448520 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1 ) 本發明之背景 1. 本發明之範疇 本發明係大體上有關半導體元件，而特別是有關在具 有一在TAB(膠帶自動接合）膠帶上之半導體晶片的半導體 元件。 近年來，由於電子裝置效率變得愈來愈高，故，對小 型半導體元件的需求甚殷。為因應此趨勢，BGA (球柵陣 列）型的半導體元件被廣泛使用。而由於在T-BGA型半導 體元件内的隆起物之間隔可縮短，在此等BGA型半導體元 件中’各具有接在TAB帶上的半導體晶片之丁-BGA型半導 體元件因而也變得越來越普遍。 由於高可靠性亦為人們所期待，是故，不論周遭溫度 如何變化，均能穩定表現的半導體元件係為人所求。 2. 相關技藝之敘述 第1至3困係說明使用TAB技術的習知半導體元件1 » 詳言之’第1圖是半導體元件1的裝置孔7的一角落的放大 平面圖。第2圖是半導體元件1的的裝置孔7的一角落的放 大載面圖。第3圖是在切掉TAB膠帶3之前的半導體元件1 的平面圖。為易於說明起見’包復樹脂4未示於第1和3圖。 該半導體元件1係包含一半導體晶片2、該TAB膠帶3、 以及該包覆樹脂4。電路係形成於該半導體晶片2之上表面 上，且有多數個電極5圍繞該電路。 該TAB膠帶3包含一基底薄膜6、_布線圖案8、一焊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------:裝--------訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局wr工消費合作社"製 A7 B7____ .五、發明說明（2 ) 料光阻1 1 ’以及一樹脂抑制裝置1 2。 該基底薄膜6係為一由如聚亞胺所製得之樹脂基材， 且其没置有一方形開口 ’即為裝置孔7。該具有預定圖案 之布線圖案8係形成於該基底薄膜6之上。該布線圊案8的 内端部份係延伸進入該裝置孔7’且構成内部引線9。該布 線圖案8的外端部份係構成具有焊料球14(如第3圖所示）之 端子連接部位，以作為外部連接端子。 該半導體晶片2係藉由隆起物1 〇接合至該延伸進入該 裝置孔7之内部引線9,以使得該半導體晶片2藉由隆起物1〇 被電氣連接至該内部引線9，且被固定於該裝置孔7内。 該樹脂抑制裝置12係形成於該基底薄膜6之上，且配 置在該裝置孔7的四個角落。該樹脂抑制裝置12係於該布 線圖案8形成之相同時間内形成’且係由與該布線圖案$相 同之材料所製成。由於該樹脂抑制裝置12形成於該裝置孔 7的四個角落’而可防止該包覆樹脂4大量流出通過該裝置 孔7，而流向該背面。 於裝置孔7各角落之半導體晶片2及基底薄膜6間的距 離L1係大於非置於裝置孔7各角落之半導體晶片2及基底薄 膜6間的距離L2。如果該包覆樹脂4在缺乏該樹脂抑制裝 置12下被形成的話’該流出通過該於裝置孔7角落之半導 體晶片2及基底薄膜6間之間隔的樹脂量會多於流出通過其 他位置之間隔的樹腊量。因此’過多的樹腊4 A係被形成， 如第2圖所示。 為了避免此一現象，係於該裝置孔7的各個角落形成 1------------裝--------訂·- -----— ·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 44852 ) A7 五、發明說明（ 該樹脂抑制裝置12，以使得於裝置孔7角落之半導體晶片2 及基底薄膜6間的間隔被製得和其他位置之間隔幾乎一樣 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 窄。因此’可防止該包覆樹脂4大量流出通過該裝置孔7， 而流向該背面。 該焊料光阻11係進一步被置於該基底薄膜6上。一般 來說，該焊料光阻11係被形成以圍繞該裝置孔7。為了獲 得該焊料光阻11，係藉由印刷技術形成一墨水式光阻。然 而’最近幾年來，隨著人們對高密度之半導體元件的期望， 於其上可進行之即刻製程的光阻材料已被使用作為該焊料 光阻π。由一光阻材料所製成之焊料光阻丨丨於此後被指稱 為一光-焊料光阻。該光-焊料光阻11系由一絕緣樹脂（諸 如環氡樹脂）所製成，該光阻係比該基底薄膜6更硬a該光 -焊料光阻11覆蓋該布線圖案8的上表面，以保護該布線圖 案8。