JP2002536798A - 大気圧定常グロー放電プラズマ - Google Patents

大気圧定常グロー放電プラズマ

Info

Publication number
JP2002536798A
JP2002536798A JP2000596758A JP2000596758A JP2002536798A JP 2002536798 A JP2002536798 A JP 2002536798A JP 2000596758 A JP2000596758 A JP 2000596758A JP 2000596758 A JP2000596758 A JP 2000596758A JP 2002536798 A JP2002536798 A JP 2002536798A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
plasma gas
atmospheric pressure
layer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000596758A
Other languages
English (en)
Inventor
イアリジス，アンジェロ
エー． ピアザダ，シャヒド
デッカー，ボルフガンク
Original Assignee
シグマ テクノロジーズ インターナショナル，インコーポレイティド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シグマ テクノロジーズ インターナショナル，インコーポレイティド filed Critical シグマ テクノロジーズ インターナショナル，インコーポレイティド
Publication of JP2002536798A publication Critical patent/JP2002536798A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 プラズマ処理装置（１０）は電極（３０）の１つに多孔質金属層（３４）を組入れる。多孔質層は大気圧下でプラズマガスの平均自由行程の大きさの１オーダーの範囲内の平均径の細孔を有するように選ばれる。プラズマガスは、実質的に大気圧下で電極に注入され、多孔質層により拡散され、それにより一様なグロー放電プラズマを生成する。処理されるべきフィルム材料（１４）はこの電極と誘電層（１６）で被覆された第２の電極（１２）の間で、創り出されたプラズマにさらされる。多孔質金属（３４）の細孔のミクロサイズのために、各細孔は、プラズマガスのイオン化を促進する中空カソード作用をも生じる。その結果、定常グロー放電プラズマが大気圧下で、そして６０Ｈｚの低い電力周波数で生成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 発明の背景 発明の分野 本発明はプラズマを生成する方法および装置に一般的には関する；特に、本発
明は大気圧および低温で定常グロー放電プラズマを確立させることに関する。 関連技術の説明 プラズマはＡＣもしくはＤＣ電源を用いてガスもしくは液体をイオン化するこ
とにより得られうるガスのイオン化形態である。物質の第４の相と一般にいわれ
るプラズマは十分な密度を有する荷電粒子のランダムな移動の統一的効果（ｅｎ
ｓｅｍｂｌｅ）であり、平均して電気的に中性のままである。プラズマは種々の
加工用途に用いられ、ミクロエレクトロニクス産業のための集積回路の製造から
、織物の処理および毒性廃棄物の破壊までにわたる。
【０００２】 特に、プラズマは種々の材料間の接着を促進するために有機および無機表面の
処理に広く使用される。たとえば、低表面エネルギーを有し化学的に不活性な表
面を有するポリマーは塗料および接着剤と良好な結合できない。したがってこれ
らの表面は、それらを他の基体、塗料、接着剤および印刷用インキとの結合を受
け入れやすくするために、化学処理、コロナ処理、火炎処理および真空プラズマ
処理のような方法で処理されることを要する。コロナ放電、物理スパッタ、プラ
ズマエッチング、反応性イオンエッチング、スパッタ堆積、プラズマ強化化学蒸
着、灰化（ashing）、イオンプレーティング、反応性スパッタ堆積、および一連
のイオンビームにもとづく方法、のすべてはプラズマの形成および性質に頼る。
【０００３】 コロナ放電は、フィルムの表面エネルギーを増加させることにより他の材料と
の接着を促進するために特にプラスチックフィルム、箔、紙等を処理するために
広く用いられている。コロナ放電は、電極の１つに高電圧を印加し、残りは１０
〜５０Hzオーダーの一般的周波数で接地するようにつながれることにより２つの
電極間に、確立される。これらの条件はストリーマとしてこの分野で知られる局
地的に集中した放電を生じ、フィルム表面の処理において多少の非均一性を導き
、表面に接着に悪く作用する低分子量種を形成することによりフィルムを損傷し
うる。さらにコロナ処理のストリーマーは処理される膜に後方作用を生じ、多く
の用途で好ましくない。しかし、コロナ処理は材料の表面エネルギーを向上する
ために産業で広く用いられている。
【０００４】 グロー放電プラズマ処理も種々の材料にぬれ性および接着力を増加させる表面
を処理する方法でもある。グロー放電はコロナ放電よりももっと徹底した表面処
理を生じるもっと均一なプラズマを与え、それによりフィルムの意図しない後方
処理を避ける。グロー放電プラズマは、低温中性を衝突、解離およびイオン化す
る高エネルギー電子により特徴づけられ、非常に反応性のフリーラジカルおよび
イオンを創り出す。これらの反応性種は、他の方法で非反応性の低温原料および
基体に多くの化学的処理するのを可能にする。これらの性質にもとづいて、低密
度グロー放電プラズマは表面修飾を含む低い材料流量法に用いられるのが通常で
ある。これらのプラズマは大気圧よりも十分に低い圧力でガスを部分的にイオン
化することにより生成されるのが一般的である。たいてい、これらのプラズマは
種々の形状のシステムでＡＣもしくはＤＣ電力で確立された１０-5〜１０-1のイ
オン化フラクションで弱くイオン化される。これらのシステムは低圧を維持する
ために真空チャンバおよびポンプをいつも必要とするが、これは運転コストおよ
びメインテナンスを増加させる。
【０００５】 真空チャンバおよびポンプのための資金およびメインテナンス費用を避けるた
めに、ポリマーフィルム、箔および紙の表面処理に関して大気圧下で運転できる
プラズマシステムを開発しようとする努力が広くなされてきた。大気圧プラズマ
が、適切な電源、電極間の誘電層の挿入およびプラズマ媒体として適切なガス混
合物の使用により、比較的低温で発生されうることは知られている。ポリマーフ
ィルム、織物、紙等の表面処理のために、特定の操作条件下で大気圧プラズマは
ヘリウムのような不活性ガスを用いて２つの電極間で確立されうる。通常、１つ
の電極は高電圧電力供給に置かれ、回転ドラムが接地され、もう１つの電極とし
て作用する。１つの電極はセラミック層で被覆され、プラズマガスは電極間に注
入される。
【０００６】 たとえば、米国特許第５，４５６，９７２号明細書は大気圧下で作動するグロ
ー放電プラズマシステムを記載する。装置は無線周波数約１〜１００KHz で約１
〜５KVrms の範囲にわたって電圧をかけられる一対の間隔をあけられたプレート
電極からなる。プラズマガスはプレート間に注入され、処理されるフィルムはそ
れらを通過し、所定時間、得られるプラズマ放電にさらされる。米国特許第５，
７８９，１４５号明細書は従来のコロナ放電装置にもとづく大気圧グロー放電シ
ステムを開示する。改良は電極配置に流れを均一に分布させるスリットを含むガ
ス供給システムにより大部分はヘリウムを含むガスをポンプで送ることからなる
。種々の他の特許は特定のガス組成について記述し、特定の用途について大気圧
もしくは大気圧に近い圧力のグロー放電プラズマを可能にする。たとえば、米国
特許第５，３８７，８４２、５，４０３，４５３、５，４１４，３２４、５，５
