TW469437B - On chip programmable data pattern generator for semiconductor memories - Google Patents

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b 943 7 A7 ______B7_ 五、發明說明（/ ) 發明背景_ 發明領域_ 本發明係有關一種半導體記憶體，且更特別的是有關一 種以晶片上資料圖形產生器用於測試半導體記憶體裝置 的設備。 相闞技術說明 電路複雜度的快速成長己增加了記憶體測試作業的困 難度及成本。高密度記億體的發展在測試困難度上引進 了新的尺寸。例如，更高速率的同步DRAM必需包含更複 雜且更耗時的圖形測試作業。使用一些用於記憶體測試 作業的測試系統需要額外的儀器以維持新近的產量位 準。通常爲了維持更複雜之高速記憶體裝置的產量而需 要添加的額外測試器都是極昂貴的。 有關同時測試新近以及未來世代之髙密度記憶體的議 題涉及了相對於測試器之速率和準確度的晶片頻率。它 會變得更難找到能夠跟上受測晶片的高速測試系統。通 常，裝置頻率已成長得比測試器的準確度更快。同時，測 試儀器是日益複雜。接腳數目日益增高且因此必須在更 多接腳上管理準確度。此外，對製造業者以及測試員而言 還有一個議題是使成本維持在合理的位準上且能夠在合 理的時間框架內執行測試作業。 於半導體記憶體的測試作業中，吾人係藉由利用1個外 部測試裝置將一個已知資料圖形書寫到陣列內的各記憶 體單元上以測試晶片。然後再將資料圖形讀回裝置上並 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 裝 111 訂--------_·" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 943 7 A7 B7 五、發明說明（>)

與已知的資料圖形作比較。例如，這些資料圖形可包含實 體圓形、邏輯圖形、及/或檢測器圖形等。參照第· 1 A - 1 C 圖對像動態隨機存取記憶體（DRAMs )之類的半導體記億體 而言，位元線BL以及互補位元線BL(以下稱爲BL bar)係 成對而耦合於感測放大器SA上。爲了啓動（讀取出或書 寫到）一個記憶體單元（由圓圏表示），吾人必需選出一個 感測放大器SA和一個字元線WL。BL和BL bar各含有 一些相關的記憶體單元。例如於第1A圖中，吾人係將實 體的「1」資料圖形當作1儲存於一些與BL相關的記憶 體單元上且當作〇儲存於一些與BL bar相關的記憶體單 元上。這意指所有記憶體單元都含有一些充了電的電容 器。對第1B圖而言，這個資料圖形是用於邏輯「1」的》 此例中，係將所有的1都儲存於該陣列內，意思是其中一 半的記憶體單元含有充了電的電容器而另一半的記億體 單元則吾''於第I C圖中，所施行的檢測板圖形是一種含 有交替的0和1且交替配置著已充電和已放電的記憶體 單元電容器。 如第1A-1C圖所示，實施資料會對應到電容器的內容、 意義、或儲存。於實體]的例子裡，電容器是已充電的； 而對實體0而言，電容器是已放電的。對邏輯資料而言， 只有輸入/輸出接腳（DQ)上的數値是重要的。邏輯〗（〇) —詞意思是若該記憶體單元是連接到BL或BL b a r上，則 將一個1 ( 0 )讀取/書寫出/到該I /0接腳上。檢測板圖形 也是一種交替配置著已充電和已放電之記憶體單元電容 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！ ！1 訂·！ ！!'" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 943 A7 B7 五、發明說明（θ ) 器的實體資料圖形。邏輯圖形是更容易施行的，因爲各記 憶體單元的位址並不像實體資料圖形一般重要的緣故。 對實體資料圖形而言，吾人需要BL或BL bar的連接資訊 以提供適當的測試作業。因此，吾人需要位址資訊以便使 BL/BL bar與每一個記憶體單元以及該資料圖形產生關 聯。因爲位址資訊以及記憶體單元密度的緣故，產生了與 測試作業相關的困難。這一部分是因爲記憶體單元的數 目以及不僅必需追蹤其位址定在每一個記憶體單元上的 資料圖形而且必需追蹤各不合格記憶體單元的位置。 晶片製造程序並非零誤差的。所以吾人必須仔細地測 試每一個晶片，通常是利用上述資料圖形。目前測試成本 是記億體晶片之整體製造成本的主要貢獻者。吾人可以 藉由減少測試晶片所需的時間及/或增加平行地接受測試 的晶片數目以降低測試成本。平行接受測試的晶片數目 通常是受限於記億體測試器能夠掌控的輸入/輸出（〗/〇) 通路數目。有一種增加平行地接受測試之晶片數目的方 法是減少外部測試器與受測晶片之間的接點數目。假定 一個測試器能夠掌控1 〇 2 4個I / 0通路且需要1 3 0個通路 以測試一個晶片，則吾人能夠平行地測試七個晶片。 所以，存在著對一個用於測試記憶體單元而同時降低了 測試成本且減少了測試時間之裝置的需求。此外，也存在 著對一種能減少用於測試每一個晶片所需要通信數目之 裝置的需求。 發明槪述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂 - -------^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 943 7 A7 B7 五、發明說明（4 ) 根據本發明的一種半導體記憶體晶片含有：一個包含許 多作行列配置之記憶體單元的待測第一記憶體陣列，取用 這些記憶體單元以便藉由使用一些位元線和字元線、輸 入/輸出接腳上所提供的資料；以及形成於該記憶體晶片 上的一個圖形產生器而自其上讀取資料或資料書寫到其 上。這個圖形產生器也含有一個包含許多記憶體排的可 程式化記億體陣列，這些記憶體排則含有一些作行配置的 記憶體單元，其中每一個記憶體排都能夠儲存一些用於將 要由第一記億體陣列上每一個輸入/輸出接腳產生之圖形 的資料。其中也包含一個機制係用來使儲存於該可程式 化記憶體陣列內資料之位址訂定在一些其內包含了將要 傳送到第一記憶體陣列上或自其上傳送出來之單獨資料 的住址上。 另一種半導體記憶體晶片含有一個包含許多作行列配 置之記憶體單元的待測第一記憶體陣列，取用這些記憶體 單元以便藉由使用一些位元線和字元線以及輸入/輸出接 腳上所提供的資料而自其上讀取資料或將資料書寫到其 上。其中有一個圖形產生器是形成於該記憶體晶片上。 這個圖形產生器也含有一個包含許多記憶體排的可程式 化記憶體陣列，這些記憶體排則含有一些作行列配置的記 憶體單元，其中每一個記億體排都能夠儲存一些用於將要 由第一記憶體陣列上每一輸入/輸出接腳產生之圖形的資 料。其中也包含一個機制係用來使儲存於野程式化記憶 體陣列內資料之位址訂定在一些其內包含了將要傳送 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注$項再填寫本頁> 裝--------訂---------0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 943 7 A7 ----B7________ 五、發明說明（^ ) 到第一記憶體陣列上或自其上傳送出來之單獨資料的位 址上。一個圖形解碼器係用來根據一個輸入信號自儲存 於那些記憶體排內的許多圖形中選出—個圓形。使各輸 出端耦合於該第一記憶體陣列的各輸入/輸出接腳上以提 供一些將要傳送到第一記憶體陣列上或自其上傳送出來 的單獨資料。 根據本發明的一種DRAM記憶體晶片含有一個包含許多 行列配置之記憶體單元的待測第一記憶體陣列，取用這些 記憶體單元以便藉由使用一些位元線和字元線而自其上 讀取資料或將資料書寫到其上。這些資料是提供於各輸 入/輸出接腳上。其中有一個圖形產生器是形成於該記憶 體晶片上。這個圖彤產生器也包含許多記億體排的可程 式化記憶體陣列，這些記億體排則含有一些作行列配置的 記憶體單元，其中每一個記憶體排都能夠儲存一些用於將 要由第一記憶體陣列上每一個輸入/輸出接腳產生之圖形 的資料。其中包含一個輸入機制用於將一些來自該記憶 體晶片外部之來源的圖形資料輸入到其內包含有可程式 化記憶體的記憶體排上。這個圖形資料是在測試該記憶 體晶片之前提供到該可程式化記憶體上的。