TW449905B - Semiconductor-memory arrangement with Dummy-components on some continuous diffusion-regions - Google Patents

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 44990 5 A7 _____B7 五、發明說明（/ ) 本發明係關於一種半導體記憶體配置，其具有至少二 個記憶胞陣列，其設有多個由讀出放大器-電晶體或感測_ 放大器-電晶體和驅動器所構成之條形區，其中在至少二 個記憶胞陣列之間設置一些不需要之空著的面積以供半 導體記憶體配置使用。 積體半導體配置（其分別具有虛擬組件）例如在 ΟΕ197 03 6ΠΑ1 或 US5796148A 已爲人所知。 在半導體記憶體配置中設置許多記憶胞陣列，其分別 具有多個由感測-放大-電晶體和其所屬之驅動器所構成 之條形區。在相鄰之記憶胞陣列之間因此會產生一部份 未使用之區域或面積*其是與半導體記憶體配置之設計 有關。但此種空著的面積表示：這些與其相鄰之感測-放 大-電晶體就其狀態而言是與所有其它之感測-放大-電晶 體（其在條形區中在二側是鄰接於其它感測-放大-電晶 體）不同的。換言之，一個鄰接於空著的面積之此種感 測-放大-電晶體所具有之#相鄰區^是與傳統之感測-放 大-電晶體不同的。 現在已顯示：與空著的面積相鄰接之感測-放大-電晶體 之其它周邊在製造半導體記憶體配置時會有不利之作 用：形成閛極電極且特別是微影術等等所用之多晶砂2 擴散過程，沈積過程在至空著的面積之界面上之特性大 約是與條形區中之中央不同的。此種所謂"鄰近效應* 是很小的，但完全可測量且在操作半導體記億體配置時 是有干擾性的。 本纸張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） I] ---— — — — —--- V - — If — — — — illi — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 49 90 5 a? ___B7_ 五、發明說明（> ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，在現在之半導體記憶體配置中擴散區是由空著 的面積下方之感測-放大-電晶體所中斷，這樣在製造此種 半導體記憶體配置時是不利的’這是因爲擴散區應儘可 能以相連接之方式來構成’以便簡化此製程。 本發明之目的是提供一種半導體記憶體配置，其組件 在製造時須儘可能不受上述之鄰近效應所影響且其特徵 是交織式之擴散區。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明，上述目的在本文開頭所述技藝之半導體 記憶體配置中是以下述方式達成：在空著的面積中設置 一些虛擬（Dummy)組件，其和記億體陣列之各相鄰之組件 相同或儘可能與其相類似，虛擬組件和相鄰之組件配置 在共同之連續之擴散區中。這裡所謂〃儘可能相似〃之 意義是：虛擬組件在製程技術上應儘可能適應於各個組 件。此種虛擬組件較佳是一種虛擬電晶體。在虛擬組件 或虛擬電晶體下方延伸著相鄰組件之擴散區，使得例如 在感測-放大-電晶體中在二個相鄰之記憶胞陣列之條形 區下方產生一致性之連續式擴散區。這樣可在製造半導 體記憶體配置時使效益明顯提高。已有令人驚異之結果 顯示：共同之連續式擴散區特別是可提高此種相對於α-射線之射線穩定性。 可配置一些虛擬電晶體，使得當相鄰接之記憶胞陣列 在被驅動（active)而接通時這些虛擬電晶體可被接通。 本發明因此描述一種與目前技藝完全不同之方式：本 發明並不是力求一種設計（其中可儘可能廣泛地防止空 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 49 90 5 A7 B7 五、發明說明o ) 著的面積），本發明是可容忍這些空著的面積存在的，但 這些空著的面積須設匱一些虛擬組件，特別是電晶體， 這樣可在多晶砂…等等擴散，沈積時廣泛地使不同平面 中之鄰近效應獲得得補償。這些在空著的面積之邊緣上 之組件所具有之相鄰區是和其餘組件中者相同的，因此 藉由這些虛擬組件之加入而會形成這些組件所需之統一 之環境。在例如由感測-放大-電晶體所形成之條形區中在 此種條形區下方設置一種連續之擴散區。 本發明以下將依據圖式作描述。圖式簡單說明如下： 第1圖本發明第一實施例之二個相鄰記億胞陣列之感 測-放大-電晶體之條形區之俯視圖，其具有配置於二個相 鄰記憶胞陣列之間的虛擬電晶體。 第2圖本發明第二實施例之二個相鄰記憶胞陣列之條 形區之俯視圖，其具有配置於二個相鄰記憶胞陣列之間 的虛擬電晶體。 在這些圖式中相同之組件設有相同之參考符號。 第1圖顯示一些感測·放大-電晶體1 ’其是以U形方式 構成且鄰接於相鄰之條形區中。.在相鄰之記憶胞陣列之 條形區之間設置一種空著的空間4，二個不同條形區之感 測-放大-電晶體是藉由此空間4而互相隔開。這表示：特 別是在與此種空著的空間4相鄰接之感測-放大·電晶體1 之邊緣2處在此電晶體I製造時會產生一種鄰近 (proximity)效應，就像上述者一樣。 現在爲了排除此種鄰近效應，在本發明中在空著的面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) -------------'--------:訂----------線 (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 44990 5 五、發明說明（4 ) 積4上存在著一些虛擬-電晶體3，其廣泛地塡滿此空著 的面積4。這樣可達成各種不同之優點： 首先，這些與該空著的面積4相鄰之感測-放大-電晶體 1所〃看到'之環境是與其它全部之感測-放大·電晶體1 所看到者相同，因此可廣泛地排除上述之鄰近效應。此 外，擴散區5交織在上述二個條形區下方或以連續方式 構成，即，設置一種相同之擴散區5以例如供N -型-感測 -放大-電晶體或P-型-感測-放大-電晶體使用。 由感測-放大-電晶體1所構成之條形區亦設有一些驅 動器 > 其可由一個或多個電晶體所構成。 須構成一些虛擬電晶體3，使得當各別相鄰之記憶胞陣 列受驅動而被接通時這些虛擬電晶體3可接通。若這些 記憶胞陣列未受驅動（inactive)，則虛擬電晶體3亦被截 止（〇ff)。於是在操作時這些與空著的面積4相鄰之感測-放大-電晶體之邊緣2所〃看到^之環境是和其它所有之 感測-放大-電晶體1所看到者相同。 第2圖是本發明之另一實施例之俯視圓，其中虛擬電 晶體3類似於感測-放大-電晶體1而以U形方式構成且設 有一種大面積之接觸區7。在本實施例中亦可達成的是： 這些與空著的面積4相鄰之感測-放大-電晶體之邊緣2實 際上所^看到"之相鄰區就像其它所有之感測-放大-電晶 體1 一樣，因此可排除上述之鄰近效應。擴散區5交織 於此種形成條形區所用之感測-放大-電晶體1下方或以 連續方式構成，這樣可大大地簡化製程。在第2圖 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規烙（210 X 297公釐） -I I I I I 1 I I I I --------· .1 I--—--' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '4 49 90 5 at _ Β7 五、發明說明（r ) 之右半部中可省略此擴散區5之此種連續式之構成方 式，否則會產生其它結構，這些結構在所使用之製程中 不能輕易地被製成。這在其它製程中可以是不同的。 在本發明之半導體記憶體配置中，在二個記憶胞陣列 之間的區域中在由感測t放大-電晶體所構成之條形區之 間在一部份未使用之面積中加入一些虛擬電晶體，這些 虛擬電晶體在未受驅動之記憶胞陣列中是截止（off)的。 藉由這些虛擬電晶體，則在閘極產生等等所需之多晶矽 擴散，沈積時可使不同之臨界平面中之鄰近效應廣泛地 被排除。此外，在這些條形區下方製成一種連續之擴散 區，這樣在製造時可明顯地提高效益且可改良此種相對 於α-射線之穩定度或抵抗力。 在上述之實施例中這些虛擬組件較佳是電晶體，但亦 可不必是電晶體。反之，若空著的面積之周圍例如是由 二極體所構成時，則情況需要時亦可使用二極體作爲虛 擬組件。重要的只是··各別組件之與空著的面積4相鄰 接之各邊緣所看到之環境是與所有其它之組件所看到者 相同。 感測-放大-電晶體1和虛擬電晶體3在以上各實施例中 分別是一種MOS場效電晶體’其中各別擴散區5中之通 道型式是相同的。在以上二個實施例中所分別顯示之二 個擴散區5中，就其中一個擴散區而言因此可設置Ν-通 道-MOS -電晶體，而Ρ -通道-M〇S-電晶體則位於另一擴散 區5中。擴散區5之導電型式亦可不同。 本紙張足度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------.-*!-'-------1 訂-------I — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 449905 B7 五、發明說明（占） 符號說明 1…感測-放大·電晶體 2…感測-放大-電晶體 3…虛擬電晶體 4…空著的面積 5…擴散區 6…驅動器 7…接觸區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用乍國國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公釐）

Claims (1)

1. [^ 449905 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 1. 一種具有至少二個記憶胞陣列之半導體記憶體配置， 其設有多個由感測-放大-電晶體（1)和驅動器（6)所構成 之條形區 '在至少二個記憶胞陣列之間就此種半導體記 憶體配置而言設置一些未必是需要之空著的面積（4)， 其特徵爲：在此種空著的面積（4)中加入一些虛擬組件 (3)，其是與記憶胞陣列之相鄰組件相同或儘可能類 似；這些虛擬組件和相鄰組件是配置在一種共同之連_ 式擴散區（5)中。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體記憶體配置，其中虛 擬組件（3)是由虛擬電晶體所構成》 --—----------. ------— —訂 ---I----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐）