TW470995B - Hollow cathode array for plasma generation - Google Patents

Description

470995 五、發明說明（1) 背景 發明係關於供建立放電電漿使用之陰極組件 電可用以修正基板如薄膜、光纖 生成之 、面性質。 、他物品的表 各種不同基板如聚合體之處理以經由物理或 =授與：的表面性質對許多工業包含薄膜工举是重：修正 理。濕式方法已經成功地 菜2重要的處 與問題有關，如浪費溶t >献w ^而，该濕式方法 UV處理、雷射處理：乾式方法如電暈處理、 Χ 射線和伽馬-射綾虚踩Ρ 成功利用的案例。電暈虛 I 已、！有一些 是-般限於簡單的已：利=十年，但 電暈處理之效應隨時間衰退、’。甚至，：有在—些 制在在何功能群組可以終結在所處理之 八有少許控 電極和基板之間的緊密距離可 出不上，以及介於 製點的形成。υν、卜射綠 導出不希望之針孔或是燒 以及不能夠容易地用以产璉11射線和雷射扈理為點源. 密度或是阻蔽效應，可$ .杰宜5。另外，這些處理受於 由視線陰影所阻斷。b成系&區域接收處理或是另外 剛性、成形或是鑄造之 性質和氣體障壁性質對=之處理授與改良之表面 同之應用方法已經提出、孝奴枓工業是重要的。各種不 電鑛而因此—障不，化之組合將容器加以 步增加該容器的氣體障壁性^ :而，繼續有必要更進一 .1，如氧和二氧化碳之播认買乂使夺器能夠更'隹地延緩氣 亦且有必要繼續改良表面性 470995

五、發明說明（2) 質’尤其是有關可印刷性以改良該容器之再循環性。 電漿技術已經在實驗室中使用超過5 〇年，但只是最近才 在商業上實現，主要是由半導體工業所驅動。在聚合體的 電漿處理中，在電漿中生成之活躍粒子及光子和聚合體表 面相互強烈作用，經常經由自由基化學。 ^ -電—浆-表.·反惠避主m運灰避生較，主要優點是缺少有 °的副產、憂。經常沒有有毒或是危險液體或是氣體必須被 配置。經常是，電漿處理的主要處理副產品為⑶、和 水蒸氣，沒有一項呈現有毒量。理論上，電漿可以利2用傳 統裝置和方法成功的變化應用至所有可能之幾何之物件。 該物-件包含網、薄膜、具有複雜形狀之大固態物件和大量 之小的分離成分如粉末。 利用電漿處理在工業標度 卺.受之..A產農麽。電漿處理 I量i如此泰i以致轸處理.只 …..--r..丨 L*. .-''Λ,、％.'. .、〆： 專品是可經濟地實行。限制 見色色。具有高I立產.羡能 ^ ^ —業摞遽上的電漿技術利 大多數用以產生電漿於電 基本類型電極建構之變化： 此二處理可利用性由和緩所 處理大面積而維持高電漿密 間。存在之DC中空陰極電毁 和見避！氣較高電襞密度和 上的丰要障 的可利用性 為由該處擇 因素包含低 U〜S ft .1 iL.導出快 襞聚合和電 内部平行板 限1，它們 度’如此可 反應器提供 高度電漿局 已經很明顯 嚴取較大禮 11密度和 系或是聚合 速成長。 漿修正之裝 電極和内部 可以按比例 ¥達成最小 較内部平行 限。然而， 達成可 ，但是 .強值之 ...1:. ' 缺乏電 置為二 電極。 增加以 常駐時 板電極 它們不