其中也包含 一個機制係用來儲存於該可程式化記憶體陣列內資料之 位址訂定在一些其內包含了將要傳送到第一記憶體陣列 上或自其上傳送出來之單獨資料的位址上。一個圖形解 碼器係用來根據一個輸入信號自儲存於那些記憶體排內 的許多圖形中選出一個圖形°使各輸出端輔合於該第一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） 1 ' ^--------訂---------# (請先聞讀背面之注意事項稃填寫本頁) 46 943 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（知） 記憶體陣列的各輸入/輸出接腳上以提供一些將要傳送至g 第一記憶體陣列上或自其上傳送出來的單獨資料。 於根據本發明的替代實施例中’也可以在半導體記憶體 晶片上或以外包含一個用於訂定位址的機制。這個用於 訂定地址的機制可由一個外部測試裝置所提供的°圖形 產生器可能包含一個圓形位址輸入端以便選出一個儲存 於可程式化記憶體陣列內的圖形。這個可程式化記憶體 陣列可包含一個其內儲存有圖形資料的唯讀記憶體。這 個記億體晶片最好是一種動態隨機存取記憶體晶片。這 個可程式化記憶體陣列最好儲存有許多資料圖形，這許多 資料圖形中每一個資料圖形都可儲存於數個記憶體排 上。這個位址訂定機制最好包含一些字元線及一些感測 放大器以啓動該可程式化記憶體陣列內的各記憶體單 元。將要產生的圖形可包含實體圖形、邏輯圖形、及/或 檢測器圖形等。 本發明的這些及其他目的、特性、及優點將會因爲以 下參照所附圖示對顯示用實施例的詳細說明而變得更明 顯。 圖式簡單說明 以下將參照附圖藉由對本發明較佳實施例的詳細說明 而呈現本發明。 第1 A - 1 C圖係用以顯示一些記憶體陣列的俯視圖，其中 顯示的是一些根據習知設計而儲存的標準資料圖形； 第2圖係用以顯示其上形成了一個含有根據本發明中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — I I —I — I-I * I----I — ^ — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 943 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 可程式化記憶體之圖形產生器之記憶體裝置的方塊圖； 第3圖係用以顯示第2圖中圖形產生器的簡略圖示，其 中顯示的是根據本發明的一些記憶體排以及一個圖形解 碼器； 第4圖係用以顯示第3圖中根據本發明之圖形產生器 上記憶體排的簡略圖示；以及 第5圖係用以顯示一組用來爲第3圖中根據本發明之 圖形產生器儲存一個完整圖形的記憶體排的簡略圖示。 較佳苜施例的說明 本發明係有關一種半導體記憶體的測試作業，且更特別 的是有關一種利用可程式化的晶片上資料圖形產生器測 試半導體記憶體的裝置。吾人最好將這個資料圖形產生 器設計並製造成記憶體晶片的一部分。這個資料圖形產 生器會儲存一個由外部測試器供應或直接以頑強方式編 碼到圖形產生器之內的任意資料圖形。由於吾人係在測 試作業之前將該資料圖形儲存於靠近記憶體單元處，故根 據本發明的晶片上資料圖形產生器會提供一種更快速且 更有效率的方法以測試半導體記憶體晶片/裝置。 現在依特別仔細的方式參照各附圖，所有附圖中相同的 參考標碼都是用來辨識出類似或完全相同的元件，一開始 參照第2圖顯示的是一種半導體記憶體裝置/晶片丨0 ◦ ° 這個半導體記憶體裝置1 〇 0含有一個包含許多記憶體排 1 0 4的記憶體陣列丨0 2。這些記德朦搂丨〇 4包含一些能利用 字元線WL以及位元線BL和BL ba r加以取用的記憶體單 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公爱） ----— HI — —.1 ' ^---!!|訂· —-----声 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明說明（ί) 元106。圖形產生器108是依晶片上方式包含其內以提 供一個兩來測試記憶體單元1 06的測試用圖形。 圖形產生器1 〇 8可以藉著一個可能由例如一個序列介 面丨12耦合於圖形產生器108上的外部測試器110而受 到控制。這個圖形產生器10 8可以藉由設定或重設測試 模式的作業而啓動或撒銷。這可以利用一個動作開關或 是一個供應到使動作線上的動作信號加以執行。使動作 的作業會容許圖形產生器108透過一些資料輸出線輸出 像第1圖之類資料圖形並將之傳送到記憶體陣列1 02上。 這些資料輸出線是耦合於記憶體晶片1 00的各輸入/輸出 (I /0)接腳或DQs上。 資料·輸入和程控線容許吾人直接取用圖形產生器108 的記憶體]14。圖形產生器108可能包含唯讀記憶體或 可擦記憶體或同時包含這兩者。資料-輸入線容許吾人將 圖形資料輸入並儲存於記憶體Π 4內，直到將它傳送到記 憶體陣列102之內以便測試記憶體單元106爲止=程控 線容許程式化作業在記憶體Π4上進行書寫或重寫。圖 形位址線容許特定圖形進入圖形產生器108並於其上施 行程式化。吾人會使用圖形位址以選出一個圖形以便將 資料書寫到記憶體單元106上。 記億體位址線1 2 0包含一些列位址線和一些行位址 線。記憶體位址線I 20會將一些落在記億體單元之記億 體1 1 4以內將要由圖形產生器1 08書寫的位置供應到陣 歹|J 1 02的記憶體單元1 06上。圖形產生器1 〇8會管理該 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21CU297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----- 訂 ii 麵！'" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7____ 五、發明說明（9 ) 位址資訊以便根據所指定例如實體圖形（第1 A和1 C圖）、 邏輯圖形（第1B圖）、以及圖形資料之類的圖形將一些圖 形資料寫書到記憶體單元]06上。圖形拓撲（實體資料的 攪拌或是記憶體陣列1 02之內的資料配置）是受到透過記 憶體位址線1 02之各列位址線和各行位址線而供應到圖 形產生器1 〇 8上由列和行位址構成之子集合的控制。於 某一實施例中，吾人在記憶體位址線1 20的各列位址線上 只需要一個單一位元（I或0)以提供如第1圖所示之列位 址資料的攪拌作業。吾人在記憶體位址線]20的各行位 址線上可需要兩個或三個位元（1及/或0)以提供如第] 圖所示之行位址資料的攪伴作業。用於列/列資料之攪拌 作業的實際位元數目可能根據晶片的建築結構而變化。 參照第3圖，其中以更詳細的方式簡略地顯示了晶片上 圖龄產生器1〇δ。圖形產生器]08的記憶體114含有許 多記憶體排Π 5，其中每一個記憶體排都包含了某一特定 圖形上的資訊，亦即圖形<0>、圖形 < ] > ' …、或圖形<Κ> , 一個用於列資訊的X位址<X> ,所有用於行資料的y位址 y<0:n-l>,以及所有將要藉由DQ輸入/輸出到記憶體陣列 1 0 2上的資料<〇 :〗>。將一個圖形位址輸入到圖形解碼器 1 2 2上以選出一個特定圖形，亦即圖形< 0 >、圖形< 1 >、...、 或圖形<k>。於第3圖中，根據下列協定標記出各排1 1 5 : 一個排是由一個圓形（0 - k )以及一個y位址（〇 - n )加以辨 識出。例如，排<k><n>指的是一個可包含實體圖形或任何 其他想要圖形的圖形k以及一個行η。 -π - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) ί諝先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---I---—訂---I-----户 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46943 7 經濟部智慧財產局負工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（、。） 參照第4圖，其中以單一排<k><0>更詳盡地顯示出各排 Π 5。排<k><〇>會接收一個輸入信號以及來自圖形解碼器 122(第3圖）的資料圖形<k>而使這個排<k><0>動作。