該光-焊料光阻η亦覆蓋一部分的樹脂抑制裝置η。 該光·焊料光阻11係不形成於該内部引線9，以及該設 置有焊料球14之端子連接部位中。因此，該内部引線9以 及該端子連接部位係透過該光-焊料光阻1丨而暴露。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如前所提，該光··焊料光阻11係由不同於該基底薄膜6 之樹脂所製成，以對該布線圖案8提供保護，以及維持絕 緣的特性。因此，該光-焊料光阻11之熱膨脹係數係不同 於該基底薄膜6之熱膨脹係數。 該包覆樹脂4係被形成以覆蓋該裝置孔7，如第2圖所 示，以使之可保護該半導體晶片2及該内部引線9。 當該包覆樹脂4於該半導體晶片2被接合至該TAB膠帶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公;Ϊ ) A7 ___________^B7_____ 五、發明說明（4 ) --------------裝--- (請先聞讀背面之注帝？事項再填寫本頁) 3後被形成時，且於該半導體元件】被安裝至一印刷電路板 上時加熱该半導趙元件1。因此，由於溫度快速上升而 引發之熱膨脹，且因光—焊料光阻丨丨及該基底薄膜6間之熱 膨脹係數的差異而於T AB膠帶3中產生壓力。 當邊先-焊料光阻1 1面臨光硬化製程時，其比由一印 刷技術所形成之傳統的光阻更硬。再者，該光_焊料光阻i 1 亦比該基底薄膜6更硬。因為此原因，壓力主要產生於該 光-焊料光阻11中。同樣地’壓力一般集中於有截面區域 較大變化的位置D因此，於該具有—矩形平台形之光-焊 料光阻1 1中’壓力係集中於面向該裝置孔7之角落的位置。 由於上述之原因’該傳統之半導體元件1具有一問題， 即’於熱供應時，該面向該裝置孔7之角落之光-焊料光阻 11上的位置處易發生龜裂。假若該龜裂變大，該布線圖案 8可能因此而被切斷，而造成半導體元件2之較差的可靠 信。 .線 本發明之概述 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印发 本發明之目標係在於提供一半導體元件，其中上述之 缺點係被移除。 本發明之一更特別之目標係在於提供一高可靠性之半 導體元件，其中係沒有龜裂的發生。 本發明之上述目標係藉由一包含下列元件之半導體元 件而達成： 一半導體晶片； A485 2 v A7 ___B7__ 五、發明說明（5 ) (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁) 一膠帶型之基材，其具有一設置有一裝置孔之 基底薄膜’該裝置孔係形成該半導體晶片安裝 的位置内；一布線圖案，其邊蠕部位構成該連 接至該半導艘晶片之内部引線’且該端子連接 部位係設置有外部連接端子；以及一光阻，其 具有一不同於該基底薄膜之熱膨脹係數，且形 成於該基底薄膜上以保護該端子連接部位之外 的布線圖案； 一包覆樹脂4,其覆蓋該包括半導體晶片以及 一部份之光阻的裝置孔；以及 壓力解除部位，其形成該面向該裝置孔之角落 之光阻上的位置處，以解除產生於光阻内之内 部殘餘壓力。 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 一旦於該面向該裝置孔之角落之光阻上的位置處，形 成該可解除產生於光阻内之内部殘餘壓力的壓力解除部位 時’可防止該因光阻及基底薄膜間之熱膨脹係數之不同所 造成之壓力集中於該裝置孔之角落。再者，因為光阻及基 底薄膜間之熱膨脹係數的不同，當熱被供應以形成該樹脂 包覆或安裝該半導體元件時，會於該膠帶型基材中產生壓 力。該光阻一般係比該基底薄膜更硬，且該壓力主要產生 於光阻中。同樣地，該壓力欲集中於截面區域變化較大的 點上。因此，該壓力特別集中於面向該裝置孔之角落之光 阻上的位置處。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） A7 *--—_B7_______ 五、發明說明（6 ) 為解決此一問題，該用於解除内部殘餘壓力之壓力解 除部位係形成於壓力集中之位置’諸如，面向該裝置孔之 角落之光阻上的位置處。