470995 五、發明說明（3) ---- 能用以處理大面積，因為中空陰極反應器固有地難以按比 =增加，。為了達成期望之電漿密度，I寞參顧丞展篆I 色I太 的電壓。 將EP 634 HS說明也鬼見择陣& 漿及金屬薄片上的"旋轉潤滑表面用乳化液"之移除。該中 空陰極陣列系統包括具有多數一致間隔之開孔的外罩，開 孔沿著外罩之一壁。該中空陰極電漿基本上在外罩中產生 以及經由開孔運送。锋開也降.¾作1為念I琴 息^之一致隹息 直佐:·。使用於EP 778系統的壓力為在〇·1〜50乾範圍内，以 及電源輸入為0.5〜3.0 kW範圍。 美國專利案號為第5, 686, 789號之專利案說明具有陰極 之放電裝置’而微中空陣列用於次小型螢光燈，此專利依 據電子不可活於大面積處理之平均自由路徑標度大小涵蓋 V - ...... · _ 裝置。電子在微中空内經歷择盪動作，該微中空產生形成 增加之電流容量的微t空放電。在使用時，U. S_，789系統 使用0 · 1托至2 0 0托的壓力。該專利案沒有提到反應電漿、 電漿聚合或是材料之表面修正。 H. Koch 等人在取名為n Hollow cathode discharge sputtering device for uni form large area thin film deposition" (J. Vac* Sol. Technol. A9 (4), Jul/Aug 1991，p· 2374)說明中空放電裝置，產生較傳統放電為高 的喷鍍粒子密度。在由此說明之中空陰極電漿噴鍍處理中

第6頁 470995 五、發明說明（4) :=標例，Cu，使用為陰極，理主要為物理處理 立i面修n t生將該文獻沒有提到利用中空陰極於建 或是執行電聚聚合以沈積薄層在基 、容Ξ ΐ/需Λ表Λ處宝理之方法，在其他方法之間㈣^ ^ 冷鈉及/或沒有有害的副產品，（Η易變化於修 何表面結構、任何大小、及/或既定物品之化學彳 !；^i^ 連續處理，以及(6)可以在低壓或是其他需要狀況 ' 發明總結 2明係關於供生成電7之陰極乡且件，包括在陣列中的 夕數導電中空電漿生成細胞，該細胞為相互電連接。 本發明亦關於一電敷生錢乡，包括至少一如上述之陰 極組件；甩於廉應前導氣賤兔陰極組件之裝置；以及用於 避塵·5曼拒复件之。 本發明尚關於處理基板表面之麵，包括將基板訂為於 緊密鄰接至上述至少一陰極組件；供應至少一電漿前導氣 體至陰極級件和基板的附近區域；後由供應電溽至陰極组 理:食^ϋ門双屢秦露暴复参面m 一屋尾-兴形處處 ^發明亦關於用冬#1液_，體是展兔& 卢〜中..的友氣:包括（a)形成绛.造之雙軸定向 (b)暴露容器之至少一比面至由電裝前導氣體產生的電漿

五、發明說明（5) 五、發明說明（5) 極組件 ""'" Κ 將容器 的方法 酯基板 :ί if ί含碳化氫’使用，由兔說明之本發明的陰 ；(c)f： ^A(d) 尚關於用於減低聚醋基板 ’包括使用由此說明之本發明的陰極电：導 括灭化鼠之電漿前導氣體產生的電漿。 4 簡單說明 圖U’為本發明陰極組件其中之一且 細胞具有-教方形橫截面形狀；/、體實施例的圖’ 細：？有本發Λ陰極組件其令之-具體實施例的圖， 也;具有—般j.形橫戴面形狀； 圃 圖旮為本發明陰極組件其中之一 ι 細胞具有—妒 惠 八體實施例的圖’ ^ ； /气四囔形橫载面形狀，· 為本發明陰極組件1 呈 細胞具有一般二角八 ，、體實施例的圖， 奴一角形杈截面形狀； 圖曝為本發明陰極組件呈中 且 細胞具有-般六角形橫截/面形狀 實施例的圖， 圖你為本發明陰極组 圖|7〃:為本發明陰極>