５８，８４３、５，６６９，５８３、５，７６７，４６９および５，７８９，１
４５号明細書を参照されたい。
【０００７】 大気圧で創り出されるプラズマの均一性を改良し、そしてコロナ処理で一般的
なストリーマーの形成を避けようとする試みにおいて、穴をあけた電極およびス
クリーンも使用されている。たとえば、米国特許第５，７１４，３０８号明細書
はプラズマ媒体として不活性ガスもしくはガスの混合物を用いて２つの電極間で
均一な大気圧プラズマを確立する方法を教示する。電極の１つはＡＣ電源に接続
される。もう１つの電極は絶縁材料で被覆される。そのままの状態で、そのよう
な電極配置は、４０〜５００KHz で電圧をかけられるとコロナ放電を生じる。そ
の発明は１mmのオーダー径を有する、一様に間隔をあけた穴を１つの電極に備え
ること、そして穴を通してガスをポンプで送ることからなり、ヘリウムおよびＮ2 およびＯ2 のような他のガスとの混合物を、他のガスが８．０％を超えないよ
うにして用いて、これらの周波数で大気圧グロー放電プラズマが生成されること
がわかった。
【０００８】 このように、電極間に配置された、一様に穴をあけられた構造はガスの拡散を
改良し、したがって、従来可能であったよりも高い圧力である水準のグロー放電
プラズマを得ることを可能にする。しかし、非常に特定された作動条件および限
られたガス組成のもと以外では、これらのシステムは大気圧で一様なグロー放電
を生成することができない。
【０００９】 したがって、異なるガス混合物を用いて大気圧で定常グロー放電を生成しうる
プラズマ処理システムに対する要求はなお存在する。加えて、６０Hz程度の低い
周波数でこのようなシステムを作動させうるのが望ましい。 発明の要約 本発明の１つの主な目的は大気圧でグロー放電プラズマを生成するための方法
および装置である。
【００１０】 本発明のもう１つの重要な目的は定常条件下でグロー放電を供給する方法およ
び装置である。
【００１１】 本発明のもう１つの目的は比較的低温プラズマを生成する方法である。
【００１２】 もう１つの目的は比較的低周波数で作動する電力システムを用いて実施されう
る方法である。
【００１３】 なおもう１つの目的は現在するプラズマ装置を用いて組入れるのに適切な方法
および装置である。
【００１４】 最終的な目的は、上述の基準により容易に経済的に実施されうる方法である。
【００１５】 したがって、これらおよび他の目的によれば、本発明の好適な態様は、プラズ
マ処理システムの電極の１つに多孔質金属層を組入れることからなる。プラズマ
ガスは実質的に大気圧で電極に注入され、多孔質層により拡散され、それにより
一様なグロー放電プラズマを生成する。従来技術の装置のように、処理されるべ
きフィルム材料はこの電極と誘導層で被覆された第２の電極の間で創り出される
プラズマにさらされる。多孔質金属の細孔のミクロンサイズのために、各細孔も
中空カソード効果を生じ、プラズマガスのイオン化を促進する。結果として、定
常グロー放電プラズマは大気圧で、そして６０Hz程度の低い電力周波数で生成さ
れる。
【００１６】 本発明の種々の目的および利点は、続く明細書の記載から、そして請求範囲に
特に指摘された新規な特徴から明らかになるであろう。したがって、上述の目的
を達成するために、本発明は以下に図面に示され、好適な態様の詳細な説明にお
いて十分に説明され、そして請求範囲で特に指摘される、特徴からなる。しかし
、そのような図面および説明は、本発明が実施されうる種々の方法のいくつかを
開示するにすぎない。 発明の好適な態様の説明 本発明の要旨は大気圧プラズマ処理装置の電極の１つに多孔質金属層を組入れ
ること、ならびにそのような多孔質構造によるプラズマ媒体の強制拡散にある。
プラズマガスの流れを拡散するための、穴をあけた電極および／または金網を用
いて得られた従来の成果を改良するために実施された実験的検討の間に、本発明
者は、最適グロー放電を生成するために有効に作動する電極の穴のために、その
大きさはシステム作動圧力でプラズマガスの平均自由行程に近づかなければなら
ないことを認識した。この分野で一般的に理解されるように、この開示の目的の
ために、大きさおよび細孔の有孔径の用語は細孔の最大および最小寸法の幾何学
的平均に等しい仮定的径をいう。
【００１７】 大気圧で、プラズマを生成するのに通常用いられるすべてのガスの平均自由行
程はサブミクロン〜ミクロンの範囲にある。金属メッシュスクリーン（メッシュ
サイズ６００〜２００）を用いる初期の試みは従来技術を超える著しい改良をも
たらしたが、本発明により達成されると考えられる。しかし、６００メッシュの
スクリーンでさえ径が２０μｍより大きい穴を形成し、大気圧下でのプラズマガ
スの平均自由行程よりもかなり大きい。たとえばヘリウムは大気圧で約０．１３
μｍの平均自由行程を有する。ミクロンおよびサブミクロンの大きさの穴を生ず
る方法の検討は多孔質金属から電極を構成するアイディアをもたらし、それによ
り細孔の大きさは電極を製造するのに用いられる金属粒径の適切な選択によりコ
ントロールされうる。
【００１８】 当業者が容易に理解するように、多孔質金属は粉末冶金により製造される物質
である。所望の大きさの金属粉末粒子は必要ならばバインダーと混合され、つい
で、プレスおよび焼結されて、固形多孔質構造を形成する。細孔径は原料として
使用される粉末粒子の大きさによりコントロールされる。この開示において用い
られるように、「多孔質金属」はこのような物質をいう。
【００１９】 多孔質金属層を形成するために用いられる金属の粒径および種類を慎重に選択
することにより、本発明の電極の設計は、径が０．１μｍ程度に小さく、密に一
様に分布された穴を有する構造を提供しうる。電極における穴の高密度は一様な
高密度プラズマを創り出し、コロナストリーマー形成を抑制し、従来可能なより
も広い範囲の電圧周波数およびガス混合物の使用を可能にする。サブミクロン／
ミクロンサイズの穴はプラズマガスの平均自由行程に近づき、電圧サイクルの負
の部分の間に各細孔の穴を中空カソードとして作用することを可能にすると考え
られる。これは処理の水準を次第に高める強いプラズマを生成する。
【００２０】 特定の用途に対する理想的な孔径は、制限なしに、おおよそ選ばれた作動条件
でプラズマ媒体の平均自由行程よりも１オーダー大きい大きさの範囲内であるこ
とを見出した。主要なプラズマガス成分としてヘリウムを用いる検討により、定
常大気圧グロー放電が、１０μｍ径までの細孔を有する多孔質金属を用いて非常
に低周波数でさえも容易に維持されうることを見出した。細孔径がおよそ１０μ
ｍ径を超えて増加するときには一様なプラズマは高含量ヘリウムおよび比較的高
周波数で生成されるにすぎない。
【００２１】 図面について、同様な部分は同様な数字および記号で示されているが、図１は
本発明による大気圧プラズマ処理装置１０の全体的なレイアウトを示す。プラズ
マ処理装置１０は従来のウェブ処理システムのローラ１２上に搭載されて示され
る。処理されるべき材料のフィルム１４は通常１〜２００ft／分（約０．３〜６
０ｍ／分）の範囲の速度でプラズマ処理装置とローラーの間でシステムを通過す
る。ローラ１２は接地され、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のような誘
電材料で被覆される。アルミナ、シリカ、チタン酸バリウムおよびチタン酸スト
ロンチウムのような３〜１０００の範囲の異なる誘電率を有する他の材料も等価
の誘電材として使用されうる。
【００２２】 プラズマ処理装置１０は本発明による少くとも１つの電極（図２に示される）
を含み、ケーブル１８によりＡＣ電源に接続され、６０Hzと電源から利用できる
最大周波数の間の周波数で作動する。処理装置は、ローラ１２と処理装置１０の
間を１〜２mmの距離に維持するために支持ブランケット２２により従来法でその
場に保持される。この距離は、作動条件、プラズマ媒体組成および電極の配置に