一旦具有該壓力解除部位，則可 防止因壓力集中而於光阻中所造成的龜裂。因此’可防止 該布線圖案因龜裂而被切除，且可增加該半導體元件的可 靠性。 本發明之上述的目標亦可藉由下述之半導體元件來達 成，其包含： 一半導體晶片； 一膠帶型之基材，其具有一設置有一裝置 孔之基底薄膜，該裝置孔係形成該半導體 晶片安裝的位置内；一布線圖案，其邊端 部位構成該連接至該半導體晶片之内部引 線’且該端子連接部位係設置有外部連接 端子，以及一光阻，其形成於該基底薄膜 上以保護該端子連接部位之外的布線圊 案； 一包覆樹脂4,其覆蓋該包括半導體晶片以 及一部份之光阻的裝置孔； 樹脂抑制裝置’其係形成於該裝置孔之角 落上以防止該包復樹脂大量流出該裝置孔 7 ’而流向該背面；以及
/1 /1 PR 2 A7 B7 五、發明說明（7 ) 變形阻止部位，其設置於該樹脂抑制裝置， 以阻止當熱被供應時，該樹脂圖案的熱變 I It I ϋ- ) I · I at {靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 形。 當具有該變形阻止部位以阻止於熱供應時該樹脂抑制 裝置的熱變形時，可防止因該樹脂抑制裝置變形而於光阻 内造成的龜裂。詳言之，.假若於熱供應時，該樹脂抑制裝 置之熱變化大，則會於該膠帶型基材内造成壓力，其係因 為該光阻及該樹脂抑制裝置間的熱變形速率之差異所引 起。該樹脂抑制裝置係與布線囷案一體成型，且該樹脂抑 制裝置係由金屬所製成。因此，該光阻係比該由金屬所製 得之樹脂抑制裝置更軟，且該由樹脂抑制裝置變形而引起 的壓力係主要產生於光阻中。同樣地，該壓力係欲集中於 截面區域變化較大的位置。因此，該壓力主要集中於面向 該裝置孔之角落之光阻上方的位置。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 為解決此一問題’該變形阻止部位係設置於樹脂抑制 裝置’以使得該樹脂抑制裝置之圖案及該光阻間所產生的 壓力可變得更小。於此狀況下’可防止面向該裝置孔之角 落位置處的裹裂。因此，可防止該布線圖案因龜裂而被切 除，且可大大增加該半導體元件的可靠性。 本發明之上述及其他目標和特徵將藉由下列.之敍述及 所附隨之圖式而變得更清楚。 圖式之簡要說明 本纸張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作.社印製 Λ7 _____B7_____ 五、發明說明（S ) 第1圖係為習知之半導體元件之裝置孔之一角落的放 大平面圖； 第2圖係為習知之半導體元件之裝置孔之一角落的放 大截面圖： 第3圖係為習知技藝中，切掉tab膠帶3之前之半導體 元件的平面圖； 第4圖係為本發明之第一具體實施例之半導體元件的 平面圖： 第5圖係為形成於本發明之第一具體實施例之半導體 元件中的裝置孔之一角落的放大平面圖； 第6圖係為形成於本發明之第二具體實施例之半導體 元件中的裝置孔之一角落的放大平面圖； 第7圖係為形成於本發明之第三具體實施例之半導體 元件中的裝置孔之一角落的放大平面圊； 第8圖係為形成於本發明之第四具體實施例之半導體 π件中的裝置孔之一角落的放大平面圖； 第9圖係為形成於本發明之第五具體實施例之半導體 元件中的裝置孔之一角落的放大平面圖； 第10圖係為形成於本發明之第六具體實施例之半導 體元件中的裝置孔之—角落的放大平面圖； 第11Α及11Β圖係.為說明本發明4第七具體實施例之 半導體元件中的裝置孔的_角落； 第1 2A及1 2B圊係爲呤aa 士政αη _ 一 示馬說明本發明之第八具體實施例之 半導體元件中的裝置孔的—角落； .巧❿巧隱-：-- --------ft----------—訂*---In— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) άάΒ52^ Α7 Β7 五、發明說明（9 ) 第13圖係為形成於本發明之第九具體實施例之半導 體元件中的裝置孔之—角落的放大平面圖； 第14圖係為形成於本發明之第十具體實施例之半導 體元件中的裝置孔之—角落的放大平面圖； 第15圖係為形成於本發明之第十一具體實施例之半 導趙元件中的裝置孔之一―角落的放大平面圖； 第16圖係為形成於本發明之第十二具體實施例之半 導體元件中的裝置孔之一角落的放大平面圖。 