所製得之短路電阻 器予以連接。 。於本發明之具體實例中’短路電阻器僅連接在多條閉極訊 "5虎線中彼此鄰接之閘極訊號線。 於本發明之另-具體實例中，短路電阻器之電阻値係介於 約5 0 k Ω至約3 Μ Ω之範圍。 於本發明之另-具體實例中，多條閘極訊號線與多條源極 訊號線係I#微晶質n + Si所製得之短路電㈣彼職別地連接 ，且使多條源極訊號線彼此連接之短路電阻器具有約2 〇 〇匕 或更大之電阻値。 於本發明之另一具體實例中’開關元件包含一問極，閘極 絕緣層’半導體屬，由微晶質n + Si製得之源核電極與及極電 6- --------,—丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 本紙張^度適用中國國家標隼（<：奶）八4規格（21〇'乂 297公釐） 473625 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) ^其中多條閘極訊號線之每—條被連接至閘極且被用問極 絕緣層所覆蓋，且多條源極訊號線之每一條係由第一導電層 所形成且被連接至源極電極，而圖素電極係由第二導電層所 :成且被連接至没極電極；且其中多㈣極訊號線之輸二端 係由具有接觸孔之閘極絕緣層所覆蓋，而第三導電層被形成 以使覆蓋至少部份之接觸孔’且短路電阻器被形成以使其與 形成於彼此鄰接之閘極輸入端上之第三導電層接觸。 於本發明之另一具體實例中，第三導電層係由與形成第一 等電層與第二導電層中之至少一種相同之材料所製得。 =矩陣型液晶顯示裝置之製法，其包含多條閘極訊號線 ’努夕條閘極訊號線交錯之多條源極訊號線，附著鄰接於多 條閘極訊號線與多條源極訊號線之每—交錯點之開關元件， 與連接於開關S件之圖素電極，所包含之”H成Μ 閘極訊號線；形成覆蓋多條閘極訊號線之絕緣層；在絕緣層 上形成接觸孔以使至少部份多條間極訊號線之輸入端被曝： 出；在絕緣層部份之上形成由微晶質n+si製得之短路電阻器 以使相當於介於多條_訊號線間之區間；及形成—道 以覆蓋至少—部份接觸孔與至少一部份短路電阻器，：：； 條閘極訊號線經由短路電阻器彼此呈電氣連接。 於本發明之-具體實财，導電層係由與形成 者多條源極訊號線之至少一種之相同導電層所製得。 及 因此，本發明在本文中所描述者使提供主動 示裝置對靜電電壓具有高耐抗與提供具有優異顯示品 不态，與製造其之方法之諸優點變爲可能。 、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕

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第851(W26〖號專利申請案 中文說明書修正頁(90年丨丨月） 五、發明説明（5 ) 本發明之此等與其他優點對於彼等熟練此方面技藝者於閱 讀並了解以下相關附圖之詳細敘述後將變得清楚明白。 圖示之簡易敘述 圖1係顯示本發明之主動矩陣基板之構造之平面圖示。 圖2係顯示本發明之主動矩陣型液晶顯示裝置構造之剖面 圖。 圖3係顯示本發明之另一主動矩陣基板之平面圖示。 圖4係舉例說明介於短路電阻器之電阻值與靜電電壓耐抗 特性間之關係之評價結果圖形。 圖5係顯示本發明之主動矩陣型液晶顯示裝置之tft之構 造之剖面圖。 圖6 Α係顯示本發明之主動矩陣液晶顯示裝置之閘極訊號之 輸入端之構造之平面圖。圖66係取沿圖6A之線6B6B'之剖 面圖。 圖7係顯示傳統之主動矩陣基板之結構實例之平面圖。 元件符號說明 1 圖素電容器 10 液晶顯示裝置 la 液晶電容器 11 閘極 lb 儲存電容器 11a 閘極輸入端電極 2,102 薄膜電晶體 12 閘極絕緣層 3 閘極訊號線 12a 絕緣膜 4 圖素電容線 13 多晶質矽層 5 源極訊號線 14 通道保護膜 6 短路環 15a 源極 -8 - 本紙狀度適財義家標和CNS) M规格(2】Qx 297公货) 473625 第85109261號專利申請案 中文說明書修正頁(90年11月） A7

五、發明説明（5a ) 15b 汲極 107a 閘極輸入端 16 透明電極層 107b 源極輸入端 16a 導電層 112,212透明基板 17,17a金屬層 114 圖素電極 18 保護膜 116,216函向膜 100,400主動矩陣基板 118 封合部分 106a, 106b, 106c 短路電 200 對應基板 阻器 214 對應電極 妨任J·韓實例之敘述 在本文件内，本發明將參考所附之圖示予以描述。 圖1顯示本發明之主動矩陣基板100之構造。主動矩陣基板 1 0 0包含多條閘極訊號線3， 多條源極訊號線5與多條閘極訊 號線3交錯，與附著鄰接於閘極訊號線3與源極訊號線5之每 一交錯點之TFTs 102» TFT 102之閘極電極G被連接至閘 極訊號線3而TFT 102之源極電極S被連接至源極訊號線5。 TFT 2之汲極電極D被連接至圖素電容器1。圖素電容器1包 含液晶電容器la與儲存電容器lb。液晶電容器1&包含圖素 -8a - 本紙張尺度適用t國國家標準(CMS) A4规格(210X 297公釐） 473625 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 應電極’與介關素電極與對應電極間之液晶層。 诸存€^Hlb與液晶電容器_此平行而連接。儲存電容哭 b被提供以使改良液晶電容器！ a之㈣電荷特性。另外，ς =容器1被省略。儲存電容器lb之-端被連接至圖素電 W線4 ’而波晶電容器13之—端被連接至在對應基板上之 對應電極。 、本實例之主動矩陣基板100包含短路電阻器1〇以配置在介 於閘極Λ號線3之相鄰接之閘極輸入端〗〇 7 a間之區間。 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 在本實例之圖2中所示之主動矩陣型液晶顯示裝置3 〇 〇包含 一王動矩陣基板100，一對應基板2〇〇與介於主動矩陣基板 1〇〇與對應基板200間之液晶層11〇。主動矩陣基板1〇〇包含 一透明基板112，配置在透明基板112上之TFT，閘極訊號 線，源極訊號線，圖素電極114，閘極輸入端1〇7a，源極輸 入端107b，短路電阻器，與覆蓋於彼等上之配向膜116。對 應基板200包含一透明基板2 12，配置在透明基板212上之對 應電極214，與覆蓋於對應電極214上之配向膜216。包含於 液晶層1 1 0中之液晶分子之定向係由配向膜i丨6與2丨6所控制 。液晶層Η 0在介於主動矩陣基板丨〇 〇與對應基板2 〇 〇間藉由 封合劑製得之封合部份1 1 8予以封合。於本實例中，閘極輸 入端1 0 7 a，源極輸入端1 〇 7 b，與短路電阻器丨〇 6 a被形成於 封合部份1 1 8之外侧。 在本實例之主動矩陣基板1 0 0之上，並無短路電阻器附著 於介於源極訊號線5之源極輸入端1 〇 7 b間之區間中；因爲在 無短路電阻器下，充分之高靜電電壓耐抗性可被獲得。其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4736215 經濟部中央標準局員工消費合作社印裳 A7 五、發明説明（7 ) 之原因將於以下描述。 訊號線3之靜電之靜電荷較施加於閘極 汲極之雨阻信p j 電電壓耐抗性。介於閘極與 介於源極與没極§ :與介^閘極與源極之電阻値R g s係高於 於門极、—叹电阻値RSd。因此’經由閘極訊號線3施加 電荷被儲存於介於閘極與没極之電容器C —介 ::電壓極電容器CgS、。因爲些電容器Cgd與化之値小 ，不：造極與源極之間或閘極與没極之間。結果 , z、 之損害。反之，因爲介於源極與 没極間 < 電阻信·β ς H A , „ . 4相S小，她加於源極訊號線5之電荷流入 具有大電容之圖辛雷交哭,。 口京％合态1。結果，不易造成具有電荷之 ’、》根據本發明人等所列舉之諸實驗，靜電荷施加 於源極訊號線5之情況下發生缺陷之比率比荷施加於間 極訊號線3之情況低於一位數（參考圖4)。 於本貫例中，配置在介於端丨〇 7 a之區間之短路電阻哭 6 a係由藉電漿化學氣相沉積法所沉積之微晶質n + s丨所製 得L於本專利申請書中，其中添加高濃度不純物之η型矽被 參照爲η+Si。另夕卜，於本專利申請書中，微晶質硬被參照爲 包含以體積計約15%或更大之矽晶體之非晶質矽。另外，使 用於本發明中之n+微晶質矽之電阻係數係介於約〇1至約1〇 Ω . cm之範圍内。例如，藉pcvD法形成之微晶質以以被揭 示於日本公開專利出版品編號2-275620中。例如，微晶質 n+Si可藉PCVD法在氣體組成份爲s iH4/PH3/H2 = 1/1/50與能 量金度爲約〇.5瓦/平方公分之條件下被製成。然而，可使用其他 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） --------------ΐτ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 473625 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 條造利用以形成本發明之短路電阻器之微晶質wi。 w條件下所獲得之微晶質n + s i之電阻係數爲約 cm。此値係低於電阻係數爲約ik Ω.⑽之非晶質往 果二.當微晶質n + Si薄膜被形成以具有厚度約5〇毫微米時: n + Sl海膜之面電阻爲約2GGk Ω。此使其有可能獲得介於端 ^間（電阻値達數百⑶之效應以防止靜電荷所造成之損壞 圖4係舉例詋明當具有各種電阻値之短路電阻器μ“被形 j與因靜電荷所造成而獲得之缺陷發，生比率之曲線圖。靜 % %壓耐杬性測試係在閘極訊號線經由短路電阻器被連接至 接地（GND)之條件下實施。靜電荷在1〇〇 v，2〇〇 pF及^ 之條件下被提供。 自圖4之諸結果可理解當短路電阻器之電阻値爲約3〇〇k卩 或更大時缺陷開始呈現，而當短路電阻器之電阻値爲約 Ω或更大時缺陷之發生比率超過5〇%。所以，爲改善靜電電 壓之耐抗性，較佳短路電阻器之電阻値爲約3Μ ω或更少， 更佳約3 00k Ω或更少。另一方面，因爲短電阻之電阻値係 太小而影響閘極訊號之輸入波形並造成顯示缺陷，較佳爲設 定短路電阻器之電阻値至約5Qk Ω或更大，而將各種電阻値 列入考慮。 以下，係除了短路電阻器106a配置在介於閘極訊號線3之 區門外知L路％阻备1 〇 6 b配置在介於源極訊號線5之區間之 貫例。如圖3所示之主動矩陣基板4 〇〇包含配置在介於閘極訊 唬線3之相鄰之閘極輸入端1〇7a區間之短路電阻器ι〇6&，配 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 策· 、11 4 473625 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 置在介於源極訊號線5之相鄰之源極輪入端1 〇 7 b區間之短路 私阻益1 0 6 b ’及配置在介於相鄰閘極輸入端1 〇 7 a及源極輸 入端1 0 7 b區間内之短路電阻器1 0 6 c。因此，主動矩陣基板 4 〇 〇比較於主動矩陣基板2 0 0具有較高之靜電電壓耐抗性。 配置在介於源極訊號線5區間内之短路電阻器丨〇 6 b之電阻値 較佳係約2 〇 〇 k Ω或更大’而其中之改變値較佳係約3 〇 %或 更少。其原因在以下予以描述。 雖然供給至閘極訊號線3之閘極訊號係用以開和關T F τ 1 0 2之數位訊號，供給至源極訊號線5之源極訊號係使用作 爲影像訊號之類比訊號。因此，雖然改變閘極訊號之位準會 經由TFT特性而間接影響顯示品質，改變源極訊號之位準會 直接影響顯示品質。所以，爲避免源極訊號之位準偏離預設 値’配置在介於源極訊號線5區間内之短路電阻器丨〇 6 b之電 阻値較佳係約2〇〇k Ω或更大。另外，當配置在介於源極訊 號線5區間内之短路電阻器106b之電阻値係數百k Ω而隨不 同製程條件及類狀況而改變時，顯示不均勻之問題會發生。 因此’配置在介於源極訊號線5區間内之短路電阻器丨〇 6 b具 有數百k Ω低電阻之條件被要求以便呈現小變化之電阻値。 當短路電阻器l〇6b如傳統元件般由非晶質n + si製得時， 電阻値之變化大，而造成顯示品質之嚴重劣化。反之，本實 例之短路電阻器i 06b係由微晶質n + si製得，短路電阻器 1 0 6 b之電阻値改變可控制在約3 〇 %。因此，當具有電阻値約 200k Ω或更大之短路電阻器1〇6b利用微晶質n + si製成時， 且然後配置在介於源極訊號線5之區間内時，於實際使用下 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------、1τ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ^73625 A7 B7 五、發明説明（ 10 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 f無顯示品質劣化之問題發生。此外，因爲微晶fn + si具有 Γ7値之不屯物活化速率，其對應於較低之電阻値時即爲微小 變化。因此，並無因短路電阻器l〇6b之電阻値太低所造成之 顯示缺陷之問題發生。 、圖5所示係附著於本發明之主動矩陣基板1〇〇之丁 FT 之d面構反TFT 102具有一倒置交錯（REVERSE STAGGERED)結構，且包含·丨i，閘極絕緣層i 2，係電晶 之半寸層之非晶質或多晶質石夕層i 3，通道保護膜工4，與 由微晶質n + Si層所形成之源極電極⑸與汲極電極…i 述所有係依此順序被形成於透明基板i丨2之上。另外，透明 電極層丄6與金屬層17依此順序被形成於源極電極⑸與没極 電極15b之上。形成於汲極電極Mb上之透明電極層b係作 爲圖素t極’而形成於源極'電極15a上之金屬層⑺系作爲源 極訊號線。TFT 1〇2係由藉絕緣層製成之保護膜_覆苔。 如以上所述，因爲源極電極15a纽極電極⑸係由微:質 n + Si所製得，此處具有改善在”開„狀態下電晶體特性之㈣ 。另外，當源極電極15a與没極電接15b被形成時，兩 阻器可在相同製程下同時被形成。結果，短路電阻器可= 增加製程步驟次數下被製成。 ° 、 圖6 A所示係附著短路電阻器之閘極輸入端結構之平面圖， 而圖6B所示係附著短路電阻器之閘極輸人端結構之1面& ’ 間極訊號線之電極lla與閘極輸入端1Q7a係由與形成問= 極11相同之金屬層所形成·在閘極輸入端電極丨1 &上，、〜: 由使用於製造閘極絕緣膜1 2之相同材料所劁俨、 ”知 饤叮叔侍<絕緣膜I2a (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "

,1T I# 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 473625 A7 B7 11 五、發明説明（ ，而然後貫穿絕緣膜1 2 a之接觸孔2 1被製得。接著在形成於 相鄰開極輸入端電極1 1 a上之絕緣膜丨2 a上，短路電阻器 10 6a被由微晶質η+Si製得。然後，透明導電層16a與金屬層 17a被形成以使其覆蓋一部份或全部之接觸孔21，因此閘極 輸入端11 a與短路電阻器1〇6a係電氣連接。此外，短路電阻 器106a，透明導電層16a，與金屬層17a係以保護膜i8a予 以覆蓋。於此實例中，透明導電層1 6 a與金屬層丨7 &兩者均 被連接於短路電阻器106a和閘極輸入端na。另外，僅其中 之可被使用。上述結構之形成可藉熟知之薄膜技術予以達 成0 於本貫例中，介於閘極輸入端I〇7a之區間係約6〇微米， 而具有寬度約50微米之由微晶質n + Si製得之短路電阻器 106a被提供於其中。短路電阻器1()0a具有電阻値約ω 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ，其包含與透明電極之接觸電阻。$ 了藉使用傳統之非晶質 n + Si製成具有此電阻値之短路電阻器1〇6&，短路電阻器 1 〇6a被要求具有寬度約5〇〇〇〇微米（其係微晶質“Μ寬度之 1〇〇〇倍大）。此非較佳；因爲液晶顯示器裝置之外尺寸亦因 此被要求擴大。於本實财，有可能藉湘微晶質n + Si形成 具有厚度約50毫微米毫微米，寬度約5q微米土工微米， 與電阻値約30〇k ω ±20%之短路電阻器。 如以上所、：4，於本實例巾，短路電阻器iQ6a可藉利用形成 〇 2〈相同材料與製程予以形成。因此，不僅無製成 :电阻器之製程需求，且因而，無增加生產成本之問題。 …而，本發明並不被受限於上述製程，短路電阻器可藉利用 14- (210X297公釐〉 473625 A7 B7 五 '發明説明（12 ) 其他製程予以形成。另外，短路電阻器1〇6&可被置於封合液 ，層之封合部位之了，或者，可被置於封合部位之内側（即液 晶層侧）。 甘另外，當具有由微晶質n+s丨製得之短路電阻器丨〇 6 a之液 晶顯示裝置100被操作時，約5〇〇小時之後，短路電阻器 ，一0 6 a之甩阻値比較於在開始操作之前增加約3 %。當液晶顯 二农置在T F T s在加入其中而被冗成時，僅有極少可能性會 绝成TFTs受損壞。所以，可預期短路電阻器具有高電阻値 以使其壓制訊號位準之改變。因此，較佳爲藉使用在液晶顯 不裝置操作時會引起電阻値增加之材料以製成短路電阻器。 。本發明之王動矩陣型液晶顯示裝置包含配置在介於閘極訊 =線之區間内之由微晶質n+Si製得之電阻器，因此有效地解 本了毛製造主動矩陣基板製程時所產生之靜電電荷。因爲微 阳貝n + S i具有較傳統非晶質n + s丨小3位數之電阻係數，其係 有"Γ能形成可有效解除靜電電荷之具有低電阻之電阻器。電 阻器之電阻値較佳係介於5〇k Ω與約3M Ω之範圍間。此値 〜黾阻态不致造成經由閘極訊號線旅加於T F T s上之電屡位 準自預期位準偏離之問題。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外’微晶質n+Si之電阻係數變化約30%。此値比較於使 用非晶質n+ S i之場合爲小。因此’若由微晶質n + s丨所製得 之電阻器被配置在介於源極訊號線之區間内’顯示品質之劣 化小。於此狀況下，T F T s對由源極訊號線所提供之靜電電 荷具有高耐抗性，因此對具有電阻値約2 〇 〇 k Ω或更多之配 置在介於源極訊號線之區間内之電阻器而言其係足夠以改i -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） 1 — 473625 A7 B7 13 五、發明説明（ 靜電電壓之耐。人、& .K d 於源極訊號線區間内之電阻器可被省 略。 卜TFTS之電阻器與源極和汲極電極係由微晶質n +Si 3 ’因此電阻器可在不增加主動矩陣基板之製程次數下被 ，成’此外，電晶體TFTs之特性可被強化。另外，電阻器 與閉極電極可南丨p m ± °° 電層之導電層…二：或源極訊號電極相同導 次數下製成“被錢，因此電阻器可在不增加製程 =:明，可提供具有高靜電電壓耐抗性 續 二陣型液晶顯示裝置 .種/、他|正在残離本發明之範圍與精神 此万面技藝者將顯而易見且易於達成。因此 彼寺热練 將在本文所申訴之申請專利範圍侷限於本文所^並：試圖 ，反之係給予本巾請專利範g[更廣泛地應用。W〈辄圍内 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 策· '11 4 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐>

Claims (1)

1. 473625 第85109261號專利_請案 Μ 中文申請專利範圍修正本阀年9月)C8 τ? 乂:冬Ί| 本I 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 申請專利範圍 1. 一種主動矩陣型液晶顯示裝置，包含： f 一基板，其包含多條間極訊號線，與多條閘極訊號 線交錯之多條源極訊號線，附著而鄰接於多條閘極訊號 線與多條源極訊號線之每一交錯點之開關元件，與連接 於開關元件之圖素電極； 具有對應電極之第二基板；及 介於第一與第二基板間之液晶層， 其中至少該多條閘極訊號線相互以由微晶質n + s丨所製 得之短路電阻器予以連接； 短路電阻器之電阻值係介於約5〇]( Ώ及約3μ ω之範 圍間。 2 .如申請專利範圍第丨項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中 短路電阻器僅連接多條閘極訊號線中之相鄰之間極訊號 線。 3. 如申請專利範圍第丨項之主動矩陣型液晶顯示裝置，立中 多條間極訊號線及多條源極訊號線藉由微晶質n + si製得 之短路電阻器被個別相互連接，且使多條源極訊號線相 互連接之短電器具有電阻值約2 〇 〇 k Ώ或更多。 4. 如申請專利範圍第！項之主動矩陣型液晶顯^裝置，其中 開關元件包含閘極電極，閘極絕緣層’半導體層，由微 晶質n + S i製得之源極電極及汲極電極； > 其中多條閘極訊號線之每一條連拉认 丨巾遇径於閘極電極且被閘 極絕緣層所覆蓋，且多條源極訊號線之每一條係由第一 導電層所形成且被連接至源極電極，品固主二厂 %检，而圖素電極係由第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董Y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   473625 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 一導弘層所形成且被連接至汲極電極；且 其中多條閘極訊號線之輸入端係由具有接觸孔之閘極 絕緣層所覆蓋，而第三導電層被形成以使覆蓋至少部份 之接觸孔’且知1路電阻器被形成以使其與形成於彼此鄰 接之閘極輸入端上之第三導電層接觸。 5 .如申请專利範圍第4項之主動矩陣型液晶顯示裝置，其中 第二導電層係由與形成第一導電層與第二導電層中之至 少—種相同之材料所製得。 種主動矩陣型液晶顯示裝置之製法，該顯示裝置包含： 多條閘極訊號線； 與多條閘極訊號線交錯之多條源極訊號線； 附著鄰接於多條閘極訊號線與多條源極訊號線之每一 交錯點之開關元件；及 連接於開關元件之圖素電極，該方法所包含之步驟為： 形成多條閘極訊號線； 形成覆蓋多條閘極訊號線之絕緣層； 在絕緣層上形成接觸孔以使至少部份多條閘極訊號線 之輸入端被曝露出； 在絕緣層部位之上形成由微晶質n + Si製得之短路電阻 器以使相當於介於多條閘極訊號線間之區間；及 形成一導電層以覆蓋至少一部份接觸孔與至少一部份 短路電阻器，以使多條閘極訊號線經由短路電阻器彼此 呈電氣連接； 短路電阻器之電阻值係介於K50k Ω及約3Μ Ω之範 6 -2. “氏張尺;中國國家標準（CNS)从胁（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *1Τ It 473625 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 圍間。 7 .如申請專利範圍第6項之主動矩陣型液晶顯示裝置之製法 ，其中導電層係由與形成圖素電極或者多條源極訊號線 之至少一種相同導電層所製得。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局員工消費合作社印策 本纸張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）