より変動するが、定常プラズマ流を確立するのに重要である；したがって、最適
と決定された間隙を維持するのが非常に望ましい。ヘリウム、アルゴン、および
不活性ガスと窒素、酸素、空気、二酸化炭素、メタン、アセチレン、プロパン、
アンモニア、もしくはそれらの混合物との混合物、のようなプラズマガスが一様
で定常なプラズマを維持するのにこの処理装置とともに使用されうる。ガスは本
発明の多孔質電極に供給する多岐管２４により処理装置１０に供給される。
【００２３】 図２および３は側面図および正面図においてそれぞれ、本発明の好適な態様に
よるプラズマ処理装置電極３０を示す。その電極は閉端管状構造からなり、処理
装置に使用されるプラズマガスの平均自由行程に近似する細孔径を有する多孔質
金属層３４を有する中空金属ハウジング３２を囲むことにより好適に構成される
。ガスは外部分岐管２４に接続された入口パイプ３８により実質的に大気圧下で
中空の電極３０の上方部分３６に供給される。同様に、電極は外部ケーブル１８
により電力系に接続された電線４０により電圧をかけられる。好適には電極３０
は、中空電極３０の底部４６の全長にわたって一様にガスを分配するように設計
された、多数の、一様に間隔のあいた穴４４を含む分配じゃま板４２を含む。じ
ゃま板４２の存在は本発明に必須ではないが、この配置の結果、底部多孔質層３
４に対するガス圧力は供給変動の間、一様に変わらずに維持され得、一様なグロ
ー放電プラズマの生成に寄与する。
【００２４】 図４は、本発明による多孔質電極３０の３つの要素を有するプラズマ処理装置
１０（図１にみられるフロントカバー４８なしに）を正面図で示す。これらは好
ましくはＳＳ３１６のようなステンレス鋼でつくられるが、電極の多孔質層３４
は特定の用途のために所望の多孔質サイズを生成させるのにもっと良好に適合さ
れうる他の材料で代ってつくられうる。各電極要素はプラズマ処理装置のカバー
５４に付着されるセラミック絶縁体５０および金属サポート５２によりその場に
保持される。各電極要素はローラ１２との位置合わせをさせるために別々の高さ
調整（図示せず）を備えるのが通常である。プラズマ処理装置のカバー５４は、
好ましくはプラズマ処理装置への大気の流入を最小とするために、ローラ１２を
超える両側に伸びるのが好ましい。
【００２５】 各電極３０の上方および下方部分３６，４６を分けるじゃま板４２は、好適に
は、ステンレス鋼プレートからなり、プレートの主軸に沿って１０cm毎に間隔を
おいた１mmの穴を有する。ステンレス鋼多孔質金属細片３４は囲まれた構造を形
成するために電極の底部に付着される。多孔質金属層３４の厚さは所望のプラズ
マ流を形成するために変動し得、ガス供給圧ならびに細孔の大きさおよび密度に
依存するが、約１．５mm〜６．５mmの厚さが非常に良好な結果を生ずることが示
されている。これらのような多孔質金属はガスラインのフィルター要素およびボ
ールベアリングのような他の用途に使用されており、コネチカット州Ｆａｒｍｉ
ｎｇｔｏｎのＭｏｔｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのような会社から商業的に入手
しうる。これらの商業的な多孔質金属は径が０．１〜２０μｍの細孔を有する。
【００２６】 好適ではないが、多孔質金属を用いる有利さに我々が気がつく前に試験され、
有意の成功をみた、本発明のもう１つの態様において、非常に目のつんだメッシ
ュを有する金属布が電極３０の中空金属ハウジング３２を囲むのに使用された。
プラズマ処理装置１０の配置はすべての他の点で保持された。下に示す例により
示されるように、このワイヤ布の態様は従来技術を超える注目すべき改良を与え
たが、まだ多少のストリーマーを生成するかぎり、それは大気圧下で定常グロー
放電を生じなかった。従来の電極をおおって包まれた同一の非常に微細な金属布
（６００メッシュまで試された）を用いる初期の検討も多少のストリーマーを伴
う、受け入れられるグロー放電を生じたが、さらに良好な結果はガスにワイヤメ
ッシュを通過させることによっては得られなかった。本発明のすべての態様は図
５，６および７に概略を示されるが、それぞれ、表面に広げられた（ｐｅｒｆｕ
ｓｅｄ）多孔質金属細片３４、一面に広げられたワイヤ布細片５４、および包ま
れたワイヤ布細片５６に関する。実際のプラズマ処理装置１０は、図８の概観図
において、ウェブローラ１２上に配置されて示される。
【００２７】 本発明のプラズマ処理装置は、ポリマー基体のエッチングのために、ならびに
生物学的に汚染した材料を処理するために使用された。異なる多孔質金属および
ワイヤ布を用いて、電極の開口は有効径で約０．１〜約５０μｍで変動された。
適切な大きさの細孔を有することが大気圧下で一様な定常プラズマを維持する鍵
であるという仮説が確認された。我々の実験にもとづくと、最適細孔径はプラズ
マの平均自由行程とその大きさの１０〜２０倍との間であるように思われ、最良
の結果は平均自由行程の約１０倍までの範囲である。電極のこのような多孔質材
料は、電極の全領域に沿って非常に一様なガス流分配を可能にし、中空カソード
として作用するとも考えられる多数の非常に小さい空隙を与え、それによりプラ
ズマの強度を高める。
【００２８】 食品包装産業で一般に用いられる。ポリプロピレン、ポリエチレンおよびポリ
エチレンテレフタレートのような有機フィルムが、大気圧条件下で本発明のプラ
ズマ処理装置で処理された。種々のＡＣ−電圧周波数が結果に著しい差異なしに
６０Hz〜２０KHz の範囲で用いられた。これらのフィルムの表面エネルギーはプ
ラズマ処理により実質的に高められた。表１は、定常で一様なプラズマを得るた
めに本発明の大気圧プラズマ処理装置を用いた実施された、いくつかの試験につ
いて、処理条件およびプラズマ組成の範囲を示す。データに隣接する注は結果を
例証する。
【００２９】
【表１】
【００３０】 多孔質金属で少くとも部分的に構成された多孔質電極の使用は、約２０μｍま
での細孔について大気圧条件下で一様なプラズマを生成することがこのデータか
ら明らかである。比較的大きな径（ワイヤ布で得られる２２，３７および４４μ
ｍ）は多少のストリーマーを伴うプラズマを生成した。多孔質金属電極も４５％
の低ヘリウムを含む種々のガス混合物を用いて一様なプラズマを生成した。下に
データが示すように処理されたフィルムの表面エネルギーはプラズマ処理後に実
質的に高められた。 実施例１ 処理フィルム：ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム 基準表面エネルギー：３０dynes／cm ウェブ速度：１８ft／分（５．４ｍ／分） ドラム誘電体フィルム：ＰＥＴ；４インチプラズマ処理装置 下の表２，３および４は示される量で、ヘリウム、ならびにヘリウムと二酸化
炭素、ヘリウムと酸素、およびヘリウムと窒素の混合物を用いた、ポリプロピレ
ンフィルムのプラズマ処理の結果を示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】
【表４】
【００３４】 実施例２ 処理フィルム：ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム 基準表面エネルギー：４０dynes／cm ドラム速度：１８ft／分（５．４ｍ／分） ドラム誘電体フィルム：ＰＥＴ；４インチプラズマ処理装置 下の表５，６および７は示される量で、ヘリウム、ならびにヘリウムと二酸化
炭素、ヘリウムと酸素、およびヘリウムと窒素の混合物を用いた、ポリエチレン
テレフタレートのプラズマ処理の結果を示す。
【００３５】
【表５】
【００３６】
【表６】
【００３７】
【表７】
【００３８】 実施例３ 処理フィルム：ポリエチレン（ＰＥ）フィルム 基準表面エネルギー：３０dynes／cm ドラム速度：１８ft／分（５．４ｍ／分） ドラム誘電体フィルム：ＰＥＴ；４インチプラズマ処理装置 下の表８，９および１０は示される量で、ヘリウム、ならびにヘリウムと二酸
化炭素、ヘリウムと酸素、およびヘリウムと窒素の混合物を用いた、ポリエチレ
ンフィルムのプラズマ処理の結果を示す。
【００３９】
【表８】
【００４０】
【表９】
【００４１】
【表１０】
【００４２】 これらの結果は、本発明装置が、有機および無機材料の表面特性を処理、修飾
するのに用いられうることを示す。このプラズマ処理システムはいかなる真空装
置も必要とせず、高密度プラズマを生成し、種々の表面の処理は低温で、しかも
大気圧下で実施されうる。加えて、我々は定常グロー放電が従来可能なよりも実
質的に低い周波数で生成されうることを見出した。多くのテストが１KHz で日常
的に行なわれうまくいき、良好なグロー放電が６０Hzもの低い周波数で生成され
た。加えて、本発明の多孔質電極は４５％の低いヘリウムを含むガス混合物を用
いて定常大気圧グロー放電を得ることを可能にしたが、これはいかなる従来の装
置でも不可能である。
【００４３】 このように、当業者は、食品包装産業のためのポリマーフィルムの表面処理／
官能化；包装産業におけるバリアフィルムのためのプラズマ強化化学蒸着； ミクロエレクトロニクス産業のためのプラズマエッチング；プラズマグラフト化
およびプラズマ重合；織物、羊毛、金属および紙の処理；および生物学的に汚染
された材料の殺菌、のような領域での本発明の潜在的な用途の広い範囲を容易に
理解するであろう。特に、プラズマによるポリマーフィルムの表面官能化は一様
で制御された処理のために最も有効な方法である。本発明を用いて、フィルムの
表面エネルギーは、ぬれ性、印刷性および塗料の接着力を高めるためにプラズマ
処理により制御されうる。
【００４４】 説明された詳細、段階および要素における種々の変更はここで例示され、請求
の範囲で規定された発明の原理および範囲内で当業者によりなされうる。したが
って、本発明は最も実際的で好適な態様と考えられるものをここで示され、説明
されたが、ここに開示された詳細に限定されるものではなく、請求の範囲の全範
囲に調和するかぎりいかなるすべての均等な方法および製品をも包含する本発明
の範囲内で、そこからの逸脱もなされうると認識される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による大気圧プラズマ処理装置の概略図である。
【図２】 図３の２−２線からみられる、本発明の好適な態様による、多孔質金属成分を
含む電極の部分的に切断された、側面断面図である。
【図３】 図２の３−３線からみられる、図２の電極の正面断面図である。
【図４】 本発明の多孔質電極の３つの要素を有するプラズマ処理装置の正面図を示す。
【図５】 多孔質金属細片を含む電極用いる本発明の態様の概略図である。
【図６】 多孔質ワイヤ布細片を含む電極を用いる本発明の態様の概略図である。
【図７】 従来の電極をおおって包まれた多孔質ワイヤ布細片を有する電極を用いる本発
明の態様の概略図である。
【図８】 従来のウェブローラ上に置かれた本発明のプラズマ処理装置の斜視図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１０月２９日（２００１．１０．２９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 デッカー，ボルフガンク アメリカ合衆国，アリゾナ 35742，タク ソン，ノース クレストーン ドライブ 9563 Ｆターム(参考） 4G075 AA30 CA16 CA47 CA62 DA02 EB01 EB42 EC21 FA14 FB02 FC15

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 実質的に大気圧下でグロー放電プラズマを生成するための装
    置であり、次の構成要素の組合せ： 一対の対立する電極、その電極の少くとも１つは金属多孔質層を含む； 電極に電圧を加えるための手段；ならびに 該金属多孔質層によりプラズマガスを拡散させるための手段、 を含む装置。
  2. 【請求項２】 該対立する電極の間に配置された誘電層をさらに含む請求項
    １記載の装置。
  3. 【請求項３】 金属多孔質層を含む該電極が金属多孔質部分を含む囲まれた
    管状構造を含み、そして金属多孔質層によりプラズマガスを拡散させるための該
    手段がその囲まれた管状構造への導管を含む請求項１記載の装置。
  4. 【請求項４】 金属多孔質層を含む該電極が金属多孔質部分を含む囲まれた
    管状構造を含み、そして金属多孔質層によりプラズマガスを拡散させるための該
    手段がその囲まれた管状構造への導管を含む請求項２記載の装置。
  5. 【請求項５】 該囲まれた管状構造内にじゃま板をさらに含み、該じゃま板
    は金属多孔質部分へプラズマガスの実質的な均一流を生成するように適合された
    多数の穴を含む請求項３記載の装置。
  6. 【請求項６】 該囲まれた管状構造内にじゃま板をさらに含み、該じゃま板
    は金属多孔質部分へプラズマガスの実質的な均一流を生成するように適合された
    多数の穴を含む請求項４記載の装置。
  7. 【請求項７】 該プラズマガスは大気圧下で平均自由行程を有し、そして金
    属多孔質層は実質的に該平均自由行程よりも大きい大きさのオーダーの範囲内で
    有効径をもつ細孔を有する請求項１記載の装置。
  8. 【請求項８】 該プラズマガスは大気圧下で平均自由行程を有し、そして金
    属多孔質層は該平均自由行程よりも１オーダー大きい大きさの範囲内で実質的に
    有効径をもつ細孔を有する請求項５記載の装置。
  9. 【請求項９】 該プラズマガスは大気圧下で平均自由行程を有し、そして金
    属多孔質層は実質的に該平均自由行程よりも１オーダー大きい大きさの範囲内で
    有効径をもつ細孔を有する請求項６記載の装置。
  10. 【請求項１０】 該プラズマガスがヘリウムを含み、そして該細孔が２０μ
    ｍより小さい有効径を有する請求項７記載の装置。
  11. 【請求項１１】 ウェブに該グロー放電プラズマ中を通過させるための手段
    をさらに含み、ウェブの表面特性を向上させる請求項１記載の装置。
  12. 【請求項１２】 実質的に大気圧下でグロー放電プラズマを生成するための
    装置であり、次の構成要素の組合わせ： 一対の対立する電極； その電極の少くとも１つに作動的につながれた金網層； 電極に電圧を加えるための手段；ならびに 該金網層によりプラズマガスを拡散させるための手段； を含み、 該金網層は少くとも２００メッシュのように細かい、 装置。
  13. 【請求項１３】 該金網層は電極の該少くとも１つをおおって包まれる請求
    項１２記載の装置。
  14. 【請求項１４】 該金網層によりプラズマガスを拡散させるための手段をさ
    らに含む請求項１２記載の装置。
  15. 【請求項１５】 該プラズマガスが大気圧下で平均自由行程を有し、そして
    金網層は実質的に該平均自由行程よりも１オーダー大きい大きさの範囲内で有効
    径をもつ開口を有し、ならびにウェブに該グロー放電プラズマ中を通過させるた
    めの手段をさらに含み、ウェブの表面特性を向上させる、請求項１４記載の装置
    。
  16. 【請求項１６】 実質的に大気圧下でグロー放電プラズマを生成する方法で
    あり、次の段階： 一対の対立する電極を備え、その電極の少くとも１つは金属多孔質層を含むこ
    と； 電極に電圧をかけること；ならびに 該金属多孔質層によりプラズマガスを拡散させること、 を含む方法。
  17. 【請求項１７】 該対立する電極の間に誘電層を配置する段階をさらに含む
    請求項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 金属多孔質層を含む該電極が金属多孔質部分を含む囲まれ
    た管状構造を含み、そして金属多孔質層によりプラズマガスを拡散させる段階が
    囲まれた管状構造に供給する導管により実施される、請求項１６記載の方法。
  19. 【請求項１９】 該囲まれた管状構造内にじゃま板をさらに含み、該じゃま
    板は金属多孔質部分へプラズマガスの実質的な均一流を生成するように適合され
    た多数の穴を含む請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 該プラズマガスは大気圧下で平均自由行程を有し、そして
    金属多孔質層は実質的に該平均自由行程よりも１オーダー大きい大きさの範囲内
    で有効径をもつ細孔を有する請求項１６記載の方法。
  21. 【請求項２１】 該プラズマガスがヘリウムを含み、そして該細孔が２０μ
    ｍより小さい有効径を有する請求項１６記載の方法。
  22. 【請求項２２】 ウェブに該グロー放電中を通過させる段階をさらに含み、
    ウェブの表面特定を向上させる請求項１６記載の方法。
JP2000596758A 1999-02-01 2000-01-28 大気圧定常グロー放電プラズマ Pending JP2002536798A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/241,882 1999-02-01
US09/241,882 US6118218A (en) 1999-02-01 1999-02-01 Steady-state glow-discharge plasma at atmospheric pressure
PCT/US2000/002286 WO2000045623A1 (en) 1999-02-01 2000-01-28 Atmospheric steady-state glow-discharge plasma

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002536798A true JP2002536798A (ja) 2002-10-29

Family

ID=22912549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000596758A Pending JP2002536798A (ja) 1999-02-01 2000-01-28 大気圧定常グロー放電プラズマ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6118218A (ja)
EP (1) EP1155599A4 (ja)
JP (1) JP2002536798A (ja)
AU (1) AU2976200A (ja)
WO (1) WO2000045623A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019067A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sharp Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2012140171A (ja) * 2011-01-06 2012-07-26 Kagawa Prefecture 包装袋用材料の製造方法、製造装置及び包装袋
JP2015533626A (ja) * 2012-08-24 2015-11-26 フジフィルム・マニュファクチュアリング・ヨーロッパ・ベスローテン・フエンノートシャップ 多孔質基材の処理方法および膜の製造

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000026973A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 Presstek, Inc. Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
EP1524708A3 (en) 1998-12-16 2006-07-26 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material and methods of making.
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6441553B1 (en) * 1999-02-01 2002-08-27 Sigma Technologies International, Inc. Electrode for glow-discharge atmospheric-pressure plasma treatment
US7067405B2 (en) * 1999-02-01 2006-06-27 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Atmospheric glow discharge with concurrent coating deposition
US6972115B1 (en) 1999-09-03 2005-12-06 American Inter-Metallics, Inc. Apparatus and methods for the production of powders
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6623861B2 (en) * 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7192553B2 (en) * 1999-12-15 2007-03-20 Plasmasol Corporation In situ sterilization and decontamination system using a non-thermal plasma discharge
KR100344777B1 (ko) * 2000-02-28 2002-07-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터를 포함하는 소자 제조방법
KR100386526B1 (ko) * 2000-10-02 2003-06-02 우형철 다공성 전극을 이용하는 상압 플라즈마 장치
GB0025956D0 (en) * 2000-10-24 2000-12-13 Powell David J Improved method of measuring vacuum pressure in sealed vials
KR100464902B1 (ko) * 2001-02-12 2005-01-05 (주)에스이 플라즈마 대기압에서 저온 플라즈마를 발생시키는 장치
US6706371B2 (en) 2000-12-11 2004-03-16 Exxonmobil Oil Corporation Film with edge trim
EP2233605B1 (en) * 2000-12-12 2012-09-26 Konica Corporation Optical film comprising an anti-reflection layer
US6429595B1 (en) 2001-02-14 2002-08-06 Enercon Industries Corporation Multi-mode treater with internal air cooling system
US6709718B2 (en) 2001-04-10 2004-03-23 Exxonmobil Oil Corporation Porous plasma treated sheet material
KR100421480B1 (ko) * 2001-06-01 2004-03-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기절연막의 표면처리 방법 및 그를 이용한박막트랜지스터 기판 제조방법
JP2003007682A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置用の電極部材
AU2002242974B2 (en) * 2001-07-27 2008-01-10 Tokuyama Corporation Curable composition, cured product thereof, photochromic optical material and production process therefor
EP1476497A1 (en) * 2002-01-23 2004-11-17 Glasshield Patent Holding Company, Ltd. Method and apparatus for applying material to glass
US6815014B2 (en) * 2002-02-05 2004-11-09 Dow Global Technologies Inc. Corona-generated chemical vapor deposition on a substrate
US20040076543A1 (en) * 2002-03-18 2004-04-22 Sokolowski Asaf Zeev System and method for decontamination and sterilization of harmful chemical and biological materials
KR100488361B1 (ko) * 2002-04-10 2005-05-11 주식회사 플라즈마트 대기압 저온 평판 플라즈마 발생장치
KR20030081742A (ko) * 2002-04-12 2003-10-22 우형철 플라즈마를 이용한 에칭처리장치
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
KR100488359B1 (ko) * 2002-06-14 2005-05-11 주식회사 플라즈마트 대기압 저온 평판형 벌크 플라즈마 발생장치
KR100500427B1 (ko) * 2002-06-27 2005-07-12 우형철 상압플라즈마를 이용한 표면처리장치
US6830664B2 (en) * 2002-08-05 2004-12-14 Tegal Corporation Cluster tool with a hollow cathode array
EP1403419B1 (en) * 2002-09-30 2006-05-31 The Procter & Gamble Company Absorbent articles comprising hydrophilic nonwoven fabrics
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US20040259446A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Jain Mukesh K. Chemical protective articles of apparel and enclosures
US20050014432A1 (en) * 2003-06-20 2005-01-20 Jain Mukesh K. Waterproof and high moisture vapor permeable fabric laminate
US20050035085A1 (en) * 2003-08-13 2005-02-17 Stowell William Randolph Apparatus and method for reducing metal oxides on superalloy articles
EP1663518A2 (en) * 2003-09-09 2006-06-07 Dow Global Technologies Inc. Glow discharge-generated chemical vapor deposition
DE102004011178A1 (de) * 2004-03-08 2005-09-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten
US20050235915A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Ho Yeu-Chuan S Plasma surface treatment electrode assembly and arrangement
US7220462B2 (en) * 2004-04-27 2007-05-22 Praxair Technology, Inc. Method and electrode assembly for non-equilibrium plasma treatment
US7781034B2 (en) * 2004-05-04 2010-08-24 Sigma Laboratories Of Arizona, Llc Composite modular barrier structures and packages
DE102004029959B4 (de) * 2004-06-21 2010-08-19 Infineon Technologies Ag Gasdurchlässige Plasmaelektrode, Verfahren zum Herstellen der gasdurchlässigen Plasmaelektrode und Parallelplatten-Reaktor
EP1724098A1 (en) 2005-05-20 2006-11-22 Carbo Tech Composites GmbH Process for the production of a laminated composite product and a composite product made by the lamination process
US7313310B2 (en) * 2005-05-25 2007-12-25 Honeywell International Inc. Plasma directing baffle and method of use
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
KR101425232B1 (ko) * 2006-04-03 2014-08-01 엔테그리스, 아이엔씨. 대기압 마이크로파 플라즈마 처리된 다공성 막
US8088502B2 (en) * 2006-09-20 2012-01-03 Battelle Memorial Institute Nanostructured thin film optical coatings
US20100009098A1 (en) * 2006-10-03 2010-01-14 Hua Bai Atmospheric pressure plasma electrode
US20100021655A1 (en) * 2006-10-03 2010-01-28 Haley Jr Robert P plasma electrode
EP2125361B1 (en) 2006-12-28 2019-01-23 3M Innovative Properties Company Nucleation layer for thin film metal layer formation
ITBO20070306A1 (it) 2007-04-26 2008-10-27 Tecnotessile Societa Naz Di Ricerca ... Elettrodo e relativo apparato per la generazione di plasma a pressione atmosferica.