較佳具體實施例之描述 接下來係為本發明之較佳具體實施例及附圖之描 述。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 -----------裝--------訂. (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4及5圖係舉例說明本發明之第一具體實施例的半 導體元件20A。第4圖係為TAB膠帶3切掉之前之半導體元 件20A的平面圖，且第5圖為形成於半導體元件2〇a内之裝 置孔27之一角落的放大平面圖》必須知道的是，該包覆 樹脂4係使用於第一具體實施例及其他而後描述之具體實 施例争，如同習知之之半導體元件1中的包覆樹脂。然而， 為解釋之方便該包復樹脂4係不顯示於圖式中。 該半導體元件20A包含一半導體晶片22、該TAB膠帶 23( -膠帶型基材）、以及該包復樹脂4(沒有顯示）。電路 係形成於該半導體晶片22之上表面上，且有多數之電極25 圍繞該電路。 該TAB膠帶23包含一基底薄膜26。一布線圖案28、一 忒紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印.-,ΐ ______ B7 _丨_ 1 —— —— 玉、發明說明（ίο) 光•焊料光阻3 1、以及樹脂抑制裝置3 2。 邊基底薄膜26係為一如由聚亞胺所製得之樹脂基 材，且其設置有一方形間口，即為裝置孔27。該基底薄 膜26之熱膨脹係數係如為15 ppm (每一百萬分之）„該具有 預定圖案之布線圖案係置於該基底薄膜26上。該布線圖 案28係由銅所製得。該布線圖案28的内端部位係延伸進入 4裝置孔27，且構成内部引線29 ^該布線圖案28的外端部 位係構成設置有焊料球34之端子連接部位’其係為外部 連接端子。 該半導體晶片22係藉由隆起物3〇接合至該延伸進入 該裝置孔27之内部引線29，以使得該半導體晶片22藉由 隆起物30被電氣連接至該内部引線29 ’且被固定於該裝 置孔27内。 該樹脂抑制裝置32係形成於該基底薄臈20之上，且 配置在该裝置孔27的四個角落，該樹脂抑制裝置32係於 該布線圖案28形成之相同時間内形成，且係由與該布線 圖案28相同之材料的銅所製成。由於該樹脂抑制裝置^ 形成於該裝置孔27的四個角落，而可防止該包覆樹脂以大 量流出通過該裝置孔27，而流向該背面。 該光·焊料光阻31係形成於該基底薄膜26之上，且圍 繞該裝置孔27。該光-焊料光阻η一般係由一絕緣樹脂（諸 如環氧樹脂）所製成，該光阻係比該基底薄膜26更硬。該 先-焊料光阻3 1覆蓋該布線圖案28，以藉此保護該布線圖 案28 "該光-焊料光阻1 1亦覆蓋一部分的樹脂抑制裝置32。 I il— - 111---I ^--- ------ (請先閱讀背面之注*?事項再填寫本頁>
44852 t A7 B7 五、發明說明（11) 當該光-焊料光阻3 1係由不同於該基底薄膜26之樹脂所製 成，以保護對該布線圖案28及維持絕緣的特性時，該光· 焊料光阻3 1之熱膨脹係數係大不同於該基底薄膜26之熱膨 脹係數》詳言之，如該基底薄膜26之熱膨脹係數為15ppm， 而該焊料光阻3 1之熱膨脹係數係為140ppm。 該光-焊料光阻31係不形成於該内部引線29上，以及 該設置有焊料球14之端子連接部位中，以使得該内部引 線29以及該端子連接部位係透過該光-焊料光阻31而暴 露。該包復樹脂4覆蓋該裝置孔27，以保護該半導體晶片22 及該内部引線29 » 於此具體實施例中，一去角部位35係形成於各面向 該裝置孔27之光-焊料光阻31的角落處。該去角部位35具 有一半徑為R之弧形。當該光-焊料先阻31藉由如掃描印 刷技術而形成時，一具有與各去角部位35相對之外形的 罩幕係被使用。因此，各去角部位35可容易地被形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -----------•-裝--------訂. <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於該光-焊料光阻31與該基底薄膜26間之熱膨脹係 數的差異，當熱被供應時，會於該TAB膠帶23中產生壓力。 同樣地’因該由環氧樹脂所製成之光-焊料光阻31比該由 聚亞胺所製成之基底薄骐26硬，故該壓力主要產生於該 光-焊料光阻31上’且集中於該面向裝置孔27之光·焊料光 阻31的角落上。 壓力集令於其上之去角部位35係形成於面向裝置孔 27之光-焊料光阻31的角落處。與第1圖所示之習知技藝中 的方形外形相比較，該去角部位35可吸收在面向該裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 經濟部智慧財產局員工消費合作社ίπ·*'1ΐ A7 ____B7 _ 五、發明說明（l2) 孔27之光-焊料光阻31的角落處，而由载面區域之大變化 所產生的壓力，藉此可有效避免壓力的集中。換句話說， 該去角部位35之功能係作為壓力解除部位，其可解除該 產生於光-焊料光阻31内的内部殘餘壓力。 當具有該作為壓力解除部位以用於解除該產生於光_ 焊料光阻31内的内部殘餘壓力的去角部位％時’可避免 忒因基底薄膜26與該光-焊料光阻3丨間之熱膨脹係數之差 異所產生之壓力集中於各角落上。因此，係沒有龜裂產 生於該光-焊料光阻31中，且該布線圊案28不會因龜裂而 被切除。因此，可增加該半導體元件2〇A的可靠性。 同樣地’可藉由增加各去角部位35的半徑r，而使截 面區域變得更小，同時該壓力解除效果變大。當該光·焊 料光阻3 1與該基底薄膜26間之熱膨脹係數差異愈大，該 集中於面向該裝置孔27之光-焊料光阻之31角落的壓力愈 大。由此觀之，各去角部位35的半徑r係基於該光-焊料光 阻3 1與該基底薄膜26間之熱膨脹係數之差異而作調整， 以使得該壓力的集中可有效地被避免。 第6圖係顯示本發明之第二具體實施例的半導體元件 20B。於此圖中’與第一具體實施例之半導體元件2〇A中 咱同的組成係以給予相同的標號。此亦施及後面所述之 其他具體實施例之半導體元件。 本具體實施例之半導體元件2〇B之特徵在於，弧形凹 面部位36 ’其於形成在面向該裝置孔27之角落（該位置此 後係彳自稱為角落面向位置）之光-焊料光阻之3 1上的位置 a - SSI：*» Jl iCNb)A-i /¾¾ (210 , V97 ---- I -------· 11-----t--------- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 448 A7 B7 五、發明說明（13) 處，以作為壓力解除部位。 第7圖係顯示本發明之第三具體實施例的半導想元件 20C。該半導體元件20C的特徵在於細長的裂口 37，其係 形成在光-焊料光阻之31上之各相對的角落面向位置，以 作為壓力解除部位。 第8圖係顯示本發明之第四具體實施例的半導趙元件 20D。該半導體元件20D的特徵在於多數個（於此具體實施 例中是兩個）細長的裂口 37A及37B，其係形成在光-焊料 光阻之31上之各相對的角落面向位置，以作為壓力解除 部位。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -----------裝--------訂· (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 至今所述，當具有該弧形凹面部位36、該細長的裂 口 37、或該細長的裂口 37A及37B時，於光-焊料光阻之31 上之角落面向位置上的載面區域可變小，且可有效避免 壓力的集中。因此，於該光焊料光阻31中不會產生因壓 力集中而造成的龜裂，且可增加各半導體元件20B至20D 的可靠性。當該弧形凹面部位、該細長的裂口 37、及該 細長的裂口 37A及37B於印刷該光焊料光阻31之同時間下 被圖案化時，其等可簡單地被形成》 第9圖係顯示本發明之第五具體實施例的半導體元件 20E。該半導體元件20E的特徵在於圓形孔洞38，其係各 形成在光-焊料光阻之31上之各相對的角落面向位置，以 作為壓力解除部位。於此具體實施例中，每一個圓形的 孔洞38係僅貫穿該光焊料光阻31，而不貫穿該基底薄膜26 以及該配置於光焊料光阻31下方之布線®案28。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 經濟部智慧財產局員工消費合泎社.2¾ A7 B7 五、發明說明（Μ) 甚至於假若於此具體實施例中，在該光-焊料光阻3 i 上之各角落面向位置上產生蠢裂39時，該龜裂39會藉該 圓形的孔洞3 8而停止變大，如第9圖所示。於此狀況下， 該布線圖案28不會因一過長之龜裂而被切除。 第10圖係顯示本發明之第六具體實施例的半導體元 件20F。不似第五具體實施例之於各角落面向位置上形成 一電路孔洞38 ’本具體實施例之半導體元件2〇F的特徵係 在於多數個（於此具體實施例中是兩個）圓形孔洞3 8 A及 3 8B，其係形成在光-焊料光阻之31上之各角落面向位置。 甚至於假若在該光-焊料光阻31上之一角落面向位置 上產生巨大壓力集中’且該龜裂39超過該圓形孔洞38B 時’該龜裂3 9會藉該與圓形孔洞38B成一直線排列之圓形 的孔洞38 A而停止變大。因此，可確切防止該布線圖案28 因一過長之龜裂而被切除。 第1 1A及11B圖係顯示本發明之第七具體實施例的半 導體元件20G ’而第12A及12B圖係顯示本發明之第八具 體實施例的半導體元件20H。詳言之，第UA圖係為半導 體元件20G中之一角落面向位置的放大平面圖，而第丨1B 圖係為沿第11A圊之A2-A2線切下之半導體元件2〇G之一 部份的戴面圖。第12 A圖係為半導體元件20H中之一角落 面向位置的放大平面圖，而第12B圖係為沿第12 A圊之A3-A3線切下之半導體元件20H之一部份的載面圊。 於第9及10圖所示之各半導體元件2〇e及20F中，各圓 形孔洞3 8、3 8 A及3 8 B係僅貫穿該光焊料光阻3 1。然而， ------------I --------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在 4 B5 2 0 A7 ___ B7 五、發明說明（15) 於第七及第八具體實施例中的半導體元件2〇只及2〇G係設 置有貫穿孔洞43、43 A、及43B，其不僅貫穿該光焊料光 阻31，同時亦貫穿該基底薄膜26以及該布線圖案“。當 該龜裂39到達任何一個貫穿孔洞43、43 a、及43B時，皆 可防止該龜裂39變得更大》 當具有該垂直貫穿該TAB膠帶23之貫穿孔洞43、 43 A、及43B時’在該龜裂39到達任何一個貫穿孔洞43、 43A、及43B時，可確切防止其變大。因此’與第9及圖 所示之第五及第六具體實施例之半導想元件2 〇E及20F相 比較’可確切防止該於第七及第八具體實施例中之布線 圖案28因一過長之龜裂而被切除。 第13圊係顯示本發明之第九具體實施例的半導體元 件201。該半導體元件201的特徵在於去角部位41，其各形 成於面向各相對之樹脂抑制裝置4〇a之位置上的角落。該 去角部位41係使用作為變形阻止部位以阻止於熱供應 時，該樹脂抑制裝置40A的熱變形。當於該樹脂抑制裝置 40A處具有該去角部位41時，可防止因樹脂抑制裝置4〇a 變形所造成之光-焊料光阻31中之龜裂* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ----------' -·裝--------訂_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者’假若於熱供應時，該樹脂抑制裝置4〇A之熱變 化過大時，會因光-焊料光阻31與樹脂抑制裝置40A間之熱 變形差異而於TAB膠帶中產生壓力。於此，該樹脂抑制裝 置40A係與該布線圖案28—樣係由銅所製得 一旦該由樹脂所製得光-焊料光阻31比由金屬所製得 之樹脂抑制裝置40A更軟時，由樹脂抑制裝置4〇A之熱變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公爱） -18- A7 B7 經濟部智慧財產局員工"費合作社印絮 五、發明說明（1〇 形所造成之壓力係會集中於該光_焊料光阻31中。同樣地， 該壓力係欲集中於載面區域變化大的位置。因此，該壓 力特別集中於光-焊料光阻31的角落。 