TW463264B - Plasma processing apparatus and plasma processing method - Google Patents

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A7 忒 6326 4 ______B7 _ 五、發明說明（1 ) [技術領域] 本發明’係關於對於半導體基板等之基板施予電漿處 理之電漿處理裝置及電漿處理方法。 [技術背景] 在例如半導體裝置之製程方面，對於被處理基板即半 導體晶圊，多採用蝕刻、濺射' CVD(化學氣相成長）等之 電漿處理α 作為用來進行這種電漿處理之電漿處理裝置者，雖使 用有各種之處理裝置，但其中尤以電容耦合型平行平板電 漿處理裝置為主流。 電容耦合型平行平板電漿處理裝置，係在室内配置一 對之平行平板電極（上部及下部電極），將處理氣體導入於 室内之同時，在電極之一方外加高頻，以形成高頻電場於 電極間，藉由此高頻電場來形成處理氣體之電漿，進而對 於半導體晶圓施加電漿處理者。 若藉由這種電容耦合型平行平板電漿處理裝置來蝕刻 半導體晶圓上之膜、例如氧化膜時，將室内作成中壓，形 成中雅度電漿，藉此可進行最佳自由基控制，從而可獲得 合適之電漿狀態，藉高選擇比來實現高穩定性及再生性之 蝕刻。 然而，近幾年，ULSI之設計規則愈來愈微細化，孔形 狀之縱橫比也要求更高者，在氧化膜之钱刻方面，正逐漸 地成為依照以往之條件的話未必能充份合乎需要。 於是’嘗試了使外加之高頻功率之頻率上升，—面維 本紙張尺度適用中國國彖標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I n n ϋ ^1- n I V ϋ ^^1 i e^i ai· 1 i_v I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（2) 持良好之電槳離解狀態，一面形成高密度電漿之事：藉此 可在更低壓之條件下形成合適之電獎，因此可適當地適應 進一步之設計規則之微細化= 且說，依據本發明人之檢討結果，判明了若使如此外 加之高頻功率之頻率上升，使電漿密度上升時’將產生如 下之新問題。 以往，對於上部電極之供電係透過供電桿來進行’此 供電桿雖設在上述電極背面之中心位置，但若因形成高密 度電漿，而使外加頻率上升的話，高頻電流則只通流電極 最表面涔彳'、兒桿供給上部電極之高頻功率，便通過電 極η面而至電極之圓周方向從圓周側向中心漫漫地供給 電極之電紫接觸面，又，上部電極之圓周部分係由絕緣體 所圍繞著.而絕緣體外側之以 安接地。因此，於上 部電極之電漿接觸面，在干擾作角下，形成駐波，使電極 徑向之電場分布變成不均句。 若像這樣電場分布變成不均勻的話，電毁密度便變成 二均勻：蝕刻時蝕刻率分布也變成不均勻因此需要排除 〜種電昜布不均勻之原因使姓刻率分布變成均一。 ' '； 以往使用這種高密度電漿時之缺點，未必有 明痛的5忍識’因而尚未充份嘗試如上述-般之電場分布不 均勻等缺點之解除。 丨發明之揭露j ^ 1 灰&漾之情事而作者’其目的係在於提供 電f處观置及電激處理方法以便於使用可更徵細化地 .尺度㉙用♦阈E家標沒 ,-----n-mii | __ι 6.44 規格（π; -------------裝--------訂i 1 ! I---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 463264 A7 ______B7___五、發明說明（3 ) 應付之高密度電漿的電漿處理，可使電場表面之電場分布 的不均勻變小，且可使電漿密度變成均勻。 為了解決上述課題，I據本發明之第一觀點而提供_ 種電装處理裝置，其特徵在於包含有： 小室，係用以收容被處理基板； 第一及第二電極，係設在小室内成為互相對向； 高頻電源，係透過匹配器將高頻功率換給前述第—電 極； 供電構件，係從前述高頻電源將高頻功率供電給一與 前述第一電極之對向於前述第二電極之面相反侧之面； 移動機構’係用以使前述供電構件之供電位置移動； 排氣手段，係用以維持前述小室内成給定之減壓狀 態；及 處理氣體導入手段，係用以導入處理氣體於前述小室 内；藉此， 藉由前述高頻功率將處理氣體電漿化，以便進行電聚 處理* 依據本發明第二觀點，提供一種電漿處理裝置，其特 徵在於包含有： 小室’係用以收容被處理基板； 第一及第二電極，係設在小室内成為互相對向； 高頻電源’係透過匹配器將高頻功率供給前述第一電極； 供電手段’係從前述高頻電源將高頻功率供電給一與 ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： -絲' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 6 A7 B7 五、發明說明（4 別述第一電極之對向於前述第二電極之面相反側之面： 排氣手段，係用以維持前述小室内成給定之減壓狀 態：及 處理氣體導八手段，係用以導入處理氣體於前述小室 内：其中， 前述供電手段.備有： 供電板’係從與前述第一電極之對向於前述第二電極 之面相反側之面，隔開設置； 供電構件，係連接於一從該供電板中之對應於面中心 之位置向徑向偏離之位置，以便將來自前述高頻電源之高 頻功率供電給第一電極，其中前述面為與第一電極之對向 於第二電極之面相反側之面；及 旋轉機構，係用以使前述供電板旋轉、俾使前述供電 構件之供電位置在前述第一電極之供電面旋轉；藉此，' 藉由前述高頻功率將處理氣體電漿化，以進行電漿處 ______ f I I I * f I I I I I I « — — — —111 (請先閲讀背面之注幸Μ事項再填寫本頁) 蛵濟部智慧財產局員工消費合作.社印枭 依據本發明之第二觀點，提供一種電漿處理裝置， 特徵在於包含有： 小室，係用以收容被處理基板： 第一及第二電極，係设在小室内成為互相對内· 高頻電源 '係透過匹配器將高頻功率供給前述第 其 極 電 供電_f段·係: $迷第一電極之射 前逑高頻電源將高頻功率供電给 纤則述弟二電極之面相反倒之面 與 4632 6 4 五、發明說明（5) 態；及 Γ手段，係用以維持前述小室内成給定之減髮 狀 向 處理氣體導入手段，俜用以达入忐彻 係用以導入處理氣體於前述，卜 内，其中， 4 i 前述供電手段，備有： 供電部，係連接於前述高頻電源； 多數個電源接收端子部，係設在前述第一電極之對 於前述第二電極的面之其中心以外的位置；及 開關機構，係其一端連接於前述供電部之同時，可移 動地設置成可分別供電給前述多數個電源接收端子部之: 個，以便依次轉換用來接收來自前述高頻電源之高頻功率 的電源接收端子部；藉此， 藉由前述高頻功率，將處理氣體電漿化以進行電漿處 理。 