DE602008002592D1 (de) * 2007-05-21 2010-10-28 Lubrizol Advanced Mat Inc Harte, aliphatische thermoplastische Polyurethane
EP2210321B1 (en) * 2007-11-08 2015-06-10 Enercon Industries Corporation Atmospheric treater with roller confined discharge chamber
US20100255216A1 (en) * 2007-11-29 2010-10-07 Haley Jr Robert P Process and apparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition coating of a substrate
US20090142511A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Haley Jr Robert P Process and apparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition coating of a substrate
US8350451B2 (en) 2008-06-05 2013-01-08 3M Innovative Properties Company Ultrathin transparent EMI shielding film comprising a polymer basecoat and crosslinked polymer transparent dielectric layer
US20100151180A1 (en) * 2008-10-13 2010-06-17 Bravet David J Multi-layer fluoropolymer film
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US9120073B2 (en) * 2009-06-05 2015-09-01 Eon Labs, Llc Distributed dielectric barrier discharge reactor
EP2325384B1 (en) 2009-11-24 2013-08-28 Fibertex Personal Care A/S Permanently hydrophilic nonwoven
US20110129676A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Bravet David J Multi-layered front sheet encapsulant for photovoltaic modules
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
KR20120116968A (ko) 2010-01-06 2012-10-23 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 탄성중합체성 폴리실록산 보호 층을 갖는 내습성 태양광발전 디바이스
US8791321B2 (en) 2010-08-26 2014-07-29 Medline Industries, Inc. Disposable absorbent lift device
US9220162B2 (en) * 2011-03-09 2015-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma generating apparatus and plasma generating method
RU2519657C2 (ru) * 2012-09-04 2014-06-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук Устройство возбуждения объемного разряда в плотных газах
AU2014240040B2 (en) 2013-03-15 2019-05-23 Medline Industries, Lp Flexible disposable sheet with absorbent core
CN105980624B (zh) 2013-12-13 2018-09-25 北面服饰公司 用于纺织品的着色的等离子体处理
WO2016003976A1 (en) 2014-06-30 2016-01-07 3M Innovative Properties Company Asymmetric articles with a porous substrate and a polymeric coating extending into the substrate and methods of making the same
US10672592B2 (en) 2015-01-22 2020-06-02 Chia Sern CHAN Non-thermal soft plasma cleaning
US11452982B2 (en) 2015-10-01 2022-09-27 Milton Roy, Llc Reactor for liquid and gas and method of use
US10010854B2 (en) 2015-10-01 2018-07-03 Ion Inject Technology Llc Plasma reactor for liquid and gas
US10882021B2 (en) 2015-10-01 2021-01-05 Ion Inject Technology Llc Plasma reactor for liquid and gas and method of use
US10187968B2 (en) 2015-10-08 2019-01-22 Ion Inject Technology Llc Quasi-resonant plasma voltage generator
US10046300B2 (en) 2015-12-09 2018-08-14 Ion Inject Technology Llc Membrane plasma reactor
WO2018184049A1 (en) 2017-04-03 2018-10-11 Lenzing Ag A nonwoven material designed for use in hygiene applications
EP3730111A1 (en) 2019-10-02 2020-10-28 Lenzing Aktiengesellschaft Liquid permeable topsheet and absorbent hygiene article containing said topsheet
US20230110444A1 (en) 2021-10-13 2023-04-13 Medline Industries, Lp Underpad with wetness indicator

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4313783A (en) * 1980-05-19 1982-02-02 Branson International Plasma Corporation Computer controlled system for processing semiconductor wafers
US4507539A (en) * 1982-01-06 1985-03-26 Sando Iron Works Co., Ltd. Method for continuous treatment of a cloth with the use of low-temperature plasma and an apparatus therefor