為了解決此問題，該去角部位41係形成在面向該光-焊料光阻31角落之該樹脂圊案上的位置處，以使得於光· 焊料光阻31與樹脂抑制裝置間產生的壓力變小。於此狀 況下’可避免於壓力集中之角落面向位置的龜裂，且可 避兔該布線圖案因一龜裂而被切除。因此，可大幅增加 該半導體元件201的可靠性。 第Μ圖係顯示本發明之第十具體實施例的半導體元 件20J。該半導體元件20J的特徵在於細長的裂口 42，其各 形成於面向各相對之樹脂抑制裝置4〇Β之位置上的角落。 第1 5圖係顯示本發明之第具體實施例的半導體元件 20K。該半導體元件20K的特徵在於細長的裂口 42A及 42B，其各形成於面向各相對之樹脂抑制裝置4〇(：之位置 上的角落。 當於樹脂抑制裝置40B及40C上之角落面向位置上各
具有形成作為變形阻止部位之細長的裂口 42、42 A及42B 時，可減少樹脂抑制裝置4〇B及40C上之角落面向位置處 的變形，且可有效防止壓力的集中。 如第九具體實施例的半導體元件201中’可避免因壓 力集中而於光-焊料光阻31中所造成的龜裂，且可避免該 布線圖案28因一龜裂而被切除。因此，可増加該半導體 元件20J及20K的可靠性。同樣地，該去角部位41、細長 ------! I---I ----I---^ 1 ------9^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Λ Α7 Β7 五、發明說明（17) 的裂口 42、42A及42B可藉由如蝕刻之技術而於圖案化該 布線圖案28之時而集體地形成。因此，此等變形阻止部 位並不會複雜化該生產程序。 第16圊係顯示本發明之第十二具體實施例的半導體 元件20L。該半導體元件20L的特徵在該細長的裂口 37C , 其與第三具體實施例（如第7圖所示）相同，其係形成在光_ 焊料光阻之3 1上之各相對的角落面向位置，該貫穿孔洞 43C係與第七具體實施例（如第11A圖所示）相同，其形成在 光-焊料光阻之3 1上之各相對的角落面向位置，且該細長 的裂口 42係與第十具體實施例（如第14圖所示）相同，其係 形成於各樹脂抑制裝置40B之相對的角落面向位置處。 如該具體實施例中所示，其可能利用任何合適之去 角部位35或41、該弧形凹面部位、該細長的裂口 37' 37 A 及37B、42、或42A及42B、該圓形孔洞38或38A及38B，以 及貫穿孔洞43或43 A及43B的組合。因此，可確切避免於 光焊料光阻31中之龜裂以及該布線圖案28的切除》 本發明並不受限於所特別述及之具髏實施例，但可 在不偏離本發明之範疇内進行變化及修改。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -------------裝------——訂. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係以於1999年四月16日於日本申請之優先申 請案No. 11-109930為基礎，其整體内容於此併為參考資 料。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -20· 五、發明說明（is A7 B7 元件標號對照表 卜 20A、20B、20C ' 20D、20E、2〇F、2〇G、20H 2〇I、20J、20K、20L 半導體元件 2、22 半導體晶片 隆起物 32 、 40A 、 40B 、 40C 34 焊料球 弧形凹面部位 37A、37B、37C、42、42A、42B 細長的裂口 38A、38B 圓形孔洞 39 龜裂 43A、43B、43C 貫穿孔洞 3 ' 23 TAB膠帶 4A 過多的樹脂 6 ' 26 基底薄膜 8、28 布線圖案 10 12 14 36 37 38 43 4 包覆樹脂 5、25 電極 7、27 裝置孔 9、29 内部引線 11 ' 31 焊料光阻 樹脂抑制裝置 35、41 去角部位 ------------I I -------f 訂·------J J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟郢智慧財產局員工消費合作社£製 h 規格[210 G97 公复）