依據本發明之第四觀點，提供一種電漿處理裝置，其 特徵在於包含有： 小室’係用以收容被處理基板； 第一及第二電極，係設在小室内成為互相對向； 高頻電源，係透過匹配器將高頻功率供給前述第一電 極； 供電手段，係從前述高頻電源將高頻功率供電給一與 前述第一電極之對向於前述第二電極之面相反侧之面； 排氣手段，係用以維持前述小室内成給定之減壓狀 態；及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ------I-----r Μ--------^---------轉 f靖先閱磧背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 處理氣體導入手段，係用以導入處理氣體於前述小室 内；其中， 前述供電手段，備有： 多數個電源接收端子部，係設在前述第一電極之對向 知、削述第二電極的面之其中心以外的位置； 夕數個供電線路，係用以連接前述高頻電源與前述電 源接收端子部：及 開關機構 '係用以依次轉換電源接收端子部.此電源、 接收端子部即用以接收前述多數個電源接收端子部中來自 前述高頻電源之高頻功率：藉此， 藉由前述高頻功率，將處理氣體電漿化以進行電漿處 理。 依據本發明之苐五觀點，提供一種電漿處理方法，其 係於設置成相對向之第一及第二電極間之處理空間，配置 被處理基板，一面導入處理氣體於此處理空間—面將高頻 功率供給前述第一電極，藉此形成電漿於處理空間’對於 前述基板施行電漿處理之方法者；其特徵在於： 當將高頻功率供電給一與前述第一電極之對向於前述 第二電極之面相反側之面，以形成電漿時，在其供電面内 使供電位置移動。 依據本發明之第六觀點，提供—種電漿處理方法其 傳m成互相對向之第—及第二電極間之處理空間配 置被處理基板面導八處理氣體於此處理空間_面將高

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經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 463264 A7 ________B7_____ 五、發明說明（7 ) 於前述基板施行電漿處理之方法者；其特徵在於： 當將多數個電源接收端子部設於一與前述第一電極之 對向於前述第二電極之面相反側之面的中心以外之位置’ 將高頻功率供電給前述第一電極以形成電漿時，依次轉換 用來接收高頻功率之電源接收端子部。 若依本發明，則當在設置成相對向之第一及第二電極 間之處理空間，配置被處理基板’一面導入處理氣體於此 處理空間一面供給高頻功率於第一電極，藉此在處理空間 形成電漿俾對於前述基板施行電漿處理時，將高頻功率供 電給一與第一電極之對向於前述第二電極之面相反側之面 時，在其供電面内使供電位置移動，所以不會產生如從電 極中心供電時一般之干擾，可防止因干擾作用而造成之駐 波之形成。例如，使供電位置從電極中心位移、旋轉，藉 此使南電場強度之位置移動，使電場強度平均化。因此， 可使第一電極之電漿接觸面中之電場分布更為均勻，同時 可使電漿密度變為均勻。 [圖式之簡單說明] 第1圖為一斷面圈，係顯示本發明第一實施形態之電漿 處理裝置。 第2圖為一斜視圖，係用以說明對於本發明第一實施形 態之電漿處理裝置的上部電極供電之供電機構。 第3圖為一斷面圖，係顯示使用本發明實施形態之電漿 處理裝置的、用以連接上部供電桿與供電桿之連接機構。 第4圖為一斷面圖，係模式地顯示習知上部電極中之高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） -111111 — — — — — ^ ·\ — — — — — — «—It—— — — — ί請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、發明說明（8) 頻功率的供給系路 第5圖為一底面圖，係模式 頻功率的供給系路。 的顯示習知上部電極中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6圖為一電路圖，係顯示—用於本發明第—實施 之電漿處理裝置的匹配器。 第7圖為一斷面圖，係顯示本 處理裝置。 月第一施形恐之電激 第8圊為一斜視圖，係顯示上部電極周邊部之部分切開 部·此上部電極係用於本發明坌- 彈月弟一實施形態之電漿處理炉 置= ' 第9圖為一斷面圖，係顯示本發明第三實施形態之電浆 處理裝置。 [用以實施發明之最佳形態] 以下，參照附圖來說明本發明之實施形態。 首先，說明第一實施形態。第丨圖係將本發明第—實施 形感模式地顯示之斷面圖。此電漿處理裝置丨，係作為電容 麵合型平行平板蝕刻裝置來構成之a此電容耦合型平行平 板錄刻裝置’係上下平行地對向著電極板，且，在一方連 接有電漿形成用電源： 此電漿独刻處理裝置丨，備有一成型成圓简形狀之小室 2 ;此小室2係由其表面被氧化鋁膜處理（陽極氧化處理）之 鋁所構成' 且被保安接地，在前述小室2内之底部設有略圓 柱形之感應器支持台4 其係透陶瓷等之絕緣板3·來載置 被處理體 K導體晶圊（以r .稱為晶® . 更 —* i I* 裝--- <請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂. .線· 46326 4 A7 ___B7___ 五、發明說明（9 ) 且’在此感應器支持台4之上，設有一用來構成下部電極之 感應器5。在此感應器5，連接有高通濾波器（HPF)6。 在前述感應器支持台4之内部，設有冷媒室7;在此冷 媒室7’即透過冷媒導入管8導入冷媒，然後從冷媒排出管9 將之排出、循環’透過前述感應器5將其冷熱傳熱給前述晶 圓W，藉此控制晶圓w之處理面成所需之溫度。 前述感應器5,係成型為其上中央部成凸狀之圓板形： 在其上即設有與晶圓略同形之靜電夾盤11。靜電夾盤11， 係在絕緣材間介有電極12，而從連接於電極12之直流電源 13外加1.5kV之直流電壓，藉此，藉庫侖力來靜電吸附晶圓 W。 而且，在前述絕緣板3、感應器支持台4、感應器5、及 前述靜電失盤11，形成有一用來供給傳熱媒體即He氣體至 被處理體即晶圓W背面的氣體通路14 ;即，透過此傳熱媒 體’將感應器5之冷熱傳輪給晶圓W，使之維持於給定之'溫 度》 在前述感應器5之上端周緣部，配置有環狀之聚焦環 15,以便圍繞一載置在靜電夾盤11上之晶圓W。此聚焦環 15係由矽等之導電性材料所成，藉此提高蝕刻之均一性。 在前述感應器5之上方，設有一與該感應器5平行地對 向之上部電極2 1。