細胞橫截面具t平J 圖電/為本發明陰極組件其中之一且 細胞f截面具有专種不同m μ二、Λ實例的圖， 47099 五、發明說明（6) 細胞橫截面具有各瀚τ m .圖“為本發明陰極c部分； 在成形陣列中的細胞如此^槿^二具體實施例的圖，顯开 圖u為本發明電漿生成裝12理一成形孓基板； 顯示二陰極組件，其中之一 4 :中之一具體實施例的圖， ^ ^ # ^ # ^ % ^ ^ 2 1 ^ ^ t μ ^ ^ 不的是供應電漿前導氣體 〜、近至少—細胞。亦顯 件和基板边置Τ韙之裝置，用於供應電源至陰極急 呈Γί ί 2:處理瓶狀容器的本發明陰極植件1中， 具體^施例的透視切面 值，、且件其中之一 圖少3為圖12具體實施例的剖面圖。 參考圖Η和圖 具體實施例。陰極組件包含多又數二:發明陰極組件之另-

^ ^ ^ ^ f t t t ^ M 的a S ί ί相互電連接’而此上盖為有效提供‘句一致 竺3—1〜至具，有小處1太底晨面！^ ’ .〜 中空電漿生成細胞"专義a多齡ϋ

ί ^ Ϊ 1較佳地是’細胞具有-般圓形橫截面形狀、-： 截面形狀、一般規則或是不規則多邊形橫截面J ，或疋此形狀之任何組合（參考圖卜6和圖10-13)。”規則 多邊形"意義為由包括下列形狀組成之群組選擇的橫截面 47〇99i 五 '發明說明（7) 形狀··三角形、四邊形、五邊形、六邊形、七邊形、八邊 形、和這些多邊形之組合。對擁有不規則多邊形橫戴面形 狀之細胞而言，該形狀可以為相同或是不同。 、該細胞可以為具有二開端之管狀。另外，該細胞可以更 進一步由基座5加以定義（特別參考圖1 〇 )/該細胞其中之 :開端安裝在上面或是各細胞可以由封閉該細胞其中之一 端的端頭部分6加以定義。因此，該細胞可以更進一步包 括封閉該細胞其中之一端的端頭部分，其中該端頭部分為 平面、更進一步由平底、u形、v形或是其他形狀（參考圖、 壯9)。管狀似的細胞或是端頭部分加以定義之細胞可以 裝在、平面或是成形基座5上。 一 各易處理及/或連接至電源，該陰極組件可以更進 絲"t括至少一側部件8，固繞細胞陣列。在特定具體實 施例中，側部件8 貫 件8可以附接Λ T 所有或是一部份壁°側部 接可選擇:陣列_至少…細胞及/或^ 。、擇r基-座5。在側部件中的孔（可以加強連接至電源 生的完^全或，ί在非吊熱狀況或是電場/磁場影響之下產 子、光子η子化氣薄。電漿是快速將形成活躍離 發分子和原子分離化學種颠、中牲穩定種類、激 ,,陣列=離之大量高能量電場和磁場。 面陣列或ΐί::Π建構之細胞群組。此意義可以包含平 ，其中細胞此方彳。一陣列尚包含細胞之任何隨機配置 胞此方式配置為只提供基板所選擇區域處理。