JPS5952833A (ja) * 1982-09-20 1984-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ気相反応装置
US4496423A (en) * 1983-11-14 1985-01-29 Gca Corporation Gas feed for reactive ion etch system
EP0366876B1 (en) * 1988-10-05 1993-05-12 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Exhaust gas treating apparatus
JPH03101126A (ja) * 1989-09-13 1991-04-25 Eagle Ind Co Ltd プラズマエッチング装置用電極
US5071670A (en) * 1990-06-11 1991-12-10 Kelly Michael A Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means
JP2957068B2 (ja) * 1993-10-22 1999-10-04 積水化学工業株式会社 基板の表面処理方法
JPH08167591A (ja) * 1994-12-13 1996-06-25 Ckd Corp 半導体製造装置の整流板、ｃｖｄ装置の電極兼整流板、アッシング装置の電極兼整流板、ドライエッチング装置の電極兼整流板
JPH08279495A (ja) * 1995-02-07 1996-10-22 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置及びその方法
US6086710A (en) * 1995-04-07 2000-07-11 Seiko Epson Corporation Surface treatment apparatus
CA2205817C (en) * 1996-05-24 2004-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Treatment method in glow-discharge plasma and apparatus thereof
US5789145A (en) * 1996-07-23 1998-08-04 Eastman Kodak Company Atmospheric pressure glow discharge treatment of base material for photographic applications
JP2001522302A (ja) * 1997-04-28 2001-11-13 インスティトゥート フューア ニーダーテンペラトゥア−プラズマフュジーク エー．ファウ．アン デル エルンスト−モリッツ−アルント−ウニヴェルジテート グライフスヴァルト 燃焼工程からの排ガス中の有害物質を分離する方法及び装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019067A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sharp Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2012140171A (ja) * 2011-01-06 2012-07-26 Kagawa Prefecture 包装袋用材料の製造方法、製造装置及び包装袋
JP2015533626A (ja) * 2012-08-24 2015-11-26 フジフィルム・マニュファクチュアリング・ヨーロッパ・ベスローテン・フエンノートシャップ 多孔質基材の処理方法および膜の製造

Also Published As

Publication number Publication date
US6118218A (en) 2000-09-12
AU2976200A (en) 2000-08-18
EP1155599A1 (en) 2001-11-21
WO2000045623A1 (en) 2000-08-03
EP1155599A4 (en) 2007-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002536798A (ja) 大気圧定常グロー放電プラズマ
US6441553B1 (en) Electrode for glow-discharge atmospheric-pressure plasma treatment
US6066826A (en) Apparatus for plasma treatment of moving webs
US6149985A (en) High-efficiency plasma treatment of imaging supports
US7300859B2 (en) Atmospheric glow discharge with concurrent coating deposition
US7067405B2 (en) Atmospheric glow discharge with concurrent coating deposition
JP4921710B2 (ja) 大気圧グロー放電プラズマを発生させるための方法
US20020037374A1 (en) Method and device for surface treatment with a plasma at atmospheric pressure
JP2001527689A (ja) グロープラズマ放電装置
JPH0773994A (ja) 中空陰極アレイおよびこれを用いた表面処理方法
JPH10504061A (ja) ジェットプラズマ蒸着方法及び装置
US5215636A (en) Pulsed discharge surface treatment apparatus and process
US6855379B2 (en) Method and device for surface-treating substrates
JP2002532828A (ja) プラズマ発生のための中空の陰極のアレー
US5743966A (en) Unwinding of plastic film in the presence of a plasma
WO1995007175A1 (en) Electrostatic charging apparatus and method
WO1995007175A9 (en) Electrostatic charging apparatus and method
JP2680888B2 (ja) 薄膜形成方法
US20100062176A1 (en) Boundary layer disruptive preconditioning in atmospheric-plasma process
US8904956B2 (en) Plasma stamp, plasma treatment device, method for plasma treatment and method for producing a plasma stamp
JPH059897A (ja) 表面改質紙類
JPH07277707A (ja) オゾン発生装置
JP2004267863A (ja) ガス処理装置
JPH0368136A (ja) ドライエッチング装置
JPH02281730A (ja) プラズマエッチング法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040330

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041005