此上部電極2 1，係透過絕緣材25，而被 支持在小室2之上部，且，由電極板23及水冷構造之電極支 持體22所構成。其中：電極板23係由具有多數個孔24的、 例如表面被氧化鋁膜處理的鋁、矽、SiC或非晶形碳所成； 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS>A4規格（210x297公釐） -12 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝—! —訂！-- 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印製 經濟部智慧財產局員工消費合作衽印製 A7 --------E_____ 五、發明說明（l〇) 而水冷構造之電極支持體2 2則用以支持此電極板2 3 ,由導 電丨生材料、例如表面被氧化鋁膜處理的鋁所構成、-又.感 應器5與上部電極21 ’係隔開10〜60mm左右： 在前述上述電極21中之電極支持體22,設有氣體導入 口-2,更且在此氣體導入口 26,連接有氣體供給管27;此 氣體供給管27，則透過闊28及質量流控制器”，來連接處 理氣體供給源3 〇 s從處理供給源3 0，供給用來電衆處理， 例如’蝕刻處理之處理氣體。 作為處理氣體用者’可採用以往所使闬之各種處理氣 體，且，可適當地使用含有如氟烴氣體（CxF?)或氫氟烴氣 體( CpHq：Fr) —般之鹵元素的氣體。又，另外添加Ar、He等 之稀有氣體或N2也可。 在前述小室2之底部連接有排氣管31 :在此排氣管31， 即連接有排氣裝置35。排氣裝置35係備有渦輪分子泵等之 真空泵，藉此可將小室2内抽空至給定之減壓氛圍氣、例如 0.01 Pa以下之給定壓力。又，小室2侧壁設有閘閥32 ;即’ 以啟開該閘閥32之狀態，在鄰接之負載鎖室（未圖示）間運 送晶圓W。 從第一高頻40供給南頻功率至上部電極2 1 ;在其供電 線42，介有匹配器41。又，在上部電極，連接有低通濾波 器（LPFH3。此第一高頻電源4〇，具有27MHz以上之頻率； 像這樣外扣高頻率.藉此可形成合適之離解狀態且高密 度之電漿並3在低壓條件下進行電漿處理於本例.使 闬#MHz者$為高頻電源4〇() ~~~~™---- I n n n i 1 n I n I El t l_1 ϋ ^ -Q> · n n n n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 463264 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 ___B7__ 五、發明說明（11) 在小室2之上方，設有與小室2同徑且與之連續之電磁 波遮蔽箱50;在其内，設有一將高頻功率供給上部電極 '之供電桿（供電構件）51及一供電板52。更且，在電磁波遮 蔽箱50之外側設有一使供電板52旋轉之馬達53。而且，由 供電桿51、供電板52及馬達53來構成供電手段。 如第2圖所示，供電板52係形成圓盤形，且，設置成與 上部電極21之背面平行地從上部電極21微微隔離，並可將 其中心作為旋轉軸旋轉。此供電板52，係配置成與上部電 極21同心，其直徑小於上部電極。 供電桿5 1係形成曲柄狀，備有：從電磁遮蔽箱5〇之天 棚向供電板52之中心垂直延伸之上垂直部51a;連續於此上 垂直部51a並向水平方向外側延伸之水平部51b ;及連續於 此水平部51b並垂直延伸連接至一從供電板52中心偏離之 位置的下垂直部51c。而且，在上垂直部51a與電磁遮蔽箱 50之天棚間設有軸承56，作成使供電桿51可旋轉。又，在 轴承56之上方設有連接機構57，其係用以連接匹配器41之 輸出即固定之上部供電桿46與可旋轉之供電桿51。此連接 機構57,係如第3圖所示，備有箱57a及積存於其内之水銀 57b。而包含有圓盤部46(設在上部供電桿46之前端）之前端 部則浸潰於水銀57b。其被作成當供電桿5丨旋轉時，與箱57a 一起旋轉。 馬達5 3係設在電磁遮蚁箱5 0上；其旋轉轴5 4係向電磁 遮蔽箱50内部之垂直下方延伸，且，在其端部安裝有齒輪 55。一方面’上述供電板52之周面成為齒輪，以便供電板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐 14 ,、. — — — — — I— * — — — — — — {請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紮 五、發明說明（l2) 52與齒輪55相咬合。又，供電板52係由未圖示之支持機構 所支持著：因此，可使供電板52成為以供電桿51作為軸旋 轉。 供ΐ板、與上部電極21之隔開距離為例如5 m m左右： 此等即電容耦合著。在此狀態，供電板如上述一般地旋轉' 藉此供電桿5 1之對於供電極52之連接部58便以供電板52之 中心作為旋轉中心旋轉。因此，對於上部電極2丨之供電位 置·便在電極21之背面上、即電極支持體22之上面上 '以 上部電極2 1之中心作為旋轉中心旋轉。 在作為下部電極用之感應器5，連接有第二高頻電源 44，而在供電線則介有匹配器45。此第二高頻電源44具有 例如從100kHZ〜13.56MHz之範圍選擇之頻率；即，藉著外 加這種範圍之頻率，而可對於被處理體即晶圓W給與適當 之離子作用。於本例’使用2MHz者作為第二高頻電源44。 其次’說明如上所構成之電漿處理裝置！的處理動作。 首先’打開了閘閥32之後’從未圊示之負載鎖室（i〇acj l〇ck)將被處理基板即晶圖W搬進小室2内，載置於靜電夹盤 11上=然後，從高壓直流電源外加直電壓，藉此將晶圓w 靜電吸附於靜電夾盤11上。接著關閉閘閥32，藉排氣裝置 3 5 '抽空小室2内至給定之真空度 其後’打開閥28、處理氣體，於是從處理氣體供給源 汕一面藉質量流控制器29來調整其流量、一面通過處理氣 體供給管2 7 ‘氣體導人口 20而導人於上部電極2〗之内部： 遣而通過電極板之吐出孔24 '如第）圖之箭形符號所示 -------------裝--------訂.--------線 f請先閱讀背面之注ί項再填寫本頁) A7 463264 _______B7___ 五、發明說明（13 ) 均等地吐出於晶圓W，使小室2内之壓力維持於給定之值。 接著’其後’從第一高頻電源40外加60MHz之高頻於 上部電極21。藉此’在上部電極21與作為下部電極用之感 應器間產生高頻電場，離解處理氣體使之電漿化，藉由電 漿，對於晶圓W施予蝕刻處理。 另一方面’從第二高頻電源44外加2MHz之高頻於下部 電極即感應器5。