KR20020019486A - 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법을 제공하는 것으로, 이 방법은 (a)웨이퍼세척시스템에 선처리조절을 조작하는 단계와, (b)웨이퍼세척시스템내에 실질적으로 투명한 웨이퍼를 적재하는 단계 및, (c)실질적으로 투명한 웨이퍼가 웨이퍼세척시스템에 웨이퍼이송경로를 따라 이동하는 실질적으로 투명한 웨이퍼를 관찰하는 단계의 작업들을 포함하며, 실질적으로 투명한 웨이퍼와 웨이퍼세척시스템의 부재 사이에 불필요한 접촉이 관찰되므로, 추가로 본 발명은 (d)처리될 반도체 웨이퍼와 웨이퍼세척시스템의 부재 사이에 불필요한 접촉을 제거하도록 된 웨이퍼세척시스템을 조절하는 단계와 (e)실질적으로 투명한 웨이퍼가 웨이퍼세척시스템의 부재와 불필요한 접촉없이 웨이퍼이송경로를 따라 이동할 때까지 (b)단계 내지 (d)단계의 작업을 반복하는 단계를 포함하고, 또한 이 방법은 린스작업중에 웨이퍼의 아래로 분무된 액체가 웨이퍼의 하부면에 적절하게 접촉하는지 확인하기 위해 실질적으로 투명한 웨이퍼를 관찰하는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법{Method for validating pre-process adjustments to a wafer cleaning system}
반도체장치의 제조에 있어서, 다양한 웨이퍼 준비작업이 이행된다. 이러한 웨이퍼준비작업의 일부 목적은 예컨대, 플라즈마에칭과 화학기계평탄화(chemical mechanical planarization;CMP)와 같은 제조작업 후에 웨이퍼의 표면에서 불필요한 잔여물을 제거하는 것이다. 당해분야의 숙련자들에게 이미 알려졌듯이, 연속적인 제조작업중에 웨이퍼의 표면에 잔존하는 불필요한 잔여물은 웨이퍼상에서 장치를 작동할 수 없도록 만드는 결점을 야기한다. 결과적으로, 효과적인 웨이퍼 준비작업이 높은 산출율을 성취하게 한다.
도 1a는 종래 웨이퍼세척시스템(50)의 개략도로서, 이 세척시스템(50)은 카세트(14)내의 다수의 웨이퍼가 세척용 세척시스템내로 삽입되는 적재부(10)를 구비한다. 일단 웨이퍼가 적재부(10)로 삽입되면, 웨이퍼(12)가 카세트(14)로부터 취해진 웨이퍼는 제 1브러쉬박스(16a)와 제 2브러쉬박스(16b)를 구비한 브러쉬부(16)로 이동된다. 웨이퍼(12)는 우선 제 1브러쉬박스(16a)내로 이동되어, 웨이퍼가 특정한 화학물질과 탈이온수를 포함한 용매로 세척된다. 그 다음으로, 웨이퍼(12)는 제 2브러쉬박스(16b)내로 이동되어, 웨이퍼가 특정한 화학물질과 탈이온수를 포함한 용매로 다시 세척된다. 웨이퍼(12)가 브러쉬박스(16a,16b)에서 세척된 후에, 웨이퍼는 스핀과 린스 및 건조부(20;이하 SRD부)내로 이동되어서, 웨이퍼가 회전되므로 탈이온수는 웨이퍼의 상부면과 하부면에 분무된다. 웨이퍼(12)가 건조된 후에, 웨이퍼는 SRD부(20)로부터 적하부(22)로 이동된다.
최근까지는, 웨이퍼의 오염물질을 제어하려는 노력이 우선적으로 웨이퍼의 상부면에만 맞춰졌었다. 반도체산업이 예컨대 300mm정도로 큰 웨이퍼와 예컨대 0.18㎛정도의 작은 웨이퍼 및 더 작은 최소배선폭을 가진 웨이퍼로 이향하고 있기 때문에, 한편으로는 웨이퍼의 상부면과 하부면상에 웨이퍼의 오염물질을 제어하는 점이 더욱 중요시 되고 있다. 웨이퍼가 오염미립자에 노출될 수 있는 하나의 방법으로는 웨이퍼가 웨이퍼이송경로를 따라 이동하면서 브러쉬부의 기계부재와의 접촉으로 이뤄진다. 이러한 불필요한 접촉을 배제하려는 결과로서, 선처리조절이 웨이퍼의 처리가 시작되기 전에 브러쉬부의 기계부재로 행해진다. 이 선처리조절이 브러쉬부의 기계부재들, 예컨대 트랙 및 다른 부분들과 조립체 사이의 공간을 형성시켜서, 웨이퍼가 웨이퍼이송경로를 따르는 이동에 의한 웨이퍼와 브러쉬부의 기계부재 사이의 불필요한 접촉을 없앤다.
일단 선처리조절이 조작되고 웨이퍼의 처리가 시작하면, 작업자는 웨이퍼이송경로를 따라 이동하는 웨이퍼를 주시할 수 있으며, 불필요한 접촉이 웨이퍼의 상부면과 브러쉬부의 기계부재 사이에서 발생하는지 관찰할 수 있다. 한편, 불행하게도, 작업자가 불투명한 웨이퍼를 통해 볼 수 없기 때문에, 작업자는 웨이퍼의 하부면과 브러쉬부의 기계부재 사이에서 불필요한 접촉이 발생하는지 관찰할 수 없다. 결과적으로, 작업자가 웨이퍼의 하부면에 관하여 웨이퍼이송경로가 차폐되었는지 확인하는 신뢰할 만한 방법이 없다. 그러므로, 현상황에서는 브러쉬부에 웨이퍼의 하부면상에 웨이퍼오염물질을 제어하기가 어렵다.
웨이퍼가 오염미립자에 노출될 수 있는 다른 방법으로는 웨이퍼가 SRD부로 들어가서 나오도록 이송되면서 운반컨베이어와의 접촉으로 이뤄진다. 이 이송처리중에, 운반컨베이어는 웨이퍼의 하부면 아래로 이동되어야 한다. 운반컨베이어와 SRD부에 선처리조절이 충분하게 정밀하지 않는다면, 운반컨베이어는 웨어퍼의 하부면에 접촉하여 오염미립자를 주입한다. 웨이퍼가 SRD부로 들어가서 나오도록 이송되므로, 불투명한 웨이퍼가 운반컨베이어를 보는 작업자의 시야를 차단하기 때문에, 운반컨베이어가 웨이퍼의 하부면과 접촉하는지 확인하는 신뢰할 만한 방법이 없다. 그러므로, 현상황에서는 웨이퍼가 SRD부로 들어가서 나오도록 이송되기 때문에 웨이퍼의 하부면상에 웨이퍼오염물질을 제어하기가 어렵다.
더우기 전술된 세척작업에서, 웨이퍼에서 오염미립자를 제거하려는 현 노력은 여러 린스작업을 포함한다. 특히, 전형적으로 제 1브러쉬박스의 입구와 브러쉬부에 제 1 및 제 2브러쉬박스의 출구에 배치된 상부 및 하부린스관이 개별적으로 웨이퍼의 상부면과 하부면에 탈이온수를 분무한다. 또한 웨이퍼의 상부면과 하부면은 SRD부에서 이행되는 스핀-린스작업중에 탈이온수를 분무시킨다. 도 1b는 SRD부의 웨이퍼의 하부면에 탈이온수를 분무하는 종래기술을 간략하게 도해한 개략단면도이다. 도시된 바와 같이, 웨이퍼(12)는 롤러(26)로 보울(24;bowl)내에서 지지되며, 롤러가 웨이퍼의 상부면(12a)과 하부면(12b)에 오염물질을 주입되지 않도록 웨이퍼의 선단과 접촉한다. 탈이온수원(30)과 연통하여 흐르도록 연결된 노즐(28)은 보울(24)의 바닥에 위치된다. 웨이퍼(12)가 회전되므로, 노즐(28)은 웨이퍼의 하부면(12b)을 향해 탈이온수를 분무한다.
전술한 린스작업에서, 작업자는 탈이온수의 분무가 단지 웨이퍼를 관찰하여 웨이퍼의 상부면에 적절하게 접촉하였는지 쉽게 결정할 수 있다. 한편, 불투명한 웨이퍼가 분무상황을 보는 작업자의 시야을 차단하기 때문에, 탈이온수의 분무가 웨이퍼의 하부면에 적절하게 접촉하였는지 결정하는 신뢰할 만한 방법이 없다. 예컨대, 도 1b에서 도시된 바와 같이, 웨이퍼(12)는 스핀-린스작업중에 노즐(28)로부터 탈이온수의 분무상황을 보는 작업자의 시야을 차단한다. 유사하게는, 웨이퍼가 브러쉬부에 하부린스관으로부터 탈이온수의 분무상황을 보는 작업자의 시야를 차단한다. 탈이온수의 분무가 전술한 린스작업들 중에서 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉하지 못하여서, 린스작업은 웨이퍼의 하부면에서 오염미립자를 완전하게 제거할 수 없다. 웨이퍼의 하부면에 오염미립자의 양이 적정량을 초과하면, 산출율이 현저하게 감소된다.
전술한 관점에서, 웨이퍼세척시스템에 선처리조절이 처리될 웨이퍼와 시스템의 기계부재 사이에 불필요한 접촉을 충분히 피할 수 있는지 결정하는 신뢰할 만한기술을 필요로 한다. 또한, 린스작업중에 웨이퍼의 하부면이 액체, 예컨대 탈이온수와 적당하게 접촉됐는지 확인하는 신뢰할 만한 기술을 필요로 한다.
본 발명은 전체적으로 반도체 제조와, 특히 웨이퍼세척시스템에 대해 선처리조절을 검증하는 방법에 관한 것이다.
도 1a는 종래의 웨이퍼세척시스템의 개략선도이고,
도 1b는 SRD부의 바닥쪽에서 탈이온수를 분무하는 종래기술을 간략하게 도해한 개략단면도,
도 2는 실질적으로 투명한 웨이퍼가 브러쉬부에 웨이퍼이송경로를 따라 웨이퍼의 이송을 감시하는 방식을 도해한 브러쉬부의 개략도,
도 3a 내지 도 3c는 실질적으로 투명한 웨이퍼가 운반컨베이어에서 SRD부로 웨이퍼의 이송을 감시하는 방식을 도해한 개략도,
도 4는 실질적으로 투명한 웨이퍼가 웨이퍼의 하부면이 스핀-린스작업중에 적당하게 헹궈지는 것을 확인하는 방식을 도해한 SRD부의 정면도,
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 웨이퍼세척시스템에 선처리조절을 검증하는 작업의 이행방법을 도해한 순서도이다.
폭 넓게 기술하자면, 본 발명은 웨이퍼세척장비로 반도체 웨이퍼를 처리하기 전에 웨이퍼세척장비에 이루어진 조절을 관찰하며, 검사하고, 검증하는 실질적으로 투명한 웨이퍼를 제공하는 것이다. 실질적으로 투명한 웨이퍼는 웨이퍼이송경로가 차단되었는지 확인하고, 린스작업중에 웨이퍼 아래로 분무된 액체가 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉하는지 확인하는 데에 사용된다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 웨이퍼세척시스템에 선처리조절을 검증하는 방법을 제공하는 것으로, 이 방법은 (a)웨이퍼세척시스템에 선처리조절을 조작하는 단계와, (b)웨이퍼세척시스템내에 실질적으로 투명한 웨이퍼를 적재하는 단계 및, (c)실질적으로 투명한 웨이퍼가 웨이퍼세척시스템에 웨이퍼이송경로를 따라 이동하는 실질적으로 투명한 웨이퍼를 관찰하는 단계의 작업들을 포함한다. 실질적으로 투명한 웨이퍼와 웨이퍼세척시스템의 부재사이에 불필요한 접촉이 관찰되므로, 추가로 본 발명은 (d)처리될 반도체 웨이퍼와 웨이퍼세척시스템의 부재사이에 불필요한 접촉을 제거하도록 된 웨이퍼세척시스템에 조절을 조작하는 단계와 (e)실질적으로 투명한 웨이퍼가 웨이퍼세척시스템의 부재와 불필요한 접촉없이 웨이퍼이송경로를 따라 이동할 때까지 (b)단계 내지 (d)단계의 작업을 반복하는 단계를 포함한다.
본 발명의 한 실시예에서, 웨이퍼이송경로가 제 1브러쉬박스에서 제 2브러쉬박스로, 제 2브러쉬박스에서 스핀과 린스 및 건조부(SRD부)로 뻗는다. 이 실시예에서, 실질적으로 균일한 웨이퍼의 두께는 웨이퍼세척시스템에서 처리된 반도체 웨이퍼의 두께보다 두꺼운 것이 바람직하다.
웨이퍼세척시스템이 브러쉬부인 경우에, 실질적으로 투명한 웨이퍼는 웨이퍼가 제 1브러쉬박스의 입구로부터 제 1브러쉬박스의 출구로 이어진 웨이퍼이송경로를 따라 이동하므로, 웨이퍼와 브러쉬부의 부재들과의 불필요한 접촉이 없는지 확인하도록 관찰된다. 이 경우에 있어서, 본 방법은 제 1 및 제 2브러쉬박스에 하부린스관에서 분무된 액체, 예컨대 탈이온수가 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉하는지 확인하도록 실질적으로 투명한 웨이퍼의 사용을 포함한다. 웨이퍼세척부가 SRD부인 경우에는, 실질적으로 투명한 웨이퍼는 웨이퍼가 SRD부로 들어가서 나오는 웨이퍼이송경로를 따라 이동하므로 웨이퍼와 운반컨베이어의 부재들과의 불필요한 접촉이 없는지 확인하도록 관찰된다. 또한 이 경우에 있어서, 본 방법은 스핀보울의 바닥노즐에서 분무된 액체, 예컨대 탈이온수가 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉하는지 확인하도록 실질적으로 투명한 웨이퍼의 사용을 포함한다.
본 발명은, 웨이퍼세척시스템의 작업자가 시스템에서 선처리조절이 처리될 웨이퍼와 시스템의 부재사이에 불필요한 접촉을 충분히 제거하는지 신뢰할 수 있게 결정하고, 적절한 조절, 예컨대 분무노즐의 방향의 조절이 이루어졌는지 확인할 수 있다. 이는 웨이퍼, 특히 웨이퍼의 하부면에 오염미립자의 주입을 줄이며 제거하여서, 산출율을 높이는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명은 웨이퍼세척시스템의 작업자가 웨이퍼의 하부면이 린스작업중에 액체에 적절하게 접촉되는지 확인할 수 있다. 또한, 이는 웨이퍼의 하부면이 오염미립자를 제거하기 위해 완전하게 헹궈서 산출율을 높인다.
전술된 전체적인 설명과 아래에 상세히 기술될 설명은 전형적인 실례와 범례로써 이해될 것이며, 청구범위에 의해서 본 발명이 제한되지 않는다.
본 명세서의 일부로 병합된 첨부도면은 본 발명의 실시예를 도해하고, 명세서와 함께 본 발명의 원리를 설명한다.
본 발명의 바람직한 실시예는 첨부도면을 참조로 하여 더욱 상세히 설명될 것이다. 도 1a와 도 1b는 "배경기술"에서 전술되었다.
본 발명은 웨이퍼세척장비로 반도체 웨이퍼를 처리하기 전에 웨이퍼세척장비를 조작하는 조절을 관찰하며, 검사하고, 검증하는 실질적으로 투명한 웨이퍼를 제공하는 것이다. 본 발명의 설명과 관련되어 사용되는 "실질적으로 투명한 웨이퍼"란 용어는 웨이퍼가 충분히 빛을 투과함을 의미하여서, 웨이퍼의 한쪽면에 물체 혹은 이미지가 웨이퍼의 다른면으로부터 볼 수 있다. 실질적으로 투명한 웨이퍼는 바람직하게 폴리카보네이트(polycarbonate)로 형성되는, 한편, 다른 적당한 재료, 예컨대 아크릴(acrylics) 혹은 유리가 또한 사용될 수 있다. 폴리카보네이트가 사용되면, 실질적으로 투명한 웨이퍼는 공시트(blank sheet)를 기계가공하여 제조된다. 폴리카보네이트 이외의 다른 재료가 사용되면, 당해분야의 숙련자들에게는 실질적으로 투명한 웨이퍼를 제조하는 다른 공지된 기술들의 사용이 훨씬 적합함이 명백할 것이다.
실질적으로 투명한 웨이퍼의 크기는 특별예의 필요에 따라서 적합하게 변화된다. 실질적으로 투명한 웨이퍼는 웨이퍼이송경로가 차단되었는지 결정하기 위해 사용될 때에, 실질적으로 투명한 웨이퍼의 바람직한 두께는 처리된 반도체 웨이퍼의 두께보다 두꺼워야 하며, 그 이유는 추후에 이해될 것이다. 한 실시예에서, 실질적으로 투명한 웨이퍼의 두께는 대략 0.06in 이다. 대조적으로, 표준 반도체 웨이퍼의 두께는 대략 0.028in 이다. 이 실시예에서, 실질적으로 투명한 웨이퍼의 다른 크기들은 처리된 반도체 웨이퍼의 크기와 동일하며, 예컨대 직경은 8in 이다. 다른 응용예에서는, 실질적으로 투명한 웨이퍼의 두께가 표준 반도체 웨이퍼의 두께보다 더 얇은 것이 바람직하다.
도 2는 실질적으로 투명한 웨이퍼가 브러쉬부에 웨이퍼이송경로를 따라 웨이퍼의 이송을 감시하는 방식을 도해한 브러쉬부의 개략도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 브러쉬부(100)는 제 1브러쉬박스(100a)와 제 2브러쉬박스(100b)를 구비한다. 이상적으로, 작업자는 웨이퍼가 주입부(도시하지 않음)로부터 브러쉬부(100)로 적재될 때에, 웨이퍼의 하부면이 카세트 혹은 다른 주변설비들과 접촉하는지 관찰하도록 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)를 통해 보는 것이다. 그 후에, 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)가 브러쉬부(100)에 웨이퍼이송경로를 따라 이동하므로, 작업자는 웨이퍼의 하부면이 웨이퍼가 놓여진 고무밴드형 컨베이어 이외의 설비들과 접촉하는지 관찰하도록 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)를 통해 보는 것이다. 예컨대, 브러쉬부에 선처리조절이 충분히 정밀하지 못하면, 웨이퍼의 하부면이 브러쉬부의 부재들과 접촉하게 된다. 본 발명의 설명과 관련되어 사용되는 "부재"라는 용어는 기계부재, 기계부품, 기계조립체, 전기부재, 웨이퍼세척시스템의 조립체, 예컨대 센서케이블과 롤러트럭기계장치를 언급하는 것이다.
실질적으로 투명한 웨이퍼(102)의 하부면과 브러쉬부의 부재 사이의 접촉이 관찰되면, 브러쉬부에서 적당한 조절이 반도체 웨이퍼의 처리가 시작되기 전에 차단된 웨이퍼이송경로를 제공하도록 조작된다. 일단 브러쉬부가 조절되어서 실질적으로 투명한 웨이퍼가 부재와의 불필요한 접촉없이 웨이퍼이송경로를 따라 이동하면, 반도체 웨이퍼의 처리가 상기 접촉을 통한 웨이퍼의 하부면에 오염미립자를 주입하는 심각한 위험없이 시작한다.
실질적으로 투명한 웨이퍼(102)가 제 1브러쉬박스(100a)와 제 2브러쉬박스(100b)를 관통하여 이동하므로, 작업자는 제 1브러쉬박스(100a)와 제 2브러쉬박스(100b)내에 브러쉬들(106a,106b)이 적절하게 작동하는지 관찰한다. 더욱이, 작업자는 브러쉬박스(100a)의 입구 및 출구와, 브러쉬박스(100b)의 출구에 상부 및 하부린스관(104a,104b)이 적절하게 작동하는지 관찰한다. 특히, 작업자는 바닥린스관(104b)에서 분무된 액체, 예컨대 탈이온수가 웨이퍼의 하부면에 적당히 접촉하였는지의 확인을 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)를 통해 볼 수 있다. 만약 바닥린스부(104b)에서 분무된 액체가 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)의 하부면에 적당히 접촉되지 않았다면, 적절한 조절이 바닥린스관이나, 액체공급시스템 혹은 이들 양쪽에 이루어진다. 일단 적절한 조절이 이루어져 바닥린스관(104b)에서 분무된 액체가 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)의 하부면과 적당히 접촉하면, 반도체 웨이퍼의 처리는 상기 웨이퍼의 하부면이 브러쉬부에서 불충분하게 헹궈지는 심각한 위험없이 시작된다.
도 3a 내지 도 3c는 실질적으로 투명한 웨이퍼가 운반컨베이어에서 SRD부로 웨이퍼의 이송을 감시하는 방식을 도해한 개략도이다. 불필요한 오염미립자의 주입을 제거하기 위하여, 이송처리중에 컨베이어가 웨이퍼의 아래에서 이동하기 때문에 운반컨베이어와 웨이퍼의 하부면 사이에서의 미끄럼 혹은 접촉이 제거되어야 한다. 도 3a는 롤러(110)가 운반컨베이어(140)의 롤러에 배치된 고무밴드형 O링(138)에서실질적으로 투명한 웨이퍼를 집어 올린 직후의 스핀들운반기(136;spindle carriage)의 위치를 도시한다. 스핀들운반기(136)가 도 3a에 도시된 위치로 이동되기 전에, 축(118)이 원래 위치에서 스핀들핸들(116)을 들어올리도록 사용되어서 롤러(110)가 스핀보울의 측벽(108)의 상단보다 위에 있게 된다. 일단 롤러(110)가 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)를 집어 올리면, 스핀들운반기(136)는 원래 위치로 복귀한다.
도 3b는 특히 복귀된 위치에서의 스핀들운반기(136)를 도시한 것이다. 스핀들운반기(136)가 복귀되어서, 작업자는 운반컨베이어(140)와 웨이퍼의 하부면 사이에 미끄럼과 다른 접촉의 여부를 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)을 통해서 볼 수 있다. 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)와의 미끄러짐 혹은 다른 접촉이 관찰되면, 적당한 조절이 반도체 웨이퍼의 처리가 시작되기 전에 운반컨베이어나, SRD부 혹은 이들 양쪽에 이루어진다. 일단 적당한 조절이 이루어져 운반컨베이어가 실질적으로 투명한 웨이퍼와 접촉하지 않아서, 반도체 웨이퍼의 처리가 이송처리중에 반도체 웨이퍼의 하부면에 오염미립자를 주입하는 심각한 위험없이 시작한다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 일단 스핀들운반기(136)가 완전하게 복귀되면, 축(118)은 회전과 린스작업을 위해 원래 위치로 복귀하도록 스핀들핸들(116)을 낮춘다.
도 4는 실질적으로 투명한 웨이퍼가 웨이퍼의 하부면이 스핀-린스작업중에 적당하게 헹궈지는 것을 확인하는 방식을 도해한 SRD부의 정면도이다, 도 2c에 도시된 바와 같이, 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)는 측벽(108a)과 바닥벽(108b)을 갖춘 스핀보울(108)내에서 지지된다. 더욱 특별하게는, 각 핑거(114)에 하나씩 장착된 4개의 롤러(110)가 스핀들핸들(116) 위에서 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)를 지지한다. 바닥노즐(122)은 스핀보울(108)내에 배치된 웨이퍼의 하부면에 액체, 예컨대 탈이온수를 분무하도록 바닥벽(108b)에 장착된다. 스핀-린스작업중에, 작업자는 바닥노즐(122)로 분무된 액체가 웨이퍼의 하부면과 적당히 접촉하는지의 확인을 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)를 통해서 볼 수 있다. 바닥노즐(122)로 분무된 액체가 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)의 하부면과 적당히 접촉하지 못하면, 적당한 조절이 SRD부나, 액체공급시스템 혹은 이들 양쪽에 이루어진다. 일단 적당한 조절이 이루어져 바닥노즐(102)로 분무된 액체가 실질적으로 투명한 웨이퍼(102)의 하부면과 적당하게 접촉하면, 반도체 웨이퍼의 처리가 스핀-린스작업중에 웨이퍼의 하부면이 완전하게 씻겨지지 않는 심각한 위험없이 시작한다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 웨이퍼세척시스템에 선처리조절을 검증하는 작업의 실행방법을 도해한 순서도이다. 이 방법은 웨이퍼세척시스템, 예컨대 브러쉬부 혹은 SRD부를 조작시키는 선처리조절의 작업(200)에서 시작한다. 당해분야의 숙련자에게 공지되었듯이, 이러한 조절은 웨이퍼세척시스템을 관통한 차단된 웨이퍼이송경로를 제공하도록 되어 있어서, 처리중인 반도체 웨이퍼는 시스템의 부재와의 불필요한 접촉없이 시스템을 관통하여 이동할 수 있다. 전술된 바와 같이, 이러한 접촉이 웨이퍼에 오염미립자를 주입할 수 있기 때문에 바람직하지 못하다. 작업(202)에서, 실질적으로 투명한 웨이퍼가 웨이퍼세척시스템내로 적재된다. 작업(204)에서는, 실질적으로 투명한 웨이퍼가 세척시스템내에 웨이퍼이송경로를 따라 이동하는지 관찰된다.
그 후에, 이 방법은 웨이퍼이송경로가 차단되었는지 결정하는 결정작업(206)을 진행한다. 만약에 웨이퍼가 웨이퍼의 상부면 혹은 하부면과 웨이퍼세척시스템의 부재들 사이에 불필요한 접촉없이 웨이퍼이송경로를 따라 이동한다면, 웨이퍼이송경로가 차단되지 않고, 이 방법은 작업(210)으로 진행한다. 반대로, 웨이퍼의 상단면 혹은 하부면이 웨이퍼이송경로를 따라 웨이퍼세척시스템의 부재와 접촉을 한다면, 웨이퍼이송경로가 차단되고, 이 방법은 작업(208)으로 진행한다. 작업(208)에서, 웨이퍼세척시스템은 차단되지 않은 웨이퍼이송경로를 성취하기 위해서 적절하게 조절된다. 예컨대, 웨이퍼가 약간 높게 유지되기 위해서는 롤러의 높이를 조절하여서, 브러쉬부의 컨베이어트랙을 건드릴 필요가 없다. 일단 웨이퍼세척시스템이 웨이퍼와 시스템의 부재 사이의 접촉을 제거하기 위해서 조절되며, 이 방법은 작업(202)으로 되돌려져서 작업(202,204,206)을 반복한다.
작업(206)에서 웨이퍼이송경로가 차단되지 않기로 결정되면, 방법은 작업(210)을 진행한다. 작업(210)에서, 웨이퍼세척시스템으로 처리중인 반도체 웨이퍼의 적재가 시작되고, 상기 방법은 종료된다. 불충분한 상황하에서, 선처리조절이 실질적으로 투명한 웨이퍼를 사용하여 미리 검증되었기 때문에, 진행중인 반도체 웨이퍼는 웨이퍼세척시스템의 부재와 접촉없이 웨이퍼이송경로를 따라 이동할 것이다. 한 실시예에서, 실질적으로 투명한 웨이퍼의 두께는 표준 반도체 웨이퍼의 두께보다 두꺼워서, 웨이퍼와 웨이퍼세척시스템의 부재 사이의 공간이 차단되지 않은 웨이퍼이송경로에서 실질적으로 필요한 공간보다 크게 된다. 실질적으로 투명한 웨이퍼의 사용은 웨이퍼의 하부면과 웨이퍼세척시스템의 부재 사이에 불필요한 접촉이 웨이퍼가 웨이퍼이송경로를 따라 이동하여 발생하지 않는지 웨이퍼를 통해서 보고, 눈으로 확인할 수 있다. 이러한 방식에서, 접촉에 위해 야기되는 처리중인 반도체 웨이퍼에 오염미립자의 주입이 제거된다.
한 실시예에서, 웨이퍼세척시스템은 브러쉬부이다. 이 실시예에서, 실질적으로 투명한 웨이퍼는 웨이퍼가 제 1브러쉬박스의 입구로부터 제 2브러쉬박스의 출구까지인 웨이퍼이송경로를 따라 이동하므로, 웨이퍼와 브러쉬부의 부재 사이에 불필요한 접촉이 없는지 확인하기 위해 관찰된다. 이 실시예에서, 이 방법은 제 1 및 제 2브러쉬박스내의 바닥린스관으로 분무된 액체, 예컨대 탈이온수가 웨이퍼의 하부면에 적당하게 접촉하는지 확인하도록 실질적으로 투명한 웨이퍼의 사용도 포함한다. 다른 실시예에서, 웨이퍼세척시스템은 SRD부이다. 이 실시예에서, 실질적으로 투명한 웨이퍼는 웨이퍼가 SRD부로 들어가서 나오는 웨이퍼이송경로를 따라 이동하므로, 웨이퍼와 운반컨베이어 사이에 불필요한 접촉이 없는지 확인하기 위해 관찰된다. 이 실시예에서, 방법은 스핀보울의 바닥노즐로 분무된 액체, 예컨대 탈이온수가 웨이퍼의 하부면과 적당하게 접촉하는지 확인하도록 실질적으로 투명한 웨이퍼의 사용도 포함한다.
요약하자면, 본 발명은 웨이퍼세척시스템에 선처리조절을 검증하고, 적당한 선처리조절, 예컨대 분무노즐의 방향의 조절이 이루어졌는지 확인하는 실질적으로 투명한 웨이퍼를 제공하는 것이다. 본 발명은 다수의 바람직한 실시예로 여기에 기술되었다. 본 발명의 다른 실시예들은 본 발명의 특별하고 실질적인 고려에 의해 당해분야의 숙련자들에게 명백해질 것이다. 예컨대, 여기에 기술된 한 실시예에서,전반적인 웨이퍼는 실질적으로 투명한 재료로 형성된다. 당해분야의 숙련자들에게는 실질적으로 투명한 재료, 예컨대 하나 이상의 실질적으로 투명한 창을 갖춘 웨이퍼로 형성된 웨이퍼도 사용될 수 있다. 전술된 실시예와 바람직한 특징들이 첨부된 청구범위로 한정되는 본 발명의 실례로 고려되어야 한다.

Claims (18)

  1. (a) 웨이퍼세척시스템을 선처리조절하는 단계와;
    (b) 상기 웨이퍼세척시스템내로 실질적으로 투명한 웨이퍼를 적재하는 단계 및;
    (c) 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼가 상기 웨이퍼세척시스템내에 웨이퍼이송경로를 따라 이동하는지 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼를 관찰하는 단계;를 포함하는 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼와 상기 웨이퍼세척시스템의 부재들사이에 불필요한 접촉이 관찰된 경우에,
    (d) 처리될 반도체 웨이퍼와 웨이퍼세척시스템의 부재들 사이에 불필요한 접촉을 제거하도록 된 웨이퍼세척시스템을 조절하는 단계와;
    (e) 실질적으로 투명한 웨이퍼가 웨이퍼세척시스템의 부재들과의 불필요한 접촉없이 웨이퍼이송경로를 따라 이동할 때까지 (b) 내지 (d)단계의 작업을 반복하는 단계;를 추가로 포함하는, 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼세척시스템은 브러쉬부로 이뤄진, 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 웨이퍼이송경로는 제 1브러쉬박스로부터 제 2브러쉬박스로 뻗은, 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 웨이퍼세척시스템은 추가로 스핀과 린스 및 건조부(이하 SRD부)를 구비한, 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 웨이퍼이송경로는 추가로 제 2브러쉬박스로부터 SRD부로 뻗은, 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼의 두께는 웨이퍼세척시스템에서 처리된 반도체 웨이퍼의 두께보다 두꺼운, 웨이퍼세척시스템에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  8. (a) 제 1브러쉬박스 및 제 2브러쉬박스를 갖춘 브러쉬부를 선처리조절하는 단계와;
    (b) 상기 제 1브러쉬박스의 입구로 실질적으로 투명한 웨이퍼를 적재하는 단계 및;
    (c) 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼가 상기 제 1브러쉬박스의 상기 입구로부터 상기 제 2브러쉬박스의 출구까지 웨이퍼이송경로를 따라 이동하는지 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼를 관찰하는 단계;를 포함하는 브러쉬부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼와 상기 브러쉬부의 부재들사이에 불필요한 접촉이 관찰된 경우에,
    (d) 처리될 반도체 웨이퍼와 브러쉬부의 부재들 사이에 불필요한 접촉을 제거하는 브러쉬부를 조절하는 단계와;
    (e) 실질적으로 투명한 웨이퍼가 브러쉬부의 부재들과의 불필요한 접촉없이 웨이퍼이송경로를 따라 이동할 때까지 (b) 내지 (d)단계의 작업을 반복하는 단계;를 추가로 포함하는, 브러쉬부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼의 두께는 브러쉬부에서 처리된 반도체 웨이퍼의 두께보다 두꺼운, 브러쉬부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  11. 제 8항에 있어서, 각각의 제 1 및 제 2브러쉬박스는 반도체 웨이퍼의 하부면상에 액체를 분무하는 하부린스관을 구비하고, 상기 하부린스관 중에서 분무된 액체가 실질적으로 투명한 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉하지 않은 경우에,
    (d) 하부린스관으로부터 분무된 액체가 처리될 반도체 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉되게 하는 상기 하부린스관 혹은 액체공급시스템을 조절하는 단계와;
    (e) 상기 하부린스관으로부터 분무된 액체가 실질적으로 투명한 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉할 때까지 (b) 내지 (d)단계의 작업을 반복하는 단계;를 추가로 포함하는, 브러쉬부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 액체는 탈이온수로 이뤄진, 브러쉬부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  13. (a) SRD부와, 이 SRD부내에서 처리될 반도체 웨이퍼를 이송하기 위한 운반컨베이어를 선처리조절하는 단계와;
    (b) 상기 운반컨베이어를 갖춰 상기 SRD부로 들어가서 나오도록 실질적으로 투명한 웨이퍼를 이송하는 단계 및;
    (c) 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼가 상기 SRD부로 들어가서 나오는 웨이퍼이송경로를 따라 이동하는지 실질적으로 투명한 웨이퍼를 관찰하는 단계;를 포함하는 SRD부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼와 상기 운반컨베이어의 부재들사이에 불필요한 접촉이 관찰된 경우에,
    (d) 처리될 반도체 웨이퍼와 운반컨베이어의 부재들 사이에 불필요한 접촉을 제거하는 적어도 하나의 SRD부와 운반컨베이어를 조절하는 만드는 단계와;
    (e) 실질적으로 투명한 웨이퍼가 운반컨베이어의 부재들과 불필요한 접촉없이 웨이퍼이송경로를 따라 이동할 때까지 (b) 내지 (d)단계의 작업을 반복하는 단계;를 추가로 포함하는, SRD부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼의 두께는 SRD부에서 처리된 반도체 웨이퍼의 두께보다 두꺼운, SRD부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  16. 제 13항에 있어서, (d) SRD부보울의 바닥노즐로 분무된 액체가 실질적으로 투명한 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉하는지 확인하기 위해 스핀-린스작업중에 실질적으로 투명한 웨이퍼를 관찰하는 단계를 포함하는, SRD부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 바닥노즐로 분무된 액체가 상기 실질적으로 투명한 웨이퍼의 하부면과 적절하게 접촉하지 않은 경우에,
    (e) 바닥노즐로부터 분무된 액체가 처리될 반도체 웨이퍼의 하부면에 적절하게 접촉되게 하는 SRD부 혹은 액체공급시스템을 조절하는 단계와;
    (f) 바닥노즐로부터 분무된 액체가 실질적으로 투명한 웨이퍼의 하부면에 적절하게 접촉할 때까지 (d) 내지 (e)단계의 작업을 반복하는 단계;를 추가로 포함하는 SRD부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
  18. 제 16항에 있어서, 상기 액체는 탈이온수로 이뤄진, SRD부에서 선처리조절을 검증하는 방법.
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