第10頁 470995 五、發明說明（8) 辟電氣導電"意義為定義細胞或是細胞可以安裝在上面 或選擇性端頭部分或是選擇性基座，包括可以導電 货/' 。電氣式地相互連接”意義為當陰極組件連接至 ;也：互：：義導電材料的I性 夂接觸。可使用於本發明陰極組件製造的材料包 j向影響電漿處理之任何導電材料，知不鏽鋼、鋁、 料；is鎢、白金、鉻、鎳、鍅、raolybdenum或是這4b材 枓相互組合或是與其他已知元素之合金。 —何 :，之開口可以為可變化的橫截面，但較佳地是在陣列 、夕數細胞具有細胞橫截面面積與細胞深度比率在大約 鲂#至枯大約5·〇的範圍中，而大約0· 25至大約4,0的範圍為 。較佳地是，各細胞橫截面面積由大約0. 25至1〇 10大約L 6至64· 5 cm2)的範圍内變化。 各^細胞可以由離散壁加以定義，該壁不與鄰近細胞共享 多圖2，5，6，1〇)。該細胞可以與至少一鄰近細胞分 '疋具有與至少一鄰近細胞至少一細胞接觸的壁（參考 — ，或是任何組合。另外，鄰近細胞可以共享至少„ Α =(參考圖卜3，4，⑴。較佳地是，規則或是不規則、 夕邊形狀的鄰近細胞共享至少一共同壁或是具有與至少一 細胞至少一細胞接觸的壁。各細胞具有導電能量以及 為擁有機械整合性之厚度。 本發明陰極組件至少一細胞之至少一壁全部或是一部分 可以介電質材料10(參考圖11，左方之陰極組件）加以電鍍 另外^電質材料1 0可以配置在於鄰近本發明陰極組件 470995 五、發明說明（9) 一 " -- 至少一細胞（參考圖1 1，右方之陰極組件）。該介電質材料 可以包.含雲母、陶瓷或是具有高介電常數之聚合材料。該 介電質材料可以圍繞細胞邊緣電鍍，涵蓋細胞壁全部哎 疋一部分表面，或是涵蓋緊鄰細胞表面。該介電質材料防 止電弧和短電以及歇振放電◊介電質材料可用以遮罩特定 細胞因此當陰極組件在使用時防止電裝由細胞產生。裝飾 效應可以在基板之電漿處理期閛藉由遮罩特定細胞 板上形成。 秦 為提供更均勻一致的電漿處理，已經發現有利於提供至 少一部分鄰近陣列周圍的細胞，其橫截面面積小敷在陣列 内部·之細胞的橫截面面積。此具體實施例補償擴散損 參考圖2, 3，4，5和6)。 、 陰極可以配置在一般平面陣列中，該陣列為平面基板^ 2 (參考圖11)處理之較佳具體實施例。另外，陰極組^細胞 可以配置在成形陣列中，以容納將處理之物件的形狀，例 如具有曲形、環狀或是某他形狀丨4 (參考圖丨〇 )，如瓶狀（ 參考圖12和13)。該成形、曲形陣列可以建構，例如為凹 =或是凸$。在圖12和13中’陰極組件化置在瓶狀容器 二内’：於容器内部表面之電聚處理。夕卜部電極3〇顯示呈 有細胞式建構，但是可以具有簡單的平坦表面。在圖12二 13顯7F之具體實施例中，極性可以保留以及 至電極3 0 ’因此瓶狀容器2 0外部表面可以被處理 、’ 細胞至少一壁實質上可以與完整陣列平面垂直（參 )，或疋與特別細胞所處之陣列部分平面垂直。另外，各

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與陣列平面形成鈍角 之陣列部分平面垂直 細胞至少一壁可以具有至少一部分壁 (參考圖8和9)，或是與特別細胞所處 較佳地是陣列建構與基板形狀— 土低〜狀 致以維持介於組件細胞 與將處理之基板部分之間人55认 ^ ^ 间σ理的一致間隔。該合理的一致 間隔允許更均勻之處理。 本發明陰極組件可以藉由錢械將導電材料切成所期望之 長度、寬度和深度段以及將這些段置放在所期望之陣列配 置中而製成。追些段安裝在槽配置中，置放在緊密建構以 架合一起或是藉由典型薄..片金屬點焊疼理而焊接。本發明 陰極-組件製造之其他方法對熟知相關技藝之人士而言將非 常明顯的。 本發明亦有關電漿生成裝置，包括上述之陰極組件；用 於供應電漿前導氣體至該至少一陰極組件之I置；以及用 於供應電源至該陰極組件$裝置（圖1 1 )。 該電漿前導氣體可以由和陰極組件相對配置的氣體喷射 器6 (參考圖7、1 2和13 )供應，如此前導氣體擴散至細胞辦 近區域。圖7顯示連接至獨立氣體喷射器16之歧管16Μ，各 氣體喷射器位於一細胞中。圖12及13亦顯示一連接至獨立 氣體噴射器16之歧管16Μ，該等氣體喷射器16係位於中央 電極中’該電極配置在瓶20内部。電漿氣體可以經由電漿 氣體饋送線（沒有顯示）饋送以及氣體大量流速率可以藉由 利用合適的電漿氣體'流控制器、，如可由MKS儀器公司像用 之MKS類型1179Α加以控制。流率和應用有關。許多應用可 470995 五、發明說明（π) 以適當地利用流率每分鐘大約為〇 · 1至大約i 〇 〇標準立方釐 米（sccrn)加以處理，較佳地是大約〇. 5至15 sccm。其他應 用可以利用較高或是較低流率。 電源18(圖11)可以為dc電源或AC電源以音頻頻率（AF)或 是無線電頻率（RF )操作。電源藉由適當的繫結（沒有顯示） 連接至陰極組件，在一具體實施例中可以差入至孔4中。 對許多應用而言，需要小於丨kW之功率，較佳地是使用大 約1至1 00 0 kW，最佳地是大约5至2 〇〇瓦特。然而，具有需 要功率輸入高於1 kW以達成所期望結果之應用。液體電極 冷卻系統可以使用於該案例中。 低壓（在真空中）使用於此處之電漿處理。因此，本發明 電襞生成裝置尚包括真空室，陰極組件常駐在其中，以及 用於提供真空之裝置。一合適的真空室如不鏽鋼真空室已 經發現為合適。商業上可使用之真空泵包括自舉i和轉動 泵組合，如可由Edwards High Vaciuim International 獲 得之E2M8 0/EH500可以被使用。可使用於本發明中的壓力 可以由大約1毫托至100托的範圍加以變化，較佳地是大約 1毫托至1托。當使用本發明之電漿生成裝置或是方法時 批次或是連續處理為可能。雖然真空系統傾向於適應批次 處理，但是連續操作經由使用階段相互鎖定真空系統可以 維持次大,氣壓力。”階段相互鎖定真空系統"意=為二連串 不同壓力之真空室。 本發明尚有關處理至少一表面的方法，包括將基板至少 一表面定位於接近緊鄰至少一上述之陰極組件；供應至少

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一電漿刖導氣體至陰極組件和基板附近區域； 源至該陰極組件而生成電漿；以及將基板至少二供應電 於電漿一段足夠時間以形成受處理之表面。 表面暴露 第一，基板至少一表面定位於接近緊鄰至少一 極組件。'接近緊鄰’’意義為該基板與陰極組件=n 的距離，以接i電、漿底豕 一基板。此處可使用碎處理之基板包食光纖、薄 ' =二 和主樣趣件如瓶子或是其他容赛。該基板可以安裝歲 發明至少一陰極組件平行以及間隔一預選之距離裝 成形之陰極組件時，較佳地是介於基板與細胞之間合理 一致·距離以及細胞被維持、以提供基板均勻的處理。σ 、 光纖、薄膜、粒子和成形物件可以由熱塑聚合材料製 。意圖使用於本發明之薄膜和剛性容器包含 ^ 塑聚合材料如聚烯烴、聚醢胺和工程聚合體如^碳以[ 類似，形成的容器。本發明可應用於薄膜和剛性，亦即成 形之容器，以及注入拉伸鼓風鑄造之雙軸定向中空熱塑容 器如瓶子由合成線性聚酯、如聚乙烯對笨二酸鹽（ΡΕΤ)、 聚丁烯對苯二酸鹽（ΡΒΤ)、聚乙烯naphthalate (ΡΕΝ)和類 似物’包含均聚合體以及乙烯對笨二酸鹽和乙烯 naphthalate之共聚合體加以形成，其中最高至大約5〇莫 耳百刀比或是更多之共聚合體可以由翠體單元之二甘醇； 丙烷〜1，3_二醇；丁烷-1，4 -二醇；聚十四烷乙二醇；聚乙 一醇，聚二醇丙烯和1，4 -烴曱基環己烯在共聚合體之準備 中取代二7L醇部分或是間苯二甲，二笨化物；鐃丨，4—或是