藉此’將電漿中之離子引入於感應器5側， 在離子加速器之作用下提高蝕刻之各向異性。 使用第4、5圖’就這種場合所產生之習知技術之缺點 說明之。如上所述，將外加於上部電極21之高頻頻率作成 高於27MHz ’藉此可提高電漿密度’但將供電桿配置於電 極中心位置於習知裝置，卻在上部電極2丨之電漿接觸面， 因根據電流、電壓之相位差的干擾作用而形成駐波，產生 電場之不均勻。 即’上部電極21之電極板23’通常，由表面被氧化鋁 膜處理的鋁、Si、SiC等之導電體或半導體所構成；若從高 頻電源40透過供電桿51’供給之高頻電流被高頻率化，則因 表皮效果而只對於電極之表面供給電功率[此時之表面深 度5即用（2/ω σ # )1/2來表示。但，ω二2 π f (f:頻率）、以： 導磁率]’若在上部電極21之中心存在供電桿時，電壓及電 流則通過供電桿51’之表面、電極支持體22之上面、電極支 持體22之側面、電極板23之側面，而到達電漿接觸面即電 極板23之下面。此時，供電桿51，由於存在於上部電極21 之中心，而在電極板23下面之邊緣部，無論何處電壓及電 本紙張尺度適用+國國家標準（CNS)A4現格（210 X 297公爱） ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明說明（14) 流均為同一相位：岍以如第5圖所示從電極板23之邊緣部以 同一相位向中心方向緩慢地供給電力。因此，在電極板23 之中心及邊緣部產生相位著d/ λ (久為電極表面波之波 長、d為電極之半徑）。又，在電氣性均衡電路，上部電極 2 1之圓周部分‘係與供給電力至電漿之方向並聯地透過絕 緣體<C成分）降落於接地：在圓周位置之電場強度E。’成為 E0-E ( ω t j。在電極中心部分之電場強度&，成為 tv=E . ω卜d λ )。ω為外加頻率；λ為透過電漿形成 外加頻率及高次諧波（波長縮短）之波長。此時，由於從圓 周部分朝向申心緩慢地供給高頻功率，而來自圓周側之電 壓及電流聚集於電極板23之中心部。藉此，電極板23下面 之中心部分的電場強度變成高於邊緣部分之電場強度。 又，由於中心位置係與電漿接合，而RF均衡電路上成 為開路端。因此’產生電漿密度之不均勻。 於是本實施形態，為了解除因這種原因而產生之駐 波，而將成為圓盤狀之供電板，與上部電極21之背面平行 地從上部電極2〗微微地隔開，可旋轉地設置其中心作為旋 轉軸，將供電桿5 1連接於—從此供電板52中心偏離的位 置。由於供電板52及上部電極2丨係電容耦合著，所以在此 狀態下使供電板52旋轉.藉此使供電桿5丨之對於供電板 之連接部59，以供電板52之中心作為旋轉中心旋轉。高頻 電流則從電容耦合之供電板5 2向上部電極2丨流，所以對於 丄部電極21之洪電位置便成為在電極支持體22之上面上 以上-都電極2 :之由心作為旋轉中心旋轉： ----------I I--I-----—----I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 463264 Α7 Β7 五、發明說明（15) 像這樣，在上部電極21之供電面内移動供電位置，因 此可防止如從上部電極21中心供電時一般之干擾作用下的 駐波之形成。即，使供電位置從上部電極2〗之中心移位， 藉此高電場強度之位置從中心偏離之同時，使供電位置旋 轉，高電場強度之位置於是隨其旋轉而移動，所以可將電 場強度平均化。也因此’可使上部電極2】之電漿接觸面中 之電場分布更加均等，同時，可使電漿密度成為均等。 此時，來自供電位置之上部電極21中心之移位量，雖 沒有特別之限定，但以移位從上部電極21中心供電時所形 成之駐波半功率點寬度之半徑份兒為理想。 又，供電位置之旋轉速度，即供電板52之旋轉速度’ 宜儘量快速地旋轉，以便可迴避蝕刻膜為絕緣性時因電漿 之不均等而可能產生之充電傷害，且，蝕刻之均一性變佳D 但，只考慮蝕刻之均一性的話’有2〇rpm以上即足夠。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，匹配器41，係構成如第ό圖所示之構造，其係對於 高頻電源40及供電桿51串聯地從上游側設有線圈81及可變 電容器84’更且，在線圈81之上游側連接有一接地的電容 器80;而在線圈8丨之下游側，連接有接地的可變電容器82 及電容器83。在此處，上述上部電極21及供電板52雖形成 電谷器’但右其靜電容量為同Ε配器41之供電桿51形成争 聯之可變電容器84之靜電容量以下，則匹配範圍有變化之 虞。因此’由上部電極21及供電板52所形成之電容器的靜 電容量’從不改變匹配範圍之觀點視之，宜大於可變電容 器84之靜電容量’特別，其1 〇倍以上的話更佳。 本紙張尺度適用中國Θ家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公爱)' I~~--'~~~ 五、發明說明（l6 A7 B7 經濟部智慧財產局員Η消費合作杜£ρ^ 同來連接固定之上部供電桿46與可旋肖之供電桿 51之連接機構57㈣水銀來連接該等，因此，可獲得除作 成簡易之構造以m將電Μ壓低，且不使摩擦產生等 之效果。 其次+說明本發明之筮-眘· / 弟一實知形％ :第7圖係將本發明 第二實施形態之電聚處理裝置，模式地表示之斷面圖：第8 圖係將用於第7圖裝置之上部電極周邊部切開—部分來表 示的斜視圖。此㈣處理裝置卜也與第-實施形態同樣’ 作為電容型平行平板_裝置來構成，其電極板上下平 地對向’亚在-方連接電毁形成用電源^於第7圖中，與 1圖同一者基本上附以同一符號，說明即省略之。 在本實施形態方面，與第—實施形態不同，備有： 數個（圖為6個）之電源接收端子部6()，其係等間隔地配置^ 上部電極2]之背面，即’與電極支持體22上面之上部電極 2】同心的圓周上；及開關機構61，其係—端連接於上部供 電桿46，並設置成可分別供電給多數個電源接收端子⑽之 各個，依次轉換用來接收來自高頻電源4〇之高頻功率的電 源接收端子部60 = 開關機構6卜包含有：框㈣，其係設在電極支持體 22上面之中央：電源接收端子板63 ’其係設在框體62内_ 同時，每五張連接於-個電源接收端子部咖旋轉構⑽ 其係設置成垂直於框體62内之中央且可旋轉：四張供電 板65其係安裝在旋轉構件64且：形成向同一方向延伸 之.康升；及馬達6 其.係設在框敎:f肉之底部且使旋轉構 π 第 多 在 之 子 -----------I* 裝•丨一I----訂--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本.¾適.¾ 0租菡家標嚷 J規格 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463264 A7 ______B7 五、發明說明（口） 件64旋轉。各電源接收端子之五張電源接收端子板63，係 藉構件63a來連接其外側部分之彼此間；而在框體62之周壁 與構件63a間’設有絕緣構件62b。而且，在框體62内設有 圓盤形之支持壁62a;在此支持壁62a與旋轉構件64間，即 安裝有軸承67。又’設有一用來連接上部供電桿46與可旋 轉之旋轉構件64之連接機構57,。連接機構57,係與第一實 施形態之連接機構57同樣，設成透過水銀來連接。又，框 體62之上壁與固定之上部供電桿46間係密閉著，可藉未圖 示之排氣手段來維持成真空狀態。 連接於一個電源接收端子部60之五張電源接收端子板 63,係配置成水平’四張之供電端子板65也被設置成水平。 而且’將四張供電端子板65設成可分別通過該等五張電源 接收端子6 3之各個間’且’如圊所示，在連接於_電源接 收端子部60之五張電源接收端子部各個之間，成上下地配 置四張供電端子板65,藉此電容耦合電源接收端子板63及 供電端子板65。在此狀態下’將來自高頻電源4〇之高頻功 率，從旋轉構件64經由對應之電源接收端子部供給上部電 極21。然後使旋轉構件64旋轉’藉此依次轉換一用來接收 電源之電源接收端子部。關於其他構成即基本上與第1圖同 —— 〇 在如此構成之電漿處理裝置Γ方面，基本上按照第一 實施形態之電漿處理裝置，來進行蝕刻處理。 依照本實施形態，由於在上部電極21之背面，即電極 支持體22之上面，設置多數個電源接收端子部6〇，使連接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 20 --------11〆 V 裝 i I ! I I I 訂·! 1—— — · ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員Η消費合作社s-fcr' A7 ----B7 ____ 五、發明說明（I8) 於各電源接收端子部60之電源接收板63、與連接於旋轉構 件64之供電端子板6〉可電容耦合’使旋轉構件64旋轉‘藉 此使供電端子板65通過電源接收端子板63之上下，於各電 '原接收端子部6〇依次形成此種電容耦合，所以形成有電容 輕〇 (笔谷器）之電源接收端子部成為依次接收來自高頻 電源40之高頻功率。因此 '變成供電位置隨著旋轉構件64 之绽轉而向上部電極2 1移動，藉此不會產生如從上部電極 -1供笔之情況一般的固定之干涉條紋，可防止導因於干擾 作用之駐波之形成：具體言之，將上部電極2丨中之供電位 置作成從中心移位之位置即電源接收端子部6〇，藉此使高 電場強度之位置從中心偏移之同時，依次轉換一配置在與 上部電極2 1同心之圓周上的電源接收端子部6〇中接收的端 卞部，使上部電極2 1之供電位置旋轉藉以移高電場強度之 位置，所以電場強度被平均化。因此’可使上部電極2丨之 電漿接觸面的電場分布更加均等，從而可使電漿密度變為 均等。 此時，藉由未圖示之排氣機構，將開關機構61之框體 62内抽空成真空狀態，以致不易產生大氣擊穿所以可將 電源接收端子板63與供電板65之間隔作成狹窄，所形成之 電容器之靜電容量變大.可使高頻功率之損失減少、又、 於各電源接收端子部60設置多數個電源接收端子板63在 此等、問配置多數個供電端子板65 .藉此使電容器之電極 面積變大靜電容量隨著變大 '因此可使高頻功率之損失 滅 .不甲說.將電源接收端+板h、件成每.一電源接收 ------------------^----訂-------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

4 6 32 6 4 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明說明（B) 子部有一張，將供電端子板65作為1張來形成一個電容器也 可。尤其是，一如本實施形態那樣，將開關機構61之框體 62内作成真空狀態時，如上所述可使電源接收端子板63與 供電端子板65之間隔變窄，所以儘管將供電端子板65作成1 張來形成一個電容器，也可獲得大靜電容量。又，於第1 圖所示之第一實施形態，將設有供電板52等之空間抽空的 話’也可獲得同樣之效果。 又’供電位置之移動速度，即轉換電源接收端子部60 時之周期，宜儘量快速，以便蝕刻膜為絕緣性時可迴避因 電槳之不均勻而可能產生之充電傷害，且蝕刻之均—性變 佳。然而’若只考慮電漿之均一性的話，其周期只要有2〇 次/分以上即足夠。 又’於本實施形態，上述電源接收端子板63與供電端 子板65雖形成一電容器，但若其靜電容量為與匹配器μ之 供電桿51形成串聯的可變電容器84之靜電容量以下時，匹 配範圍有變化之虞。因此，由電源接收端子板63及供電端 子板65所形成之電容器的靜電容量，從使匹配範圍不變化 之觀點觀之，宜為其1〇倍以上。 其次’說明本發明之第三實施形態。第9圖係將本發明 第三實施形態之電漿處理裝置模式地顯示之斷面圖。此電 漿處理裝置，係與前面之第三實施形態同樣，使電極板上 下平均地對向’並作為一方連接有電漿形成用電源之電容 型平行平板蝕刻裝置來構成。於第9圖中，與第1圖同一者 附以同一符號’說明即省略之。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 1· H ^1 ^1 1« n ./ V Λ— ^1 ^1 .1 I ^1 « — — — — III — t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 22 經濟部智慧財產局員η消費合作社印製 A； -------B7__ 五、發明說明（2〇) 在本實施形態方面，與第二實施形態中之電源接收端 子部60同樣' 備有多數個電源接收端子部6(Γ，其係等間隔 地配置在上部電極2 1之背面，即，與電極支持體2 2上面之 上部電極2 1同心的圓周上。而且設有開關機構7〇 ,其係包 含有：連接於匹配器41之供電桿68 ;從供電桿68分岐且連 接於各電源接收端子部60,之供電構件69 :由設在各供電構 件69之PIN二極管所成之開關元件71 :及用來控制此等開 關元件7 1之控制器72。 在開關機構7 0方面’開關元件7 1成為可藉來自控制器 L之信號來接通.斷開（0N/0FF);從控制器向各開關元件 71輪出給定之脈衝信號，藉此可使各開關元件7丨依次成為 接通（ON)狀態。關於其他構成，即基本上與第1圖相同。 於如此構成之電漿處理裝置r方面，基本上與第一實 施形態之電漿處理裝置1同樣，進行蝕刻處理。 依照本實施形態，由於在上部電極2 1之背面，即電極 支持體22上面設置多數個電源接收端子部60，，並在分岐自 ~連接於各電源接收端子部60’之供電桿68的供電元件 69 ’分別設置由pin二極管所成之開關元件7丨，進而依次 轉換藉控制器72成接通狀態之開關元件71，所以各電源接 收部66便與之相對地成為依次接收來自高頻電源4〇之高頻 功率=因此·隨著根據來自控制器72之信號的開關元件71 之接通•斷開動作，而向上部電極：Μ移動供電位置，藉此 不產生如從上部電極2丨中心供電時一般之干擾，且可防止 莩因於f擾作闲之馬±波的形成具體言之，將上部電搔2丨 --------------裝--------訂--------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 463264 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（21) 中之供電位置當作從其中心移位之位置即電源接收端子部 60，藉此高電，強度之位置從中心偏移之同時，依次轉換 電源接收端子部60’（配置在與上部電極21同心之圓周上） 之甲正在接收的端子部，使上部電極21之供電位置旋轉， 藉此移動高電場強度之位置’所以電場強度被平均化。因 此’可使上部電極21之電漿接觸面之電場分布更加均勻， 並可使電漿密度成為均一。 此時，供電位置之移動速度，即轉換電源接收端子部 60’時之周期，係與第二實施形態同樣，只考慮蝕刻之均— 性的话’其周期只要有2 〇次/分以上即足夠。但，要餘刻之 膜為絕緣性時，為了迴避因電漿之不均勻而可能產生之充 電傷害’而儘量採用快速之周期為宜。具體言之，只要有 500kHz以上，即可迴避充電傷害之產生。依照第一及第二 實施形態，由於藉機械性機構來實現供電位置之移動，所 以用這種高速度使供動位置移動之事，實質上無法做到， 無法完全防止充電傷害之產生；反觀，依照本實施形態， 由於藉由來自控制器72之電信號來轉換開關元件，所以可 實現這種高速度之供電位置的移動，從而可略完全地防止 充電傷害。 於上述第一乃至第三實施形態，施加於外部電極之外 加頻率越高，駐波也越容易形成，因此外加頻率為27MHz 以上時特別有效’但即使為未滿27N1Hz之頻率，駐波之影 響也非完全沒有，可藉著適用本發明來獲得一定之效果。 又’電漿密度為lx 1011個/cm3以上時易產生上述問題，本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼> 24 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I、裝----------訂---------鱗. A7 Β： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印靠 五·、發明說明（二） 發明就是在這種情況時特別有效。 又，本發明並不限定於上述實施形態，可變形各種形 態：例如，依照上述第一實施形態，雖將供電位置作成移 動於與供電面中之上部電極同心的給定半徑之圓周上，但 並不限疋於此’只要移動不通過上部電極之中心的圓周即 可：又，供電位置之移動執跡也不限於圓周，其他形態也 可：又，雖使用藉助水銀之結合，作為固定與移動部之連 接機構，但不限於此，機械性機構等其他機構也可。 又.於第二及第三實施形態，雖將電源接收端子部 等間配置於一與上部電極供電面中的上部電極同心之給 丰搜之圓周上‘但未必是與上述電極同心之圓周’其配且 也不需要一定為等間隔 '更且，只要寸依次轉換用來接收 電源之電源接收端子部，’其配置非為圓周狀也可。又，雖 例不了設置六個電源接收部之實施例，但並不特定其數 目不過，以三個以上為理想，為了促進電漿之均勻化’ 其數目越多越好。 α於第二實施形態，雖利用靜電耦合作為開關機構’但 要開’％構具有可動部’可依次供電給多數個電源接收 端子部^ π， 卩不侧之限制又，於第三實施形態，雖使 用尸 1 Nj 一士 t Λ··ν 不森 '^官作為開關元件，但只要具有開關機能者 =此例<限制：更且供電位置之移動手段'並不 巧至第三實孢形態之移動手段，只要 位.即住何手段均可： ' 埯缽何實施形態雖蔣高頻功莘供給丨下電 以 定 置 即 限定 供電 極 ---------------------訂· ---------^ (请先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) '.咖 :阳A.1：規格：: A7 B7 五、發明說明（23) 但將问頻功率只供給一方之類型也可。又，雖例示了適用 於本發明上部電極之例子，但也可適用於下部電極。又， 雖就使用半導n晶圓作為被處理基板，將之施行钱刻之例 子進行了說明，但並不限於此，使用液晶顯示裝置（LCD) 基板等之其他基板作為處理對象也可。又’電漿處理也不 限於蝕刻、濺射、CVD等之其他處理也可。 如上所說明，若依本發明，則在設置成相對向之第一 及第二電極間之處理空間，配置被處理基板，一面導入處 理氣體於此處理空間一面供給高頻功率於前述第一電極， 藉此在處理空間形成電漿以便對於前述基板施行電漿處理 時，將高頻功率供電給一舆第一電極之對向於前述第二電 極之面相反側之面時’在其供電面内使供電位置移動，所 以不會產生如從電極中心供電時一般之干擾，可防止因干 擾作用而造成之駐波之形成。因此，可使第一電極之電聚 接觸面中之電場分布成為更加均勻，並使電漿密度成為均 勻。因此，可均勻地進行電漿處理，從而可抑制充電傷害 之產生。 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· --嫜' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 絚濟部智慧財產局員工消費合作社印f A7 _ B7_ 五、發明說明（24) 元件標號對照 1 ' 1'、1"…電漿蝕刻處理 29-.· 質量流控制器 裝置 30··· 處理氣體供給源 2… 小室 31··· 排氣管 3·*· 絕緣板 32··· 閘間 4… 感應器支持台 35··· 排氣裝置 5… 感應器 40··. 第一高頻電源 6、 43…低通濾波器（HPF) 41·.- 匹配器 1… 冷媒室 42··· 供電板 8… 冷媒導入管 44··· 第二高頻電源 9." 冷媒排出管 46… 上部供電桿 11· ••靜電夾盤 46a. ·-圓盤部 12· ••電極 50··· 電磁波遮蔽箱 13. ••直流電源 51 ' 5Γ…供電桿 14· --氣體通路 51a. ••上垂直部 15. ••聚焦環 51b. ·-水平部 21 ••上部電極 51c. -·下垂直部 22· -·電極支持體 52··· 供電板 23· ••電極板 53··· 馬達 24· ‘ _吐出口 54··· 旋轉軸 26- •-氣體導八口 55-·· 齒輪 2 7' -氣體供給口 56·· 軸承 28' :間 s 7 u …連接機構 -------------裝------—丨訂---------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) LIII »>||_ ιι_·ί!Β······*ΓΡ··Ι·_>··ι·Ι_Ι VIIII —Ι|Ι·Ι|Ι· I ·Ι· Ι|ΙΙ|_ 冬紙張f ΐ適用S圈舀家標.《HSU」規格丨::¥公釐 463264 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明說明（25) 57a..·箱 64…旋轉構件 57b…水銀 65…供電端子板 58···連接部 68…供電桿 60'60’…電源接收端子部 69…供電構件 61…開關機構 70…開關機構 62…框體 71…開關元件 62a…支持壁 72…控制器 62b…絕緣構件 84…可變電容器 6 3…電源接收端子板 400…高頻電源 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 28

Claims (1)

1. 4 6 32 6 4 A8 B8 C8 D8 六 申請專利範圍 種電毁處理裝置，其特徵在於包含有： 小室’係用以收容被處理基板； 第一及第二電極，係設在小室内成為互相對向； 高頻電源，係透過匹配器將高頻功率供給前述第一 電極； 供電構件，係從前述高頻電源將高頻功率供電給— 與刖述第一電極之對向於前述第二電極之面相反側之 面； 移動機構，係用以使前述供電構件之供電位置 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 動； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 排氣手段，係用以維持前述小室内成給定之減壓狀 態；及 處理氣體導入手段，係用以導入處理氣體於前述小 室内；藉此， 藉由則述高頻功率將處理氣體電漿化，以便進行電 漿處理。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理裝置其特徵在 於： 前述移動機構’係使前述供電構件之供電位置，實 質地移動於一與前述第一電極供電面中之第一電極同 心的給定半徑之圓周上。 3. —種電漿處理裝置，其特徵在於包含有： 小室’係用以收容被處理基板； 第一及第二電極’係設在小室内成為互相對向； 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 線· 29 六、申請專利範圍 ΛΒ BS C8 DB 高頻電源，係透過匹配器將高頻功率 供給前述第一 電極： 供電手段’係從前述高頻電源將高頻功率供電給 與前述第-電極之對向於前述第二電以面相反惻 之 面； 排氣手段，係用以維持前述小室内成給定之減壓狀 態；及 絰濟部智慧財產局員χ消費合作.社"^ 處理氣體導入手段，係用以導入處理氣體於室内：其中 前述供電手段，備有： 七、电板，係從與前述第一電極之對向於前述第二電 極之面相反側之面，隔開設置； 供電構件，係連接於一從該供電板中之對應於面中 心之位置向徑向偏離之位置，以便將來自前述高頻電源 之阿頻功率供電給前述第一電極，其中前述面為與第一 電極之對向於第二電極之面相反側之面； 旋轉機構，係用以使前述供電板旋轉’俾使前述供 冓件之供電位置在前述第一電極之供電面旋轉：藉 前述小 --------------裝--- (請先閱讀背面&注意事項再填寫本頁> _線· 此，處理 女ο申 於： 藉由前述高頻功率將處理氣體電漿化，以進行電漿 Q °与專匇鏠圍第3項所述之電漿處理裝置、其特徵在 電岱置係在與第...電殛同心之 % I* 1¾ vb' -n f。年7月歼·、ί 1C 4 6 3 2 6 4 as Do C8 DS

   申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圓周上移動’該第一電極位於跟第一電極之對向於前述 第二電極之面相反側之面中。 5. 如申請專利範圍第4項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 前述供電位置之旋轉數為2〇rpm以上。 6. 如申請專利範圍第3項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 前述高頻電源與前述供電構件，係透過水銀來連 接。 7. 如申請專利範圍第3項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 由前述第一電極及前述供電板所形成之靜電耦合 的靜電容量，係大於一在前述匹配器内與供電構件串聯 地形成之靜電容量。 8. —種電漿處理裝置，其特徵在於包含有： 小室’係用以收容被處理基板； 第一及第一電極，係設在小室内成為互相對向； 高頻電源’係透過匹配器將高頻功率供給前述第一 電極， 供電手段’係從前述高頻電源將高頻功率供電給一 與前述第一電極之對向於前述第二電極之面相反側之 面； 排氣手段’係用以維持前述小室内成給定之減壓狀 態；及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公8 ) f "裝------I I訂------- --線 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 31 τ、申請專利範圍 處理氣體導入手段，係用以導入處理氣體於前述小 室内；其t 前述供電手段，備有： 供電部，係連接於前述高頻電源； 數個電源接收端子部，係設在前述第—電極之對 向於蝻述第二電極的面之其中心以外的位置；及 開關機構，係其一端連接於前述供電部之同時，可 移動地設置成可分別供電給前述多數個電源接收端子 部之各個，以便依次轉換用來接收來自前述高頻電源之 鬲頻功率的電源接收端子部；藉此， 藉由前述高頻功率，將處理氣體電漿化以進行電漿 化處理。 9.如申請專利範圍第8項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 前述開關機構，包含有： 電源接收端子板，係分別連接於前述多數個之電源 接收端子部： 一供電端子板，係連接於前述供電部之同時，可通過 前述各電源接收蠕子部之電源接收端子板的正上面或 正F面，且與前述各電源接收端子板對向時，在與其電 源接收端子板之間可靜電耦合；及 .骚動㈣肖用以使前述供電端子板移動依次位 置於_各電源_子之電源接收端子板的正上面 或j!:. T面 463264

   前述開關機構’係安裝有前述供電端子板，且具有 藉前述驅動機構來旋轉之旋轉構件，透過前述旋轉構件 供電給前述供電端子板。 U·如申請專利範圍第9項或第IG項所述之電職理裝置， 其特徵在於： 更具有減壓手段’其係使前述開關機構存在於減壓 氛圍氣中。 12·如申請專利範圍第9項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 連接於前述各電源接收端子部之電源接收端子 板，每於電源接收端子部各設置多數張，且具有多數個 供電端子板，以便可與各電源接收端子部之多數個電源 接收端子板靜電耦合。 13.如申請專利範圍第8項所述之電漿處理裝置，其特徵在 前述供電部與前述開關機構，係透過水銀來連接β 14‘如申請專利範圍第9項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 藉前述電源接收端子及前述供電端子板來形成之 靜電耦合的靜電容量，係大於跟前述匹配器内之供電構 件串聯地形成之靜電容量。 15.—種電漿處理裝置，其特徵在於包含有： 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） !—ft·--- (琦先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 33

   申請專利範圍 電極： 小室係用以收容被處理基板： 第—及第二電極，係設在小室内成為互相對向： 高頻電源，係透過匹配器將高頻功率供給前述第— 供電手段，係從前述高頻電源將高頻功率供電給一 與前述第一電極之對向於前述第二電極之面相反側之 面； 排氣手段，係用以維持前述小室内成給定之減壓狀 態：及 處理氣體導入手段，係用以導入處理氣體於前述小 室内；其中， 前述供電手段，備有： 夕數個電源接收端子部，係設在前述第一電極之對 向於刚述第二電極的面之其中心以外的位置； 多數個供電線路，係用以連接前述高頻電源與前述 電源接收端子部；及 開關機構’係用以依次轉換電源接收端子部，此電 源接收端子部即用以接收前述多數個電源接收端子部 中來自前述高頻電源之高頻功率：藉此， 藉由Θ述高頻功率，將處理氣體電漿化以進行電黎 處理 丨6如申請專利範圍第丨5項所述之電漿處理裝置.其特徵在 於： fl" -¾ I'1»; Hij 構 包含有 -------------裳--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社£ίϊΐ 4 6 2 3 6 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 開關元件，係設在前述多數個供電線路；及 控制手段，係用以使此等開關元件依次成為接通 (ON)狀態。 17_如申請專利範圍第16項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 前述開關元件具有PIN二極管。 18.如申請專利範圍第16項乃至第17項之任一項所述之電 漿處理裝置，其特徵在於： 則述多數個電源接收端子部，係配置在一圓周上， 此圓周並不通過與前述第一電極之對向於第二電極之 面相反侧之面的其中心。 19‘如申請專利範圍第18項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 前述多數個電源接收端子部，係以等間隔配置在跟 第一電極同心的給定半徑之圓周上；其中，該第一電極 係在與前述第一電極之對向於第二電極之面相反側之 面中。 20. 如申請專利範圍第18項所述之電漿處理裝置，其特徵在 於： 將依次轉換配置在前述圓周上之供電端子部時之 周期，係20次/分以上。 21. 如申請專利範圍第8項或第丨5項所述之電漿處理裝置， 其特徵在於： 將依次轉換配置在前述圓周上之供電端子部時之 本紙張尺度刺+國ΐ家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） IΪ -----*c-------訂--------線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) AS B8 C8 OS j、 *1y 申凊專利範圍 周期 '係20次/分以上。 二·如申請㈣範圍第1小8、15項之任„項所述之電衆 處理裝置‘其特徵在於： 更備有一將高頻外加於前述第二電極之其他$ 電源-- 3 ^3·—種電t處理方法，其係設置相對向之第—及第二電極 間之處理空間，配置被處理基板，—面導八處理氣體於 此處理空間一面將高頻功率供給前述第一電極，藉此形 成電毁於處理空間，對於前述基板施行電毁處理^方法 者；其特徵在於： 义當肖高頻功率供電給一與前述第一電極之對向於 前述第二電極之面相反側之面，以形成«時，在其供 電面内使供電位置移動' 4.如申料職_23項料之電“理方法，其特徵在 於· 前述供電位置，係在與第—電極同心之給定半 圓周上移動’該第一電極位於跟第 ： 第二電極之面相反側之面中。 之對向於-述 25 =申請專利範㈣24項所述之«處理方法·其特徵在 前述供電位置之移動速度，係係2〇rpm以上 26 —種㈣處理方法.其係於設置成互相對向之第—及第 處㈣配置被處理·-面導八處： ".體…剩-.面將—供給前述第電 ^---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員1;-消費合作 I本 '*6 463264 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 極，藉此形成«於處理空間，對於前述基板施行電聚 處理之方法者：其特徵在於： 田將夕數個電源接收端子部設於一與前述第一電 極之對向於别述第二電極之面相反側之面的中心以外 之位置，將高頻功率供電給前述第一電極以形成電紫 時，依次轉換用來接收高頻功率之電源接收端子部。 27.如申請專利範圍第26項所述之電漿處理方法，其特徵在 於： 前述電源接收端子部係配置成圓周狀；依次轉換前 述電源接收端部時之速度為20rpm以 上 ----I-----I I I I ------—訂.1 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 37 -