這 個排<k><0>會將用於待傳送資料圖形<k>的資訊儲存於記 憶體陣列1 02(第2圖）內。這個排<k><0>包含一些將要 透過資料-輸出端從<k><0>輸出到一個單一 X位址（列位 址）和整個y位址（行位址）空間上所有資料線DQ<0 : j >的 資料。吾人已觀測了其他儲存配置，例如每一個排1 1 5都 可能包含用於單一 X位址（列位址）和整個y位址（行位址） 空間上所有資料線DQ<0 :> 的資訊。例如，j可能等於 4 , 8 , 1 6，3 2 , 64 或其乘積= 參照第5圓，其中以一些排<k;><0 :11>進一步顯示出一種 根據本發明之晶片上圇形產生器的配置。這組排CkxO:!!〉 包含用於整個位址空間（亦即X位址<0 : η - 1 >和y位址 <0:π-]>,其中m和η分別是該圖形在X和y方向上所需 要的位元數目）上完整資料圖形的資訊》 再次參照第2圖，這些排115可包含足夠的儲存空間以 儲存一個將要傳送到記憶體陣列1 0 2上之最小重複圖形 之完整圖形的足夠資料。同樣地，這些排115可包含足夠 的儲存空間以儲存一個將要傳送到記憶體陣列1 〇2上之 任意尺寸圖形之完整圖形的足夠資料。吾人能夠依類似 於記憶體陣列丨〇2的方式製造出圖形產生器的記憶體 1 1 4。例如，如第]圖所示這個記憶體Π 4包含一些感測 放大器SA、一些位元線BL ( BL b a 1·)、以及一些字元線WL。 -12- 本紙張尺度迪用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） — I— I I--* . I ί I itT--I--111 « (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 943 7 A7 ______B7__ 五、發明說明（'1 ) 依這種方式。吾人使用y -位址以啓動記憶體1 1 4內一些 對應到各字元的記憶體單元，而使用X -位址以啓動各感 測放大器SA。圖形產生器1 08含有像一些感測放大器SA、 一些位元線BL ( BL b a 1·)，以及一些字元線WL之類與記 憶體陣列1 02之對應結構同時形成的結構。 圖形位址信號可能是在晶片上或是由外部測試器產生 的。於記憶體11 4內儲存愈多圖形則需要愈多的圖形位 址線。例如，若將要儲存8個不同的資料圖形則需要3個 不同的位址位元。此外，記憶體位址線1 20上的位址信號 可能是在晶片上或是晶片外產生的。記憶體114可包含 一些其內儲存有已程式化圖形以供應用的唯讀記憶體。 爲了施行利用根據本發明之圖形產生器1 08的測試作 業，吾人藉由選擇將要用於測試的測試模式而選出一個圖 形。將這個圖形當作圖形位址輸入到圖形解碼器I 2 2上， 這個解碼器則選出一些其內含有對應到所選出圖形之資 料的記憶體排]1 5。以可在晶片上或是晶片外產生的X-位址選出一個單一排，並以y -位址定出將要提供給圖形 產生器輸出端的資料組。爲了節省晶片面積，吾人可以將 用於圖形產生器的電路減小爲單一的可程式化資料圓 形。每次需要新的圖形時，吾人便將之下載到圖形產生器 1 0 8的記憶體1 1 4之內。於其他各實施例中，吾人可以混 合一些圖形資料（亦即將數個圖形用於單一測試上），例如 吾人可以在任意選出的位置上使用一個測試板圖形或波 紋圖形以提供用於記憶體陣列1 02的該測試圖形= -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---^ -----~—訂---------轉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 469437 A7 ____B7___五、發明說明（a ) 窗例 下列實例依展示方式說明了 一種根據本發明而用於一 個1 6位元DRAM晶片的圖形產生器。對一個1 6位元的晶 片而言，其中包含了 DQO -】5。對這個實例而言，記憶體結 構容許一個具有兩個行方向的位元（亦即η = 2 )以及4個 列方向的位元（亦即ηι = 4 )。同時，想要將8個圖形儲存於 圖形產生器的記憶體內，於是k = 7(〇-7是8個圖形）。（WL 是從列位址加以解碼的）其中m和η是與陣列內最小重複 結構的拓樸形式有關的 <=吾人想要書寫一個測試板圖形 (如第1 C圖所示）。圖形產生器必須提供圖形內的各〇和 1。參照第】C圖於啓動感測放大器34<〇>的例子裡，y ·位 址將會是0且X -位址也會是0 ,並將一個1供應到該位元 線BL上。現在，若使X-位址從0改變爲1 (改變爲WL<1>)， 則圖形產生器的輸出端上需要一個0 »從几<0>到WL<1>1 的改變使用的是相同的y-位址。 對第1C圖的圖形而言，圖形產生器必須書寫的資訊包 含一個1 , 0,0，】的圖形。此例中，吾人在X -方向上需要 一個具有固定y -位址的4位元。然後，該圖形會重複自 已。吾人已將這四個4位元儲存於圖形產生器的記憶體 內。因爲用於SA<0>W圖形與SA<1>的圖形是不同的故 吾人在y -方向上需要一個2位元。 其中m和η ( 4 X 2 )是本實例中的最小獨特圖形。有利的 是，圓形產生器會儲存這個最小重複結構亦即吾人只需藉 由改變該位址而於DR AM晶片之記憶體單元內重複讀取/ -14- (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！ ！11 訂 本紙張尺度適用辛國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 469437 A7 _ B7 五、發明說明（G) 書寫該圖形。 於上述實例中，一個外部測試器能夠掌控1 〇 2 4個I / 0 通路且需要1 30個通路以測試一個晶片，因此於習知設計 中吾人能夠依平行方式測試7個晶片。藉由結合根據本 發明的圖形產生器，使正常情況下用來產生圖形的通路變 成可用的通路。例如，每個晶片都有大約31個可用的通 路。這意指該測試器現在能夠依平行方式測試]〇個晶片， 因此增加了對記憶體晶片接受度測試的產値。 吾人已說明了用於半導體記憶體之晶片上可程式化資 料圖形產生器的較佳實施例（顯示用而非限制用），應注意 的是熟悉習用技術的人應該能在不偏離上述課程下作各 種修正。因此吾人應該了解的是能在不偏離本發明所附 申請專利範圍之精神及架構下作各種修正。如是詳盡地 說明了本發明，且在專利法的特殊要求下將申請專利範圍 以及期望受到文字専利法保護的內容列舉如下》 符號之說明 100.. .半導體記憶體裝置/晶片 102.. .記憶體陣列 104.. .記憶體排 106…記憶體單元 108.. .晶片上圖形產生器 1 1 0…外部測試器 I 1 2...序列介面 II 4...圖形產生器的記憶體 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- ----訂 ----ί*'^ 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 46943 7 A7 _B7 五、發明說明（4 ) 5 0 2 D 1 2 2 Q W - 11 - 1 ϋΛ A s 接 資 址器dBi器 ® 肖ijmi«4< 體解增/*放 憶形入取測 排記圖輸讀感 線 線 腳料 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------声 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 4 6 94 3 7 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第 測 待 的 元 單 鐙 憶 記 :之 含置 包 J@ 片列 晶行 g作 SB JT 憶多 記許 體含 導包 半個 crTTc, 種 用料 使資 由的 藉供 便提 以所 元上 單腳 體接 億出 記輸 些 這 用 取良 ’線 列元 陣字 體和 憶線 記元 入 輸 晶書 1料 憶資 記將 該或 於料 成資 形取： 讀有 片 寫 位 些 及 以 上 含 其也 自器 而生 器產 生形 產圖 形個 圖 這 個 ’ I上 的其 上 至 些每 這中 U其 歹 ， 陣元 體單 憶體 記億 化記 式的 程置 可配 的列 排行 體作 億些 記一 多有 許含 含則 包排 個體 一 憶 記 體 憶及 61以 =1 » » 1 料 第資 由的 要形 將圖 於之 用生 些產 一 腳 存接 儲出 夠f B匕 j f 入 都輸 排個 體一 憶每 記上 個列 I 惲 於 存 內 其 儲些 使一 來在 用定 係訂 制址 機位列 個之陣 一 料體 資憶 內記 列一 陣第 體到 憶送 記傳 化要 式將 程了 可含 該包 上 址 位 的 料 資 獨 單 之 來 出 送 傳 上 其 自 或 上 AB· 舞 圍 0 ΠΊ 專址 請位 申定 如訂 2 半 之 項 含 包 是 制 機 該 的 於片 用晶 中的 其禮 片憶 晶記 濃 遵 fiB 憶導 記 半 體該 導於 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 裝--------tr---------線 上 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於 用 中 其。 ’的 片供 晶提 體器 憶試 記測 體部 導外 半個 之一 項由 1 是 第制 圍機 範該 利的 專址 請位 申定 如訂 之位 項形 1圖列 第個陣 圍一體 範有憶 利含記 專器化 請生式 申產程 如形可 片 晶 匿 8B 憶 己 ==0 擭 導 半 - 出 選 以 入 輸 址 圖該 該於 中存 其儲 個 形 圖 的 內 可唯 該的 中料 其資 片形 晶圖 體有 憶存 己儲 1=1 口 內 fl=- 導其 半個 之一 項有 1 含 第列 圍陣 範體 利憶 專 記 請化 申式 如程 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 46 943 7 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 讀記億體。 6 ·如申請專利範圍第1項之半導體記憶體晶片，其中該言己 億體晶片是一種動態隨機存取記憶體。 7 .如申請專利範圍第1項之半導體記憶體晶片，其中該位 址訂定機制含有一些字元線和一些感測放大器以啓動 該可程式化記憶體陣列的各記憶體單元。 8 .如申請專利範圍第1項之半導體記憶體晶片，其中該許 多資料圖形中的每一個資料圖形都是儲存於數個記憶 體排上。 9 .如申請專利範圍第]項之半導體記憶體晶片，其中將要 •產生的該圖形是實體圖形、邏輯圖形、及檢測板圖形 中的一種。 1 〇 . —種半導體記憶體晶片，包含： 一個包含許多作行列配置之記憶體單元的特測第一 藉 便 以 元 單 懂 4-- > 憶 記 些 這 用 取 列 Jmt 體 憶 記 形 位自圈 些而M 一 料造 用資 使的 ， 由供 提及 所以 • 9 上 腳 接 出 輸 器 生 産 形 上圃 其的 到上 寫片 軎晶 入料髏 輸資憧 及將記 以或該 線料於 元責成 字取形 和饋訇 線上一 元其 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·！-----訂---.1!-線 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 些每 中 列其 陣元 膿單 億體 記廬 化記 式的 程置 可配 的列 排行 II作 馆些 記一 :多有 有許含 含含則 也包排 器19體 生一憶 産 記 體 內 憶 列 記；陣 一 料體 第資憶 由的記 要形化 將圖式 於之程 用生可 些產該 一 腳於 存接存 儲出儲 夠輸使 能入 都輸 排個 β 1 SUM 憶每 記上 個列 1 陣 來 用 係 芾 機 個 第 到 送 傳 要 將 了 含 包 內 上 址 位 的 料 資 獨 單 之 來 出 其送 些傳 一上 在其 定自 訂或 址上 位列 之陣 料體 資憶 記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6 94 3 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 g_六、申請專利範圍 一個圖形解碼器，係用來根據一個輸入信號自儲存於 那些記憶體排內的許多圖形中選出一個圖形；以及 一些耦合於該第一記憶體陣列的各輸入/輸出接腳上 的輸出端，係用來提供一些將要傳送到第一記憶體陣列 上或自其上傳送出來的單獨資料。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之半導體記憶體晶片，其中 用於訂定位址的該機制是包含於該半導體記億體晶片 上。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之半導體記憶體晶片’其中 用於訂定位址的該機制是由一個外部測試器提供的。 1 3· ·如申請專利範圍第]0項之半導體記憶體晶片，其中 該輸入信號是由記憶體晶片外的一個外部信號源提供 的。 1 4 .如申請專利範圍第1 〇項之半導體記憶體晶片，其中 該可程式化記億體陣列含有一個其內儲存有圖形資料 的唯讀記憶體。 1 5 .如申請専利範圍第1 〇項之半導體§B憶體晶片，其中 該記憶體晶片是一種動態隨機存取記憶體。 16. 如申請專利範圍第項之半導體記憶體晶片，其中 該許多資料圖形中的每一個資料圖形都是儲存於數個記 憶、體排上。 17. 如申請専利範圍第10項之半導體記憶體晶片，其中 將要產生的該圖形是實體圖形、邏輯圖形、及檢測板 圖形中的一種。 -19- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！ 訂---‘------線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公釐） 469437 ABCD 夂、申請專利範圍1 8 . —種DRAM記憶體晶片，包含： 一個包含許多作行列配置之記憶體單元的待測第一 記憶體陣列，取用這些記憶體單元以便藉由使用一些位 元線和字元線而自其上讀取資料或将資料鬌寫到其上，這荜賫料 是提供於自輸入/輸出接腳上；以及 一個形成於該記憶體晶片上的圖形產生器，這個圖形 產生器也含有： 一個包含許多記憶體排的可程式化記憶體陣列，這些 記億體排則含有一些作行列配置的記億體單元，其中每 一個記憶體排都能夠儲存一些用於將要由第一記憶體 .陣列上每一個輸入/輸出接腳產生之圖形的資料；一個輸入機制，係用於將一些來自該記憶體晶片外部 料 資 形上 圖排 的體 源憶 來記 之的 個 這 體之 憶片 記晶 化體 式憶 程記 可該 •fjJE 試 含測 包在 內是 其料 到資 入形 輸圖 的 上體 憶制 記機 化址 式位 程定 可訂 該於 到用 供個 提 一 前 化要資 式將獨 程了單 可含之 該包來 於內出 存其送 儲些傳 使 一 上 來在其 用定自 係訂或 ，址上 位列 之陣 料體 資憶 內 記 歹 ί 陣第 體到 憶送 記傳 --------訂---.------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於 存 儲 自 JUL· 號 信 入 輸 {@1 據 根 來 用 係 器 碼 ;解 上形 址圖 位個 的一 料 上 腳 及接 以出 ; 輸 形/ 圖入 個 輸 1 各 出的 選列 中陣 形體 圖憶 多記 許一 的第 內該 排於 體合 憶耦 記些 些 | 那 供 提 來 闬 係 料資 獨 單 的 來 出 送 傳 上 端其 出自 輸或 的上 nj 歹 KBI 澧 δηπ 憶 記1 第 到 送 傳 要 將 些 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2丨〇 X 297公釐） 888 8 ABCD 46 943 7 六、申請專利範圍 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之半導體記憶體晶片，其中 該可程式化記憶體陣列含有一個其內儲存有圖形資料 的唯讀記憶體。 20 .如申請專利範圍第1 8項之半導體記億體晶片，其中 用於訂定位址的該機制是包含於該半導體記億體晶片 上。 2 1 .如申請專利範圍第18項之半導體記憶體晶片，其中 用於訂定位址的該機制是由一個外部測試器提供的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐）