TW457542B - Method for validating pre-process adjustments to a wafer cleaning system - Google Patents
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Description
457542 五、發明說明（1) 發明背景 本發明係有關於半導体的製造，尤指晶圓清洗系統之 預處理調整的確認方法。在製造半導体裝置時，會進行各 式各樣的晶圓預備操作。有一些晶圓預備操作的目標是要 在製造程序·諸如：電漿蝕刻和化學機械的平坦化之後，從 晶圓表面去除掉不必要的殘餘物質。如熟悉技藝人士所知 的，任何不必要的殘餘物質遺留在晶圓表面對隨後的製造 操作可能引起缺失，使得晶圓上的裝置不能動作。因此， 為了達到高生產率，有效的晶圓預備操作是必要的。 圖1 A疋一個習用晶圓清洗系統5 0的示意圖。這個清洗.一 系統50包含一個裝載站10 »此站内有一卡医14裝有複數個 晶圓可能被插入此系統來清洗。一旦晶圓被插入裝載站 1 0，一個晶圓1 2可能從卡匣1 4内取出來，搬移到洗刷站 16’這一站包含第一個刷洗箱1 6 a和第二個刷洗箱i 6 b。晶 圓12首先被移動到第一個刷洗箱i6a，在那襄以含有特定 化學藥劑和去離子水的溶液來刷洗。此晶圓丨2接著被搬移 到第二個刷洗箱1 6 b，再一次以含有特定化學藥劑和去離 子水的溶液刷洗。在刷洗箱1 6a和刷洗箱〗6b中洗刷過晶圓 1 2之後，此晶圓被移動到旋轉，沖洗和烘乾（$ r卩， spin, rinse，and dry)站20’在此站，當晶圓被旋轉 時，去離子水即喷灑到晶圓表面的頂部和底部。晶圓丨2被 烘乾之後’即從SRD站20搬移到卸貨站2 2。 直到目前為止，對控制晶圓污染的努力主要放在晶圓 的頂面。然而，隨著半導體工業朝向較大晶圓（諸如3〇q
第6頁 467542 五、發明說明（2) mm)，以及較小（諸如0，18 甚炱更小）特徵尺寸之發 展，晶圓頂面和底面的污染控制卻變得日益重要。一種晶 圓可旎會遭受到微粒污染的方式是當晶圓沿著晶圓移轉路 控移動時’透過與洗刷站中機械元件的接觸而污染。為了 盡力避免像這樣不必要的接觸’在晶圓加工開始之前，要 做好洗刷站之機械元件之預處理調整。這些預處理調整是 计劃要在洗刷站之機械元件如：軌道、其它元件和配件之 間S又置空隙’以使晶圃沿著晶圓移轉路徑移動時，晶圓和 洗刷站之機械元件間不會發生不必要的接觸。 —旦完成預處理調整，並且開始進行晶圓操作時，操 作員會看守沿著晶圓移轉路徑移動的晶圓，觀察晶圓的頂 部和洗刷站之機械元件之間是否有不必要的接觸發生。 惜的是因為操作員不能透視不透明的晶圓，所以操作員沒 有辦法看到晶圓底部和洗刷站之機械元件之間是否有發生 任5不必要的接觸。結果，只要關涉到晶圓的底部，操作 員就沒有可靠的方法來確認晶圓移轉路徑是暢通無阻的 因此，目前，在洗刷站内要控制晶圖底部的污染很困難: 另一種晶圓可能會遭受到微粒污染的方式是在 移進及被移出SRD站時，透過與輸送裝置接觸所造 運送過程期間，輪送裝置必須在晶圓底部的正下方稃在。 假如輸送裝置和SRD站的預處理調整做得不夠精確的咭。 輸送裝置就有可能接觸到晶圓的底部產生微粒污染、-’ 圓被移進及移出SRD站時，因為不透明的晶圓擋住、^晶 員對輪送裝置的視線，所以操作員沒有可靠的方法來判定
457542 五、發明說明（3) 輸送裝置是否接觸到晶圓的底部。因此，目前，很難在晶 圓被移進及移出SRD站時控制晶圓底部的污染。
當前對於避免晶圓上微粒污染之努力，除了前述的刷 洗操作之外’還包括一些沖洗操作。尤其是通常設在洗刷 站第一個刷洗箱入口處，及第一個與第二個刷洗箱出口處 之上下沖洗歧管，此歧管分別喷灑去離子水到晶圓了貝部及 底部。在SRD站中完成旋轉沖洗操作的期間，也會噴灑去 離子水至晶圓的頂部和底部。圖丨B是一個簡單的橫剖面示 意圖，說明SRD站中用，來噴灑去離子水至晶圓頂部及底部 的習知技術。如圖中所示’槽2 4中晶圓1 2藉由滾輪2 6所支 撐，滾輪只觸碰到晶圓的邊緣’以避免晶圓的頂部丨2a和 底部1 2 b產生污染。槽2 4的底部設置一和去離子水的源頭 30相連通之喷嘴28。當晶圓12旋轉時，喷嘴28就會朝晶圓 的底部12b喷灑去離子水。.
前述的各個沖洗操作中，操作員能夠只藉由觀察而輕 易地判定出喷灑之去離子水是否適當地接觸到晶圓的頂 部。然:而，因為不透明的晶圓擋住了操作員對於喷灑操作 的視線’所以操作員沒有可靠的方法來判定喷灑之去離子 水是否適當地接觸到晶圓的底部。舉例而言，如圖1B所 示，在.旋轉沖洗操作期間，晶圓12擋住了操作員對喷嘴28 喷灑去離子水的視線。同樣地，在洗刷站内晶圓也阻擋了 操作員監看下沖洗歧管喷灑去離子水的視線。結果，在前 述任何的沖洗操作中，去離子水的噴灑不能適當地接觸到 晶圓的底部，於是，沖洗操作不能徹底的將微粒污染從晶
第8頁 457542 五、發明說明（4) 圓的底部移除。假如晶圓底部微粒污染物的量超過可接受 的標準，那麼產率就可能顯著地減少。 鑒於前述，需要一個可靠的技術以判定晶圓清洗系統 之預處理調整是否足以避免進程中之晶圓和系統機械元件 之間不必要的接觸。另外還需要一個可靠的技術以確認晶 圓的底部在沖洗操作期間可以適當地與液體如：去離子水 接觸。 發明概要 - 廣泛地來說，本發明提供一種實質透明的晶圓，在待 處理之半導體晶圓通過此類的設備之前，該實質透明的晶 圓可以用來觀察、測試和確認對晶圓清洗設備之調整。此 實質透明的晶圓可以用來確認晶圓移轉路徑暢通無阻，以 及確認在沖洗過程期間，從晶圓下方所喷灑之液體能適當 地接觸到晶園底部。
依照本發明之觀點，提供一晶圓清洗系統之預處理調 整的確認方法。此方法包含操作：（1 )對一晶圓清洗系統 做預處理調整；（2 )將一實質透明的晶圓上载至該晶圓清 洗系統；（3)當該實質透明的晶圓沿著該晶圓清洗系統中 之一晶圓移轉路徑移動時觀察該實質透明的晶圓。如果由 觀察發現該實質透明的晶圓和晶圓清洗系統中之元件之間 有不必要之接觸的話，則該方法又進一步包含：（4 ) 對該 晶圓清洗系統做調整以避免待加工之半導體晶圓和晶圓清 洗系統中之元件之間不必要的接觸；以及（5 )重覆（2 )至 (4)之操作直到該實質透明的晶圓沿著晶圓移轉路徑移動
第9頁 457542 五、發明說明（5) 日寸’與晶圓清洗系統中之元件間沒有不必要的接觸發生。 ^於本發明之一實施例中，晶圓移棒路徑從第一個刷洗 相延伸至第二個刷洗箱，再從第二個刷洗箱延伸到SRD 站。於本實施例中’該實質透明晶圓的厚度最好大於晶圓 清洗系統操作中的半導體晶圓厚度。
，晶圓清洗系統為洗刷站之情況下，晶圓沿著晶圓移 轉路k從第一個刷洗箱進入，並從第二個刷洗箱出來時， 可以藉由觀察該實質透明的晶圓，以確認晶圓和洗刷站之 ^件之間沒有不必要的接觸發生。於此情況下該方法也可 能，含：利用實質透明的晶圓以確認從第一個及第二個刷 洗細之底部沖洗歧管所喷灑出來的液體如：去離子水，是 否適f地接觸到晶圓底部。在晶圓清洗站為SRD站之情況 下’晶圓沿著晶圓移轉路徑進出SRD站時，可以藉由觀實 ^透明的晶圓，以確認晶圓和輸送裝置元件之間沒有不必 觸發生。於此情況下該方法也可能包含：利用實質 、晶圓以確認從旋轉槽之底部喷嘴所喷灑出來的液體 如.去離子水，是否適當地接觸到晶圓底部。 本發明能夠使晶圓清洗系統之操作員對於系統所做 =處理調整是否足夠避免加工中晶圓和系.統元件之間不 ^的，觸，做確實的判定；以及確認適當調整之執行， 是=喷m方向之調整。其優點是可以藉由 一免引進微粒污染至晶圓尤其是晶圓的底部， =。本發明亦能夠使晶圓清洗系統之操作 ‘ 乍期間，確認液體適當地接觸到晶圓的底部。藉由 Ο
第10胃 457542 五、發明說明（6) 圓底部之微粒污染已徹底被沖洗移除，亦可以提尚生產 率。 吾人應理解到，上述之一般敘述及之後的詳盡敘述只 是示範性解釋，並不限制本發明之範圍。 1佳—宽Jfe圾 本發明之較佳實施例將參照附圖詳細說明。圖1A與圖 1B已在「發明背景」一節詳述過。
除了其他以外，本發明提供一實質透明的晶圓’在待 處理之半導體晶圓通過此類的設備之前，該實質透明的晶 圓可以用來.觀察、測試和確認對晶圓清洗設備之調整。關 於本發明敘述所用「實質透明的晶圓」之說法，表示一晶 圓可以透過足夠的光線，以便從晶圓的一侧可以看到晶圓 另一侧的物體或是影像。該實質透明的晶圓最好是以聚碳 酸酯形成；然而，也可能使用其它適合的材料諸如：壓克 力、玻璃。當使用聚碳酸酯時，實質透明的晶圓可以藉由. 切削一胚料片而製造.之。當使用聚碳酸酯材料以外的材料 時’利用其他已知的方法來製造實質透明的晶圓可能更為 適當’此對於熟習本技藝之人士乃為顯而易見之事。 為了要配合特殊應用的需要，實質透明晶圓的尺寸可 能有所不同。當利用實質透明的晶圓判定晶圓移轉路徑是 否 體 晶 圓 被堵塞時，實質透明晶圓的厚度最好大於待加工之半導 曰曰圓的厚度，筹理由隨後將予釋明。實施例之實質透明 圓的厚度大約是0 · 0 6 0英吋。相較之下’標準半導體晶 的厚度大約是〇· 〇28英吋。該實施例之實質透明晶圓的
4^7 542 五、發明說明（7) --- 其它尺+寸可能和待加工之半導體晶圓的尺寸相同，例如： 直徑8英吋。在其他的應用上，可能有必要將實質透明晶 圓做得比標準的半導體晶圓薄一些。 . 圖2是洗刷站的簡單示意圖，說明洗刷站中檢視實質 透明晶圓沿著晶圓移轉路徑移動的方法。如圖2所示，洗 刷站100包含：第一個刷洗箱1〇〇3及第二個刷洗箱1〇〇七。 〇 最初’當晶圓從輪入站（圖未顯示）裝载到洗刷站丨〇 〇 f，操作員可以透過實質透明的晶圓丨〇2查看晶圓的底部 是否有接觸到卡匣或是任何周圍的裝置。然後，當實質透 明的晶圓1 0 2在洗刷站1 0 0中沿著晶圓移轉路徑移動時，操 作員可以透.過實質透明的晶圓1 〇 2查看晶圓的底部是否有 接觸到除了晶圓放置之橡皮圈型輸送帶之外的東西。舉例 而言’洗刷站的預處理調整不夠精確的話，晶圓的底部就 會接觸到洗刷站内的元件。關於本發明敘述所用「元件」 之說法’是表示晶圓清洗系統的機械零組件以及電機零組 件’諸如：感測器電纜、滚輪貨車機構。
假如觀察到實質透明晶圓1 0 2的底部和洗刷站之任何 元件間有接觸的話，就要在半導體晶圓加工之前，適當地 調整洗刷站，以提供一個暢通無阻的晶圓移轉路徑。洗刷 站—經調整後，沿著晶圓移轉路徑移動之實質透明的晶圓 與站内元件之間不會有任何不必要的接觸，且半導體晶圓 之處理可以不必冒著透過這樣的接觸引進微粒污染至晶圓 底部的顯著風險而開始進行。 當實質透明的晶圓1 0 2移經第一個刷洗箱1 〇 〇 a和第二
第12頁 4 5 7542 五、發明說明（8) 〇 個刷洗箱10 0時，操作員同樣地可以觀察到第一個刷洗箱 1 〇 〇 a和第一個刷洗箱1 0 0 b之上毛刷1 0 6 a和下毛刷1 〇 6 b在是 否適當地運作。另外，操作員可以觀察在第一個刷洗箱 1 〇0a入口處及出口處以及第二個刷洗箱1 0Ob出口處所設置 之頂部沖洗歧管1 〇 4a和底部沖洗歧管1 〇4b是否適當地運 作°尤其是，操作員可以透過實質透明的晶圓1 〇2確認從 底部沖洗歧管1 〇4b所嘖灑出來的液體如：去離子水，是否 有適當地接觸到晶圓的底部。如果從底部沖洗歧管1 〇4b所 喷灑出來的液體沒有適當地接觸到實質透明晶圓丨〇 2的底 部’那麼就必須對底部沖洗歧管、液體供給系統或兩者做 適當的調整。一旦經過適當的調整之後，從底部沖洗歧管 1 0 4b所喷灑.出來的液體便可以適當地接觸到實質透明晶圓 1 0 2的底’且洗刷站之半導體晶圓之處理可以不必冒著 不適當沖洗晶圓底部的風險而開始進行。 圖3 A到圖3 C是說明方法之簡單示意圖，說明利用實質 透明的晶圓檢視晶圓從輸送裝置到SRD站的傳送情形。為 了避免發生不必要的微粒污染，於傳送過程期+間輸送裝0置 從晶圓下方移出時’應該要避免輸送裝置和晶圓底部間之 發生滑動或其它接觸。圖3 A顯示滾輪U 〇從輸送裝置丨4 〇之 滾輪所配置之橡皮圈式〇形環13 8取出實質透明的晶圓丨〇 2 後心軸支架1 3 6的位置。在心軸支架1 36移進圖3 a的位置之 前，主軸11 8會將心軸柄11 6從原先的位置升起，以使滾輪 110在旋轉槽侧壁108a頂端之上方。一旦滾輪11〇取出實質 透明的晶圓1 0 2之後，心軸支架1 3 6就會縮回到原來的位
第13頁 4 6 7 5 4 2 五、發明說明（9) ' '— ---- 置。 圖3B顯示心軸支架〗36處於部分縮回的位置。 支架136縮回後，操作員可以透過實質透明的晶圓ι〇2看軸到 輸送裝置140和晶圓底部之間滑動或是其它接觸的信號 假如觀察到實質透明晶圓1 〇 2的滑動或是其它接: 要在開始處理半導體之前，對輪送裝置、SRD站或】= 做適當的調整。一旦經過適當的調整之後，輪送 會接觸到實質透明的晶圓，而半導體晶圓之處理可以 冒著在傳送過程中引進微粒污染至半導體晶圓底部的顯著 風險而開始進行。如圖3C所示，一旦心軸支架136完全縮 回之後，主軸1 1 8就會降下心軸柄丨丨6回到原來的位置以 進行旋轉沖洗操作。 圖4為SRD站的俯視示意圖’說明在旋轉沖洗操作期 間，利用實'質透明的晶圓確認晶圓底部有被適當地沖洗之 方法。如圖3C所示，實質透明的晶圓i 02在旋轉槽丨〇8内被 撐起，旋轉槽108包含：一側壁i〇8a和一下盤（bottom wa 1 1 ) 1 〇 8b。更特別地，四個滾輪丨丨〇都個別裝設在指狀 構件114上，並在心軸柄Π6的上方支撐著實質透明的晶圓 102。底部噴嘴122則裝設在下盤i〇8b上，負責喷灑液體 如：去離子水到設置在旋轉槽1 〇 8内之晶圓底部。在旋轉 沖洗操作期間’操作員可以透過實質透明的晶圓丨〇 2確認 從底部喷嘴1 2 2所噴灑出來的液體可以適當地接觸到晶圓 的底部。假如從底部喷嘴12 2所喷灑出來的液體沒有適當 地接觸到實質透明晶圓1 〇 2的底部，那麼可能要對s RD站、
第14頁 457542 五、發明說明（ίο) 液體供應系統或是兩者做適當的調整。一旦經過適當的調 整之後’從底部喷嘴1 22所喷灑出來的液體就能適當地接 觸到實，透明晶圓1 〇 2的底部，而半導體晶圓之加工便可 以不必冒著在旋轉沖洗操作期間發生不適當沖洗晶圓底部 之風險而開始進行。
圖5所示為一流程圖，依照本發明之一實施例，說明 完成晶圓清洗系統之預處理調整的操作方法。此方法由操 作2 0 0開始’對於晶圓清洗系統諸如：洗刷站、或是SRI) 站’做預處理調整。如熟悉技藝人士所知，此類的調整是 為了要提供晶圓清洗系統一暢通無阻的晶圓移轉路徑，使 加工中的半導體晶圓在通過系統時，與系統元件之間不會 發生不必要的接觸。如上所述，這樣的接觸是不必要的因 為會對晶圓產生微粒污染。操作2 〇 2上載一實質透明的晶 圓到此晶圓清洗系統。操作2 〇 4則觀察該實質透明的晶圓 在此清洗系統中沿著晶圓移轉路徑移動的情況。
此方法接著進行到選項操作2〇6，於其’中判定晶圓移 轉路徑堵塞與否 假如晶圓沿著晶圓移轉路徑移動時，晶 圓的頂部和底部與晶圓清洗系統元件之間不會發生接觸的 話，表不此晶圓移轉路徑是暢通無阻的，那麼方法進行至 操作21 0。另一方面，假如晶圓沿著晶圓移轉路徑移動 時，晶圓的頂部和底部與晶圓请洗系統元件之間發生 的話，就表示此晶圓移轉路徑是堵塞的，那麼方法進— 操作208。在操作2 〇8中，晶圓清洗系統要經過適當的= 整，以得到一暢通無阻的晶圓移轉路徑。舉例而言，滾
第15頁 4S7 542 五、發明說明 的高度也許需要做調整以使晶圓在洗刷站的輸送轨道上方 輕微地被托住，而不會碰觸到輸送軌道。—旦晶圓清洗系 統需要調整以避免晶圓和系統元件接觸時，就必須回到操 作202 ’所以可能會重複操作202，2 04和206。 ' •-旦在操作2 0 6中判定晶圓移轉路徑暢通無阻時，則 進行至操作210。操作210中開始上載待加工之半導體晶圓 到晶圓清洗系統時此方法即完成。由於事前已用實質透明 的晶圓峰認過預處理調登步驟’因此在沒有特殊情況發生 之下，待加工之半導體晶圓在沿著晶圓移轉路徑移動時， 不會和晶圓清洗系統之元件發生接觸。在實施例中，為了 一暢通無阻之晶圓移轉路徑的實際需要，實質透明晶圓的 厚度要大於標準半導體晶圓以保證晶圓和晶圓清洗系統元 件之間有更多的空隙。實質透明晶圓的使用能夠使操作員 透過晶圓檢視並確認在晶圓沿者晶圓移轉路徑移動時，晶 圓底部和晶圓清洗系統元件之間不會發生不必要的接觸。 依此方式可.以避免加工中的半導體晶圓藉由此類接觸而發 生微粒污染。
在一實施例中’晶圓清洗系統為—洗刷站。當晶圓沿 著晶圓移轉路徑從第一個刷洗箱進入，並從第二個刷洗箱 出來時，可以藉由觀察該實施例之實質透明的晶圓，以確 認晶圓和洗刷站的元件之間沒有發生不必要的接觸。該實 施例之方法包含··利用實質，明的晶圓去確認從第一個和 第二個刷洗箱之底部沖洗歧管所喷麗出來的液體如：去離 子水，是否適當地接觸到晶圓底部。在另一實施例中，㈢
4S7542 五、發明說明¢12) 圓清洗站是指SRD站 時，可以藉由觀察該 圓和輸送装置元件之 之方法包含：利用實 嘴所喷灑出來的液體 圓底部。 最後總結，本發 清洗系統中用來做預 嘴的嘖灑方向之調整 明。對熟悉此技藝之 對於本案説明書之思 一實施例中說明’整 成，但對於熟悉本技 部以實質透明的材料 更多實質透明視窗的 較佳特色應認為僅係 之申請專利.範圍予以 1當晶圓沿著晶圓移轉路徑進 實施例之實質透明的晶圓，，出SRD站 間沒有發生不必要的接觸。=確認晶 :透明的晶圓確認從旋轉槽Si:: 如：去離子水’是否適當地接ί;:Ϊ 明提供一 4理調整 。本發明 人士而言 考和本發 個晶圓可 藝之人士 所形成的 晶圓也可 用以例釋 界定。 實質透明的 以確認调整 已就幾個較 ，本發明之 明之實行將 以由實質透 而言當可瞭 晶圓，諸如 能被使用。 ，而本發明 晶圓可 適當， 佳實施 其他實 屬顯而 明的材 解：亦 :帶有 上述之 之範圍 以在 邊如 例加 施例 易知 料所 可採 一個 實施 應由 晶圓 :喷 以說 透過 。於 形 用局 或是 例和 後列 Ο
第17頁 457542 圖式簡單說明 圖1 A表示習用晶圓清洗系統之概要圖。 圖1B是一橫剖面示意圖，說明在SRD站内用來喷灑去 離子水至晶圓底部之傳統技術。 圖2是一洗刷站之簡化示意圖，說明洗刷站内利用實 質透明的晶圓檢視該晶圓沿著晶圓移轉路控運送之方法。 圖3A至圖3C是一簡化示意圖，說明利用實質透明的晶 圓檢視該晶圓從一輸送裝置運送至SRD站之方法。 圖4為一 SRD站之簡化俯視圖，說明在旋轉沖洗操作期 間利用實質透明的晶.圓確認晶圓底部有被適當沖洗之方 式。 圖5為一流程圖，顯示依照本發明之一實施例，對於 圓清洗系統進行預處理調整之確認的操作方法。
曰曰 符號 之說明 10 裝 載 站 12 晶 圓 12a 晶 圓 的頂部 12b 晶 圓 的底部 14 卡 匣 16 洗 刷 站 16a 第 w 一 個席彳洗 箱 16b 第 二 個刷洗 箱 20 旋 轉 ，沖洗， 烘乾（SRD)站 22 卸 貨 站 第18頁 457542 圖式簡單說明 24 槽 2 6 滾輪 28 喷嘴 30 去離子水的源頭 5 0 清洗系統 ... 100 洗刷箱 1 0 0 a 第一個刷洗箱 1 〇 〇 b第二個刷洗箱 102 實質透明的晶圓 1 0 4 a頂部沖洗歧管 104b底部沖洗歧管 1 0 6 a上毛刷 10 6b下毛刷 108 旋轉槽 1 0 8 a旋轉槽侧壁 108b 旋轉槽下盤（bottom wall) 110 滚輪 114 指狀構件 116 心軸柄 118 主軸 122 底部喷嘴 136 心軸支架 138 橡皮圈式0形環 140 輸送裝置
第19頁 4§7542 圖式簡單說明 20 0 對晶圓清洗系統作預處理調整 202 上載實質透明的晶圓至晶圓清洗系統 204 觀察實質透明的晶圓沿著晶圓移轉路徑移動的情況 2 0 6 晶圓移轉路徑堵塞與否？ 208 調整系統使晶圓移轉路徑暢通無阻 210 開始上載半導體晶圓到晶圓清洗系統
第20頁
Claims (1)
- 457542 六、申請專利範圍 1. —種晶圓清洗系統之預處理調整之確認方法，包 含： (a) 對一晶圓清洗系統做預處理調整； (b) 將一實質透明的晶圓上載至該晶圓清洗系統； 及 (c) 當該實質透明的晶圓沿著該晶圓清洗系統中之 晶圓移轉路徑移動時觀察該實質透明的晶圓。 2. 如申請專利範圍第1項之晶圓清洗系統之預處理調 整之確認方法，其中，若觀察發現該晶圓清洗系統中之該 實質透明的晶圓和元件之間有不必要之接觸時，該方法更 包含： (d) 對該晶圓清洗系統做調整以避免待加工之半導 體晶圓和晶圓清洗糸統之元件間有不必要的接觸；以及 (e) 重復（b)至（d)之操作直到該實質透明的晶圓沿 著該晶圓清洗系統之晶圓移轉路徑移動時，不存在有半導 體晶圓和元件間不必要的接觸。 3. 如申請專利範圍第1項之晶圓清洗系統之預處理調 整之確認方法，其中該晶圓清洗系統包含一洗刷站。 4. 如申請專利範圍第3項之晶圓清洗系統之預處理調 整之確認方法，其中該晶圓移轉路徑由第一個刷洗箱延伸 至第二個刷洗箱。 5. 如申請專利範圍第4項之晶圓清洗系統之預處理調 整之確認方法，其中該晶圓清洗系統更包含一SRD站。 6. 如申請專利範圍第5項之晶圓清洗系統之預處理調第21頁 457542 六、申請專利範圍· "~~ -一- 整：=方：’其中該晶圓移轉路徑由第二個刷洗箱繼續 延伸至SRD站。 具 如申請專利範圍第丨項之晶圓清洗系統之預處理 整之確認方法，其中該實質透明晶圓的厚度要大於 ^ 洗系統操作中半導體晶圓的厚度。 、S ^ 8. 一種洗刷站之預處理調整之確認方法，包含· (a)對具有第一個刷洗箱與第二個刷洗i箱之洗 站做預處理調整； (b) 將一實質透明的晶圓上裁入至該第一個刷洗 箱之入口；及 (c) 當該實質透明的晶圓沿著晶圓移轉路徑從該 第一個刷洗箱之入口移動至該第二個刷洗箱之出口時，觀 察該實質透明的晶圓。 9.如申請專利範圍第8項之洗刷站之預處理調整之確 認方法’其中由觀察發現該洗刷站中之該實質透明的晶圓 和元件之間有不必要之接觸時，該方法更包含： C d)對該洗刷站做調整以避免洗刷站中之半導體 晶圓和元件間之不必要之接觸；以及 (e )重復（b )至（d)之操作直到該實質透明的晶圓 沿著該洗刷站之晶圓移轉路徑移動時，不存在有半導體晶 圓和元件間不必要之接觸。 1 0.如申請專利範圍第8項之洗刷站之預處理調整之 確認方法，其中該實質透明晶圓的厚度要大於洗刷站中操 作之半導體晶圓的厚度。457542 六、申請專利範圍 11 . 如中 4認方法，其 底部沖洗歧管 從任一個該底 質透明晶圓的 (d ) 整，使該雇部 加工之半導體 (e ) 喷灑之液體可 12. 如申 確I忍方法，其 13· —種 (a ) 置做預處理調 (b) SRD站；及 請專利範圍第8項> Α ^ ^ 中第一個刷洗箱和第_刷站之預處理調整之 用來喷灑液體至半導二，刷洗箱都各有一個 部沖洗歧管喷灑出來體f圓的底部，當液體 底部時，則該方法更3沒有適當地接觸到實 供給系統做調 可以適當地接觸到待 對該底部沖洗歧瞀 t含： 噴灑歧管所噴灑之:I液 乂-夜 晶圓的底部，以及 重復（b)至（d)之操 A位細t π , Έ直到該底部喷灑歧管所 以通當地接觸到會歷 社由 <丨狄如站 見質通明晶圓的底部0 3月專利範圍第1 1項之洗刷站之預處理調整之 中之液體為去離子水。 SRD站之預處理調整之確認方法，包含： 對一 SRD站和一輸送半導體晶圓之該輸送裝 整； 以該輸送裝置輸送一實質透明晶圓進出該 (c )當該實質透明的晶圊沿著晶圓移轉路徑進出 SRD站時觀察該實質透明的晶圓。 14*如申請專利範圍第13項之SRD站之預處理調整之 f認方法’其中由觀察發現該輸送裝置中之該實質透明的 晶圓和元件之間有不必要之接觸的話，則該方法更包含： ,(d )對該SRD站中至少一個輸送裝置做調整以避 免輸送裝置中之半導體晶圓和元件間之不必要之接觸；以r 457542及 沿著該輪^e ) f復（b)至（d)之操作直到該實質透明的晶圓 晶圓和元之f圓移轉路徑移動日夺，不存在有半導體 1千間不必要之接觸。 士冲士 .、如申請專利範圍第1 3項之SRD站之預處理調整之 ..^ ^ ”中該實質透明晶圓的厚度要大於SRD站中操 導體晶圓的厚度。 土如申請專利範圍第13項之SRD站之預處理調整之 確§忍方法1中該方法包含： 作期間，sii)，察該實質透明的晶圓以確認在旋轉沖洗操 接觸到實為透明槽之底部喷嘴所喷麗出之液體可以適當地 後啊J貫為透明晶圓的底部。 確認法如Π專利範圍第16項之SRD站之預處理調整之 當地接觸到ί =該底部沖洗歧管喷出來的液體沒有適 j只質透明晶圓的底部時，則該方法更包含. 底部f嘴=)對該SRD站或是液體供給系统做調整，使該 晶圓的底部；以及 牧啁判待加工之+導體 之液體可以(fj Π⑷至(e)之操作直到該底部喷嘴所喷灑 :7以適當地接觸到實質透明晶圓的底部。1麗 .如申請專利範圍第1 6項之SRD站夕_箱口着m 从 確認方法，其中之液體為去離子水。站之預處理調整之
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