第15頁 470995 五、發明說明（13) 2, 6 -二酸；己二基；癸二基；和癸烷——二 :體之準備中取代酸部*。先前之說明意圖為可應用：聚 0基板的解釋以及非本發明的限制方式。 =二，在本方法中，至少—電裝料氣體被供應至 =件和基板的附近區域。電漿可以被分颠為3類（丨）化 反應電聚；（2 )化學展應但是非聚合體形成電聚；以及^ 化學.反應和聚合體形成電漿。所利用之電漿前導氣體可以 依據電聚所提供之所需處理加以選擇。合適之前導氣 :可以為、氮;氫·’氧；臭务；一氧化二氮；包括碳化氫二 >烷、乙烯、丁二烯或是乙炔；氬；氦；氨；和類似物之 氣體以及氣體混合物如破化氫/氮混合物，空氣；齒化 碳；和可聚合單體。例如，聚舍體薄膜可以虛擬地以能夠 導入.電漿玫電區之任何有機或是有機金屬化合物加以處理 。刖導氣體以所需氣體流率經由氣體喷射器饋送至真空室 電漿為藉由供應電源至陰極組件而生成。陰極組件連接 至電源供應，以及電源供應被開啟以啟動電裝狀態。電源 之後調整至所需電源位準。電源位準依據氣體流率、基^ 大小、陰極組件至正極距離、電里前導氣體重量和壓^而 變化。電力和氣體流率可以被調整以形成陰極組件所有 需細胞中之強烈電1放電。選擇性地是，磁性之增強可以 在離開細胞時用敬將電锻聚焦。 最後，基板之至少一表面被暴露於電漿一段足以形成處 1之表，里的時間。電歉處理必須雄持一所需之時間週期，

第16頁 ( ΌΌΌύ 五、發明說明（14) 該時間週期可以由數八 與電漿表面相互作用= 为鐘。處理時間和電漿特徵及 下的操作參數有關。:2 f關，相互作用與電衆維持之 放電功率及基板位置°\數1含流率、輸入功率、壓力、 本發明可使用於封裝^時^亦與基板特性有關。 體至雙軸定向聚合容^ φ ’、因此本發明尚有關於封裝液 向聚合容器；利用本括形成鎊造之雙軸定 露於由電漿前導氣體生占夕且件將基板至少一表面暴 中該陣列被成形；導入液體：容器；氣體包括碳：f，其 體圭^—清、除。此方法可適合於碳酸化ΐ體^ 本發明赛々於J息農J於封^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 容器的聚（乙烯對苯二酸鹽)氛Μ辟=枓之4膜和剛性 。因此，本發明包含=2拉伸鼓風铸造之PET觀子 由此說明之陰極組件將基板至少 化ί面暴路於由電浆前導氣體生成之電聚，該氣體包括碳 磨(本弱發界明含清除（有機污染之移除）1刻或是削 界/?/除，加表面面積）；接近表面分子之交乂 ifΓ内聚加強表面層以及物體特性；以新 的化學功十義表面區域交換之化學修正/結合;及薄膜 从依據次透一選擇性涛膜中的薄的、？ Μ ^ Λ * ^ f. ^ Μ t ?M〇 ^ ^ . ^ t

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聚醯亞胺薄膜至铜夕附著增強 具有至少一類似圖1顯示之方形細胞圖案的二1 2吋乂 1 2吋 之陰極組件，由不鏽鋼片製作。各細胞以i吋乂丨吋量測， 以及細胞橫截面面積與細胞深度之比率等於丨。該二阶極 組件在真空室中安裝為相互平行以及各陰極連接:電源 供應。可由DE, Wilmington之杜邦de Nem〇urs和公司獲取 的Kapton聚醯亞胺薄膜被置放於二陰極之間與各 =对。真空以⑸毫托之壓力加以感應。氨以每分4鐘 12，準立方釐米（sccm)之流率導人以及電源以⑽ 壓加以供應。該薄膜被暴露至氨中丨分鐘。 電 使用傳統的n i ρ- r ο 1 1處砰，考w >朴 製成薄片。該層往上包 I里^專膜之後附著銅加以

PmM薄片可附著、聚酿 曰…时) 著薄片和另一層1盘司鋼以形成金屬ί思$ —層1 m 11可附 為了測試鋼至金屬包展 ' 匕層。 膠附著至German輪 時，該輪被剝片。抽取ϋ忍111维符 之接合值以及控制之：速率為2吁/分 下： 魅 接 控制 一 Ammon i a 處理 | ^ 在Instrcm機器的上部通曰路以及部之附著力量，銅被置放 膠附著至German輪。卷綱 、'包層其餘部分以雙面 思圖、.隹待9 〇度剝 速率為2吋/分〆 角度两肢見1 面能量和_ 1。母線性忖碎（Mi) 里和^漿處·本列：表如

10· 7 23.2

470995 五、發明說明（16) 丁乙 聚d,烯對_苯二酴鹽）之障壁性質增強 可由DE，Wi lmington之杜邦公司獲取之5” X5" MYLINEX 類型S PET薄膜如例子1所說明被置放於組件夂間，用於沈 積電漿溥膜以經由該P E T薄膜建立氧浸透之較高降璧。真 空以150毫托之壓力加以感應。乙炔以25 sccm之流率導入 至真空室以及電源以640 V之電壓加以供應。該薄膜被暴 露至乙炔電漿分鐘。該處理之缚膜之後利用M〇c⑽公司 製作之0XTRAN® 1 〇〇〇評估惫、、奔、泰4、 从二iU f估氧浸處處率，亦稱為氧傳輸速率 制。|著疋在3〇 C之“^相對濕度“10…1^03985。 結果，列表如下。 樣本一 控制 乙炔處理 4, 94 4. 88 OTR (cc/m2/ 曰） 12. 57 2. 48

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Claims (1)

1. 470995 案號 88121388 凡年1月/¾ ^ 士 修正 六、申請專利範圍 1. 一種用於電漿生成之陰極組件，包括： 在一陣列中生成細胞之多數導電中空電漿，該細胞係相 互電連接。 2. 如申請專利範圍第1項之陰極組件，其中該細胞橫截 面面積與細胞深度的比率為大約0. 1至大約5. 0的範圍内。 3 .如申請專利範圍第2項之陰極組件，其中該細胞橫截 面面積由大約1.6至64. 5 cm2的範圍内變化。 4.如申請專利範圍第1項之陰極組件，其中鄰近細胞共 響至少一壁。 5 ·如申請專利範圍第1項之陰極組件，，其中多數細胞以 至少一鄰近細胞分離。 其中至少一細胞 其中該介電質材 其中該多數細胞 其中該多數細胞 其中該多數細胞 6.如申請專利範圍第1項之陰極組件 之至少一壁以介電質材料加以電鍍。 7 ·如申請專利範圍第1項之陰極組件 料配置為鄰近至少一細胞。 8. 如申請專利範圍第1項之陰極組件 具有一般圓形橫截面形狀。 9. 如申請專利範圍第1項之陰極組件 具有一般橢圓形橫截面形狀。 1 0.如申請專利範圍第1項之陰極組件 具有規則或是不規則多邊形橫截面形狀。 1 1,如申請專利範圍第1 0項之陰極組件，其中該多數細 胞具有由包括下列形狀組成之群組選擇的規則多邊形橫截 面形狀：三角形、四邊形、五邊形、六邊形、七邊形、八

   O:\61\61693.ptc 第1頁 2001.03.12.021 470995 _案號88121388_P年J月卩曰 修正_ 六、申請專利範圍 邊形、和這些多邊形之組合。 1 2.如申請專利範圍第1 0項之陰極組件，其中該多數細 胞具有不規則多邊形橫截面形狀，該形狀為相同或是不 同。 1 3.如申請專利範圍第1項之陰極組件，其中至少一部分 細胞鄰近陣列周圍，其橫截面面積小於陣列内部細胞之橫 截面面積。 1 4.如申請專利範圍第1項之陰極組件，其中細胞為配置 在平面陣列中。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之陰極組件，其中各細胞具 有至少一壁實質上與陣列平面垂直。 1 6,如申請專利範圍第1 4項之陰極組件，其中各細胞具 有至少一壁形成與陣列平面形成鈍角。 1 7.如申請專利範圍第1 4項之陰極組件尚包括一平面基 座，其中該細胞為安裝在該基座上。 1 8.如申請專利範圍第1項之陰極組件，其中該細胞為配 置在成形陣列中。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之陰極組件，其中該形陣列 為凹形。 2 0.如申請專利範圍第1 8項之陰極組件，其中該形陣列 為凸形。 . 21. —種電漿生成裝置，包括： 至少一個如申請專利範圍第1項之陰極組件； 用於供應電漿前導氣體給該至少一陰極組件之裝置；以

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   六、申請專利範圍 及 用於供應電源給該陰極組件之裝置 22·如中請專利範圍第21項之電\ ° 導氣體被供應至鄰近陰極組件，田\生成裝置，其中該前 近區域。 u此該氣體擴散至細胞附 23· —種處理一基板之至少—表 (a) 將基板之至少一表面定位於 > 方法，包括： 請專利範圍第1項之陰極組件；、迎緊鄰至少一個如申 (b) 供應至少一電漿前導氣體 域； κ極纟且件和基板附近區 (c) 藉由供應電源至該陰極組件 (d )將基板至少一表面暴露於 成電漿；以及 一受處理之表面。 戒—段足夠時間以形成 2 4.如申請專利範圍第2 3項之方 亞胺。 其中該基板為聚醯 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項之 。 ，其中該基板為聚酯 2 6 ·如申請專利範圍第2 3項之方 ’由聚乙烯對苯二酸酯均聚合 3其中該基板為聚酯 合體選擇，其中最高至大約5〇%莫疋乙烯對苯二酸酯共聚 單兀之士甘醇；丙烷-1,3-二醇；、丁 =共聚合體由由單體 烷乙二醇；聚乙二醇；聚二醇丙 I—1，4 -二醇；聚十四 共聚合體之準備中取代二元醇部=σ1β’4-烴曱基環己烯在 物，錶1，4〜或是2, 6 -二酸；己二其3·疋間苯二曱，二苯化 ’癸二基；和癸烧—

   O:\61\61693.ptc 第3頁 2001.03.12. 023 470995 _案號88121388 fr年J月P曰 修正_ 六、申請專利範圍 | 1，1 0 -二狻酸在共聚合體之準備中取代酸部分。 2 7.如申請專利範圍第2 6項之方法，其中該基板為雙軸 定向聚（乙烯）對苯二酸酯瓶子。 2 8.如申請專利範圍第2 7項之方法，其中該電漿前導氣 體包括乙炔。 29. —種用於將液體封裝在一鑄造之雙軸定向聚合容器 中之方法，包括： (a) 形成一鑄造之雙軸定向聚合容器； (b) 利用如申請專利範圍第1項之陰極組件將基板至少一 表面暴露於由電漿前導氣體生成之電漿，該氣體包括碳化 氫，其中該陣列係被成形； (c) 導入一液體至容器中；以及 (d )將該容器加以密封。 3 0 .如申請專利範圍第2 9項之方法，尚包括在導入氣體 之前，將電漿前導氣體由容器清除。 3 1. —種用於將一聚酯基板之導磁係數減低之方法，包 括：利用如申請專利範圍第1項之陰極組件將基板至少一 表面暴露於由電漿前導氣體生成之電漿，該氣體包括碳化 氫0

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